JP6049279B2 - 有機el表示装置の製造方法、電子機器 - Google Patents
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Description
第一電極上に有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程と、
前記有機化合物層上に剥離層を形成する剥離層の形成工程と、
前記剥離層及び前記有機化合物層をパターニングする加工工程と、
前記剥離層の表層を除去する剥離層の表層加工工程と、
前記表層が除去された剥離層の上に第二電極を形成する第二電極の形成工程と、をこの順に有し、
前記剥離層が、電荷輸送性かつ極性溶媒に可溶な有機化合物からなる蒸着膜であることを特徴とする。
(A)第一電極上に有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程
(B)有機化合物層上に剥離層を形成する剥離層の形成工程
(C)剥離層及び有機化合物層をパターニングする加工工程
(D)剥離層の表層を除去する剥離層の表層加工工程
図1は、本発明の製造方法で製造される有機EL表示装置の例を示す断面模式図である。図1の有機EL表示装置1は、支持基板10上に、三種類の副画素、即ち、第一副画素20aと、第二副画素20bと、第三副画素20cと、が設けられている。ここで第一副画素20aと、第二副画素20bと、第三副画素20cと、により、画素が構成されている。尚、図1の有機EL表示装置1には、第一副画素20aと、第二副画素20bと、第三副画素20cと、からなる1組の画素が示されているが、実際の有機EL表示装置では、支持基板10上に複数の画素がマトリックス状に配置されている。
次に、本発明に係る図1の有機EL表示装置の製造方法を具体例として、互いに異なる色を表示する3種類の副画素を備える、有機EL表示装置の製造方法について説明する。
(A)第一電極上に有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程
(B)有機化合物層上に剥離層を形成する剥離層の形成工程
(C)剥離層及び有機化合物層をパターニングする加工工程
(D)剥離層の表層を除去する剥離層の表層加工工程
(1)第一電極の形成工程(図2(a))
(2)有機化合物層の形成工程(図2(b))
(3)剥離層の形成工程(図2(c))
(4)感光性樹脂層の形成工程(図2(d))
(5)感光性樹脂層の加工工程(図2(e))
(6)剥離層の加工工程(図2(f))
(7)有機化合物層の加工工程(図2(g))
(8)感光性樹脂層の除去工程(図2(l))
(9)剥離層の表層加工工程(電荷輸送層の形成工程)(図2(m))
(10)電荷注入・輸送層の形成工程(図2(n))
(11)第二電極の形成工程(図2(o))
まず支持基板10上に第一電極21a、21b、21cを形成する。支持基板10は、ガラス基板等の公知の基板を選択することができる。第一電極21a、21b、21cは、公知の電極材料からなる電極層であり、光の取り出し方向に対応してその構成材料を適宜選択する。トップエミッション型の有機EL表示装置を作製する場合は、第一電極21a、21b、21cを反射電極とし、後述する第二電極25を光透過性電極とする。一方、ボトムエミッション型の有機EL表示装置を作製する場合は、第一電極21a、21b、21cを光透過性電極とし、第二電極25を反射電極とする。
有機化合物層22(22a、22b、22c)は、有機EL表示装置の構成部材であって、少なくとも発光層を含む単層又は複数の層からなる積層体である。有機化合物層22に含まれる発光層以外の層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層が挙げられる。ただし本発明はこれらに限定されるものではない。ここで発光層に接する層は、電荷輸送層(正孔輸送層、電子輸送層)であってもよいし、電荷ブロック層(電子ブロック層、正孔ブロック層)であってもよい。
有機化合物層22上に設けられる剥離層30は、単一の層であってもよいし、複数の層からなる積層体であってもよい。本発明では、剥離層30が単一の層からなる場合、この層は極性溶媒に可溶な材料からなる蒸着膜である。また剥離層30が複数の層からなる積層体である場合、当該積層体を構成する層のうち少なくとも最下層は、真空蒸着法によって成膜される低分子材料からなる層である。より具体的には、剥離層30の最下層は、極性溶媒に可溶な材料からなる蒸着膜である。これにより、極性溶媒を使用することで剥離層30を選択的に除去することが可能になる。また、本発明において剥離層30は、アモルファス膜であることが好ましい。
本発明では、剥離層30の構成材料として、複素環式化合物を使用してもよい。本発明においては、電荷輸送性に優れた複素環式化合物が好適に使用される。例えば、ピリジン、ビピリジン、トリアジン、フェナントロリン、キノリン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール等の複素環化合物を基本骨格として含んでいる化合物群である。尚、キノリンを基本骨格として含んでいる場合は、キノリナート錯体であってもよい。この複素環式化合物の化合物群に含まれる化合物としては、例えば、下記に示される化合物A1乃至A7がある。
本発明では、剥離層30の構成材料として、m−ターフェニル基と縮合環基とを有する化合物を使用してもよい。m−ターフェニル基を有することにより、極性溶媒との溶解性が向上する。ただし、剥離層は、極性溶媒との溶解性に加えて、ガラス転移温度等の熱的安定性の向上も考慮する必要があるので、これらを考慮して構成材料となる化合物を選択する必要がある。このためm−ターフェニル基に縮合多環炭化水素化合物が組み合わさった化合物を剥離層30の構成材料とするのが好ましい。このm−ターフェニル基と縮合環基とを有する化合物としては、例えば、下記に示される化合物B1乃至B5がある。
本発明では、剥離層30の構成材料として、電子吸引性基を有する電荷輸送性化合物を使用してもよい。ここで電子吸引性基として、例えば、ケトン基、シアノ基が挙げられる。この電子吸引性基を有する化合物としては、例えば、下記に示される化合物C1乃至C4がある。
(i)IPA/水混合溶剤中のIPAの濃度が濃すぎると、剥離層の構成材料と有機化合物層の構成材料とが、共にIPA/水混合溶剤に対する溶解速度が速すぎてエッチングレート比(n)が1に近い状況になること
(ii)(i)の場合において、水を添加してIPAの濃度を薄くすることで各々の溶解速度を低下させつつエッチングレート比(n)を大きくすることが可能であること
本発明において、剥離層30を所望の形状にパターニング(加工)する手段として、フォトリソグラフィー法を利用することができる。ここでフォトリソグラフィー法を利用した剥離層の加工プロセス(剥離層の第一の加工工程)について説明する。
フォトリソグラフィー法を利用する場合では、まず剥離層30上に感光性樹脂層40を設ける必要がある。感光性樹脂層40の構成材料である感光性樹脂は、公知の材料を使用することができる。また感光性樹脂層40の成膜方法としては、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット法等、既存の方法を用いることができる。状況によっては蒸着法を利用することができる。
次に、剥離層30のうち感光性樹脂40に被覆されていない領域を選択的に除去することで剥離層30の加工を行う。剥離層30の選択的な除去方法は特に限定されるものではないが、具体的には、ウェットエッチング、ドライエッチング等の既存の薄膜加工方法を用いることができる。ただし、溶媒によるサイドエッチングの影響が他よりも小さいドライエッチングが好ましい。
次に、有機化合物層22のうち剥離層30に被覆されていない領域にある有機化合物層22を選択的に除去する。有機化合物層22の加工方法は特に限定されるものではなく、ウェットエッチング、ドライエッチング等の既存の方法を用いることができる。ただし、溶媒によるサイドエッチングの懸念がないドライエッチングが好ましい。尚、感光性樹脂層の形成・加工工程の後、剥離層30の加工工程と有機化合物層22の加工工程とを、一括して行ってもよい。
次に、剥離層30の表層を除去して薄膜化(剥離層30を薄く加工)する。この表層加工工程は、具体的には、上述した有機化合物層の加工工程の後、水を混合した極性溶媒に剥離層30まで形成されている支持基板10を浸漬する工程である。ここで剥離層30まで形成されている支持基板10を、水を混合した極性溶媒に浸漬すると、剥離層30は、支持基板10の反対側より順に溶解される。ここで、本工程で使用する溶剤に一定時間浸漬したときに溶出した剥離層30の構成材料の量(溶出量)から予め求めたエッチングレートを用いて、このエッチングレートの条件下で剥離層30まで形成されている支持基板10を一定時間浸漬する。こうすることで、剥離層30を所望の膜厚に加工することができる。この表層加工工程によって加工された剥離層30は、電荷輸送層23(23a、23b、23c)としてそれぞれ機能する(図2(m))。このため、後の工程で、電荷輸送層を成膜する工程を簡略化あるいは省略することができる。また表層加工工程後の剥離層(電荷輸送層23(23a、23b、23c))の膜厚は、素子設計に応じて適宜変更することができる。
上記のように、剥離層30の再加工(剥離層30の表層加工工程)を行った後は、電荷輸送層23上に、電荷注入・輸送層24を形成する。尚、この電荷注入・輸送層24は、各副画素に共通する層として形成するのが好ましい。
トップエミッション型の有機EL表示装置を作製する場合、上部電極に相当する第二電極25は、透明導電材料からなる透明電極とする。光透過性を有する透明導電材料は、光の透過率の高い材料が好ましい。例えば、ITO、IZO、ZnO等の透明導電材料や、ポリアセチレン等の有機導電材料が挙げられる。尚、Ag、Al等の金属材料を10nm〜30nm程度に形成した半透過膜を第二電極25としてもよい。ここで酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛、ZnO等の透明導電材料で光透過性の電極を形成する場合、低消費電力化を目的として、電極として用いるのに必要な低抵抗特性と、光の取り出し効率を高めるのに必要な高透過率特性と、の両方を満足する組成が好ましい。光透過性の電極になる薄膜は、スパッタリング等の公知の方法で成膜することができる。上述した低抵抗特性と高透過率特性とを兼ね備える透明導電膜を作製する場合は、成膜装置の容量、ターゲット、装置内の圧力、成膜時の出力電圧を適宜調整する必要がある。尚、第二電極25は、TFT(不図示)等のスイッチング素子に電気接続されている。
本発明の製造方法で製造された有機EL表示装置は、各副画素(20a、20b、20c)が有する第一電極21と第二電極25との間に電圧を印加することによって駆動することができる。ここで電圧を印加する場合は、例えば、TFTを介して各電極と電気接続される電源手段(不図示)を使用する。
図5は、本発明の有機EL表示装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。ここで第二の実施形態は、第一の実施形態と比較して、剥離層30の形成工程の後、この剥離層30上に保護層60が形成されている点で相違する(図5(a))。以下、第一の実施形態との相違点を中心に第二の実施形態について説明する。
本発明の製造方法においては、剥離層30の形成工程の後、図5(a)に示されるように、この剥離層30上に保護層60を形成してもよい。ここで剥離層30上に形成する保護層60は、水や有機溶媒に対して不溶の膜であり、防湿性、ガスバリア性を有する膜であることが好ましい。ここで保護層60は、フォトリソグラフィー時に照射される光を吸収する特性を有することがより好ましい。本発明の製造方法において形成される保護層60としては、窒化珪素(SiN)を主材料とする無機化合物の薄膜層であることが好ましい。
感光性樹脂層40と剥離層30との間に保護層60が設けられている場合は、剥離層30の加工を行う前に、保護層60の加工を行う必要がある。ここで保護層60の加工とは、具体的には、保護層60のうち感光性樹脂層41(露光工程において露光されなかった感光性樹脂)に被覆されていない領域を選択的に除去することである(図5(b))。保護層60の選択的な除去方法は特に限定されるものではないが、公知の技術、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングを利用することができる。例えば、保護層60の構成材料がSiNの場合では、CF4を反応ガスとしたドライエッチングが利用可能である。
以上に説明した保護層60の加工工程を行った後、第一の実施形態と同様に、剥離層30および有機化合物層22aの加工を行う(図5(c))。尚、有機化合物層22aの加工を行う際に、感光性樹脂層41の除去も併せて行ってもよい。
図6は、本発明の有機EL表示装置の製造方法における第三の実施形態を示す断面模式図である。ここで第三の実施形態は、第二の実施形態と比較して、保護層60が複数の層(第一保護層61、第二保護層62)で形成されている点で相違する(図6(a))。以下、第二の実施形態との相違点を中心に第三の実施形態について説明する。
図5(a)や図6(a)に示されるように、保護層60は、単一の層であってもよいし複数の層であってもよい。保護層が二つの層からなる積層体である場合、先に形成される第一保護層61は水溶性材料で形成することが好ましい。そして第一保護層61の次に形成される第二保護層62は、窒化珪素等の水や有機溶媒に対して不溶の材料を主材料とする無機化合物の膜であることが好ましい。
また保護層60が複数の層で構成される場合は、各保護層についてそれぞれ加工を行う必要がある。例えば、保護層60が、水溶性高分子からなる第一保護層61と、SiNからなる第二保護層62と、がこの順で積層してなる積層体である場合、以下に示す方法で各保護層の加工を行う。まず上層である第二保護層について、CF4を反応ガスとしたドライエッチングを行い(図6(b))、次いで、下層である第一保護層について、CF4を反応ガスとしたドライエッチングを行う(図6(c))。
以上に説明した保護層60の加工工程を行った後、第二の実施形態と同様に有機化合物層22aの加工を行う(図6(d))。尚、有機化合物層22aの加工を行う際に、図6(d)に示されるように、感光性樹脂層41の除去も併せて行ってもよい。
以上、説明したように、本発明の製造方法にて形成された有機EL表示装置は、電流効率、駆動寿命、精細度に優れるため、様々な電子機器の表示部として用いることができる。電子機器としては、デジタルカメラ、携帯情報端末等の携帯機器や、パーソナルコンピュータ、テレビ、各種プリンタ等が挙げられる。
図1に示される有機EL表示装置を、図2に示されるプロセスに従って作製した。
まずスパッタリング法により、支持基板10上に、アルミニウム合金(AlNd)を成膜しAlNd膜(反射電極)を形成した。このときAlNd膜の膜厚を100nmとした。次に、スパッタリング法により、AlNd膜上にITOを成膜しITO膜を成膜した。このときITO膜の膜厚を10nmとした。尚、上記AlNd膜とITO膜とからなる積層体は、第一電極21として機能する。次に、フォトリソプロセスによる第一電極21のパターニングを行うことにより、第一副画素、第二副画素及び第三副画素をそれぞれ構成する第一電極21a、21b、21cをそれぞれ作製した(図2(a))。
パターニングされた第一電極(21a、21b、21c)が形成されている支持基板10上に、青色有機化合物層22aを、真空蒸着法を用いた連続成膜により形成した。まず正孔輸送層を膜厚120nmで形成した後、青発光材料を含む発光層を膜厚30nmで形成した。次に、下記式[1]に示される縮合多環炭化水素化合物を成膜しバッファ層を形成した。このときバッファ層の膜厚を10nmとした。以上により、有機化合物層22a(青色有機化合物層)を形成した(図2(b))。
次に、真空蒸着法により、下記式[2]に示されるフェナントロリン誘導体を成膜し剥離層30を形成した。このとき剥離層30の膜厚を500nmとした(図2(c))。
次に、スピンコート法により、ポジ型のフォトレジスト(AZエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「AZ1500」)を成膜し感光性樹脂層40を形成した(図2(d))。このとき感光性樹脂層の膜厚は1000nmであった。次に、露光装置(キヤノン製、マスクアライナーMPA600)を使用し、第一副画素20aの領域に設けられる感光性樹脂層41を残すように、フォトマスク50を用いて感光性樹脂層41を遮蔽した状態で紫外光51による露光を行った(図2(e)))。このとき露光時間は40sであった。露光後、現像液(AZエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「312MIF」を水で希釈し濃度を50%としたもの)を用いて1分間現像した。この現像処理により紫外光51に露光された感光性樹脂層42を除去した。
次に、酸素を反応ガスとし流量20sccm、圧力8Pa、出力150W、反応時間2分の条件下で、感光性樹脂層41で被覆されていない剥離層30を除去、パターニングした。こうすることで、第一副画素20aの領域にパターニングされた剥離層30を形成した(図2(f))。さらに同条件のドライエッチングにより、第一副画素20aの領域以外の領域に設けられている青色有機化合物層22aを選択的に除去した。このようにして第一副画素20aの領域に有機化合物層22a(青色有機化合物層)を形成した(図2(g))。
次に、赤色有機化合物層22bを、真空蒸着法を用いた連続成膜により形成した。まず正孔輸送層を膜厚200nmで形成した後、赤発光材料を含む発光層を膜厚30nmで形成した。次に、式[1]の縮合多環炭化水素化合物を成膜しバッファ層を形成した。このときバッファ層の膜厚を10nmとした。以上により、有機化合物層22b(赤色有機化合物層)を形成した。次に、真空蒸着法により、式[2]のフェナントロリン誘導体を成膜し剥離層30を形成した。このとき剥離層30の膜厚を500nmとした。次に、スピンコート法により、工程(4)で使用したポジ型のフォトレジストを成膜し感光性樹脂層40を形成した(図2(h))。このとき感光性樹脂層の膜厚は1000nmであった。次に、(4)と同様の方法で感光性樹脂層40の加工を行った後、(5)と同様の方法で剥離層30及び有機化合物層22bの加工を行うことにより、第二副画素20bの領域に有機化合物層22b(赤色有機化合物層)を形成した(図2(i))
次に、緑色有機化合物層22cを、真空蒸着法を用いた連続成膜により形成した。まず正孔輸送層を膜厚160nmで形成した後、緑発光材料を含む発光層を膜厚30nmで形成した。次に、式[1]の縮合多環炭化水素化合物を成膜し正孔ブロック層を形成した。このとき正孔ブロック層の膜厚を10nmとした。以上により、有機化合物層22c(緑色有機化合物層)を形成した。次に、真空蒸着法により、式[2]のフェナントロリン誘導体を成膜し剥離層30を形成した。このとき剥離層30の膜厚を500nmとした。次に、スピンコート法により、工程(4)で使用したポジ型のフォトレジストを成膜し感光性樹脂層40を形成した(図2(j))。このとき感光性樹脂層の膜厚は1000nmであった。次に、(4)と同様の方法で感光性樹脂層40の加工を行った後、(5)と同様の方法で剥離層30及び有機化合物層22bの加工を行うことにより、第三副画素20cの領域に有機化合物層22cを(緑色有機化合物層)形成した(図2(k))。
次に、酸素を反応ガスとし流量20sccm、圧力8Pa、出力150Wの条件下で、ドライエッチングを行い、感光性樹脂層41を除去した(図2(l))。
次に、IPA濃度が60重量%となるように、水とIPAとを混合した混合溶媒を用いて、剥離層30の一部を除去して、剥離層30を薄膜化する表層加工工程を行った。尚、本実施例において剥離層30を構成する化合物(式[2]のフェナントロリン誘導体)のエッチングレートは0.9nm/secなので、上記混合溶媒に530秒浸漬して、剥離層30の一部を除去して薄膜化した。(図2(m))。この表層加工工程により、剥離層30の膜厚は20nmとなった。またこの表層加工工程で薄膜した剥離層は、それぞれ電荷輸送層(電子輸送層)23a、23b、23cとして機能する。次に、80℃で真空加熱して電荷輸送層上に残存する溶剤を除去した。
次に、式[2]の化合物(化合物A2)と炭酸セシウム(Cs2CO3)とを共蒸着して電子注入層(電荷注入・輸送層24)を形成した。このとき電子注入層の膜厚を20nmとした(図2(n))。
[実施例2]
実施例1において、剥離層30の構成材料として下記化合物B1(エッチングレート:1.3nm/sec)を使用した。また剥離層30の除去の際に、IPA/水混合溶媒による浸漬時間を370秒に設定した。これらを除いては、実施例1と同様にして有機EL表示装置を製造した。
実施例1において、剥離層30の構成材料として下記化合物C1(エッチングレート:1.5nm/sec)を使用した。また剥離層30の除去の際に、IPA/水混合溶媒による浸漬時間を320秒に設定した。これらを除いては、実施例1と同様にして有機EL表示装置を製造した。
実施例1において、有機化合物層(22a、22b、22c)を加工する際に実施される剥離層30の形成工程と感光性樹脂層40の形成工程との間に保護層60の形成工程を追加した。また感光性樹脂層40の加工工程と剥離層30の加工工程との間に保護層60の加工工程を追加した。さらに、感光性樹脂層41の除去工程と剥離層30の除去工程との間に保護層60の除去工程を追加した。これらを除いては、実施例1と同様にして有機EL表示装置を製造した。以下、図5を参照しながら、保護層の形成工程、保護層の加工工程及び保護層の除去工程を中心に本実施例における製造プロセスについて説明する。
まず実施例1と同様の方法により、支持基板10上に剥離層30までを形成した。次に、CVD法により、剥離層30上に、窒化珪素(SiN)を成膜して保護層60を形成した。このとき保護層60の膜厚を1000nmとした。次に、保護層60上に、実施例1と同様の方法で感光性樹脂層40を形成した(図5(a))。
次に、感光性樹脂層40のパターニングを行った後、保護層60を、CF4を反応ガスとし、流量30sccm、出力150w、圧力10Pa、処理時間7分の条件下で、感光性樹脂層41で被覆されていない保護層60を除去した(図5(b))。即ち、本工程により、各副画素の領域に対応して保護層60が設けられるように保護層60が加工された。
この後、実施例1と同様の方法により剥離層30及び有機化合物層22aの加工工程を行った(図5(c))。次に、第二副画素20bと、第三副画素20cと、において、それぞれ上記(1)乃至(2)の工程を行うことにより、第二副画素22bと、第三副画素22cと、にそれぞれ設けられる有機化合物層22b、22cの形成・加工を行った(図5(d))。
次に、実施例1と同様の方法により、感光性樹脂層41を除去した後、CF4を反応ガスとし、流量30sccm、出力150w、圧力10Pa、処理時間7分の条件下で保護層60を除去した。次に、実施例1と同様の方法により、剥離層30の一部を除去して薄膜化することで電荷輸送層23a、23b、23cをそれぞれ形成した(図5(e)))。次に、実施例1と同様の方法により電荷注入・輸送層24と、第二電極25とをこの順で形成することにより、有機EL表示装置を得た。
本実施例では、実施例4において、保護層の形成工程、保護層60の加工工程及び保護層60の除去工程を、以下に説明する方法に変更したことを除いては、実施例4と同様にして有機EL表示装置を製造した。以下、図6を参照しながら、保護層の形成工程、保護層の加工工程及び保護層の除去工程を中心に説明する。
まず実施例4と同様の方法により、支持基板10上に剥離層30までを形成した。次に、水溶性高分子材料のポリビニルピロリドン(PVP、分子量36万)と水と、をPVPの重量濃度が5重量%になるように混合してPVP水溶液を調製した。次に、調製したPVP水溶液を剥離層30上に塗布し、スピンコート法により成膜することで、第一保護層61を形成した。このとき第一保護層61の膜厚は500nmであった。次に、CVD法により、第一保護層61上に、窒化珪素(SiN)を成膜して第二保護層62を形成した。このとき第二保護層62の膜厚を1000nmとした。次に、第一保護層61と、第二保護層62と、がこの順に積層してなる保護層60上に、実施例4と同様の方法で感光性樹脂層40を形成した(図6(a))。
感光性樹脂層50のパターニングを行った後、実施例4の(2)と同様の条件下で第二保護層62の加工(第二保護層62の選択的除去)を行った(図6(b))。次に、酸素を反応ガスとし流量20sccm、圧力8Pa、出力150W、5分の条件下で、感光性樹脂層40で被覆されていない第一保護層61を除去した。即ち、本工程により、各副画素の領域に対応して第一保護層61と第二保護層62とからなる保護層60が設けられるように保護層60が加工された(図6(c)乃至図6(e))。
感光性樹脂層41を除去した後、実施例4の(3)と同様の条件下で第二保護層62の除去を行った。次に、酸素を反応ガスとし流量20sccm、圧力8Pa、出力150W、5分の条件下で第一保護層61を除去した。次に、実施例4と同様の方法により、剥離層30の一部を除去して薄膜化することで電荷輸送層23を形成した(図6(f)))後、実施例4と同様の方法により電荷注入・輸送層24と、第二電極25とをこの順で形成することにより、有機EL表示装置を得た。
Claims (10)
- 第一電極と第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に配置されている有機化合物層と、からなる有機EL素子を有し、前記有機化合物層がパターニングされている有機EL表示装置の製造方法において、
第一電極上に有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程と、
前記有機化合物層上に剥離層を形成する剥離層の形成工程と、
前記剥離層及び前記有機化合物層をパターニングする加工工程と、
前記剥離層の表層を除去する剥離層の表層加工工程と、
前記表層が除去された剥離層の上に第二電極を形成する第二電極の形成工程と、をこの順に有し、
前記剥離層が、電荷輸送性かつ極性溶媒に可溶な有機化合物からなる蒸着膜であることを特徴とする、有機EL表示装置の製造方法。 - 前記極性溶媒が、水と、前記水と混和する極性溶媒と、を混合してなる混合溶媒であることを特徴とする、請求項1に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記剥離層の表層加工工程において加工された膜を電荷輸送層として使用することを特徴とする、請求項1又は2に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記剥離層が、複素環式化合物からなる層であることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記剥離層が、電子吸引性基を有する電荷輸送性化合物からなる層であることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記剥離層が、m−ターフェニル基と、縮合環基と、を有する化合物からなる層であることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記剥離層の表層加工工程の後かつ前記第二電極の形成工程の前に、アルカリ金属を含む層を形成する工程をさらに有することを特徴とする、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記剥離層の表層加工工程が、極性溶媒を使用して剥離層の表層を選択的に除去する工程であることを特徴とする、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 映像を撮像する撮像部と、
前記撮像部にて撮像された映像を記録するメモリと、
前記撮像部にて撮像された映像及び前記メモリに記録された映像情報をそれぞれ映像信号に変換する映像信号処理回路と、
前記撮像部、前記メモリ及び前記映像信号処理回路を制御するCPUと、
前記CPUへ入力する信号を出力する操作部と、
前記CPUから送信される制御信号に応じて、前記映像信号処理回路から送信される前記映像信号を、映像として表示する表示装置と、を備える電子機器であって、
前記表示装置が、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の有機EL表示装置の製造方法により製造された有機EL表示装置であることを特徴とする、電子機器。
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