TW552686B - Electronic circuit component - Google Patents
Electronic circuit component Download PDFInfo
- Publication number
- TW552686B TW552686B TW091115589A TW91115589A TW552686B TW 552686 B TW552686 B TW 552686B TW 091115589 A TW091115589 A TW 091115589A TW 91115589 A TW91115589 A TW 91115589A TW 552686 B TW552686 B TW 552686B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electronic circuit
- film
- metal wiring
- metal
- organic insulating
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 246
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 229
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 229
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 141
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 134
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 147
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 125
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 123
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 88
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 45
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 41
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 23
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- -1 methyl ethyl Chemical group 0.000 claims description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 8
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000003889 chemical engineering Methods 0.000 claims 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 description 415
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 296
- 238000000034 method Methods 0.000 description 231
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 132
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 132
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 131
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 107
- 238000011161 development Methods 0.000 description 96
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 94
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 94
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 93
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 91
- 230000008569 process Effects 0.000 description 78
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 72
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 description 57
- 241000270295 Serpentes Species 0.000 description 36
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 35
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 35
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 32
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 31
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 22
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 21
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 18
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 15
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 14
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- BLTGQLWNBZPGCW-UHFFFAOYSA-N copper uranium Chemical compound [Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[U] BLTGQLWNBZPGCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 13
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 13
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 10
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 5
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 5
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 4
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 3
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 description 3
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 3
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- UJSDNOJVSIGDQA-UHFFFAOYSA-N 1,1'-biphenyl;ethane Chemical compound CC.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 UJSDNOJVSIGDQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical group 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- CVMIVKAWUQZOBP-UHFFFAOYSA-L manganic acid Chemical compound O[Mn](O)(=O)=O CVMIVKAWUQZOBP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XZMCDFZZKTWFGF-UHFFFAOYSA-N Cyanamide Chemical compound NC#N XZMCDFZZKTWFGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001029 Hf alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000272137 Naja mossambica Species 0.000 description 1
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKJLWXGJGDEGSO-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Ba+2] VKJLWXGJGDEGSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- ZOSAYFDMPYAZTB-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl)cyanamide Chemical compound C=CCN(C#N)CC=C ZOSAYFDMPYAZTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- XVYFLIKDMYXEJL-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;ethene;prop-2-enenitrile Chemical group C=C.C=CC=C.C=CC#N XVYFLIKDMYXEJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical class [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- RBNPZEHAODHBPZ-UHFFFAOYSA-M dihydroxyaluminium Chemical compound O.O.NCC(=O)O[Al] RBNPZEHAODHBPZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 229920005558 epichlorohydrin rubber Polymers 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920006229 ethylene acrylic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- DLMVDBDHOIWEJZ-UHFFFAOYSA-N isocyanatooxyimino(oxo)methane Chemical compound O=C=NON=C=O DLMVDBDHOIWEJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N sulfuryl dichloride Chemical compound ClS(Cl)(=O)=O YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 210000004127 vitreous body Anatomy 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/13—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body combined with thin-film or thick-film passive components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49822—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
- H01L27/016—Thin-film circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
- H01L27/0676—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type comprising combinations of diodes, or capacitors or resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01021—Scandium [Sc]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01025—Manganese [Mn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01063—Europium [Eu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01066—Dysprosium [Dy]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01067—Holmium [Ho]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/19011—Structure including integrated passive components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/165—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/167—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
- H05K2201/09536—Buried plated through-holes, i.e. plated through-holes formed in a core before lamination
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/09827—Tapered, e.g. tapered hole, via or groove
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
552686 A7 B7 五、發明説明(J) 技術領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關於電子零件及其製造技術,特別是有關 於一種基板使用玻璃的電子零件及適用於其製造之有效的 技術。 背景技術 特開平8 - 2 5 5 9 8 1號公報乃揭露一利用紫外線 對應2光性材料的曝光處理,而在玻璃基板上形成微細的 貫穿孔(vi ahole)或配線的技術。該公報則是藉由在玻璃 基板上形成由Ti 、Cr 、A1 、Ni 、W、Mo、Ta 、C u等的金屬所構成的遮光膜,在感光性材料實施曝光 處理之際,可以防止在玻璃基板之上面與下面之間發生紫 外線的多重反射。又,藉由將由上述金屬所構成的遮光膜 的膜厚設成3 // m以上,可以提高玻璃基板的熱傳導性。 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 特開平9 一 3 2 1 1 8 4號公報乃揭露一用來連接高 配線密度的半導體晶片與低配線密度的印刷配線基板的連 接基板以及其製造技術。該連接基板是由感光性玻璃基板 所構成,在其上面則形成有連接有晶片之突部(bump)的 1層的配線。又,在基板的下面則形成有連接到印刷配線 基板之電極的個突部(bump )。基板之上面的配線與下面 的突部(bump )則經由貫穿基板之上下面的孔在電氣上被 連接。該些貫穿孔則藉由光石印技術而被形成,藉由鍍敷 將導體埋入到其內部。 在特開2 0 0 0 - 1 2 4 3 5 8號公報中則揭露有在 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -4- 552686 A7 B7 五、發明説明(2) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 石夕基板上配置了 Μ I Μ型的電容、螺旋型電感器、薄膜電 阻,以及用來連接該些的金屬配線,更且,藉由覆晶( flipchip )安裝將主動元件安裝於其上之高週玻積體電路的 技術。更者,在同一公報雖然未記載詳細內容、效果等, 但木s5載了利用玻璃基板的g靑求項。 在特開平1 0 - 2 8 4 6 9 4號公報中則揭露一在電 阻常數在2 Ο Ο Ω · c m以上的多晶矽製基板上構成電子 電路的技術。 用來安裝電子零件的配線基板則廣泛地使用在由含有 玻璃纖維的環氧樹脂(玻璃環氧)或聚醯亞胺樹脂所構成 的樹脂基板形成C u配線者,或在由a 1 N (氮化鋁)或 S i C等所成的陶瓷基板形成w (鎢)配線者。 然而,所謂的樹脂或陶瓷的配線材料,相較於在製造 半導體積體電路時所使用的砂基板,則其燒彎及尺寸變動 大’由於無法形成利用光石印技術之// m等級的微細配線 或貫穿孔(through hole),因此難以高密度地安裝電子零 件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另一方面,適合於形成微細配線的砂基板,由於相較 於玻璃環氧基基板等爲昂貴,且在當作用來安裝電子零件 的配線基板來使用時其泛用性低,因此其用途被限制。更 且,由於單晶砂基板爲半導體,因此成爲一造成形成在其 上之電容器、電感器等之電子零件的效率降低的主要原因 。另一方面,多晶矽基板雖然某種程度可以防止其效率降 低,但由於其還是較單結晶基板爲昂貴,且在當作用來安 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -5 - 552686 A7 B7 五、發明説明(3 ) 裝電子零件的配線基板時其泛用性低,因此其用途被限制 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 玻璃由於具備了相較於樹脂或陶瓷,其撓彎及尺寸變 動小,且較矽爲便宜的特長,因此可以考慮成適合於當作 高密度地安裝電子零件的基板的材料來使用。又,由於玻 璃基板爲一良好的絕緣體,因此形成在其上的電感器等的 元件具有高的效率。 但是在特開2 0〇〇一 1 2 4 3 5 8號公報中之通常 的玻璃基板,由於其熱傳導性差,且比較容易被破壞,因 此會因爲在玻璃製基板與其他材料(S i )之間的熱膨脹 率差,在基板內常常會發生裂痕或是破損,結果會造成良 品率降低,且信賴性也會降低。 更者,爲了要高密度地將電子零件安裝在玻璃基板, 或是爲了要將玻璃基板使用在廣泛的用途,則如同在樹脂 或陶瓷的配線基板上進行般地必須從基板的背面(與電子 零件安裝面呈相反側的面)取出成爲外部連接端子的電極 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了要從玻璃基板的背面取出外部連接端子,則必須 要一能夠以高的尺寸精度在玻璃基板上形成貫穿孔的技術 ’但由於使用在例如上述公報(特開平9 一 3 2 1 1 8 4 號公報)中所記載的特殊的感光性玻璃,因此基板的製造 成本會變高,而只能當作用來安裝電子零件的配線基板來 使用而得用途被限制。 更者,在將電容器、電感器、電阻等之多種的電子零 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -6- 552686 A7 B7 五、發明説明(4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 件全部配置在上述公報(特開2 0 0 0 — 1 2 4 3 5 8號 )中的基板上時,則所集成的電子零件的大小會變得相當 的大。 更者,在上述公報中,由於形成在玻璃基板上的各構 成要素係一露出於玻璃基板之端面的構造,因此,在藉由 切割等從更大的玻璃基板切出電子零件時,當在構成電子 電:路零件之各層的界面領域施加大的機械性磨力時,或是 隨著在安裝電子電路零件時所施加之急劇的溫度變動,而 在各層的界面領域施加大的熱應力時,則該些應力會集中 地施加在露出於電子電路零件之端面的基板與各層的界面 領域,因此,各層的界面領域會發生剝離,遂有電子電路 零件發生破損的情形。 如此般,已知該種的電子電路零件則並不一定能夠獲 得高的信賴性,且也難得到高的製造良率。 本發明之目的在於提供一種能夠以高性能且高密度的 形式將電容器、電感器以及電阻等之多樣的電子零件加以 集成的電子電路零件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明之揭露 爲了要達成上述目的,藉由在電子電路零件中包含有 :絕緣性基板、選自由設在上述絕緣性基板上的面積不同 的多個電極與被夾於其間的介電體材料所構成的電容器元 件、電感器元件、電阻元件的1個或多個元件、用來連接 上述元件的金屬配線、爲上述金屬配線之一部分的金屬端 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) A7 A7
五、發明説明(5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 子邰、以及用來被覆除了上述元件及上述金屬端子部以外 之金屬配線部分之周圍的有機絕緣材。可以得到一製造良 率良好,且能夠以高密度地將電容器、電感器、電阻等的 多樣的電子零件加以集成的電子電路零件。 更者,爲了要達到上述目的,藉由在電子電路零件中 包含有:絕緣性基板、選自由設在上述絕緣性基板上的面 積不同的多個電極與被夾於其間的介電體材料所構成的電 容器元件、電感器元件、電阻元件的1個或多個元件、設 在上述電極之端部以外之部分的連接部、用來連接上述元 件及上述連接部的金屬配線、爲上述金屬配線之一部分的 金屬端子部、以及用來被覆除了上述元件及上述金屬端子 部以外之金屬配線部分之周圍的有機絕緣材。可以得到一 製造良率良好,且能夠以高密度地將電容器、電感器、電 阻等的多的電子零件加以集成的電子電路零件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更者,爲了要達到上述目的,藉由在電子電路零件中 包含有:絕緣性基板、選自由設在上述絕緣性基板上的面 積不同的多個電極與被夾於其間的介電體材料所構成的電 容器元件、電感器元件、電阻元件的1個或多個元件、用 來連接上述元件的金屬配線、爲上述金屬配線之一部分, 且被配置成格子狀的金屬端子部、以及用來被覆除了上述 元件及上述金屬端子部以外之金屬配線部分之周圍的有機 絕緣材。可以得到一製造良率良好,且能夠高密度地將電 容器、電感器、電阻等的多樣的電子零件加以集成,而容 易與連接基板等之其他零件達成連接的電子電路零件。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -8 - 552686 A7 ___ B7 五、發明説明(6) 更者’爲了要達到上述目的,藉由在電子電路零件中 包含有··絕緣性基板、選自由設在上述絕緣性基板上的面 積不同的多個電極與被夾於其間的介電體材料所構成的電 容器元件、電感器元件、電阻元件的1個或多個元件、用 來連接上述元件的金屬配線、爲上述金屬配線之一部分的 金屬端子部 '用來被覆除了上述元件及上述金屬端子部以 外之金屬配線部分之周圍的多個的有機絕緣材。可以得到 一製造良率良好,且藉由選擇適合於各元件之必要的高頻 特性的有機絕緣性材,可以高密度地將電容器、電感器、 電阻等之多樣的電子零件集成爲高性能的電子電路零件。 爲了要達成上述目的,藉由在電子電路零件中包含有 :在所定位置設有貫穿孔的絕緣性基板、選自由設在上述 絕緣性基板之主面以及副主面的兩面或一面之面積不同的 多個電極與夾於其間的介電體材料的電容器元件、電感器 元件、電阻元件之1個或多個元件、用來連接上述元件的 金屬配線、在電氣上與上述金屬配線連接,而形成在上述 貫穿孔內部的導體部、爲上述金屬配線之一部分,且被配 置成格子狀的金屬端子部、以及用來被覆除了上述元件及 上述金屬端子部以外之金屬配線部分之周圍的有機絕緣材 。可以得到製造良率良好,且能夠高密度地將電容器、電 感器、電阻等之多樣的電子零件加以集成的電子電路零件 〇 更者,爲了要達成上述目的,藉由在電子電路零件中 包含有:在所定位置設有貫穿孔的絕緣性基板、選自由設 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9 _ 552686 A7 B7 五、發明説明(7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在上述絕緣性基板之主面以及副主面的兩面或一面的多個 的電極與夾於其間的介電體材料的電容器元件、電感器兀 件、電阻元件之1個或多個兀件、設在上述電極之端部以 外之部分的連接部、用來連接上述元件及上述連接部的金 屬配線、在電氣上與上述金屬配線連接’而形成在上述貫 穿孔內部的導體部、爲上述金屬配線之一部分,且被配置 成格子狀的金屬端子部、以及用來被覆除了上述元件及上 述金屬端子部以外之金屬配線部分之周圍的有機絕緣材。 可以得到製造良率良好,且能夠高密度地將電容器、電感 器、電阻等之多樣的電子零件加以集成的電子電路零件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更者,爲了要達成上述目的,藉由在電子電路零件中 包含有:在所定位置設有貫穿孔的絕緣性基板、選自由設 在上述絕緣性基板之主面以及副主面的兩面或一面的多個 的電極與夾於其間的介電體材料的電容器元件、電感器元 件、電阻元件之1個或多個元件、用來連接上述元件的金 屬配線、在電氣上與上述金屬配線連接,而形成在上述貫 穿孔內部的導體部、爲上述金屬配線之一部分,且被配置 成格子狀的金屬端子部、以及用來被覆除了上述元件及上 述金屬端子部以外之金屬配線部分之周圍的有機絕緣材。 可以得到製品良率良好,且能夠高密度地將電容器、電感 器、電阻等的多樣的電子零件加以集成,而容易與連接基 板等之其他零件達成連接的電子電路零件。 更者,爲了要達成上述目的,藉由在電子電路零件中 包含有:在所定位置設有貫穿孔的絕緣性基板、選自由設 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -10- 552686 A7 ____B7 五、發明説明(8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在上述絕緣性基板之主面以及副主面的兩面或一面的多個 電極與夾於其間的介電體材料的電容器元件、電感器元件 、電阻元件之1個或多個元件 '用來連接上述元件的金屬 配線、在電氣上與上述金屬配線連接,而形成在上述貫穿 孔內部的導體部、爲上述金屬配線之一部分的金屬端子部 ’以及用來被覆除了上述元件及上述金屬端子部以外之金 屬配線部分之周圍的有機絕緣材。可以得到製造良率良好 ’且藉著選擇適合於各元件之必要的高頻特性的有機絕緣 性材,而能夠高密度地將電容器、電感器、電阻等的多樣 的電子零件集成爲高性能的電子電路零件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更者,爲了要達成上述目的,藉由在電子電路零件中 包含有:在所定位置設有貫穿孔的絕緣性基板、選自由設 在上述絕緣性基板之主面以及副主面的兩面或一面的多個 電極與夾於其間的介電體材料的電容器元件、電感器元件 、電阻元件之1個或多個元件、用來連接上述元件的金屬 配線、在電氣上與上述金屬配線連接,而形成在上述貫穿 孔內部的導體部、爲上述金屬配線之一部分的金屬端子部 ’用來被覆除了上述元件及上述金屬端子部以外之金屬配 線部分之周圍的多個的第1有機絕緣材、以及用來被覆除 了設在上述絕緣性基板之副主面的上述元件及上述金屬端 子部以外之金屬配線部分之周圍的多個的第2有機絕緣材 。可以得到製品良率良好,且藉著選擇適合於各元件之必 要的高頻特性的有機絕緣性材,而能夠高密度地將電容器 '電感器 '電阻等的多樣的電子零件集成爲高性能的電子 ^^度適用中國國家標準(0灿)八4規格(21(^ 297公羡) -11 - 552686 A7 __ B7 五、發明説明(9 ) 電路零件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 更者,爲了要達成上述目的,藉由在電子電路零件中 包含有:在所定位置設有貫穿孔的絕緣性基板、選自由設 在上述絕緣性基板之主面以及副主面的兩面或一面的多個 電極與夾於其間的介電體材料的電容器元件、電感器元件 、電阻元件之1個或多個元件、用來連接上述元件的金屬 配線、在電氣上與上述金屬配線連接,而形成在上述貫穿 孔內部的導體部、爲上述金屬配線之一部分,且被設在不 同於上述電感器元件的面的金屬端子部、以及用來被覆除 了上述元件及上述金屬端子部以外之金屬配線部分之周圍 的有機絕緣材。可以得到製造良率良好,且能夠減少從搭 載有電子零件的基板等對於電感器元件所造成的影響,而 能夠高密度地將電容器、電感器、電阻等的多樣的電子零 件集成爲高性能的電子電路零件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更者,爲了要達成上述目的,藉由在電子電路零件中 包含有:在所定位置設有貫穿孔的絕緣性基板、選自由設 在上述絕緣性基板之主面以及副主面的兩面或一面的多個 電極與夾於其間的介電體材料的電容器元件、電感器元件 、電阻元件之1個或多個元件、用來連接上述元件的金屬 配線、在電氣上與上述金屬配線連接,而形成在上述貫穿 孔內部之導電性物質及形成物質及玻璃所構成的導體部、 爲上述金屬配線之一部分的金屬端子部、以及用來被覆除 了上述元件及上述金屬端子部以外之金屬配線部分之周圍 的有機絕緣材。可以得到製品良率良好,且能夠確實地取 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -12- 552686 A7 B7 五、發明説明(10) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 得基板兩面的電氣導通,而能夠高密度地將電容器、電感 器、電阻等的多樣的電子零件集成爲高性能的電子電路零 件。 更者,爲了要達成上述目的,藉著使由多個的電極與 被挾於其間的介電體材料所構成的電容器元件、電感器元 件、電阻元件與上述絕緣性基板的距離設爲不同,可以以 更高的密度將電容器、電感器、電阻等元件加以集成。 更者,爲了要達成上述目的,藉由絕緣性基板使用玻 璃基板,由於玻璃基板的低成本、高的平滑性、高的絕緣 性、低的介電正接,因此能夠以更低的成本而得到電子電 路零件。 更者,爲了要達成上述目的,藉由有機絕緣材使用感 光性有機絕緣材,由於可以減少在製造時的製程,而能夠 減低製造成本,因此能夠得到成本更低的電子電路零件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更者,爲了要達成上述目的,有機絕緣材包含具有以 一般式〔化1〕所表示之苯乙烯基的架橋成分,更且爲一 含有重量平均分子量在5 0 0 0以上之高分子體的低介電 正接樹脂組成物, 【化1】
C但是R則是也可以具有置換基的碳化氫架構,R 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -13- 552686 A7 B7 五、發明説明(Ί1) 爲氫、甲基乙基的任一者,m爲1〜4、η爲2以上的整 數)。由於上述低介電正接樹脂組成物便宜,且具有低的 介電常數、介電正接的性質,因此能夠便宜地得到更高性 能且高效率的電子電路零件。 又,介電體材料,當使用T a的氧化物時可以提高絕 緣耐壓,當使用M g的氧化物時可以提高Q値,當使用 S r的氧化物時則可以取得高ε。此外’所謂的Q値是指 表示共鳴的尖銳度(頻率選擇性)的量,而根據下式來定 義。 (積蓄能量)/(損失)= Im(Z)/Re(Z) 在此,I m C Z )以及R e ( Z )分別是元件之1埠 (port)(端子對)阻抗的虛數成分與實數成分。 更者,爲了要達成上述目的,有機絕緣材採用聚醯亞 胺樹脂,由於聚醯亞胺的高的熱安定性,因此能夠得到信 賴性高的電子電路零件。 更者,爲了要達成上述目的,有機絕緣材採用B C B (苯並環丁烷),由於B C B的低的介電常數、介電正接 性質,因此能夠得到更高性能且高效率的電子電路零件。 更者,爲了要達成上述目的,介電體材料採用T a、 Mg、S r之任一者的氧化物,由於Ta、Mg、S r之 便宜且安定性高的特性,因此能夠得到便宜且信賴性高的 電子電路零件。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 -14- 552686 A7 B7 五、發明説明(12) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之電容器元件是由以2個金屬電極挾著由無機 材料所構成之介電體材料之構造的1個或多個的電容器元 件,以及以2個金屬電極著由有機材料所構成之介電體材 料之構造的1個或多個的電容器元件所構成。更者,電容 器元件之位在接於玻璃基板之一側的金屬電極的端部最好 是被介電體材料以外的絕緣體所覆蓋。 金屬電極最好是電阻低的導電性材料。具體地說爲金 、銅、鎳、鋁、鉑、鎢、鉬、鈇、鈮、鈦、鎳/鉻合金、 鈇/鎳/鉻合金、氮化鉅等。其中銅的電阻小最好。又, 金屬電極表面必須要平坦,最好表面的凹凸要在介電體材 料厚度的1 / 2 5以下。 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,若下部電極採用高熔點的金屬材料時,則在形成 介電體時,可以實施雷射加工或高溫燒成,而能夠達成高 性能化(適用高ε的介電體材料),提高製品良率。金屬 電極的形成方法除了在將上述導電性材料形成所定的膜厚 後形成光阻圖案,而藉由乾或溼蝕刻來形成外,也可以在 成光阻圖案後,藉由電解或無電解鍍敷來形成。有關金屬 電極或其他配線的形成方法,當使用鎪敷法時,由於可實 施厚膜配線,因此可以達成低電阻化、高效率化以及高性 能化。又,當使用噴濺法時,由於可以形成微細圖案,因 此可以達成微細化、小型化、高性能化。 更者,無機材料若是使用一般當作電容器用介電體材 料所使用的材料則變無限制,例如可爲T a、M g、S r 等的氧化物。具體地說除了 T a 2〇5、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇>< 297公襲) -15- 552686 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、 發明説明 ( 13 ) B S T ( B a ( X ) S r ( 1 — X ) T 1 〇 ( 3 ) 7 〇 < X < 1 ) , S r T i 〇 3,T i 〇 2, Μ η 〇 2 5 Υ 2 C )3 , S η 〇 2 ,Μ ; g ’ Γ i〇3 等的氧化物外, 也 可 以 是 鋇 欽 氧 化 物 或 是 將 / 錫: 摻: 雜 到鋇鈦氧化物而成的化合物、 W C )3 , S r 〇 , 經: 混' ί勺鋇/ /總的氧化物, Β a W 〇 4 C e 〇 2等 。其形成方法並未特別限制, 可 以 是 噴 濺 法 Λ 電 漿 C V D 法 的 乾 鈾 刻 法 、陽極氧化法 等 的 溼 蝕 刻 法 〇 在 藉 由 噴 濺 法 > 鈾 刻 法 等 的 乾蝕刻法來形 成 介 電 體 時 ? 則 可 以 形 成 微 細 圖 案 就 微 細 化、小型化、 高 性 能 化 的 觀 點 來 看 非 常 有 效 〇 又 在 藉 由 溶膠凝膠法、 陽 極 氧 化 法 等 的 溼 蝕 刻 法 來 形 成 介 電 體 時 可以簡化製程 對 於 降 低 成 本 極 爲 有 效 〇 更 者 , 有 機 材 料 只 要是一般用在 半 導 體 用 途 之 有 機 材 料 即 可 並 未 特 別 限 制 可以是熱硬化 或 熱 可 塑 性 的 中 一 者 〇 例 如 聚 醯 亞 胺 Λ 聚 碳 酸酯、聚酯、 聚 四 氟 乙 烯 > 聚 乙 烯 Λ 聚 丙 烯 > 聚 聯 苯 氟 化 物、醋酸纖維 素 \ 聚 硕 Λ 聚 丙 烯 腈 Λ 聚 醯 胺 Λ 聚 醯 胺 聚 醯 亞胺、環氧樹 脂 Λ 馬 來 醯 亞 胺 酚 Λ 氰 酸 酯 Λ 聚 烯 烴 Λ 聚 胺基甲酸酯、 以 及 該 些 的 化 合 物 〇 該 些 化 合 物 可 以 是 丙 烯 酸橡膠、矽橡 膠 Λ 腈 丁 二 烯 橡 膠 等 的 橡 膠 成 分 、 或 加 入 有 聚醯亞胺塡料 (彳 filler .) 等 的 有 機 化 合 物 塡 料 或 二 氧 化 矽 等 之無機塡料的 混 合 物 〇 更 且 也 可 以 藉 由 含 有 上 述 材 料 的 感光性材料。 當 使 用 感 光 性 絕 緣 材 料 由 於 可 以 省 略 掉 在 絕緣材上形成 光 阻 膜 的 過 程 5 因 此 能 夠 提 高 製 品 良 率 〇 又 ,也可以進行 微 細 加 工 而 得 以 小 型 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂 d -16- 552686 A7 _ B7 五、發明説明(14) 化。 特別是聚旨f亞胺樹脂具有優越的耐熱性以及耐藥性, 且被賦予感光性者更具有優越的加工性。又,苯並環丁烷 樹脂’由於其介電正接低,因此特別適合於在將本發明的 電容器當作高頻零件來使用的情形。同樣地包含有以一般 式(化1 )所示之多個的苯乙烯基的架橋成分,且含有重 量平均分子量在5 0 〇 0以上之高分子量體的低介電正接 樹脂組成物則最適合於減低傳送損失。用來結合該樹脂組 成物之苯乙烯之間的碳化氫架構則最好是亞甲基( methylene )、伸乙基等之含有伸烷基的碳化氫架構。具體 地說爲1 ,2 -二(對聯苯基)乙烷、1 ,2 -二(間聯 苯基)乙烷、以及在其側鏈具有乙烯基的二乙烯苯的單獨 聚合物、與苯乙烯等之共聚物等的齊聚物(Oligomer)。 【化1】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (但是R也可以具有置換基而表現出^化氣架構’ R1爲氫、甲基、乙基的任一者,m爲1〜4、n爲2以 上的整數)。 更者,上述有機絕緣材可以具備作爲應力緩衝材的功 能。具體地說爲氟橡膠、矽橡膠、氟化砂橡膠、丙儲酸橡 膠、氫化腈橡膠、乙烯丙烯酸橡膠、氯帆(chlorosulfone) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X297公釐) 552686 A7 B7 五、發明説明(15) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 化聚苯乙烯、表氯醇橡膠、丁基橡膠、胺基甲酸乙酯橡膠 、或聚碳酸酯/丙烯腈丁二烯苯乙烯合金、聚矽氧烷對苯 二甲酸二甲醇酯/聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚對苯二甲酸 丁二醇酯/聚碳酸酯合金的共聚物、聚四氟乙烯、聚烯丙 酯聚醯胺/丙烯腈丁二烯乙烯合金、變性環氧樹脂、變性 聚烯烴、矽氧烷變性聚醯胺醯亞胺等。更者,其形成法可 以是印刷法、噴墨法、電子照相法等的圖案印刷法、或薄 膜貼附法、在耢由旋轉被覆法等形成好有機絕緣材後,藉 由光罩過程或雷射等形成圖案的方法、或是將該些予以組 合的方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外可以是環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧異氰酸 酯樹脂、馬來醯亞胺樹脂、馬來醯亞胺環氧樹脂、氰酸酯 樹脂、氰酸酯環氧樹脂、氰酸酯馬來醯亞胺樹脂、酚樹脂 、二烯丙基胺基氰樹脂、氨基甲酸乙酯樹脂、胺基氰( cyanamide)樹脂、馬來醯亞胺胺基氰樹脂等之各種熱硬化 性樹脂、或將2種以上之上述樹脂組成物而成的材料,或 是更加配合有無機塡料等的材料。又,對上述樹脂賦予感 光性’藉由所設的曝光顯像過程可以控制應力緩衝層的形 狀。 又’本發明的有機絕緣材,也可以在各層間使用不同 的絕緣材料。若如此般在各層間使用不同的絕緣材料時, 可以在必須要低損失的部分或必須要有耐藥性的部分適材 適地地選擇必要特性的材料。又,當挾著絕緣性基板在兩 面形成有機絕緣材時,則即使在各面間使用不同的絕緣材 1紙張尺度適用中國國家標準(〇抑)六4規格(21〇父297公釐) -18- 552686 A7 B7 五、發明説明(16) 料’也可以得到同樣的效果。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的電感器元件只要是所謂的誘導型電路元件即 可並未特別限制,例如可以使用形成爲平面狀的螺旋型, 更且將多個螺旋型重疊而成者,或是螺線管(solenoid)型 等。又’其電感l〇nH/mm2〜ΙΟΟηΗ/mm2爲 適當。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更者’電感器元件以及金屬配線可爲同一素材或是不 同的素材,乃根據電氣傳導性、以及周圍的材料的接著性 、开^成法等加以適當選擇。更者,其形成方法並未特別限 制。例如可利用噴濺法等來形成C u,也可以考慮到與周 圍的材料的接著性,在其界面形成T i 、C r等。更且, 在藉由噴濺法等以C u形成成爲種膜的薄膜後,才以電解 鍍敷法來形成。更且,配線以及電感器元件的圖案化方法 則可以利用蝕刻法、liftoff法等一般的配線圖案化方法。 又’也可以利用含有A g等的金屬的樹脂塗料,藉由印刷 法等來形成。更且,當上述無機介電體的形成溫度高時, 則可以利用P t等的耐氧化性、耐熱性高的金屬。在形成 電感器時,若相較於電感器的配線寬度減小在構成電感器 之配線與配線之間的距離時,則可以加大電感器之中心部 分的空間,而能夠達成高效率化、高性能化。 本發明的電阻元件是一以2個金屬電極來挾電阻材料 的構造’電阻材料只要是一般當作電阻體材料來使用的材 料即可並未特別限制,例如C r S i 、T i N等。其形成 方法並未特別限制,例如可以採用噴濺法、電漿C V D法 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -19- 552686 A7 ____B7 五、發明説明(17) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 等。又,若是將電阻元件形成在最下層時,由於可以在較 絕緣材的硬化溫度爲高的溫度下進行燒結,因此就提高製 品良率、降低成本的觀點來看極爲有效。 本發明的絕緣性基板只要是不會讓各元件的效率降低 ,且絕緣性高的材料即可並不特別限制。更者,本發明的 玻璃基板只要是不會讓各元件的效率降低,且絕緣性高的 玻璃基板即可並不特別限制。可考慮強度,加工性等因素 來選擇。特別是最好至少含有選自s c、Y、L a、P r 、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、 Er 、丁111、丫13、1^11之群中的1種的稀土類元素。更 且,稀土類元素根據L ii2〇3 (L n爲稀土類元素)的氧 化物換算,相對於玻璃整體含有〇 . 2 5〜2 0重量%, 而其他的成分則包含S i〇2 : 4 0〜8 0重量%、 B 2 0 3 : 1〜20重量%、R2〇(R爲鹼金屬):〇〜 20重量%、R〇(R爲鹼土類金屬):〇〜20重量% 、A12〇3: 0〜17重量% ,且R2〇 + R〇:10〜 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 ◦重量%。如此一來,可以大幅地提高玻璃基板的強度 ,且加工性也變格外的好。 本發明中的貫穿孔的形狀最好是滿足2個開孔直徑 R 1、R 2 ( R 1 - R 2 )與玻璃基板的厚度t的關係爲 70^ tan'1(t/(Rl-R2))^ 80 開孔的直徑R 1、R 2,以及在基板上的配置狀況、基板 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -20- 552686 A7 B7 五、發明説明(18) 的厚度,則根據所安裝或集成之元件以及配線的大小而適 當地選擇。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 更且,其形成方法只要是不會對玻璃基板帶來大的物 理的或化學的傷害即可並未特別限制。可以利用已知的開 孔技術。例如細噴砂法、化學蝕刻法、雷射加工法、利用 感光性玻璃的感光處理法。不管是採用那種方法,最重要 的必須是一如上述般不會造成開口部或貫穿孔內部的切肖[J (chipping )或裂痕等之物理的或化學的損傷的方法。 此外,在上述貫穿孔形成法中,即使是發生切削( c h i p p i n g )裂痕等的物理的或化學的損傷,也可以藉由將其 修復而當作基板來使用。例如有以氟酸等針對發生切削( chipping)或裂痕的玻璃表面進行蝕刻以除去傷的方法、或 以玻璃的溶膠凝膠來掩埋掉裂痕等的方法、或在玻璃基板 材料的化點附近進行加熱的方法。當然只要是一除去或封 往損傷部分的方法即可並未特別限制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更者,在設在本發明之絕緣性基板的貫穿孔內部所形 成的導體部,只要是一在電氣上能夠將位在絕緣性基板之 主面側以及副主面側的金屬配線或元件導通即可並未特別 限制。例如可以藉由導電性物質、核形成物質、以及玻璃 所構成的導電性物質所形成。又,只要是一在電氣上能夠 將位在玻璃基板兩側的電路部加以連接即可並未特別限制 ,可根據電氣傳導性、以及與周圍之材料的接著性、形成 方法等適當加以選擇。更者,該形成方法也並未特別限制 。例如利用噴濺法等在貫穿孔的壁面形成C u等的導體層 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 21 - 552686 A7 B7 五、發明説明(19) ,又考慮與周圍的材料的接著性,在其界面形成τ i、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C r等。更者,也可以在藉由噴濺法等以C u形成好成爲 種膜的薄膜後,才藉由電解鍍敷法等來形成。更者,也可 以將含有A g等的金屬的樹脂塗料埋入到貫穿孔內部。 設在本發明之電極之端部以外的部分的連接部,則只 要是在電氣上與其上部的金屬配線導通即可並未特別限制 。也可以在藉由蝕刻法等在覆蓋電極的有機絕緣材開設貫 穿孔後,才藉由鍍敷等而與上部的金屬配線層一起形成。 更者,貫穿孔的形成法可以藉由光罩(photomask)法利用 感光性聚醯亞胺或B C B等的感光性有機絕緣材來形成。 本發明之各元件的配置雖然未特別限制,但爲了防止 因爲各元件之親合所產生之寄生電容造成性能降低、以及 所要求之電子電路零件的大小,必須要根據其集成度來適 當設計各元件的配置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 例如若是一完全不需要小型化的電子電路零件,則必 須將各元件並排在同一平面上、或是加大各層間的距離以 減小各元件間的影響。而是一設置設置面,亦即,地面層 的一種方法。 又,若是要求更加小型化時,藉由在基板的兩面形成 各元件可提高集成度,而能夠更加小型化。 更且,爲了要小型化,則在多數的面上形成各元件, 藉由設成積層構造而能夠小型化。 又,藉著挾著玻璃基板將各元件分開配置,可以使得 製作上的過程變得間便,而能夠得到便宜的電子電路零件 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X 297公釐) -22- 552686 A7 B7 五、發明説明(20) 。又藉著將各元件的距離加大,可以防止因爲耦合( coupling)而導致寄生電容的增加。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的電子電路零件,雖然不必特別將用來與外部 電氣連接的外部電極形成在金屬端子部上,但若有必要也 可以形成。外部電極爲在電氣上與搭載了本發明之電子電 路零件的基板或半導體元件連接的導電體,例如具體地說 使用包含錫、鋅、鉛的焊劑合金、銀、銅或金、或以金來 被覆該些而形成爲球(bal 1 )狀者。此外,也可以是鉬、鎳 、銅、白金、鈦等之1個或將2個以上組合而成的合金、 或是設成2個以上之多重膜的構造的端子。又,形成方法 ’可爲利用掩罩等來轉印在球上之電極的方法、實施圖案 印刷的方法等,若是習知的方法,全部皆可採用。 實施發明之最佳形態 以下則根據實施例更具體地說明本發明。此外,在用 來說明本發明之所有的圖中,具有相同功能者附加相同的 符號,且省略其重覆的說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (實施例1 )
圖1爲作爲本發明之一實施例之電子電路零件的斷面 圖。在圖1中,1爲玻璃基板(日本電氣力' 、BLC ),其厚度爲0.5mm。 在圖1中,2爲有機絕緣材,乃利用感光性聚醯亞胺 C日立化成,HD-6000)。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -23- 552686 A7 B7 五、發明説明(21) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在有機絕緣材2的內部所構成的電容器元件3 &部是 -由下部電極3 a、介電體材料3 b、上部電極3 c所構 成的3層構造。下部電極3 a由C u所構成、介電體材料 3 b由T a的氧化物所構成、上部電極3 c由C u所構成 〇 電感器(inductor)元件4是一螺旋型的電感帘1 ’係被 形成在與上述電容器元件3的上部電極3 a同一面’其材 料爲C u。 電阻元件5由電阻體5b、電極5 a以及5 c所構成 。電阻體5b爲Ta與T i的化合物,電極5 a以及5 c 是由C u所構成。 在圖1中,6爲用於與印刷基板等之安裝基板之連接 的金屬端子部,本圖的情形則是將焊球7搭載在金屬端子 部6之上。 接著針對圖1的電子電路零件說明其製造方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由噴濺法將C r在〇 . 5 m m厚的玻璃基板形成爲 5 0 nm,而更將C u形成爲5 0 0 nm,將其當作鍍銅 之供電用種膜。在該C u膜上則藉由旋轉塗佈有負片型液 狀光阻劑PMER — N— CA1 000 (東京應化製), 在藉由熱板(hot plate)進行完預烘焙後,經過曝光、顯像 過程而形成光阻掩罩(光罩)。以1 A / d m的電流密度 在該光罩開口部實施電鍍銅到1 0 // m。之後,則除去光 罩,藉由銅蝕刻法cobra etch (商品名,荏原電產製)除去 銅種膜。更且,則利用過錳酸系C r蝕液來除去C r種膜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X25T7公釐) -24- 552686 A7 ______B7 五、發明説明(22) 而形成下部電極。 接著則藉由噴濺法形成5 0 n m的C r以作爲障壁膜 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著’藉由噴濺法在上述下部電極上形成5 〇 0 n m 之厚度的T a 2〇5。在該τ a 2〇5上塗佈正片型液狀光阻 劑〇F P R 8 0 0,5 0 0 c p (東京應化製),經乾燥 、曝光、顯像過程而形成介電體材料的光罩。接著,在利 用C F 4進行乾鈾刻而除去不用的部分後則除去光罩,更者 ’則利用過錳酸系C r蝕刻液對不用的部分的障壁層進行 蝕刻而形成介電體材料。 接著則藉由旋轉塗佈來塗佈感光性聚醯亞胺H D 6000 (日立化成製),在藉由熱板實施完預烘焙後, 經過曝光、顯像過程而讓在下部電極上的介電體材料露出 。此時,則在氮氣環境中,在2 5 0 °C下讓如開口在較將 聚醯亞胺的被覆部當作電子電路零件來切斷時所使用之刮 除領域爲8 0 // m內側的該聚醯亞胺硬化2個小時,而形 成1 〇 // m的有機絕緣材。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 接著,則藉由噴濺法形成5 0 0 n m的T a N膜。在 藉由旋轉塗佈法在T a N膜上塗佈正片型液狀光阻劑 〇F P R 8 0 0 ,1 0 0 c p而經預烘焙後,經過曝光、 顯像而形成光阻圖案掩罩。使用該掩罩進行C F 4乾蝕刻。 接著則將光阻膜剝離而形成多個的電阻元件。 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r,更者則形成 5 〇 0 n m的C u,而以此作爲種膜。在該C u膜上則藉 張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐1 - -25- 552686 A7 B7 五、發明説明(23) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由旋轉塗佈法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N -CAl〇〇〇 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流密度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 Ο // m。之後則除 去光罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅 種膜。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液來除去C r種膜 ,而形成上部電極、電阻體電極、以及電感器元件。 當已形成有上部電極、電阻體電極、以及電感器元件 的面藉由旋轉塗佈法塗佈感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 (H D M S製)而經過預烘焙後,經過曝光、顥像而形成 用來形成焊球的開口部。此時,則開口於位在聚醯亞胺的 被覆部當作電子電路零件切斷而成爲各小片時所使用之刮 除領域爲8 0 c m內側。更且,則在2 5 0 °C下經1個小 時的硬化而形成爲有機絕緣材。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在針對上述金屬端子部表面實施完無電解鍍金處理後 ,在藉由金屬掩罩將焊劑助熔劑塗佈在所設定的部分後, 則將2 0 // m直徑的無鉛焊球加以配列,而藉由回焊( reflow)處理而形成外部電極。 最後則利用切斷裝置切成各小片而製成出電子電路零 件。 如此般,藉由將以往以單一零件形式而搭載的電感器 、電容器、電阻等的被動元件集成在基板上,而可以將安 裝面積設成一半,而能夠變得更小。更且,藉由基板使用 絕緣性高的玻璃,可以防止各元件的效率降低,相較於使 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -26- 552686 A7 B7 五、發明説明(24) 用以往的基板的情形,可以得到約5倍的效率。更且,也 能夠以爲用矽基板時的一半的成本來製造。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者,藉由將電容器、電感器、電阻等的被動元件形 成在位在玻璃基板之端部的內側,在切斷電子電路零件時 或安裝電子電路零件時,可以使被施加集中的應力的構成 部分能夠耐得住該應力,而大幅地低電子電路零件因爲施 加應力而發生破損的情形,能夠得到信賴性高,且製造良 率良好的電子電路零件。 此外,圖1爲本發明的一實施例,各元件的配置並不 限定於此。 (實施例2 ) 實施例2則是取代在實施例1中所使用之圖1的玻璃 基板,而改採以下的玻璃基板。本實施例之玻璃基板的組 成,將選自 Sc、Y、La、Pr、Nd、Pm、Sm、 Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er 、Tm、Yb、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 L u的群中之至少一種的稀土類元素,以L n2〇3 ( L n 爲稀土類元素)的氧化物換算相對於玻璃整體占〇 · 5〜 20重量%,而其他的成分則包含S i〇2 : 40〜80重 量%、B2〇3 : 〇〜20重量%、R2〇(R爲鹼金屬) :〇〜20重量%、R〇:(R爲鹼土類金屬):〇〜 20重量%、A12〇3: 〇〜17重量%,且R2〇 + R〇:1 0〜3 0重量%。又其厚度則爲與實施例1相同 的 0 · 5 m m。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -27 - 552686 A7 B7 五、發明説明(25) 又,在本實施例中,玻璃基板1以外的部分則與實施 例1相同。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,本實施例之電子電路零件的製造方法則與實施例 1相同。 在實施例1中所使用的玻璃基板(日本電氣力' 7只, β L G )與在實施例2中所使用的玻璃基板的抗折強度分 別是200MPa ,300MPa。抗折強度爲以4點彎 曲所計測的値,樣品的形狀爲1 0 m m X 3 6 m m X 0 . 5 m m。由此可知,在實施例2中所使用的玻璃基板擁有大 約2倍於在實施例1中所使用之玻璃基板的強度。 因此,實施例2的電子電路零件,其耐衝撃性等的信 賴性會更高。 如此般,將選自Sc、Y、La、Pr、Nd、Pm 、Sm、Eu、Gd'Tb、Dy、Ho、Er、Tm、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Y b、L u的群中之至少1種的稀土類元素,以L n 2〇3 (L η爲稀土類元素)的氧化物換算相對於玻璃整體含有 〇.5〜2 0重量成分,至於其他成分則包含$丨〇2 : 4 0〜80重量%、B2〇3: 〇〜20重量%、R2〇(R 爲鹼金屬)··〇〜20重量%、R〇(R爲鹼土族元素) :〇〜20重量%、A 12〇3 : 〇〜1 7重量%,更且, r2〇+R〇:10〜30重量%,且,藉由使用如此成分 的玻璃基板,可以得到除了以上的效果外’其信賴性更高 的電子電路零件。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -28- 552686 A7 B7 五、發明説明(26^ (實施例3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在實施例3中,有機絕緣材2則取代在實施例,中所 使用的感光性聚醯亞胺,而改採B C B (廿 < 夕口尹y 4 0 2 6 ,夕、、々^ S力少製)。在本實施例中,有機絕緣 材2以外則與實施例1相同。 BCB的介電常數爲2 · 65,介電正接爲 0 . 0 0 3,相較於感光性聚醯亞胺的3 . 5、0 . 0 1 更小。 因此,藉由用B C B作爲用來覆蓋電子電路之周圍的 絕緣層會使得導體損失以及介電損失變小,而能夠減低通 過電子電路之信號的損失。 如此般藉由使用B C B以作爲本發明的有機絕緣材, 可以使得電路的導體損失以及介電損失變小,能夠得到除 了實施例1所得到的效果外,且信號之通過損失小的電子 電路零件。 此外,藉由玻璃基板使用在實施例2中所使用的玻璃 ,當然可以使得電子電路零件的電衝撃性等的信賴性更高 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (實施例4 ) 在實施例4中,有機絕緣材2則取代在實施例1中所 使用的感光性聚醯亞胺,而改採包含有具有以上述一般式 (化1 )所表示之多個苯乙烯基的架橋成分,更且,含有 重量平均分子量在5 0 0 0以上之高分子量體的低介電正 本紙i尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ' -29- 552686 A7 B7 五、發明説明(27) 接樹脂組成物。在本實施例中,有機絕緣材2以外則與實 施例1相同。 此外,本實施例之電子電路零件的製造方法,除了後 述之上述低介電正接樹脂組成物的形成物以外,其他則與 實施例1相同。 上述低介電正接樹脂組成物的形成則依下來進行。將 由已合成之1 ,2 -二(乙烯苯基)乙烷3 0重量%與環 狀聚烯烴Zeonex 480 (日本七'才 >製)70重量%、硬 化觸媒對己炔2 5 B 0 . 3重量%的3種的原料製成使 溶解在二甲苯溶媒中之固體成分成爲3 8%的淸漆( varnish) ° 藉由旋轉被覆法(s p i n c ◦ a t)來塗佈該淸漆,在熱板上 ,在1 2 0 °C下經2分鐘後,則在2 0 0 °C下進行5分鐘 的階段淸理(step cure )而形成1 0 // m的絕緣體。在藉由 旋轉被覆法在其上塗佈正片型液狀光阻劑◦ F P R 8 0 0 ,5 0 0 c p且予以乾燥後,經過曝光、顯像過程,而形 成開口端部開口於位在下部電極端部爲2 0 # m內側的光 罩(resist mask)。接著,藉由C F 4針對上述低介電正接 樹脂組成物進行乾鈾刻而讓在下部電極上的介電體露出。 最後則讓光阻膜剝離。 低介電正接樹脂組成物的介電常數爲2 _ 4 5、介電 正接爲0 . 0 0 1 5,相較於感光性聚醯亞胺的3 · 5、 0 . 0 0 2更小。更且,連相較於B C B的2 . 6 5、 〇.〇0 3也較小。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 灯 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30- 552686 A7 B7 五、發明説明(28^ 更且,價格爲日幣2萬圓/kg,相較於B CB的日幣 2 3萬圓/ kg大約爲1 / 1 〇。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此,藉由使用上述低介電正接樹脂組成物作爲用來 覆蓋電子電路之周圍的絕緣層,可以使得導體損失以及介 電損失變小,且能夠便宜地減低通過電子電路之信號的損 失。 如此般,藉由使用上述低介電正接樹脂組成物作爲本 發明的有機絕緣材,可以得電路的導體損失以及介電損失 變小,除了由實施例1所得到的效果外,也可以便宜地獲 得信號之通過損失小的電子電路零件。 此外,藉由使用在實施例2中所使用的玻璃當作玻璃 基板,當然可以提高電子電路零件之耐衝擊性等的信賴性 d (實施例5 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2爲作爲本發明之一實施例之電子電路零件的斷面 圖。在圖2中,1爲玻璃基板(日本電氣力'7只,BLC ),其厚度爲0.5mm。 在圖2中,2爲有機絕緣材,乃使用感光性聚醯亞胺 C日立化成,HD — 600〇)。 在有機絕緣膜2之內部所構成的電容器元件係由:由 以C u構成的下部電極3 a ,以T a的氧化物構成的介電 體材料3 b,及以C u構成的上部電極3 c而構成的3層 構造的電容器元件3,以及由以C u構成的下部電極 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -31 - 552686 A7 B7__ 五、發明説明(2g) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 / a ,以聚醯亞胺構成的介電體材料3 / b,及以C u 構成的上部電極3 / c而構成的3層構造的電容器元件 3 /所構成。 電感器元件4是一螺旋型的電感器,其材料爲C u。 電阻元件5是由電阻體5 b與電極5 a及5 c所構成 。電阻體5b是Ta與T i的化合物,電極5 a以及5 c 是由C u所構成。 在圖2中,6爲用在與印刷基板等之安裝基板之連接 上的金屬端子部。本圖的情形是將焊球7搭載在金屬端子 部6之上。 接著則針對圖2的電子電路零件說明其製造方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將1 0 0 // m的噴砂用薄膜光阻材才一亍' 4少(商品 名,東京應化製)積層(laminate )在0 . 5 m m厚的玻璃 基板,經過曝光、顯像過程形成蝕刻用光阻膜。接著,則 藉由細噴砂(m i c r 〇 s a n d b 1 a s t)法在玻璃基板形成貫穿孔。 接著,將光阻薄膜剝離,藉由噴濺法在玻璃基板表面以及 孑L ( via )內壁形成電鑛用種膜C r : 5 0 n m,C u ·· 500nm。在將電鑪用光阻薄膜HN920 (日立化成 製)積層在該C u膜上後,經過曝光、顯像在形成好電鍍 光罩後,藉由電鍍C u來形成孔內部的導通層。接著則將 光阻膜剝離,且將電鍍種膜剝離。 接著,則藉由噴濺法將5 0 n m的C r形成在玻璃基 板上,且更形成5 0 0 n m的C u,而將其當作鍍銅供電 用種膜。藉由旋轉被覆法在該C u膜塗佈負片型液狀光阻 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -32- 552686 A7 _____ B7 五、發明説明(3〇) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 劑PMER-N—CAl〇〇〇 (東京應化製),在藉由 熱板實施完預烘焙後,經過曝光、顯像過程而形成光罩。 以1 A / d m的電流密度在該光罩開口部實施電鑛1〇 β m銅之後,則除去光罩,以銅蝕刻液cobra etch (荏原電 產製)來除去銅種膜。更且,則利用過錳系C r蝕刻液來 除去C r種膜而形成下部電極。 接著,則藉由噴濺法形成5 0 n m的C r以作爲障壁 膜。 接著,則利用噴濺法在上述下部電極3 a上形成 5 0 〇 n m厚度的T a 2〇5膜。將正片型液狀光阻劑 OFPR800,500cp (東京應化製)塗佈在該 T a 2 0 5膜上,經過乾燥、曝光、顯像過程而形成介電體 材料的光罩。接著在利用C F 4進行乾鈾刻而除去不用的部 分後,則除去光罩,利用過錳酸系C r鈾刻液針對不用的 部分的障壁層實施蝕刻而形成介電體材料。 接著,利用旋轉被覆法來塗佈感光性聚醯亞胺H D 6000 (日立化成製),在藉由熱板實施完預烘焙後, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經過曝光、顯像過程而讓在下部電極1 3 a上的介電體材 料露出。此時,則開口於位於在將聚醯亞胺的被覆部當作 電子電路零件加以切斷成各小片時所使用之刮除區域( scrub area )爲8 0 // m的內側。讓該聚醯亞胺在氮氣環境 中,在2 5 0 °C下經2個小時硬化而形成1 0 // m的有機 絕緣材。在此過程中,在下部電極3 / a上所形成的有機 絕緣材(聚醯亞胺)則成爲電容器元件3 /的介電體材料 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' -33- 552686 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(31) 3 > b。 接著,利用噴濺法形成5 0 0 n m的T a N膜。在藉 由旋轉被覆法將正片型液狀光阻劑〇F P R 8 0 〇, 1 0 0 c p塗佈在上而實施完預烘焙後,經過曝光、顯像 而形成光阻圖案掩罩。使用該掩罩,以C F 4針對T a N膜 實施乾蝕刻。接著將光罩弩離而形成多個的電阻元件。 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,更者,則形 成5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該C u膜上 則藉由旋轉塗佈法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N 一CA1000 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘 焙後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的 電流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 Ο // m。之後則除 去光罩,藉由銅鈾刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅 種膜。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液來除去C r種膜 ,而形成上部電極、電阻體電極、以及電感器元件。 當在已形成有上部電極、電阻體電極、以及電感器元 件的面藉由旋轉塗佈法塗佈感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 (H D M S製)而經過預烘焙後,經過曝光、顯像而形成 用於層間連接的開口部。此時,則開口於位於在聚醯亞胺 的被覆部當作電子電路零件加以切斷成各小片時所使用的 刮除領域爲8 0 // m的內側。更者,則在2 5 0 °C下經1 個小時硬化而形成有機絕緣材。 在該有機絕緣材表面形成用於形成金屬端子部的電鍍 用種膜Cr : 5〇nm,Cu ·· 50〇nm。在藉由旋轉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T d 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -34- 552686 A7 __B7________ 五、發明説明(32^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 被覆法將負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R — N — C A 1 0〇〇 (東京應化製)塗佈在該c u膜上’且實施完預烘培後’ 在經過曝光、顯像而形成電鍍光罩後’藉由實施C U電鑛 而形成1 0 # m的電鍍膜,之後則當作障壁層再形成2 // m的電鍍鎳膜。最後將光罩剝離以及將電鍍種膜剝離而 形成配線以及金屬端子部。 在藉由旋轉被覆法將感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 (H D M S製)塗佈在已形成有該金屬端子部的面上而實 施完預烘焙後,則經過曝光、顯像而形成用來形成焊球的 開口部。此時,則開口於位於在將聚醯亞胺的被覆部當作 電子電路零件加以切斷成各小片時所使用之刮除區域爲 8〇// m的內側。更者,在2 5 0 °C下經1小時硬化而形 成有機絕緣材。 當在上述金屬端子部表面實施完無電解度金處理後, 在藉由金屬掩罩將焊劑助熔劑塗佈在所定的部位後,則將 2 0 // m直徑之無鈴焊球加以配列,藉由回焊(reflow )處 理而形成外部電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 最後則利用切割衍生物而切成各小片而製作成電子電 路零件。 在本實施例中,除了 T a之氧化物等之介電常數高的 無機材料外,也使用聚醯亞胺等之介電常低的有機材料以 作爲介電體材料。藉此可以高精度地製作出電容値更小的 電容器,能夠提高電路的信賴性,且能夠擴大所能對應之 容値的範圍。且,藉著介電體材料使用與覆蓋元件周圍的 本紙張尺度適用中國^:標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' '—"'—— -35- 552686 A7 B7 五、發明説明(33) 絕緣材相同的材料,除了實施例1所得到的效果外,也會g 夠以更簡單且便宜的製程來製造。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外,藉由玻璃基板使用在實施例2中所使用的玻璃 ,當然可以更加提高電子電路零件之耐衝擊性等的信賴性 〇 又,藉由有機絕緣材使用實施例3的B C B,可以使 得導體損失以及介電損失變小,且能夠減低通過電子電路 之信號的損失。 又,藉由有機絕緣材使用實施例4的低介電正接樹脂 組成物,可以使得導體損失以及介電損失變小,且能夠便 宜地減低通過電子電路之信號的損失。 (實施例6 ) 圖3爲作爲本發明之一實施例之電子電路零件的斷面 圖。在圖3中,1爲玻璃基板(日本電氣力’ BLC ),其厚度爲0.5mm。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖3中,2爲有機絕緣材,乃利用感光性聚醯亞胺 (日立化成,HD — 6000)。 在有機絕緣膜2之內部所構成的電容器元件係由:由 以C u構成的下部電極3 a ,以T a的氧化物構成的介電 體材料3 b,及以C u構成的上部電極3 c而構成的3層 構造的電容器元件3,以及由以C u構成的下部電極 3 / a ,以聚醯亞胺構成的介電體材料3 / b ’及以C u 構成的上部電極3 > c而構成的3層構造的電容器元件 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -36- 552686 A7 B7____ 五、發明説明(34) 3 —所構成。更者,在上部電極上則設有用來與上層的配 線連接的連接部8。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電感器元件4是一螺旋型的電感器,其材料爲C u。 電阻元件5是由電阻體5 b、電極5 a及5 c所成。 電阻體5b是Ta與T i的化合物,電極5 a以及5 c是 由C u來構成。 - 在圖3中,6爲用在與印刷基板等之安裝基板之連接 上的金屬端子部。本圖的情形是將焊球7搭載在金屬端子 部6之上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更者,圖4爲表示圖3中之電容器元件的部分。在圖 4的電容器中,將介電體材料3 b形成爲覆蓋下部電極 3 c的側面,而試圖減低上下電極間之漏電流的不良情形 。由於上部電極3 a的面積形成爲較下部電極3 c爲小, 因此,電容器的電阻乃與上部電極的面積有關。上部電極 3 c與上層之配線的連接,如圖4所示,乃是從上部電極 3 c之端部以外的部分經由有機絕緣材2之經由孔(via hole),將配線拉出連接到上層。而當要從上部電極的側面 將配線予以拉出而連接時,由於面向下部電極之配線的拉 出部的面積會成爲電容器的電容,因此在形成電容器之際 ’會要求非常細的精度。相較於此,藉由設成圖4所示的 連接部8,由於連接部與電容器的電阻沒有關係,因此可 以形成更高精度的電容器。 接著則針對圖3的電子電路零件說明其製造方法。 將1 0 0 // m的噴砂用薄膜光阻材才一尹4少(東京 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇><297公釐) ' -37- 552686 A7 B7 五、發明説明(35^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 應化製)積層(laminate )在0 . 5 m m厚的玻璃基板’經 過曝光、顯像過程形成蝕刻用光阻膜。接著,則藉由細噴 砂(m i c r 〇 s a n d b 1 a s t)法在玻璃基板形成貫穿孔。接著’將 光阻薄膜剝離,藉由噴濺法在玻璃基板表面以及經由孔( vh )內壁形成電鍍用種膜C r : 5 0 n m,C u ·· 5 0〇 nm。在將電鍍用光阻薄膜HN920 (日立化成製)積 層在該C u膜上後,經過曝光、顯像在形成好電鍍光罩後 ,藉由電鍍C u來形成孔內部的導通層。接著則將光阻膜 剝離,且將電鍍種膜剝離。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著,則藉由噴濺法將5 0 n m的C r形成在玻璃基 板上,且更形成5 0 0 n m的C u,而將其當作鍍銅供電 用種膜。藉由旋轉被覆法在該C u膜塗佈負片型液狀光阻 劑PMER — N - CA1 000 (東京應化製),在藉由 熱板實施完預烘焙後,經過曝光、顯像過程而形成光罩。 以1 A / d m的電流密度在該光罩開口部實施電鍍1 〇 // m銅。之後,則除去光罩,以銅蝕刻液c〇bra etch (荏原 電產製)來除去銅種膜。更且,則利用過錳系C r蝕刻液 來除去C r種膜而形成下部電極。 接著,則藉由噴濺法形成5 0 n m的C r以作爲障壁 膜。 接著,則利用噴濺法在上述下部電極3 a上形成 5 0 0 n m厚度的T a 2〇5膜。將正片型液狀光阻劑 OFPR800,500cp (東京應化製)塗佈在該 丁 a 2〇5膜上,經過乾燥、曝光、顯像過程而形成介電體 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格(210X 297公釐) — -38- 552686 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i、發明説明(g 材料的光罩。接著在利用C F 4進行乾蝕刻而除去不用的部 分後’則除去光罩,利用過錳酸系C r蝕刻液針對不用的 部分的障壁層實施蝕刻而形成介電體材料。 接著’利用旋轉被覆法來塗佈感光性聚醯亞胺H D δ〇〇0 (日立化成製),在藉由熱板實施完預烘焙後, 經過曝光、顯像過程而讓在下部電極1 3 a上的介電體材 料露出。此時,聚醯亞胺的開口端部則開口於位在下部電 極端部爲2 0 // m的內側。將該聚醯亞胺在氮氣環境中, 在2 5 0 °C下經2個小時硬化而形成1 〇 # m的有機絕緣 材。 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C I*,且更形成 5 0 〇 n m的C u,以此作爲種膜。藉由旋轉被覆法將負 片型液狀光阻劑PMER — N— CA 1 〇 〇 〇 (東京應化 製)塗佈在該C u膜上,在藉由熱板實施完預烘焙後,經 過曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電流密度 在該光罩開口部實施電鍍銅到1 〇 /z m。之後則除去光罩 ,藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種膜。 更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液來除去C r種膜,而形 成上部電極。 當在已形成有上部電極的面藉由旋轉塗佈法塗佈感光 性聚醯亞胺H D 6 0 〇 〇 ( H D M S製)而經過預烘焙 後,經過曝光、顯像而形成用於層間連接的開口部。在 2 5 0 °C下經過1小時硬化而形成有機絕緣材。 接著,則藉由噴濺法形成5 0 0 n m的T a N膜。在 (請先閱讀背面之注意事項 4 項再填- 裝*-- :寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -39- 552686 A7 B7 五、發明説明(37) 藉由旋轉被覆法將正片型液狀光阻劑0 F P R 8 0 0, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 0 0 c p塗佈於其上而經預烘焙後,經過曝光、顯像而 形成光阻圖案掩罩。使用該掩罩,利用C F 4針對T a N膜 實施乾蝕刻,接著則將光罩剝離而形成多個的電阻元件。 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,且更形成 5 0 〇 n m的C u膜,以此作爲種膜。藉由旋轉被覆法將 負片型液狀光阻劑PMER - N—CA 1 0 〇 〇 (東京應 化製)塗佈在該C u膜上,在藉由熱板實施完預烘焙後, 經過曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電流密 度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 0 // m。之後則除去光 罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種膜 。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液來除去C r種膜,而 形成電阻體電極。 當在已形成有電阻體電極的面藉由旋轉塗佈法塗佈感 光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製)而經過預烘 焙後,經過曝光、顯像而形成用於層間連接的開口部。在 2 5 0 °C下經過1小時硬化而形成有機絕緣材。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接者利用噴灑法形成5 0 n Hi的C r膜,且更形成 5 0 0 n m的C u膜,以此作爲種膜。藉由旋轉被覆法將 負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R — N - C A 1 〇 〇 〇 (東京應 化製)塗佈在該C u膜上,在藉由熱板實施完預烘培後, 經過曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電流密 度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 〇 # m。之後則除去光 罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種膜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -40- 552686 A7 B7 五、發明説明(38) 。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液來除去C r種膜,而 形成電感器元件、配線、以及金屬端子。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 當在已形成有金屬端子部、電感器元件以及配線的面 藉由旋轉被覆法塗佈感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製)而經過預烘焙後,經過曝光、顯像而形成用 來形成焊球的開口部,在2 5 0 t下經過1小時硬化而形 成有機絕緣材。 當針對上述金屬端子部表面實施完無電解鍍金處理後 ,在藉由金屬掩罩將焊劑助熔劑塗佈在所定的部分後,貝[J 將2 0 0 // m直徑的無鉛焊球加以配列,而藉由回焊處理 形成外部電極。 最後,則利用切斷裝置加以分割成各小片而製作成電 子電路零件。 在本實施例中,電容器元件、電感器元件、以及電阻 元件則分別依據距玻璃基板表面不同的多個距離而配置, 藉此,除了可以以更高的密度將各元件集成外,除了由實 施例5所得到的效果外,也可以得到更小型的電子電路零 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 件。 此外,藉由玻璃基板使用在實施例2中所使用的玻璃 ,當然可以更加提高電子電路零件之耐衝撃性等的信賴性 〇 更者,藉由有機絕緣體使用在實施例3中所使用的 B C B,當然可以使得電路的導體損失以及介電損失變小 ,且可以得到信號的通過損失小的電子電路零件。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -41 - 552686 A7 B7 五、發明説明(3g) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 更者,藉由有機絕緣體使用在實施例4中所使用的低 介電正接樹脂組成物’當然可以使得導體損失以及介電損 失變小,且能夠便宜地減低通過電子電路之信號的損失。 此外,圖3爲本發明的一實施例,而各元件的配置並 不限定於此。 (實施例7 ) 實施例7則表示將圖5所示之L C濾波電路予以單晶 片化之電子電路零件的例子。圖6爲本實施例之電子電路 零件的面圖。又,圖7爲本實施例之電子電路零件的分解 圖。又,將在圖7之分解圖中所示之各層的平面圖表示在 圖8〜圖1 4。此外,圖6的斷面圖爲圖8〜1 4中之虛 線A — A 的斷面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖6以及7中,2 6爲玻璃基板(日本電氣方亍又 ,:BLC),其厚度爲0 . 5mm,大小爲2mmx2 mm。2 7爲由C u所構成的下部電極層,圖8爲其平面 圖,2 8爲由T a的氧化物所構成的介電體層,圖9爲其 平面圖,29爲有機絕緣層,圖10爲其平面圖。30爲 電感器層與兼作爲上部電極的層,圖1 1爲其平面圖。3 1爲有機絕緣層,圖1 2爲其平面圖。3 2爲可用來連接 配線以及外部的電極層,圖1 3爲其平面圖。3 4爲由有 機絕緣體所構成的表面保護層,圖1 4爲其平面圖。3 4 爲焊球的外部電極。由C u所構成的下部電極層2 7,電 感器層與兼作爲上部電極的層3 0,以及用來連接配線以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ297公釐) -42 - 552686 A7 __B7 _ 五、發明説明(4() 及外部的電極層3 2,則藉由位於各自之層間的有機絕緣 層2' 9以及3 1的經由孔(via hole )而被連接。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著則針對本實施例的電子電路零件來說明其製造方 法。 藉由噴濺法在0 · 5 m m厚的玻璃基板2 6形成5 0 n m的C r膜,更者更形成5 0 0 n m的C u膜,且將此 作爲鍍銅供電用種膜。藉由旋轉被覆法將負片型液狀光阻 劑PMER-N—CAl〇〇〇 (東京應化製)塗佈在該 C u膜上,在藉由熱板實施完預烘焙後,經過曝光、顯像 過程而形成光罩。以1 A/ d m的電流密度在該光罩開口 部電鍍1 0 // m的銅。之後,則除去光罩,藉由銅蝕刻液 cobra etch (荏原電產製)來除去銅種膜。更者,則利用過 錳酸系C r蝕刻液來除去C r種膜而形成下部電極層。下 部電極層2 7兼作爲電容器元件的下部電極以及配線。 接著,則藉由噴濺法形成5 0 n m的C r以作爲障壁 膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著,則利用噴濺法在下部電極上形成5 0 0 n m 厚度的T a 2〇5膜。將正片型液狀光阻劑〇f P R 8 0 0 ’ 500cp (東京應化製)塗佈在該Ta2〇5上,經過 乾燥、曝光、顯像過程而形成介電體材料的光罩。接著在 利用C F 4進行乾蝕刻而除去不用的部分後,則除去光罩, 利用過錳酸系C r蝕刻液針對不用的部分的障壁層實施蝕 刻而形成介電體層2 8。此時,介電體層2 8則形成爲覆 蓋下部電極的側面。 I紙張尺度適财關家標準(CNS ) M規格(21GX297公董) " -43- 552686 A7 B7 五、發明説明(41) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著,利用旋轉被覆法來塗佈感光性聚醯亞胺H D 6000 (日立化成製),在藉由熱板實施完預烘焙後, 經過曝光、顯像過程而讓在下部電極1 3 a上的介電體材 料露出。此時,則聚醯亞胺的開口端部則開口於位在下部 電極端部爲2 0 // m的內側。讓該聚醯亞胺在氮氣環境下 ,在2 5 0 °C下經2個小時硬化而形成1 0 // m的有機絕 緣層2 9。又,在有機絕緣層2 9則形成用來連接下部電 極層2 7與位於其上層之配線的經由孔(via hole )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C I·膜,更者,則形 成5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該C u膜上 則藉由旋轉塗佈法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N -CA1000 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘 焙後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的 電流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 〇 // m。之後則除 去光罩,更者,則藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製) 來除去銅種膜。更者,則利用過錳酸系C I*鈾刻液來除去 C r膜以形成上部電極以以及電感器元件3 0。在此,藉 著將上部電極與電容器元件形成在同一層,可以縮短電容 器元件與電容器元件的距離,而達成小型化、低雜訊化、 高效率化以及高性能化。又,在本實施例中,如圖1 1的 平面圖所示,連在電容器元件的領域內也形成電容器元件 。藉由設成如此的配置,可以縮短電容器元件與電容器元 件之距離而節省電容器元件相對於電子零件的占有面積, 而能夠使得電子零件的小型化。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -44 - 552686 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____ B7___五、發明説明( 藉由旋轉被覆法將感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( HDMS製)塗佈在已形成有該上部電極以及電容器元件 3 0的面,在經過預烘焙後,經由曝光、顯像而形成用來 連接層與層之間的開口部,在2 5 0 °C下經1個小時硬化 而形成有機絕緣層3 1。在此,藉由將用於連接上部電極 與上層的開口部形成在位於上部電極的形成面內,則容易 控制電容器元件的上部電極面積,而能夠提高電容器元件 的精度。 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,更者,則形 成5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該C u膜上 則藉由旋轉塗佈法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N -CA1000 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘 焙後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的 電流密度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 0 // m。之後則 除去光罩,更者,則藉由銅鈾刻液cobra etch (径原電產製 )來除去銅種膜。更者,則利用過錳酸系C r鈾刻液來除 去C r種膜而形成配線以及外部電極層3 2。 當在已形成有該配線以及外部電極層3 2的面藉由旋 轉被覆法塗佈感光性聚醯亞胺H D 6000 (HDMS 製),經預烘焙後,經過曝光、顯像而形成用來形成焊球 的開口部。在2 5 0 °C下經過1小時硬化而形成有機絕緣 材3 3。 在針對上述配線以及外部電極表面實施完無電解鍍金 處理後,則在藉由金屬掩罩的焊劑助熔劑塗佈在所定的部 i紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 項再填' 裝· 訂 -45- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552686 A7 B7 五、發明説明(β 分後,將2 0 〇 # m直徑的無鉛焊球加以配列,藉由回焊 處堙而形成外部電極3 4。外部電極3 4則爲了要容易安 裝到外部配線基板等,因此被配列成如圖7所示的格子狀 。最後則利用切割裝置分割成各小片而製作出電子電路零 件。 如此般,藉著將以往由單體零件所形成之L C濾波電 路集成在基板上,可以達成小型化、低電阻、低電感化、 以及低雜訊化。 此外,藉由玻璃基板使用在實施例2中所使用的玻璃 ,當然可以更加提高電子電路零件之耐衝擊性等的信賴性 〇 更者,藉由有機絕緣體使用在實施例3中所使用的 B C B,當然可以使得電路的導體損失以及介電損失變小 ,且可以得到信號的通過損失小的電子電路零件。 更者,藉由有機絕緣體使用在實施例4中所使用的低 介電正接樹脂組成物,當然可以使得導體損失以及介電損 失變小,且能夠便宜地減低通過電子電路之信號的損失。 此外,圖5爲本發明的一實施例,各元件的配置並不 限定於此。 (實施例8 ) 圖1 5爲作爲本發明之一實施例之電子電路零件的斷 面圖。在圖15中,1爲玻璃基板(日本電氣力歹只 BLC),其厚度爲〇 _ 5mm。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I":---Γ----0^----Ί------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -46 - 552686 A7 B7 i、發明説明( 在圖1 5中,2爲有機絕緣材,乃使用感光性聚醯亞 胺C日立化成,HD—6000)。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 在有機絕緣膜2之內部所構成的電容器元件係由:由 以C u構成的下部電極3 a ,以T a的氧化物構成的介電 體材料3 b,及以C u構成的上部電極3 c而構成的3層 構造的電容器元件3、以及由以C u構成的下部電極 3 — a ,以聚醯亞胺構成的介電體材料3 / b,及以C u 構成的上部電極3 > c而構成的3層構造的電容器元件 3 /所構成。更且,在上部電極上設有用來與上部配線連 接的連接部8。 電感器元件4是一螺旋型的電感器,其材料爲C u。 電阻元件5是由電阻體5 b與電極5 a及5 c所成。 電阻體是T a與T i的化合物,電極5 b以及5 c是由 C u來構成。 在圖1 5中,9爲具有應力緩衝功能的有機絕緣材, 乃使用散佈有聚醯亞胺微小粒子的液狀聚醯亞胺材料(臼 立化成,GH — P5〇0)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖1 5中,6爲用在印刷基板等之安裝基板之連接 上的金屬端子部。本圖的情形是將焊球7搭載在金屬端子 咅6 6之上。 接著則針對圖1 5的電子電路零件來說明其製造方法 〇 藉由噴濺法將5 0 n m的C r形成在0 . 5 m m厚的 玻璃基板上,且更形成5 Ο 0 n m的C u膜,而將其當作 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -47- 552686 A7 ___B7 五、發明説明(β (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 鍍銅供電用種膜。藉由旋轉被覆法在該c u膜塗佈負片型 液狀光阻劑PMER — N - CA 1 〇 〇 〇 (東京應化製) ,在藉由熱板實施完預烘焙後,經過曝光、顯像過程而形 成光罩。以1 A / d m的電流密度在該光罩開口部實施電 鍍1 0 # m銅。之後’則除去光罩,以銅鈾刻液c 〇 b r a e t c h (荏原電產製)來除去銅種膜。更且,則利用過錳系C r 蝕刻液來除去C r種膜而形成下部電極。 接者’則藉由噴濺法形成5 0 n m的C r膜以作爲障 壁膜。 接著,則利用噴濺法在上述下部電極3 a上形成 5 0 0 n m厚度的T a 2〇5膜。將正片型液狀光阻劑 OFPR800,500cp (東京應化製)塗佈在該 T a 2 ◦ 5膜上,經過乾燥、曝光、顯像過程而形成介電體 材料的光罩。接著在利用C F 4進行乾蝕刻而除去不用的部 分後,則除去光罩,利用過錳酸系C r鈾刻液針對不用的 部分的障壁層實施蝕刻而形成介電體材料。
接著’利用旋轉被覆法來塗佈感光性聚醯亞胺H D 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 0 0 0 (日立化成製),在藉由熱板實施完預烘焙後, 經過曝光、顯像過程而讓在下部電極1 3 a上的介電體材 料露出。此時,則聚醯亞胺的開口端部則開口於位在下部 電極端部爲2 0 // m的內側。讓該聚醯亞胺在環境中,在 2 5 0 °C下經2個小時硬化而形成1 〇 // m的有機絕緣材 。接著’利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,且更形成 5 〇 〇 n m的C u膜以此作爲種膜。藉由旋轉被覆法將負 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -48- 552686 A7 B7 五、發明説明( (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N - C A 1 〇 〇 〇 (東京應化 製)塗佈在該C u膜上,在藉由熱板實施完預烘焙後,經 過曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電流密度 在該光罩開口部實施電鍍銅到1 〇 # m。之後則除去光罩 ’藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種膜。 更且’則利用過錳酸系C r鈾刻液來除去C 種膜,而形 成上部電極。 當在已形成有上部電極的面藉由旋轉被覆法塗佈感光 性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製)而經過預烘焙 後’經過曝光、顯像而形成用於層間連接的開口部,在 2 5 0 °C下經過1小時硬化而形成有機絕緣材。 接著,則藉由噴濺法形成5 0 0 n m的T a N膜。在 藉由旋轉被覆法將正片型液狀光阻劑〇F P R 8 0 0, 1 0 0 c ρ塗佈於其上而經預烘焙後,經過曝光、顯像而 形成光阻圖案掩罩。使用該掩罩,利用C F 4針對T a N膜 實施乾蝕刻,接著則將光罩剝離而形成多個的電阻元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,且更形成 5 0 0 n m的C u膜,以此作爲種膜。藉由旋轉被覆法將 負片型液狀光阻劑PMER — N - CAl〇〇〇 (東京應 化製)塗佈在該C u膜上,在藉由熱板實施完預烘焙後, 經過曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電流密 度在該光罩開口部貫施電鑛銅到1 0 # in。之後則除去光 罩,藉由銅鈾刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種膜 。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液來除去C r種膜,而 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -49- 552686 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(47) 形成電阻體電極。 當在已形成有電阻體電極的面藉由旋轉被覆法塗佈感 光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製)而經過預烘 焙後,經過曝光、顯像而形成用於層間連接的開口部。在 2 5 0 °C下經過1小時硬化而形成有機絕緣材。 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,且更形成 5 0 0 n m的C u膜,以此作爲種膜。藉由旋轉被覆法將 負片型液狀光阻劑PMER — N - CA 1 〇 0 0 (東京應 化製)塗佈在該C u膜上,在藉由熱板實施完預烘焙後, 經過曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電流密 度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 0 // m。之後則除去光 罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種膜 。更且,則利用過錳酸系C r鈾刻液來除去C r種膜,而 形成電感器元件以及配線。 之後,則利用掩罩印刷塗佈一散佈有聚醯亞胺微小粒 子的液狀聚醯亞胺材料G Η - P 5 0 0 (日立化成),在 熱板上,在2 0 0 °C下2 5分鐘,之後,在恒溫槽中,在 2 5 0 °C經6 0分鐘硬化,而形成有應力繞衝功能的有機 絕緣材。接著則利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,且更 形成5 0 0 n m的C u膜,以此作爲種膜。藉由旋轉被覆 法將負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N — C A 1 0 0 0 (東 京應化製)塗佈在該C u膜上,在藉由熱板實施完預烘焙 後,經過曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流密度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 0 // m。之後則除 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -50- 552686 A7 B7 五、發明説明(y (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 去光罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (径原電產製)來除去銅 種膜。而形成配線以及金屬端子部。當在已經形成有該配 線以及金屬端子部的面藉由旋轉被覆法塗佈感光性聚醯亞 胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製)而經過預烘焙後,經過 曝光、顯像而形成用來形成焊球的開口部,在2 5 0 t下 經過1小時硬化而形成有機絕緣材。 當針對上述金屬端子部表面實施完無電解鍍金處理後 ,在藉由金屬掩罩將焊劑助熔劑塗佈在所定的部分後,則 將2 0 0 // m直徑的無鉛焊球加以配列,而藉由回焊處理 形成外部電極。 最後,則利用切斷裝置加以分割成各小片而製作成電 子電路零件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施例中,藉由在金屬端子部6的正下方形成具 有應力緩衝功能的有機絕緣層,在連接到印刷基板等的安 裝基板時,藉由半導體連接基板與安裝基板的熱膨脹係數 的差異,因此能夠緩和施加在金屬端子部6以及焊球7的 熱應力。藉此,可以得到一除了由實施例6所得到的效果 外,也具備優越耐溫度循環性的半導體連接基板。 此外,藉由玻璃基板使用在實施例2中所使用的玻璃 ,當然可以更加提高電子電路零件之耐衝擊性等的信賴性 〇 更者,藉由有機絕緣體使用在實施例3中所使用的 B C B,當然可以使得電路的導體損失以及介電損失變小 ,且可以得到信號的通過損失小的電子電路零件。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210>< 297公釐) -51 - 552686 A7 B7 五、發明説明(β (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 更者,藉由有機絕緣體使用在實施例4中所使用的低 介電正接樹脂組成物’當然可以使得導體損失以及介電損 失變小,且能夠便宜地減低通過電子電路之信號的損失。 此外,圖1 5爲本發明的一實施例,而各元件的配線 並不限定於此。 (實施例9 ) 圖1 6爲作爲本發明之一實施例之電子電路零件的斷 面圖。在圖16中,1爲玻璃基板(日本電氣力' ^只、 BLC),其厚度爲0.5mm。 在圖1 6中,2爲有機絕緣材,乃利用感光性聚醯亞 胺(日立化成,HD — 6000)。 在有機絕緣材2的內部所構成的電容器元件3全部是 -由下部電極3 a、介電體材料3 b、上部電極3 c所構 成的3層構造。下部電極3 a由C u所構成、介電體材料 3 b由T a的氧化物所構成、上部電極3 c由C u所構成 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電感器(inductor)元件4是一螺旋型的電感器’係被 形成在與上述電容器元件3的上部電極3 a同一面’其材 料爲C u。 電阻元件5由電阻體5b、電極5 a以及5 c所構成 。電阻體5b爲Ta與T i的化合物,電極5 a以及5 c 是由C u所構成。 在圖1 6中,1 2爲有機絕緣體,乃利用感光性聚醯 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -52- 552686 A7 B7 五、發明説明(5(^ 亞胺(日立化成,HD 6000)。 :---r----^批衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在有機絕緣材1 2之內部所構成的電容器元件1 3全 部是一由下部電極1 3 a、介電體材料1 3 b、上部電極 1 3 c所構成的層構造。下部電極3 a由◦ u所構成、介 電體材料3 b由T a的氧化物所構成、上部電極3 c由 C u所構成。 電感器(inductor )元件4是一螺旋型的電感器,係被 形成在與上述電容器元件3的上部電極3 a同一面,其材 料爲C u。 電阻兀件5由電阻體5 b、電極5 a以及5 c所構成 。電阻體5b爲Ta與T i的化合物,電極5 a以及5 c 是由C u所構成。 在圖1 6中,在有機絕緣材2以及1 2的內部所構成 的各元件,則是經由被塡充在設在玻璃基板1內之貫穿孔 2 ◦的導體部在電氣上被連接,而成爲一具備有所設定之 功能的電路。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖1 6中,6爲用於與外部連接的金屬端子部,本 圖的情形則是將焊球7搭載在金屬端子部6之上。 接著則針對圖2的電子電路零件說明其製造方法。 將1 0 0 β m的噴砂用薄膜光阻材才一 r <少(東京 應化製)積層(laminate )在0 . 5 m m厚的玻璃基板’經 過曝光、顯像過程形成鈾刻用光阻膜。接著,則藉由細噴 砂(micro sand blast )法在玻璃基板形成貫穿孔。接著,將 光阻薄膜剝離,藉由噴濺法在玻璃基板表面以及經由孔( 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -53- 552686 Α7 Β7 五、發明説明(51)
Via )內壁形成電鍍用種膜c r : 5 ◦ n m ’ c U : 5 0 0 nm。在將電鍍用光阻薄膜HN920 (日立化成製)積 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 層在該C u膜上後,經過曝光、顯像在形成好電鍍光罩後 ,藉由電鍍C u來形成孔內部的導通層。接著則將光阻膜 剝離,且將電鍍種膜剝離。 接著,則藉由噴濺法將5 0 n m的C r膜形成在玻璃 基板上,且更形成5 0 0 n m的C u膜,而將其當作鍍銅 供電用種膜。藉由旋轉被覆法在該C u膜塗佈負片型液狀 光阻劑PMER — N— CAl〇〇〇(東京應化製),在 藉由熱板實施完預烘焙後,經過曝光、顯像過程而形成光 罩。以1 A / d m的電流密度在該光罩開口部實施電鍍 1 Ο β m銅之後,則除去光罩,以銅鈾刻液cobra etch (桂 原電產製)來除去銅種膜。更且,則利用過錳系C r蝕刻 液來除去C r種膜而形成下部電極。 接著,則藉由噴濺法形成5 0 n m的C r以作爲障壁 膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著,則利用噴濺法在上述下部電極3 a上形成 5 0 0 n m厚度的T a 2 ◦ 5膜。將正片型液狀光阻劑 ◦FPR800,500cp (東京應化製)塗佈在該 T a 2〇5膜上,經過乾燥、曝光、顯像過程而形成介電體 材料的光罩。接著在利用C F 4進行乾蝕刻而除去不用的部 分後,則除去光罩,利用過錳酸系C r蝕刻液針對不用的 部分的障壁層實施鈾刻而形成介電體材料。 接者’利用旋轉被覆法來塗佈感光性聚醯亞胺H D ———一____ 本紙張尺^^中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 一~- -54- 552686 Α7 Β7 五、發明説明(d 6000 (日立化成製),在藉由熱板實施完預烘焙後, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經過曝光、顯像過程而讓在下部電極1 3 a上的介電體材 料露出。此時’則開□於位於在將聚醯亞胺的被覆部當作 電子電路零件加以切斷成各小片時所使用之刮除區域( scrub area )爲8 0 A m的內側。讓該聚醯亞胺在氮氣環境 中,在2 5 0 °C下經2個小時硬化而形成1 〇 // m的有機 絕緣材。 接著’利用噴濺法形成5 0 0 n m的T a N膜。在藉 由旋轉被覆法將正片型液狀光阻劑〇F P R 8 0 0, 1〇0 c p塗佈在上而實施完預烘焙後,經過曝光、顯像 而形成光阻圖案掩罩。使用該掩罩,以C F 4針對T a N膜 實施乾蝕刻。接著將光罩剝離而形成多個的電阻元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,更者則形成 5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該c u膜上則 藉由旋轉塗佈法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R C A 1 0 0 0 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 0 // m。之後則除去 光罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種 膜。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液來除去C r種膜, 而形成上部電極、電阻體電極、以及電感器元件。 當已形成有上部電極、電阻體電極、以及電感器元件 的面藉由旋轉塗佈法塗佈感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 (H D M S製)而經過預烘焙後,經過曝光、顯像而形成 &氏張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇><297公釐) "" " -55- 552686 Α7 Β7 五、發明説明( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用於層間連接的開口部。此時,則開口於位於在聚醯亞胺 的被覆部當作電子電路零件加以切斷成各小片時所使用的 刮除領域爲8 0 // m的內側。更者,則在2 5 0 °C下經1 個小時硬化而形成有機絕緣材。 接著,則藉由噴濺法在玻璃基板背面上形成5 0 n m 的C r膜,且更形成5 Ο 0 n m的C u膜,而以此作爲鍍 銅供電用種膜。藉由旋轉被覆法在該C u膜塗佈負片型液 狀光阻劑PMER - N— CA1 000 (東京應化製), 在藉由熱板實施完預烘焙後,經過曝光、顯像過程而形成 光罩。以1 A / d m的電流密度在該光罩開口部實施電鍍 1 0 # m銅之後,則除去光罩,以銅蝕刻液c〇bra etch (桂 原電產製)來除去銅種膜。更且,則利用過猛系C r蝕刻 液來除去C r種膜而形成下部電極。 接著,則藉由噴濺法形成5 0 n m的C r以作爲障壁 膜。 接著,則利用噴濺法在上述下部電極3 a上形成 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 0 〇 n m厚度的T a 2 0 5膜。將正片型液狀光阻劑 OFPR800,500cp (東京應化製)塗佈在該 T a 2 〇 5膜上,經過乾燥、曝光、顯像過程而形成介電體 材料的光罩。接著在利用C F 4進行乾蝕刻而除去不用的部 分後,則除去光罩,利用過錳酸系C r蝕刻液針對不用的 部分的障壁層實施蝕刻而形成介電體材料。
接著,利用旋轉被覆法來塗佈感光性聚醯亞胺H D 6 0 〇〇 (日立化成製),在藉由熱板實施完預烘焙後, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) »56- 552686 A7 B7 五、發明説明( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經過曝光、顯像過程而讓在下部電極1 3 a上的介電體材 料露出。此時,則開口於位於在將聚醯亞胺的被覆部當作 電子電路零件加以切斷成各小片時所使用之刮除區域( scrub area )爲8 0 // m的內側。讓該聚醯亞胺在氮氣環境 中,在2 5 0 t:下經2個小時硬化而形成1 0 // m的有機 絕緣材。 接著,利用噴濺法形成5 0 0 n m的T a N膜。在藉 由旋轉被覆法將正片型液狀光阻劑〇F P R 8 0 0, 1 0 0 c p塗佈在上而實施完預烘焙後,經過曝光、顯像 而形成光阻圖案掩罩。使用該掩罩,以C F 4針對T a N膜 實施乾鈾刻。接著將光罩剝離而形成多個的電阻元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,更者則形成 5〇0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該C u膜上則 藉由旋轉塗佈法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N -CA1000 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 Ο // m。之後則除去 光罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種 膜。更且,則利用過錳酸系C r鈾刻液來除去C r種膜, 而形成上部電極、電阻體電極、以及電感器元件。 當已形成有上部電極、電阻體電極、以及電感器元件 的面藉由旋轉塗佈法塗佈感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 (H D M S製)而經過預烘焙後,經過曝光、顯像而形成 用於層間連接的開口部。此時,則開口於位於在聚醯亞胺 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -57- 552686 A7 B7 五、發明説明(y (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的被覆部當作電子電路零件加以切斷成各小片時所使用的 刮除領域爲8 0 // m的內側。更者,則在2 5 0 °C下經1 個小時硬化而形成有機絕緣材。 在該有機絕緣材表面形成用於形成金屬端子部的電鍍 用種膜Cr : 50nm,Cu ·· 500nm。在藉由旋轉 被覆法將負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R — N - C A 1 0 0 0 (東京應化製)塗在該C u膜上,且實施完預烘焙後’在 經過曝光、顯像而形成電鍍光罩後,藉由實施C u電鍍而 形成1 0 // m的電鍍膜,之後則當作障壁層再形成2 # m 的電鍍鎳膜。最後將光罩剝離以及將電鍍種膜剝離而形成 配線以及金屬端子部。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在藉由旋轉被覆法將感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 (H D M S製)塗佈在已形成有該金屬端子部的面上而實 施完預烘焙後,則經過曝光、顯像而形成用來形成焊球的 開口部。此時,則開口於位於在將聚醯亞胺的被覆部當作 電子電路零件加以切斷成各小片時所使用之刮除區域爲 8 0 // m的內側。更者,在2 5 0 °C下經1小時硬化而形 成有機絕緣材。 當在上述金屬端子部表面實施完無電解度金處理後, 在藉由金屬掩罩將焊劑助熔劑塗佈在所定的部位後,則將 2〇V m直徑之無鉛焊球加以配列,藉由回焊(reflow )處 理而形成外部電極。 最後則利用切割衍生物而切成各小片而製作成電子電 路零件。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -58- 552686 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明( 在本實施例中,藉由集成在具備有貫穿孔之玻璃基板 的兩面,其集成度可較以往集成在基板片側的情形提高到 2倍,而成爲一除了由實施例1所得到的效果外,也更小 型的電子電路零件。 此外,藉由玻璃基板使用在實施例2中所使用的玻璃 ,當然可以更加提高電子電路零件之耐衝撃性等的信賴性 〇 又,藉由有機絕緣材使用實施例3的B C B,可以使 得導體損失以及介電損失變小,且能夠減低通過電子電路 之信號的損失。 又,藉由有機絕緣材使用實施例4的低介電正接樹脂 組成物,可以使得導體損失以及介電損失變小,且能夠便 宜地減低通過電子電路之信號的損失。 此外,圖1 6爲本發明的一實施例,而各元件的配置 並不限定於此。 (實施例1 0 ) 圖1 7爲作爲本發明之一實施例之電子電路零件的斷 面圖。在圖17中,22爲感光性坡璃基板、23爲貫穿 孔、24爲貫穿孔內部的導體部。又,在圖17中,感光 性玻璃基板2 2、以及貫穿孔2 3、導體部2 4以外的部 分則與實施例9相同。 又,圖1 7的電子電路零件的製造方法,後述之貫穿 孔的形成法之外則與實施例9相同。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ^ 裝 · 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -59- 552686 A7 B7 五、發明説明(β 感光性玻璃基板使用L i 2 — A 1 2〇3 — S i〇2 ( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A u、C e )系的感光性玻璃。將在玻璃表面以C r描晝 有開孔圖案的掩罩密接在感光性玻璃基板的主面,利用Η g - X e燈光進行曝光。之後藉由顯像、結晶化而得到附 設有貫穿孔的玻璃基板。 感光性玻璃,相較於利用噴砂等之其他的開孔方法的 情形,其貫穿孔的斷面會成爲一更加垂直的斷面,亦即, 推拔角度會變大,而可以形成更加微細的貫穿孔。因此, 可以形成集成度更高的元件,相較於實施例7或8等的情 形,可以以大約一半的面積達到同等的集成度。 如此般,藉由基板使用感光性玻璃,可以得到一除了 由實施例9所得到的效果外,且集成度更高之便宜的電子 電路零件。 此外,圖1 7爲本發明的一實施例,而各元件的配置 則並不限定於此。 (實施例1 1 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 8爲作爲本發明之一實施例之電子電路零件的斷 面圖。在圖18中,1爲玻璃基板(日本電氣力、^只、 BLC),其厚度爲〇.5mm。 在圖1 8中,2爲有機絕緣材,乃使用感光性聚醯亞 胺(日立化成,HD - 6000)。 在有機絕緣膜2之內部所構成的電容器元件係由:由 以C u構成的下部電極3 a ,以T a的氧化物構成的介電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -60- 552686 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(y 體材料3 b,及以c u構成的上部電極3 c而構成的3層 構造的電容器元件3,以及由以C u構成的下部電極 3 / a,以聚醯亞胺構成的介電體材料3 > b,及以c u 構成的上部電極3 / c而構成的3層構造的電容器元件 3 >所構成。 電感器兀件4是一螺旋型的電感器,其材料爲C u。 電阻元件5是由電阻體5 b與電極5 a及5 c所成。 電阻體是Ta與T i的化合物,電極5 a以及5 c是由 C u來構成。 在圖1 8中,1 2爲有機絕緣材,乃利用感光性聚醯 亞胺(日立化成,HD - 6000)。 在有機絕緣膜1 2之內部所構成的電容器元件係由: 由以C u構成的下部電極1 3 a ,以T a的氧化物構成的 介電體材料1 3 b,及以C u構成的上部電極1 3 c而構 成的3層構造的電容器元件1 3,以及由以C u構成的下 部電極1 3 / a ,以聚醯亞胺構成的介電體材料1 3 / b ,及以C u構成的上部電極1 3 / c而構成的3層構造的 電谷益兀件1 3 所構成。 電感器元件1 4是一螺旋型的電感器,其材料爲C u 0 電阻元件1 5是由電阻體1 5b、電極1 5 a及 1 5 c所構成。電阻體1 5b爲Ta與T i的化合物’電 極1 5 a以及1 5 c是由C u所構成。 在圖1 8中,在有機絕緣材2以及1 2的內部所構成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) j. · 裝 „ 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -61 - 552686 A7 B7 五、發明説明(d (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的各元件,則是經由被塡充在設在玻璃基板1內之貫穿孔 2 0的導體部在電氣上被連接,而成爲一具備有所設定之 功能的電路。 在圖1 8中,6爲用於與外部連接的金屬端子部’本 圖的情形則是將焊球7搭載在金屬端子部6之上。 接著則針對圖1 8的電子電路零件說明其製造方法。 將1 0 0 # m的噴砂用薄膜光阻材才一尹< 71/ (東足 應化製)積層(laminate )在0 . 5 m m厚的玻璃基板’經 過曝光、顯像過程而形成蝕刻用光阻膜。接著’則藉由細 噴砂(m i c r 〇 s a n d b 1 a s t )法在玻璃基板形成貫穿孔。接者, 將光阻薄膜剝離,藉由噴濺法在玻璃基板表面以及經由孔 (via)內壁形成電鍍用種膜C r : 5 0 n m,C u : 500nm。在將電鍍用光阻薄膜HN920 (日立化成 製)積層在該C u膜上後,經過曝光、顯像在形成好電鍍 光罩後,藉由電鍍C u來形成孔內部的導通層。接著則將 光阻膜剝離,且將電鍍種膜剝離。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著,則藉由噴濺法將5 0 n m的C r膜形成在玻璃 基板上,且更形成5 0 0 n m的C u膜,而將其當作鍍銅 供電用種膜。藉由旋轉被覆法在該C u膜塗佈負片型液狀 光阻劑PMER-N—CAl〇〇〇 (東京應化製),在 藉由熱板實施完預烘焙後,經過曝光、顯像過程而形成光 罩。以1 A / d m的電流密度在該光罩開口部實施電鍍 1 0 // m銅之後,則除去光罩,以銅蝕刻液c 〇 b r a e t c h (桂 原電產製)來除去銅種膜。更且,則利用過錳系C r鈾刻 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -62- ^^ _67 552686 A7
五、發明説明(6(J 液來除去C r種膜而形成下部電極。 接著,則藉由噴濺法形成5 0 n m的C r以作爲障壁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 膜。 接著,則利用噴濺法在上述下部電極3 a上形成 5 0 〇 n m厚度的T a 2〇5膜。將正片型液狀光阻劑 OFPR800,500cp (東京應化製)塗佈在該 丁 a 2 〇 5膜上,經過乾燥、曝光、顯像過程而形成介電體 材料的光罩。接著在利用C F 4進行乾蝕刻而除去不用的部 分後,則除去光罩,利用過錳酸系C r蝕刻液針對不用的 部分的障壁層實施蝕刻而形成介電體材料。· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著,利用旋轉被覆法來塗佈感光性聚醯亞胺H D 6〇〇〇(日立化成製),在藉由熱板實施完預烘焙後, 經過曝光、顯像過程而讓在下部電極1 3 a上的介電體材 料露出。此時,則開口於位於在將聚醯亞胺的被覆部當作 電子電路零件加以切斷成各小片時所使用之刮除區域( scrub area )爲8 0 // m的內側。讓該聚醯亞胺在氮氣環境 中,在2 5 0 C下經2個小時硬化而形成1 〇 // rn的有機 絕緣材。 接著,利用噴濺法形成5 0 0 n m的T a N膜。在藉 由旋轉被覆法將正片型液狀光阻劑◦ F P R 8 0 0, 1〇0 c p塗佈在上而實施完預烘焙後,經過曝光、顯像 而形成光阻圖案掩罩。使用該掩罩,以C F 4針對T a N膜 實施乾鈾刻。接著將光罩剝離而形成多個的電阻元件。 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,更者則形成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -63- 552686 A7 B7 五、發明説明(6ί 5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該C u膜上貝ί] 藉由旋轉塗佈法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - Ν -CA1000 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 〇 # m。之後則除去 光罩,藉由銅鈾刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種 膜。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液來除去C r種膜, 而形成上部電極、電阻體電極、以及電感器元件。 當已形成有上部電極、電阻體電極、以及電感器元件 的面藉由旋轉塗佈法塗佈感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 (H D M S製)而經過預烘焙後,經過曝光、顯像而形成 用於層間連接的開口部。此時,則開口於位於在聚醯亞胺 的被覆部當作電子電路零件加以切斷成各小片時所使用的 刮除領域爲8 0 // m的內側。更者,則在2 5 0 °C下經1 個小時硬化而形成有機絕緣材。 接著,則藉由噴濺法在玻璃基板背面上形成5 0 n m 的C r膜,且更形成5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲鍍 銅供電用種膜。藉由旋轉被覆法在該C u膜塗佈負片型液 狀光阻劑PMER - N— CA1 000 (東京應化製), 在藉由熱板實施完預烘焙後,經過曝光、顯像過程而形成 光罩。以1 A / d m的電流密度在該光罩開口部實施電鍍 1〇y m銅之後,則除去光罩,以銅蝕刻液c 〇 b r a e t c h (桂 原電產製)來除去銅種膜。更且,則利用過錳系C r蝕刻 液來除去C r種膜而形成下部電極。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) --;---Ί----0^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -.¾ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -64- A7 B7 i、發明説明(d 接著,則箱由噴濺法形成5 0 n m的C r以作爲障壁 膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著’則利用噴濺法在上述下部電極3 a上形成 5 Ο Ο n m厚度的T a 2〇5膜。將正片型液狀光阻劑 QFPR800,500cp (東京應化製)塗佈在該 T a 2〇5膜上,經過乾燥、曝光、顯像過程而形成介電體 材料的光罩。接著在利用C F 4進行乾鈾刻而除去不用的部 分後,則除去光罩,利用過錳酸系C r鈾刻液針對不用的 部分的障壁層實施鈾刻而形成介電體材料。 接著,利用旋轉被覆法來塗佈感光性聚醯亞胺H D 6000 (日立化成製),在藉由熱板實施完預烘焙後, 經過曝光、顯像過程而讓在下部電極1 3 a上的介電體材 料露出。此時,則開口於位於在將聚醯亞胺的被覆部當作 電子電路零件加以切斷成各小片時所使用之刮除區域( scrub area )爲8 0 // m的內側。讓該聚醯亞胺在氮氣環境 中,在2 5 0 °C下經2個小時硬化而形成1 〇 // m的有機 絕緣材。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著,利用噴濺法形成5 0 0 n m的T a N膜。在藉 由旋轉被覆法將正片型液狀光阻劑◦ F P R 8 0 0, 1 0 0 c p塗佈在上而實施完預烘焙後,經過曝光、顯像 而形成光阻圖案掩罩。使用該掩罩,以C F 4針對T a N膜 實施乾鈾刻。接著將光罩剝離而形成多個的電阻元件。 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C I*膜,更者則形成 5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該C u膜上則 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X29?公釐) -65- 552686 A7 ___ B7 五、發明説明(d (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 耒昔由旋轉塗佈法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N -eAl〇〇〇 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 後’經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 〇 /z m。之後則除去 光罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種 膜。更且,則利用過錳酸系C r鈾刻液來除去C r種膜, 而形成上部電極、電阻體電極、以及電感器元件。 當已形成有上部電極、電阻體電極、以及電感器元件 的面藉由旋轉塗佈法,塗佈感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 (H D M S製)而經過預烘焙後,經過曝光、顯像而形成 用於層間連接的開口部。此時,則開口於位於在聚醯亞胺 的被覆部當作電子電路零件加以切斷成各小片時所使用的 刮除領域爲8 0 // m的內側。更者,則在2 5 0 °C下經1 個小時硬化而形成有機絕緣材。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在該有機絕緣材表面形成用於形成金屬端子部的電鍍 用種膜Cr : 50nm,Cu : 500nm。在藉由旋轉 被覆法將負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R — N — C A 1 0 0 0 (東京應化製)塗佈在該C u膜上,且實施完預烘焙後, 在經過曝光、顯像而形成電鍍光罩後,藉由實施C u電鍍 而形成1 0 // m的電鍍膜,之後則當作障壁層再形成2 β m的電鍍鎳膜。最後將光罩剝離以及將電鍍種膜剝離而 形成配線以及金屬端子部。 在藉由旋轉被覆法將感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 (HDMS製)塗佈在已形成有該金屬端子部的面上而實 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -66- 552686 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(d 施完預烘焙後,則經過曝光、顯像而形成用來形成焊球的 開口部。此時,則開口於位於在將聚醯亞胺的被覆部當作 電子電路零件加以切斷成各小片時所使用之刮除區域爲 8 0 // m的內側。更者,在2 5 0 °C下經1小時硬化而形 成有機絕緣材。 當在上述金屬端子部表面實施完無電解度金處理後’ 在藉由金屬掩罩將焊劑助熔劑塗佈在所定的部位後’則將 2 0 // m直徑之無鉛焊球加以配列,藉由回焊(reflow )處 理而形成外部電極。 最後則利用切割裝置而切成各小片而製作成電子電路 零件。 在本實施例中,藉由介電體材料使用T a之氧化物等 介電常數高的無機材料與聚醯亞胺等之介電常數低的有機 材料,可以高精度地製作出電容値更小的電容器’而能夠 提高電路的信賴性,且能夠擴大所能對應之電容値的範圍 。且藉由將介電體材料設成與覆蓋元件周圍的絕緣材相同 的材料,除了由實施例9所得到的效果外,也能夠以更簡 單且便宜的過程來加以製造。 此外,藉由玻璃基板使用在實施例2中所使用的玻璃 ,當然可更加提高電子電路零件之耐衝擊性等的信賴性。 更者,藉由玻璃基板使用在實施例1 0中所使用的感 光性玻璃,當然可以得到一集成度更高的電子電路零件。 又,藉由有機絕緣材使用實施例3的B C B,可以使 得導體損失以及介電損失變小’且能夠減低通過電子電路 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) I I ^ "訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -67- 552686 A7 B7 五、發明説明(6$ 之信號的損失。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,藉由有機絕緣材使用實施例4的低介電正接樹脂 組成物,可以使得導體損失以及介電損失變小’且能夠便 宜地減低通過電子電路之信號的損失。 此外,圖1 8爲本發明之一實施例’而各元件的配置 並不限定於此。 (實施例1 2 ) 圖1 9爲作爲本發明之一實施例之電子電路零件的斷 面圖。在圖1 9中,1爲玻璃基板(日本電氣力' ’ BLC),其厚度爲0 . 5mm。 在圖1 9中,2爲有機絕緣材,乃使用感光性聚醯亞 胺(日立化成,HD — 6000)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在有機絕緣膜2之內部所構成的電容器元件係由:由 以C u構成的下部電極3 a ,以T a的氧化物構成的介電 體材料3 b,及以C u構成的上部電極3 c而構成的3層 構造的電容器元件3,以及由以C u構成的下部電極 3 > a ,以聚醯亞胺構成的介電體材料3 > b,及以C u 構成的上部電極3 / c而構成的3層構造的電容器元件 3 /所構成。 在圖1 9中,1 2爲有機絕緣體,乃使用感光性聚醯 亞胺(日立化成,HD — 6000)。 電感器元件1 4是一螺旋型的電感器,其材料爲C u 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -68- 552686 A7 B7 五、發明説明( 電阻元件1 5是由電阻體1 5 b與電極1 5 a及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 5 c所構成。電阻體1 5b是Ta與T i的化合物,電 極1 5 a以及1 5 c是由Cu所構成。 在圖1 9中,在有機絕緣體2以及1 2的內部所構成 的各元件,則經由被塡充在設在玻璃基板1內之貫穿孔 2 0的導體部2 1而在電氣上被連接’而成爲一具有所設 定之功能的電路。 在圖1 9中,6爲用在與印刷基板等之安裝基板之連 接上的金屬端子部。本圖的情形是將焊球7搭載在金屬端 子部6之上。 接著則針對圖1 9的電子電路零件說明其製造方法。 將1 Ο Ο V m的噴砂用薄膜光阻材才—τ <少(東京 應化製)積層(laminate )在0 . 5 m m厚的玻璃基板,經 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 過曝光、顯像過程而形成蝕刻用光阻膜。接著,則藉由細 噴砂(m i c r 〇 s a n d b 1 a s t )法在玻璃基板形成貫穿孔。接著, 將光阻薄膜剝離,藉由噴濺法在玻璃基板表面以及經由孔 (vh )內壁形成電鍍用種膜C I· : 5 0 n m,C u : 500nm。在將電鍍用光阻薄膜HN920 (日立化成 製)積層在該C u膜上後,經過曝光、顯像在形成好電鍍 光罩後,藉由電鍍C u來形成孔內部的導通層。接著則將 光阻膜剝離,且將電鍍種膜剝離。 接著,則藉由噴濺法將5 0 n m的C r形成在玻璃基 板上,且更形成5 0 0 n m的C u,而將其當作鍍銅供電 用種膜。藉由旋轉被覆法在該C u膜塗佈負片型液狀光阻 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ297公釐) -69- 552686 A7 B7 i、發明説明(6) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 劑PMER-N—CA1000 (東京應化製),在藉由 熱板實施完預烘焙後,經過曝光、顯像過程而形成光罩。 以1 A / d m的電流密度在該光罩開口部實施電鍍1 〇 β rn銅之後,則除去光罩,以銅飽刻液cobra etch (荏原電 產製)來除去銅種膜。更且,則利用過錳系C 蝕刻液來 除去C r種膜而形成下部電極。 接著,則藉由噴濺法形成5 0 n m的C r以作爲障壁 膜。 接著,則利用噴濺法在上述下部電極3 a上形成 5 0 〇 n m厚度的T a 2〇5膜。將正片型液狀光阻劑 〇FPR800,500cp (東京應化製)塗佈在該 T a 2 ◦ 5膜上,經過乾燥、曝光、顯像過程而形成介電體 材料的光罩。接著在利用C F 4進行乾蝕刻而除去不用的部 分後,則除去光罩,利用過錳酸系C r蝕刻液針對不用的 部分的障壁層實施蝕刻而形成介電體材料。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著,利用旋轉被覆法來塗佈感光性聚醯亞胺H D 6000 (日立化成製),在藉由熱板實施完預烘焙後, 經過曝光、顯像過程而讓在下部電極1 3 a上的介電體材 料露出。此時,則開口於位於在將聚醯亞胺的被覆部當作 電子電路零件加以切斷成各小片時所使用之刮除區域( scrub area )爲8 0 μ m的內側。讓該聚醯亞胺在氮氣環境 中’在2 5 0 °C下經2個小時硬化而形成1 〇 // m的有機 絕緣材。 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,更者則形成 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -70- 552686 Α7 Β7 五、發明説明(d
500nm 的 Cu 膜 藉由旋轉塗佈法塗佈 C A 1 0 0〇(東京 後,經由曝光、顯像 流度在該光罩開口部 光罩,藉由銅鈾刻液 膜。更且,則利用過 形成上部電極。 當已形成有上部 性聚醯亞胺H D 6 後,經過曝光、顯像 ,則開口於位於在聚 以切斷成各小片時所 更者,則在2 5 0 °C ,而以此作爲種膜。在該 有負片型液狀光阻劑P Μ 應化製),在藉由熱板實 過程而形成光罩。以1 A 實施電鍍銅到1 0 # m。 cobra etch (荏原電產製) 錳酸系C r蝕刻液來除去 電極的面藉由旋轉塗佈法 〇〇〇 (HDMS製)而 而形成用於層間連接的開 醯亞胺的被覆部當作電子 使用的刮除領域爲8 0 // 下經1個小時硬化而形成 C u膜上則 E R - N -施完預供倍 / d m的電 之後則除去 來除去銅種 C r種膜而 。塗佈感光 經過預烘焙 口部。此時 電路零件加 m的內側。 有機絕緣材 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 填 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在藉 顯像 N膜 接著’利用噴濺法形成5 0 0 n m的T a N膜 由旋轉被覆法將正片型液狀光阻劑〇F P R 8 0 0, 1 0 0 c p塗佈在上而實施完預烘焙後,經過曝光 而形成光阻圖案掩罩。使用該掩罩,以C F 4針對T 實施乾鈾刻。接著將光罩弩離而形成多個的電阻元件。 接者利用噴濺法形成5 〇 n m的C r膜,更者則形成 5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該c u膜上則 耒昔由旋轉塗佈法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N -CAl〇〇〇 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) a4規格(210Χ297公釐) -71 - 552686 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(y 後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 〇 V m。之後則除去 光罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種 膜。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液來除去C r種膜, 而形成電阻體電極、以及電感器元件。 當已形成有電阻體電極、以及電感器元件的面藉由旋 轉塗佈法。塗佈感光性聚醯亞胺H D 6000 (H DMS 製)而經過預烘焙後,經過曝光、顯像而形成用於層間連 接的開口部。此時,則開口於位於在聚醯亞胺的被覆部當 作電子電路零件加以切斷成各小片時所使用的刮除領域爲 8 0 // m的內側。更者,則在2 5 0 t下經1個小時硬化 而形成有機絕緣材。 在該有機絕緣材表面形成用於形成金屬端子部的電鍍 用種膜Cr : 5〇nm,Cu ·· 500nm。在藉由旋轉 被覆法將負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N — C A 1 0 0 0 (東京應化製)塗佈在該C u膜上,且實施完預烘焙後’ 在經過曝光、顯像而形成電鍍光罩後,藉由實施C u電鍍 而形成1 〇 // m的電鍍膜,之後則當作障壁層再形成2 V m的電鍍鎳膜。最後將光罩剝離以及將電鍍種膜剝離而 形成配線以及金屬端子部。 在藉由旋轉被覆法將感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 CHDMS製)塗佈在已形成有該金屬端子部的面上而實 施完預烘焙後,則經過曝光、顯像而形成用來形成焊球的 開口部。此時,則開口於位於在將聚醯亞胺的被覆部當作 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X297公釐) -72- 552686 A7 B7_ 五、發明説明(Μ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電子電路零件加以切斷成各小片時所使用之刮除區域爲 8 0 // m的內側。更者,在2 5 0 °C下經1小時硬化而形 成有機絕緣材。 當在上述金屬端子部表面實施完無電解度金處理後, 在藉由金屬掩罩將焊劑助熔劑塗佈在所定的部位後,則將 2 0 // m直徑之無鉛焊球加以配列,藉由回焊(reflow )處 理而形成外部電極。 最後則利用切割衍生物而切成各小片而製作成電子電 路零件。 根據本實施例,藉由在不同的面配置各元件,可以減 小受到在各元件之間之耦合(coupling)等的影響,由於可 以將寄生電路抑制成較小,因此能夠提高元件之本身共振 頻率,而能夠得到一除了由實施例9以及1 1所得到的效 果外,且性更高的電子電路零件。 此外,藉由玻璃基板使用在實施例2中所使用的玻璃 ,當然可以使得更加提高電子電路零件的電衝擊性等的信 賴性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更者,藉由玻璃基板使用在實施例1 0中所使用的感 光性玻璃,當然可以得到集成度更高之便宜的電子電路零 件。 又,藉由有機絕緣材使用實施例3的B C B,可以使 得導體損失以及介電損失變小,且能夠減低通過電子電路 之信號的損失。 又,藉由有機絕緣材使用實施例4的低介電正接樹脂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -73- 552686 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(w 組成物,可以使得導體損失以及介電損失變小,且能夠便 宜地減低通過電子電路之信號的損失。 此外,圖1 9爲本發明之一實施例,而各元件的配置 則不限定於此。 (實施例1 3 ) 圖2 0爲作爲本發明之一實施例之電子電路零件的斷 面圖。在圖20中,1爲玻璃基板(日本電氣力' ^只、 BLC),其厚度爲0.5mm。 在圖2 0中,2爲有機絕緣材,乃使用感光性聚醯亞 胺(日立化成,HD — 6000)。 在有機絕緣膜2之內部所構成的電容器元件係由:由 以C u構成的下部電極3 a ,以T a的氧化物構成的介電 體材料3 b,及以C u構成的上部電極3 c而構成的3層 構造的電容器元件3,以及由以C u構成的下部電極 3 / a,以聚醯亞胺構成的介電體材料3 / b,及以C u 構成的上部電極3 / c而構成的3層構造的電容器元件 3 /所構成。 在圖2 0中,1 2是有機絕緣材,乃利用感光性聚醯 亞胺(日立化成,HD - 6000)。 在有機絕緣膜1 2之內部所構成的電容器元件係由: 由以C u構成的下部電極1 3 a ,以T a的氧化物構成的 介電體材料1 3 b,及以C u構成的上部電極1 3 c而構 成的3層構造的電容器元件1 3,以及由以C u構成的下 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -74- 552686 A7 B7_ 五、發明説明(^ ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 部電極1 3 / a ,以聚醯亞胺構成的介電體材料1 3 / b ,及以C u構成的上部電極1 3 > c而構成的3層構造的 電容器元件1 3 /所構成。 電感器元件1 4是一螺旋型的電感器,其材料爲C u 〇 電阻元件1 5是由電阻體1 5 b與電極1 5 a及 1 5 c所構成。電阻體1 5 b是T a與T i的化合物,電 極1 5 a以及1 5 c是由Cu所構成。 在圖2 0中,在有機絕緣體2以及1 2的內部所構成 的各元件,則經由被塡充在設在玻璃基板1內之貫穿孔 2 0的導體部2 1而在電氣上被連接,而成爲一具有所設 定之功能的電路。 在圖2 0中,6爲用在與印刷基板等之安裝基板之連 接上的金屬端子部。本圖的情形是將焊球7搭載在金屬端 子部6之上。 接著則針對圖2 0的電子電路零件說明其製造方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將1 0 0 // m的噴砂用薄膜光阻材才一 r 4少(東京 應化製)積層(1 a m i n a t e )在〇 . 5 m m厚的玻璃基板,經 過曝光、顯像過程而形成蝕刻用光阻膜。接著,則藉由細 噴砂(micro sand blast )法在玻璃基板形成貫穿孔。接著, 將光阻薄膜剝離,藉由噴濺法在玻璃基板表面以及經由孔 C via)內壁形成電鍍用種膜C r : 5 0 n m,C u : 500nm。在將電鍍用光阻薄膜HN920 (日立化成 製)積層在該C u膜上後,經過曝光、顯像在形成好電鍍 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -75- 552686 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(g 光章後,藉由電鍍C U來形成孔內部的導通層。接著則將 光阻膜剝離,且將電鍍種膜剝離。 接著,則藉由噴濺法將5 0 n m的C r形成在玻璃基 木反上,且更形成5 0 0 n m的C u,而將其當作鍍銅供電 用種膜。藉由旋轉被覆法在該C u膜塗佈負片型液狀光阻 劑PMER—N—CA1000 (東京應化製),在藉由 熱板實施完預烘焙後,經過曝光、顯像過程而形成光罩。 以1 A / d m的電流密度在該光罩開口部實施電鍍1〇 // m銅。之後,則除去光罩,以銅鈾刻液c〇bra etch (荏原 電產製)來除去銅種膜。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻 液來除去C I·種膜而形成下部電極。 接著,則藉由噴濺法形成5 0 n m的C r以作爲障壁 膜。 接著,則利用噴濺法在上述下部電極上形成5 0 0 n m厚度的T a 2〇5膜。將正片型液狀光阻劑 OFPR800,500cp (東京應化製)塗佈在該 丁 a 2 0 5膜上,經過乾燥、曝光、顯像過程而形成介電體 材料的光罩。接著在利用C F 4進行乾蝕刻而除去不用的部 分後’則除去光罩,利用過猛酸系C r鈾刻液針對不用的 部分的障壁層實施蝕刻而形成介電體材料。 接著,利用旋轉被覆法來塗佈感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 (日立化成製),在藉由熱板實施完預烘焙後, 經過曝光、顯像過程而讓在下部電極上的介電體材料露出 。此時’聚釀亞fee的開口 W部開口於位在下部電極端部爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —0 項再填- 裝· 訂 if -76 - 552686 Α7 Β7 五、發明説明(7) 2 0 // m的內側,而讓該聚醯亞胺在氮氣環境中,在 2 5 0 °C下經2個小時硬化,而形成1 〇 ^的有機絕緣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 材。 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,更者則形成 5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該c u膜上則 藉由旋轉塗佈法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N -C A 1 0 0 0 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 〇 // m。之後則除去 光罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種 膜。更且,則利用過錳酸系C r鈾刻液來除去C r種膜而 形成上部電極。 當在已形成有上部電極的面藉由旋轉被覆法塗佈感光 性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製)而經過預烘焙 後,經過曝光、顯像而形成用於層間連接的開口部,在 2 5 0 °C下經1個小時硬化而形成有機絕緣材。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著,利用噴濺法形成5 0 0 n m的T a N膜。在藉 由旋轉被覆法將正片型液狀光阻劑0 F P R 8 0 0, 1 0 0 c p塗佈在上而實施完預烘焙後,經過曝光、顯像 而形成光阻圖案掩罩。使用該掩罩,以C F 4針對T a N膜 實施乾蝕刻。接著將光罩剝離而形成多個的電阻元件。 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,更者則形成 5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該C u膜上則 藉由旋轉被覆法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -77- 552686 A7 B7 五、發明説明(y CA1000 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 後’經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 〇 // m。之後則除去 光罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種 膜。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液來除去C r種膜, 而形成電阻體電極。 當在已形成有電阻體電極的面藉由旋轉塗佈法塗佈感 光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製)而經過預烘 焙後,經過曝光、顯像而形成用於層間連接的開口部,在 2 5 0 °C下經1個小時硬化而形成有機絕緣材。 接著,利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,且更形成 5 0 〇 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該C u膜上則 藉由旋轉被覆法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N -C A 1 〇 〇 〇 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 〇 /z m。之後則除去 光罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種 膜。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液來除去C r種膜, 而形成電感器元件。 當在已形成有電感器元件的面藉由旋轉被覆法塗佈感 光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製)而經過預烘 焙後’經過曝光、顯像而形成用於層間連接的開口部,在 2 5 0 °C下經1個小時硬化而形成有機絕緣材。 •接著’利用噴濺法在玻璃基板背面上形成5 0 n m的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2ΐ〇χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 έ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -78- 552686 A7 B7 五、發明説明(y c r膜,且更形成5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲鍍銅 供電用種膜。藉由旋轉被覆法在該C u膜塗佈負片型液狀 光阻劑PMER—N-CAl〇〇〇 (東京應化製),在 藉由熱板實施完預烘焙後,經過曝光、顯像過程而形成光 罩。以1 A / d m的電流密度在該光罩開口部實施電鍍 1 ◦// m銅之後,則除去光罩,以銅鈾刻液cobra etch (菩 原電產製)來除去銅種膜。更且,則利用過錳系C I*蝕刻 液來除去C r種膜而形成下部電極。 接著,則藉由噴濺法形成5 0 n m的C r以作爲障壁 膜。 接著,則利用噴濺法在上述下部電極上形成5 〇 〇 n m厚度的T a 2〇5膜。將正片型液狀光阻劑 OFPR800,500cp (東京應化製)塗佈在該 T a 2 0 5膜上,經過乾燥、曝光、顯像過程而形成介電體 材料的光罩。接著在利用C F 4進行乾蝕刻而除去不用的部 分後,則除去光罩,利用過錳酸系C r蝕刻液針對不用的 部分的障壁層實施鈾刻而形成介電體材料。 接著,利用旋轉被覆法來塗佈感光性聚醯亞胺H D 6000 (日立化成製),在藉由熱板實施完預烘焙後, 經過曝光、顯像過程而讓在下部電極上的介電體材料露出 。此時,則聚醯亞胺的開口端部開口於位在下部電極端部 爲2 0 // m的內側,而讓該聚醯亞胺在氮氣環境中,在 2 5 0 °C下經2個小時硬化,而形成1 0 // m的有機絕緣 材。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -79- 552686 A7 B7 五、發明説明(7) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,更者則形成 5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該c u膜上貝[J 藉由旋轉塗佈法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N -CA 1 0 0 0 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流度在該光罩開口部實施電鑛銅到1 〇 // m。之後則除去 光罩,藉由銅鈾刻液cobra etch (甚原電產製)來除去銅種 膜。更且,則利用過錳酸系C r鈾刻液來除去C r種膜而 形成上部電極。 當在已形成有上部電極的面藉由旋轉被覆法塗佈感光 性聚醯亞胺H D 6 0 〇 〇 ( H D M S製)而經過預烘焙 後,經過曝光、顯像而形成用於層間連接的開口部,在 2 5 0 °C下經1個小時硬化而形成有機絕緣材。 接著,利用噴濺法形成5 0 0 n m的T a N膜。在藉 由旋轉被覆法將正片型液狀光阻劑0 F P R 8 0 0, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 0 0 c ρ塗佈在上而實施完預烘焙後,經過曝光、顯像 而形成光阻圖案掩罩。使用該掩罩,以C F 4針對T a N膜 實施乾鈾刻。接著將光罩弩離而形成多個的電阻元件。 接著利用噴濺法形成5 〇 n m的C r膜,更者則形成 5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該c u膜上則 藉由旋轉被覆法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N -CA 1 〇 〇 〇 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 〇 // m。之後則除去 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x297公釐) -80- 552686 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(β 光罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (径原電產製)來除去銅種 膜。更且,則利用過錳酸系C r鈾刻液來除去C r種膜, 而形成電阻體電極。 當在已形成有電阻體電極的面藉由旋轉被覆法塗佈感 光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製)而經過預烘 焙後,經過曝光、顯像而形成用於層間連接的開口部,在 2 5 0 °C下經1個小時硬化而形成有機絕緣材。 接著,利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,且更形成 5 ◦ 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該C u膜上則 藉由旋轉被覆法將負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N - C A 1〇00 (東京應化製)塗佈在該Cu膜上,在藉由熱板 實施完預烘焙後,經過曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電流密度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 〇 // m。之後則除去光罩,藉由銅鈾刻液c 〇 b r a e t c h (桂原電 產製)來除去銅種膜。更且,則利用過錳酸系C r鈾刻液 來除去C r種膜,而形成電感器元件、配線、以及金屬端 子。 當在已形成有金屬端子部、電感器元件以及配線的面 藉由旋轉被覆法塗佈感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製)而經過預烘焙後,經過曝光、顯像而形成用 來形成焊球的開口部,在2 5 0 °C下經過1小時硬化而形 成有機絕緣材。 當針對上述金屬端子部表面實施完無電解鍍金處理後 ,在藉由金屬掩罩將焊劑助熔劑塗佈在所定的部分後,則 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -81 - 552686 A7 B7 五、發明説明(y 將2 0 〇 // m直徑的無鉛焊球加以配列’而藉由回焊處理 形成外部電極。 最後,則利用切斷裝置加以分割成各小片而製作成電 子電路零件。 根據本實施例中,藉由根據分別配置有電容器元件、 電感器元件、電阻元件側之距玻璃基板表面不同的多個距 離來加以配置,能夠以更高的密度將各元件加以集成,可 以得到一除了由實施例9以及1 1所得到的效果外,也更 爲小型的電子電路零件。 此外,藉由玻璃基板使用在實施例2中所使用的玻璃 ,當然可以更加提高電子電路零件之耐衝擊性等的信賴性 〇 更者,藉由玻璃基板使用在實施例1 0中所使用的感 光性玻璃,當然可以得到集成度更高之便宜的電子電路零 件。 又,藉由有機絕緣材使用實施例3的B C B,可以使 得導體損失以及介電損失變小,且能夠減低通過電子電路 之信號的損失。 又,藉由有機絕緣材使用實施例4的低介電正接樹脂 組成物,可以使得導體損失以及介電損失變小,且能夠便 宜地減低通過電子電路之信號的損失。 此外,圖2 0爲本發明的一實施例,而各元件的配置 並不限定於此。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) . -----— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -82- 552686 A7 B7 五、發明説明(& (實施例1 4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2 1爲作爲本發明之一實施例之電子電路零件的斷 面圖。在圖2 1中,1爲玻璃基板(日本電氣力' ^只、 BLC),其厚度爲0.5mm。 在圖2 1中,2以及1 2爲有機絕緣材,乃使用感光 性聚醯亞胺(日立化成,H D — 6 0 0 0 )。 在有機絕緣膜2以及1 2之內部所構成的電容器元件 係由:由以C u構成的下部電極3 a、1 3 a ,以T a的 氧化物構成的介電體材料3 b、1 3 b,及以C u構成的 上部電極3 c、1 3 c而構成的3層構造的電容器元件3 、13 ,以及由以Cu構成的下部電極、13>a ,以聚醯亞胺構成的介電體材料3 > b、1 3 > b,及以 C u構成的上部電極3 — c、1 3 / c而構成的3層構造 的電容器元件3 >、1 3 >所構成。更者,則在上部電極 上設置用於與上部配線連接的連接部8。 電感器元件4以及1 4是一螺旋型的電感器,其材料 爲C u 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電阻元件5、15是由電阻體5a、15a,電極 5b、15b,以及5c、15c所構成。電阻體是丁 a 與Ti的化合物,電極5b、15b以及5c、15c是 由C u所構成。 在圖2 1中,在有機絕緣體2以及1 2的內部所構成 的各元件,則經由被塡充在設在玻璃基板1內之貫穿孔 2 0的導體部2 1而在電氣上被連接’而成爲一具有所設 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -83- 552686 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(8) 定之功能的電路。 在圖2 1中,9爲具有應力緩衝功能的有機絕緣材 乃利用分散有聚醯亞胺微小粒子的液狀聚醯亞胺材料(曰 立化成,GH— 5〇〇)。 在圖2 0中,6爲用在與印刷基板等之安裝基板之連 接上的金屬端子部。本圖的情形是將焊球7搭載在金屬端 子部6之上。 接著則針對圖2 0的電子電路零件說明其製造方法。 將1 0 0 // m的噴砂用薄膜光阻材才一尹 < 少(東京 應化製)積層(laminate )在0 . 5 m m厚的玻璃基板,經 過曝光、顯像過程而形成蝕刻用光阻膜。接著,則藉由細 噴砂(m i c r 〇 s a n d b 1 a s t )法在玻璃基板形成貫穿孔。接著, 將光阻薄膜剝離,藉由噴濺法在玻璃基板表面以及經由孔 (via)內壁形成電鍍用種膜C r : 5 0 n m ’ C u : 5 0 0 nm。在將電鍍用光阻薄膜HN9 2 0 (日立化成 製)積層在該C u膜上後,經過曝光、顯像在形成好電鍍 光罩後,藉由電鍍C u來形成孔內部的導通層。接著則將 光阻膜剝離,且將電鍍種膜剝離。 接著,則藉由噴濺法將5 0 n m的C r形成在玻璃基 板上,且更形成5 0 0 n m的C u,而將其當作鍍銅供電 用種膜。藉由旋轉被覆法在該C u膜塗佈負片型液狀光阻 劑PMER—N—CA1000 (東京應化製)’在藉由 熱板實施完預烘焙後,經過曝光、顯像過程而形成光罩。 以1 A / d m的電流密度在該光罩開口部實施電鍍1 0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -84 - 552686 A7 r^^_ Β7 i、發明説明(d (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} β m銅之後’則除去光罩’以銅鈾刻液c〇bra etch (淫原電 產製)來除去銅種膜。更且,則利用過錳系C r蝕刻液來 除去C r種膜而形成下部電極。 接者’則藉由噴濺法形成5 0 n m的C r以作爲障壁 膜。 接著,則利用噴濺法在上述下部電極上形成5 〇 〇 n m厚度的T a 2〇5膜。將正片型液狀光阻劑 ◦ FPR800,500cp (東京應化製)塗佈在該 丁 a 2〇5膜上,經過乾燥、曝光、顯像過程而形成介電體 材料的光罩。接著在利用C F 4進行乾蝕刻而除去不用的部 分後,則除去光罩,利用過錳酸系C r鈾刻液針對不用的 部分的障壁層實施蝕刻而形成介電體材料。 接著’利用旋轉被覆法來塗佈感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 (日立化成製),在藉由熱板實施完預烘焙後, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經過曝光、顯像過程而讓在下部電極上的介電體材料露出 。此時,則聚醯亞胺的開口端部開口於位在下部電極端部 爲2 0 // m的內側,而讓該聚醯亞胺在氮氣環境中,在 2 5 0 °C下經2個小時硬化,而形成1 〇 // m的有機絕緣 材。 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,更者則形成 5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該C u膜上則 藉由旋轉塗佈法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N -CA1000 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -85- 552686 A7 _____B7 五、發明説明(d (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 〇 # m。之後則除去 光罩’賴由銅蝕刻液c 〇 b r a e t c h (甚原電產製)來除去銅種 膜。更且,則利用過錳酸系C r鈾刻液來除去C r種膜而 形成上部電極。 當在已形成有上部電極的面藉由旋轉被覆法塗佈感光 性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製)而經過預烘焙 後,經過曝光' 顯像而形成用於層間連接的開口部,在 2 5 0 °C下經1個小時硬化而形成有機絕緣材。 接著,利用噴濺法形成5 0 0 n m的T a N膜。在藉 由旋轉被覆法將正片型液狀光阻劑〇F P R 8 0 0, 1 0 0 c p塗佈在上而實施完預烘焙後,經過曝光、顯像 而形成光阻圖案掩罩。使用該掩罩,以C F 4針對T a N膜 實施乾蝕刻。接著將光罩弩離而形成多個的電阻元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,更者則形成 5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該c u膜上則 藉由旋轉被覆法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N -CA 1 〇 〇 〇 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 Ο // m。之後則除去 光罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種 膜。更且,則利用過锰酸系C r鈾刻液來除去c r種膜, 而形成電阻體電極。 當在已形成有電阻體電極的面藉由旋轉塗佈法塗佈感 光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製)而經過預烘 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) — -86- 552686 A7 B7 五、發明説明(84) 焙後,經過曝光、顯像而形成用於層間連接的開口部,在 2 5 0 °C下經1個小時硬化而形成有機絕緣材。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著,利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,且更形成 5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該C u膜上則 藉由旋轉被覆法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N -CA1000 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 Ο # m。之後則除去 光罩,藉由銅鈾刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種 膜。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液來除去C r種膜, 而形成電感器元件。 當在已形成有電感器元件的面藉由旋轉被覆法塗佈感 光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製)而經過預烘 焙後,經過曝光、顯像而形成用於層間連接的開口部,在 2 5 0 °C下經1個小時硬化而形成有機絕緣材。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著,利用噴濺法在玻璃基板背面上形成5 0 n m的 C r膜,且更形成5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲鍍銅 供電用種膜。藉由旋轉被覆法在該C u膜塗佈負片型液狀 光阻劑Ρ Μ E R - N - C A 1 〇 〇 〇 (東京應化製),在 藉由熱板實施完預烘焙後,經過曝光、顯像過程而形成光 罩。以1 A / d m的電流密度在該光罩開口部實施電鍍 1 0 // m銅。之後,則除去光罩,以銅蝕刻液cobra etch ( 荏原電產製)來除去銅種膜。更且,則利用過猛系c r鈾 刻液來除去C r種膜而形成下部電極。 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) ^ -- - 87- 552686 五、發明説明(g 接者’則箱由噴濺法形成5 0 n m的C r以作爲障壁 膜。 接者’則利用噴濺法在上述下部電極上形成5〇〇 n m厚度的τ a 2 0 5膜。將正片型液狀光阻劑 〇FPR800,500cp (東京應化製)塗佈在該 τ a 2 〇 5膜上,經過乾燥、曝光、顯像過程而形成介電體 材料的光罩。接著在利用C F 4進行乾蝕刻而除去不用的部 为後’則除去光罩,利用過猛酸系C r鈾刻液針對不用的 部分的障壁層實施蝕刻而形成介電體材料。 接著,利用旋轉被覆法來塗佈感光性聚醯亞胺H D 6 〇〇0 (日立化成製),在藉由熱板實施完預烘焙後, 經過曝光、顯像過程而讓在下部電極上的介電體材料露出 。此時,則聚醯亞胺的開口端部開口於位在下部電極端部 爲2 0 // m的內側,而讓該聚醯亞胺在氮氣環境中,在 2 5 0 °C下經2個小時硬化,而形成1 0 // m的有機絕緣 材。 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,更者則形成 5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該c u膜上則 藉由旋轉塗佈法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N -C A 1 0 0 0 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 0 // m。之後則除去 光罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去銅種 膜。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液來除去C r種膜而 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) —,—----衣— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -88- 552686 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(y 形成上部電極。 當在已形成有上部電極的面藉由旋轉被覆法塗佈感光 性聚醯亞胺H D 6 0 〇 〇 ( H D M S製)而經過預烘焙 後’經過曝光、顯像而形成用於層間連接的開口部,在 2 5 0 °C下經1個小時硬化而形成有機絕緣材。 接著,利用噴濺法形成5 0 0 n m的T a N膜。在藉 由旋轉被覆法將正片型液狀光阻劑◦ F P R 8 0 〇, 1 0 0 c p塗佈在上而實施完預烘焙後,經過曝光、顯像 而形成光阻圖案掩罩。使用該掩罩,以C F 4針對T a N膜 實施乾蝕刻。接著將光罩弩離而形成多個的電阻元件。 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,更者則形成 5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該c u膜上則 藉由旋轉被覆法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N -CA 1 〇 〇 〇 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘焙 後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電 流度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 Ο // m。之後則除去 光罩,藉由銅蝕刻液cobra etch (桂原電產製)來除去銅種 膜。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液來除去C r種膜, 而形成電阻體電極。 當在已形成有電阻體電極的面藉由旋轉被覆法塗佈感 光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製)而經過預烘 焙後,經過曝光、顯像而形成用於層間連接的開口部,在 2 5 0 °C下經1個小時硬化而形成有機絕緣材。 接著,利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,且更形成 (請先閲讀背面之注意事 4 項再填. 裝*— :寫本頁) 、11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -89- 552686 A7 B7 五、發明説明(β (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該C u膜上則 藉由旋轉被覆法將負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N — C A 1 000 (東京應化製)塗佈在該Cu膜上,在藉由熱板 實施完預烘焙後,經過曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的電流密度在該光罩開口部實施電鍍銅到1 〇 μ m。之後則除去光罩,藉由銅鈾刻液cobra etch (荏原電 產製)來除去銅種膜。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液 來除去C r種膜,而形成電感器元件以及配線。 之後,則利用掩罩,藉由印刷將已分散有聚醯亞胺微 小粒子的液狀聚醯亞胺材料G Η - P 5 0 0 (日立化成) 加以塗佈,在熱板上,在2 0 0 °C下經2 5分鐘,而在恒 溫槽中,在2 5 0 °C下經6 0分鐘硬化而形成具有應力緩 衝功能的有機絕緣材。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著利用噴濺法形成5 0 n m的C r膜,更者,則形 成5 0 0 n m的C u膜,而以此作爲種膜。在該c u膜上 則藉由旋轉塗佈法塗佈有負片型液狀光阻劑Ρ Μ E R - N - CA 1 〇 〇 〇 (東京應化製),在藉由熱板實施完預烘 焙後,經由曝光、顯像過程而形成光罩。以1 A / d m的 電流給度在該光罩開口邰實施電鍍銅到1 〇 # m。之後則 除去光罩’藉由銅蝕刻液cobra etch (荏原電產製)來除去 銅種膜。更且,則利用過錳酸系C r蝕刻液來除去C r種 膜而形成配線以及金屬端子部。 當在已形成有該配線以及金屬端子部的面藉由旋轉被 覆法塗佈感光性聚醯亞胺H D 6 0 0 0 ( H D M S製) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ~ --- -90- 552686 A7 B7 ___ 五、發明説明(^ 而經過預烘焙後,經過曝光、顯像而形成用來形成焊球的 開口部,在2 5 0 °C下經1小時硬化而形成有機絕緣材。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當針對上述金屬端子部表面實施完無電解鍍金處理後 ,在藉由金屬掩罩將焊劑助熔劑塗佈在所定的部分後,則 將2 0 0 // m直徑的無鉛焊球加以配列,而藉由回焊處理 形成外部電極。 最後,則利用切斷裝置加以分割成各小片而製作成電 子電路零件。 在本實施例中,藉由金屬端子部6之正下方形成具有 應力緩衝功能的有機絕緣材,在連接到印刷基板等的安裝 基板之際,可以緩和因爲半導體連接基板與安裝基板之熱 膨脹常數的差異而施加在金屬端子部6以及焊球7的熱應 力。藉此,可以得到一除了由實施例1 3所得到的效果外 ,也具有優越之耐溫度循環性的半導體連接基板。 此外,藉由玻璃基板使用在實施例2中所使用的玻璃 ,當然可以更加提高電子電路零件之耐衝擊性等的信賴性 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更者,藉由玻璃基板使用在實施例1 0中所使用的感 光性玻璃,當然可以得到一集成度更高之便宜的電子電路 零件。 又,藉由有機絕緣材使用實施例3的B C B,可以使 得導體損失以及介電損失變小’且能夠減低通過電子電路 之信號的損失。 又,藉由有機絕緣材使用實施例4的低介電正接樹脂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210x297公釐) -91 - 552686 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 五、發明説明(y 組成物,可以使得導體損失以及介電損失變小’且能夠便 宜地減低通過電子電路之信號的損失。 此外,圖2 1爲本發明的一實施例’而各元件的配置 並不限定於此。 以下則記載本發明之其他的實施形態。 由將電子電路零件設成具有(1 )玻璃基板、(2 ) 選自設在上述玻璃基板上之電容器元件、電感器元件、電 阻元件的1個或多個元件、(3 )設在上述玻璃基板上, 而用來連接上述元件的金屬配線、(4 )設在上述玻璃基 板上,而作爲上述金屬配線之一部分的金屬端子部、(5 )用來覆蓋除了上述元件以及上述金屬端子部以外之金屬 配線部分之周圍的有機絕緣材,得到可將電容器、電感器 、電阻等之多樣的電子零件高性能且高密度地加以集成之 電子電路零件。 藉由將電子電路零件設成具有(1 )在所定的位置設 有貫穿孔的玻璃基板、(2 )選自設在上述玻璃基板之兩 側或一側的電容器元件、電感器元件、電阻元件的1個或 多個元件、(3 )設在上述玻璃基板的兩側,而用來連接 上述元件的金屬配線、(4 )用於在電氣上連接上述金屬 配線,而形成在上述貫穿孔內部的導體部、(5 )設在上 述玻璃基板的兩側或一側,而作爲上述金屬配線之一部分 的金屬端子部、(6)用來覆蓋除了上述元件以及上述金 屬端子部以外之金屬配線部分之周圍的有機絕緣材,得到 可將電容器、電感器、電阻等之多樣的電子零件高性能且 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) J# 項再填. 裝- 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -92- 552686 A7 B7 五、發明説明(9〇) 高密度地加以集成的電子電路零件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,藉由將選自電容器元件、電感器元件、電阻元件 的1個或多個的元件、金屬配線、金屬端子部以及有機絕 緣材形成在位於玻璃基板之端部的內側,在切斷電子電路 零件或安裝電子電路零件時,會使得被施加集中應力的構 成部分能夠耐得住該應力,而大幅地減少電子電路零件因 爲施加應力而發生破損的情形,可以得到一可提高信賴性 、製品良率良好,且能夠將電容器、電感器、電阻等之多 樣的電子零件高密度地加以集成的電子電路零件。 又,藉由電容器元件採用以2個金屬電極來挾著由無 機材料所構成之介電體材料之構造的1個或多個的電容器 元件’以2個金屬電極來挾著由有機材料所構成之介電體 材料之構造的1個或多個的電容器元件,藉著適當地使用 有機或無機材料2種的介電體,可以得到一高性能且集成 度高之小型的電子電路零件。 又,由無機材料所構的介電體材料爲T a、M g、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S r之其中任一者的氧化物,而由有機材料所構成的介電 體材料爲聚醯亞胺,藉著Ta、Mg、Sr的便宜且安定 性高的特性,以及聚醯亞胺之高的熱安定性,可以得到一 便宜且信賴性高之高性能的電子電路零件。 又,由無機材料所構成的介電體材料爲T a、M g、 S r之其中任一者的氧化物,由有機材料所構成的介電體 材料爲BCB (苯並環丁烷),藉著Ta、Mg、Sr的 便宜且安定性高的特性,以及B C B的低的介電常數及介 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -93- 552686 A7 B7 夂、發明説明(91) 電正接’可以得到一便宜且信賴性高之高性能的電子電路 零件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,由無機材料所構成的介電體材料爲T a、M g、 s r之其中任一者的氧化物,由有機材料所構成的介電體 材料爲包含具有以上述一般式(化1 )所示之多個的苯乙 _基的架橋成分,更含有重量平均分子量在5 0 0 0以上 之局分子量體的低介電正接樹脂組成物,藉著T a、M g 、S r的便宜且安定性高的特性,以及上述低介電正接樹 脂組成物的低的介電常數及介電正接,可以得到一便宜且 信賴性高之高性能的電子電路零件。 又,藉由以電容器元件之位在接近於玻璃基板之一側 的金屬電極的端部爲介電體材料以外絕緣體所覆蓋爲特徵 的電容器元件,可以防止電極間的短路或是絕緣耐壓能力 降低,在不損及設計自由度的情形下,可提供不良率低, 且信賴性高的電容器元件,又,可以得到一內藏了多個如 此的電容器元件,不良率低且信賴性高的電子電路零件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,藉由使用上述的電子電路零件,可以得到一更便 宜且小型,更高性能、信賴性高的無線終端裝置。 又,藉由使用上述的電子電路零件,可以得到一更便 宜且小型、更高性能、信賴性高的無線基地局裝置。 又,藉由使用上述的電子電路零件,可以得到一更便 宜且小型,更高性能、信賴性高的無線計測裝置。 又,貫穿孔的2個的開孔直徑R 1、R 2 ( R 1 -R 2 )與玻璃基板的厚度t的關係 冗張尺度適用中麵家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -94- 552686 A7 B7 五、發明説明(9全 70 ^ tan'1 (t/(R 1-R2) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於藉此可以以更高的密度將電路加以集成,因此可&得 到更小型的電子電路零件。 又,藉由將電容器元件、電感器元件、以及電阻元件 的其中一者配置在玻璃基板的一側,而將剩下來的元件配 置在玻璃基板的另一側,因此可以減小各元件間的影響以 及減小寄生電容,而可以提高元件之本身共振頻率。 根據以上的實施例,在切斷電子電路零件或安裝電子 電路零件時,會使得被絕加集中應力的構成部分能夠耐得 住該應力,而大幅地減少電子電路零件因爲施加應力而發 生破損的情形,可以得到一可提高信賴性、製品良率良好 ,且能夠將電容器、電感器、電阻等之多樣的電子零件高 密度地加以集成的電子電路零件。 圖式說明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖 圖 圖圖圖 圖 第 之 明 發 本 示 表 爲 4 圖 面 斷 的 略 大 的 例 施 第第 之之 發發 本本 示示 表表表 爲爲爲 5 實 第 之 明 發 本 示 6 明 說 。。的 圖圖件 面面元 斷斷器 的 的 容 略略 大大 ^w 例例 施施 電 之 例 施 電 的 件 零 路 電 子 鼋 之 例 施 實 7 第 之 明 發 本 示 表 爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -95- 552686 明 説明發 五 圖 路 7 第 之 明 發 本 示 表 爲 6 圖 圖 面 斷 的 略 大 的 例 施 第 之 明 發 本 示 1 圖 表圖明 爲一說 7 8 的 圖圖案 圖 面 4 平 的 層 。 各 圖之 解例 分施 的實 例 7 施第 實之 4明 一發 -I 1 本 對 針 爲 第第 之之 月 月 發發 本本 示示 表表表 爲爲爲 5 6 7 111 圖H圖 8 第 之 明 發 本 示 圖 Ο 〇 面 圖圖斷 面面的 斷 斷 的的 略略 大大 Ap ryj. 例例 施施 實 實 ο 略 大 的 例 施 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖 IX IX 第 之 明 發 本 示 表 爲 圖 面 斷 的 略 大 的 例 施 圖19爲表示本發明之第12實施例的大略的斷面圖 〇 圖2 0爲表示本發明之第1 3實施例的大略的斷面圖 〇 圖2 1爲表示本發明之第1 4實施例的大略的斷面圖 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 主要元件對照表 1 :玻璃基板 2 :有機絕緣材 3 :電容器元件 3 a :下部電極 3 b :介電體材料 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -96- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552686 A7 B7 五、發明説明(d 3 c :上部電極 4 :電容器元件 5 :電阻元件 5 a :電極 5 b :電阻體 5 c :電極 6:金屬端子部 7 :焊球 3 > :電容器元件 3 / a :下部電極 3 / b :介電體材料 3 — c :上部電極 2 6 :玻璃基板 2 7 :下部電極層 2 8 :介電體層 2 9 :有機絕緣層 3 1 :有機絕緣層 3 2 :電極層 3 3 :表面保護層 3 4 :外部電極 2 0 :貫穿孔 21:導體部 2 2 :感光性玻璃基板 2 3 :貫穿孔 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ^ 衣 ^ 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -97- 552686 A7 B7 五、發明説明(9会 2 4 :導體部 1 2 :有機絕緣材 1 3 a :下部電極 1 3 b :介電體材料 1 3 c :上部電極 13:電容器元件 1 3 — a :下部電極 13/b:介電體材料 1 3 / c :上部電極 1 3 > :電容器元件 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -98 -
Claims (1)
- 552686 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ____D8六、申請專利範圍 1 1 . 一種電子電路零件,其特徵在於: 包含有:絕緣性基板、選自由設在上述絕緣性基板上 的面積不同的多個電極與被夾於其間的介電體材料所構成 的電容器元件、電感器元件、電阻元件的1個或多個元件 、用來連接上述元件的金屬配線、爲上述金屬配線之一部 分的金屬端子部、以及用來被覆除了上述元件及上述金屬 端子部以外之金屬配線部分之周圍的有機絕緣材。 2 · —種電子電路零件,其特徵在於: 包含有:絕緣性基板、選自由設在上述絕緣性基板上 的面積不同的多個電極與被夾於其間的介電體材料所構成 的電容器元件、電感器元件、電阻元件的1個或多個元件 、設在上述電極之端部以外之部分的連接部、用來連接上 述元件及上述連接部的金屬配線、爲上述金屬配線之一部 分的金屬端子部、以及用來被覆除了上述元件及上述金屬 端子部以外之金屬配線部分之周圍的有機絕緣材。 3 . —種電子電路零件,其特徵在於: 包含有:絕緣性基板、選自由設在上述絕緣性基板上 的面積不同的多個電極與被夾於其間的介電體材料所構成 的電容器元件、電感器元件、電阻元件的1個或多個元件 、用來連接上述元件的金屬配線、爲上述金屬配線之一部 分,且被配置成格子狀的金屬端子部、以及用來被覆除了 上述元件及上述金屬端子部以外之金屬配線部分之周圍的 有機絕緣材。 4 . 一種電子電路零件,其特徵在於: (請先聞讀背面之注意事 J· 項再填· :寫本頁) 裝· 、1T 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -99- 552686 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 包含有··絕緣性基板、選自由設在上述絕緣性基板上 的面積不同的多個電極與被夾於其間的介電體材料所構成 的電容器元件、電感器元件、電阻元件的1個或多個元件 、用來連接上述元件的金屬配線、爲上述金屬配線之一部 分的金屬端子部、用來被覆除了上述元件及上述金屬端子 部以外之金屬配線部分之周圍的多個的有機絕緣材。 5 .如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之電子 電路零件,該電容器元件、電感器元件、電阻元件與上述 絕緣性基板的距離不同。 — 6 .如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之電子 電路零件,絕緣性基板爲玻璃基板。 7 .如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之電子 電路零件,有機絕緣材爲感光性絕緣材。 8 .如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之電子 電路零件,有機絕緣材包含具有以一般式〔化1〕所表示 之苯乙烯基的架橋成分,更且爲一含有重量平均分子量在 5 0 0 0以上之高分子體的低介電正接樹脂組成物, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【化1】(但是R則是也可以具有置換基的碳化氫架構’ R 1 爲氫、甲基乙基的任一者,m爲1〜4、η爲2以上的整 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -100- 552686 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 3 數)。 9 ·如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之電子 電路零件,有機絕緣材爲聚醯亞胺。 1〇.如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之電 子電路零件,有機絕緣材爲B C B (苯並環丁烷)。 i 1 .如申請專利範圍第1項至第4項之任一項之電 子電路零件,介電體材料爲Ta、Mg、Sr之任一者的 氧化物。 1 2 · —種電子電路零件,其特徵在於: - 包含有:在所定位置設有貫穿孔的絕緣性基板、選自 由設在上述絕緣性基板之主面以及副主面的兩面或一面之 面積不同的多個電極與夾於其間的介電體材料的電容器元 件、電感器元件、電阻元件之1個或多個元件、用來連接 上述元件的金屬配線、在電氣上與上述金屬配線連接,而 形成在上述貫穿孔內部的導體部、爲上述金屬配線之一部 分,且被配置成格子狀的金屬端子部、以及用來被覆除了 上述元件及上述金屬端子部以外之金屬配線部分之周圍的 有機絕緣材。 1 3 . —種電子電路零件,其特徵在於: 包含有:在所定位置設有貫穿孔的絕緣性基板、選自 由設在上述絕緣性基板之主面以及副主面的兩面或一面的 多個的電極與夾於其間的介電體材料的電容器元件、電感 器元件、電阻元件之1個或多個元件、設在上述電極之端 部以外之部分的連接部、用來連接上述元件及上述連接部 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事 —^τ 1-= - 1— I --- —^裝-- 項再填寫本頁) 訂 101 - 552686 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 的金屬配線、在電氣上與上述金屬配線連接,而形成在上 述貫穿孔內部的導體部、爲上述金屬配線之一部分,且被 配置成格子狀的金屬端子部、以及用來被覆除了上述元件 及上述金屬端子部以外之金屬配線部分之周圍的有機絕緣 材。 1 4 · 一種電子電路零件’其特徵在於: 包含有:在所定位置設有貫穿孔的絕緣性基板、選自 由設在上述絕緣性基板之主面以及副主面的兩面或一面的 多個的電極與夾於其間的介電體材料的電容器元件、電感 器元件、電阻元件之1個或多個元件、用來連接上述元件 的金屬配線、在電氣上與上述金屬配線連接,而形成在上 述貫穿孔內部的導體部、爲上述金屬配線之一部分,且被 配置成格子狀的金屬端子部、以及用來被覆除了上述元件 及上述金屬端子部以外之金屬配線部分之周圍的有機絕緣 材。 1 5 · —種電子電路零件,其特徵在於: 包含有:在所定位置設有貫穿孔的絕緣性基板、選自 由設在上述絕緣性基板之主面以及副主面的兩面或一面的 多個電極與夾於其間的介電體材料的電容器元件、電感器 元件、電阻元件之1個或多個元件、用來連接上述元件的 金屬配線、在電氣上與上述金屬配線連接,而形成在上述 貫穿孔內部的導體部、爲上述金屬配線之一部分的金屬端 子部,以及用來被覆除了上述元件及上述金屬端子部以外 之金屬配線部分之周圍的有機絕緣材。 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -J* i- J,----裝-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 • 102 - 552686 A8 B8 C8 D8 7、申請專利範圍 5 1 6 . —種電子電路零件,其特徵在於: 包含有:在所定位置設有貫穿孔的絕緣性基板、選自 由設在上述絕緣性基板之主面以及副主面的兩面或一面的 多個電極與夾於其間的介電體材料的電容器元件、電感器 元件、電阻元件之1個或多個元件、用來連接上述元件的 金屬配線、在電氣上與上述金屬配線連接,而形成在上述 貫穿孔內部的導體部 '爲上述金屬配線之一部分的金屬端 子部,用來被覆除了上述元件及上述金屬端子部以外之金 屬配線部分之周圍的多個的第1有機絕緣材、以及甩來被 覆除了設在上述絕緣性基板之副主面的上述元件及上述金 屬端子部以外之金屬配線部分之周圍的多個的第2有機絕 緣材。 1 7 . —種電子電路零件,其特徵在於: 包含有:在所定位置設有貫穿孔的絕緣性基板、選自 由設在上述絕緣性基板之主面以及副主面的兩面或一面的 多個電極與夾於其間的介電體材料的電容器元件、電感器 元件、電阻元件之1個或多個元件、用來連接上述元件的 金屬配線、在電氣上與上述金屬配線連接,而形成在上述 貫穿孔內部的導體部、爲上述金屬配線之一部分,且被設 在不同於上述電感器元件的面的金屬端子部、以及用來被 覆除了上述元件及上述金屬端子部以外之金屬配線部分之 周圍的有機絕緣材。 1 8 . —種電子電路零件,其特徵在於: 包含有:在所定位置設有貫穿孔的絕緣性基板、選自 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) (請先聞讀背面之注意事 •項再填. :寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -103 552686 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 6 由設在上述絕緣性基板之主面以及副主面的兩面或一面的 多個電極與夾於其間的介電體材料的電容器元件、電感器 元件、電阻元件之1個或多個元件、用來連接上述元件的 金屬配線、在電氣上與上述金屬配線連接,而形成在上述 貫穿孔內部之導電性物質及形成物質及玻璃所構成的導體 部、爲上述金屬配線之一部分的金屬端子部、以及用來被 覆除了上述元件及上述金屬端子部以外之金屬配線部分之 周圍的有機絕緣材。 1 9 .如申請專利範圍第1 2項至第1 8項之任一項 之電子電路零件,該電容器元件、電感器元件、電阻元件 與上述絕緣性基板的距離不同。 2 〇 _如申請專利範圍第1 2項至第1 8項之任一項 之電子電路零件,絕緣性基板爲玻璃基板。 2 1 .如申請專利範圍第1 2項至第1 8項之任一項 之電子電路零件,有機絕緣材爲感光性絕緣材。 2 2 .如申請專利範圍第1 2項至第1 8項之任一項 之電子電路零件,有機絕緣材包含具有以一般式〔化1〕 所表示之苯乙烯基的架橋成分,更且爲一含有重量平均分 子量在5 0 0 0以上之高分子體的低介電正接樹脂組成物 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇Χ:297公釐) --«I Hr i I---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T Φ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -104- 552686 A8 B8 C8 D8 穴、申請專利乾圍 7 【化1】(但是R則是也可以具有置換基的碳化氫架構’ R 1 爲氫、甲基乙基的任一者,m爲1〜4、η爲2以上的整 數)。 2 3 .如申請專利範圍第1 2項至第1 8項之任一項 之電子電路零件,有機絕緣材爲聚醯亞胺。 2 4 .如申請專利範圍第1 2項至第1 8項之任一項 之電子電路零件,有機絕緣材爲B C Β (苯並環丁烷)。 2 5 .如申請專利範圍第1 2項至第1 8項之任一項 之電子電路零件,介電體材料爲Ta、Mg、Sr之任一 者的氧化物。 I I -- - (請先閱讀背面之注意事 I# •項再填. 裝-- 填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -105-
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001211539 | 2001-07-12 | ||
JP2001211540 | 2001-07-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW552686B true TW552686B (en) | 2003-09-11 |
Family
ID=26618568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091115589A TW552686B (en) | 2001-07-12 | 2002-07-12 | Electronic circuit component |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20040246692A1 (zh) |
EP (1) | EP1411553A4 (zh) |
JP (1) | JPWO2003007379A1 (zh) |
CN (1) | CN1630946A (zh) |
TW (1) | TW552686B (zh) |
WO (1) | WO2003007379A1 (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8766400B2 (en) | 2009-08-20 | 2014-07-01 | Ching-Yu Ni | Electronic device containing passive components and fabrication method thereof |
TWI452673B (zh) * | 2009-08-20 | 2014-09-11 | Xintec Inc | 電子裝置及其製造方法 |
TWI508225B (zh) * | 2009-06-17 | 2015-11-11 | Stats Chippac Ltd | 具有插入物之積體電路封裝系統及其製造方法 |
US11742273B2 (en) | 2016-12-21 | 2023-08-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Through electrode substrate and semiconductor device |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW563142B (en) * | 2001-07-12 | 2003-11-21 | Hitachi Ltd | Thin film capacitor, and electronic circuit component |
US6987307B2 (en) | 2002-06-26 | 2006-01-17 | Georgia Tech Research Corporation | Stand-alone organic-based passive devices |
US7260890B2 (en) | 2002-06-26 | 2007-08-28 | Georgia Tech Research Corporation | Methods for fabricating three-dimensional all organic interconnect structures |
US6900708B2 (en) | 2002-06-26 | 2005-05-31 | Georgia Tech Research Corporation | Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates |
US6897761B2 (en) * | 2002-12-04 | 2005-05-24 | Cts Corporation | Ball grid array resistor network |
US7489914B2 (en) | 2003-03-28 | 2009-02-10 | Georgia Tech Research Corporation | Multi-band RF transceiver with passive reuse in organic substrates |
US8345433B2 (en) | 2004-07-08 | 2013-01-01 | Avx Corporation | Heterogeneous organic laminate stack ups for high frequency applications |
JP4387269B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2009-12-16 | 株式会社テクニスコ | ビアが形成されたガラス基板及びビアの形成方法 |
JP4762531B2 (ja) | 2004-11-30 | 2011-08-31 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
JP4752280B2 (ja) * | 2005-02-08 | 2011-08-17 | カシオ計算機株式会社 | チップ型電子部品およびその製造方法 |
US7902639B2 (en) * | 2005-05-13 | 2011-03-08 | Siluria Technologies, Inc. | Printable electric circuits, electronic components and method of forming the same |
US20060289966A1 (en) * | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Dani Ashay A | Silicon wafer with non-soluble protective coating |
JP4419926B2 (ja) * | 2005-07-14 | 2010-02-24 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
DE102005049687B4 (de) * | 2005-10-14 | 2008-09-25 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad und Verfahren zur Herstellung |
JP4544181B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2010-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | 電子基板、半導体装置および電子機器 |
JP2007242888A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Sony Corp | 半導体パッケージ製造方法 |
US8623737B2 (en) * | 2006-03-31 | 2014-01-07 | Intel Corporation | Sol-gel and mask patterning for thin-film capacitor fabrication, thin-film capacitors fabricated thereby, and systems containing same |
US7439840B2 (en) | 2006-06-27 | 2008-10-21 | Jacket Micro Devices, Inc. | Methods and apparatuses for high-performing multi-layer inductors |
US7808434B2 (en) | 2006-08-09 | 2010-10-05 | Avx Corporation | Systems and methods for integrated antennae structures in multilayer organic-based printed circuit devices |
JP4722795B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2011-07-13 | 富士通株式会社 | 配線基板および電子部品モジュール |
US7989895B2 (en) | 2006-11-15 | 2011-08-02 | Avx Corporation | Integration using package stacking with multi-layer organic substrates |
US7727887B2 (en) | 2007-10-30 | 2010-06-01 | International Business Machines Corporation | Method for improved power distribution in a three dimensional vertical integrated circuit |
US7701064B2 (en) * | 2007-10-31 | 2010-04-20 | International Business Machines Corporation | Apparatus for improved power distribution in a three dimensional vertical integrated circuit |
KR100955948B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2010-05-03 | 삼성전기주식회사 | 다중대역 송신단 모듈 및 이의 제조 방법 |
JP5088309B2 (ja) * | 2008-12-04 | 2012-12-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電子基板及び電気光学装置並びに電子機器 |
JP4826852B2 (ja) * | 2009-07-09 | 2011-11-30 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、電気光学装置及び電子機器 |
WO2011132600A1 (ja) * | 2010-04-20 | 2011-10-27 | 旭硝子株式会社 | 半導体デバイス貫通電極用のガラス基板 |
FR2961345A1 (fr) | 2010-06-10 | 2011-12-16 | St Microelectronics Tours Sas | Circuit integre passif |
US9287344B2 (en) * | 2010-08-23 | 2016-03-15 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Monolithic magnetic induction device |
US9653370B2 (en) * | 2012-11-30 | 2017-05-16 | Infineon Technologies Austria Ag | Systems and methods for embedding devices in printed circuit board structures |
US9203373B2 (en) | 2013-01-11 | 2015-12-01 | Qualcomm Incorporated | Diplexer design using through glass via technology |
US9935166B2 (en) * | 2013-03-15 | 2018-04-03 | Qualcomm Incorporated | Capacitor with a dielectric between a via and a plate of the capacitor |
US9634640B2 (en) | 2013-05-06 | 2017-04-25 | Qualcomm Incorporated | Tunable diplexers in three-dimensional (3D) integrated circuits (IC) (3DIC) and related components and methods |
US9264013B2 (en) | 2013-06-04 | 2016-02-16 | Qualcomm Incorporated | Systems for reducing magnetic coupling in integrated circuits (ICS), and related components and methods |
US9018757B2 (en) * | 2013-07-16 | 2015-04-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Mechanisms for forming bump structures over wide metal pad |
EP3920200A1 (en) * | 2014-05-05 | 2021-12-08 | 3D Glass Solutions, Inc. | 2d and 3d inductors antenna and transformers fabricating photoactive substrates |
CN105448897B (zh) * | 2014-08-29 | 2018-12-21 | 展讯通信(上海)有限公司 | 减小芯片外电感占用空间的集成封装结构 |
US9893048B2 (en) * | 2015-09-14 | 2018-02-13 | Qualcomm Incorporated | Passive-on-glass (POG) device and method |
US10070533B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-09-04 | 3D Glass Solutions, Inc. | Photo-definable glass with integrated electronics and ground plane |
EP3420571A4 (en) | 2016-02-25 | 2020-03-25 | 3D Glass Solutions, Inc. | 3D CAPACITOR AND CAPACITOR ARRANGEMENT FOR THE PRODUCTION OF PHOTOACTIVE SUBSTRATES |
US11161773B2 (en) | 2016-04-08 | 2021-11-02 | 3D Glass Solutions, Inc. | Methods of fabricating photosensitive substrates suitable for optical coupler |
WO2018018006A1 (en) * | 2016-07-22 | 2018-01-25 | The Trustees Of Dartmouth College | Resonant coils with integrated capacitance |
CA3058793C (en) | 2017-04-28 | 2021-12-28 | 3D Glass Solutions, Inc. | Rf circulator |
US10872843B2 (en) * | 2017-05-02 | 2020-12-22 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices with back-side coils for wireless signal and power coupling |
US20180323369A1 (en) | 2017-05-02 | 2018-11-08 | Micron Technology, Inc. | Inductors with through-substrate via cores |
JP6995891B2 (ja) | 2017-07-07 | 2022-01-17 | スリーディー グラス ソリューションズ,インク | パッケージ光活性ガラス基板内のrfシステムのための2d及び3dのrf集中素子デバイス |
JP2019091767A (ja) * | 2017-11-13 | 2019-06-13 | 大日本印刷株式会社 | 配線基板及び配線基板を備える実装基板並びに配線基板の製造方法 |
JP7008824B2 (ja) | 2017-12-15 | 2022-01-25 | スリーディー グラス ソリューションズ,インク | 接続伝送線路共振rfフィルタ |
US11677373B2 (en) | 2018-01-04 | 2023-06-13 | 3D Glass Solutions, Inc. | Impedence matching conductive structure for high efficiency RF circuits |
JP6888105B2 (ja) | 2018-04-10 | 2021-06-16 | スリーディー グラス ソリューションズ,インク3D Glass Solutions,Inc | Rf集積電力調整コンデンサ |
KR102475010B1 (ko) | 2018-05-29 | 2022-12-07 | 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 | 저 삽입 손실 rf 전송 라인 |
WO2020060824A1 (en) | 2018-09-17 | 2020-03-26 | 3D Glass Solutions, Inc. | High efficiency compact slotted antenna with a ground plane |
KR102392858B1 (ko) | 2018-12-28 | 2022-05-03 | 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 | 환상형 커패시터 rf, 마이크로파, 및 mm 파 시스템들 |
WO2020139951A1 (en) | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 3D Glass Solutions, Inc. | Heterogenous integration for rf, microwave and mm wave systems in photoactive glass substrates |
CA3172853A1 (en) | 2019-04-05 | 2020-10-08 | 3D Glass Solutions, Inc. | Glass based empty substrate integrated waveguide devices |
KR102601781B1 (ko) | 2019-04-18 | 2023-11-14 | 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 | 고효율 다이 다이싱 및 릴리스 |
US11783986B2 (en) | 2019-08-16 | 2023-10-10 | The Trustees Of Dartmouth College | Resonant coils with integrated capacitance |
DE102019127915A1 (de) | 2019-10-16 | 2021-04-22 | Tdk Electronics Ag | Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements |
DE102019127924B3 (de) * | 2019-10-16 | 2021-01-21 | Tdk Electronics Ag | Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
CA3177603C (en) | 2020-04-17 | 2024-01-09 | 3D Glass Solutions, Inc. | Broadband induction |
CN111968995B (zh) * | 2020-07-13 | 2024-02-09 | 深圳市汇芯通信技术有限公司 | 一种集成无源器件及其制作方法和集成电路 |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5817651A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | 多層回路板とその製造方法 |
DE3621667A1 (de) * | 1985-06-29 | 1987-01-08 | Toshiba Kawasaki Kk | Mit einer mehrzahl von dickfilmen beschichtetes substrat, verfahren zu seiner herstellung und dieses enthaltende vorrichtung |
JPS6313397A (ja) | 1986-07-03 | 1988-01-20 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ内蔵厚膜回路基板 |
JPH0426184A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-29 | Nec Corp | 厚膜回路基板 |
JPH05152111A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Rohm Co Ltd | チツプ型複合部品 |
JP3285919B2 (ja) | 1992-02-05 | 2002-05-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JPH06125180A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | キャパシタ内蔵多層配線基板 |
JPH06181119A (ja) * | 1992-12-14 | 1994-06-28 | Takeshi Ikeda | Lc複合部品 |
JPH07106133A (ja) * | 1993-09-29 | 1995-04-21 | Kyocera Corp | チップフィルター部品 |
JPH07106134A (ja) * | 1993-09-29 | 1995-04-21 | Kyocera Corp | チップフィルター部品 |
GB2288286A (en) * | 1994-03-30 | 1995-10-11 | Plessey Semiconductors Ltd | Ball grid array arrangement |
JPH08255981A (ja) | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Fujitsu Ltd | 回路基板形成方法及び回路基板 |
JP3004931B2 (ja) | 1996-03-28 | 2000-01-31 | ホーヤ株式会社 | 半導体接続基板の製造方法、及びベアチップ搭載ボード |
JPH1041632A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-13 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
JP2880133B2 (ja) | 1996-09-03 | 1999-04-05 | ホーヤ株式会社 | ベアチップ搭載ボード及びベアチップ搭載ボードの製造方法 |
US5920454A (en) * | 1997-02-11 | 1999-07-06 | Hokuriko Electric Industry Co., Ltd. | Capacitor-mounted circuit board |
TW392392B (en) | 1997-04-03 | 2000-06-01 | Lucent Technologies Inc | High frequency apparatus including a low loss substrate |
JPH1154237A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Yazaki Corp | 配線基板の放電構造 |
JP2000028611A (ja) | 1998-07-07 | 2000-01-28 | Nitto Denko Corp | 免疫学的検査方法および免疫学的検査キット |
JP3275851B2 (ja) * | 1998-10-13 | 2002-04-22 | 松下電器産業株式会社 | 高周波集積回路 |
US6021050A (en) * | 1998-12-02 | 2000-02-01 | Bourns, Inc. | Printed circuit boards with integrated passive components and method for making same |
JP2000183216A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US6218729B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-04-17 | Atmel Corporation | Apparatus and method for an integrated circuit having high Q reactive components |
JP2000286111A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Kyocera Corp | 薄膜rc素子 |
US6400576B1 (en) * | 1999-04-05 | 2002-06-04 | Sun Microsystems, Inc. | Sub-package bypass capacitor mounting for an array packaged integrated circuit |
JP3322665B2 (ja) * | 1999-05-26 | 2002-09-09 | シャープ株式会社 | 高周波モジュール |
KR20010049422A (ko) * | 1999-05-26 | 2001-06-15 | 마찌다 가쯔히꼬 | 고주파 모듈 |
JP2001060802A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-03-06 | Sony Corp | 回路素子基板と半導体装置及びその製造方法 |
US6529385B1 (en) * | 1999-08-25 | 2003-03-04 | Intel Corporation | Component array adapter |
CN101232778B (zh) * | 1999-09-02 | 2011-12-28 | 揖斐电株式会社 | 印刷布线板 |
US6252761B1 (en) * | 1999-09-15 | 2001-06-26 | National Semiconductor Corporation | Embedded multi-layer ceramic capacitor in a low-temperature con-fired ceramic (LTCC) substrate |
EP1085572A3 (en) * | 1999-09-16 | 2006-04-19 | Texas Instruments Incorporated | Low pass filter integral with semiconductor package |
US6356455B1 (en) * | 1999-09-23 | 2002-03-12 | Morton International, Inc. | Thin integral resistor/capacitor/inductor package, method of manufacture |
US6535398B1 (en) * | 2000-03-07 | 2003-03-18 | Fujitsu Limited | Multichip module substrates with buried discrete capacitors and components and methods for making |
US6407929B1 (en) * | 2000-06-29 | 2002-06-18 | Intel Corporation | Electronic package having embedded capacitors and method of fabrication therefor |
US6611419B1 (en) * | 2000-07-31 | 2003-08-26 | Intel Corporation | Electronic assembly comprising substrate with embedded capacitors |
US6970362B1 (en) * | 2000-07-31 | 2005-11-29 | Intel Corporation | Electronic assemblies and systems comprising interposer with embedded capacitors |
US6734534B1 (en) * | 2000-08-16 | 2004-05-11 | Intel Corporation | Microelectronic substrate with integrated devices |
US6556453B2 (en) * | 2000-12-13 | 2003-04-29 | Intel Corporation | Electronic circuit housing with trench vias and method of fabrication therefor |
TW511405B (en) * | 2000-12-27 | 2002-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device built-in module and manufacturing method thereof |
US6608375B2 (en) * | 2001-04-06 | 2003-08-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with decoupling capacitor |
US6636416B2 (en) * | 2001-06-14 | 2003-10-21 | Intel Corporation | Electronic assembly with laterally connected capacitors and manufacturing method |
TW560017B (en) * | 2001-07-12 | 2003-11-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor connection substrate |
JP3953832B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2007-08-08 | 株式会社村田製作所 | メディア媒体用インタフェースカード |
TW556452B (en) * | 2003-01-30 | 2003-10-01 | Phoenix Prec Technology Corp | Integrated storage plate with embedded passive components and method for fabricating electronic device with the plate |
-
2002
- 2002-07-12 EP EP02747659A patent/EP1411553A4/en not_active Withdrawn
- 2002-07-12 JP JP2003513043A patent/JPWO2003007379A1/ja active Pending
- 2002-07-12 CN CNA028127048A patent/CN1630946A/zh active Pending
- 2002-07-12 TW TW091115589A patent/TW552686B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-07-12 WO PCT/JP2002/007092 patent/WO2003007379A1/ja active Application Filing
- 2002-07-12 US US10/483,326 patent/US20040246692A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-08-06 US US11/834,452 patent/US7586755B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI508225B (zh) * | 2009-06-17 | 2015-11-11 | Stats Chippac Ltd | 具有插入物之積體電路封裝系統及其製造方法 |
US8766400B2 (en) | 2009-08-20 | 2014-07-01 | Ching-Yu Ni | Electronic device containing passive components and fabrication method thereof |
TWI452673B (zh) * | 2009-08-20 | 2014-09-11 | Xintec Inc | 電子裝置及其製造方法 |
US11742273B2 (en) | 2016-12-21 | 2023-08-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Through electrode substrate and semiconductor device |
TWI834166B (zh) * | 2016-12-21 | 2024-03-01 | 日商大日本印刷股份有限公司 | 貫通電極基板、半導體裝置及貫通電極基板之製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2003007379A1 (fr) | 2003-01-23 |
US7586755B2 (en) | 2009-09-08 |
US20040246692A1 (en) | 2004-12-09 |
EP1411553A4 (en) | 2008-09-03 |
EP1411553A1 (en) | 2004-04-21 |
CN1630946A (zh) | 2005-06-22 |
JPWO2003007379A1 (ja) | 2004-11-04 |
US20080174976A1 (en) | 2008-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW552686B (en) | Electronic circuit component | |
TW560017B (en) | Semiconductor connection substrate | |
TWI227608B (en) | Method of manufacturing high-frequency module device | |
TW519801B (en) | High frequency module device and method for its preparation | |
TWI365015B (zh) | ||
CN102646628B (zh) | 用于制造半导体装置的方法 | |
CN103956265A (zh) | 嵌入在聚合物电介质中的薄膜电容器 | |
WO2010038478A1 (ja) | 電磁バンドギャップ構造、これを備える素子、基板、モジュール、半導体装置及びこれらの製造方法 | |
CN208061869U (zh) | 薄膜型lc部件以及其安装结构 | |
JP2007053311A (ja) | コイル構造体及びその製造方法ならびに半導体パッケージ | |
CN101266868A (zh) | 超小型电力变换装置 | |
JP2008113002A (ja) | キャパシタ内蔵型印刷回路基板及びその製造方法 | |
WO2008076659A1 (en) | Microelectronic device including bridging interconnect to top conductive layer of passive embedded structure and method of making same | |
US20090166068A1 (en) | Electronic component | |
TW563142B (en) | Thin film capacitor, and electronic circuit component | |
JP2004282412A (ja) | 高周波電子回路部品 | |
US20060017133A1 (en) | Electronic part-containing elements, electronic devices and production methods | |
JP2008159973A (ja) | 電子部品モジュールおよびこれを内蔵した部品内蔵回路基板 | |
JPWO2009028596A1 (ja) | 受動素子内蔵基板、製造方法、及び半導体装置 | |
TW511243B (en) | Chip structure and process for making the same | |
JP4447881B2 (ja) | インターポーザの製造方法 | |
CN101683003B (zh) | 薄膜陶瓷多层衬底的制造方法 | |
JP2003051567A (ja) | 高周波モジュール用基板装置及びその製造方法、並びに高周波モジュール装置及びその製造方法 | |
JP2002280745A (ja) | 高周波モジュール装置及びその製造方法 | |
JP2003209181A (ja) | 半導体チップの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |