JP2003051567A - 高周波モジュール用基板装置及びその製造方法、並びに高周波モジュール装置及びその製造方法 - Google Patents

高周波モジュール用基板装置及びその製造方法、並びに高周波モジュール装置及びその製造方法

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JP2003051567A
JP2003051567A JP2001236888A JP2001236888A JP2003051567A JP 2003051567 A JP2003051567 A JP 2003051567A JP 2001236888 A JP2001236888 A JP 2001236888A JP 2001236888 A JP2001236888 A JP 2001236888A JP 2003051567 A JP2003051567 A JP 2003051567A
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layer
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Takeshi Ogawa
剛 小川
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精度で薄型化され、パッケージの小型化、
低価格を図る。 【解決手段】 ベース基板５の両主面に絶縁層及び配線
層が交互且つ多層に形成されると共に、研磨することに
よってそれぞれ平坦化された両主面のうち何れか一方を
ビルドアップ形成面３とするベース基板部２と、ベース
基板部２のビルドアップ形成面３上に誘電絶縁層と配線
部とが交互且つ多層に亘ってビルドアップ形成されると
共に、配線部が成膜形成された受動素子部を有する配線
パターンで形成されてなる高周波回路部４とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばパーソナル
コンピュータ、オーディオ機器或いは各種のモバイル機
器や携帯電話機等の各種電子機器等に好適に用いられ、
情報通信機能やストレージ機能等を有して超小型通信機
能モジュールを構成する高周波モジュール用基板装置及
びその製造方法、並びに高周波モジュール装置及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、音楽、音声或いは画像等の各種
情報は、近年、データのデジタル化に伴ってパーソナル
コンピュータやモバイルコンピュータ等によっても手軽
に扱えるようになっている。また、これらの情報は、音
声コーデック技術や画像コーデック技術により帯域圧縮
が図られて、デジタル通信やデジタル放送により各種の
通信端末機器に対して容易に且つ効率的に配信される環
境が整いつつある。例えば、オーディオ・ビデオデータ
（ＡＶデータ）は、携帯電話機によって屋外での受信も
可能である。
【０００３】ところで、データ等の送受信システムは、
家庭を始めとして小規模な地域内においても好適なネッ
トワークシステムの提案によって、様々に活用されるよ
うになっている。ネットワークシステムとしては、例え
ばIEEE802.11aで提案されているような５ＧＨｚ帯域の
狭域無線通信システム、IEEE802.11bで提案されている
ような２．４５ＧＨｚ帯域の無線ＬＡＮシステム或いは
Bluetoothと称される近距離無線通信システム等の種々
の次世代ワイヤレスシステムが注目されている。
【０００４】データ等の送受信システムは、係るワイヤ
レスネットワークシステムを有効に利用して、家庭内や
屋外等の様々な場所において手軽に且つ中継装置等を介
することなく様々なデータの授受、インターネット網へ
のアクセスやデータの送受信が可能となっている。
【０００５】一方、データ等の送受信システムにおいて
は、小型軽量で携帯可能であり上述した通信機能を有す
る通信端末機器の実現が必須となる。通信端末機器にお
いては、送受信部においてアナログの高周波信号の変復
調処理を行うことが必要であることから、一般に図３７
に示すような送受信信号からいったん中間周波数に変換
するようにしたスーパーへテロダイン方式による高周波
送受信回路１００が備えられる。
【０００６】高周波送受信回路１００には、アンテナや
切替スイッチを有して情報信号を受信或いは送信するア
ンテナ部１０１と、送信と受信との切替を行う送受信切
替器１０２とが備えられる。高周波送受信回路１００に
は、周波数変換回路部１０３や復調回路部１０４等から
なる受信回路部１０５が備えられる。高周波送受信回路
１００には、パワーアンプ１０６やドライブアンプ１０
７及び変調回路部１０８等からなる送信回路部１０９が
備えられる。高周波送受信回路１００には、受信回路部
１０５や送信回路部１０９に基準周波数を供給する基準
周波数生成回路部が備えられる。
【０００７】以上のような構成の高周波送受信回路１０
０においては、詳細を省略するが、各段間にそれぞれ介
挿された種々のフィルタ、局発装置（VCO:voltage cont
rolled oscillator）、ＳＡＷフィルタ（saw tooth wav
eform filter）等の大型機能部品や、整合回路或いはバ
イアス回路等の高周波アナログ回路に特有なインダク
タ、レジスタ、キャパシタ等の受動部品の点数が非常に
多い構成となっている。したがって、高周波送受信回路
１００は、全体に大型となり、通信端末機器の小型軽量
化に大きな障害となっていた。
【０００８】一方、通信端末機器には、図３８に示すよ
うに中間周波数への変換を行わずに情報信号の送受信を
行うようにしたダイレクトコンバージョン方式による高
周波送受信回路１１０も用いられる。高周波送受信回路
１１０においては、アンテナ部１１１によって受信され
た情報信号が送受信切替器１１２を介して復調回路部１
１３に供給されて直接ベースバンド処理が行われる。高
周波送受信回路１１０においては、ソース源で生成され
た情報信号が変調回路部１１４において中間周波数に変
換されることなく直接所定の周波数帯域に変調され、ア
ンプ１１５と送受信切替器１１２を介してアンテナ部１
１１から送信される。
【０００９】以上のような構成の高周波送受信回路１１
０においては、情報信号について中間周波数の変換を行
うことなくダイレクト検波を行うことによって送受信す
る構成であることから、フィルタ等の部品点数が低減さ
れて全体構成の簡易化が図られ、より１チップ化に近い
構成が見込まれるようになる。しかしながら、高周波送
受信回路１１０においても、後段に配置されたフィルタ
或いは整合回路の対応が必要となる。また、高周波送受
信回路１１０は、高周波段で一度の増幅を行うことから
充分なゲインを得ることが困難となり、ベースバンド部
でも増幅操作を行う必要がある。したがって、高周波送
受信回路１１０は、ＤＣオフセットのキャンセル回路や
余分なローパスフィルタを必要とし、さらに全体の消費
電力が大きくなるといった問題があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波送受信回
路は、上述したようにスーパーへテロダイン方式及びダ
イレクトコンバージョン方式の何れにおいても、通信端
末機器の小型軽量化等の要求仕様に対して充分な特性を
満足し得ないものであった。このため、高周波送受信回
路については、例えばＳｉ−ＣＭＯＳ回路等をベースと
して簡易な構成によって小型化を図ったモジュール化に
ついて種々の試みが図られている。すなわち、試みの１
つは、例えば特性の良い受動素子をＳｉ基板上に形成す
るとともにフィルタ回路や共振器等をＬＳＩ上に作り込
み、さらにベースバンド部分のロジックＬＳＩも集積化
することで、いわゆる１チップ化高周波モジュール基板
を製作する方法である。
【００１１】しかしながら、このような１チップ化され
た高周波モジュール基板においては、図３９に示すよう
に、いかにして性能の良いインダクタ１２０をＬＳＩ上
に形成するかが極めて重要となる。係る高周波モジュー
ル基板では、Ｓｉ基板１２１及びＳｉＯ２絶縁層１２２
のインダクタ形成部位１２３に対応して大きな凹部１２
４を形成する。高周波モジュール基板は、凹部１２４に
臨ませて第１の配線層１２５を形成するとともに凹部１
２４を閉塞する第２の配線層１２６が形成されてコイル
部１２７を構成する。また、高周波モジュール基板は、
他の対応として配線パターンの一部を基板表面から立ち
上げて空中に浮かすといった対応を図ることによってイ
ンダクタ１２０が形成されていた。しかしながら、この
高周波モジュール基板は、何れもインダクタ１２０を形
成する工程が極めて面倒であり、工程の増加によってコ
ストがアップするといった問題があった。
【００１２】また、この高周波モジュール基板において
は、アナログ回路の高周波回路部と、デジタル回路のベ
ースバンド回路部との間に介在するＳｉ基板の電気的干
渉が大きな問題となった。
【００１３】以上のような欠点を改善する高周波モジュ
ール基板としては、例えば図４０に示したＳｉ基板をベ
ース基板に用いた高周波モジュール基板１３０や、図４
１に示したガラス基板をベース基板に用いた高周波モジ
ュール基板１４０が提案されている。
【００１４】この高周波モジュール基板１３０は、Ｓｉ
基板１３１上にＳｉＯ２層１３２を形成した後に、リソ
グラフィ技術によって高周波素子層１３３が成膜形成さ
れてなる。
【００１５】高周波素子層１３３には、詳細を省略する
が、その内部に配線パターンとともにインダクタ、レジ
スタ或いはキャパシタ等の受動素子が薄膜形成技術や厚
膜形成技術によって多層に形成されている。
【００１６】高周波モジュール基板１３０は、高周波素
子層１３３上にビア（中継スルーホール）等を介して内
部配線パターンと接続された端子部が形成され、これら
端子部にフリップチップ実装法等により高周波ＩＣやＬ
ＳＩ等の回路素子１３４が直接実装されて構成される。
この高周波モジュール基板１３０は、例えばマザー基板
等に実装することで、高周波回路部とベースバンド回路
部とを区分して両者の電気的干渉を抑制することが可能
とされる。
【００１７】ところで、この高周波モジュール基板１３
０においては、導電性を有するＳｉ基板１３１が、高周
波素子層１３３内に各受動素子を形成する際に機能する
が、各受動素子の良好な高周波特性にとって邪魔になる
といった問題があった。
【００１８】一方、高周波モジュール基板１４０は、上
述した高周波モジュール１３０におけるＳｉ基板１３１
の問題を解決するために、ベース基板にガラス基板１４
１が用いられている。高周波モジュール基板１４０も、
ガラス基板１４１上にリソグラフィ技術によって高周波
素子層１４２が成膜形成されてなる。高周波素子層１４
２には、詳細を省略するが、その内部に配線パターンと
ともにインダクタ、レジスタ或いはキャパシタ等の受動
素子が薄膜形成技術や厚膜形成技術によって多層に形成
されている。
【００１９】高周波モジュール基板１４０は、高周波素
子層１４２上にビア等を介して内部配線パターンと接続
された端子部が形成され、これら端子部にフリップチッ
プ実装法等により高周波ＩＣやＬＳＩ等の回路素子１３
３が直接実装されて構成される。この高周波モジュール
基板１４０は、導電性を有しないガラス基板１４１を用
いることで、ガラス基板１４１と高周波素子層１４２と
の容量的結合度が抑制され高周波素子層１４２内に良好
な高周波特性を有する受動素子を形成することが可能で
ある。
【００２０】しかしながら、係る高周波モジュール基板
１３０、１４０においては、上述したようなＳｉ基板１
３１やガラス基板１４１上に形成した配線層を介して高
周波信号系のパターン形成と、電源やグランドの供給配
線或いは制御系信号配線が行われる。このため、高周波
モジュール基板１３０、１４０では、各配線間に電気的
干渉が生じるとともに、配線層を多層に形成することに
よるコストアップや、配線の引き回しによる大型化とい
った問題が生じてしまうことがある。
【００２１】そして、上述した高周波モジュール基板１
３０は、図４２に示すようにインターポーザ基板１５１
上に搭載されてパッケージ１５０を形成する。パッケー
ジ１５０は、インターポーザ基板１５１の一方主面上に
高周波モジュール基板１３０、を搭載するとともに全体
を絶縁樹脂１５２によって封装してなる。パッケージ１
５０は、インターポーザ基板１５１の表裏主面にパター
ン配線層１５３や入出力端子１５４をそれぞれ形成する
とともに、高周波モジュール基板１３０の搭載領域の周
囲に多数の電極部１５５が形成されてなる。
【００２２】パッケージ１５０は、インターポーザ基板
１５１上に高周波モジュール基板１３０を搭載した状態
で、この高周波モジュール基板１３０と電極部１５５と
をワイヤボンディング法によりワイヤ１５６によって電
気的に接続して電源供給や信号の送受を行うようにす
る。したがって、高周波モジュール基板１３０には、高
周波ＩＣやＬＳＩ等の回路素子１３４等を実装した表面
層に配線パターンやワイヤ１５６が接続される電極１３
５等が形成される。なお、高周波モジュール基板１４０
についても、同様にしてパッケージ化が図られる。
【００２３】これらの高周波モジュール基板１３０、１
４０は、上述したようにインターポーザ基板１５１上に
搭載されてパッケージ化が図られるが、パッケージ１５
０の厚みや面積を大きくさせるといった問題があった。
また、高周波モジュール基板１３０、１４０は、パッケ
ージ１５０のコストをアップさせるといった問題もあ
る。
【００２４】そして、パッケージ１５０には、高周波モ
ジュール基板１３０、１４０に搭載した高周波ＩＣやＬ
ＳＩ等の回路素子を覆って、電磁波ノイズの影響を低減
するシールドカバーが取り付けられる。
【００２５】このため、パッケージ１５０において、回
路素子から発生する熱がシールドカバー内に籠もって特
性を劣化させることから、放熱構造を設ける必要があ
る。
【００２６】このようなパッケージ１５０においては、
高周波モジュール基板１３０、１４０にＳｉ基板１３１
やガラス基板１４１が用いられることによって、これら
基板側からの放熱を行う放熱構造を設けることが困難で
あるとともに大型化するといった問題もある。
【００２７】さらに、高周波モジュール基板１３０、１
４０は、ベース基板に比較的高価なＳｉ基板１３１やガ
ラス基板１４１が用いられることで、コストがアップす
るといった問題があった。
【００２８】さらにまた、高周波モジュール基板１３
０、１４０は、ベース基板となるＳｉ基板１３１やガラ
ス基板１４１の高周波素子層１３３、１４２を形成する
主面に凹凸が生じてしまうことがある。
【００２９】ここで、ベース基板としてＳｉ基板１３１
の厚みを測定した際の主面の凹凸状態の分布を図４３に
示す。なお、図４３は、Ｓｉ基板１３１の主面の起伏を
正確に表すように、Ｓｉ基板１３１の厚みを示す等高線
が記されたＳｉ基板１３１の主面を平面的に示してい
る。図４３の測定結果から、高周波モジュール基板１３
０では、Ｓｉ基板１３１の高周波素子層１３３を形成す
る主面に凹凸があり、Ｓｉ基板１３１の厚みのばらつき
が３５μｍ程度の範囲で生じていることがわかる。
【００３０】このため、高周波モジュール基板１３０で
は、主面に凹凸があるＳｉ基板１３１上に高周波素子層
１３３を形成すると、この凹凸の影響により高周波素子
層１３３に厚みのばらつきが生じてしまい、全体として
厚型化するといった問題が生じてしまう虞がある。
【００３１】また、この高周波モジュール基板１３０、
１４０では、ベース基板の主面の凹凸により、高周波素
子層１３３、１４２の内部に薄膜形成される配線パター
ンやインダクタ、レジスタ或いはキャパシタ等の受動素
子を精度良く形成することが困難となるといった問題も
ある。
【００３２】さらに、高周波モジュール基板１３０、１
４０では、高周波素子層１３３、１４２の内部に形成さ
れた配線パターンやインダクタ、レジスタ或いはキャパ
シタ等を電気的な接続をビア等によって行うが、ベース
基板の主面に凹凸が生じている場合、ビア等を精度良く
形成することが困難となり、ビアの開口径等にばらつき
を生じて大型化してしまうといった問題もある。
【００３３】そこで、本発明は、ベース基板部上に配線
パターンや受動素子を精度良く形成し、薄型化、小型
化、低価格化を図った高周波モジュール用基板装置及び
その製造方法、並びに高周波モジュール装置及びその製
造方法を提供することを目的に提案されたものである。
【００３４】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
本発明に係る高周波モジュール用基板装置は、ベース基
板の両主面に絶縁層及び配線層が交互且つ多層に形成さ
れると共に、研磨することによってそれぞれ平坦化され
た両主面のうち何れか一方をビルドアップ形成面とする
ベース基板部と、ベース基板部のビルドアップ形成面上
に誘電絶縁層と配線部とが交互且つ多層に亘ってビルド
アップ形成されると共に、配線部が成膜形成された受動
素子部を有する配線パターンで形成されてなる高周波回
路部とを備えている。
【００３５】本発明に係る高周波モジュール用基板装置
は、ベース基板部の両主面が研磨されることでそれぞれ
平坦化され、これら平坦化されたベース基板部の両主面
の何れか一方をビルドアップ形成面とし、このビルドア
ップ形成面上に高周波回路部がビルドアップ形成された
構造を有している。これにより、高周波モジュール用基
板装置では、ベース基板部の高精度に平坦化されたビル
ドアップ形成面上に配線パターンや受動素子部を精度良
く形成することができる。したがって、高周波モジュー
ル用基板装置では、高周波回路部の厚みのばらつきが抑
制されることから、薄型化、小型化、低価格化が図られ
る。
【００３６】また、上述した目的を達成する本発明に係
る高周波モジュール用基板装置の製造方法は、ベース基
板の両主面に絶縁層と配線層とが交互且つ多層に亘って
積層形成されたベース基板部を作製する第１の工程と、
ベース基板部の両主面のうち何れか一方を平坦化された
ビルドアップ形成面とするために、ベース基板部の両主
面に研磨加工による平坦化処理をそれぞれ施す第２の工
程と、ベース基板部のビルドアップ形成面上に、誘電絶
縁層と、成膜形成された受動素子部を有する配線パター
ンが形成されてなる配線部とが交互且つ多層に亘って積
層形成された高周波回路部をビルドアップ形成する第３
の工程とを有している。
【００３７】本発明に係る高周波モジュール用基板装置
の製造方法では、第２の工程によって、ベース基板部の
両主面のうち何れか一方を平坦化されたビルドアップ形
成面とするために、ベース基板部の両主面に研磨加工に
よる平坦化処理をそれぞれ施すことによって、ビルドア
ップ形成面が高精度に平坦化され、且つ厚みのばらつき
が抑制されたベース基板部を得ることができる。これに
より、高周波モジュール用基板装置の製造方法では、ベ
ース基板部の高精度に平坦化されたビルドアップ形成面
上に配線パターンや受動素子部が精度良く形成されるこ
とから、高周波回路部の厚みのばらつきが抑制され、薄
型化、小型化、低価格化が図られた高周波モジュール用
基板装置が製造される。
【００３８】さらに、上述した目的を達成する本発明に
係る高周波モジュール装置は、ベース基板の両主面に絶
縁層及び配線層が交互且つ多層に形成されると共に、研
磨することによってそれぞれ平坦化された両主面のうち
何れか一方をビルドアップ形成面とするベース基板部
と、ベース基板部のビルドアップ形成面上に誘電絶縁層
と配線部とが交互且つ多層に亘ってビルドアップ形成さ
れると共に、配線部が成膜形成された受動素子部を有す
る配線パターンで形成されてなる高周波回路部とによっ
て構成された高周波モジュール基板と、高周波回路部の
配線部と電気的に接続され、且つ高周波モジュール基板
の高周波回路部側の主面上に実装された少なくとも１個
以上の高周波集積回路素子と、高周波モジュール基板の
ベース基板部側の主面側でベース基板部の配線層と電気
的に接続され、且つ高周波モジュール基板を実装するマ
ザー基板とを備えている。
【００３９】本発明に係る高周波モジュール装置は、研
磨することによってそれぞれ平坦化されたベース基板部
の両主面の何れか一方をビルドアップ形成面とし、この
ビルドアップ形成面上に高周波回路部がビルドアップ形
成された高周波モジュール基板が、高周波回路部側の主
面上に高周波集積回路素子を実装し、且つベース基板側
の主面でマザー基板に電気的に接続された構造を有して
いる。これにより、高周波モジュール装置では、ベース
基板部の高精度に平坦化されたビルドアップ形成面上
に、精度良く形成された配線パターンや受動素子部を有
する高周波回路部がビルドアップ形成された高周波モジ
ュール基板がマザー基板の主面上に備えられる。したが
って、高周波モジュール装置によれば、高周波モジュー
ル基板における高周波回路部の厚みのばらつきが抑制さ
れることから、薄型化、小型化、低価格化が図られた高
周波モジュールパッケージが構成される。
【００４０】さらにまた、上述した目的を達成する本発
明に係る高周波モジュール装置の製造方法は、ベース基
板の両主面に絶縁層と配線層とが交互且つ多層に亘って
積層形成されたベース基板部を作製する第１の工程と、
ベース基板部の両主面のうち何れか一方を平坦化された
ビルドアップ形成面とするために、ベース基板部の両主
面に研磨加工による平坦化処理をそれぞれ施す第２の工
程と、ベース基板部のビルドアップ形成面上に、誘電絶
縁層と、成膜形成された受動素子部を有する配線パター
ンが形成されてなる配線部とが交互且つ多層に亘って積
層形成された高周波回路部をビルドアップ形成する第３
の工程とを経て高周波モジュール基板を作製する基板作
製工程と、高周波モジュール基板の高周波回路部側の主
面上で上記配線部と少なくとも１個以上の高周波集積回
路素子とを電気的に接続することによって、高周波モジ
ュール基板に高周波集積回路素子を実装する素子実装工
程と、高周波モジュール基板のベース基板部側の主面上
で配線層とマザー基板とを電気的に接続することによっ
て、マザー基板に高周波モジュール基板を実装する基板
実装工程とを有している。
【００４１】本発明に係る高周波モジュール装置の製造
方法では、基板作製工程によって、ベース基板部の両主
面のうち何れか一方を平坦化されたビルドアップ形成面
とするために、ベース基板部の両主面に研磨加工による
平坦化処理をそれぞれ施すことによって、ビルドアップ
形成面を高精度に平坦化させ、且つ厚みのばらつきが抑
制されたベース基板部を有する高周波モジュール基板を
得ることができる。これにより、高周波モジュール装置
の製造方法では、ベース基板部の高精度に平坦化された
ビルドアップ形成面上に配線パターンや受動素子部が精
度良く形成されることから、高周波回路部の厚みのばら
つきが抑制された高周波モジュール基板がベース基板に
実装され、薄型化、小型化、低価格化が図られた高周波
モジュールパッケージが製造される。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態として
図１に示した高周波モジュール用基板装置（以下、モジ
ュール基板と略称する。）１は、ベース基板部製作工程
によって最上層が高精度の平坦面に形成されて第１のビ
ルドアップ形成面３として構成されたベース基板部２
と、このベース基板部２をベースとして高周波回路部製
作工程によって第１のビルドアップ形成面３上に積層形
成された高周波回路部４とから構成される。
【００４３】モジュール基板１は、ベース基板部２が、
第１のビルドアップ形成面３上に形成された高周波回路
部４に対する電源系や制御系の配線部或いはマザー基板
９３に対する実装面４ａを構成している。モジュール基
板１には、図１に示すように、高周波回路部４の表面を
実装面４ａとして高周波ＩＣ９０やチップ部品９１が実
装されるとともに、シールドカバー９２が組み付けられ
て表面全体が封装される。
【００４４】このモジュール基板１は、ベース基板部２
の第１のビルドアップ形成面３に対して反対側の主面を
マザー基板実装面２ａとし、いわゆる１チップ部品とし
てマザー基板実装面２ａとマザー基板９３とが対向する
ように、マザー基板９３上に実装され、携帯機器等に好
適に用いられて無線送受信機能を奏する高周波モジュー
ル装置９４を構成する。
【００４５】ベース基板部２は、両面基板からなるベー
ス基板５と、このベース基板５をコアとしてその第１の
主面５ａ側に形成された第１の配線層６と、第２の主面
５ｂ側に形成された第２の配線層７とを有している。ベ
ース基板部２においては、ベース基板５に対して第１の
樹脂付銅箔８及び第２の樹脂付銅箔９が接合される。
【００４６】ベース基板５は、低誘電率で低いＴａｎ
δ、すなわち高周波特性に優れた材料、例えばポリフェ
ニレンエーテル（ＰＰＥ）、ビスマレイドトリアジン
（ＢＴ−ｒｅｓｉｎ）、ポリテトラフルオロエチレン
（商標名テフロン）、ポリイミド、液晶ポリマ（ＬＣ
Ｐ）、ポリノルボルネン（ＰＮＢ）、セラミック或いは
セラミックと有機材料の混合体等が用いられて形成され
る。また、ベース基板５は、機械的剛性とともに耐熱
性、耐薬品性を有し、例えば上述した材料によって形成
された基材よりもさらに廉価なエポキシ系銅貼基板ＦＲ
−５等も用いられる。
【００４７】第１の配線層６及び第２の配線層７は、例
えばＣｕ等の導電性の高い金属からなり、メッキ法等に
よってベース基板５に形成されてなる。
【００４８】第１の樹脂付銅箔８は、ベース基板５の第
１の主面５ａ側に接合されて第３の配線層８ａを形成す
る。また、第２の樹脂付銅箔９は、ベース基板５の第２
の主面５ｂ側に接合されて第４の配線層９ａを形成す
る。
【００４９】そして、ベース基板部２は、両主面、すな
わち第１の主面５ａ及び第２の主面５ｂ側の最上層を第
３の配線層８ａ及び第４の配線層９ａが露出するまで研
磨することによって、両主面がそれぞれ高精度に平坦化
され、且つ厚みばらつきが抑制されている。
【００５０】このベース基板部２は、これら平坦化され
た両主面のうち第３の配線層８ａが露出している側の主
面を第１のビルドアップ形成面３としている。なお、ベ
ース基板部２は、第４の配線層９ａが露出している側の
主面に高周波回路部４が形成されても良い。なお、ベー
ス基板部２は、第１のビルドアップ形成面３に対して反
対側の主面がマザー基板９３に電気的に接続されるマザ
ー基板実装面２ａとなる。
【００５１】高周波回路部４は、高精度に平坦化された
ベース基板部２の第１のビルドアップ形成面３上に第１
の絶縁層１０を介して一部をキャパシタ１１、レジスタ
１２、インダクタ１３等の受動素子とする第１の配線パ
ターン１４が形成された第１の高周波層１５と、この第
１の高周波層１５上に第２の絶縁層１７を介して一部を
上述したような受動素子とする第２の配線パターン１８
が形成された第２の高周波層１９とによって構成されて
いる。
【００５２】第１の高周波層１５には、第１の絶縁層１
０にベース基板部２と第１の配線パターン１４とを電気
的に接続するビア１６が設けられている。また、第１の
高周波層１５においては、第１の絶縁層１０が上述した
ベース基板５に用いられる高周波特性に優れた有機材料
によって形成されている。
【００５３】そして、第１の高周波層１５においては、
高精度に平坦化された第１のビルドアップ形成面上に形
成されることによって層厚みのばらつきが抑制され、且
つ第２の高周波層１９がビルドアップ形成される第２の
ビルドアップ形成面１５ａも高精度に平坦化されること
となる。
【００５４】第２の高周波層１９には、第２の絶縁層１
７に第１の配線パターン１４と第２の配線パターン１８
とを電気的に接続するビア２０が設けられている。ま
た、第２の高周波層１９においては、第２の絶縁層１７
は、第１の絶縁層１０と同様に上述したベース基板５に
用いられる高周波特性に優れた有機材料によって形成さ
れている。
【００５５】以上のように構成されるモジュール基板１
は、平坦化された第１のビルドアップ形成面３上にビル
ドアップ形成された第１の高周波層１５の層厚みのばら
つき及び、第１の高周波層１５の平坦化された第２のビ
ルドアップ形成面１５ａ上にビルドアップ形成された第
２の高周波層１９の層厚みのばらつきが抑制された構造
となっている。
【００５６】これにより、このモジュール基板１では、
厚みのばらつきが抑制されたベース基板部２の第１のビ
ルドアップ形成面３上にビルドアップ形成された高周波
回路部４も厚みばらつきが抑制されていることから、全
体の厚みばらつきが抑制され、且つ全体を平坦化するこ
とができる。
【００５７】また、このモジュール装置１では、第１の
ビルドアップ形成面３及び第２のビルドアップ形成面１
５ａが高精度に平坦化されていることから、フォトリソ
グラフ法等で第１の配線パターン１４及び第２の配線パ
ターン１８を形成する際の配線のパターンニング像の焦
点ばらつきを抑制し、配線のパターンニングの解像度劣
化を防ぐことができる。
【００５８】これにより、このモジュール基板１では、
平坦化された第１のビルドアップ形成面３上に第１の絶
縁層１０を介して形成される第１の配線パターン１４及
び、平坦化された第２のビルドアップ形成面１５ａ上に
第２の絶縁層１７を介して形成される第２の配線パター
ン１８の配線のパターンニング精度を向上させることが
できる。
【００５９】したがって、モジュール基板１では、全体
の厚みのばらつきが抑制され、且つ全体に平坦化されて
いると共に、第１の配線パターン１４及び第２の配線パ
ターン１８の配線のパターンニング精度が向上している
ことから、小面積化、薄型化、小型化を図ることができ
る。
【００６０】また、このモジュール基板１では、ベース
基板５等からなるベース基板部２が上述した有機基材に
よって形成されることから、比較的高価とされるＳｉ基
板やガラス基板をベース基板に使用した場合と比較して
廉価であり、材料コストの低減を図ることができる。
【００６１】次に、上述した本発明を適用したモジュー
ル基板１の製造方法について詳細に説明する。
【００６２】このモジュール基板１を製造する際は、先
ず、ベース基板部２を形成する。このベース基板部２の
構成並びに作製工程について、以下図２乃至図１１を参
照しながら詳細に説明する。
【００６３】ベース基板部２の製作工程は、図２に示す
ように、ベース基板５の表裏主面５ａ、５ｂに適宜の第
１の配線層６及び第２の配線層７やベース基板５を貫く
複数のビアホール２１を形成する第１の配線層形成工程
ｓ−１と、ベース基板５の表裏主面５ａ、５ｂに第１の
樹脂付銅箔８と第２の樹脂付銅箔９とをそれぞれ接合す
る第１の銅箔接合工程ｓ−２と、これら一対の樹脂付銅
箔８、９とにビア２２ａ、２２ｂを形成するビア形成工
程ｓ−３とを有する。
【００６４】また、ベース基板部２の製作工程は、接合
された一対の樹脂付銅箔８、９にそれぞれ適宜の第３の
配線層８ａ及び第４の配線層９ａとを形成する第２の配
線層形成工程ｓ−４とを経てベース基板中間体２３を作
製する。
【００６５】さらに、ベース基板部２の製作工程は、ベ
ース基板中間体２３の両主面に形成されている第３の配
線層８ａ及び第４の配線層９ａを被覆するように第３の
樹脂付銅箔２４及び第４の樹脂付銅箔２５それぞれ接合
してベース基板被研磨体２６を作製する第２の銅箔接合
工程ｓ−５を有している。そして、ベース基板部２の製
作工程は、ベース基板被研磨体２６の両主面に対して研
磨処理を施し、第１の主面５ａ側及び第２の主面５ｂ側
のそれぞれの主面を高精度に平坦化する両面研磨工程ｓ
−６を経てベース基板部２を製作する。
【００６６】そして、ベース基板５は、図３に示すよう
に、第１の主面５ａと第２の主面５ｂの全面に亘って第
１の配線層６及び第２の配線層７となる銅箔層が形成さ
れている。
【００６７】次に、このベース基板５には、第１の配線
層形成工程ｓ−１が施される。具体的に、ベース基板５
には、図４に示すように、ドリルやレーザによる孔穿加
工が施されて所定の位置にそれぞれビアホール２１が形
成される。また、ベース基板５には、このビアホール２
１の内壁に、例えばメッキ等によって導通処理が施さ
れ、導電ペースト２７を埋め込んだ後にメッキ法によっ
て蓋形成が行われる。さらに、ベース基板５には、銅箔
層６、７に対してフォトリソグラフ処理が施されること
によって、第１の主面５ａと第２の主面５ｂとにそれぞ
れ所定の配線パターンを有する第１の配線層６及び第２
の配線層７とが形成される。
【００６８】次に、以上の工程を経たベース基板５に
は、第１の銅箔接合工程ｓ−２が施される。具体的に、
ベース基板５は、図５に示すように、第１の主面５ａ側
及び第２の主面５ｂ側に、第１の配線層６及び第２の配
線層７をそれぞれ被覆する第１の樹脂付銅箔８及び第２
の樹脂付銅箔９がそれぞれ接合される。この第１の樹脂
付銅箔８及び第２の樹脂付銅箔９には、それぞれ銅箔層
８ａ、９ａの一方主面の全面に樹脂層８ｂ、９ｂが裏打
ちされたいわゆる樹脂付銅箔が用いられる。
【００６９】次に、第１の樹脂付銅箔８及び第２の樹脂
付銅箔９は、樹脂層８ｂ、９ｂ側を接合面として、ベー
ス基板５の第１の主面５ａ側と第２の主面５ｂ側とに接
着樹脂（プリプレグ）によってそれぞれ接合される。な
お、これら第１の樹脂付銅箔８及び第２の樹脂付銅箔９
は、樹脂層８ｂ、９ｂが熱可塑性樹脂によって形成され
る場合には、接着樹脂を不要としてベース基板５にそれ
ぞれ接合される。
【００７０】次に、第１の樹脂付銅箔８及び第２樹脂付
銅箔９には、ビア形成工程ｓ−３が施される。ビア形成
工程ｓ−３は、図６に示すように、上述した各ビアホー
ル２１に対応する部位に対してフォトリソグラフ処理が
施され、第１の樹脂付銅箔８及び第２樹脂付銅箔９にそ
れぞれビア２２ａ、２２ｂが形成される。このビア形成
工程ｓ−３は、ビア２２ａ、２２ｂの形成部位にフォト
リソグラフ処理を施した後、湿式エッチングを行って第
１の樹脂付銅箔８と第２樹脂付銅箔９とに開口部２８
ａ、２８ｂを形成し、これら開口部２８ａ、２８ｂをマ
スクとしてレーザ加工を施こすことによって第１の配線
層６或いは第２の配線層７のランド部が受けとなるビア
２２ａ、２２ｂを形成する。
【００７１】次に、第１の樹脂付銅箔８と第２樹脂付銅
箔９には、図７に示すように、ビアメッキ等によりビア
２２ａ、２２ｂの内壁に導通処理が施されるとともにメ
ッキ法や導電ペーストの埋め込みにより導電材２９ａ、
２９ｂが充填される。
【００７２】次に、第１の樹脂付銅箔８及び第２樹脂付
銅箔９には、第２の配線層形成工程ｓ−４が施される。
第２の配線層形成工程ｓ−４は、第１の樹脂付銅箔８及
び第２樹脂付銅箔９の銅箔層８ａ、９ａにそれぞれ所定
のパターンニングが施され、第３の配線層８ａ及び第４
の配線層９ａが形成される。第２の配線層形成工程ｓ−
４は、具体的に、銅箔層８ａ、９ａに対して上述した第
１の配線層形成工程ｓ−１と同様のフォトリソグラフ処
理を施こすことにより樹脂層８ｂ、９ｂ上にそれぞれパ
ターンニングされた第３の配線層８ａと第４の配線層９
ａとを有するベース基板中間体２３を形成する。
【００７３】次に、図８に示すように、第２の銅箔接合
工程ｓ−５によりベース基板中間体２３には、第３の樹
脂付銅箔２４と第４の樹脂付銅箔２５とが第３のパター
ン配線層８ａ側、第４のパターン配線層９ａ側それぞれ
に接合される。これらの第３の樹脂付銅箔２４及び第４
の樹脂付銅箔２５には、上述した第１の樹脂付銅箔８や
第２の樹脂付銅箔９と同様に、それぞれ銅箔層２４ａ、
２５ａの一方主面の全体に亘って樹脂層２４ｂ、２５ｂ
が裏打ちされたいわゆる樹脂付銅箔が用いられる。
【００７４】そして、第２の銅箔接合工程ｓ−５におい
ては、図９に示すように、第３の樹脂付銅箔２４及び第
４の樹脂付銅箔２５が接着樹脂（プリプレグ）からなる
それぞれの樹脂層２４ｂ、２５ｂを接合面として、ベー
ス基板中間体２３の第３のパターン配線層８ａ及び第４
のパターン配線層９ａにそれぞれ接合されることにより
ベース基板被研磨体２６が形成される。なお、第３の樹
脂付銅箔２４及び第４の樹脂付銅箔２５は、樹脂層２４
ｂ、２５ｂが熱可塑性樹脂によって形成される場合、接
着樹脂を用いることなく第３のパターン配線層８ａ及び
第４のパターン配線層９ａにそれぞれ接合される。
【００７５】次に、ベース基板被研磨体２６には、図１
０に示すように、両面研磨工程ｓ−６によって両主面に
それぞれ研磨処理が施される。この両面研磨工程ｓ−６
は、例えば両面研磨加工装置（製品名：ラッピング装置
ＥＪＷ−４００、日本エンギス（株）製造）５０と、粒
径３μｍ程度のダイヤモンド研磨材を含有する研磨液と
を用いて、ベース基板被研磨体２６の両主面を１０分程
度、それぞれ同時に研磨することによってベース基板被
研磨体２６の両主面を高精度に平坦化させる。
【００７６】この両面研磨工程ｓ−６で用いる両面研磨
加工装置５０は、対向配置された一対の定盤５１、５２
の対向する研磨面５１ａ、５２ａにそれぞれ研磨シート
５３ａ、５３ｂが貼付された構造を有している。この両
面研磨加工装置５０において、定盤５１、５２は、対向
する研磨面５１ａ、５２ａが平行になるように配置さ
れ、これら研磨面５１ａ、５２ａの面内方向に対して略
直交する方向にそれぞれ移動自在とされている。これに
より、両面研磨加工装置５０では、ベース基板被研磨体
２６を定盤５１、５２によって研磨面５１ａ、５２ａで
挟むように保持させることができる。
【００７７】また、両面研磨加工装置５０においては、
研磨面５１ａ、５２ａに貼付された研磨シート５３ａ、
５３ｂがベース基板被研磨体２６の両主面で摺動するこ
とによって、これらベース基板被研磨体２６の両主面を
円滑に研磨する。そして、両面研磨加工装置５０におい
ては、研磨機能が低下した研磨シート５３ａ、５３ｂを
張り替えることが可能とされている。
【００７８】両面研磨工程ｓ−６においては、両面研磨
加工装置５０の一対の定盤５１、５２の研磨面５１ａ、
５２ａとベース基板被研磨体２６の両主面とをそれぞれ
対向させるように、一対の定盤５１、５２にベース基板
被研磨体２６を挟持させる。そして、両面研磨工程ｓ−
６においては、一対の定盤５１、５２の研磨面５１ａ、
５２ａとベース基板被研磨体２６の両主面との間に研磨
液を介在させながら、一対の定盤５１、５２の研磨面５
１ａ、５２ａの面内方向で一対の定盤５０ａ、５０ｂを
それぞれ反対方向に偏心円運動させる。
【００７９】このようにして、両面研磨工程ｓ−６にお
いては、第３の配線層８ａ及び第４の配線層９ａが露出
するまでベース基板被研磨体２６の両主面を同時にそれ
ぞれ研磨する。なお、上述した両面研磨工程ｓ−６にお
いては、ベース基板被研磨体２６の両主面を同時に研磨
する方法を例に挙げているが、このことに限定されるこ
とはなく、ベース基板被研磨体２６の両主面を片面ずつ
順次研磨しても良い。
【００８０】以上のようにして、図１１に示すように、
両主面がそれぞれ高精度に平坦化され、且つ厚みのばら
つきが抑制されたベース基板部２が作製される。なお、
後述する高周波回路部作製工程においては、ベース基板
部２の平坦化された両主面のうち第３の配線層８ａが露
出している側の主面を第１のビルドアップ形成面３とし
て説明する。
【００８１】ここで、ベース基板部２の厚みを測定した
際の第１のビルドアップ形成面３の凹凸状態の分布を図
１２に示す。なお、図１２は、ベース基板部２の第１の
ビルドアップ形成面３の起伏を正確に表すように、ベー
ス基板部２の厚みを示す等高線が記された第１のビルド
アップ形成面３を平面的に示している。
【００８２】図１２の測定結果から、ベース基板部２で
は、研磨加工ｓ−６が施されたことにより、第１のビル
ドアップ形成面３が高精度に平坦化されており、厚みの
ばらつきが６μｍ程度の範囲に抑制されていることがわ
かる。
【００８３】これにより、上述したベース基板部製作工
程によって作製されたベース基板部２では、高精度に平
坦化した第１のビルドアップ形成面３に高周波回路部４
を精度良くビルドアップ形成することが可能となる。
【００８４】そして、このベース基板部２は、第３の配
線層８ａが高周波回路部４に対する電源系の配線部や制
御系の配線部或いはグランド部を構成し、第４の配線層
９ａがマザー基板９３に電気的に接続される入出力端子
部３０を構成する。
【００８５】次に、上述したベース基板部作製工程で作
製されたベース基板部２の第１のビルドアップ形成面３
上に高周波回路部４を作製する。
【００８６】この高周波回路部４の構成並びに作製工程
について、以下図１３乃至図２９を参照しながら詳細に
説明する。
【００８７】高周波回路部４の製作工程は、図１３に示
すように、上述したベース基板作製工程を経て製作され
たベース基板部２の高精度に平坦化された第１のビルド
アップ形成面３上に、第１の絶縁層１０を形成する第１
の絶縁層形成工程ｓ−７と、第１の絶縁層１０の表面に
第１の配線パターン１４を形成するため溝をマスキング
及びエッチング等で形成する溝形成工程ｓ−８と、溝が
形成された第１の絶縁層１０の表面に第１の配線パター
ンを形成するために下地膜を成膜する下地膜成膜工程ｓ
−９と、下地処理が施された第１の絶縁層１０上に第１
の配線パターン１４を形成する第１の配線パターン形成
工程ｓ−１０と、第１の絶縁層１０上に形成された第１
の配線パターン１４の表面を高精度に平坦化させて第２
のビルドアップ形成面１５ａを形成するビルドアップ形
成面形成工程ｓ−１１を経る。
【００８８】高周波回路部４の製作工程は、第１の配線
パターン１４内にキャパシタ１１、レジスタ１２等の受
動素子を形成する受動素子形成工程ｓ−１２と、キャパ
シタ１１に上電極を成膜する上電極成膜工程ｓ−１３
と、第２のビルドアップ形成面１５ａ上に第２の配線パ
ターン１８を形成するための第２の絶縁層１７を形成す
る第２の絶縁層形成工程ｓ−１４と、第２の絶縁層１７
上に所定の受動素子等を有する第２の配線パターン１８
を形成するを第２の配線パターン形成工程ｓ−１５とを
経て高周波回路部４を製作する。
【００８９】以上のような工程によって高周波回路部４
を作製する際は、先ず、第１の絶縁層形成工程ｓ−７に
おいて、上述したベース基板作製工程を経て製作された
ベース基板部２の第１のビルドアップ形成面３上に、絶
縁性誘電材が供給されて第１の絶縁層１０を形成する。
第１の絶縁層１０となる絶縁性誘電材には、ベース基板
５と同様に低誘電率で低いＴａｎδ、すなわち高周波特
性に優れ且つ耐熱性や耐薬品性に優れた材料が用いられ
る。具体的には、絶縁性誘電材に例えばベンゾシクロブ
テン（ＢＣＢ）、ポリイミド、ポリノルボルネン（ＰＮ
Ｂ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）或いはエポキシ樹脂やアク
リル系樹脂等が用いられる。第１の絶縁層１０の形成方
法としては、厚み等が制御し易い例えばスピンコート
法、カーテンコート法、ローリコート法、ディップコー
ト法等が適用される。
【００９０】次に、図１４に示すように、ベース基板部
２上に形成された第１の絶縁層１０に対して、複数のビ
ア１６が形成される。これらのビア１６は、第３の配線
層８ａが有するランド３１に対応して形成され、第１の
ビルドアップ形成面３側でランド３１を外方に臨ませ
る。また、これらのビア１６は、絶縁性誘電材に感光性
樹脂を用いた場合、所定のパターンに形成されたマスク
を第１の絶縁層１０上に形成し、フォトリソグラフ法に
より形成されるが、この方法に限定されることなく、そ
の他適宜な方法によっても形成される。
【００９１】次に、ビア１６が形成された第１の絶縁層
１０の表面に溝形成工程ｓ−８を施すことによって、第
１の配線パターン１４を形成するため溝を形成する。
【００９２】そして、この第１の配線パターン１４を形
成するための溝を形成する際は、先ず、図１５に示すよ
うに、第１の絶縁層１０上に、第１の配線パターン１４
が形成される部分を開口するマスク３２をパターン形成
する。このマスク３２は、第１の絶縁層１０をエッチン
グするために形成されており、例えばレジスト膜等でマ
スキングされるが、これに限定されることはなく反応性
イオンエッチング（Reactive Ion Etching）等のドライ
エッチングが可能な金属膜等でマスキングされても良
い。
【００９３】次に、マスク３２が形成された第１の絶縁
層１０に対してエッチング処理を施す。次に、エッチン
グが施された第１の絶縁層１０上に形成されたマスク３
２を取り去る。
【００９４】以上のようにして、図１６に示すように、
第１の絶縁層１０の表面に所定の深さの溝部３３が形成
される。この溝部３２の深さが、後の工程で形成される
第１の配線パターン１４の厚みとなる。
【００９５】次に、図１７に示すように、溝部３３が形
成された第１の絶縁層１０の表面に、下地膜成膜工程ｓ
−９を施す。この下地膜成膜工程ｓ−９によって、第１
の配線パターン１４の密着性を向上させる下地膜３４が
第１の絶縁層１０の表面に成膜される。この下地膜３４
は、例えばＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等のバリアメタルをスパッ
タリング法や蒸着法等によって成膜されてなる。
【００９６】次に、図１８に示すように、第１の配線パ
ターン形成工程ｓ−１０によって、下地膜３４が成膜さ
れた第１の絶縁層１０上に例えばＣｕ等からなる第１の
配線パターン１４を形成する。これにより、第１のビル
ドアップ形成面３上に第１の配線パターン１４が第１の
絶縁層１０を介して形成されている第１の高周波層１５
となる。
【００９７】このとき、第１の配線パターン１４は、第
１の絶縁層１０の厚みより厚く形成されると、ビア１６
をＣｕで埋め込んだ状態にすることができる。この場
合、後の第２のビルドアップ形成面形成工程ｓ−１１で
第２のビルドアップ形成面１５ａが高精度に平坦化され
ると、第２のビルドアップ形成面１５ａに露出すること
となるビア１６の端部表面までも高精度に平坦化するこ
とができる。なお、このような厚みが厚い第１の配線パ
ターン１４は、例えばメッキ法等によって形成されるこ
とが望ましい。
【００９８】一方、第１の絶縁層１０の厚みより薄く第
１の配線パターン１４を形成すると、ビア１６をＣｕで
埋め込むことが困難となるが、後の第２のビルドアップ
形成面形成工程ｓ−１１で第２のビルドアップ形成面１
５ａを形成するために第１の配線パターン１４を研磨す
る際に、その研磨量を少なくすることができる。なお、
このような薄い第１の配線パターン１４は、例えばスパ
ッタリング法や、ＣＶＤ（Chemical Vapor depositio
n）法等によって形成されることが望ましい。
【００９９】次に、図１９に示すように、第１の高周波
層１５に対して、第２のビルドアップ形成面形成工程ｓ
−１１を施すことによって精度に平坦化された第２のビ
ルドアップ形成面１５ａが形成される。具体的に、第２
のビルドアップ形成面１５ａは、第１の高周波層１５の
最上層の主面に対して第１の絶縁層１０が露出するまで
研磨加工を施すことによって形成される。
【０１００】この第２のビルドアップ形成面１５ａを形
成する研磨加工は、適宜な研磨法によって行われるが、
その中でも特に化学的機械的研磨（以下、ＣＭＰ：Chem
ical-Mechanical Polishingと称する。）法によって行
われることが好ましい。このＣＭＰ法は、Ｃｕだけを選
択的に研磨するとともに、第１の配線パターン１４のグ
ランド部３５等に研磨加工によって生じる虞のあるディ
ッシング（凹み）を防止しながら研磨することが可能で
ある。
【０１０１】次に、第１の配線パターン１４には、受動
素子形成工程ｓ−１２が施されて、キャパシタ１１、レ
ジスタ１２等の受動素子が形成される。
【０１０２】これらの受動素子を第１の配線パターン１
４に形成する際は、先ず、図２０に示すように、第２の
ビルドアップ形成面１５ａ全面に窒化タンタル（Ｔａ
Ｎ）膜３６を成膜する。このＴａＮ膜３５は、陽極酸化
することによってキャパシタ１１となる酸化タンタル
（ＴａＯ）誘電体膜のベース膜である。このＴａＮ膜３
６の成膜方法は、例えば２０００Å程度の厚みに成膜が
可能なスパッタリング法等が好ましい。
【０１０３】次に、図２１に示すように、第２のビルド
アップ形成面１５ａ上に成膜されたＴａＮ層３６を所望
の部分だけ陽極酸化させるために、ＴａＮ層３６上にマ
スク３７を形成する。これにより、マスク３６の開口部
３７から外方に臨むＴａＮ層３６だけが陽極酸化される
こととなる。
【０１０４】次に、マスク３７の開口部３８から外方に
臨むＴａＮ層３６に対して、陽極酸化処理を施す。この
陽極酸化処理は、例えばホウ酸化アンモニウム等の電解
液中でＴａＮが陽極となるように５０〜２００Ｖの電圧
が印加されることにより、ＴａＮ層３６が酸化されて、
ＴａＯ層３９を形成する。なお、ＴａＮに印加される電
圧は、ＴａＯ層３９を所定の厚みに形成するために調整
可能である。
【０１０５】次に、図２２に示すように、陽極酸化処理
が施されたＴａＮ層３６上に形成されたマスク３７を取
り去る。これにより、ＴａＮ層３６の表面が選択的に酸
化されたＴａＯ層３９をキャパシタ１１の誘電体材料と
することができる。
【０１０６】次に、図２３に示すように、ＴａＮ層３６
に対して、キャパシタ１１及びレジスタ１２の形成部位
をレジスト等でマスキングした状態でドライエッチング
等を施す。これにより、キャパシタ１１及びレジスタ１
２に用いられるＴａＮ層３６を同時にパターン形成する
ことができる。
【０１０７】以上のようにして、第１の配線パターンに
キャパシタ１１、レジスタ１２等の受動素子が形成され
る。
【０１０８】次に、図２４に示すように、キャパシタ１
１に対して、上電極成膜工程ｓ−１３を施すことによっ
て上電極４０を成膜する。この上電極４０は、例えばＡ
ｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ等の金属材料を、密着性を向上さ
せるためのＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等の下地層を介して成膜さ
れてなる。例えば、上電極４０の材料にＡｌ、Ｃｕを用
いた場合、上電極４０は、スパッタリング法等により２
０００Å程度の厚みに成膜された後に、マスキング及び
エッチング等によって所定のパターン形状に成膜され
る。また、リフトオフ法等によって成膜することも可能
である。
【０１０９】次に、第２のビルドアップ形成面１５ａ上
に第２の絶縁層形成工程ｓ−１４が施されることによっ
て、絶縁性誘電材からなる第２の絶縁層１７を形成す
る。第２の絶縁層１７となる絶縁性誘電材には、ベース
基板５及び第１の絶縁層１０と同様に低誘電率で低いＴ
ａｎδ、すなわち高周波特性に優れ且つ耐熱性や耐薬品
性に優れた材料が用いられる。具体的には、絶縁性誘電
材に例えばベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミ
ド、ポリノルボルネン（ＰＮＢ）、液晶ポリマ（ＬＣ
Ｐ）或いはエポキシ樹脂やアクリル系樹脂等が用いられ
る。
【０１１０】この第２の絶縁層１７は、高精度に平坦化
された第２のビルドアップ形成面１５ａ上に形成されて
いることから、その表面が平坦化されると共に、均一な
厚みの層にされる。なお、第２の絶縁層１７は、第１の
絶縁層１０と同様の方法によって第２のビルドアップ形
成面１５ａ上に形成される。
【０１１１】次に、図２５に示すように、第２のビルド
アップ形成面１５ａ上に形成された第２の絶縁層１７に
対して、複数のビア２０が形成される。これらのビア２
０は、第２のビルドアップ形成面１５ａに露出している
ビア１６、キャパシタ１１に成膜された上電極４０及び
第１の配線パターン１４が有するランド１４ａ等に対応
して形成され、これらのビア１６、上電極４０、ランド
１４ａを外方に臨ませる。
【０１１２】また、これらのビア２０では、フォトリソ
グラフ法によって形成される場合、第２の絶縁層１７の
平坦化された表面上に焦点のばらつきによるパターンの
解像度劣化を生ずることなくマスクを形成できることか
ら、精度良く形成することができる。なお、ビア２０
は、フォトリソグラフ法により形成されることに限定さ
れることなく、その他適宜な方法によっても形成されて
も良い。
【０１１３】次に、第２の絶縁層１７上に、第２の配線
パターン形成工程ｓ−１５によって第２の配線パターン
１８を形成する。
【０１１４】この第２の配線パターン１８を第２の絶縁
層１７上に形成する際は、先ず、図２６に示すように、
第２の絶縁層１７の平坦化された表面上に第２の配線パ
ターン１８の密着性を向上させるＣｕやＮｉからなる下
地膜４１をスパッタリング法等により２５０〜５０００
Åの厚みに成膜する。
【０１１５】次に、図２７に示すように、下地膜４１が
成膜された第２の絶縁層１７上にフォトリソグラフ法に
よって、第２の配線パターン１８が形成される部分を開
口する厚み１２μｍ程度のマスク４２をパターン形成す
る。このとき、マスク４２は、平坦化された第２の絶縁
層の表面に形成されることから、寸法のずれが抑制され
たパターンとなる。なお、マスク４２は、フォトリソグ
ラフ法によって形成されることに限定されることなく、
その他適宜な方法や材質によって形成されても良い。
【０１１６】次に、図２８に示すように、マスク４２が
形成された第２の絶縁層１７上に例えばメッキ法等によ
って厚み１０μｍ程度のＣｕ層４３を形成する。
【０１１７】次に、図２９に示すように、マスク４２を
第２の絶縁層１７上から除去するとともに、マスク４２
を除去した後に露出する下地膜４１もエッチング等を施
すことにより除去する。
【０１１８】以上のようにして、第２の絶縁層１７上に
第２の配線パターン１８が形成される。これにより、第
２のビルドアップ形成面１５ａ上には、第２の配線パタ
ーン１８が第２の絶縁層１７を介して形成された第２の
高周波層１９が備えられる。
【０１１９】第２の配線パターン１８においては、パタ
ーンの寸法のずれが抑制されたマスク４２によってパタ
ーン配線されていることから、精度良く形成することが
できる。また、この第２の配線パターン１８は、一部に
インダクタ１３が形成されており、このインダクタ１３
が低周波数でも十分に機能するように５μｍ以上の厚み
に形成されている。以上のような工程を経ることによっ
て、ベース基板部２上に高周波回路部４を作製すること
ができる。
【０１２０】次に、図３０に示すように、高周波回路部
４の表面全面及びベース基板部２の第４の配線層９ａが
露出している面全面に永久レジスト層４４ａ、４４ｂを
形成する。このとき、永久レジスト層４４ａ、４４ｂに
は、フォトリソグラフ法等により所定の位置に開口部４
５ａ、４５ｂが設けられる。一方の開口部４５ａは、第
２の配線パターン１８が外法に臨むようになされ、他方
の開口部４５ｂは、第４の配線層９ａが外方に臨むよう
になされている。そして、この第４の配線層９ａは、マ
ザー基板９３に電気的に接続される入出力端子部３０と
なる。
【０１２１】次に、図３１に示すように、これら開口部
４５ａ、４５ｂにＡｕやＮｉからなる電極端子４６ａ、
４６ｂをメッキ法等により形成する。以上のようにし
て、モジュール基板１を作製することができる。
【０１２２】以上のように作製されたモジュール基板１
は、厚みばらつきが抑制されたベース基板部２の高精度
に平坦化された第１のビルドアップ形成面３上にビルド
アップ形成された第１の高周波層１５、及び第１の高周
波層１５の平坦化された第２のビルドアップ形成面１５
ａ上にビルドアップ形成された第２の高周波層１９の厚
みばらつきが抑制されていることから、全体の厚みばら
つきが抑制され、且つ全体を平坦化することができる。
【０１２３】また、このモジュール基板１では、高精度
に平坦化された第１のビルドアップ形成面３上にビルド
アップ形成された第１の配線パターン１４及び、平坦化
された第２のビルドアップ形成面１５ａ上にビルドアッ
プ形成された第２の配線パターン１８がフォトリソグラ
フ法で形成された場合、配線のパターンニング像の焦点
ばらつきが抑制されることから、配線のパターンニング
精度を向上させることができる。
【０１２４】したがって、モジュール基板１では、全体
の厚みのばらつきが抑制され、且つ全体に平坦化されて
いると共に、第１の配線パターン１４及び第２の配線パ
ターン１８の配線のパターンニング精度が向上している
ことから、小面積化、薄型化、小型化を図ることができ
る。
【０１２５】さらに、このモジュール基板１では、平坦
化された第１のビルドアップ形成面３及び第２のビルド
アップ形成面１５ａ上に形成されるビア１６、２０を配
線のパターンニングと同様にフォトリソグラフ法によっ
て精度良く形成することができる。これにより、このモ
ジュール基板１では、ビア１６、２０が径寸法にばらつ
きが抑制され、適切に形成されることから、小面積化を
図ることができる。
【０１２６】さらにまた、このモジュール基板１は、第
２のビルドアップ形成面１５ａに露出しているビア１６
の端面までも画一な平坦面となるように、第２のビルド
アップ形成面１５ａが平坦化されている。これにより、
このモジュール基板１では、第２のビルドアップ形成面
１５ａに露出しているビア１６の端面上にビア２０を形
成することが可能なことから、ビア２０の形成位置に制
限を受けることなく小面積化を図ることができる。
【０１２７】さらにまた、このモジュール基板１では、
第２のビルドアップ形成面１５ａの形成方法と同様にし
て、第２の高周波層１９の最上層の主面を高精度に平坦
化して第３のビルドアップ形成面を形成することができ
る。そして、このことを順次繰り返すことにより、この
モジュール基板１では、高周波回路部４において、一部
を受動素子とする配線パターンを３層以上の多層に亘っ
て精度良く形成することができる。
【０１２８】さらにまた、このモジュール基板１では、
ベース基板部２のベース基板５及び高周波回路部４の絶
縁層等を比較的廉価な有機材料によって形成することが
可能なことから、材料コストを大幅に低減することがで
きる。
【０１２９】そして、以上のようにして製造されたモジ
ュール基板１は、上述したように高周波回路部４の実装
面４ａ上に、電極端子４６ａを介して高周波ＩＣ９０や
チップ部品９１がフリップチップ実装法等の適宜の実装
方法によって搭載される。また、モジュール基板１は、
ベース基板部２のマザー基板実装面２ａが、電極端子４
６ｂを介してフリップチップ実装法や半田ボール等によ
りマザー基板９３に搭載される。モジュール基板１は、
高周波ＩＣ９０等を実装した状態において、電磁ノイズ
の影響を排除するためのシールドカバー９２が組み付け
られて高周波回路部４の実装面４ａが覆われて高周波モ
ジュール装置９４を構成する。
【０１３０】ところで、高周波モジュール装置９４にお
いては、上述したようにモジュール基板１の高周波回路
部４をシールドカバー９２によって被覆した構造である
ことから、高周波回路部４の実装面４ａ上に実装された
高周波ＩＣ９０やチップ部品９１から発生した熱がシー
ルドカバー９２内に籠もって特性に悪影響を及ぼすこと
がある。したがって、高周波モジュール装置９４には、
適宜の放熱構造を設けることが好ましい。
【０１３１】図３２に示した高周波モジュール装置９５
は、発熱量が大きな高周波ＩＣ９０の上面とシールドカ
バー９２の内面との間に熱伝導性樹脂材８０を充填して
放熱構造を構成してなる。高周波モジュール装置９５に
おいては、高周波ＩＣ９０からの発熱が熱伝導性樹脂材
８０を介してシールドカバー９２へと伝達され、このシ
ールドカバー９２を介して放熱されることで熱が内部に
籠もって特性に悪影響を及ぼすことが防止される。な
お、高周波モジュール装置９５においては、比較的大型
の高周波ＩＣ９０を熱伝導性樹脂材８０とシールドカバ
ー９２とによって保持することで、機械的な実装剛性の
向上も図られるようになる。
【０１３２】図３３に示した高周波モジュール装置９６
は、高周波ＩＣ９０やチップ部品９１から発生する熱を
さらに効率的に放熱するように構成してなり、上述した
熱伝導性樹脂材８０に加えて高周波ＩＣ９０の搭載領域
に対応してベース基板部２と高周波回路部４とに連通す
る多数の冷却用ビアホール８１が形成されてなる。各冷
却用ビアホール８１は、ベース基板部２や高周波回路部
４に上述した回路接続用の各ビアホールを形成する際に
同様の工程によって形成される。
【０１３３】高周波モジュール装置９６においては、高
周波ＩＣ９０から発生した熱が、上述したように熱伝導
性樹脂材８０を介してシールドカバー９２から放熱され
るとともに、冷却用ビアホール８１を介してベース基板
部２の底面に伝達されて外部へと放熱される。高周波モ
ジュール装置９６は、モジュール基板１の上下からの放
熱が行われることでより効率的な放熱が行われるように
なる。なお、高周波モジュール装置９６は、冷却用ビア
ホール８１のみによって放熱構造を構成するようにして
も良い。また、高周波モジュール装置９６は、例えばベ
ース基板５に形成される銅箔部８２が例えば５０ｎｍと
厚みを大きくして形成したものを用いるようにし、この
銅箔部８２に対して冷却用ビアホール８１がそれぞれ接
続されるようにすることによってベース基板５からの放
熱が行われるようにしても良い。
【０１３４】図３４に示した高周波モジュール装置９７
は、ベース基板８３に例えば銅やアロイ等の導電性が良
好なメタルコアを有するベース基板部２上に高周波回路
部４が形成されている。高周波モジュール装置９７は、
このベース基板８３に対して上述した多数の冷却用ビア
ホール８１がそれぞれ接続されるように構成されてい
る。高周波モジュール装置９７においては、冷却用ビア
ホール８１を介してベース基板８３からの放熱も行わ
れ、上述した放熱用の熱伝導性樹脂材８０や冷却用ビア
ホール８１の構成とによってさらに効率的な放熱が行わ
れるようになり信頼性の向上が図られる。
【０１３５】上述した実施の形態において、ベース基板
中間体２３を作製し、この両主面に第３の樹脂付銅箔２
４及び第４の樹脂付銅箔２５とを接合した構造のベース
基板部２について説明したが、この高周波モジュール１
は、図３５に示す第２のベース基板部作製方法を用いて
作製されるベース基板部６０上に高周波回路部４が形成
された構造を有していても良い。
【０１３６】ここで第２のベース基板部作製方法につい
て説明する。図３５に示したベース基板部６０の製作工
程は、２枚の両面基板６１ａ、６１ｂを用いて上述した
ベース基板部２と同様のベース基板部６０が製作され
る。なお、ベース基板部６０の製作工程は、個別の工程
を上述したベース基板部２の各製作工程と同様とするこ
とから、その詳細な説明を省略する。
【０１３７】このベース基板６０を作製する際は、先
ず、図３５（ａ）に示す両面基板６１に対して、その表
裏主面の導体部６２ａ、６２ｂにフォトリソグラフ処理
を施すことにより所定のパターンニングを行い、エッチ
ングにより同図（ｂ）に示すように所定の回路パータン
６３ａ、６３ｂを形成する。
【０１３８】次に、同図（ｃ）に示すように、所定の回
路パターン６３ａ、６３ｂが形成された２枚の両面基板
６１ａ、６１ｂを例えば中間樹脂材６４を介して接合す
る。
【０１３９】次に、同図（ｄ）に示すように、両面基板
６１ａ、６１ｂの各回路パータン６３ａ、６３ｂについ
てビア接続を行ってベース基板中間体６５を製作する。
【０１４０】次に、同図（ｅ）に示すように、ベース基
板中間体６５の表裏主面にそれぞれ熱プレスにより第１
の樹脂付銅箔６６と第２の樹脂付銅箔６７とを接合して
ベース基板被研磨体６８を作製し、このベース基板被研
磨体６８の両主面に対して研磨加工を施す。
【０１４１】次に、同図（ｆ）に示すように、第１の両
面基板６１ａ及び第２の両面基板６１ｂ側のそれぞれの
回路パータン６３ａ、６３ｂが外方に露出するまで、ベ
ース基板被研磨体６８に対して研磨加工を施す。これに
より、第１の樹脂付銅箔６６側の最上層の主面が高度に
平坦化されたビルドアップ形成面６０ａとなり、第２の
樹脂付銅箔６７側の最上層の主面が高度に平坦化された
マザー基板実装面６０ｂとなる。
【０１４２】以上のようにして、両主面が高度に平坦化
されたベース基板部６０を製作することができる。な
お、第２のベース基板部作製工程で作製されたベース基
板部６０は、第１の樹脂付銅箔６６側の主面をビルドア
ップ形成面６０ａにしたが、このことに限定されること
はなく、第２の樹脂付柄銅箔６７側をビルドアップ形成
面としても良い。この場合、ベース基板部６０では、第
１の樹脂付銅箔６６側の最上層の主面がマザー基板実装
面となる。
【０１４３】以上、２枚の両面基板６１ａ、６１ｂを用
いて作製されるベース基板部６０について説明したが、
この高周波モジュール１は、図３６に示す第３のベース
基板部作製方法を用いて作製されるベース基板部７０上
に高周波回路部４が形成された構造を有していても良
い。
【０１４４】ここで第３のベース基板部作製方法につい
て説明する。図３６に示したベース基板部７０の製作工
程は、例えば上述した第２の実施の形態によって製作さ
れた同図（ａ）に示すベース基板中間体６５について、
ディップコート法によって液状樹脂材７１を塗布する工
程を特徴としている。なお、ベース基板部７０の製作工
程は、個別の工程を上述したベース基板部２の各製作工
程と同様とすることから、その詳細な説明を省略する。
【０１４５】このベース基板部７０を作製する際は、先
ず、適当な溶媒によって溶かされた液状樹脂材７１がデ
ィップ槽７２内に貯められおり、同図（ｂ）に示すよう
にこのディップ槽７２内にベース基板中間体６５を浸け
る。
【０１４６】次に、ベース基板中間体６５を所定の時間
浸漬した後に、所定の引上げ速度でディップ槽７２から
取り出す。これにより、同図（ｃ）に示すように、ベー
ス基板中間体６５の表裏主面に液状樹脂材７１の樹脂層
７３ａ、７３ｂが同時に形成される。
【０１４７】次に、このようにして樹脂層７３ａ、７３
ｂが形成されたベース基板中間体６５を水平状態に保持
してベーキング処理を施し、余分な有機成分を蒸発さ
せ、ベース基板被研磨体７４を作製する。
【０１４８】次に、同図（ｄ）に示すように、ベース基
板被研磨体７４の樹脂層７３ａ及び樹脂層７３ｂに対し
て、回路パータン６３ａ及び６３ｂが外方に露出するま
で研磨加工を施す。これにより、樹脂層７３ａ側の最上
層の主面が高度に平坦化されたビルドアップ形成面７０
ａとなり、樹脂層７３ｂ側の最上層の主面が高度に平坦
化されたマザー基板実装面７０ｂとなる。
【０１４９】以上のようにして、ベース基板部７０を製
作することができる。なお、第３のベース基板部作製工
程で作製されたベース基板部７０は、樹脂層７３ａ側の
主面をビルドアップ形成面７０ａにしたが、このことに
限定されることはなく、樹脂層７３ｂ側をビルドアップ
形成面としても良い。この場合、ベース基板部７０で
は、樹脂層７３ａ側の最上層の主面がマザー基板実装面
となる。
【０１５０】このベース基板７０の製作工程において
は、液状樹脂材７１の濃度、浸漬時間或いは引上げ速度
を制御することによって樹脂層７３ａ、７３ｂの膜厚精
度を得ることが可能とされる。
【０１５１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、研磨することによってベース基板部の両主面が
それぞれ平坦化され、これら平坦化されたベース基板部
の両主面の何れか一方をビルドアップ形成面とし、この
ビルドアップ形成面上に高周波回路部がビルドアップ形
成された構造を有していることから、このビルドアップ
形成面上に配線パターンや受動素子部を精度良く形成す
ることができる。これにより、本発明によれば、高精度
に平坦化されたビルドアップ形成面上に形成される配線
パターンや受動素子部の形成精度が向上することによっ
て高周波回路部の厚みのばらつきが抑制されることか
ら、高周波モジュール用基板装置及び高周波モジュール
装置の薄型化、小型化を図ることができる。
【０１５２】本発明によれば、ベース基板部のビルドア
ップ形成面が高精度に平坦化されていることから、この
ビルドアップ形成面上に形成される高周波回路部が有す
るビアを精度良く形成することができる。また、本発明
によれば、高周波回路部において、第２のビルドアップ
形成面の形成方法と同様にして最上層の主面を高精度に
平坦化することが可能であり、このことを繰り返すこと
によって配線部を構成する配線パターン及び受動素子部
を３層以上の多層に亘って精度良く形成することができ
る。また、本発明によれば、ベース基板部や高周波回路
部を構成する絶縁層及び誘電絶縁層が比較的廉価な有機
材料によって形成されることから、材料コストの大幅な
低減を図ることができる。したがって、本発明によれ
ば、小面積化、薄型化、小型化、低コスト化が図られた
高周波モジュール用基板装置及び高周波モジュール装置
を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る高周波モジュール用基板装置を実
装した高周波モジュール装置の要部縦断面図である。
【図２】同高周波モジュール装置に実装される高周波モ
ジュール用基板装置のベース基板部作製工程図である。
【図３】同高周波モジュール用基板装置におけるベース
基板部の作製工程を説明するため図であり、ベース基板
の縦断面図である。
【図４】同高周波モジュール用基板装置におけるベース
基板部の作製工程を説明するため図であり、ベース基板
に第１及び第２の配線層が形成された状態を示す縦断面
図である。
【図５】同高周波モジュール用基板装置におけるベース
基板部の作製工程を説明するため図であり、第１及び第
２の樹脂付銅箔が接合される状態を示す縦断面図であ
る。
【図６】同高周波モジュール用基板装置におけるベース
基板部の作製工程を説明するため図であり、樹脂層にビ
アが形成された状態を示す縦断面図である。
【図７】同高周波モジュール用基板装置におけるベース
基板部の作製工程を説明するため図であり、ベース基板
中間体を示す縦断面図である。
【図８】同高周波モジュール用基板装置におけるベース
基板部の作製工程を説明するため図であり、第３及び第
４の樹脂付銅箔が接合される状態を示す縦断面図であ
る。
【図９】同高周波モジュール用基板装置におけるベース
基板部の作製工程を説明するため図であり、ベース基板
被研磨体を示す縦断面図である。
【図１０】同高周波モジュール用基板装置におけるベー
ス基板部の作製工程を説明するため図であり、両面研磨
加工装置によってベース基板被研磨体の両主面に研磨加
工が施されている状態を示す縦断面図である。
【図１１】同高周波モジュール用基板装置におけるベー
ス基板部の作製工程を説明するため図であり、完成した
ベース基板部を示す縦断面図である。
【図１２】同ベース基板部における第１のビルドアップ
形成面の凹凸状態を等高線で示した平面図である。
【図１３】同高周波モジュール装置に実装される高周波
モジュール用基板装置の高周波回路部作製工程図であ
る。
【図１４】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、ベース基
板部の第１のビルドアップ形成面に第１の絶縁層が形成
された状態を示す縦断面図である。
【図１５】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、第１の絶
縁層にマスクが形成された状態を示す縦断面図である。
【図１６】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、第１の絶
縁層に溝部が形成された状態を示す縦断面図である。
【図１７】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、第１の絶
縁層に下地膜が成膜された状態を示す縦断面図である。
【図１８】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、第１の絶
縁層に第１の配線パターンが形成された状態を示す縦断
面図である。
【図１９】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、ベース基
板部に第２のビルドアップ形成面を有する第１の高周波
層が形成された状態を示す縦断面図である。
【図２０】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、第２のビ
ルドアップ形成面に窒化タンタル膜が成膜された状態を
示す縦断面図である。
【図２１】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、窒化タン
タル膜上にマスクが形成された状態を示す縦断面図であ
る。
【図２２】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、窒化タン
タル膜上のマスクが除去された状態を示す縦断面図であ
る。
【図２３】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、第２のビ
ルドアップ形成面上に受動素子が形成された状態を示す
縦断面図である。
【図２４】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、キャパシ
タに上電極が形成された状態を示す縦断面図である。
【図２５】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、第２のビ
ルドアップ形成面上に第２の絶縁層が形成された状態を
示す縦断面図である。
【図２６】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、第２の絶
縁層に下地膜が形成された状態を示す縦断面図である。
【図２７】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、第２の絶
縁層にマスクが形成された状態を示す縦断面図である。
【図２８】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、第２の絶
縁層状にＣｕ層を形成した状態を示す縦断面図である。
【図２９】同高周波モジュール用基板装置における高周
波回路部の作製工程を説明するため図であり、第２のビ
ルドアップ形成面上に第２の高周波層を形成した状態を
示す縦断面図である。
【図３０】同高周波モジュール用基板装置の製造工程を
説明するため図であり、永久レジスト層を形成した状態
を示す縦断面図である。
【図３１】同高周波モジュール用基板装置の製造工程を
説明するため図であり、完成した高周波モジュール用基
板装置を示す縦断面図である。
【図３２】放熱構造を備えた高周波モジュール装置の要
部縦断面図である。
【図３３】他の放熱構造を備えた高周波モジュール装置
の要部縦断面図である。
【図３４】他の放熱構造を備えた高周波モジュール装置
の要部縦断面図である。
【図３５】ベース基板部の他の製造方法を説明するため
の図であり、同図（ａ）は両面基板を示す縦断面図、同
図（ｂ）は回路パターンが形成された状態を示す縦断面
図、同図（ｃ）は両面基板同士を接合する状態を示す縦
断面図、同図（ｄ）はベース基板中間体を示す縦断面
図、同図（ｅ）はベース基板被研磨体を示す縦断面図、
同図（ｆ）はベース基板部を示す縦断面図である。
【図３６】ディップコート法によるベース基板部の製造
方法を説明するための図であり、同図（ａ）はベース基
板中間体を示す縦断面図、同図（ｂ）はベース基板中間
体に液状樹脂材をディップコートしている状態を示す
図、同図（ｃ）はベース基板被研磨体を示す縦断面図、
同図（ｄ）はベース基板部を示す縦断面図である。
【図３７】スーパーへテロダイン方式による高周波送受
信回路の構成図である。
【図３８】ダイレクトコンバージョン方式による高周波
送受信回路の構成図である。
【図３９】従来の高周波モジュール基板に備えられるイ
ンダクタ部の説明図であり、同図（ａ）は要部斜視図、
同図（ｂ）は要部縦断面図である。
【図４０】同高周波モジュール基板のベース基板にシリ
コン基板を用いた構成を示した縦断面図である。
【図４１】同高周波モジュール基板のベース基板にガラ
ス基板を用いた構成を示した縦断面図である。
【図４２】同高周波モジュール基板をインターポーザ基
板に実装したパッケージの縦断面図である。
【図４３】シリコン基板における高周波素子層が形成さ
れる面の凹凸状態を等高線で示した平面図である。
【符号の説明】
１ 高周波モジュール用基板装置、２，６０，７０ ベ
ース基板部、２ａ マザー基板実装面、３ 第１のビル
ドアップ形成面、４ 高周波回路部、４ａ 実装面、
５、８３ ベース基板、６ 第１の配線層、７ 第２の
配線層、８ 第１の樹脂付銅箔、８ａ 第３の配線層、
９ 第２の樹脂付銅箔、９ａ 第４の配線層、１０ 第
１の絶縁層、１１ キャパシタ、１２ レジスタ、１３
インダクタ、１４ 第１の配線パターン、１５ 第１
の高周波層、１５ａ 第２のビルドアップ形成面、１
６，２０，２２ａ，２２ｂ ビア、１７ 第２の絶縁
層、１８第２の配線パターン、１９ 第２の高周波層、
２１，８１ ビアホール、２３ベース基板中間体、２４
第３の樹脂付銅箔、２５ 第４の樹脂付銅箔、２６ベ
ース基板被研磨体、２７ 導電ペースト、２８ａ，２８
ｂ，３８，４５ａ，４５ｂ 開口部、２９ａ，２９ｂ
導電材、３０ 入出力端子部、３１ ランド、３２，３
７，４２ マスク、３３ 溝部、３４，４１ 下地膜、
３５ グランド部、３６ 窒化タンタル膜、３９ Ｔａ
Ｏ膜、４０ 上電極、４３ Ｃｕ層、４４ａ，４４ｂ
永久レジスト層、４６ａ，４６ｂ 電極端子、５０ 両
面研磨加工装置、５１，５２ 定盤、５１ａ，５２ａ
研磨面、５３ａ，５３ｂ 研磨シート、８０ 熱伝導性
樹脂材、８２ 銅箔部、９１ 高周波ＩＣ、９２シール
ドカバー、９３ マザー基板、９４，９５，９６，９７
高周波モジュール装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｔ Ｘ Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｒ Ｆターム(参考） 5E343 AA02 AA12 BB24 BB67 EE43 ER16 ER18 FF23 GG20 5E346 AA12 AA13 AA15 AA32 AA43 CC08 CC32 DD02 DD12 DD22 DD32 DD44 EE33 FF04 FF18 GG15 GG17 GG22 GG28 HH22 HH24

Claims (48)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ベース基板の両主面に絶縁層及び配線層
    が交互且つ多層に形成されると共に、研磨することによ
    ってそれぞれ平坦化された両主面のうち何れか一方をビ
    ルドアップ形成面とするベース基板部と、 上記ベース基板部のビルドアップ形成面上に誘電絶縁層
    と配線部とが交互且つ多層に亘ってビルドアップ形成さ
    れると共に、当該配線部が成膜形成された受動素子部を
    有する配線パターンで形成されてなる高周波回路部とを
    備えることを特徴とする高周波モジュール用基板装置。
  2. 【請求項２】 上記ベース基板部のベース基板は、ポリ
    フェニールエチレン、ビスマレイドトリアジン、ポリイ
    ミド、液晶ポリマ、ポリノルボルネン、ベンゾシクロブ
    テンのうち何れか一種又は複数種を混合して形成された
    両面基板、セラミックと有機材料の混合物によって形成
    された両面基板或いはエポキシ系両面基板から選択され
    る有機基板であることを特徴とする請求項１記載の高周
    波モジュール用基板装置。
  3. 【請求項３】 上記ベース基板部の絶縁層は、ポリフェ
    ニールエチレン、ビスマレイドトリアジン、ポリイミ
    ド、液晶ポリマ、ポリノルボルネン、ベンゾシクロブテ
    ンのうち何れか一種又は複数種を混合した有機材、エポ
    キシ系樹脂材、アクリル系樹脂材のうち何れか一種又は
    複数種を混合することによって形成されることを特徴と
    する請求項１記載の高周波モジュール用基板装置。
  4. 【請求項４】 上記高周波回路部の誘電絶縁層は、ポリ
    フェニールエチレン、ビスマレイドトリアジン、ポリイ
    ミド、液晶ポリマ、ポリノルボルネン、ベンゾシクロブ
    テンのうち何れか一種又は複数種を混合した有機材、エ
    ポキシ系樹脂材、アクリル系樹脂材のうち何れか一種又
    は複数種を混合することによって形成されることを特徴
    とする請求項１記載の高周波モジュール用基板装置。
  5. 【請求項５】 上記高周波回路部の配線部は、銅又は銅
    を含有する金属で形成されることを特徴とする請求項１
    記載の高周波モジュール用基板装置。
  6. 【請求項６】 上記高周波回路部は、上記受動素子とし
    て上記配線部上の所定の位置に成膜された抵抗体層から
    なる抵抗体素子部と、陽極酸化することにより当該抵抗
    体層の一部を酸化して高誘電膜とすることで得られるキ
    ャパシタ素子部とを有することを特徴とする請求項１記
    載の高周波モジュール用基板装置。
  7. 【請求項７】 上記抵抗体層は、窒化タンタル又はタン
    タルであることを特徴とする請求項６記載の高周波モジ
    ュール用基板装置。
  8. 【請求項８】 上記ベース基板部は、上記ビルドアップ
    形成面に対して反対側の主面上に上記配線層を外方に露
    出させる保護層を有していることを特徴とする請求項１
    記載の高周波モジュール用基板装置。
  9. 【請求項９】 上記保護層は、ポリフェニールエチレ
    ン、ビスマレイドトリアジン、ポリイミド、液晶ポリ
    マ、ポリノルボルネン、ベンゾシクロブテンのうち何れ
    か一種又は複数種を混合した有機材、エポキシ系樹脂
    材、アクリル系樹脂材のうち何れか一種又は複数種混合
    した材料、もしくはソルダレジスト材によって形成され
    ることを特徴とする請求項８記載の高周波モジュール用
    基板装置。
  10. 【請求項１０】 上記高周波回路部は、最上層の主面上
    に上記配線部を外方に露出させる保護層を有しているこ
    とを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール用基板
    装置。
  11. 【請求項１１】 上記保護層は、ポリフェニールエチレ
    ン、ビスマレイドトリアジン、ポリイミド、液晶ポリ
    マ、ポリノルボルネン、ベンゾシクロブテンのうち何れ
    か一種又は複数種を混合した有機材、エポキシ系樹脂
    材、アクリル系樹脂材のうち何れか一種又は複数種混合
    した材料、もしくはソルダレジスト材によって形成され
    ることを特徴とする請求項１０記載の高周波モジュール
    用基板装置。
  12. 【請求項１２】 ベース基板の両主面に絶縁層と配線層
    とが交互且つ多層に亘って積層形成されたベース基板部
    を作製する第１の工程と、 上記ベース基板部の両主面のうち何れか一方を平坦化さ
    れたビルドアップ形成面とするために、上記ベース基板
    部の両主面に研磨加工による平坦化処理をそれぞれ施す
    第２の工程と、 上記ベース基板部のビルドアップ形成面上に、誘電絶縁
    層と、成膜形成された受動素子部を有する配線パターン
    が形成されてなる配線部とが交互且つ多層に亘って積層
    形成された高周波回路部をビルドアップ形成する第３の
    工程とを有することを特徴とする高周波モジュール用基
    板装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 上記第１の工程において、ベース基板
    にポリフェニールエチレン、ビスマレイドトリアジン、
    ポリイミド、液晶ポリマ、ポリノルボルネン、ベンゾシ
    クロブテンのうち何れか一種又は複数種を混合して形成
    された両面基板、セラミックと有機材料の混合物によっ
    て形成された両面基板或いはエポキシ系両面基板から選
    択される有機基板を用いることを特徴とする請求項１２
    記載の高周波モジュール用基板装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 上記第１の工程において、上記絶縁層
    をポリフェニールエチレン、ビスマレイドトリアジン、
    ポリイミド、液晶ポリマ、ポリノルボルネン、ベンゾシ
    クロブテンのうち何れか一種又は複数種を混合した有機
    材、エポキシ系樹脂材、アクリル系樹脂材のうち何れか
    一種又は複数種を混合したもので形成することを特徴と
    する請求項１２記載の高周波モジュール用基板装置の製
    造方法。
  15. 【請求項１５】 上記第３の工程において、上記誘電絶
    縁層をポリフェニールエチレン、ビスマレイドトリアジ
    ン、ポリイミド、液晶ポリマ、ポリノルボルネン、ベン
    ゾシクロブテンのうち何れか一種又は複数種を混合した
    有機材、エポキシ系樹脂材、アクリル系樹脂材のうち何
    れか一種又は複数種を混合したもので形成することを特
    徴とする請求項１２記載の高周波モジュール用基板装置
    の製造方法。
  16. 【請求項１６】 上記第３の工程において、上記配線部
    を銅又は銅を含有する金属で形成することを特徴とする
    請求項１２記載の高周波モジュール用基板装置の製造方
    法。
  17. 【請求項１７】 上記第３の工程において、上記配線パ
    ターンとして形成された上記配線部上に抵抗体層を形成
    する工程と、陽極酸化することにより当該抵抗体層の一
    部を酸化して高誘電膜を形成する工程と、抵抗体素子と
    なる位置及びキャパシタ素子となる当該高誘電膜が形成
    された位置以外の当該抵抗体層を除去する工程とを有
    し、 上記受動素子として当該抵抗体素子と当該キャパシタ素
    子とを同時に形成することを特徴とする請求項１２記載
    の高周波モジュール用基板装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 上記第３の工程において、上記抵抗体
    層を窒化タンタル又はタンタルで形成することを特徴と
    する請求項１７記載の高周波モジュール用基板装置の製
    造方法。
  19. 【請求項１９】 上記第３の工程において、上記配線パ
    ターンとして形成された上記配線部上に抵抗体層を形成
    する工程と、陽極酸化することにより当該抵抗体層の表
    面全体を酸化して高誘電膜を形成する工程と、抵抗体素
    子となる位置及びキャパシタ素子となる位置以外の当該
    抵抗体層及び当該高誘電膜を除去する工程とを有し、 上記受動素子として当該高誘電膜で表面が保護された当
    該抵抗体素子と当該キャパシタ素子とを同時に形成する
    ことを特徴とする請求項１２記載の高周波モジュール用
    基板装置の製造方法。
  20. 【請求項２０】 上記第３の工程において、上記抵抗体
    層を窒化タンタル又はタンタルで形成することを特徴と
    する請求項１９記載の高周波モジュール用基板装置の製
    造方法。
  21. 【請求項２１】 上記第１の工程において、上記ベース
    基板部の上記ビルドアップ形成面に対して反対側の主面
    に、上記配線層を外方に露出させる保護層を形成する工
    程を有することを特徴とする請求項１２記載の高周波モ
    ジュール用基板装置の製造方法。
  22. 【請求項２２】 上記第１の工程において、上記保護層
    をポリフェニールエチレン、ビスマレイドトリアジン、
    ポリイミド、液晶ポリマ、ポリノルボルネン、ベンゾシ
    クロブテンのうち何れか一種又は複数種を混合した有機
    材、エポキシ系樹脂材、アクリル系樹脂材のうち何れか
    一種又は複数種混合した材料、もしくはソルダレジスト
    材によって形成することを特徴とする請求項２１記載の
    高周波モジュール用基板装置の製造方法。
  23. 【請求項２３】 上記第３の工程において、上記高周波
    回路部の最上層の主面上に、上記配線部を外方に露出さ
    せる保護層を形成する工程を有することを特徴とする請
    求項１２記載の高周波モジュール用基板装置の製造方
    法。
  24. 【請求項２４】 上記第３の工程において、上記保護層
    をポリフェニールエチレン、ビスマレイドトリアジン、
    ポリイミド、液晶ポリマ、ポリノルボルネン、ベンゾシ
    クロブテンのうち何れか一種又は複数種を混合した有機
    材、エポキシ系樹脂材、アクリル系樹脂材のうち何れか
    一種又は複数種混合した材料、もしくはソルダレジスト
    材によって形成することを特徴とする請求項２３記載の
    高周波モジュール用基板装置の製造方法。
  25. 【請求項２５】 ベース基板の両主面に絶縁層及び配線
    層が交互且つ多層に形成されると共に、研磨することに
    よってそれぞれ平坦化された両主面のうち何れか一方を
    ビルドアップ形成面とするベース基板部と、当該ベース
    基板部のビルドアップ形成面上に誘電絶縁層と配線部と
    が交互且つ多層に亘ってビルドアップ形成されると共
    に、当該配線部が成膜形成された受動素子部を有する配
    線パターンで形成されてなる高周波回路部とによって構
    成された高周波モジュール基板と、 上記高周波回路部の配線部と電気的に接続され、且つ上
    記高周波モジュール基板の上記高周波回路部側の主面上
    に実装された少なくとも１個以上の高周波集積回路素子
    と、 上記高周波モジュール基板の上記ベース基板部側の主面
    側で上記ベース基板部の配線層と電気的に接続され、且
    つ上記高周波モジュール基板を実装するマザー基板とを
    備えることを特徴とする高周波モジュール装置。
  26. 【請求項２６】 上記高周波モジュール基板のベース基
    板部においては、ベース基板が、ポリフェニールエチレ
    ン、ビスマレイドトリアジン、ポリイミド、液晶ポリ
    マ、ポリノルボルネン、ベンゾシクロブテンのうち何れ
    か一種又は複数種を混合して形成された両面基板、セラ
    ミックと有機材料の混合物によって形成された両面基板
    或いはエポキシ系両面基板から選択される有機基板であ
    ることを特徴とする請求項２５記載の高周波モジュール
    装置。
  27. 【請求項２７】 上記高周波モジュール基板のベース基
    板部においては、上記絶縁層が、ポリフェニールエチレ
    ン、ビスマレイドトリアジン、ポリイミド、液晶ポリ
    マ、ポリノルボルネン、ベンゾシクロブテンのうち何れ
    か一種又は複数種を混合した有機材、エポキシ系樹脂
    材、アクリル系樹脂材のうち何れか一種又は複数種を混
    合することによって形成されることを特徴とする請求項
    ２５記載の高周波モジュール装置。
  28. 【請求項２８】 上記高周波モジュール基板の高周波回
    路部においては、上記誘電絶縁層が、ポリフェニールエ
    チレン、ビスマレイドトリアジン、ポリイミド、液晶ポ
    リマ、ポリノルボルネン、ベンゾシクロブテンのうち何
    れか一種又は複数種を混合した有機材、エポキシ系樹脂
    材、アクリル系樹脂材のうち何れか一種又は複数種を混
    合することによって形成されることを特徴とする請求項
    ２５記載の高周波モジュール装置。
  29. 【請求項２９】 上記高周波モジュール基板の高周波回
    路部においては、上記配線部が、銅又は銅を含有する金
    属で形成されることを特徴とする請求項２５記載の高周
    波モジュール装置。
  30. 【請求項３０】 上記高周波モジュール基板の高周波回
    路部においては、上記受動素子として上記配線部上の所
    定の位置に成膜された抵抗体層からなる抵抗体素子部
    と、陽極酸化することにより当該抵抗体層の一部を酸化
    して高誘電膜とすることで得られるキャパシタ素子部と
    を有することを特徴とする請求項２５記載の高周波モジ
    ュール装置。
  31. 【請求項３１】 上記抵抗体層は、窒化タンタル又はタ
    ンタルであることを特徴とする請求項３０記載の高周波
    モジュール装置。
  32. 【請求項３２】 上記高周波モジュール基板は、上記ベ
    ース基板部側の主面上に上記配線層を外方に露出させる
    保護層が形成されることを特徴とする請求項２５記載の
    高周波モジュール装置。
  33. 【請求項３３】 上記保護層は、ポリフェニールエチレ
    ン、ビスマレイドトリアジン、ポリイミド、液晶ポリ
    マ、ポリノルボルネン、ベンゾシクロブテンのうち何れ
    か一種又は複数種を混合した有機材、エポキシ系樹脂
    材、アクリル系樹脂材のうち何れか一種又は複数種混合
    した材料、もしくはソルダレジスト材によって形成され
    ることを特徴とする請求項３２記載の高周波モジュール
    装置。
  34. 【請求項３４】 上記高周波モジュール基板は、上記高
    周波回路部側の主面上に上記配線部を外方に露出させる
    保護層を有していることを特徴とする請求項２５記載の
    高周波モジュール装置。
  35. 【請求項３５】 上記保護層は、ポリフェニールエチレ
    ン、ビスマレイドトリアジン、ポリイミド、液晶ポリ
    マ、ポリノルボルネン、ベンゾシクロブテンのうち何れ
    か一種又は複数種を混合した有機材、エポキシ系樹脂
    材、アクリル系樹脂材のうち何れか一種又は複数種混合
    した材料、もしくはソルダレジスト材によって形成され
    ることを特徴とする請求項３４記載の高周波モジュール
    装置。
  36. 【請求項３６】 ベース基板の両主面に絶縁層と配線層
    とが交互且つ多層に亘って積層形成されたベース基板部
    を作製する第１の工程と、当該ベース基板部の両主面の
    うち何れか一方を平坦化されたビルドアップ形成面とす
    るために、当該ベース基板部の両主面に研磨加工による
    平坦化処理をそれぞれ施す第２の工程と、当該ベース基
    板部のビルドアップ形成面上に、誘電絶縁層と、成膜形
    成された受動素子部を有する配線パターンが形成されて
    なる配線部とが交互且つ多層に亘って積層形成された高
    周波回路部をビルドアップ形成する第３の工程とを経て
    高周波モジュール基板を作製する基板作製工程と、 上記高周波モジュール基板の上記高周波回路部側の主面
    上で上記配線部と少なくとも１個以上の高周波集積回路
    素子とを電気的に接続することによって、上記高周波モ
    ジュール基板に当該高周波集積回路素子を実装する素子
    実装工程と、 上記高周波モジュール基板の上記ベース基板部側の主面
    上で上記配線層とマザー基板とを電気的に接続すること
    によって、当該マザー基板に上記高周波モジュール基板
    を実装する基板実装工程とを有することを特徴とする高
    周波モジュール装置の製造方法。
  37. 【請求項３７】 上記基板作製工程の上記第１の工程に
    おいて、ベース基板にポリフェニールエチレン、ビスマ
    レイドトリアジン、ポリイミド、液晶ポリマ、ポリノル
    ボルネン、ベンゾシクロブテンのうち何れか一種又は複
    数種を混合して形成された両面基板、セラミックと有機
    材料の混合物によって形成された両面基板或いはエポキ
    シ系両面基板から選択される有機基板を用いることを特
    徴とする請求項３６記載の高周波モジュール装置の製造
    方法。
  38. 【請求項３８】 上記基板作製工程の上記第１の工程に
    おいて、上記絶縁層をポリフェニールエチレン、ビスマ
    レイドトリアジン、ポリイミド、液晶ポリマ、ポリノル
    ボルネン、ベンゾシクロブテンのうち何れか一種又は複
    数種を混合した有機材、エポキシ系樹脂材、アクリル系
    樹脂材のうち何れか一種又は複数種を混合したもので形
    成することを特徴とする請求項３６記載の高周波モジュ
    ール装置の製造方法。
  39. 【請求項３９】 上記基板作製工程の上記第３の工程に
    おいて、上記誘電絶縁層をポリフェニールエチレン、ビ
    スマレイドトリアジン、ポリイミド、液晶ポリマ、ポリ
    ノルボルネン、ベンゾシクロブテンのうち何れか一種又
    は複数種を混合した有機材、エポキシ系樹脂材、アクリ
    ル系樹脂材のうち何れか一種又は複数種を混合したもの
    で形成することを特徴とする請求項３６記載の高周波モ
    ジュール装置の製造方法。
  40. 【請求項４０】 上記基板作製工程の上記第３の工程に
    おいて、上記配線部を銅又は銅を含有する金属で形成す
    ることを特徴とする請求項３９記載の高周波モジュール
    装置の製造方法。
  41. 【請求項４１】 上記基板作製工程の上記第３の工程に
    おいて、上記配線パターンとして形成された上記配線部
    上に抵抗体層を形成する工程と、陽極酸化することによ
    り当該抵抗体層の一部を酸化して高誘電膜を形成する工
    程と、抵抗体素子となる位置及びキャパシタ素子となる
    当該高誘電膜が形成された位置以外の当該抵抗体層を除
    去する工程とを有し、 上記受動素子として当該抵抗体素子と当該キャパシタ素
    子とを同時に形成することを特徴とする請求項３６記載
    の高周波モジュール装置の製造方法。
  42. 【請求項４２】 上記基板作製工程の上記第３の工程に
    おいて、上記抵抗体層を窒化タンタル又はタンタルで形
    成することを特徴とする請求項４１記載の高周波モジュ
    ール装置の製造方法。
  43. 【請求項４３】 上記基板作製工程の上記第３の工程に
    おいて、上記配線パターンとして形成された上記配線部
    上に抵抗体層を形成する工程と、陽極酸化することによ
    り当該抵抗体層の表面全体を酸化して高誘電膜を形成す
    る工程と、抵抗体素子となる位置及びキャパシタ素子と
    なる位置以外の当該抵抗体層及び当該高誘電膜を除去す
    る工程とを有し、 上記受動素子として当該高誘電膜で表面が保護された当
    該抵抗体素子と当該キャパシタ素子とを同時に形成する
    ことを特徴とする請求項３６記載の高周波モジュール装
    置の製造方法。
  44. 【請求項４４】 上記基板作製工程の上記第３の工程に
    おいて、上記抵抗体層を窒化タンタル又はタンタルで形
    成することを特徴とする請求項４３記載の高周波モジュ
    ール装置の製造方法。
  45. 【請求項４５】 上記基板作製工程の上記第１の工程に
    おいて、上記ベース基板部の上記ビルドアップ形成面に
    対して反対側の主面に、上記配線層を外方に露出させる
    保護層を形成する工程を有することを特徴とする請求項
    ３６記載の高周波モジュール装置の製造方法。
  46. 【請求項４６】 上記基板作製工程の上記第１の工程に
    おいて、上記保護層をポリフェニールエチレン、ビスマ
    レイドトリアジン、ポリイミド、液晶ポリマ、ポリノル
    ボルネン、ベンゾシクロブテンのうち何れか一種又は複
    数種を混合した有機材、エポキシ系樹脂材、アクリル系
    樹脂材のうち何れか一種又は複数種混合した材料、もし
    くはソルダレジスト材によって形成することを特徴とす
    る請求項４５記載の高周波モジュール装置の製造方法。
  47. 【請求項４７】 上記基板作製工程の上記第３の工程に
    おいて、上記高周波回路部の最上層の主面上に、上記配
    線部を外方に露出させる保護層を形成する工程を有する
    ことを特徴とする請求項３６記載の高周波モジュール装
    置の製造方法。
  48. 【請求項４８】 上記基板作製工程の上記第３の工程に
    おいて、上記保護層をポリフェニールエチレン、ビスマ
    レイドトリアジン、ポリイミド、液晶ポリマ、ポリノル
    ボルネン、ベンゾシクロブテンのうち何れか一種又は複
    数種を混合した有機材、エポキシ系樹脂材、アクリル系
    樹脂材のうち何れか一種又は複数種混合した材料、もし
    くはソルダレジスト材によって形成することを特徴とす
    る請求項４７記載の高周波モジュール装置の製造方法。
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