JPH07106134A - チップフィルター部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、高い減衰特性が得られ、且
つリフロー半田接合による表面実装が可能な実用性の高
く、生産性に優れたいチップフィルター部品を提供す
る。 【構成】 本発明は、絶縁基板１上にスパイラル状の薄
膜技法による第１のコイル導体２と、前記第１のコイル
導体２を被覆する薄膜技法による誘電体層３と、前記誘
電体層３上に、実質的に第１のコイル導体２と対向する
第２のコイル導体４と、前記第２のコイル導体４の他端
４ｂが露出するように形成された絶縁層５と、前記絶縁
層５上に、第２のコイル導体４の他端４ｂに接続する端
子導体６とを重畳したチップフィルター部品である。ま
た、第１乃至第３の端子電極２ａ、４ａ、６ａには、表
面側及び裏面側を接合するための内壁面に端面導体を有
する凹部１３が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、量産性に優れたチップ
フィルター部品に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、図１４の等価回路で示すフィ
ルター部品としては、特開平３−２１１８１０号などに
提案されているように、スパイラル状の第１のコイル導
体を形成したグリーンシートと、スパイラル状の第２の
コイル導体を形成したグリーンシートと、さらに誘電体
層となるグリーンシートを夫々積層して、一体的に焼成
したＬ（インダクタンス）−Ｃ（容量）の分布定数型の
フィルター部品が開示されている。

【０００３】このフィルター部品は、スパイラル状の第
１のコイル導体とスパイラル状の第２のコイル導体との
間に介在された誘電体層で所定容量成分が発生し、例え
ば第１のコイル導体をグランド電位にすることにより、
図１４の等価回路のチップフィルター部品を得ていた。

【０００４】しかし、このようなグリーンシートの積層
によるフィルター部品は、誘電体層がグリーンシートの
焼成によって形成されているため、シートの維持のた
め、その厚みが数百μｍ程度必要であった。このよう
に、誘電体層の厚みが厚いと、高い減衰特性のフィルタ
ー部品を得ようとすると、２つのコイル導体パターンの
対向面積を増加させる必要があり、小型化には適さな
い。

【０００５】また、製造工程中に、各グリーンシートを
積層するための位置合わせを精度良く行う必要があるこ
と、さらに、端子電極を引き出すためにビアホール導体
を設けなくてはならず、ビアホール導体の接続信頼性が
充分に得られなかった。

【０００６】このため、本発明者らは、絶縁基板上に、
薄膜技法または厚膜技法を用いて順次第１のコイル導
体、その一端に接続する第１の端子電極、誘電体層、第
２のコイル導体、その一端に接続する第２の端子電極、
絶縁層、第３の端子電極を有する端子導体を順次積層し
て、他のチップ状電子部品と同時にプリント配線基板に
表面実装できるチップフィルター部品を提案した。

【０００７】例えば、誘電体層の形成方法としては、チ
タン酸バリウムなどの誘電体材料を含む誘電体ペースト
の印刷・乾燥・焼成による形成や、五酸化タンタルなど
をターゲットとして、スパッタリングで形成する。

【０００８】図１５は、厚膜技法を用いて誘電体層を形
成したチップフィルター部品の外観図である。図には示
されていないが、基板１上には、厚膜技法により第１の
コイル導体、誘電体層、第２のコイル導体、絶縁層、端
子導体が形成され、その表面には、絶縁保護膜７が形成
されている。また、基板１の３つの端辺、例えば端辺１
ｚには第１の端子電極２ａが、端辺１ｘには第２の端子
電極４ａが、端辺１ｙには第３の端子電極６ａが形成さ
れている。このチップフィルター部品において、第１の
端子電極２ａ、第２の端子電極４ａ、第３の端子電極６
ａは、各端辺１ｘ〜１ｚの表面、端面、裏面に渡って断
面コ字状に形成されている。

【０００９】このようなチップフィルター部品の製造方
法は、図１６乃至図２７に示すように形成される。

【００１０】まず、図１６に示すように、縦横に絶縁基
板１となる領域１ａを複数区画する分割溝１１、１２を
有する大型基板１０を用意する。

【００１１】次に、図１７に示すように、領域１ａの表
面側には、第１のコイル導体２及びその一端から導出す
る第１の端子の下地導体膜２１ａを、Ａｇなどを導電性
ペーストの印刷・焼成により形成する。尚、各領域の裏
面側には、図１７に現れないが、最終的に第１の端子電
極２ａ、第２の端子電極４ａ、第３の端子電極６ａとな
る裏面側の下地導体膜を同時に印刷・焼成する。

【００１２】次に、図１８に示すように、第１のコイル
導体２を被覆するように誘電体層３を、チタン酸バリウ
ムなどの誘電体材料を含む誘電体ペーストの印刷・乾燥
・焼成により形成する。

【００１３】次に、図１９に示すように、誘電体層３上
に、第１のコイル導体２と実質的に対向するように、第
２のコイル導体４及びその一端から導出する第２の端子
電極４ａの下地導体膜２１ａを、Ａｇなどを導電性ペー
ストの印刷・焼成により形成する。

【００１４】次に、図２０に示すように、第２のコイル
導体４を被覆し、且つ第２のコイル導体４の他端を露出
するように絶縁層５を、ガラスなどの主成分とする絶縁
性ペーストの印刷・乾燥・焼成により形成する。

【００１５】次に、図２１に示すように、絶縁層５上
に、第２のコイル導体４の他端に接続し、その一端が基
板１の端辺１ｙとなる部位に導出して第３の端子電極６
ａの下地導体膜６１ａを有する端子導体６を、Ａｇなど
を導電性ペーストの印刷・焼成により形成する。

【００１６】次に、図２２に示すように、端子導体膜
６、絶縁層５、第２のコイル導体４、、誘電体層３、第
１のコイル導体２を完全に被覆するように、ガラスなど
を主成分とする絶縁性ペーストの印刷・乾燥・焼成によ
り絶縁保護膜７を形成する。

【００１７】次に、図２３に示すように、大型基板１０
を分割溝１１に沿って１次分割を行い、短冊状の基板１
０ａとする。尚、この分割された端面が、基板１の端辺
１ｘ、１ｙとなる。

【００１８】次に、図２４に示すように、１次分割によ
る分割端面に、第２の端子電極４ａ、第３の端子電極６
ａとなる端面下地導体４１ａ、６１ａを、Ａｇなどを導
電性ペーストの印刷・焼成により形成する。これによ
り、第２の端子電極４ａ、第３の端子電極６ａの下地導
体４１ａ、６１ａは、表面、端面、裏面に渡り断面コ字
状となる。

【００１９】次に、図２５に示すように、短冊状の基板
１０ａを分割溝１２に沿って２次分割を行い、基板１と
する。尚、この分割された端面が、基板１の端辺１ｚと
なる。

【００２０】次に、図２６に示すように、２次分割によ
る分割端面に、第１の端子電極２ａとなる端面下地導体
２１ａを、Ａｇなどを導電性ペーストの印刷・焼成によ
り形成する。これにより、第１の端子電極２ａの下地導
体２１ａは、表面、端面、裏面に渡り断面コ字状とな
る。

【００２１】最後に、図２７に示すように、電解メッキ
により、各下地導体２１ａ、４１ａ、６１ａの表面に、
半田食われ防止及び半田濡れ性を向上するためのメッキ
層２２を形成する。

【００２２】また、誘電体層３を薄膜技法で形成する場
合には、誘電体層３を形成した後の各構造物を誘電体層
３が変質しない程度の熱処理しか許容できないため、誘
電体層３を形成した後の各構造物も薄膜技法を用いるこ
とが望ましい。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
高い減衰特性を得るために、厚膜技法や薄膜技法で形成
したチップフィルター部品において、製造工程が煩雑に
なるという問題点を有していた。

【００２４】即ち、図２４に示すように大型基板１０を
１次分割した後に、第２の端子電極４ａ、第３の端子電
極６ａの下地導体４１ａ、６１ａを印刷・焼成して、初
めて第２、第３の端子電極の下地導体が完成し、また、
図２６に示すように短冊状基板１０ａを２次分割した後
に、第１の端子電極２ａの下地導体２１ａを印刷・焼成
して、初めて第１の端子電極の下地導体が完成する。そ
の間には、分割した基板１０ａ、１を、その端面が表面
となるように整列治具に並べ替える作業を行うという手
作業が伴い、生産性を大きく低下させるという問題点が
あった。

【００２５】また、第１の端子電極２ａをも、基板１の
端辺１ｘ及び又は１ｙに導出したとしても、大型基板１
０を１次分割した後の短冊状の基板１０ａの並べ替える
作業が伴うものである。

【００２６】

【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基板上
に、前記絶縁基板の端辺に一端が第１の端子電極として
導出されるスパイラル状の第１のコイル導体と、前記第
１のコイル導体を被覆する誘電体層と、前記第１のコイ
ル導体と誘電体層を介して対向し、且つ前記絶縁基板の
端辺に一端が第２の端子電極として導出されるスパイラ
ル状の第２のコイル導体と、前記第２のコイル導体の少
なくとも他端を露出するようにして形成される絶縁層
と、前記第２のコイル導体の他端に接続し、前記絶縁基
板の端辺に一端が第３の端子電極として導出される端子
導体とを夫々重畳するとともに、前記第１乃至第３の端
子電極の夫々が、前記絶縁基板の端面に設けた凹部を介
して絶縁基板上面から裏面にまで延出されていることを
特徴とするチップフィルター部品。

【００２７】

【作用】本発明によれば、Ｌ−Ｃフィルター構造の容量
成分を得るための誘電体層が薄膜技法で形成されている
ために、第１のコイル導体と第２のコイル導体との間を
薄くできるため、容量成分を大きくすることができ、高
い減衰特性を有するチップフィルター部品となる。

【００２８】また、第１の端子電極、第２の端子電極、
第３の端子電極が、表面側及び裏面側の導体膜の接続
が、その端面に形成した凹部内の端面導体によって行わ
れている。この凹部内の端面導体は、表面側及び又は裏
面側の導体膜を形成する際に、同時に形成することがで
きるため、分割前の大型基板上で処理できる。

【００２９】このため、分割処理した後に端面導体の形
成、即ち、手作業による並べ替えが不要となり、その生
産性は非常に向上する。

【００３０】さらに、誘電体層が薄膜技法で形成される
場合、例えば端子電極の導体を、薄膜形成の前段階で形
成できるため、誘電体層の熱による変質などを防止する
上で有用となる。

【００３１】

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて詳説する。図
１は本発明のチップフィルター部品の斜視図であり、図
２は図１のＸ−Ｘ線断面図である。尚、従来技術と同一
部分は同一符号を付す。

【００３２】図１、図２に示すように、本発明のチップ
フィルター部品は、絶縁基板１、前記絶縁基板１表面に
一端が基板１の端辺１ｚに導出されたスパイラル状の第
１のコイル導体２、前記第１のコイル導体２を被覆する
誘電体層３、該誘電体層３上に一端が基板１の端辺１ｘ
に導出されたスパイラル状の第２のコイル導体４、前記
第２のコイル導体４の他端４ｂを露出するように第２の
コイル導体４を被覆する絶縁層５、該絶縁層５上に一端
が基板１の端辺１ｙに導出し、他端が第２のコイル導体
４の他端４ｂに接続する端子導体６、さらに全体を被覆
する絶縁保護膜７が夫々重畳して形成されている。

【００３３】また、第１のコイル導体２、第２のコイル
導体４、端子導体６の一端は、夫々基板１の端辺１ｚ、
１ｘ、１ｙに導出され、第１の端子電極２ａ、第２の端
子電極４ａ、第３の端子電極６ａとなっている。尚、各
端子電極が導出されている基板１の端辺１ｚ、１ｘ、１
ｙ部分には、基板１の端辺１ｚ、１ｘ、１ｙより内部側
に凹んだ半円形状の凹部１３・・・・が形成されてお
り、この凹部１３の内壁面の端面導体が、表面側の導体
及び裏面側の導体を接続して、断面コ字状となってい
る。導体の構成は、図３に示すように表面側の導体６１
１ａ、凹部１３の内壁面の端面導体６１２ａ、裏面側の
導体６１３ａから成る断面コ字状の下地導体６１ａと、
その表面に被覆されるメッキ層６２ａとから成る。尚、
メッキ層６２ａは、下地導体６１ａ側から例えばＮｉメ
ッキ層、さらに表面の錫メッキ層または半田メッキ層の
２層構造となっている。尚、図３に示す第３の端子電極
６ａ以外の第１の端子電極２ａ、第２の端子電極４ａに
ついても同様の構造となっている。

【００３４】絶縁基板１は、矩形状のセラミック、ガラ
スなどの絶縁材料から成り、図４に示すように、第１の
端子電極２ａ、第２の端子電極４ａ、第３の端子電極６
ａが導出された端辺１ｚ、１ｘ、１ｙには、絶縁基板１
の中央側に窪んだ概略半円形状の凹部１３・・・が形成
されている。また、絶縁基板１上には、図５に示すよう
に、所定ターン数、例えば２ターン分の第１のコイル導
体２が形成されている。

【００３５】第１のコイル導体２は、ＡｇやＣｕなどの
低抵抗材料からなり、スパイラル状の外周部の一端は、
絶縁基板１の一端辺１ｚに延出している。この延出部分
が第１の端子電極２ａとなる。

【００３６】誘電体層３は、チタン酸バリウムなどの高
誘電率の誘電体材料からなり、図７に示すように、前記
第１のコイル導体２を覆うように、基板１の略全面に渡
って形成されている。その厚みは２０μｍ程度である。

【００３７】第２のコイル導体４は、ＡｇやＣｕなどの
低抵抗材料からなり、図８に示すように、第１のコイル
導体２と実質的に対向するように、例えば２ターンのス
パイラル状を成し、その外周部の一端は、絶縁基板１の
一端辺、即ち第１の端子電極２ａが形成される端辺１ｚ
と直交する端辺１ｘに延出している。この延出部分が第
２の端子電極４ａとなる。

【００３８】絶縁層５は、ガラスなどを主成分とする絶
縁材料などから成り、図９に示すように、少なくとも前
記第２のコイル導体４の内周側の他端４ｂを露出するよ
うに、第２のコイル導体４を覆うように形成されてい
る。

【００３９】端子導体６は、ＡｇやＣｕなどの低抵抗材
料からなり、図１０に示すように、前記絶縁層５上に、
前記第２のコイル導体４の露出する他端に接続して、且
つ基板１の一端辺、即ち第２の端子電極４ａが形成され
た端辺１ｘと対向する端辺１ｙに延出するように形成さ
れている。この延出部分が第３の端子電極６ａとなる。

【００４０】絶縁保護膜７は、ガラスなどを主成分とす
る絶縁材料などから成り、図１１に示すように、少なく
とも第３の端子電極６ａ部分を露出して、端子導体６や
絶縁層５や第２のコイル導体４などを覆うように基板１
の略全面に形成されている。

【００４１】上述の各端子電極２ａ、４ａ、６ａにおい
て、第２の端子電極４ａ及び第３の端子電極６ａが、矩
形状の絶縁基板１の対向する１対の端辺１ｘ、１ｙに導
出しており、第１の端子電極２ａは、絶縁基板１の対向
するもう１対の端辺のいずれか一方の端辺１ｚに導出さ
れている。

【００４２】また、端子電極２ａ、４ａ、６ａの下地導
体２１ａ、４１ａ、６１ａは、図３に示す内壁面に端面
導体６１２ａ、表面、裏面の各導体６１１ａ、６１３ａ
から成り、断面コ字状に形成されている。その下地導体
膜２１ａ、４１ａ、６１ａはＡｇなどの導電性ペースト
の印刷・焼成によって形成される。

【００４３】また、下地導体膜２１ａ、４１ａ、６１ａ
の表面を被覆するメッキ層２２ａ、４２ａ、６２ａは、
下地導体膜２１ａ、４１ａ、６１ａが、プリント配線基
板の所定回路パターンと半田接合された時に、半田食わ
れやマイグレーションを防止するとともに、半田の濡れ
性を向上させるものであり、これにより、初めてチップ
部品として、他のチップ状電子部品と同様にリフロー半
田接合による表面実装が可能となる。

【００４４】上述の各端子電極のうち第１の端子電極２
ａはグランド端子となり、第２の端子電極４ａ、第３の
端子電極６ａは夫々入出力端子となる。

【００４５】これにより、第１のコイル導体２と第のコ
イル導体４との間で、誘電体層３が介在されるため、所
定容量成分が発生することになり、この容量成分が夫々
のコイル導体２、４のインダクタンス成分と接続して、
図１４に示す等価回路のチップフィルター部品となる。

【００４６】上述のチップフィルター部品の製造方法を
図４〜図１２を用いて説明すると、先ず、図４に示す大
型基板１０を用意する。大型基板には最終的に分割処理
され、複数の絶縁基板１が抽出できるように縦横に分割
溝１１、１２が形成され、さらに、最終的に分割処理さ
れた後に基板１ｘ、１ｙ、１ｚの第１の端子電極２ａ、
第２の端子電極４ａ、第３の端子電極６ａとなる部位に
半円形状の凹部１３・・・となる貫通穴１３ａ・・・が
形成されている。具体的には、大型基板１０をセラミッ
クで形成する場合、焼成前のグリーンシートをプレス成
型によって分割溝１１、１２及び貫通穴１３ａ・・・を
形成することによって達成される。尚、以下の製造工程
の説明においては、分割溝１１、１２に区分された１つ
の領域１ａのみで説明するが、他の領域においても、同
時に同様な工程が行われる。

【００４７】次に、図５に示すように、領域１ａの表面
側に、約２ターンのスパイラル状の第１のコイル導体２
及び表面側の端子電極２ａとなる下地導体膜２１ａの表
面側導体（図３の６１１ａに相当）を、さらに、図６に
示すように、大型基板１０の裏面側にも端子電極２ａ、
４ａ、６ａとなる下地導体膜２１ａ、４１ａ、６１ａの
裏面側導体（図３の６１３ａに相当）を、夫々に、低抵
抗金属材料、例えばＡｇ系ペーストの印刷・乾燥、焼成
により形成する。ここで、端子電極２ａの下地導体２１
ａの表面側導体（図３の６１１ａに相当）、下地導体２
１ａの裏面側導体（図３の６１３ａに相当）は、分割溝
１２から所定間隔離して、また、第２の端子電極４ａ、
６ａの下地導体４１ａ、６１ａの裏面側導体（図３の６
１３ａに相当）は、分割溝１１から所定間隔離して形成
する。

【００４８】例えば第１の端子電極２ａとなる下地導体
２１ａにおいて、表面側の下地導体２１ａ及び裏面側の
下地導体２１ａを導電性ペーストによって印刷すると、
表面側及び裏面側の両方から貫通穴１３ａの内壁面を伝
って、その内壁面にも印刷されることになる。これによ
り、貫通穴１３ａの内壁面に導体を同時に印刷すること
ができ、結局、表裏両方からの印刷により、断面コ字状
の第１の端子電極２ａの下地導体２１ａとなる。

【００４９】また、第２の端子電極４ａ、第３の端子電
極４ａにおいては、貫通穴１３ａの内壁には、裏面側か
ら印刷した導電性ペーストの流れにる導体が形成される
ことになる。

【００５０】ここで重要なことは、表面側及び裏面側の
下地導体２１ａを形成するにあたり、分割溝１２側の端
部を、貫通穴１３ａ・・・の一部を被い、且つ分割溝１
２から若干離して印刷することである。これは、最終的
に分割処理する際、分割溝にまで下地導体２１ａが被覆
されている場合には、分割時の応力によって下地導体２
１ａが剥離することがあるがこれを防止するためであ
る。また、裏面側のみに形成にした第２の端子電極４ａ
の下地導体４１ａ、第３の端子電極６ａの下地導体６１
ａも、分割溝１１側の端部を、貫通穴１３ａ・・・の一
部を被い、且つ分割溝１１から若干離して印刷する。

【００５１】次に、図７に示すように、第１のコイル導
体２を覆うように、領域１ａの略全面に渡り誘電体層３
を形成する。具体的には、チタン酸バリウムなどを主成
分とする誘電体ペーストを印刷、乾燥、焼成することに
より形成する。

【００５２】次に、図８に示すように、誘電体層３上
に、第１のコイル導体２（図８に被覆されて現れない）
と実質的に対向するように第２のコイル導体４及び第２
のコイル導体４の外周側の一端から延出する第２の端子
電極４ａとなる下地導体膜４１ａの表面側の導体（図３
の６１１ａに相当）を、低抵抗金属材料、例えばＡｇ系
ペーストの印刷・乾燥、焼成により形成する。

【００５３】これにより、第１の端子電極２ａと同様
に、第２の端子電極４ａの下地導体４１ａの表面側導体
の形成により、貫通穴１３ａの内壁の表面側にも導体が
形成され、図６で示す工程で形成した貫通穴１３ａの内
壁の裏面側の導体と接続して貫通穴１３ａの内壁の端面
導体（図３の６１２ａに相当）となる。これにより、第
２の端子電極４ａの下地導体４１ａも断面コ字状とな
る。

【００５４】次に、図９に示すように、第２のコイル導
体４上に、少なくとも第２のコイル導体４の他端４ｂが
露出するように絶縁層５を形成する。具体的には、絶縁
性ペースト（例えばガラスペースト）の印刷時に、スク
リーンメッシュのペースト透過領域の制御により他端４
ｂが露出するように印刷形成し、乾燥後、焼成する。

【００５５】尚、図では、絶縁層５は、第２のコイル導
体４の他端４ｂの周囲及びその周囲から第３の端子電極
６ａが形成される領域１ａの一端辺１ｙとなる側に延び
るように、即ち、第２のコイル導体４の略半分の領域部
分に形成されているが、第２のコイル導体４の全面に形
成しても構わない。

【００５６】次に、図１０に示すように、絶縁層５上
に、第２のコイル導体４の他端４ｂと接続し、且つ第２
の端子電極４ａと対向する領域の一端辺側に延出する端
子導体６を、低抵抗金属材料、例えばＡｇ系ペーストの
印刷・乾燥、焼成により形成する。ここで、端子導体６
の一端は、第３の端子電極６ａの下地導体６１ａとな
る。

【００５７】これにより、第１の端子電極２ａと同様
に、第３の端子電極６ａの下地導体６１ａの表面側導体
の形成により、貫通穴１３ａの内壁の表面側にも導体が
形成され、図６で示す工程で形成した貫通穴１３ａの内
壁の裏面側の導体と接続して貫通穴１３ａの内壁の端面
導体（図３の６１２ａに相当）となる。これにより、第
３の端子電極６ａの下地導体６１ａも断面コ字状とな
る。

【００５８】次に、図１１に示すように、第１の端子電
極２ａの下地導体２１ａの一部、第２の端子電極４ａの
下地導体４１ａの一部、第３の端子電極６ａの下地導体
６１ａの一部を露出させて、絶縁保護膜７を形成する。
絶縁保護膜７の形成方法は、エポキシ系、アルリル系な
どの樹脂ペーストを印刷・熱硬化して形成してもよい
し、さらに、ガラスを含む絶縁ペーストを印刷・乾燥・
焼成して形成してもよい。

【００５９】次に、図１２に示すように、大型基板１０
を分割溝１１、１２に沿って分割処理を行い、各領域１
ａを絶縁基板１の単体とする。さらに、絶縁保護膜７か
ら露出する各第１の端子電極２ａ、第２の端子電極４
ａ、第３の端子電極６ａの下地導体２１ａ、４１ａ、６
１ａの表面にメッキ層２２ａ、４２ａ、６２ａを被覆す
る。尚、このメッキ層２２ａ、４２ａ、６２ａを複数の
積層構造とする場合には、メッキ液を代えて、電解メッ
キ法によって形成される。

【００６０】これにより、大型基板１０から、図１、図
２に示すチップフィルター部品が達成される。

【００６１】このような本発明によれば、誘電体層３が
厚膜技法によって形成されるため、従来のようにグリー
ンシートの誘電体層を用いた場合に比較して、誘電体層
３の厚みを薄くすることができ、第１のコイル導体２と
第２のコイル導体４との間で高い容量成分をえることが
でき、第１のコイル導体２と第２のコイル導体４との対
向面積を増加、即ち、パターン形状を大型化することな
く、高い減衰特性を有するチップフィルター部品を得る
ことができる。

【００６２】また、第１の端子電極２ａ、第２の端子電
極４ａ、第３の端子電極６ａが基板１の端辺１ｘ、１
ｙ、１ｚの所定部分の表面、端面及び裏面に渡って導体
膜（下地導体とメッキ層とから成る）が形成されるた
め、他のチップ状電子部品と同様に、プリント配線基板
の所定回路パターン上にリフロー半田接合による表面実
装が可能となる。

【００６３】また、上述の半田接合を行った際に、メッ
キ層が形成されているため、半田による第１の端子電極
２ａ、第２の端子電極４ａ、第３の端子電極６ａの食わ
れがなく、また、半田ぬれ性が良好となり、安定した半
田接合が達成される。

【００６４】また、製造方法においては、第１の端子電
極２ａ、第２の端子電極４ａ、第３の端子電極６ａの断
面コ字状の下地導体膜２１ａ、４１ａ、６１ａが、基板
１の外周より窪んだ凹部１３・・・の内壁に形成された
端面導体（図３の６１２ａに相当）と、表面導体（図３
の６１１ａに相当）と裏面導体（図３の６１３ａに相
当）とからなり、特に、凹部１３・・・の内壁に形成さ
れた端面導体（図３の６１２ａに相当）が、大型基板１
０の図５、図６、図８及び図１０の表面側と裏面側から
導電性ペーストの印刷によって形成されるため、従来の
製造方法の図２４、図２６に示すように、分割処理した
後に、分割基板の整列処理、その分割端面の印刷処理を
行う必要がないため、生産性は大きく向上することがで
きる。

【００６５】また、第１の端子電極２ａ、第２の端子電
極４ａ、第３の端子電極６ａが分割溝１１、１２の分割
によって形成される基板１の端辺１ｘ、１ｙ、１ｚから
若干離れて形成されているため、図１２に示す分割溝１
１、１２の一括分割処理において、第１の端子電極２
ａ、第２の端子電極４ａ、第３の端子電極６ａの下地導
体２１ａ、４１ａ、６１ａの剥離現象がなくなり、第１
の端子電極２ａ、第２の端子電極４ａ、第３の端子電極
６ａが基板１に優れた密着力を示すチップフィルター部
品となる。

【００６６】尚、上述の実施例では、第１のコイル導体
２、誘電体層３、第２のコイル導体４、絶縁層５、端子
導体６を夫々各種ペーストの印刷・乾燥・焼成による厚
膜技法によって形成しているが、この厚膜技法に代えて
膜厚０．１〜５μｍの五酸化タンタルをスパッタリング
などで形成する薄膜技法を用いても構わない。

【００６７】誘電体層３を薄膜技法で形成すれば、誘電
体ペーストを用いて形成する場合に比較して、一層、誘
電体層３を薄くでき、第１のコイル導体２と第２のコイ
ル導体４との対向面積とを大きくすることなく、高い容
量が得やすい。

【００６８】この場合、誘電体層３の後に、第２のコイ
ル導体４、絶縁層５、端子導体６、絶縁保護膜７を形成
するにあたり、誘電体層３を形成した時の熱処理温度、
例えばスパッタリング時の基板温度よりも同等、または
それよりも低い温度で処理する必要がある。

【００６９】この場合、第２のコイル導体４を、アルミ
を主成分又はクロムを主成分とする材料をスパッタリン
グで５０００Å〜１μｍ程度形成し、また、絶縁層５を
酸化金属を主成分とする材料をスパッタリングで形成
し、また、端子導体６アルミを主成分又はクロムを主成
分とする材料をスパッタリングで５０００Å〜１μｍ程
度形成し、さらに、絶縁保護膜７を酸化金属を主成分と
する材料をスパッタリングで形成する。

【００７０】さらに、第２のコイル導体４や端子導体６
を熱硬化性樹脂にＡｇなどの金属粉末を分散させた導電
性樹脂を塗布し、加熱硬化して形成し、また、絶縁層
５、絶縁保護膜７を熱硬化性樹脂を加熱硬化して形成し
てもよい。勿論、第２のコイル導体４、絶縁層５及び端
子導体６をスパッタリングなどの薄膜技法で形成し、絶
縁保護膜７をエポキシ系やアクリル系などの熱硬化性樹
脂を加熱硬化して形成するなど、両者を組み合わせても
構わない。

【００７１】特に、上述の絶縁保護膜７のみを熱硬化性
樹脂で形成することは、絶縁保護膜７の目的、即ち、外
部の衝撃から第１のコイル導体２〜端子導体６を保護す
る目的からすると好適である。

【００７２】次に、誘電体層３を薄膜技法で形成する際
の第１のコイル導体２、第１の端子電極２ａ、第２の端
子電極４ａ、第３の端子電極６ａについては、第１のコ
イル導体２は、導体厚みが薄い方が第１のコイル導体２
を被覆する薄膜の誘電体層３の被着形成の信頼性が向上
する。従って導体厚みの薄い薄膜技法で第１のコイル導
体２を形成することが望ましい。

【００７３】第１のコイル導体２を薄膜技法で形成した
場合には、その一端に形成される第１の端子電極２ａも
同時に形成されるため、第１の端子電極２ａも薄膜技法
で形成される。

【００７４】具体的には、大型絶縁基板１０をチャンバ
ー内に配置し、チャンバー内を所定減圧を施して、スパ
ッリングを行うが、この時、大型絶縁基板１０の各領域
１ａの表面側に第１のコイル導体２、第１の端子電極２
ａ、さらに第２の端子電極４ａ、第３の端子電極６ａ
が、各領域１ａの裏面側に第１の端子電極２ａ、第２の
端子電極４ａ、第３の端子電極６ａが形成されるよう
に、マスクを施して、所定金属材料のターゲットを用い
て形成する。

【００７５】この薄膜技法で形成された層の構成は、図
１３に示すように、クロムやアルミニウムなどのを主成
分とする下地金属層６３ａ、Ｎｉを主成分とする中間金
属層６４ａ、銀や錫を主成分とする表面金属層６５ａか
らなる例えば３層構造とする。下地金属層６３ａは導電
性を確保するためで、その膜厚は例えば４０００Åであ
り、中間金属層６４ａは表面金属層６５ａの形成を容易
にするものであり、その膜厚は例えば１０００Åであ
り、表面金属層６５ａは半田接合を容易するためのもの
であり、その膜厚は例えば４０００Åである。

【００７６】このように３層構造を第１のコイル導体
２、第１の端子電極２ａ、第２端子電極４ａ、第３の端
子電極６ａを形成すれば、特に、第１の端子電極２ａ、
第２の端子電極４ａ、第３の端子電極６ａを介してプリ
ント配線基板の所定回路パターンに半田接合を施して
も、半田による端子電極の食われがなく、且つ半田濡れ
性を高めて半田接合することができる。

【００７７】ここで、大型基板１０には、端子電極２
ａ、４ａ、６ａの凹部１３・・・となるように、大型基
板１０の分割溝１１に跨がって貫通穴１３ａ・・・が形
成されているので、端子電極２ａ、４ａ、６ａを表面側
及び裏面側から形成すれば、同時に貫通穴１３ａ・・・
の内壁に同時に各金属層を回り込ませることができ、こ
れにより凹部１３の内壁の端面導体を形成できる。従っ
て、分割処理した後に、分割端面の導体形成工程を省略
できる。また、端子電極２ａ、４ａ、６ａを上述の３層
構造の薄膜で形成すれば、表面のメッキ処理も不要とな
り、一層製造工程の簡略化が達成できる。

【００７８】尚、第２のコイル導体４と既に形成された
第２の端子電極４ａを接続し、且つ端子導体６と既に形
成された第３の端子電極６ａを接続するにあたっては、
図１３に示すように第２の端子電極４ａ、第３の端子電
極６ａが絶縁保護膜７で被覆される領域内で、第２の端
子電極４ａの一部に第２のコイル導体４の一端を重畳接
続させ、また第３の端子電極６ａの一部に端子導体６の
一端を重畳接続させればよい。

【００７９】尚、上述の実施例では、第１の端子電極２
ａ、第２の端子電極４ａ、第３の端子電極６ａが絶縁基
板１の端辺１ｘ、１ｙ、１ｚに導出されている構造とな
っているが、第１の端子電極２ａを絶縁基板１の端辺１
ｘ、１ｙの何れかに導出して、大型基板１０の分割の１
１の分割によって形成される絶縁基板１の端辺１ｘ、１
ｙに第１の端子電極２ａ、第２の端子電極４ａ、第３の
端子電極６ａを形成しても構わない。また、大型基板１
０から抽出される各領域を複数素子分として、絶縁基板
１を複数素子形成した多連チップフィルター部品として
も構わない。

【００８０】

【発明の効果】以上、発明によれば、誘電体層が薄膜技
法で形成されているために、第１のコイル導体と第２の
コイル導体との間を短くできるため、容量成分を大きく
することができ、高い減衰特性を有するチップフィルタ
ー部品となる。

【００８１】また、第１の端子電極、第２の端子電極、
第３の端子電極が、表面側及び裏面側の導体膜、その端
辺に形成した凹部内壁面の端面導体からなり、このスル
ホールの内壁面の導体が、表面側及び又は裏面側の導体
膜を形成する際に、同時に形成することができるため、
分割前の大型基板上で処理できる。このため、分割処理
した後のちに端面導体の形成、即ち、手作業による並べ
替えが不要となり、その生産性は非常に向上する。

【００８２】さらに、誘電体層が薄膜技法で形成される
場合、例えば端子電極の導体を、薄膜形成の前段階で形
成できるため、誘電体層の熱による変質などを防止する
上で有用となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかるチップフィルター部品の斜視図
である。

【図２】図１のＸ−Ｘ線の断面図である。

【図３】本発明のチップフィルター部品の端子構造を説
明する断面図である。

【図４】本発明のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図５】本発明のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図６】本発明のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図７】本発明のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図８】本発明のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図９】本発明のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図１０】本発明のチップフィルター部品の製造方法を
説明する一工程の平面図である。

【図１１】本発明のチップフィルター部品の製造方法を
説明する一工程の平面図である。

【図１２】本発明のチップフィルター部品の製造方法を
説明する一工程の平面図である。

【図１３】本発明のチップフィルター部品の他の端子構
造を説明する断面図である。

【図１４】フィルター部品の等価回路図である。

【図１５】従来のチップフィルター部品の外観斜視図で
ある。

【図１６】従来のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図１７】従来のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図１８】従来のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図１９】従来のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図２０】従来のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図２１】従来のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図２２】従来のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図２３】従来のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図２４】従来のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図２５】従来のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図２６】従来のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【図２７】従来のチップフィルター部品の製造方法を説
明する一工程の平面図である。

【符号の説明】

１・・・絶縁基板 ２・・・第１のコイル導体 ２ａ・・第１の端子電極 ２１ａ・・下地導体 ２２ａ・・メッキ層 ３・・・誘電体層 ４・・・第２のコイル導体 ４ａ・・第２の端子電極 ４１ａ・・下地導体 ４２ａ・・メッキ層 ５・・・絶縁層 ６・・・端子導体 ６ａ・・第３の端子電極 ６１ａ・・下地導体 ６２ａ・・メッキ層 １０・・・・・・・・大型基板 １ａ・・・・・・・・領域 １１、１２・・・分割溝 １３・・・・・・凹部 １３ａ・・・・・貫通穴 １ｘ、１ｙ、１ｚ・・・端辺

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板上面に、 前記絶縁基板の端辺に一端が第１の端子電極として導出
   されるスパイラル状の第１のコイル導体と、 前記第１のコイル導体を被覆する誘電体層と、 前記第１のコイル導体と対向し、且つ前記絶縁基板の端
   辺に一端が第２の端子電極として導出されるスパイラル
   状の第２のコイル導体と、 前記第２のコイル導体の少なくとも他端を露出するよう
   にして形成される絶縁層と、 前記第２のコイル導体の他端に接続し、前記絶縁基板の
   端辺に一端が第３の端子電極として導出される端子導体
   とを夫々重畳するとともに、 前記第１乃至第３の端子電極の夫々が、前記絶縁基板の
   端面に設けた凹部を介して絶縁基板上面から裏面にまで
   延出されていることを特徴とするチップフィルター部
   品。