TW508603B - Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing same - Google Patents

Description

508603 A7 —- ______B7 _ 五、發明説明（i ) [技術領域] 本發明係有關於一種各種電子機器上使用之電解電容 器’特別是一種具有外部連接用端子之面安裝型固體電解 電容器及其製造方法。 [習知背景] 習知具有外部連接用端子之固體電解電容器係可舉面 安裝型之钽固體電解電容器為代表，且大量使用在各種電 子機器。以下的說明係以該钽固體電解電容器為例進行說 明。如此之習知的钽固體電解電容器之構造係具有電容元 件及引線架部。該引線架部之材料使用鎳系金屬或銅系金 屬為主。特別是，有要求引線架部上所形成之端子的重覆 彎曲強度之用途，或有要求在元件安裝時可抗彎折之端子 強度等機械性強度之用途上，是使用有42合金等之鎳系金 屬等。又，有關於要求引線架部具有嚴密的加工性之用途 上，是使用銅一鎳一錫合金等之銅系金屬。 以下就這種習知之钽固體電解電容器，利用第12圖至 第14圖進行說明。 第12圖係顯示習知之钽固體電解電容器之構造的剖面 圖。在第12圖中，習知之钽固體電解電容器包含有電容元 件12及陽極導出線13。該電容元件12係具有多孔質陽極 體及於該陽極體外表面依序形成之介電體氧化皮膜層、固 體電解質層及陰極層（都未圖示）。多孔質陽極體係藉由组 粉末形成之成形體的燒結而形成〃並使陽極導出線13之_ 端露出表面。陽極端子14的一端藉熔接之方法而黏合於電 本紙張尺度適用中國國家標準（CnS) A4規格（21〇X297公釐) _(請先閲、讀背面之注意事項再填寫本頁)

• 4· 508603 A7 —---^ _B7 _ -五、發明説明（一' - ^— 容疋件12之陽極導出線13上，陽極端子14之另一端由後 述之外覆樹脂17露出，並沿外覆樹脂17弩折。按此，形 成外部連接用之端子。陰極端子15的一端藉著導電性黏著 劑16而連接於電容元件12之陰極層，陰極端子15的另一 端係由後述之外覆樹脂17露出且沿外覆樹脂17彎折。藉 此，形成外部連接用端子❶使陽極端子14與陰極端子15 • 之各一部分裸露於外部之狀態下，使具電氣絕緣性之外覆 樹脂17被覆電容元件12。 第13圖係顯示形成陽極端子14及陰極端子Η之引線 架之平面圖。第14圖係第π圖14Α 一 14Α處之剖面圖。 在第13圖及第14圖中，引線架18係由鎳系（42合金等） 或銅系（鋼一鎳一銅合金等）之帶板狀金屬構件所形成。陽 極端子14與陰極端子15形成於引線架18。鑛銀層20係 設於元件固定部。搬送用之導孔21係形成於引線架18 上。質地層22，諸如厚度〇·3μιη以上之銅或銅合金鍵敷層 ® 設於陽極端子14及陰極端子15上。為供元件安裝時之焊 接之用，於質地層22上形成有由錫或錫一鉛合金鍍敷形成 ^ 之軟焊用鍍敷層23。 ” 其次，針對如此構成之習知钽固體電解電容器之製造 方法進行說明。 # " 首先，位於突設於引線架18之相對位置之陽極端子14 與陰極端子15間之元件固定部19上配置電容元件12。並 將電容元件12之陽極導出線13與形成在引線架18之陽極 端子14藉熔接而相連接。電容元件12之陰極層與設於引 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐）

..................:…裝：： (請先閲讀背面之注意事項再墦寫本頁) 、^τ— ••線丨 ^U8()U3 A7 ------------B7__ 五、發明説明（3 ) 1 ~~ 線架18上所形成之陰極端子15之鍍銀層2〇藉由銀糊構成 之導電性黏著劑16而相黏合。導電性黏著劑16係經加熱 硬化處理而得到電性連接❶導電性黏著劑16係以noq 8() C之溫度加熱約1小時而硬化。 其次，在使陽極端子14及陰極端子15之各一部分裸 露於外部之狀態下，電容元件12藉絕緣性之外覆樹脂17 所被覆。隨後，該外覆樹脂17以170〜180°C之溫度，進行 熱處理約6小時，使之完全硬化。藉此，使外覆樹脂i 7 之架橋率提高，結果可提昇钽固體電解電容器之耐濕性。 接著’以240〜260eC之氣流爐等施行約60秒鐘的熱篩。藉 此’以防止造成使用者之軟熔爐等之軟焊安裝時之不當情 況所造成之漏電流很大及短路不良的發生。接著，除去引 線架18不要部分。進而，進行特性及外觀檢查等之檢測 後，將完成品出貨。 藉如此製造方法所製作之習知鉅固體電解電容器之組 裝程序中，將於大氣中加上嚴酷的熱經歷。因此，在加上 如此熱經歷後，也須要求鍍敷被膜的耐熱密著性，進一步 在使用者使用當中藉軟熔爐等進行軟焊安裝時，也要求優 異的焊料濕潤性。 又，如此為實現鍍敷被膜之耐熱密著性及優異的焊料 濕潤性，上述習知之陽極端子14及陰極端子15之質地層 22所設之銅或銅合金鍍敷層勢需〇·3μχη以上之厚度。該質 地層22之厚度係與質地層22上所設之軟焊用鍍敷層23 之錫或錫一鉛合金鍍敷層之耐熱密著性有很大影響。又， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X 297公釐） ί請先開讚背面之注意事项再填寫本頁)

-6· 508603 A7 __B7 _ 五、發明説明（4 ) 鍍錫層或錫一鉛合金鍍敷層之密著性係依存於質地層22 之銅或銅合金鍵敷層之熱擴散層之形成量，銅或銅合金鍵 敷層係具有促進該熱擴散層之形成的作用。 如此，形成質地層22而設之銅或銅合金鍍敷層係依存 於耐熱密著性，因此以緻密之鍍敷被膜狀態為佳。為此， 必須在適當的電流密度及鍍敷浴的管理等條件下進行鍍 敷。藉該嚴厲的鍍敷條件的管理，鍍敷厚度才能實現〇·3μπι 以上之厚度。超出如此適當條件時，例如以高電流密度之 條件進行鍍敷處理時，則形成具多孔之鍍敷狀態之鍍銅層 或銅合金鍍敷層。因此使密著性不足❶又，即使鑛銅層或 銅合金鍍敷層之鍍敷被膜處於緻密狀態下，鍍敷厚度不到 0·3μπι時，仍使耐熱密著性不足。此外，上述之鑛銅層或 銅合金鍍敷層之鍍敷厚度之上限雖無特別限制，但以約 4μπι以下之厚度為佳。 因此，供於習知之引線架18上形成優異的鍍敷被膜之 用之方法係使用有以下所示之兩種方法中其一方法。 第1方法，板狀金屬構件之材質係由鎳系金屬或銅系 金屬形成時，為得到焊料或鍍錫被膜之預定之密著強度， 而於板狀金屬構件形成緻密的質地鍍敷層22。質地鍍敷層 22係施有鎳鍍或銅鍍，或者是鎳鍍及銅鍍。其次，與引線 架18之電容元件12之陰極層相連接之陰極端子15之表面 的預定部分藉電解鍍敷法將鍍銀層20形成條狀。藉該處理 所形成之鍍銀層20,提高與陰極端子15之相合性。除該 鍍銀層20以外之引線架18的表裏面全部係形成有由焊料 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X 297公嫠） ...............I:裝-.................訂..................線. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 508603 A7 ................ _一 五、發明賴（5 ) ~~ --- 或鍍銀被膜所構成之軟焊用鍍敷層23。接著，進行經由模 具之沖孔加工，製作陽極端子14與陰極端子Μ。即，該 •第1方法係於板狀金屬構件上形成鍍敷被膜後，對此進行 冲孔加工’以製作陽極端子14及陰極端子之方法。 第2方法為一種事前將板狀金屬構件冲孔加工，於環 狀引線架18上連續製作陽極端子14及陰極端子is後，進 一步與前述之第1方法同樣地進行鍍敷處理，以形成鍍敷 被膜之方法。 惟’上述之習知固體電解電容器之陽極端子14及陰極 端子15中，對板狀金屬構件之引線架18施以鎳之質地鍍 敷，隨後進一步施行鍍錫或軟焊鍍敷時，經由製造程序中 所負荷之嚴酷的熱經歷，而引發錫及鎳之金屬間化合物層 之生成，因此，使表面的錫或焊料層消失。結果具有焊料 濕潤性降低的缺點。為防止該缺點，以於熱經歷之後也能 得到良好焊料濕潤性，勢將鍍錫層或軟焊鍍敷層形成較 厚。此時’使製品成本顯著提高。從而在工業上有難以採 用的課題。 又，陽極端子14及陰極端子15之製造方法中，對板 狀金屬構件之引線架18施以鍍銅或鍍鎳，進一步施行鍍 銅，進而施行鍍錫或軟焊鍍敷時，因嚴酷的熱經歷，也引 發錫及銅之金屬間化合物層之生成，因此，使表面的錫或 軟焊層消失。結果發生有焊料濕潤性降低的缺點。而具有 在錫及銅之金屬間化合物層與鍍敷層間發生剝離之課題。 為解決其等課題，日本國專利公開公報特開平5-98464 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐) ~請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) .訂 -8 · 508603 A7 B7 6 五、發明説明（ 號揭示以下方法。由錄或鍊合金形成之引線架的基材上形 成厚度0·1〜1·〇μιη之銅質地鍍敷層，進一步該銅質地鍍敷 層上形成錫或焊接鍍敷層，隨後施行軟焊處理或者是錫或 焊料的熔融鍍敷。藉此，由鎳或鎳合金構成之基材與鍍錫 層或軟焊鍍敷層等之鑛敷層間形成有厚度為〇·2〜2.Ομιη之 錫-銅之金屬間化合物層。 又’日本國專利公開公報係揭示有如下之方法。由銅 或銅合金構成之引線架之基材上形成鍍鎳層，接著，在該 鍵錄層上形成厚度0.1〜1·0μπι之銅質地鍍敷層，進一步在 該銅質地鍍敷層上形成錫或軟焊鍍敷層。隨後，施行軟焊 處理，或，在上述銅質地鍍敷層上施行錫或焊料的溶融鍵 敷。藉此，鍍鎳層上形成厚度為0.2〜2· Ομπι之錫-銅之金屬 間化合物層。 惟，钽固體電解電容器之引線架採用此種習知技術 時，勢必不可缺少用以形成錫-銅之金屬間化合物層之銅質 地鍍敷層之形成。因此，製品成本顯著上升，由工業及產 業的觀點而言具有不能採用之課題。 本發明係提供一種固體電解電容器及其製造方法，藉 具簡單構成之鍍敷被膜，以可於長期發揮良好的焊料濕潤 性’同時備具有優異的焊料濕潤性及耐熱密著性之端子。 [發明之揭示] 本發明之固體電解電容器，係包含有： 電容元件，係具有陽極取出部及陰極取出部； 陽極端子，係與前述陽極取出部做電性連接者；及 本紙張尺度適用中國國家標準（Οβ) Α4規格（210X297公釐) ........................¥—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂_ •線· -9- 508603 A7 —-------Β7 _ _ 五、發明説明（7 ) ^ 陰極端子，係與前述陰極取出部做電性連接者； 且前述陽極端子及前述陰極端子係具有： 選自由錄、錄合金、銅、及銅合金所構成之群中 至少一種之金屬構件； 設於前述金屬構件上，且含有錫及錫合金中至少 一種之第1鍍敷層；及 形成於前述金屬構件與前述第1鍍敷層間之金 屬間化合物層； 該金屬間化合物層係具有一化合物，該化合物係 包含有： (i) 前述錫及錫合金中之一種裡所含之錫；及 (ii) 前述金屬構件裡所含之錄與銅； 中至少一種者。 前述金屬間化合物層，宜藉將設有前述第1鍍敷層之前 述金屬構件施以加熱軟熔處理而形成。 藉此，得到一種固體電解電容器及其製造方法，係藉具 備簡單構成之鍍敷被膜，可於長期展現良好的焊料濕潤 性’並形成有具優異的焊料濕潤性及耐熱密著性之端子。 [本發明之詳細說明] 本發明之一實施例之固體電解電容器，係包含有： 電容元件，係具有陽極取出部及陰極取出部； 陽極端子，係與前述陽極取出部做電性連接者；及 陰極端子，係與前述陰極取出部做電性連接者； 且，前述陽極端子及前述陰極端子係具有： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

•10- 508603 A7 B7 五、發明説明（ 選自由鎳、鎳合金、銅、及銅合金所構成之群中至少一 種之金屬構件； 設於前述金屬構件上，且含有錫及錫合金中至少一種之 第1鍍敷層；及 形成於前述金屬構件與前述第1鍍敷層間之金屬間化 合物層； 該金屬間化合物層係具有一化合物，該化合物係包含 有： ⑴前述錫及錫合金中之一種裡所含之錫；及 (ii)前述金屬構件裡所含之鎳與銅； 中至少一種者。 藉此，前述第1鍍敷層係具有不需質地鍍敷層之簡單構 造.，可使第1鍍敷層展現優異的耐熱密著性。 其中該陽極端子與前述陰極端子宜具有： 前述金屬構件； 前述第1鍍敷層，係以無質地之狀態直接設於前述金屬 構件上；及 前述金屬間化合物層，係藉加熱軟熔處理而形成於前述 金屬構件與前述第1鍍敷層.間者。 前述陽極端子宜具有板狀陽極端子，該板狀陽極端子係 具有第1面及位於該第1面之反射側者； 前述陰極端子係具有板狀陰極端子，該板狀陰極端子係 具有第1面及位於該第1面之反射側者； 前述第1鍍敷層與前述金屬間化合物層係設於前述陽 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（21〇χ297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝丨 ·、τ. .線， -11- 508603 A7 _____£7_ 五、發明説明（9 ) 極端子與前述陰極端子之前述第1面與前述第2面中至少 一方之面上。 前述固體電解電容器宜更具有一用以覆蓋前述電容元 件而設置之絕緣性外覆樹脂； 且在前述陽極端子與前述陰極端子各有一部分裸露在 外之狀態下設有前述外覆樹脂。 藉上述之各構成，得到一種固體電解電容器，其係藉具 簡單構造之鍍敷被膜，可於長期展現良好的焊料濕潤性， 且形成有具有優良的焊料濕潤性及耐熱密著性之端子。 前述陽極端子與前述陰極端子之前述第1面係宜具有· 前述第1鍍敷層與前述金屬間化合物層； 前述陽極端子與前述陰極端子中之至少一方之前述第 2面宜形成有：具鎳之質地鍍敷層及形成於前述質地鍍敷 層上之鑛銀層；其中具有前述鍍銀層之部分係與前述電容 元件做電性接合者。 藉此，除了前述之作用效果，還可藉兩鍍敷層之厚度， 確保良好之電氣特性及安裝時之焊料濕潤性。 前述陽極端子與前述陰極端子之前述第2面係宜形成 有具鎳之質地鍍敷層； 刖述陰極端子係具有形成於前述質地鍍敷層上之鑛銀 層； 其中形成有前述鍍銀層之部分係與前述電容元件做電 性接合者。 前述陽極端子與前述陰極端子之前述第1面係具有·· 本紙張尺度翻中關家鮮（_織格⑽Χ297公爱) …· t請先吟讀背面之注意事項再墦寫本頁) 、^τ_ 4 -12- 508603 A7 -—- ___ B7 ___ 五、發明説明（1〇 ) 刖述第1鍍敷層，係以無質地之狀態直接設於前述金屬 構件上；及 ........................裝..... (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 則述金屬間化合物層，係藉加熱軟熔處理而形成於前述 金屬構件與前述第1鍍敷層間❶ 藉此，可使上述效果進一步提昇。 前述陽極端子與前述陰極端子之前述第1面宜具有前 述第1鍍敷層及前述金屬間化合物層； 前述陽極端子及前述陰極端子中之至少一方之前述第 2面係具有：與前述電容元件相接合之接合部，及設於距 前述接合部一定間隔之位置上之第2鍍敷部； 前述接合部係形成有：具鎳之質地鍍敷層及設於前述質 地鍍敷層上之鍍銀層； 前述第2鍍敷部係形成有一鍍敷層，該鍍敷層係設於前 itl金屬構件上’且含有踢及踢合金中之至少一種者。 :線丨 藉此，除了前述之作用效果，還可使電容器之電氣特性 進一步提昇。 前述接合部與前述第2鍍敷層間所形成之一定間隔宜 為〇.5mm以上者。 藉此，可得到更佳之上述效果。 前述陽極端子與前述陰極端子之前述第1面宜具有前 述第1鍍敷層及前述金屬間化合物層； 前述陽極端子與前述陰極端子中之至少一方之前述第 2面係具有：與前述電容元件相接合之接合部及設於距前 述接合部一定間隔之位置上之第2鍍敷部； 本紙張尺度適用中g國家標準（OJS) Μ規格（21QX297公爱） -13- 508603 A7 B7 11 五、發明説明（ 〆請先閲♦讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述接合部係形成有：具鎳之質地鍍敷層及設於前述質 地鍍敷層上之鍍銀層； 前述第2鍍敷部係具有：設於前述金屬構件上且含有錫 及錫合金中至少一種之鍍敷層，及設於前述金屬構件與前 述鍍敷層間之金屬間化合物。 藉此，僅於板狀金屬構件之片面上施有鍍敷處理〇因此 以圖製造步驟之簡化，可謀求成本降低。 前述第1鍵敷層之厚度宜為4·0μιη以上者。 藉此，確保金屬間化合物層之最佳厚度，可使鍍錫層得 到更高的耐熱密著性。 前述金屬間化合物層宜具有〇·4μπι至2·0μπι範圍内之 ’訂· 厚度。 藉此，可使錢錫層穩定得到更高耐熱密著性。 鍍銀層宜具有0·3μιη以上之厚度。 藉此’確保金屬間化合物層之最佳厚度，且使鑛錫層得 到更高的耐熱密著性。 前述第1鍍敷層宜為鍍錫層。 藉此，可使前述之效果進一步提昇。 前述第1面宜具有由前述外覆樹脂裸露之露出部及覆 蓋前述外覆樹脂之外覆部； 位於前述露出部之前述第1鍍敷層係具有較位於前述 外覆部之前述第1鍍敷層少約〇·2μιη至1·〇μπι範圍内之厚 度。 藉此，除了前述之效果外，還可於將以外覆樹脂模製後

-14- 五、發明説明（12 ) 之陽極端子及陰極端子施行彆折處理時，緩和弯曲應力。 結果可減少粉殿度之漏電流。 前述電容元件宜包含有： 多孔質陽極體，係由具閥作用金屬粉末之成形體之燒結 所形成者； 介電體氧化皮膜層’係形成於該多孔質陽極艘上； 固體電解質層，係設於前述介電體氧化皮膜層上；及 陰極層，係設於前述固體電解質層上； 而刖述陽極端子係與前述陽極艘做電性連接； 前述陰極端子係與前述陰極層做電性連接。 藉此，可得到具有前述效果之電容器。 又，上述電容元件宜包含有： 閥作用金屬； 介電體氧化皮膜層，係形成於該閥.作用金屬之表面者； 固體電解質層，係設於前述介電體氧化皮膜層上，且由 導電性高分子形成者；及 陰極層，係設於前述固體電解質層上； 而前述陽極端子係與前述閥作用金屬做電性連接； 前述陰極端子係與前述陰極層做電性連接。 藉此，可得到具有前述之效果的電容器。 前述陽極端子與前述陰極端子宜弩折成使前述陽極端 子與刖述陰極端子之前述各第一面位於同一平面上者； 前述各第1面係可焊接於基板上。 則述陰極端子之一端與前述陰極取出部宜藉導電性黏 13508603 A7 B7 五、發明説明（ 著劑而做電性連接者。 前述陽極端子與前述陰極端子之各第一面宜具有··直接 t請先閲·讀背面之注意事項再填寫本頁) 設於前述金屬構件上之前述第丨鍍敷層，及藉焊熔處理而 形成於前述金屬構件與前述第丨鍍敷層間之前述金屬間化 合物； 刖述陰極端子之前述第2面係具有連接部； 該連接部係形成有：設於金屬構件上之鎳的質地鍍敷 層，及設於該質地鍍敷層上之鍍銀層； 前述連接部係與前述陰極取出部做電性連接； 前述陽極端子之前述第2面係與前述陽極取出部做電 性連接； 前述陽極端子與前述陰極端子彎折成使前述陽極端子 與前陰極端子之前述各第1面位於同一平面上者； 前述各第1面係可焊接於基板者。 前述陽極端子與前述陰極端子之各第一面宜具有：直接 設於刖述金屬構件上之前述第1鍍敷層，及藉軟溶處理而 形成於前述金屬構件與前述第1鍍敷層間之前述金屬間化 合物； 前述陽極端子與前述陰極端子之各第2面係具有設於 前述金屬構件上之鎳的質地鍍敷層； 前述陰極端子之前述第2面係具有連接部； 該連接部係形成有設於前述質地鍍敷層上之鍍銀層； 前述連接部係與前述陰極取出部做電性連接； 前述陽極端子之前述第2面係與前述陽極取出部做電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇><297公|) -16 - 508603 A7 ___B7 五、發明説明（14 性連接； 前述陽極端子與前述陰極端子彆折成使前述陽極端子 與則陰極端子之前述各第1面位於同一平面上者； 前述各第1面係可焊接於基板者。 前述陽極端子與前述陰極端子之各第一面係宜具有：直 接設於前述金屬構件上之前述第丨鍍敷層，及藉加熱軟熔 處理而形成於前述金屬構件與前述第1鍍敷層間之前述金 屬間化合物層； 前述陽極端子之前述第2面係具有：直接設於前述金屬 構件上之第2鍍錫層，及藉加熱軟熔處理而形成於前述金 屬構件與前述第2鍍錫層間之第2金屬間化合物層； 前述陰極端子之前述第2面係具有連接部，及設於距該 連接部有一定間隔之第2鍍錫部； 該連接部係形成有：設於金屬構件上之鎳的質地鍍敷 層，及設於該質地鍍敷層上之鍍銀層； 前述連接部係與前述陰極取出部做電性連接； 前述陽極端子之前述第2面係與前述陽極取出部做電 性連接； 前述陽極端子與前述陰極端子彎折成使前述陽極端子 與前陰極端子之前述各第1面位於同一平面上者； 前述各第1面係可焊接於基板者。 前述陽極端子之前述第一面係宜具有：前述第1鑛敷 層，及藉加熱軟熔處理而形成於前述金屬構件與前述第1 鍍敷層間之前述金屬間化合物層； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） .........……·..........裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、訂· :線丨 17. A7 —-----—--— B7 五、發明綱（15 ) -~' ~〜- 前述陰極端子之前述第1面係且古 係具有連接部及設於距該 連接部有一定間隔之前述第2鍍敷部； 該連接部係形成有：設於金屬構件上之錄的質地鍵敷 層，及設於該質地鍍敷層上之鍍銀層； 刚述第2鍍敷部係具有··前述帛j鍍敷層，及藉軟熔處 理而形成於前述金屬構件與前述第！鍵敷廣間之前述金屬 間化合物； 刖述連接部係與前述陰極取出部做電性連接； 前述陽極端子之前述第1面之一端係與前述陽極取出 部做電性連接； 前述陽極端子與前述陰極端子弩折成使前述陽極端子 與則陰極端子之前述各第1面位於同一平面上者； 前述各第1面係可焊接於基板者。 刖述金屬構件係具有前述錄及前述錄合金中之至少一 種； 前述金屬間化合物層係含有錫與鎳之化合物。 上述金屬構件宜具有前述銅及前述銅合金中之至少一 種； 前述金屬間化合物層係含有錫與銅之化合物。 本發明之固體電解電容器之製造方法，係包含有下列步 驟，即： (a) 於金屬構件之第1面上以無質地之狀態直接形成 第1鍍敷層，隨後施行加熱軟熔處理，於前述金 屬構件與前述第1鍍敷層間形成金屬間化合物 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讚背面之注意事項再墦寫本頁) 灯丨 • 18 - 508603 A7 __ B7 五、發明説明（16 ) 層；在此’前述第丨鍍敷層係具有錫及錫合今中 至少一種； (b) 於前述金屬構件之第2面之連接部上形成鎳之質 地鍵敷層，進而於該質地鍍敷層上形成鍍銀層； (c) 將前述金屬構件冲孔成預定形狀，形成有陽極端 子及陰極端子；在此，前述金屬構件沖孔成使前 述陰極端子之一端形成有前述前述連接部者； (d) 將前述陽極端子與前述陰極端子弩折成預定形 狀；及 (e) 令前述連接部電性連接於電容元件之陰極連接 取出部’且將前述陽極端子之一端電性連接於前 述電容元件之陽極取出部❶ 藉此方法，可將製程簡易化。因此可以低成本製造固體 電解電容器。 該質地鍍敷層係以藉電鍍而形成之鍍鎳層為佳； 前述鍍銀層宜藉電鍍而形成者。 前述金屬構件宜由前述鎳及前述鎳合金中之至少一種 所做成者； 前述金屬間化合物層係具有錫及鎳之金屬間化合物。 前述金屬構件宜由前述銅及前述銅合金中之至少一種 所作成者； 前述金屬間化合物層係具有錫及銅之金屬間化合物。 前述形成金屬間化合物層之步驟係宜具有一步驟，即： 將形成有第1鍍敷層之前述金屬構件在200PPM以下之 本紙張尺度適用中國國家標準（咖）Α4規格（21〇Χ297公釐） -裝- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·、ίτ· :線丨 -19- 508603 A7 __B7_ 五、發明説明（17 ) 氧濃度環境中加熱至400至800°C，進行軟熔處理，藉該 軟熔處理而使前述第1鍍敷層熔融，並於前述金屬構件與 前述第1鍍敷層之間形成有含用以形成前述金屬構件之金 屬與锡之金屬間化合物層者。 前述製造方法宜更包含有下列步驟，即： (0 設置外覆樹脂，以覆蓋前述電容元件及前述連接 部，使前述陽極端子之另一端及前述陰極端子之 另一端露出者；及 (g) 將由前述外覆樹脂露出之前述陽極端子與前述 陰極端子彎折成預定形狀❶ 前述（a)步驟及前述（b)步驟係宜具有以下步驟，即： 於前述金屬構件之前述第2面之前述連接部上形成鎳 之質地鍍敷層，進一步於前述質地鍍敷層上形成前述鍍銀 層； 進而’在距前述連接部至少〇5mm縫隙之位置上形成 第1鍍敷層； 於前述金屬構件之前述第丨面上以無質地之狀態形成 含有錫與錫合金中之一種之第2鍍敷層，·及 對設有前述第1鍍敷層、前述第2鍍敷層及前述連接部 之前述金屬構件施行軟熔處理，於前述金屬構件與前述第 2鍍敷層間形成第2金屬間化合物層，並於前述金屬構件 與前述第2鍍敷層間形成第2金屬間化合物層。 藉此方法，可穩定製得焊料濕潤性及電氣特性優異之固 體電解電容器。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297公爱） (請先閲請背面之注意寧項再填窩本頁) -訂丨 -20 - 508603 A7 ______ B7 _ 五、發明説明（18 ) 該方法宜於將前述（C)步驟之前述金屬構件進行沖孔， 形成前述陽極端子及前述陰極端子之步驟後， 執行前述（a)步驟之於前述第i面上形成前述鍍敷層及 前述金屬間化合物層之步驟，及 前述（b)步驟之於前述第2面形成前述連接部之步驟。 藉該方法，可使前述效果進一步提升。 宜於前述（a)步驟及前述（b)步驟之後執行前述（c)步驟。 藉此方法，可穩定製造焊料濕潤性及電氣特性優異之固 體電解電容器。 前述製造方法宜更具有以下步驟，即： 設置外覆樹脂，以覆蓋前述電容元件及前述連接部，使 前述陽極端子之另一端與前述陰極端子之另一端露出者； 及. 對形成於由前述外覆樹脂露出之位置且設於前述陽極 端子及前述陰極端子之第1鍍敷層施行喷吹處理，藉此減 少該第1鍍敷層之厚度。 藉該方法，可於對藉外覆樹脂模製後之陽極端子與陰極 端子施行彎折加工時，緩衝弩曲應力。結果可減少電容器 之漏電流，且提昇電容器之電氣特性。進而穩定製造優異 的固體電解電容器〇 其次，針對本發明之固體電解電容器及其製造方法之典 型實施例進行說明 [發明之實施形態] 第1圖係顯示本發明實施形態1之固體電解電容器之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X 297公釐) ....................…裝..................，可......................線. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -21- 508603 A7 一 ___Β7_ _ 五、發明説明（19 ) 鈕固體電解電容器（以下稱為電容器）之構造剖面圖。 第1圖中，電容器係包含有：電容元件1、陽極導出線 2、陽極端子3、陰極端子4、導電性黏著劑5，及外覆樹 脂6。電容元件1係具有陽極體及於該陽極體之表面上依 序積層之介電體氧化皮膜層及固體電解質層與陰極層（未 圖示）。電容元件1係具有陽極取出部及陰極取出部。陰極 端子4係與陰極取出部做電性連接。陽極端子係與陽極取 出部做電性連接。陽極體係藉將由钽粉末形成之成形體燒 結而形成，該陽極體係具多孔質。外覆樹脂6係於使陽極 端子3與陰極端子4之各一部分朝外裸露之狀態下，被覆 電容元件1而相接。該外覆樹脂6係具有電氣絕緣性。作 為陽極取出部之陽極導出線2係與陽極體相連接，該陽極 導出線2之一端係由陽極體之表面露出。陽極端子3之一 端係藉熔接等方法而與陽極導出線2相接合。陽極端子3 之另一端係由外覆樹脂6露出，且沿外覆樹脂6彎折。藉 此，陰極端子4之一端藉導電性黏著劑5而與電容元件i 之陰極層相接合。陰極端子4係形成外部連接用之一邊端 子。陰極端子4之另一端係由外覆樹脂6露出，且沿外覆 樹脂6彎折。藉此，形成外部連接用之另一邊端子。 第2圖係顯示上述電容器所使用之陽極端子3及陰極 端子4之引線架之平面圖及剖面圖，其中（1))為（幻中2Α·2Α 線上之剖面圖。第2圖中，引線架u係由鎳或鐵_鎳合金 (42合金等），或，銅或銅合金（銅_鎳_錫合金等）等帶板狀金 屬構材構成。即，引線架u為金屬構材u。陽極端子3 本紙張尺度適财目时標準（⑽A4規格⑽幻抑公愛) -22 · 508603 A7 ___ B7 五、發明説明（2〇 ) 與陰極端子4係形成於該引線架ije作為引線架η之一 邊的面之第1面係形成有：作為第1鍍敷層之鍍錫層7及 形成於該鍍錫層7與前述金屬構件間之金屬間化合物層。 前述金屬構件11為錄或鐵_錄合金時，金屬間化合物 層為錫-錄。前述金屬構件11為銅或銅合金時，金屬間化 合物為錫-銅。鍍錫層7係具有約4·0μιη〜約9·0μπι範圍之 厚度。金屬間化合物層係具有约0·4μιη〜約2·0μπι範圍之厚 度。該第1面係相當於第1圓所示之陽極端子3與陰極端 子4之彎折後之外表面側，該第1面係焊接於基板上。鍍 錫層7與金屬間化合物層係由：於金屬構件之表面上以無 質地之狀態而直接形成鍍錫層7之步驟；及，對此施行軟 熔處理後，於金屬構件與鍍錫層7間形成錫·鎳，或錫-銅 之金屬間化合物層之步驟來形成。 而為引線架11之另一邊的面之第2面係具有：設於金 屬構件表面上之鎳之質地錄敷層8，及，設於該質地鍍敷 層8上之鍍銀層9。鎳之質地鍍敷層8係具有約〇.3μιη之 厚度。鍍銀層9係具有約1·0μιη之厚度。第2面，於第1 圖中，相當於與電容元件1相接合之侧。該第2面係與電 容元件1相接合。依此形成it件固定部10。 在如此構成之電容器中針對鍍錫層之厚度進行實驗。 即，構成引線架11之帶板狀金屬構件係使用鐵-鎳合金。 鐵-鎳合金係採用42%Ni-Fe合金之42合金。並將以無質地 鍍敷之型態直接在該金屬構件上形成各種厚度之鍍錫層 7。其次，對以上之層以500。(：且在各種氧濃度之環境下施 本紙張尺度適用中國國家標準（CNIS) A4規格（210 X 297公釐） .................::…裝..................#..................皞 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -23- 508603 A7 —… ____B7__ 五、發明説明（21 ) 行敕熔處理，於金屬構件與鍍錫層7間形成錫-鎳之金屬間 化合物層。按此，將自實施例1至實施例2〇之電容器各製 作100個。針對該等電容器，在6〇〇c、9〇〜95%RH、240h 之環境中進行耐濕試驗，進而，評價該耐濕試驗後之焊料 濕潤性。將該焊料濕潤性之結果示於（表υ。此外，焊料濕 满性係藉由ELAJ法、ΕΤ-7404之焊接平衡法評價。焊料 膏係使用Sn-37Pb之RMA型。評價溫度為235°C。焊料濕 潤性評價之判定基準為：零交叉時間為3〇秒以下時為，， 〇’’，零交又時間為3.1秒以上時則為，，X，，。 表1 *(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 鍍錫層之厚度 (μπι) 軟熔爐内 之氧濃度 (PPm) 耐濕試驗後之 焊料濕潤性評價 實施例1 3 50 X 實施例2 3 100 X 實施例3 3 200 X 實施例4 3 250 ~ X 實施例5 4 50 〇 實施例6 4 100 〇 實施例7 4 200 〇 實施例8 4 250 X 實施例9 5 50 〇 實施例10~ 5 100 〇 實施例11 5 200 〇 +實施例12~ 5 250 X 實施例13 8 50 〇 實施例14 8 100 〇 實施例15 8 200 〇 —' 實施例16 8 250 X 實施例17 10 50 〇 施例18 ~ 10 100 〇 實施例19 10 200 〇 — 實施例20 10 250 X 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 、一stl · •24- 五、發明説明（22 ) 表1中’鍵錫層7之厚度在4 μιη以上時，焊料濕潤性 優異。進而尤其是軟熔爐内之氧濃度在2〇〇ρρπι以下時， 進一步使焊料濕潤性提昇。 此外，於軟熔爐内之溫度維持在50(TC 一定之狀態下進 行電容器之製造，但不限於此，軟熔爐内之溫度宜大於錫 之熔點231.9eC者。惟，考慮實際的量產步驟時，以縮短 生產節拍為目的，須在短時間内將之熔融時，宜採用以更 高溫處理之方法。即，400至8〇〇艺範圍内之溫度為佳。在 本實施形態由如此理由而將軟熔爐内之溫度設定在5〇〇 〇C 〇 其次，針對具有前述構成之電容器評價金屬構件之種 類、錫-鎳之金屬間化合物層之厚度及其等電容器之鍍錫層 之耐熱密著性間之關係。即，板狀金屬構件係採用3〇%Ni_ Fe合金（30合金）、42%Ni-Fe合金（42合金），及100%鎳。 在各種金屬構件上以無質地鍍敷之狀態直接形成6叫111厚 之鍍錫層7。隨後，各以300°C至8001：間之溫度進行軟溶 處理，以於鍍錫層與金屬構件間形成具各種厚度之錫-鎳金 屬間化合物。針對其等電容器，評價鍍錫層之耐熱密著性。 將該評價結果示於表2。此外，軟熔時之氧濃度為200ppm。 金屬間化合物之厚度係根據藉奥格電子分光法（AES)分析 之資料而算出者。耐熱密著性之判定基準，係將具有鍍錫 層與金屬間化合物層之金屬構件弩折成弩曲半徑〇·5ππη之 ϋ字形之狀態下，於125。(：大氣中放置1000小時後，藉實 體顯微鏡（倍率10倍）觀察鍍錫層之弩折部的表面。該弩折

JU60UJ 五、發明説明（23 ) 4未_離時為〇 ”。臀折部有部分剝離時則為”△”折 部全部剝離時則為，，><，，。將試驗結㈣於表2β 表2

在表2中，錫·鎳之金屬間化合物層之厚度在0·4μπι以 々時全然不發生弩折部之剝離，得到顯著優異的耐熱密 著性。金屬間化合物層之厚度在〇·2μιη至〇·3μιη範圍内 時’則發生部分剝離。金屬間化合物層之厚度在〇·1μπι至 〇·2μΓη範圍内時，則全部發生剝離。即，為得到顯著的鑛 錫層之耐熱密著性時，錫-鎳之金屬間化合物層之厚度須在 〇·4μιη以上。進而，金屬構件，使用具有較多鎳含有比率 之42合金或100%鎳時，較具有較少鎳含有比率之3〇合 金還能得到較優異之耐熱密著性。進而，將軟熔溫度設定 較同時，可穩定得到厚度較大之錫_鎳之金屬間化合物層。 第3圖係用以顯示檢查設於前述元件固定部1〇之鍍銀 層9之厚度與電容器之ESR特性之關係之結果。ESR特性 係 L 等價串聯阻抗（equivalent series resistance)。在第 3 圖 中’錢銀層9之厚度〇·3μιη以上時，具有高ESR值，且具 有優異的ESR值。 本紙張尺度翻中S S家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-26 508603 A7 ;_B7_ 五、發明説明（24) 如此按本典型實施例之電容器，具有下列構造，即， 於用以構成陽極端子及陰極端子之金屬構件上以無質地之 狀態直接形成鍍錫層7，對此施以軟熔處理，以於金屬構 件與鍍錫層7間形成錫-鎳，或錫-銅之金屬間化合物層者。 藉此，可將鍍敷處理簡易化，可謀求低成本化。進而，可 於長期内展現良好的焊料濕潤性。進而，得到具備有優異 的耐熱密著性之端子的電容器。 此外，在本典型的實施例中，電容元件1係針對將埋 設有陽極導出線2之钽粉末沖壓成形，將此燒結而成之钽 固體電解電容器用之元件進行說明，但不限於此，電容元 件也可使用由間作用金屬箔構成之固體電解電容器用之元 件，此形態也可得到同樣效果。 又，在本典型實施例中，電容元件，並不限於上述形 態，前述電容元件也可包含有：閥作用金屬、形成在前述 閥作用金屬表面之介電質氧化皮膜、設於前述介電質氧化 皮膜之上且由導電性高分子構成之固體電解質，及，設於 前述固體電解質之上之陰極層。 又，用以形成於陽極端子3及陰極端子4上之第1鍍 敷層，也可使用錫-銀鍍敷，或，錫-鉍鍍敷，或，錫-鋅鍍 敷，或，錫·銅鍍敷之錫系合金鍍敷層來替代鍍錫層，此時 也可得到與上述同樣之效果。 典型實施例2 典型實施例2之電容器，係與典型實施例1之電容器 相比，不同的是在於對陽極端子與陰極端子所施行的鍍敷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X 297公釐） .......................裝..................訂..................線. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -27- 25508603 A7 B7 五、發明説明（ ί請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 處理。除此以外之構成及製造方法係與典型實施例1相 同。與典型實施例1同一之部分附與同一標號，省略其說 明’僅針對不同部分做以下說明。

•、可I 第4圖係顯示典型實施例2之钽固體電解電容器之構 成之截面圖；第5圖係該電容器所使用之用以形成陽極•端 子與陰極端子之引線架之截面圖。第4囷及第5圖中，電 容器係具有陽極端子3A及陰極端子4A。陽極端子3A及 陰極端子4A各具有第1面及位於該第1面之背面側之第2 面。第1面係可焊接於基板上之面。其等端子3A及4八之 第1面係於金屬構件之表面上以無質地之狀態直接形成鍍 錫層7(厚度4.0〜9·0μπι)。進而，將之施行軟熔處理，而於 金屬構件與鍍錫層7間形成錫-錄，或錫-銅等之金屬間化 合物層（厚度0.4〜2.0μιη ;未圖示）。 陽極端子3Α及陰極端子4Α之各第2面係與電容元件 1相接合之面。如第5圖所示，在該全第2面上，於金屬 構件之表面形成鎳之質地鍍敷層8(厚度〇·3μιη),進而於該 質地鍍敷層8上之與電容元件1相接合之部分上形成有鍍 銀層9(厚度1·〇μπι)。藉此，形成元件固定部1〇。 即，在本典型實施例2中，鎳之質地鍍敷層8係設置 於陽極端子3Α及陰極端子4Α之各端子之第2面之全面 上。 對此，前述之典型實施例1中，鎳之質地鍍敷層8係 僅設置於陰極端子之第2面之與電容元件〖接合之部分。 典型實施例中進行部分鍍敷處理時，必需有遮蔽等準備步 •28 刈8603 A7 --------__ 五、發明説明（26 ) 驟，反之，如本典型實施例2,對第2面全面進行鍍敷處 理時’則不需遮蔽等準備步驟等之程序，結果可進一步地 謀求製造步驟簡易化者。 典型實施例3 本典型實施例3係與前述之典型實施例2相比，不同 的是在於設置於陽極端子與陰極端子上之鍍錫層之厚度。 即’由陽極端子及陰極端子露出之部分的鍍錫層之厚度較 薄。本典型實施例3中除此以外之構成及製造方法係與典 型實施例2相同。與典型實施例2同一之部分付與同一標 號’並省略其說明，僅針對不同部分做以下說明。 第6圖係顯示本發明典型實施例3之钽固體電解電容 器之構造之要部截面圖。第6圖中，陰極端子4A之第1 面（為向基板焊接之面的這一邊）之面上，在金屬構件之表 面上以無質地之狀態直接形成鍍錫層7(厚度4 〇〜9 〇μπι)。 進而，將之施行軟熔處理，而於金屬構件與鍍錫層7間形 成錫·鎳，或錫銅等之金屬間化合物層（厚度〇·4〜2·0μιη; 未圖示）。同樣，雖未圖示，在陽極端子3Α之第1面上也 同樣地形成鍍錫層及金屬間化合物。 又，在上述陽極端子3Α及陰極端子4Α之各第2面（與 電容元件1相接合之側）之面全部，金屬構件之表面上形成 有鎳之質地鍍敷層8(厚度0·3μιη)。進而，該質地鍍敷層8 上之與電容元件1相接合之部分形成有鍍銀層9(厚度 1·0μιη)，藉此形成元件固定部1〇。 又，鍍錫層7之厚度”tl”係於4.0〜9·0μπι範圍内，鍍錫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） -------------.-------…裝—— (請先閲讀背面之注意事项再填窝本頁) -、一叮丨 :線丨 -29- 508603 、發明說明（ 層7的一部分藉外覆樹脂6模製，其他部分則由外覆樹脂 6露出。由該外覆樹脂6露出之部分的鍍錫層7之厚度，，t2” {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 係藉人砂處理等機械性處理，可形成比厚度” t〖，，還薄約 〇·2μιη〜約i 厚度❶ 第7圖係顯示上述吹砂處理之研削厚度及電容器之漏 電流之關係之特性圖。在第7圓中，tl在〇·2μπι以上時， 即，藉進行〇·2μπι以上之研削時，可將漏電流減少，使之 安定者。 如此，令由外覆樹脂6露出且位於陽極端子3Α及陰極 端子4Α之部分的鍍錫層7之厚度，，t2”係形成較位於藉外覆 樹脂6模製之部分之鍍錫層7之厚度”u，，薄約〇 2〜〇 可在將陽極端子3A與陰極端子4A沿外覆樹脂6彎折處理 時’緩衝因該弩折處理所產生之彎曲應力。藉此，可將電 容器之一重要特性之漏電流（LC)減少、。特別是，藉將形成 為彎折後之外側的焊接面側形成較薄者，可使上述效果進 一步提昇。 典型實施例4 本典型實施例4係與前述典型實施例1中之陽極端子 與陰極端子上設置之鍍敷處理之構造相異。除此以外之構 成與製造方法係與典型實施例1同樣。與典型實施例！同 一部分係付與同一標號，且省略其說明，只針對不同部分 做以下說明。 第8圖係顯示本典型實施例4所構建之钽固艘電解電 容器之構造之截面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐〉 -30 - 508603 A7 _____I__B7____ 五、發明説明（28 ) 第8圖中，在陽極端子3B及陰極端子4B之第1面（被 焊接於基板之邊的面），於金屬構件之表面以無質地之狀態 直接形成第1鍍敷層之鍍錫層7(厚度4·0至9·0μχη)。 又，陰極端子4Β之第2面（與電容元件1連接之邊的 面）之與電容元件1連接之連接部，於金屬構件之表面形成 有鎳之質地鍍敷層8(厚度〇·3μηι)。進而，於該陰極端子之 第2面上形成有鍍銀層9(厚度1 ·〇μπι)。進而，於陰極端子 之第2面中，由該連接部離開至少〇·5ππη之位置上以無質 地之狀態直接形成有第2鍍敷層之第2鍍錫層7a。 同樣地在陽極端子3B之第2面也形成有第2鍍錫層 7a。對此施行軟熔處理，而於金屬構件與第2鍍錫層7a 間形成錫-錄，或，錫-銅等之第2金屬間化合物層（厚度0.4 至2·0μιη，未圖示）。藉此形成有元件固定部。藉如此構成， 可進一步使電容器之電氣特性穩定。 如此，依本典型實施例之電容器，由於陽極端子4Α與 陰極端子4Α之兩面上形成有錫—鎳，或，錫_銅等金屬間化 合物層，因此可使電氣特性進一步穩定。 典型實施例5 本典型實施例4係與前述典型實施例1中之陽極端子 與陰極端子上設置之鍍敷處理之構造及弯折後之形狀相 異°除此以外之構成與製造方法係與典型實施例1同樣。 與典型實施例1同一部分係付與同一標號，且省略其說 明’只針對不同部分做以下說明。 第9圖係顯示本典型實施例5所構建之鈕固體電解電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Μ規格（21〇><297公爱） ....................…裝................！訂..................線. (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁) •31- A7 ------—__B7_ 五、發明説明（29) " 一~~~- 容器之構造之載面圖。第9圖中，電容器係具有陽極端子 3C及陰極端子4〇>作為陰極端子4C 一方之面的第i面之 一部分焊接於基板，進而，該第i面之另一部分連接於電 谷元件1即，在陰極端子4C之第1面中，與電容元件J 連接之連接部之金屬構件之表面上形成有鎳之質地鍍敷層 8(厚度ΟΑμπι)，進而，在該質地鍍敷層8上形成有鍍銀層 9(厚度1·〇μπι)。藉此而形成元件固定部ι〇。又第1面中， 由該鍍銀層9離開至少0e5mm之空隙之位置上，於金屬構 件之表面上以無質地之狀態直接形成鍍錫層7。在陽極端 子3C之第1面形成有鍍錫層7。對此施行軟熔處理，而於 金屬構件與鍍錫層7間形成錫-錄，或，錫_銅等金屬間化 合物層(厚度〇·4至2·0μπι ,未圖示）。陽極端子3C與陰極 端子4C之彎折形狀與前述之典型實施例1相異。其餘構 成係與前述之典型實施例1相同。 如此，依本典型實施例，改變陽極端子3C與陰極端子 4C之考折形狀’並且只對陽極端子sc與陰極端子4c之 各一方的面施以鍍敷處理。藉此構成，如前述之典型實施 例1至4般’不須對兩面施行鍵敷處理，因此，可將製造 步驟進一步簡易化。結果可導致成本降低。。 典型實施例6 本典型實施例6係有關於一種製作鈕固體電解電容器 所使用之陽極端子與陰極端子之製造方法。 第10圖係一製造步驟圖，製造依本典型實施例6構建 之電容器之陽極端子與陰極端子之製造方法中，顯示先錢 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） ί請先閲，讀背面之注意事項再填寫本頁) -、訂| 4 • 32 · 508603 A7 B7 30 五、發明説明（ 敷及後冲壓方式之製造方法。 第10圖中，首先一開始如（a)所示，在鎳或鐵-鎳合金 (42合金等），或，銅或銅合金（銅_鎳_錫合金等）等帶板狀金 屬構件（引線架）11之一面（圖中之裏面側）之表面上以無質 地之狀態直接形成鍍錫層（未圖示）。其次，對此施行軟熔 處理，於金屬構件11與鍍錫層間形成錫·鎳，或，錫-銅等 之金屬間化合物層。 又’如（b)所示，於金屬構件11之另一面（圖中之表面 側）之與電容元件1連接之部分形成有鎳之質地鍍敷層（未 圖示），進而，於該質地鍍敷層上形成鍍銀層9。藉此形成 元件固定部10。 其次’如（c)所示，將具有鍍敷層之金屬構件丨丨冲孔成 預定形狀。 接著，如（d)所示，將沖孔成預定形狀之金屬構件施以 冲壓加工’製作一彎折成預定形狀之陽極端子3及陰極端 4。隨後在依此製造之陰極端子4之元件固定部上塗佈 導電性黏著劑5。 接著，如（e)所示，於導電性黏著劑5上方載置電容元 件1之陰極層面，將電容元件接合。然後，藉熔接等而將 由電谷元件1導出之陽極導出線2接合於陽極端子依 此組裝電容器。接著再由引線架11除去不要部分。 第11圖係製造步驟圖，顯示製造本典型實施例6之電 容器之陽極端子及陰極端子之製造方法中顯示先冲壓後鍍 敷方式之製造方法β •.......................裝..................#..................線- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

•33 A7 __Ξ_一 五、發明説明（31 ) … 首先如（a)所示，準備鎳或鐵-鎳合金（42合金等），或， 鋼或銅合金（鋼：鎳-錫合金等）之帶板狀金屬構件（引線 架）11 〇 、 其次，如（b)所示，將該帶板狀金屬構件11沖孔成預定 形狀。 接著’如（c)所示，金屬構件11之一方（圖中之裏面側） 的面之表面，以無質地之狀態直接形成鍍錫層（未圖示）。 進而，藉對此施行軟熔處理，以於金屬構件丨丨與鍍錫層間 形成錫-鎳，或錫-銅之金屬間化合物層。進而，於與金屬 構件11之另一忘（圖中之表面側）之面之電容元件1連接之 -λ . 〜 部分上形成鎳之質地鍍敷層（未圖示）。並於該質地鍍敷層 上形成鍍銀層9。藉此形成元件固定部1〇 ^依此得到鍍敷 處理品。 其次’如（d)所示，對該鍍敷處理品施行沖壓加工，製 作陽極端子3及陰極端子4。接著，在如此製造之陰極端 子4之元件固定部1〇上塗佈導電性黏著劑5。 其次，如（e)所示，在導電性黏著劑5上載置電容元件 1之陰極層面，夢電容元件接合。進而，藉熔接等而將由 電容元件1導出之陽極導出線2接合於陽極端子3。如此， 進行電容器之組裝。隨後再將引線架11之不要部分除去。 如此可使用先鍍敷後沖壓方式，或，先冲壓後鍍敷方 式等之製造方法。其等製造方法之使用可考慮個別的特徵 來適當決定6 如上，藉本發明之構成，可將端子之鍵敷處理簡易化， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X 297公釐） ί請先W讀背面之注意事項再填窝本頁)

-34· 508603 A7 _B7_ 五、發明説明（32 ) 謀求低成本化。進而可使端子在長期間内發揮良好的焊料 濕潤性。進而，端子具有優異的耐熱密著性。得到具有如 •此全部的效果之端子之電容器。進而，可得到一無使用環 境污染物質之鉛而保護環境之電容器。 [圖式之簡單說明] 第1圖係顯示本發明實施形態1之钽固體電解電容器 之構造的截面圖。 第2(a)、2(b)圖各為本發明實施形態1之鈕固體電解電 容器所使用之電容器上所採用之用以形成陽極端子與陰極 端子之引線架的平面圖及2 A-2 A線上之截面圖。 第3圖係顯示本發明實施形態1之钽固體電解電容器 中之鍍銀層的厚度與ESR特性間之關係的特性圖。 第4圖係顯示本發明實施形態2之钽固體電解電容器 之構造的截面圖。 第5圖係本發明實施形態2之钽固體電解電容器所使 用之用以形成陽極端子與陰極端子之引線架之截面圖。 第6圖係顯示本發明實施形態3之钽固體電解電容器 之構造的截面圖。 第7圖係係顯示本發明實施形態3之钽固體電解電容 器經喷吹處理所進行之研削厚度與漏電流之關係的特性 圖。 第8囷係顯示本發明實施形態4之组固艘電解電容器 之構造的截面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X 297公釐） •.......................裝..................訂…….............線‘ C請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁} -35- 508603 33 1，12···電容元件 2,13…極導出線 3,3&，36,3(：，14.“陽極端子 4,4&，43,4(：，15〜陰極端子 5，16…導電性黏著劑 6，17···外覆樹脂 7…第1鍍敷層、鍍銀層， 錫合金鑛敷層 A7 B7 五、發明説明（ 第9圖係顯示本發明實施形態5之钽固體電解電容器 之構造的截面圖《 第10圖係顯示一製程圖；顯示本發明實施形態6依先 鍍敷、後冲壓方式之電容器之陽極端子及陰極端子之製造 方法。 第11圖係顯示一製程圖；顯示本發明實施形態6依先 沖壓、後鍍敷方式之電容器之陽極端子及陰極端子之製造 方法。 第12圖係顯示習知之钽固馥電解電容器之構造之截面 第13圖係顯示習知钽固體電解電容器上所使用之用以 形成陽極端子及陰極端子之引線架之平面圖。 第14圖係第13圖之14A-14A線處之截面圖。 [圖中標號說明] 7a…第2鍍敷層、鍍錫層 8···鎳之質地鍍敷層 9,20···鍍銀層 10，19···元件固定部 11，18…金屬構件、引線架 21.. .導孔 22.. .質地層 23···軟焊用鍍敷層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 一請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Claims (1)

1. A8 B8 C8 M____ 申請專利範園 1# 一種固體電解電容器，係包含有： 電容元件，係具有陽極取出部及陰極取出部； 陽極端子，係與前述陽極取出部做電性連接者；及 陰極端子，係與前述陰極取出部做電性連接者； 且前述陽極端子及前述陰極端子係具有： 選自由錄、鎳合金、銅、及銅合金所構成之群中 至少一種之金屬構件； 設於前述金屬構件上，且含有錫及錫合金中至少 一種之第1鍍敷層；及 形成於前述金屬構件與前述第1鍍敷層間之金 屬間化合物層； 該金屬間化合物層係具有一化合物，該化合物係 包含有： (i) 前述錫及錫合金中之一種裡所含之錫；及 (ii) 前述金屬構件裡所含之鎳與銅； 中至少一種者。 2·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其中該陽 極端子與前述陰極端子係具有： 前述金屬構件； 前述第1鍍敷層，係以無質地之狀態直接設於前述 金屬構件上；及 前述金屬間化合物層，係藉加熱軟熔處理而形成於 前述金屬構件與前述第1鍍敷層間者。 3·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其中該陽 本紙張尺度適用中國國家標準（) A4規格（210X297公董） ί請先閲r背面之注意事項再填寫本頁) -、句丨 -37- 508603 A8 B8 C8 ___ D8 六、申請專利範圍 極端子係具有板狀陽極端子，該板狀陽極端子係具有 第1面及位於該第1面之反射側者； 前述陰極端子係具有板狀陰極端子，該板狀陰極端 子係具有第1面及位於該第1面之反射側者； 前述第1鍍敷層與前述金屬間化合物層係設於前述 陽極端子與前述陰極端子之前述第1面與前述第2面中 至少一方之面上。 4·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其係更具 有一用以覆蓋前述電容元件設置之絕緣性外覆樹脂； 且在前述陽極端子與前述陰極端子各有一部分裸露 在外之狀態下設有前述外覆樹脂。 5·如申請專利範圍第3項之固體電解電容器，其中前述 陽極端子與前述陰極端子之前述第1面係具有前述第 1鍍敷層與前述金屬間化合物層； 前述陽極端子與前述陰極端子中之至少一方之前述 第2面係形成有：具鎳之質地鍍敷層及形成於前述質地 鍍敷層上之鍍銀層； 其中具有前述鍍銀層之部分係與前述電容元件做電 性接合者。 6·如申請專利範圍第5項之固體電解電容器，其中前述 陽極端子與前述陰極端子之前述第2面係形成有具鎳 之質地鍍敷層； 前述陰極端子係具有形成於前述質地鍍敷層上之鍍 銀層； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） .......................裝..................訂..................線· (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) -38- Λ8 B8 C8

   '申請專利範固 其中形成有前述鍍銀層之部分係與前述電容元件做 電性接合者。 (請先閲资背面之注意事項再填寫本頁) 7·如申請專利範圍第5項之固體電解電容器，其中前述 陽極端子與前述陰極端子之前述第1面係具有： 前述第1鍍敷層，係以無質地之狀態直接設於前述 金屬構件上；及 則述金屬間化合物層，係藉加熱軟溶處理而形成於 前述金屬構件與前述第1鍍敷層間。 8·如申請專利範圍第3項之固體電解電容器，其中前述 陽極端子與前述陰極端子之前述第丨面係具有前述第 1鑛敷層及前述金屬間化合物層； ,ΤΓ— 月’J述陽極端子及前述陰極端子中之至少一方之前述 第2面係具有：與前述電容元件相接合之接合部，及設 於距前述接合部一定間隔之位置上之第2鍍敷部； 前述接合部係形成有：具鎳之質地鍍敷層及設於前 述質地鍍敷層上之鍵銀層； 前述第2鍍敷部係形成有一鍍敷層，該鍍敷層係設 於刖述金屬構件上，且含有錫及錫合金中之至少一種 9·如申請專利範圍第8項之固體電解電容器，其中該接 合部與前述第2鍍敷層間所形成之一定間隔為〇5mm 以上者。 10·如申請專利範圍第3項之固體電解電容器，其中前述 陽極端子與前述陰極端子之前述第i面係具有前述第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210父297公|) -39. 508603 A8 B8 C8 D8 申請專利範園 1鑛敷層及前述金屬間化合物層； ........................裝…… f諝先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 前述陽極端子與前述陰極端子中之至少一方之前述 第2面係具有：與前述電容元件相接合之接合部及設於 距前述接合部一定間隔之位置上之第2鍍敷部； 前述接合部係形成有：具鎳之質地鍍敷層及設於前 述質地鑛敷層上之鍍銀層； 前述第2鍍敷部係具有：設於前述金屬構件上且含 有錫及錫合金中至少一種之鍍敷層，及設於前述金屬構 件與前述鍍敷層間之金屬間化合物。 11·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其中該第1 鑛敷層之厚度為4·0μπι以上者。 訂丨 12·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其中該金 屬間化合物層係具有〇·4μπι至2·0μπι範圍内之厚度。 13·如申請專利範圍第5項之固體電解電容器，其中該鍍 銀層係具有0·3μπι以上之厚度。 :線丨 14·如申請專利範圍第4項之固體電解電容器，其中該第！ 面係具有由前述外覆樹脂裸露之露出部及覆蓋前述外 覆樹脂之外覆部； 位於前述露出部之前述第1鍍敷層係具有較位於前 述外覆部之前述第1鍍敷層少約〇·2μπι至1·〇μπι範圍 内之厚度。 15·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其中該第1 鍍敷層為鍍錫層。 16·如申請專利範圍第1項之固艘電解電容器，其中該電

   -40· A8 B8 C8 D8 '申請專利範園 容元件係包含有： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 多孔質陽極體，係由具閥作用金屬粉末之成形體之 燒結所形成者； 介電體氧化皮膜層，係形成於該多孔質陽極體上； 固體電解質層，係設於前述介電體氧化皮膜層上； 及 陰極層，係設於前述固體電解質層上； 而前述陽極端子係與前述陽極體做電性連接； 前述陰極端子係與前述陰極層做電性連接。 17·如申請專利範圍第i項之固體電解電容器，其中該電 容元件係包含有： 訂丨 閥作用金屬； 介電體氧化皮膜層，係形成於該閥作用金屬之表面 者； 固體電解質層，係設於前述介電體氧化皮膜層上， 且由導電性高分子形成者·，及 陰極層，係設於前述固體電解質層上； 而前述陽極端子係與前述閥作用金屬做電性連接； 前述陰極端子係與前述陰極層做電性連接。 18·如申請專利範圍第3項之固體電解電容器，其中該陽 極端子與前述陰極端子弩折成使前述陽極端子與前述 陰極端子之前述各第一面位於同一平面上， 前述各第一面係可焊接於基板者。 19·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其中該陰

   -41- A8 Β8 C8 D8 、申請專利範圍 極端子之一端與前述陰極取出部係藉導電性黏著劑而 做電性連接者。 20·如申請專利範圍第3項之固體電解電容器，其中前述 陽極端子與前述陰極端子之各第一面係具有··直接設 於前述金屬構件上之前述第1鍍敷層，及藉軟熔處理 而形成於前述金屬構件與前述第1鍍敷層間之前述金 屬間化合物； 前述陰極端子之前述第2面係具有連接部； 該連接部係形成有：設於金屬構件上之鎳的質地鍍 敷層，及設於該質地鍍敷層上之鍍銀層； 前述連接部係與前述陰極取出部做電性連接； 則述陽極端子之前述第2面係與前述陽極取出部做 電性連接； 前述陽極端子與前述陰極端子彎折成使前述陽極端 子與前陰極端子之前述各第1面位於同一平面上者； 前述各第1面係可焊接於基板者。 21·如申請專利範圍第3項之固體電解電容器，其中前述 陽極端子與前述陰極端子之各第一面係具有：直接設 於前述金屬構件上之前述第1鍍敷層，及藉軟熔處理 而形成於前述金屬構件與前述第1鍍敷層間之前述金 屬間化合物； 前述陽極端子與前述陰極端子之各第2面係具有設 於前述金屬構件上之鎳的質地鍍敷層； 刖述陰極端子之前述第2面係具有連接部； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） ........ .........裝.......-........!訂..............…-線· (請先聞讀背面之注意事項再填窝本頁) -42- A8 B8 _ C8 Γ^----— D8_ 該連接部係形成有設於前述質地鍍敷層上之鍍銀 層； 前述連接部係與前述陰極取出部做電性連接； 前述陽極端子之前述第2面係與前述陽極取出部做 電性連接； 前述陽極端子與前述陰極端子彆折成使前述陽極端 子與前陰極端子之前述各第1面位於同一平面上者； 則述各第1面係可焊接於基板者。 22·如申請專利範圍第3項之固體電解電容器，其中前述 陽極端子與前述陰極端子之各第一面係具有··直接設 於前述金屬構件上之前述第！鍍敷層，及藉加熱軟熔 處理而形成於前述金屬構件與前述第〗鍍敷層間之前 述金屬間化合物層； 前述陽極端子之前述第2面係具有：直接設於前述 金屬構件上之第2鍍錫層，及藉加熱軟熔處理而形成於 前述金屬構件與前述第2鍍錫層間之第2金屬間化合物 層； 前述陰極端子之前述第2面係具有連接部，及設於 距該連接部有一定間隔之第2鍍錫部； 該連接部係形成有：設於金屬構件上之鎳的質地鍍 | 敷層，及設於該質地鍍敷層上之鍍銀層； 前述連接部係與前述陰極取出部做電性連接； 前述陽極端子之前述第2面係與前述陽極取出部做 電性連接； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐) 〜 ----—--- -43- ~請先閲讀背面之注意事項再堆窝本頁〕 •訂丨 508603 _ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 前述陽極端子與前述陰極端子彎折成使前述陽極端 子與前陰極端子之前述各第1面位於同一平面上者； 前述各第1面係可焊接於基板者。 23·如申請專利範圍第3項之固體電解電容器，其中前述 陽極端子之前述第一面係具有：前述第1鍍敷層，及 藉加熱軟熔處理而形成於前述金屬構件與前述第1鍍 敷層間之前述金屬間化合物層； 前述陰極端子之前述第1面係具有連接部及設於距 該連接部有一定間隔之前述第2鍍敷部； 該連接部係形成有：設於金屬構件上之鎳的質地鍍 敷層’及設於該質地鍍敷層上之鍍銀層； 前述第2鍍敷部係具有：前述第1鍍敷層，及藉軟 熔處理而形成於前述金屬構件與前述第1鍍敷層間之 螂述金屬間化合物； 刚述連接部係與前述陰極取出部做電性連接； 前述陽極端子之前述第i面之一端係與前述陽極取 出部做電性連接； 前述陽極端子與前述陰極端子弩折成使前述陽極端 子與刖陰極端子之前述各第1面位於同一平面上者； 前述各第1面係可焊接於基板者β 24·如申請專利範圍第i項之固體電解電容器，其中該金 屬構件係具有前述錄及前述鍊合金中之至少一種； 前述金屬間化合物層係含有錫與鎳之化合物。 25.如申請專利範園第〗項之固體電解電容器其中該金 (21〇χ297^ . . . ..................裝...........：…訂..................縿 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -44- A8 B8 C8 ~-_-^8 __ >中請專概B ^ ^ ^ 屬構件係具有前述銅及前述銅合金中之至少一種； 前述金屬間化合物層係含有錫與銅之化合物。 f請先閲♦讀背面之注意事項再填寫本頁) 26· 一種固體電解電容器之製造方法，係包含有下列步 驟，即： (a) 於金屬構件之第i面上以無質地之狀態直接形 成第1鍍敷層，隨後施行加熱軟熔處理，於前述金屬 構件與前述第1鍍敷層間形成金屬間化合物層； 在此’刖述第1錄敷層係具有錫及錫合今中至少一 種； (b) 於前述金屬構件之第2面之連接部上形成鎳之 質地鍍敷層，進而於該質地鍍敷層上形成鍍銀層； (c) 將前述金屬構件沖孔成預定形狀，形成有陽極 端子及陰極端子； 在此，前述金屬構件冲孔成使前述陰極端子之一端 形成有前述前述連接部者 (d) 將前述陽極端子與前述陰極端子彎折成預定形 狀；及 (e) 令前述連接部電性連接於電容元件之陰極連接 取出部’且將前述陽極端子之一端電性連接於前述電 容元件之陽極取出部。 27·如申請專利範圍第26項之固體電解電容器之製造方 法，其中該質地鍍敷層係藉電鍍而形成之鍍鎳層； 前述鍍銀層係藉電鍍而形成者。 28·如申請專利範圍第26項之固體電解電容器之製造方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Μ規格（210X297公釐） -45- A8 B8 C8 D8 _ 、申請專利範園 法’其中該金屬構件係由前述絲及前述錄合金中之至 少一種所做成者； 前述金屬間化合物層係具有錫及錄之金屬間化合 物。 29·如申請專利範圍第26項之固體電解電容器之製造方 法，其中該金屬構件係由前述銅及前述鋼合金中之至 少一種所作成者； 前述金屬間化合物層係具有錫及銅之金屬間化合 物。 3〇·如申請專利範圍第26項之固體電解電容器之製造方 法’其中該形成金屬間化合物層之步驟係具有一步 驟，即： 將形成有第1錄敷層之前述金屬構件在200PPM以 下之氧濃度環境中加熱至400至800°C，進行軟炫:處 理，藉該軟熔處理而使前述第1鍍敷層熔融，並於前述 金屬構件與前述第1鍍敷層之間形成有含用以形成前 述金屬構件之金屬與錫之金屬間化合物層者。 31.如申請專利範圍第26項之固體電解電容器之製造方 法，其更包含有下列步驟，即： (f) 設置外覆樹脂，以覆蓋前述電容元件及前述連接 部’使前述陽極端子之另一端及前述陰極端子之另一 端露出者；及 (g) 將由前述外覆樹脂露出之前述陽極端子與前述 陰極端子弩折成預定形狀。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、訂- •線· -46- Α8 Β8 C8 D8

   、申請專利範圍 32·如申請專利範圍第26項之固體電解電容器之製造方 法，其中該（a)步驟及前述（b)步驟係具有以下步驟，即： 於前述金屬構件之前述第2面之前述連接部上形成 錄之質地鍍敷層’進一步於前述質地鍍敷層上形成前述 鍍銀層； 進而’在距前述連接部至少〇.5mm縫隙之位置上形 成第1鍍敷層； 於前述金屬構件之前述第1面上以無質地之狀態形 成含有錫與錫合金中之一種之第2鍍敷層；及 對設有前述第1鍍敷層、前述第2鍍敷層及前述連 接部之前述金屬構件施行軟熔處理，於前述金屬構件與 前述第2鍍敷層間形成前述金屬間化合物層，並於前述 金屬構件與前述第2鍍敷層間形成第2金屬間化合物 層。 33 ·如申請專利範圍第26項之固體電解電容器之製造方 法’其係於前述（c)步驟中將前述金屬構件沖孔以形成 前述陽極端子及前述陰極端子之步驟後，執行前述（a) 步驟之於前述第1面上形成前述鍍敷層及前述金屬間 化合物層之步驟，及前述（b)步驟之於前述第2面形成 則述連接部之步驟。 34.如申請專利範圍第26項之固體電解電容器之製造方 法’其係於前述（a)步驟及前述（b)步驟之後執行前述 步驟。 35·如申請專利範圍第26項之固體電解電容器之製造方 本紙張 (·請先閲C背面之注意事項再填寫本頁) .訂丨 -47 _ 508603 A8 B8 C8 D8 # 申請專利範園 法，其更具有以下步驟，即： 設置外覆樹脂，以覆蓋前述電容元件及前述連接 部，使前述陽極端子之另一端與前述陰極端子之另一端 露出者；及 對形成於由前述外覆樹脂露出之位置且設於前述陽 極端子及前述陰極端子之第1鍍敷層施行喷吹處理，藉 此減少該第1鍍敷層之厚度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公董） .......................裝..................、可..................線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -48-