JP2541357B2 - チップ型固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
チップ型固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JP2541357B2 JP2541357B2 JP2291536A JP29153690A JP2541357B2 JP 2541357 B2 JP2541357 B2 JP 2541357B2 JP 2291536 A JP2291536 A JP 2291536A JP 29153690 A JP29153690 A JP 29153690A JP 2541357 B2 JP2541357 B2 JP 2541357B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solid electrolytic
- electrolytic capacitor
- type solid
- anode lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 18
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 amine compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/093—Laser beam treatment in general
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/138—Roughened surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はチップ型固体電解コンデンサの製造方法に関
し、特に端子の形成方法に関する。
し、特に端子の形成方法に関する。
従来のチップ型固体電解コンデンサは第２図に示すよ
うに公知の技術によって製造されたコンデンサ素子に陽
極端子12および陰極端子13を接続した後、トランスファ
ーモールド成型により外装して組み立てられている。し
かし、この種のチップ型固体電解コンデンサは外装樹脂
層14と陽陰極端子導出部に体積をとられるために体積効
率が悪く、小型化の妨げとなっていた。
うに公知の技術によって製造されたコンデンサ素子に陽
極端子12および陰極端子13を接続した後、トランスファ
ーモールド成型により外装して組み立てられている。し
かし、この種のチップ型固体電解コンデンサは外装樹脂
層14と陽陰極端子導出部に体積をとられるために体積効
率が悪く、小型化の妨げとなっていた。
そこで小型化を進めるため第３図に示すように電極端
子として導電体層15,めっき層16,はんだ層17の３層、あ
るいはめっき層16,はんだ層17の２層を素子両端部に直
接形成したチップ型固体電解コンデンサがある。
子として導電体層15,めっき層16,はんだ層17の３層、あ
るいはめっき層16,はんだ層17の２層を素子両端部に直
接形成したチップ型固体電解コンデンサがある。
上述した従来の製造方法による固体電解コンデンサ
は、電極端子の表面が平滑な外装樹脂上に形成されてい
るため外装樹脂と導電体層、あるいはめっき層との接着
力が弱いため、回路基板上に実装した場合のチップの固
着力が弱いという問題点がある。
は、電極端子の表面が平滑な外装樹脂上に形成されてい
るため外装樹脂と導電体層、あるいはめっき層との接着
力が弱いため、回路基板上に実装した場合のチップの固
着力が弱いという問題点がある。
本発明の目的は、外装樹脂層と導電体層又はめっき層
との接着力が増大し、回路基板に実装した場合のチップ
の固着力を強くできるチップ型固体電解コンデンサの製
造方法を提供することにある。
との接着力が増大し、回路基板に実装した場合のチップ
の固着力を強くできるチップ型固体電解コンデンサの製
造方法を提供することにある。
本発明のチップ型固体電解コンデンサの製造方法は、
陽極リードが植立された弁作用金属からなる陽極体上に
酸化皮膜，電解質層，陰極導電体層を順次形成し、陽極
リード植立面の対向面以外の素子周面に外装樹脂層を形
成した後、陽極リードおよび露出した陰極導電体層を各
々を含む両端部の外装樹脂表面に凹凸を形成し、凹凸部
に金属触媒を付着させた後、めっき層，はんだ層を順次
形成した後、陽極リード先端部を切断するという工程を
含んで構成される。
陽極リードが植立された弁作用金属からなる陽極体上に
酸化皮膜，電解質層，陰極導電体層を順次形成し、陽極
リード植立面の対向面以外の素子周面に外装樹脂層を形
成した後、陽極リードおよび露出した陰極導電体層を各
々を含む両端部の外装樹脂表面に凹凸を形成し、凹凸部
に金属触媒を付着させた後、めっき層，はんだ層を順次
形成した後、陽極リード先端部を切断するという工程を
含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１
図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明するために
工程順に示したチップ型固体電解コンデンサの断面図お
よび完成後の外観図である。
図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明するために
工程順に示したチップ型固体電解コンデンサの断面図お
よび完成後の外観図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、タンタル粉末を加
圧整形し、陽極リード２を植立させて、高温で真空焼結
して陽極体１を得る。次に、陽極体をリン酸溶液中に化
成電圧100Vを印加して陽極酸化し、タンタルの酸化皮膜
層３を形成した。次に、電解質層４として硝酸マンガン
溶液中に浸せきして硝酸マンガンを付着させた後、温度
200〜300℃の雰囲気中で熱分解して二酸化マンガン層か
らなる電解質層４を形成した。この浸せきおよび熱分解
は数回繰り返し行う。
圧整形し、陽極リード２を植立させて、高温で真空焼結
して陽極体１を得る。次に、陽極体をリン酸溶液中に化
成電圧100Vを印加して陽極酸化し、タンタルの酸化皮膜
層３を形成した。次に、電解質層４として硝酸マンガン
溶液中に浸せきして硝酸マンガンを付着させた後、温度
200〜300℃の雰囲気中で熱分解して二酸化マンガン層か
らなる電解質層４を形成した。この浸せきおよび熱分解
は数回繰り返し行う。
次に、カーボンペースト中に浸せきした後、温度150
〜200℃の雰囲気中で焼き付け、さらに銀ペースト中に
浸せきした後、温度150〜200℃の雰囲気中で焼きつけて
得られる陰極導電体層５を形成する。
〜200℃の雰囲気中で焼き付け、さらに銀ペースト中に
浸せきした後、温度150〜200℃の雰囲気中で焼きつけて
得られる陰極導電体層５を形成する。
次に、陽極リード２および陽極リード導出面の対向面
を除きエポキシ粉末を素子周面に静電付着させ、100〜2
00℃の雰囲気中で30〜120分間加熱して溶融，硬化させ
外装樹脂層６を形成する。
を除きエポキシ粉末を素子周面に静電付着させ、100〜2
00℃の雰囲気中で30〜120分間加熱して溶融，硬化させ
外装樹脂層６を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、陽極リード２およ
び露出した陰極導電体層に連続する素子両端部の外装樹
脂表面に、直圧式サンドブラスト装置を使用して約40〜
100μｍのアルミナ粉をエアー圧0.5〜1kg/cm2で吹き付
けて凹凸部を形成する。
び露出した陰極導電体層に連続する素子両端部の外装樹
脂表面に、直圧式サンドブラスト装置を使用して約40〜
100μｍのアルミナ粉をエアー圧0.5〜1kg/cm2で吹き付
けて凹凸部を形成する。
次に、凹凸部にパラジウムのアミン化合物の酢酸ブチ
ル溶液を塗布し、200℃の雰囲気中で30分加熱し、熱分
解させて、パラジウムを付着させる。
ル溶液を塗布し、200℃の雰囲気中で30分加熱し、熱分
解させて、パラジウムを付着させる。
次に、陽極リードを含め素子全体をめっき液に浸せき
し、陽極リードを含む陽陰極端子部にめっき層７を形成
する。めっき液としては、たとえば無電解ニッケルめっ
き液を使用し、65℃で40分のめっきを行い約４〜５μｍ
のめっき層７が得られる。
し、陽極リードを含む陽陰極端子部にめっき層７を形成
する。めっき液としては、たとえば無電解ニッケルめっ
き液を使用し、65℃で40分のめっきを行い約４〜５μｍ
のめっき層７が得られる。
さらに、めっき層７にはんだ層８を形成する。最後に
陽極リード２の先端を切断して第１図（ｃ）に示すよう
なチップ型固体電解コンデンサを構成した。
陽極リード２の先端を切断して第１図（ｃ）に示すよう
なチップ型固体電解コンデンサを構成した。
次に、第２の実施例につき説明する。第１の実施例と
同様に外装樹脂６を形成した後、陽極リード２および露
出した陰極導体層に連続する素子両端部にYAGレーザー
を照射して凹凸部を形成する。
同様に外装樹脂６を形成した後、陽極リード２および露
出した陰極導体層に連続する素子両端部にYAGレーザー
を照射して凹凸部を形成する。
次に、第１の実施例と同様にパラジウムを付着させた
後、めっき層7,はんだ層８を順次形成し、陽極リード２
の先端を切断してチップ型固体電解コンデンサを構成し
た。
後、めっき層7,はんだ層８を順次形成し、陽極リード２
の先端を切断してチップ型固体電解コンデンサを構成し
た。
次に、効果を確認するため、凹凸部のない従来例と本
発明の実施例のチップ型固体電解コンデンサを回路基板
上にはんだ実装し、固着力を測定した結果、第１表に示
す効果が得られた。
発明の実施例のチップ型固体電解コンデンサを回路基板
上にはんだ実装し、固着力を測定した結果、第１表に示
す効果が得られた。
〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は電極層を形成する部分の
外装樹脂層の表面を粗面化し、凹凸部を形成したので、
外装樹脂層とめっき層との接着強度が増大するという効
果を有する。
外装樹脂層の表面を粗面化し、凹凸部を形成したので、
外装樹脂層とめっき層との接着強度が増大するという効
果を有する。
従って、本発明の製造方法により得られたチップ型固
体電解コンデンサはチップを回路基板上に実装した際の
固着力を増大させることができる。
体電解コンデンサはチップを回路基板上に実装した際の
固着力を増大させることができる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示したチップ型固体電解コンデンサの断面
図および完成後の外観図、第２図，第３図は何れも従来
例の断面図である。 １……陽極体、２……陽極リード、３……酸化皮膜、４
……電解質層、５……陰極導電体層、6,14……外装樹脂
層、7,16……めっき層、8,17……はんだ層、9,18……電
極端子、12……陽極端子、13……陰極端子、15……導電
体層。
めに工程順に示したチップ型固体電解コンデンサの断面
図および完成後の外観図、第２図，第３図は何れも従来
例の断面図である。 １……陽極体、２……陽極リード、３……酸化皮膜、４
……電解質層、５……陰極導電体層、6,14……外装樹脂
層、7,16……めっき層、8,17……はんだ層、9,18……電
極端子、12……陽極端子、13……陰極端子、15……導電
体層。
Claims (3)
- 【請求項１】陽極リードが植立された弁作用金属からな
る陽極体上に酸化皮膜，電解質層，陰極導電体層を順次
形成し、陽極リード植立面の対向面以外の素子周面に外
装樹脂層を形成した後、陽極リードおよび露出した陰極
導電体層を各々を含む両端部の外装樹脂表面に凹凸を形
成し、凹凸部に金属触媒を付着させた後、めっき層，は
んだ層を順次形成した後、陽極リード先端部を切断する
ことを特徴とするチップ型固体電解コンデンサの製造方
法。 - 【請求項２】外装樹脂層の表面に凹凸を形成する方法が
直圧式サンドブラスト装置によりアルミナ粉を吹き付け
る方法によることを特徴とする請求項１記載のチップ型
固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項３】外装樹脂の表面に凹凸を形成する方法がYA
Gレーザーを照射により行うことを特徴とする請求項１
記載のチップ型固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2291536A JP2541357B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
| US07/783,982 US5254137A (en) | 1990-10-29 | 1991-10-29 | Method of producing chip-type solid-electrolyte capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2291536A JP2541357B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164310A JPH04164310A (ja) | 1992-06-10 |
| JP2541357B2 true JP2541357B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=17770177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2291536A Expired - Lifetime JP2541357B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5254137A (ja) |
| JP (1) | JP2541357B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5390074A (en) * | 1991-09-30 | 1995-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip-type solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same |
| JP2770636B2 (ja) * | 1992-03-03 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | チップ型固体電解コンデンサ |
| US5499938A (en) * | 1992-07-14 | 1996-03-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Field emission cathode structure, method for production thereof, and flat panel display device using same |
| JP3060764B2 (ja) * | 1993-02-02 | 2000-07-10 | 日本電気株式会社 | チップ型固体電解コンデンサ |
| US5554569A (en) * | 1994-06-06 | 1996-09-10 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for improving interfacial adhesion between a polymer and a metal |
| JP3231689B2 (ja) | 1997-12-04 | 2001-11-26 | 富山日本電気株式会社 | 導電性高分子を用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| EP1269547A4 (en) * | 2000-02-03 | 2006-02-01 | Univ Case Western Reserve | HIGH POWER CAPACITORS MADE FROM THIN POWDER LAYERS OF METAL OR METAL SPONG PARTICLES |
| US6214271B1 (en) * | 2000-05-26 | 2001-04-10 | Kemet Electronics Corporation | Thermal treatment process for valve metal nitride electrolytic capacitors having manganese oxide cathodes |
| JP2002134360A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2004096518A (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-25 | Japan Servo Co Ltd | 回転電機による監視カメラ駆動法 |
| USD804548S1 (en) * | 2016-03-29 | 2017-12-05 | Fratelli Pezza S.R.L. | Sandblast machine |
| CN108492987B (zh) * | 2018-03-09 | 2019-12-24 | 河南理工大学 | 一种具有自修复功能的固态薄膜电容器及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3855505A (en) * | 1972-04-03 | 1974-12-17 | Nat Components Ind Inc | Solid electrolyte capacitor |
| CA1077582A (en) * | 1975-12-10 | 1980-05-13 | Mallory Components Limited | Termination means for an electrical device |
| JPS5860253A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-09 | Hitachi Ltd | 超音波探傷装置 |
| US4561041A (en) * | 1984-08-22 | 1985-12-24 | Union Carbide Corporation | Escapsulated chip capacitor assemblies |
| US4571664A (en) * | 1984-11-09 | 1986-02-18 | Mepco/Electra, Inc. | Solid electrolyte capacitor for surface mounting |
| JPS62216259A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 混成集積回路の製造方法および構造 |
| JP2642684B2 (ja) * | 1988-08-30 | 1997-08-20 | 東陶機器株式会社 | 便座の起立保持機構 |
| US5036434A (en) * | 1988-12-15 | 1991-07-30 | Nec Corporation | Chip-type solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same |
| JP2596194B2 (ja) * | 1990-08-07 | 1997-04-02 | 日本電気株式会社 | チップ形固体電解コンデンサ |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP2291536A patent/JP2541357B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-10-29 US US07/783,982 patent/US5254137A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5254137A (en) | 1993-10-19 |
| JPH04164310A (ja) | 1992-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0283239B1 (en) | Electrolytic capacitors including a solid electrolyte layer, and their production | |
| JP2541357B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0766081A (ja) | チップ型固体電解コンデンサ | |
| JPS5845171B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH09232196A (ja) | 複合部品 | |
| JPS6041847B2 (ja) | チップ型電子部品の製造法 | |
| JP4366055B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2946657B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサ | |
| JP2748548B2 (ja) | チップ形固体電解コンデンサ | |
| JP2541357C (ja) | ||
| JPS59132614A (ja) | 積層形固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH05326341A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH01109711A (ja) | 複合チップ状固体電解コンデンサ | |
| JP2570143B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPS5937854B2 (ja) | チップ型電子部品の製造法 | |
| JP2778441B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH06333788A (ja) | 面実装型固体電解コンデンサーの構造及び面実装型固体電解コンデンサーの製造方法 | |
| JPH0731532Y2 (ja) | チップ形固体電解コンデンサ | |
| JPS5914884B2 (ja) | チツプコンデンサ | |
| JPS605577Y2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサ | |
| JPH0225230Y2 (ja) | ||
| JPH025528Y2 (ja) | ||
| JP2850819B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH09283367A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JPS6044821B2 (ja) | 固体電解コンデンサ |