JP3341534B2 - チップ型電子部品およびその製造方法 - Google Patents
チップ型電子部品およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3341534B2 JP3341534B2 JP13333695A JP13333695A JP3341534B2 JP 3341534 B2 JP3341534 B2 JP 3341534B2 JP 13333695 A JP13333695 A JP 13333695A JP 13333695 A JP13333695 A JP 13333695A JP 3341534 B2 JP3341534 B2 JP 3341534B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- chip capacitor
- electronic component
- type electronic
- outermost layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は素子の両端面に端子電極
を有するチップ型電子部品およびその製造方法に関する
ものである。
を有するチップ型電子部品およびその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、積層セラミックコンデンサ（以降
チップコンデンサと記載する）を代表とする片方の端子
外部電極が５面を有する電子部品は軽薄短小化が進み、
その寸法として長さＬ１．０mm、幅Ｗと高さＴが０．５
mmの１００５タイプが生産・販売されており、高密度実
装化に対応している。その端子外部電極（以降外部電極
と記載する）は、端面と側面及び上、下面の１５面を有
する電子部品の構造並びに製造方法についてチップコン
デンサを例に説明する。図１６は従来のチップコンデン
サの斜視図である。図１６において、１はセラミック素
体の上面、２はセラミック素体の側面で１と２に見かけ
上の区別はほぼない。３は外部電極上面、４は外部電極
側面で３と４に着かけ上の区別はほぼない。５は外部電
極端面である。図１７は従来のチップコンデンサの断面
図である。６は内部電極で７は端子メッキ下地電極（以
降メッキ下地電極と記載する）、８はＮｉまたはＣｕで
形成される中間電極である。この中間電極８が二層にな
っている場合もある。９はＳｎまたはＳｎ合金で形成さ
れる最外層電極である。また、このチップコンデンサは
図１８のフローチャートで示す工程で製造されている。
まず、セラミック素体にメッキ下地電極７を塗布・焼付
（２１），（２２）で形成し、中間電極８及び最外層電
極９を電解バレルメッキまたは無電解メッキによって形
成し（２３），（２４）、特性及び外観を選別・包装し
（２５），（２６），（２７）出荷している（よって、
セラミック素体の上面１と側面２及び外部電極上面３と
側面４に区別はほぼない）。
チップコンデンサと記載する）を代表とする片方の端子
外部電極が５面を有する電子部品は軽薄短小化が進み、
その寸法として長さＬ１．０mm、幅Ｗと高さＴが０．５
mmの１００５タイプが生産・販売されており、高密度実
装化に対応している。その端子外部電極（以降外部電極
と記載する）は、端面と側面及び上、下面の１５面を有
する電子部品の構造並びに製造方法についてチップコン
デンサを例に説明する。図１６は従来のチップコンデン
サの斜視図である。図１６において、１はセラミック素
体の上面、２はセラミック素体の側面で１と２に見かけ
上の区別はほぼない。３は外部電極上面、４は外部電極
側面で３と４に着かけ上の区別はほぼない。５は外部電
極端面である。図１７は従来のチップコンデンサの断面
図である。６は内部電極で７は端子メッキ下地電極（以
降メッキ下地電極と記載する）、８はＮｉまたはＣｕで
形成される中間電極である。この中間電極８が二層にな
っている場合もある。９はＳｎまたはＳｎ合金で形成さ
れる最外層電極である。また、このチップコンデンサは
図１８のフローチャートで示す工程で製造されている。
まず、セラミック素体にメッキ下地電極７を塗布・焼付
（２１），（２２）で形成し、中間電極８及び最外層電
極９を電解バレルメッキまたは無電解メッキによって形
成し（２３），（２４）、特性及び外観を選別・包装し
（２５），（２６），（２７）出荷している（よって、
セラミック素体の上面１と側面２及び外部電極上面３と
側面４に区別はほぼない）。
【０００３】以上のように構成されたチップコンデンサ
について、その実装方法のうちリフロー半田付方法を簡
単に説明する。図１９は実装基板のモデル図で、アルミ
ナまたは樹脂形成された基板１０のランド１１にクリー
ム半田１２を塗りチップコンデンサ１４を並べ外部から
の熱でクリーム半田１２を溶かし、その半田が図２０の
ように上部に濡れ上がることによって半田付けされるリ
フロー半田付方法により実装していた。
について、その実装方法のうちリフロー半田付方法を簡
単に説明する。図１９は実装基板のモデル図で、アルミ
ナまたは樹脂形成された基板１０のランド１１にクリー
ム半田１２を塗りチップコンデンサ１４を並べ外部から
の熱でクリーム半田１２を溶かし、その半田が図２０の
ように上部に濡れ上がることによって半田付けされるリ
フロー半田付方法により実装していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この構成によると、チ
ップコンデンサを基板１０に実装する際すべてが図２０
に示すように、チップコンデンサ１４両端にほぼ対称な
フィレット１３が形成され、半田付けされるというわけ
ではなく、実装時の諸条件（下面の熱を基板１０の熱容
量や基板１０や他の部品による輻射熱による影響など）
やチップコンデンサ１４の寸法との兼ね合いによって図
２１に示すように、チップコンデンサ１４が片側に起き
上がるマンハッタン現象が発生するという問題点を有し
ていた。
ップコンデンサを基板１０に実装する際すべてが図２０
に示すように、チップコンデンサ１４両端にほぼ対称な
フィレット１３が形成され、半田付けされるというわけ
ではなく、実装時の諸条件（下面の熱を基板１０の熱容
量や基板１０や他の部品による輻射熱による影響など）
やチップコンデンサ１４の寸法との兼ね合いによって図
２１に示すように、チップコンデンサ１４が片側に起き
上がるマンハッタン現象が発生するという問題点を有し
ていた。
【０００５】この現象は、端面から上面に半田が濡れ上
がるとき半田のチップコンデンサ１２に対する張力の左
右のバランスに差が生じ、チップコンデンサ１２の重力
を上回ることにより生じるものである。
がるとき半田のチップコンデンサ１２に対する張力の左
右のバランスに差が生じ、チップコンデンサ１２の重力
を上回ることにより生じるものである。
【０００６】そこで本発明は端面から上部への半田の濡
れ上がりを抑制し、マンハッタン現象の発生しないチッ
プ型電子部品を提供することを目的とするものである。
れ上がりを抑制し、マンハッタン現象の発生しないチッ
プ型電子部品を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のチップ型電子部品は、素子と、この素子の端
面に設けた少なくとも三層からなる端子電極を備え、前
記端子電極は中間層をＮｉあるいはＣｕを用いて形成
し、最外層をＳｎあるいはＳｎ合金（但しＮｉ，Ｃｕは
非含有）を用いて形成したものであり、前記端子電極表
面の一部に中間層と前記最外層を構成する金属の合金を
有するものである。
に本発明のチップ型電子部品は、素子と、この素子の端
面に設けた少なくとも三層からなる端子電極を備え、前
記端子電極は中間層をＮｉあるいはＣｕを用いて形成
し、最外層をＳｎあるいはＳｎ合金（但しＮｉ，Ｃｕは
非含有）を用いて形成したものであり、前記端子電極表
面の一部に中間層と前記最外層を構成する金属の合金を
有するものである。
【０００８】
【作用】この構成によると、端子電極表面に半田に対し
て濡れの悪い部分と良い部分ができることにより、チッ
プ型電子部品を基板に実装する際、半田の濡れ上がりに
よる左右の力の差を少なくすることができ、その結果マ
ンハッタン現象の発生を防ぐことができる。
て濡れの悪い部分と良い部分ができることにより、チッ
プ型電子部品を基板に実装する際、半田の濡れ上がりに
よる左右の力の差を少なくすることができ、その結果マ
ンハッタン現象の発生を防ぐことができる。
【０００９】
【実施例】（実施例１）以下、本発明の特に請求項１について 図面を参照しなが
ら、チップコンデンサを例に説明する。
ら、チップコンデンサを例に説明する。
【００１０】図１は本実施例におけるチップコンデンサ
の斜視図で、図２はその断面図であり、図３は本実施例
におけるチップコンデンサの製造工程図である。
の斜視図で、図２はその断面図であり、図３は本実施例
におけるチップコンデンサの製造工程図である。
【００１１】まず、誘電体層４１と内部電極４２とを交
互に積層した素体４３を作製し（２１）、この素体４３
の内部電極４２の露出した両端面とこの両端面に続く側
面と上、下両面の一部の計５面にＡｇを塗布（２２）、
焼付け（２３）てＡｇ電極４４を形成した。次に、この
Ａｇ電極４４上にＮｉメッキ（２４）、Ｓｎメッキ（２
５）の順に行い、中間層４５と最外層４６とを形成し
た。このときＳｎメッキ（２５）は、外部電極の表面に
部分的にＮｉとＳｎの合金部分を形成するために、均一
にメッキを行うための薬品（光沢剤）を用いずに、均一
性の悪いメタンスルホン酸をベースとするメッキ液を用
いて行った。次いで特性および外観選別（２６），（２
７）した後に、乾燥機の耐熱性容器に入れて熱処理（２
８）を行った。
互に積層した素体４３を作製し（２１）、この素体４３
の内部電極４２の露出した両端面とこの両端面に続く側
面と上、下両面の一部の計５面にＡｇを塗布（２２）、
焼付け（２３）てＡｇ電極４４を形成した。次に、この
Ａｇ電極４４上にＮｉメッキ（２４）、Ｓｎメッキ（２
５）の順に行い、中間層４５と最外層４６とを形成し
た。このときＳｎメッキ（２５）は、外部電極の表面に
部分的にＮｉとＳｎの合金部分を形成するために、均一
にメッキを行うための薬品（光沢剤）を用いずに、均一
性の悪いメタンスルホン酸をベースとするメッキ液を用
いて行った。次いで特性および外観選別（２６），（２
７）した後に、乾燥機の耐熱性容器に入れて熱処理（２
８）を行った。
【００１２】この熱処理（２８）を行うことにより、Ｓ
ｎメッキの厚みの薄い部分に、中間層４５のＮｉが拡散
し、Ｓｎよりも半田付け性の劣るＳｎ−Ｎｉの金属間化
合物４７を形成できる。
ｎメッキの厚みの薄い部分に、中間層４５のＮｉが拡散
し、Ｓｎよりも半田付け性の劣るＳｎ−Ｎｉの金属間化
合物４７を形成できる。
【００１３】（実施例２） 以下、本発明の特に請求項２について図面を参照しなが
ら説明する。図４は本実施例におけるチップコンデンサ
の斜視図、図５はその断面図、図６はこのチップコンデ
ンサの製造工程図である。
ら説明する。図４は本実施例におけるチップコンデンサ
の斜視図、図５はその断面図、図６はこのチップコンデ
ンサの製造工程図である。
【００１４】実施例１と同様にして、素体４３を作製し
（２１）、両端面とこの両端面に続く側面と上、下両面
の一部の計５面にＡｇを塗布（２２）、焼付け（２３）
てＡｇ電極４４を形成した。次に、このＡｇ電極４４上
にＮｉメッキ（２４）、Ｓｎメッキ（２５）の順に行
い、中間層４５と最外層４６とを形成した。このときＳ
ｎメッキ（２５）は、チップコンデンサを実装する基板
に接する面を基準にして、チップコンデンサの高さの１
／３より高い部分に部分的にＮｉとＳｎの合金部分を形
成するために、アルカノールスルホン酸をベースとする
液に光沢剤を入れて均一性の良いメッキとなるようにし
た。
（２１）、両端面とこの両端面に続く側面と上、下両面
の一部の計５面にＡｇを塗布（２２）、焼付け（２３）
てＡｇ電極４４を形成した。次に、このＡｇ電極４４上
にＮｉメッキ（２４）、Ｓｎメッキ（２５）の順に行
い、中間層４５と最外層４６とを形成した。このときＳ
ｎメッキ（２５）は、チップコンデンサを実装する基板
に接する面を基準にして、チップコンデンサの高さの１
／３より高い部分に部分的にＮｉとＳｎの合金部分を形
成するために、アルカノールスルホン酸をベースとする
液に光沢剤を入れて均一性の良いメッキとなるようにし
た。
【００１５】次いで、特性および外観選別（２６），
（２７）した後に、図７に示すように包装機の整列治具
４８に配置して、アイロン４９でチップコンデンサの上
面から熱処理（２９）を行うことによって、熱を加えら
れた部分の中間層４５のＮｉが最外層４６のＳｎ側に拡
散して、Ｓｎよりも半田付け性の劣るＳｎ−Ｎｉの金属
間化合物４７を形成した。
（２７）した後に、図７に示すように包装機の整列治具
４８に配置して、アイロン４９でチップコンデンサの上
面から熱処理（２９）を行うことによって、熱を加えら
れた部分の中間層４５のＮｉが最外層４６のＳｎ側に拡
散して、Ｓｎよりも半田付け性の劣るＳｎ−Ｎｉの金属
間化合物４７を形成した。
【００１６】このチップコンデンサは基板に実装する
際、上部の半田濡れ性が悪くなることにより、フィレッ
ト形成の際の張力をできるだけ小さく、かつ実装後の温
度サイクルなどによる外部電極とフィレットのはがれに
よる信頼性を維持することができる。
際、上部の半田濡れ性が悪くなることにより、フィレッ
ト形成の際の張力をできるだけ小さく、かつ実装後の温
度サイクルなどによる外部電極とフィレットのはがれに
よる信頼性を維持することができる。
【００１７】（実施例３） 以下、本発明の特に請求項３について図面を参照しなが
ら説明する。図８は本実施例におけるチップコンデンサ
の斜視図、図９はその断面図、図１０はこのチップコン
デンサの製造工程図である。
ら説明する。図８は本実施例におけるチップコンデンサ
の斜視図、図９はその断面図、図１０はこのチップコン
デンサの製造工程図である。
【００１８】実施例２と同様にして、素体４３を作製し
（２１）、両端面とこの両端面に続く側面と上、下両面
の一部の計５面にＡｇを塗布（２２）、焼付け（２３）
てＡｇ電極４４を形成した。次に、このＡｇ電極４４上
にＮｉメッキ（２４）、Ｓｎメッキ（２５）の順に行
い、中間層４５と最外層４６とを形成した。このときＳ
ｎメッキ（２５）は、チップコンデンサを実装する基板
に接する面を基準にして、チップコンデンサの高さの１
／３より高い部分に部分的にＮｉとＳｎの合金部分を形
成するために、アルカノールスルホン酸をベースとする
液に光沢剤を入れて均一性の良いメッキとなるようにし
た。
（２１）、両端面とこの両端面に続く側面と上、下両面
の一部の計５面にＡｇを塗布（２２）、焼付け（２３）
てＡｇ電極４４を形成した。次に、このＡｇ電極４４上
にＮｉメッキ（２４）、Ｓｎメッキ（２５）の順に行
い、中間層４５と最外層４６とを形成した。このときＳ
ｎメッキ（２５）は、チップコンデンサを実装する基板
に接する面を基準にして、チップコンデンサの高さの１
／３より高い部分に部分的にＮｉとＳｎの合金部分を形
成するために、アルカノールスルホン酸をベースとする
液に光沢剤を入れて均一性の良いメッキとなるようにし
た。
【００１９】次いで、特性および外観選別（２６），
（２７）した後に、図１１に示すように捺印機の整列治
具５１に上面にＵＶ硬化樹脂で捺印５０したチップコン
デンサ５３を配置し、ＵＶ光源を含む熱源５２でチップ
コンデンサ５３の上面から熱処理した。部分的に熱を加
えることにより、熱を加えられた部分の中間層４５のＮ
ｉが最外層４６のＳｎ側に拡散して、Ｓｎよりも半田付
け性の劣るＳｎ−Ｎｉの金属間化合物４７を形成すると
ともに、チップコンデンサ５３の上、下面を区別するた
めのマーキングを行った。
（２７）した後に、図１１に示すように捺印機の整列治
具５１に上面にＵＶ硬化樹脂で捺印５０したチップコン
デンサ５３を配置し、ＵＶ光源を含む熱源５２でチップ
コンデンサ５３の上面から熱処理した。部分的に熱を加
えることにより、熱を加えられた部分の中間層４５のＮ
ｉが最外層４６のＳｎ側に拡散して、Ｓｎよりも半田付
け性の劣るＳｎ−Ｎｉの金属間化合物４７を形成すると
ともに、チップコンデンサ５３の上、下面を区別するた
めのマーキングを行った。
【００２０】このマーキングを行うことにより実装時に
半田濡れ性の悪い面を上部にセットしやすくなり実装が
うまく行く。
半田濡れ性の悪い面を上部にセットしやすくなり実装が
うまく行く。
【００２１】なお、ここで用いるＵＶ硬化樹脂は１６５
℃で硬化するものを用いなければならない。
℃で硬化するものを用いなければならない。
【００２２】（実施例４） 以下、本発明の特に請求項４について図面を参照しなが
ら説明する。図１２は本実施例におけるチップコンデン
サの斜視図、図１３はその断面図、図１４はこのチップ
コンデンサの製造工程図である。
ら説明する。図１２は本実施例におけるチップコンデン
サの斜視図、図１３はその断面図、図１４はこのチップ
コンデンサの製造工程図である。
【００２３】実施例２と同様にして、素体４３を作製し
（２１）、両端面とこの両端面に続く側面と上、下両面
の一部の計５面にＡｇを塗布（２２）、焼付け（２３）
てＡｇ電極４４を形成した。次に、このＡｇ電極４４上
にＮｉメッキ（２４）、Ｓｎメッキ（２５）の順に行
い、中間層４５と最外層４６とを形成した。このときＳ
ｎメッキ（２５）は、部分的にＮｉとＳｎの合金部分を
形成するために、アルカノールスルホン酸をベースとす
る液に光沢剤を入れて均一性の良いメッキとなるように
した。
（２１）、両端面とこの両端面に続く側面と上、下両面
の一部の計５面にＡｇを塗布（２２）、焼付け（２３）
てＡｇ電極４４を形成した。次に、このＡｇ電極４４上
にＮｉメッキ（２４）、Ｓｎメッキ（２５）の順に行
い、中間層４５と最外層４６とを形成した。このときＳ
ｎメッキ（２５）は、部分的にＮｉとＳｎの合金部分を
形成するために、アルカノールスルホン酸をベースとす
る液に光沢剤を入れて均一性の良いメッキとなるように
した。
【００２４】次いで、特性および外観選別（２６），
（２７）した後に、図１５に示すように包装機の整列治
具４８に配置して、アイロン５４でチップコンデンサの
両端面から熱処理（２９）を行うことによって、熱を加
えられた部分の中間層４５のＮｉが最外層４６のＳｎ側
に拡散して、Ｓｎよりも半田付け性の劣るＳｎ−Ｎｉの
金属間化合物４７を形成した。
（２７）した後に、図１５に示すように包装機の整列治
具４８に配置して、アイロン５４でチップコンデンサの
両端面から熱処理（２９）を行うことによって、熱を加
えられた部分の中間層４５のＮｉが最外層４６のＳｎ側
に拡散して、Ｓｎよりも半田付け性の劣るＳｎ−Ｎｉの
金属間化合物４７を形成した。
【００２５】このチップコンデンサは端面に半田濡れ性
の悪い面を有するので、左右の力ではなく、チップコン
デンサの中心軸を中心に横に回転させる力を発生させる
ことができる。
の悪い面を有するので、左右の力ではなく、チップコン
デンサの中心軸を中心に横に回転させる力を発生させる
ことができる。
【００２６】（実施例５）以下、本発明の特に請求項５、６について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００２７】実施例４と同様にして熱処理工程（２９）
前まで行ったチップコンデンサの両端面を紙やすりで研
磨し、最外層４６のＳｎメッキの厚みを０．５μｍにま
で削り落とし、実施例４と同様にして熱処理（２９）を
行った。
前まで行ったチップコンデンサの両端面を紙やすりで研
磨し、最外層４６のＳｎメッキの厚みを０．５μｍにま
で削り落とし、実施例４と同様にして熱処理（２９）を
行った。
【００２８】（実施例６）以下、本発明の特に請求項５、６について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００２９】実施例４と同様にして熱処理工程（２９）
前まで行ったチップコンデンサの両端面を酸化膨張剤と
水酸化ナトリウムで構成された８０℃の沸騰していない
液に１０秒間浸漬し、Ｓｎメッキの厚みを０．５μｍに
調整したものを、実施例４と同様にして熱処理（２９）
した。
前まで行ったチップコンデンサの両端面を酸化膨張剤と
水酸化ナトリウムで構成された８０℃の沸騰していない
液に１０秒間浸漬し、Ｓｎメッキの厚みを０．５μｍに
調整したものを、実施例４と同様にして熱処理（２９）
した。
【００３０】また比較のために比較例７として通常にメ
ッキしたもの、比較例８として中間層４５のＮｉメッキ
の厚みを０．５μｍ、最外層４６のＳｎメッキの厚みを
０．５μｍのものを実施例４と同様にして熱処理（２
９）したものを用意した。
ッキしたもの、比較例８として中間層４５のＮｉメッキ
の厚みを０．５μｍ、最外層４６のＳｎメッキの厚みを
０．５μｍのものを実施例４と同様にして熱処理（２
９）したものを用意した。
【００３１】なお、実施例１〜８までのチップコンデン
サの熱処理（２９）は熱を加えた部分の表面温度が１６
５℃になるようにコントロールした。
サの熱処理（２９）は熱を加えた部分の表面温度が１６
５℃になるようにコントロールした。
【００３２】また、実施例１〜６、比較例７，８のチッ
プコンデンサの実装テスト（半田付け性、マンハッタン
不良発生率）を（表１）に示している。
プコンデンサの実装テスト（半田付け性、マンハッタン
不良発生率）を（表１）に示している。
【００３３】
【表１】
【００３４】ここで試験条件を以下に示す。
【００３５】 製品 １００５タイプ （長さ１．０mm＊幅０．５mm＊高さ０．５mm） リフロー半田付 余熱なし ＴＯＰ温度 ２４０℃ ２３０℃以上 ５秒間 （表１）から明らかなように、実施例１〜６のチップコ
ンデンサは実装性に優れていることがわかる。
ンデンサは実装性に優れていることがわかる。
【００３６】以上のように実施例によると、チップコン
デンサを実装する基板に接する面を基準にして、チップ
コンデンサの高さの１／３より高い外部電極の表面の少
なくとも一部を熱処理し、表面にＮｉ−Ｓｎの金属間化
合物４７を形成することにより、マンハッタン不良を防
ぐことができる。
デンサを実装する基板に接する面を基準にして、チップ
コンデンサの高さの１／３より高い外部電極の表面の少
なくとも一部を熱処理し、表面にＮｉ−Ｓｎの金属間化
合物４７を形成することにより、マンハッタン不良を防
ぐことができる。
【００３７】なお、実施例において、中間層４５と最外
層４６はそれぞれ厚みが１μｍ以上になるように形成し
た。
層４６はそれぞれ厚みが１μｍ以上になるように形成し
た。
【００３８】また、実施例においては中間層４５にＮｉ
を用いたが、中間層４５に用いる金属はＳｎと熱処理に
よって化合物を形成し、この化合物がＳｎよりも半田付
け性の劣るようになるような金属（例えばＣｕなど）で
あれば構わない。
を用いたが、中間層４５に用いる金属はＳｎと熱処理に
よって化合物を形成し、この化合物がＳｎよりも半田付
け性の劣るようになるような金属（例えばＣｕなど）で
あれば構わない。
【００３９】さらに熱処理は金属間化合物４７を形成し
たい部分にだけ加えるために一気に熱を加えたほうが望
ましく、その温度においても最外層４６のＳｎが酸化す
る温度であればその効果が得られるが、１６５℃以上に
することにより短時間で、中間層４５のＮｉが最外層４
６のＳｎ側に拡散し合金を形成することができる。
たい部分にだけ加えるために一気に熱を加えたほうが望
ましく、その温度においても最外層４６のＳｎが酸化す
る温度であればその効果が得られるが、１６５℃以上に
することにより短時間で、中間層４５のＮｉが最外層４
６のＳｎ側に拡散し合金を形成することができる。
【００４０】そして実施例においてはチップコンデンサ
を例に示したが、これ以外の端面に電極を有するチップ
型セラミック電子部品や、３面のみに電極を有するチッ
プ抵抗においても同様の効果が得られる。
を例に示したが、これ以外の端面に電極を有するチップ
型セラミック電子部品や、３面のみに電極を有するチッ
プ抵抗においても同様の効果が得られる。
【００４１】
【発明の効果】以上本発明によると、電極表面に半田に
対して濡れの悪い部分と良い部分ができることにより、
チップ型電子部品を基板に実装する際、半田の濡れ上が
りによる左右の力の差を少なくすることができ、その結
果マンハッタン現象の発生を防ぐことができる。
対して濡れの悪い部分と良い部分ができることにより、
チップ型電子部品を基板に実装する際、半田の濡れ上が
りによる左右の力の差を少なくすることができ、その結
果マンハッタン現象の発生を防ぐことができる。
【図１】本発明の第１の実施例におけるチップコンデン
サの斜視図
サの斜視図
【図２】本発明の第１の実施例におけるチップコンデン
サの断面図
サの断面図
【図３】本発明の第１の実施例におけるチップコンデン
サの製造工程図
サの製造工程図
【図４】本発明の第２の実施例におけるチップコンデン
サの斜視図
サの斜視図
【図５】本発明の第２の実施例におけるチップコンデン
サの断面図
サの断面図
【図６】本発明の第２の実施例におけるチップコンデン
サの製造工程図
サの製造工程図
【図７】本発明の第２の実施例における熱処理工程を説
明する斜視図
明する斜視図
【図８】本発明の第３の実施例におけるチップコンデン
サの斜視図
サの斜視図
【図９】本発明の第３の実施例におけるチップコンデン
サの断面図
サの断面図
【図１０】本発明の第３の実施例におけるチップコンデ
ンサの製造工程図
ンサの製造工程図
【図１１】本発明の第３の実施例における熱処理工程を
説明する斜視図
説明する斜視図
【図１２】本発明の第４の実施例におけるチップコンデ
ンサの斜視図
ンサの斜視図
【図１３】本発明の第４の実施例におけるチップコンデ
ンサの断面図
ンサの断面図
【図１４】本発明の第５の実施例におけるチップコンデ
ンサの製造工程図
ンサの製造工程図
【図１５】本発明の第５の実施例における熱処理工程を
説明する斜視図
説明する斜視図
【図１６】従来のチップコンデンサの斜視図
【図１７】従来のチップコンデンサの断面図
【図１８】従来のチップコンデンサの製造工程図
【図１９】実装基板の斜視図
【図２０】半田付後のチップコンデンサの側面図
【図２１】マンハッタン不良をおこしたチップコンデン
サの側面図
サの側面図
４３ 素体 ４４ Ａｇ電極 ４５ 中間層 ４６ 最外層 ４７ 金属間化合物 ５０ 捺印
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 4/12 - 4/42
Claims (6)
- 【請求項１】 素子と、この素子の端面に設けた少なく
とも三層からなる端子電極を備え、前記端子電極は中間
層をＮｉあるいはＣｕを用いて形成し、最外層をＳｎあ
るいはＳｎ合金（但しＮｉ，Ｃｕは非含有）を用いて形
成したものであり、前記端子電極表面の一部に中間層と
前記最外層を構成する金属の合金を有するチップ型電子
部品。 - 【請求項２】 端子電極表面に設けた中間層と前記最外
層を構成する金属の合金は、チップ型電子部品の高さの
１／３より高い位置に存在する請求項１に記載のチップ
型電子部品。 - 【請求項３】 素子の上面にマークを設けた請求項１に
記載のチップ型電子部品。 - 【請求項４】 素子の端面にメッキ下地電極を形成する
第１の工程と、前記メッキ下地電極上にＮｉまたはＣｕ
よりなる中間層を形成する第２の工程と、前記中間層の
上にＳｎあるいはＳｎ合金（但しＮｉ，Ｃｕは非含有）
からなる最外層を形成して端子電極を形成する第３の工
程と、前記端子電極の少なくとも一部を１６５℃以上で
熱処理して、前記端子電極表面にＮｉあるいはＣｕとＳ
ｎを含む合金を形成する第４の工程とを備えたチップ型
電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 第３の工程後、最外層の少なくとも一部
を除去し、第４の工程においてこの除去した部分を熱処
理する請求項４に記載のチップ型電子部品の製造方法。 - 【請求項６】 最外層の除去は、物理的研磨あるいは酸
またはアルカリ溶液に浸漬することにより行うものであ
る請求項７に記載のチップ型電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13333695A JP3341534B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | チップ型電子部品およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13333695A JP3341534B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | チップ型電子部品およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330174A JPH08330174A (ja) | 1996-12-13 |
| JP3341534B2 true JP3341534B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=15102343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13333695A Expired - Fee Related JP3341534B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | チップ型電子部品およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3341534B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10522289B2 (en) * | 2015-03-19 | 2019-12-31 | Murata & Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and electronic component series including the same |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134360A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| KR20130111000A (ko) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
| JP5673595B2 (ja) * | 2012-04-19 | 2015-02-18 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品およびその実装構造体 |
| JP5637170B2 (ja) | 2012-04-19 | 2014-12-10 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品およびその実装構造体 |
| KR101474065B1 (ko) | 2012-09-27 | 2014-12-17 | 삼성전기주식회사 | 적층 칩 전자부품, 그 실장 기판 및 포장체 |
| JP2014187322A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| JP5637252B2 (ja) * | 2013-05-22 | 2014-12-10 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミックコンデンサおよびその実装構造体 |
| CN107004506B (zh) * | 2014-12-19 | 2018-12-28 | 京瓷株式会社 | 层叠型电容器以及安装构造体 |
| JP6592923B2 (ja) | 2015-03-20 | 2019-10-23 | 株式会社村田製作所 | 電子部品およびその製造方法 |
| JP2018018960A (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | シャント抵抗器 |
| JP6747202B2 (ja) | 2016-09-09 | 2020-08-26 | 株式会社村田製作所 | 複合電子部品 |
| JP6743602B2 (ja) * | 2016-09-09 | 2020-08-19 | 株式会社村田製作所 | 複合電子部品および抵抗素子 |
| WO2018101405A1 (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-07 | 株式会社村田製作所 | チップ型電子部品 |
| JP7534096B2 (ja) * | 2020-02-12 | 2024-08-14 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品及び回路基板 |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP13333695A patent/JP3341534B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10522289B2 (en) * | 2015-03-19 | 2019-12-31 | Murata & Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and electronic component series including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08330174A (ja) | 1996-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3341534B2 (ja) | チップ型電子部品およびその製造方法 | |
| KR0183645B1 (ko) | 다층 구조의 도금층을 구비한 반도체 리드 프레임 | |
| US4829553A (en) | Chip type component | |
| JP4433909B2 (ja) | 表面実装型電子部品 | |
| JP2001110666A (ja) | 電子部品、および電子部品の製造方法 | |
| KR100279861B1 (ko) | 예비도금된리드단자를가지는성형된전자부품및그의제조방법 | |
| JP2001274539A (ja) | 電子デバイス搭載プリント配線板の電極接合方法 | |
| JPH1022434A (ja) | 集積回路用リードフレーム及びその製造方法 | |
| JP2000077593A (ja) | 半導体用リードフレーム | |
| JP4222015B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2002075779A (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP2004186602A (ja) | 電子部品 | |
| Klein Wassink | Notes on the Effects of Metallisation of Surface Mounted Components on Soldering | |
| JP2005064282A (ja) | チップ状電子部品の外部電極形成方法およびチップ状電子部品 | |
| JPH03241813A (ja) | チップ型電子部品の外装方法 | |
| JP3018507B2 (ja) | チップ型電子部品 | |
| JPH0822903A (ja) | 角形チップ抵抗器およびその製造方法 | |
| JPH04208510A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JP2674789B2 (ja) | 端子ピン付き基板 | |
| JP2886945B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP2004193199A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPH04357899A (ja) | 予備半田層付き回路基板の製造方法 | |
| JPH07335487A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JPS60213017A (ja) | チツプ状固体電解コンデンサ | |
| JPH09167883A (ja) | 表面実装用プリント配線板およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070823 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090823 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090823 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100823 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110823 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110823 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120823 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130823 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |