JPH02277223A - モールドチップタンタル固体電解コンデンサ - Google Patents
モールドチップタンタル固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPH02277223A JPH02277223A JP9826589A JP9826589A JPH02277223A JP H02277223 A JPH02277223 A JP H02277223A JP 9826589 A JP9826589 A JP 9826589A JP 9826589 A JP9826589 A JP 9826589A JP H02277223 A JPH02277223 A JP H02277223A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- solid electrolytic
- molded
- capacitor element
- electrolytic capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 9
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- -1 4270I Chemical compound 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010956 nickel silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ヒユーズを内蔵して高安全性を付加したモー
ルドチップタンタル固体電解コンデンサに関するもので
ある。
ルドチップタンタル固体電解コンデンサに関するもので
ある。
従来の技術
最近、産業用機器の分野のチップ化が進む中で、高安全
性を付加した高信頼性が求められるようになり、特にタ
ンタル固体電解コンデンサのセットへの逆挿入や、過電
圧トラブル等により。
性を付加した高信頼性が求められるようになり、特にタ
ンタル固体電解コンデンサのセットへの逆挿入や、過電
圧トラブル等により。
上記タンタル固体電界コンデンサがショートする場合が
ある。この時、発生する回路の焼損を防ぐため、ヒユー
ズを内蔵した、モールドチップタンタル固体電解コンデ
ンサの利用が多くなっている。以下に従来のヒユーズ付
きモールドチップタンタル固体電解コンデンサについて
説明する。
ある。この時、発生する回路の焼損を防ぐため、ヒユー
ズを内蔵した、モールドチップタンタル固体電解コンデ
ンサの利用が多くなっている。以下に従来のヒユーズ付
きモールドチップタンタル固体電解コンデンサについて
説明する。
第３図は従来のヒユーズ付きチップタンタルの組み立て
外観斜視図を示す。■はコンデンサ素子、２はテフロン
板、３−ａは外部陽極端子、３− ｂは外部陰極端子、
４は陽極導出線であるタンタル線、５−ａ、５−ｂは導
電接合材で、高温クリーム半田である。６はヒユーズ材
、７は絶縁性被覆材である。
外観斜視図を示す。■はコンデンサ素子、２はテフロン
板、３−ａは外部陽極端子、３− ｂは外部陰極端子、
４は陽極導出線であるタンタル線、５−ａ、５−ｂは導
電接合材で、高温クリーム半田である。６はヒユーズ材
、７は絶縁性被覆材である。
以上のように構成されたヒユーズ付きモールドチップタ
ンタル固体電解コンデンサについて、以下その作用を説
明する。
ンタル固体電解コンデンサについて、以下その作用を説
明する。
まず、コンデンサ素子１がショートすると、ヒユーズ６
に電流が流れ、溶断電流以上になれば、ヒユーズ６が溶
断する。又コンデンサ素子１の焼損防止、周辺回路部品
の保護を行う。
に電流が流れ、溶断電流以上になれば、ヒユーズ６が溶
断する。又コンデンサ素子１の焼損防止、周辺回路部品
の保護を行う。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記の従来構成では、外部陰極端子３−
ｂの表面の半田メッキと高温クリーム半田５−ｂとが溶
融して、そこに接続されているヒユーズ６が半田槽浸漬
後、溶融拡散してヒユーズ６の断線によるオーブン不良
が発生していた。
ｂの表面の半田メッキと高温クリーム半田５−ｂとが溶
融して、そこに接続されているヒユーズ６が半田槽浸漬
後、溶融拡散してヒユーズ６の断線によるオーブン不良
が発生していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、高信頼度
の溶断特性を有するヒユーズ付きモールドチップタンタ
ル固体電解コンデンサを提供することを目的とする。
の溶断特性を有するヒユーズ付きモールドチップタンタ
ル固体電解コンデンサを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
このような従来の課題を解決するために本発明は、タン
タル粉末を成形・焼結し陽極酸化により誘電体酸化皮膜
を形成し、二酸化マンガン層、カーボン層、陰極層を順
次形成してコンデンサ素子を構成すると共に、半田メッ
キ層領域と銅下地メッキ層領域との境界にスリットを設
けた外部陰極端子と前記コンデンサ素子とをヒユーズで
連結しモールド外装を施す構成としたものである。
タル粉末を成形・焼結し陽極酸化により誘電体酸化皮膜
を形成し、二酸化マンガン層、カーボン層、陰極層を順
次形成してコンデンサ素子を構成すると共に、半田メッ
キ層領域と銅下地メッキ層領域との境界にスリットを設
けた外部陰極端子と前記コンデンサ素子とをヒユーズで
連結しモールド外装を施す構成としたものである。
作用
この構成によって、外部陰極端子の銅下地メッキ領域に
ある高温半田は半田メッキ層との境界にあるスリットに
よって遮断されるため、モールド外装樹脂から外部に出
ている半田メッキ層を有する外部陰極端子への拡散流出
は防止される。よって、ヒユーズのセットへの実装時２
６０℃付近の半田槽浸漬で、高温半田及びそれに接続さ
れている高融点ヒユーズが溶融流出することがなくなり
、実装時のオーブン不良の発生を抑えることができる。
ある高温半田は半田メッキ層との境界にあるスリットに
よって遮断されるため、モールド外装樹脂から外部に出
ている半田メッキ層を有する外部陰極端子への拡散流出
は防止される。よって、ヒユーズのセットへの実装時２
６０℃付近の半田槽浸漬で、高温半田及びそれに接続さ
れている高融点ヒユーズが溶融流出することがなくなり
、実装時のオーブン不良の発生を抑えることができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例におけるヒユーズ付きチップ
タンタル固体電解コンデンサの組立外観斜視図を示すも
のである。１１はコンデンサ素子であり、タンタル粉末
を成形し、真空中にて焼成したものに誘電体の酸化皮膜
を形成させ、さらにこの表面に二酸化マンガンなどの電
解質を形成させ、次にカーボン層、陰極層を積層させて
なり、１４はこのコンデンサ素子１１から引出されてい
る陽極導出線であるタンタル線を示す。１２はこのタン
タル線１４を通しているテフロンの絶縁板である。１３
−ａは外部陽極端子でニッケル、４２７０イ、洋白、ス
テンレス板等に銅下地半田メツ、キしたものからなり、
タンタルｎ１４が溶接されている。一方、１３−ｂは外
部陰極端子で、材質は外部陽極端子１３−ａと同じであ
る。１５−ａはコンデンサ素子１１の２７０℃以上の高
温半田部分であり、予め加熱して作られた半田の島であ
る。加熱の方法は、赤外線、レーザ光線、サーモウエル
ダー等により行う。この高温半田の島１５ａに再び高温
クリーム半田を塗布して、その上に３００℃以上の高溶
融点ヒユーズ１６を配置し、サーモウエルグ等にて接続
する。１５−ｂは高温半田よりなる半田の島１５−ａと
同じものであり、上記と同様、高温半田の島１５−ｂを
銅下地メッキ領域１８上のスリット部分１９に形成し高
融点ヒユーズ１６の他端をスリット１９を越えないよう
に、再び高温クリーム半田を用いて、サーモウエルグ等
にて接続する。１７はエポキシ系、ブタジェン系又はシ
リコーン系の絶縁被覆材である。第２図は、第１図に示
す外部陰極端子１３−すの折り曲げ前の拡大平面図を示
している。Ａ−Ｂの二点破線は、エポキシ系又は、シリ
コーン系外装モールド樹脂を示している。スリット１９
の部分に外装モールド樹脂Ａ−Ｂの端面があり、スリッ
ト１９は、外部陰極端子１３−ｂの表面の半田メッキ領
域と斜線の銅下地メッキ領域１８との境界に配置してい
る。
タンタル固体電解コンデンサの組立外観斜視図を示すも
のである。１１はコンデンサ素子であり、タンタル粉末
を成形し、真空中にて焼成したものに誘電体の酸化皮膜
を形成させ、さらにこの表面に二酸化マンガンなどの電
解質を形成させ、次にカーボン層、陰極層を積層させて
なり、１４はこのコンデンサ素子１１から引出されてい
る陽極導出線であるタンタル線を示す。１２はこのタン
タル線１４を通しているテフロンの絶縁板である。１３
−ａは外部陽極端子でニッケル、４２７０イ、洋白、ス
テンレス板等に銅下地半田メツ、キしたものからなり、
タンタルｎ１４が溶接されている。一方、１３−ｂは外
部陰極端子で、材質は外部陽極端子１３−ａと同じであ
る。１５−ａはコンデンサ素子１１の２７０℃以上の高
温半田部分であり、予め加熱して作られた半田の島であ
る。加熱の方法は、赤外線、レーザ光線、サーモウエル
ダー等により行う。この高温半田の島１５ａに再び高温
クリーム半田を塗布して、その上に３００℃以上の高溶
融点ヒユーズ１６を配置し、サーモウエルグ等にて接続
する。１５−ｂは高温半田よりなる半田の島１５−ａと
同じものであり、上記と同様、高温半田の島１５−ｂを
銅下地メッキ領域１８上のスリット部分１９に形成し高
融点ヒユーズ１６の他端をスリット１９を越えないよう
に、再び高温クリーム半田を用いて、サーモウエルグ等
にて接続する。１７はエポキシ系、ブタジェン系又はシ
リコーン系の絶縁被覆材である。第２図は、第１図に示
す外部陰極端子１３−すの折り曲げ前の拡大平面図を示
している。Ａ−Ｂの二点破線は、エポキシ系又は、シリ
コーン系外装モールド樹脂を示している。スリット１９
の部分に外装モールド樹脂Ａ−Ｂの端面があり、スリッ
ト１９は、外部陰極端子１３−ｂの表面の半田メッキ領
域と斜線の銅下地メッキ領域１８との境界に配置してい
る。
以上のように構成された本実施例のヒユーズ付きチップ
タンタル固体電解コンデンサについて以下その動作を説
明する。
タンタル固体電解コンデンサについて以下その動作を説
明する。
コンデンサ素子１１に規定の値を越える電力が負荷され
、ショートした場合、高融点ヒユーズ１６に過電流が流
れて溶融遮断される。同時にコンデンサ素子１１の容量
等の特性が元に復帰しない。
、ショートした場合、高融点ヒユーズ１６に過電流が流
れて溶融遮断される。同時にコンデンサ素子１１の容量
等の特性が元に復帰しない。
又コンデンサ素子１１が過熱して、温度が上昇した場合
でも、そのコンデンサ素子１１に密着した高融点ヒユー
ズ１６が溶断して、電流が遮断され、上記コンデンサ素
子１１の焼損防止、周辺回路部品の保護を高い信頼性の
もとに実現することができる。
でも、そのコンデンサ素子１１に密着した高融点ヒユー
ズ１６が溶断して、電流が遮断され、上記コンデンサ素
子１１の焼損防止、周辺回路部品の保護を高い信頼性の
もとに実現することができる。
以上のように本実施例によれば外部陰極端子１３−ｂの
銅下地メッキ層領域１８と半田メッキ層領域の境界にス
リット１９を配置したことにより、ヒユーズ付きモール
ドチップタンタル固体電解コンデンサをセットのプリン
ト基板上に半田付けする２６０℃以下３分以下の厳しい
条件での、ヒユーズ断線不良を防止することができる。
銅下地メッキ層領域１８と半田メッキ層領域の境界にス
リット１９を配置したことにより、ヒユーズ付きモール
ドチップタンタル固体電解コンデンサをセットのプリン
ト基板上に半田付けする２６０℃以下３分以下の厳しい
条件での、ヒユーズ断線不良を防止することができる。
発明の効果
以上のように本発明は、外部陰極端子にスリットを設け
ることにより、高融点ヒユーズ及び高温半田の外部への
流失が防止でき、半田耐熱によるヒユーズ付きモールド
チップタンタル固体電解′コンデンサの優れた信頼性を
実現できるものである。
ることにより、高融点ヒユーズ及び高温半田の外部への
流失が防止でき、半田耐熱によるヒユーズ付きモールド
チップタンタル固体電解′コンデンサの優れた信頼性を
実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例におけるヒユーズ付きチップ
タンタル固体電解コンデンサの組立外観斜視図、第２図
は本発明の第１図の外部陰極端子の拡大図を示す。第３
図は従来例におけるヒユーズ付きチップタンタル固体電
解コンデンサの組立外観斜視図である。 １１・・・・・・コンデンサ素子、１２・・・・・・絶
縁板、１３−ａ・・・・・・外部陽極端子、１３−ｂ・
・・・・・外部陰極端子、１４・・・・・・タンタル線
、１５−ａ、１５−ｂ・・・・・・高温半田の島、１６
・・・・・・高融点ヒユーズ、１７・・・・・・絶縁被
覆材、１８・・・・・・銅下地メッキ領域、１９・・・
・・・スリット。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名１１図 第３図 １９スリツト 第２図
タンタル固体電解コンデンサの組立外観斜視図、第２図
は本発明の第１図の外部陰極端子の拡大図を示す。第３
図は従来例におけるヒユーズ付きチップタンタル固体電
解コンデンサの組立外観斜視図である。 １１・・・・・・コンデンサ素子、１２・・・・・・絶
縁板、１３−ａ・・・・・・外部陽極端子、１３−ｂ・
・・・・・外部陰極端子、１４・・・・・・タンタル線
、１５−ａ、１５−ｂ・・・・・・高温半田の島、１６
・・・・・・高融点ヒユーズ、１７・・・・・・絶縁被
覆材、１８・・・・・・銅下地メッキ領域、１９・・・
・・・スリット。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名１１図 第３図 １９スリツト 第２図
Claims (1)
- タンタル粉末を成形・焼結し陽極酸化により誘電体酸
化皮膜を形成し、二酸化マンガン層、カーボン層、陰極
層を順次形成してコンデンサ素子を構成すると共に、半
田メッキ層領域と銅下地メッキ層領域との境界にスリッ
トを設けた外部陰極端子と前記コンデンサ素子とを高融
点ヒューズで連結しモールド外装を施してなるモールド
チップタンタル固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9826589A JPH02277223A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | モールドチップタンタル固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9826589A JPH02277223A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | モールドチップタンタル固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02277223A true JPH02277223A (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=14215115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9826589A Pending JPH02277223A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | モールドチップタンタル固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02277223A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG95683A1 (en) * | 2000-10-24 | 2003-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing same |
| US11811272B2 (en) | 2019-09-27 | 2023-11-07 | Black & Decker, Inc. | Electronic module having a fuse in a power tool |
-
1989
- 1989-04-18 JP JP9826589A patent/JPH02277223A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG95683A1 (en) * | 2000-10-24 | 2003-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing same |
| US11811272B2 (en) | 2019-09-27 | 2023-11-07 | Black & Decker, Inc. | Electronic module having a fuse in a power tool |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910008074B1 (ko) | 퓨즈된 고체의 전해 캐패시터 | |
| US6262877B1 (en) | Low inductance high capacitance capacitor and method of making same | |
| US5478965A (en) | Fused chip-type solid electrolytic capacitor and fabrication method thereof | |
| JPH07111938B2 (ja) | ヒューズ付きコンデンサ及びその組立に使用されるリードフレーム | |
| JP2738168B2 (ja) | ヒューズ付きチップ状固体電解コンデンサ | |
| JPH02277223A (ja) | モールドチップタンタル固体電解コンデンサ | |
| JPH04260317A (ja) | ヒューズ付きチップ状固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2961734B2 (ja) | モールドチップタンタル固体電解コンデンサ | |
| JPS5846161B2 (ja) | 耐熱性絶縁体基板の導電端子 | |
| JPH02276228A (ja) | モールドチップタンタル固体電解コンデンサ | |
| US5068766A (en) | Solid electrolyte capacitor in a chip structure | |
| JPH02276229A (ja) | モールドチップタンタル固体電解コンデンサ | |
| JP2621236B2 (ja) | ヒューズ付捲回型電解コンデンサ | |
| JP3033647B2 (ja) | ヒューズ入り固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPS62291113A (ja) | チツプ状固体電解コンデンサ | |
| JPH0436108Y2 (ja) | ||
| JPH0436105Y2 (ja) | ||
| JPH02256223A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2001244147A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製法 | |
| JPS63265418A (ja) | ヒューズ付きチップ状固体電解コンデンサおよび製造方法 | |
| JP2776126B2 (ja) | ヒューズ付きチップ固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2001358037A (ja) | 電子部品 | |
| JPH11224835A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS61110419A (ja) | ヒユ−ズ付き固体電解コンデンサ | |
| JPH02106017A (ja) | モールドチップタンタル固体電解コンデンサ |