DE10152203A1

DE10152203A1 - Elektrolytkondensator und Herstellung desselben

Info

Publication number: DE10152203A1
Application number: DE10152203A
Authority: DE
Inventors: Yoshitsugu Uenishi; Tsuneshi Nakamura; Minoru Omori; Masashi Kadoya; Yoshihiro Higuchi; Tsuyoshi Yoshino
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp
Priority date: 2000-10-24
Filing date: 2001-10-23
Publication date: 2002-05-16
Anticipated expiration: 2021-10-24
Also published as: US6560090B2; TW508603B; CN1350313A; DE10152203B4; US20020075634A1; KR20020032368A; KR100452469B1; JP2002134360A; SG95683A1; CN1260750C

Abstract

Ein kompakter Elektrolytkondensator mit hervorragender Lötmittelbenetzbarkeit und hervorragender wärmebeständiger Haftung sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben werden durch eine einfache Plattieranordnung erhalten. Der Kondensator umfasst ein Kondensatorelement, einen Anschluss einer positiven Elektrode und einen Anschluss einer negativen Elektrode. Der Anschluss der positiven Elektrode und der Anschluss der negativen Elektrode umfassen ein metallisches Element, welches (i) Nickel, eine Nickellegierung, Kupfer und/oder eine Kupferlegierung, (ii) eine erste plattierte Schicht aus Zinn oder einer Zinnlegierung, die direkt und ohne Unterschicht auf dem metallischen Element angeordnet ist, und (iii) eine Schicht einer intermetallischen Verbindung enthält, welche zwischen dem metallischen Element und der ersten plattierten Schicht ausgebildet ist. Die Schicht der intermetellischen Verbindung enthält Zinn-Nickel bzw. Zinn-Kupfer, ausgebildet durch eine Wärmeaufschmelzbehandlung des auf der ersten plattierten Schicht angeordneten metallischen Elements.

Description

Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Elektrolytkondensa tor, welcher für verschiedene elektronische Vorrichtungen ver wendet wird, und insbesondere einen kompakten Elektrolytkon densator des oberflächenmontierten Typs mit Anschlüssen zum externen Anschluss sowie ein Verfahren zur Herstellung dessel ben.

Hintergrund der Erfindung

Als herkömmliche kompakte Elektrolytkondensatoren mit An schlüssen zum externen Anschluss sind kompakte Tantalelektro lytkondensatoren des oberflächenmontierten Typs zu nennen, welche in großen Mengen für verschiedene elektronische Vor richtungen verwendet werden. Dieser Typ von kompakten Tantal elektrolytkondensatoren ist nachfolgend als Beispiel beschrie ben. Der Aufbau eines solchen herkömmlichen kompakten Tantal elektrolytkondensators umfasst einen Kondensatorelementab schnitt und einen Leiterrahmenabschnitt. Als Material für den Leiterrahmen werden hauptsächlich eine Legierung auf Nickelba sis oder eine Legierung auf Kupferbasis verwendet. Insbesonde re wird eine Legierung auf Nickelbasis, wie etwa eine Legie rung 42, verwendet, wenn der Anschluss des Leiterrahmenab schnitts eine repetitive Biegefestigkeit aufweisen muss oder der Anschluss eine ausreichende mechanische Festigkeit aufwei sen muss, welche hoch genug ist, um einer tatsächlichen Vor richtungsinstallation standzuhalten. Ferner wird eine Legie rung auf Kupferbasis, wie etwa eine Kupfer-Nickel-Zinn- Legierung, verwendet, wenn der Leiterrahmenabschnitt eine be sonders hohe Verarbeitbarkeit aufweisen muss.

Ein herkömmlicher kompakter Tantalelektrolytkondensator dieses Typs wird nachfolgend unter Bezugnahme auf Fig. 12 und Fig. 14 beschrieben.

Fig. 12 ist eine Querschnittsansicht des Aufbaus eines her kömmlichen kompakten Tantalelektrolytkondensators. In Fig. 12 umfasst der herkömmliche kompakte Tantalelektrolytkondensato ren ein Kondensatorelement 12 und einen Leiterdraht 13 einer positiven Elektrode. Das Kondensatorelement 12 umfasst einen porösen Körper einer positiven Elektrode sowie eine dielektri sche Dioxidfilmschicht, eine kompakte Elektrolytschicht und eine negative Elektrodenschicht (welche allesamt nicht darge stellt sind), welche nacheinander auf der Außenfläche des Kör pers der positiven Elektrode ausgebildet sind. Der poröse Kör per der positiven Elektrode ist gebildet durch Sintern eines Kompaktelements aus Tantalpulver. Ein Ende des Leitungsdrahts 13 der positiven Elektrode ist freiliegend. Ein Ende des An schlusses 14 der positiven Elektrode ist durch Schweißen oder ähnliches mit dem Leitungsdraht 13 der positiven Elektrode des Kondensatorelements 12 verbunden. Das andere Ende des An schlusses 14 der positiven Elektrode ist aus einem Außenman telharz 17, welcher unten beschrieben ist, herausgeführt und längs des Außenmantelharzes 17 gebogen. Auf diese Weise ist ein Anschluss zum externen Anschluss ausgebildet. Ein Ende ei nes Anschlusses 15 der negativen Elektrode ist über einen leitfähigen Klebstoff 16 mit der Schicht einer negativen Elektrode des Kondensatorelements 12 verbunden, und das andere Ende des Anschlusses 15 der negativen Elektrode ist aus dem Außenmantelharz 17, welches unten beschrieben ist, herausge führt und längs des Außenmantelharzes 17 gebogen. Auf diese Weise ist ein Anschluss zum externen Anschluss ausgebildet. Das Kondensatorelement 12 ist durch das Außenmantelharz 17 um mantelt, welches in der Lage ist, elektrisch zu isolieren, so dass sowohl der Anschluss 14 der positiven Elektrode als auch der Anschluss 15 der negativen Elektrode teilweise nach außen hin freiliegen.

Fig. 13 ist eine Draufsicht des Leiterrahmens, welcher den An schluss 14 der positiven Elektrode und den Anschluss 15 der negativen Elektrode bildet. Fig. 14 ist eine Querschnittsan sicht des Abschnitts der Linie 14A-14A von Fig. 13. In Fig. 13 und in Fig. 14 ist ein Leiterrahmen 18 aus einem streifenför migen Metallelement, bestehend aus einer Legierung auf Nickel basis (wie etwa einer Legierung 42) oder einer Legierung auf Kupferbasis (wie etwa einer Kupfer-Nickel-Zinn-Legierung), ausgebildet. Der Anschluss 14 der positiven Elektrode und der Anschluss 15 der negativen Elektrode sind an dem Leiterrahmen 18 ausgebildet. Eine mit Silber plattierte Schicht 20 ist an einem elementfixierten Abschnitt 19 angeordnet. Ein Führungs loch 21 zum Transport ist in dem Leiterrahmen 18 ausgebildet. Als eine Unterschicht 22 ist eine mit Kupfer oder einer Kup ferlegierung plattierte Schicht mit einer Dicke von 0,3 µm auf dem Anschluss 14 der positiven Elektrode dem Anschluss 15 der negativen Elektrode angeordnet. Zum Löten bei einer tatsächli chen Vorrichtungsinstallation wird eine plattierte Schicht 23 zum Löten, bestehend aus Zinn oder einer Zinn-Blei-Legierung, auf der Unterschicht 22 angeordnet.

Nachfolgend wird ein Verfahren zur Herstellung eines herkömm lichen kompakten Tantalelektrolytkondensators mit dem oben be schriebenen Aufbau beschrieben.

Zuerst wird das Kondensatorelement 12 an einem elementbefes tigten Abschnitt 19 angeordnet, welcher sich zwischen dem An schluss 14 der positiven Elektrode und dem Anschluss 15 der negativen Elektrode, welche einander gegenüberliegend angeord net sind und sich ausgehend von dem Leiterrahmen 18 erstre cken, befindet. Der Leiterdraht 13 der positiven Elektrode des Kondensatorelements 12 wird durch Schweißen oder ähnliches mit dem Anschluss 14 der positiven Elektrode verbunden, welcher an dem Leiterrahmen 18 ausgebildet ist. Die Schicht der negativen Elektrode des Kondensatorelements 12 wird durch einen leitfä higen Klebstoff 16 einer Silberpaste mit einer mit Silber plattierten Schicht 20 verbunden, welche auf dem Anschluss 15 der negativen Elektrode angeordnet ist, die an dem Leiterrah men 18 ausgebildet ist. Der leitfähige Klebstoff 16 wird unter Wärme ausgehärtet, um eine elektrische Verbindung herzustel len. Der Klebstoff 16 wird bei Temperaturen von 170°C bis 180°C über etwa eine Stunde zur Aushärtung erwärmt.

Als nächstes wird, wobei sowohl der Anschluss 14 der positiven Elektrode als auch der Anschluss 15 der negativen Elektrode teilweise nach außen hin freiliegen, der Kondensator 12 durch das Außenmantelharz 17 ummantelt, welches in der Lage ist, elektrisch zu isolieren. Ferner wird das Außenmantelharz 17 370°C bis 180°C über etwa sechs Stunden zur vollständigen Aus härtung wärmebehandelt. Auf diese Weise wird das Außenmantel harz 17 hinsichtlich der Vernetzungsfähigkeit verbessert, und folglich wird der kompakte Tantalelektrolytkondensator bei spielsweise hinsichtlich der Feuchtigkeitsbeständigkeit ver bessert. Danach wird eine Wärmetrennbehandlung in einem Ofen bei 240°C bis 260°C über etwa 60 Sekunden durchgeführt. So können ein übermäßiger Leckstrom bzw. ein Kurzschlussproblem, welche den Benutzer beispielsweise während eines tatsächlichen Aufschmelzlötens behindern können, am Auftreten gehindert wer den. Anschließend werden nicht benötigte Abschnitte des Lei terrahmens 18 entfernt, und danach werden Prüfungen hinsicht lich der Eigenschaft und des äußeren Erscheinungsbildes durch geführt, bevor das endbearbeitete Produkt ausgeliefert wird.

Beim Montagevorgang eines herkömmlichen kompakten Tantalelekt rolytkondensators, welcher durch eine solches, oben beschrie benes Herstellverfahren hergestellt ist, wird der Kondensator harten Wärmebedingungen in der Atmosphäre ausgesetzt. Daher muss der plattierte Film eine wärmebeständige Haftung aufwei sen, selbst nach Anwendung einer solchen Wärmehistorie, und ferner muss er eine hervorragende Lötbenetzbarkeit beispiels weise während einer durch den Benutzer durchgeführten Auf schmelzlötens gewährleisten.

Ferner ist es auf diese Weise, um zu erreichen, dass der plat tierte Film wärmebeständig ist und eine hervorragende Lötbe netzbarkeit gewährleistet ist, erforderlich, dass die mit Kup fer oder mit einer Kupferlegierung plattierte Schicht, ange ordnet als die Unterschicht 22 für den obigen herkömmlichen Anschluss 14 der positiven Elektrode und den obigen herkömmli chen Anschluss 15 der negativen Elektrode, eine Dicke von min destens 0,3 µm aufweist. Die Dicke der Unterschicht 22 steht in engem Zusammenhang mit der wärmebeständigen Haftung der mit Zinn oder einer Zinn-Blei-Legierung plattierten Schicht als die plattierte Schicht 23 zum Löten, welche auf der Unter schicht 22 angeordnet ist. Ferner ist die Haftung der mit Zinn plattierten Schicht bzw. der mit einer Zinn-Blei-Legierung plattierten Schicht abhängig von dem Ausbildungsvolumen einer Wärmediffusionsschicht in Verbindung mit der mit Kupfer bzw. mit einer Kupferlegierung plattierten Schicht, welche die Un terschicht 22 ist, und die mit Kupfer bzw. mit einer Kupferle gierung plattierte Schicht dient zum Fördern der Ausbildung der Wärmediffusionsschicht.

So ist aufgrund der Tatsache, dass die mit Kupfer bzw. mit ei ner Kupferlegierung plattierte Schicht, vorgesehen als die Un terschicht 22, zu einer wärmebeständigen Haftung beiträgt, der Zustand des plattierten Films vorzugsweise sehr dicht. Um dies zu erreichen, ist es erforderlich, die Plattierung unter ge eigneten Bedingungen bzgl. der Stromdichte und der Plattie rungsbadsteuerung durchzuführen. Infolge solcher strenger Be dingungen für eine Plattierungsbadsteuerung ist es möglich, eine Plattierungsdicke von 0,3 µm oder mehr zu realisieren.

Wenn diese Bedingungen nicht erfüllt sind, beispielsweise bei Durchführen der Plattierung bei einer übermäßigen Stromdichte, so wird die mit Kupfer bzw. mit einer Kupferlegierung plat tierte Schicht porös. Dementsprechend ist die Schicht hin sichtlich Haftung ungenügend. Ferner kann, selbst wenn der plattierte Film der mit Kupfer bzw. mit einer Kupferlegierung plattierten Schicht sehr dicht ist, eine ausreichende wärmebe ständige Haftung nicht erreicht werden, wenn die Plattierungs dicke weniger als 0,3 m beträgt. Die Obergrenze der Plattie rungsdicke für die obige mit Kupfer bzw. mit einer Kupferle gierung plattierte Schicht ist nicht begrenzt, jedoch beträgt sie vorzugsweise etwa 4 µm oder weniger.

Dementsprechend wurde als Verfahren zur Ausbildung eines her vorragenden plattierten Films auf einem herkömmlichen Leiter rahmen 18 eines der folgenden beiden Verfahren angewandt.

Bei dem ersten Verfahren wird, wenn das verwendete streifen förmige metallische Element aus einer Legierung auf Nickelba sis oder einer Legierung auf Kupferbasis besteht, eine sehr dichte Unterschicht 22 auf dem streifenförmigen metallischen Element ausgebildet, um dem mit einem Lötmittel oder Zinn plattierten Film mit einer spezifischen Haftung auszustatten. Die Unterschicht 22 wird durch eine Nickelplattierung bzw. ei ne Kupferplattierung oder sowohl durch eine Nickelplattierung als auch durch eine Kupferplattierung ausgebildet. Anschlie ßend wird eine mit Silber plattierte Schicht 20 in der Form von Streifen durch Elektroplattieren auf einem gewünschten Flächenabschnitt eines Anschlusses 15 der negativen Elektrode ausgebildet, welcher mit der Schicht der negativen Elektrode eines Kondensatorelements 12 des Leiterrahmens 18 verbunden ist. Die so ausgebildete mit Silber plattierte Schicht 20 ist hinsichtlich der Anpassbarkeit an den Anschluss 15 der negati ven Elektrode verbessert. Auf der gesamten Oberfläche und Rückseite des Leiterrahmens 18, ausgenommen die mit Silber plattierte Schicht 20, ist eine plattierte Schicht 23 zum Lö ten ausgebildet, welche aus einem mit Lötmittel bzw. Zinn plattierten Film besteht. Danach wird ein Stanzen durch eine Stanzmatrize durchgeführt, um den Anschluss 14 der positiven Elektrode und den Anschluss 15 der negativen Elektrode auszu bilden. D. h., bei dem ersten Verfahren wird ein plattierter Film auf einem streifenförmigen metallischen Element ausgebil det, gefolgt durch einen Stanzvorgang zur Ausbildung des An schlusses 14 der positiven Elektrode und des Anschlusses 15 der negativen Elektrode.

Bei dem zweiten Verfahren wird das streifenförmige metallische Element gestanzt, um in Anschluss daran den Anschluss 14 der positiven Elektrode und den Anschluss 15 der negativen Elekt rode in der Form von Streifen auf dem Leiterrahmen 18 auszu bilden, und anschließend erfolgt dieselbe Verarbeitung wie bei dem ersten Verfahren, um einen plattierten Film auszubilden.

Jedoch wird bei dem Anschluss 14 der positiven Elektrode und dem Anschluss 15 der negativen Elektrode des obigen herkömmli chen kompakten Elektrolytkondensators die Unterschicht ausge bildet durch eine Nickelplattierung auf dem Leiterrahmen 18, welcher aus einem streifenförmigen metallischen Element herge stellt ist. Danach wird, wenn der Leiterrahmen weiter mit Zinn bzw. Lötmittel plattiert wird, eine Schicht einer intermetal lischen Verbindung zwischen Zinn und Nickel infolge einer strengen Wärmehistorie ausgebildet, welche während des Her stellungsprozesses angewandt wird, wodurch sich das Oberflächenzinn bzw. die Lötmittelschicht lösen. Folglich treten Probleme einer Verschlechterung der Lötmittelbenetzbarkeit auf. Um dieses Problem zu lösen, ist es erforderlich, die mit Zinn plattierte Schicht bzw. die mit Lötmittel plattierte Schicht ausreichend dicker auszubilden, so dass eine hervorragende Lötmittelbenetzbarkeit selbst nach einer Wärmehistorie erreicht werden kann. In diesem Fall werden die Kosten des Produkts sehr hoch. Dementsprechend ist Produkts sehr hoch. Dementsprechend ist es schwierig, das Ver fahren von einem industriellen Standpunkt betrachtet, anzuwen den.

Ferner wird bei dem Verfahren zur Herstellung des Anschlusses 14 der positiven Elektrode und des Anschlusses 15 der negati ven Elektrode, selbst wenn der Leiterrahmen 18, bestehend aus einem streifenförmigen metallischen Element, mit Kupfer bzw. Nickel plattiert und weiter mit Kupfer plattiert wird, gefolgt von einer Zinn- bzw. Lötmittelplattierung, eine intermetalli sche Verbindung zwischen Zinn und Kupfer infolge einer stren gen Wärmehistorie ausgebildet. Dies führt zu einem Lösen der Oberflächenzinnschicht bzw. der Lötmittelschicht. Folglich entsteht ein Problem der Verschlechterung der Lötmittelbenetz barkeit. Ferner entsteht ein Problem eines Abblätterns, er zeugt zwischen der Schicht der intermetallischen Zinn-Kupfer- Plattierung und der plattierten Schicht.

Um diese Probleme zu lösen, schlägt die japanische Offenle gungsschrift H5-98464 das folgende Verfahren vor. Eine Unter schicht aus Kupfer von 0,1 µm bis 1,0 µm Dicke wird auf dem Basismaterial des Leiterrahmens, bestehend aus Nickel bzw. ei ner Nickellegierung, ausgebildet, und ferner wird eine mit Zinn bzw. mit einem Lötmittel plattierten Schicht auf der Un terschicht aus Kupfer ausgebildet. Anschließend wird ein Auf schmelzen bzw. ein Heißtauchen in Zinn bzw. Lötmittel durchge führt. So wird eine intermetallische Zinn-Kupfer-Verbindung mit einer Dicke von 0,2 µm bis 2,0 µm zwischen dem aus Nickel bzw. einer Nickellegierung bestehenden Basismaterial und der plattierten Schicht, wie etwa einer mit Zinn plattierten Schicht oder mit einem Lötmittel plattierten Schicht, ausge bildet.

Ferner schlägt die Japanische Offenlegungsschrift H6-196349 das folgende Verfahren vor. Eine Unterschicht aus Nickel wird auf dem Basismaterial des Leiterrahmens, bestehend aus Kupfer bzw. einer Kupferlegierung, ausgebildet, und ferner wird eine Unterschicht aus Kupfer mit einer Dicke von 0,1 µm bis 1,0 µm auf der mit Nickel plattierten Schicht ausgebildet. Anschlie ßend wird eine mit Zinn bzw. einem Lötmittel plattierte Schicht auf der Unterschicht aus Kupfer ausgebildet. Anschlie ßend wird eine Aufschmelzbehandlung bzw. ein Heißtauchen in Zinn bzw. Lötmittel auf der Unterschicht aus Kupfer durchge führt. So wird eine intermetallische Zinn-Kupfer-Verbindung mit einer Dicke von 0,2 µm bis 2,0 µm auf der mit Nickel plat tierten Schicht ausgebildet.

Jedoch ist es bei Anwendung dieses Standes der Technik für Leiterrahmen von kompakten Tantalelektrolytkondensatoren unbe dingt erforderlich, eine Unterschicht aus Kupfer zum Zwecke der Ausbildung einer Schicht einer intermetallischen Zinn- Kupfer-Verbindung auszubilden. Daher werden die Kosten des Produkts sehr hoch, und es ist schwierig, das Verfahren vom kommerziellen und industriellen Gesichtspunkt aus anzuwenden.

Die vorliegende Erfindung zielt ab auf die Schaffung eines kompakten Elektrolytkondensators, welcher eine hervorragende Lötmittelbenetzbarkeit über eine lange Zeitspanne infolge des plattierten Films gewährleistet, wobei der kompakte Elektro lytkondensator einen vereinfachten Aufbau aufweist und ferner mit Anschlüssen ausgestattet ist, die eine hervorragende Löt mittelbenetzbarkeit und wärmebeständige Haftung aufweisen, so wie eines Verfahrens zur Herstellung desselben.

Zusammenfassung der Erfindung

Ein kompakter Elektrolytkondensator der vorliegenden Er findung umfasst:
ein Kondensatorelement mit einem leitenden Abschnitt ei ner positiven Elektrode und einem leitenden Abschnitt einer negativen Elektrode;
einen Anschluss einer positiven Elektrode, welcher elekt risch verbunden ist mit dem leitenden Abschnitt der positiven Elektrode; und
einen Anschluss einer negativen Elektrode, welcher elekt risch verbunden ist mit dem leitenden Abschnitt der negativen Elektrode,
wobei der Anschluss der positiven Elektrode und der An schluss der negativen Elektrode umfassen:
ein metallisches Element, welches umfasst Nickel, eine Nickellegierung, Kupfer und/oder eine Kupferlegierung;
eine erste plattierte Schicht, umfassend Zinn und/oder eine Zinnlegierung, welche auf dem metallischen Element ange ordnet ist; und
eine Schicht einer intermetallischen Verbindung, ausge bildet zwischen dem metallischen Element und der ersten plat tierten Schicht, und
wobei die Schicht der intermetallischen Verbindung (i) Zinn, welches in dem Zinn bzw. der Zinnlegierung enthalten ist, und (ii) eine Verbindung umfasst, welche Nickel und/oder Zinn enthält, die in dem metallischen Element enthalten sind.

Fig. 2 zeigt eine Draufsicht eines Leiterrahmens, welcher einen Anschluss einer positiven Elektrode und einen Anschluss einer negativen Elektrode, verwendet für einen Kondensator, verwendet in einem kompakten Tantalelektrolytkondensator in dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, und eine Querschnittsansicht des Abschnitts der Linie 2A-2A desselben.

Fig. 3 ist ein Kennliniendiagramm, welches die Beziehung zwischen der Dicke und der ESR-Charakteristik einer mit Silber plattierten Schicht bei einem kompakten Tantalelektrolytkon densator in dem Ausführungsbeispiel 1 der vorliegenden Erfin dung darstellt.

Fig. 4 ist eine Querschnittsansicht des Aufbaus eines kompakten Tantalelektrolytkondensator in dem Ausführungsbei spiel 2 der vorliegenden Erfindung.

Fig. 5 ist eine Querschnittsansicht eines Leiterrahmens, welcher einen Anschluss einer positiven Elektrode und einen Anschluss einer negativen Elektrode bildet und für einen kom pakten Tantalelektrolytkondensator in dem Ausführungsbeispiel 2 der vorliegenden Erfindung verwendet wird.

Fig. 6 ist eine Querschnittansicht des Aufbaus eines kom pakten Tantalelektrolytkondensators in dem Ausführungsbeispiel 3 der vorliegenden Erfindung.

Fig. 7 ist ein Kennliniendiagramm, welches die Beziehung zwischen einer Strahl-Schleif-Dicke und einem Leckstrom bezüg lich eines kompakten Tantalelektrolytkondensators in dem Aus führungsbeispiel 3 der vorliegenden Erfindung darstellt.

Fig. 8 ist eine Querschnittsansicht eines Aufbaus eines kompakten Tantalelektrolytkondensators in dem Ausführungsbei spiel 4 der vorliegenden Erfindung.

Fig. 9 ist eine Querschnittsansicht eines kompakten Tan talelektrolytkondensators in dem Ausführungsbeispiel 5 der vorliegenden Erfindung.

Fig. 10 ist eine Darstellung eines Herstellvorgangs, wel che ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlusses einer po sitiven Elektrode und eines Anschlusses einer negativen Elekt rode eines Kondensators auf der Grundalge eines Zuerst- Plattieren-Nach-Presse-Systems in dem Ausführungsbeispiel 6 der vorliegenden Erfindung darstellt.

Fig. 11 ist eine Darstellung eines Herstellvorgangs, wel che ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlusses einer po sitiven Elektrode und eines Anschlusses einer negativen Elekt rode eines Kondensators auf der Grundlage eines Zuerst- Pressen-Nach-Plattieren-Systems in dem Ausführungsbeispiel 6 der vorliegenden Erfindung darstellt.

Fig. 12 ist eine Querschnittsansicht des Aufbaus eines herkömmlichen kompakten Tantalelektrolytkondensators.

Fig. 13 ist eine Draufsicht eines Leiterrahmens, welcher einen Anschluss einer positiven Elektrode und einen Anschluss einer negativen Elektrode bildet und in einem herkömmlichen kompakten Tantalelektrolytkondensator verwendet wird.

Fig. 14 ist eine Querschnittsansicht der Linie 14A-14A von Fig. 13.

Beschreibung der Bezugszeichen

1

Kondensatorelement

2

Leitungsdraht der positiven Elektrode

3

,

3

A,

3

B,

3

C Anschlüsse der positiven Elektrode

4

,

4

A,

4

B,

4

C Anschlüsse der negativen Elektrode

5

Leitfähiger Klebstoff

6

Außenmantelharz

7

Erste plattierte Schicht, mit Zinn plattierte Schicht, mit einer Kupferlegierung plattierte Schicht

7

a Zweite plattierte Schicht, mit Zinn plattierte Schicht

8

Unterschicht aus Nickel

9

Mit Silber plattierte Schicht

10

Elementbefestigter Abschnitt

11

Metallisches Element, Leiterrahmen

Genaue Beschreibung der Erfindung

Ein kompakter Elektrolytkondensator in einem Ausführungs beispiel der vorliegenden Erfindung umfasst:
ein Kondensatorelement mit einem leitenden Abschnitt ei ner positiven Elektrode und einem leitenden Abschnitt einer negativen Elektrode;
einen Anschluss einer positiven Elektrode, welcher elekt risch verbunden ist mit dem leitenden Abschnitt der positiven Elektrode; und
einen Anschluss einer negativen Elektrode, welcher elekt risch verbunden ist mit dem leitenden Abschnitt der negativen Elektrode,
wobei der Anschluss der positiven Elektrode und der An schluss der negativen Elektrode umfassen:
ein metallisches Element, welches Nickel, eine Nickelle gierung, Kupfer und/oder eine Kupferlegierung umfasst;
eine erste plattierte Schicht, umfassend Zinn und/oder eine Zinnlegierung, welche auf dem metallischen Element ange ordnet ist; und
eine Schicht einer intermetallischen Verbindung, ausge bildet zwischen dem metallischen Element und der ersten plat tierten Schicht, und
wobei die Schicht der intermetallischen Verbindung um fasst (i) Zinn, welches in dem Zinn bzw. der Zinnlegierung enthalten ist, und (ii) eine Verbindung, welche Nickel und/oder Zinn enthält, die in dem metallischen Element enthal ten sind, umfasst.

So weist die erste plattierte Schicht eine vereinfachte Gestaltung auf, wobei keine Unterschicht erforderlich ist, und sie ist in der Lage, eine hervorragende wärmebeständige Haf tung zu gewährleisten.

Vorzugsweise umfassen der Anschluss der positiven Elekt rode und der Anschluss der negativen Elektrode
das metallische Element,
die erste plattierte Schicht, welche direkt, ohne Unter schicht, auf dem metallischen Element angeordnet ist, und
die Schicht einer intermetallischen Verbindung, ausgebil det durch eine Wärmeaufschmelzbehandlung zwischen dem metalli schen Element und der ersten plattierten Schicht.

Vorzugsweise umfasst der Anschluss der positiven Elektro de einen Anschluss einer positiven Plattenelektrode mit einer ersten Fläche und einer zweiten Fläche, welche auf der Gegen seite zur ersten Fläche angeordnet ist,
der Anschluss der negativen Elektrode umfasst einen An schluss der negativen Plattenelektrode mit einer ersten Fläche und einer zweiten Fläche, welche auf der Gegenseite zur ersten Fläche angeordnet ist, und
die erste plattierte Schicht und die Schicht der interme tallischen Verbindung sind auf mindestens einer der ersten Fläche und der zweiten Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode angeord net.

Vorzugsweise umfasst der kompakte Elektrolytkondensator ferner ein isolierendes Außenmantelharz, welches derart ange ordnet ist, dass es das Kondensatorelement abdeckt,
wobei das Außenmantelharz derart angeordnet ist, dass so wohl der Anschluss der positiven Elektrode als auch der An schluss der negativen Elektrode nach außen hin teilweise frei liegt.

Durch jede der obigen Gestaltungen ist es möglich, einen kompakten Elektrolytkondensator zu erhalten, welcher eine gute Lötmittelbenetzbarkeit über eine lange Zeitspanne infolge des plattierten Films gewährleistet und einen einfachen Aufbau aufweist, und welcher ferner mit Anschlüssen ausgestattet ist, die eine hervorragende Benetzbarkeit und wärmebeständige Haf tung aufweisen.

Vorzugsweise umfassen die ersten Flächen des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode die erste plattierte Schicht und die Schicht der in termetallischen Verbindung,
die zweiten Flächen von dem Anschluss der positiven Elektrode und/oder dem Anschluss der negativen Elektrode umfas sen eine plattierte Unterschicht mit Nickel und eine mit Sil ber plattierte Schicht, welche auf der Unterschicht ausgebil det ist, und
ein Abschnitt mit der mit Silber plattierten Schicht ist elektrisch mit dem Kondensatorelement verbunden.

So ist es neben den oben beschriebenen Wirkungen möglich, hervorragende elektrische Eigenschaften und ein tatsächliche Lötmittelbenetzbarkeit infolge der Dicke der beiden plattier ten Schichten zu gewährleisten.

Vorzugsweise umfassen die zweiten Flächen des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode eine Unterschicht mit Nickel,
der Anschluss der negativen Elektrode umfasst eine mit Silber plattierte Schicht, welche auf der Unterschicht ausge bildet ist, und
ein Abschnitt der mit Silber plattierten Schicht ist elektrisch mit dem Kondensatorelement verbunden.

Vorzugsweise umfassen die ersten Flächen des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode die erste plattierte Schicht, welche direkt und ohne Unterschicht auf dem metallischen Element angeordnet ist, und
die Schicht der metallischen Verbindung, welche durch ei ne Wärmeaufschmelzbehandlung zwischen dem metallischen Element und der ersten plattierten Schicht ausgebildet ist.

So wird die obige Wirkung weiter verbessert.

Vorzugsweise umfassen die erste Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode die erste plattierte Schicht und die Schicht der in termetallischen Verbindung,
mindestens eine zweite Fläche des Anschlusses der positi ven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode um fasst eine Verbindung zu dem Kondensatorelement und einen zweiten plattierten Abschnitt, welcher in einem bestimmten Ab stand zu der Verbindung angeordnet ist,
die Verbindung umfasst eine Unterschicht mit Nickel und eine mit Silber plattierte Schicht, welche auf der Unter schicht angeordnet ist, und
der zweite plattierte Abschnitt umfasst mindestens eine der mit Zinn plattierten und einer Zinnlegierung plattierten Schichten, welche auf dem metallischen Element angeordnet sind. So ist es neben den oben beschriebenen Wirkungen mög lich, die elektrischen Eigenschaften des Kondensators zu verbessern.

Vorzugsweise beträgt der bestimmte Abstand, welcher zwi schen der Verbindung und der zweiten plattierten Schicht vor gesehen ist, 0,5 mm oder mehr.

So ist es möglich, ferner hervorragende Wirkungen, wie oben beschrieben, zu erzielen.

Vorzugsweise umfasst jede erste Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektro de die erste plattierte Schicht und die Schicht der interme tallischen Verbindung,
mindestens eine zweite Fläche des Anschlusses der positi ven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode um fasst eine Verbindung zu dem Kondensatorelement und einen zweiten plattierten Abschnitt, welcher in einem bestimmten Ab stand zu der Verbindung angeordnet ist,
die Verbindung umfasst eine Unterschicht mit Nickel und eine mit Silber plattierte Schicht, welche auf der Unter schicht angeordnet ist, und
der zweite plattierte Abschnitt umfasst mindestens eine mit Zinn plattierte Schicht und/oder eine mit einer Zinnlegie rung plattierte Schicht, welche auf dem metallischen Element angeordnet sind, und eine Schicht einer intermetallischen Ver bindung, welche zwischen dem metallischen Element und der plattierten Schicht angeordnet ist.

So wird eine Plattierung lediglich auf einer Seite des metallischen Plattenelements durchgeführt. Dementsprechend ist es möglich, die Kosten durch Vereinfachen des Herstellvorgangs zu senken.

Vorzugsweise beträgt die Dicke der ersten plattierten Schicht 4,0 µm oder mehr. Durch diese Gestaltung ist es mög lich, die optimale Dicke der Schicht der intermetallischen Verbindung zu gewährleisten und eine mit Zinn plattierte Schicht zu erhalten, welche eine höhere wärmebeständige Haf tung aufweist.

Vorzugsweise liegt die Dicke der Schicht der intermetal lischen Verbindung in einem Bereich von 0, 4 µm bis 2, 0 µm. So ist es möglich, zuverlässig eine mit Zinn plattierte Schicht zu erhalten, welche eine höhere wärmebeständige Haftung auf weist.

Vorzugsweise beträgt die Dicke der mit Silber plattierten Schicht 0,3 µm oder mehr. Durch diese Gestaltung ist es mög lich, die optimale Dicke der Schicht der intermetallischen Verbindung zu gewährleisten und eine mit Zinn plattierte Schicht zu erhalten, welche eine höhere wärmebeständige Haf tung aufweist.

Vorzugsweise ist die erste plattierte Schicht eine mit Zinn plattierte Schicht. Durch diese Gestaltung werden die obigen Wirkungen weiter verbessert.

Vorzugsweise umfasst die erste Fläche einen freiliegenden Abschnitt, welcher nicht durch das Außenmantelharz bedeckt ist, und einen Außenmantelabschnitt, welcher mit dem Außenman telharz bedeckt ist, und
die auf dem freiliegenden Abschnitt angeordnete erste plattierte Schicht ist um 0,2 µm bis 1,0 µm dünner als die auf dem Außenmantelabschnitt angeordnete erste plattierte Schicht. Durch diese Gestaltung ist es neben den oben beschriebenen Wirkungen möglich, Biegespannungen zu verringern, wenn ein Biegen der Anschlüsse der positiven Elektrode und der negati ven Elektrode nach einem Formen mit einem Außenmantelharz er folgt. Folglich wird ein Leckstrom des Kondensators verrin gert.

Vorzugsweise umfasst das Kondensatorelement:
einen porösen Körper der positiven Elektrode, ausgebildet durch Sintern eines Kompaktelements mit einem Ventilmetallpul ver;
eine dielektrische Oxidfilmschicht, ausgebildet auf dem porösen Körper der positiven Elektrode;
eine kompakte Elektrolytschicht, angeordnet auf der die lektrischen Oxidfilmschicht; und
eine Schicht einer negativen Elektrode, angeordnet auf der kompakten Elektrolytschicht,
wobei der Anschluss der positiven Elektrode elektrisch mit dem Körper der positiven Elektrode verbunden ist, und
der Anschluss der negativen Elektrode elektrisch mit der Schicht der negativen Elektrode verbunden ist.

Durch diese Gestaltung ist es möglich, einen Kondensator zu erhalten, welcher die oben beschriebenen Wirkungen gewähr leistet.

Vorzugsweise umfasst das Kondensatorelement:
ein Ventilmetall;
eine dielektrische Oxidfilmschicht, ausgebildet auf der Oberfläche des Ventilmetalls;
eine kompakte Elektrolytschicht, bestehend aus einem leitfähigen Polymer, angeordnet auf der dielektrischen Oxid filmschicht; und
eine Schicht einer negativen Elektrode, angeordnet auf der kompakten Elektrolytschicht,
wobei der Anschluss der positiven Elektrode elektrisch mit dem Körper der positiven Elektrode verbunden ist und der Anschluss der negativen Elektrode elektrisch mit der Schicht der negativen Elektrode verbunden ist.

Vorzugsweise werden der Anschluss der positiven Elektrode und der Anschluss der negativen Elektrode gebogen, so dass je de erste Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode auf derselben Ebene angeordnet ist, und
jede der ersten Flächen kann auf ein Substrat gelötet werden.

Vorzugsweise werden ein Ende des Anschlusses der negati ven Elektrode und der leitende Abschnitt der negativen Elekt rode elektrisch durch einen leitfähigen Klebstoff miteinander verbunden.

Vorzugsweise umfasst jede erste Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode die erste plattierte Schicht, welche direkt auf dem metallischen Element angeordnet ist, und die Schicht der in termetallischen Verbindung, welche durch eine Aufschmelzbe handlung zwischen dem metallischen Element und der ersten plattierten Schicht ausgebildet ist;
die zweite Fläche des Anschlusses der negativen Elektrode weist eine Verbindung auf,
die Verbindung umfasst eine Unterschicht aus Nickel, an geordnet auf dem metallischen Element, und eine mit Silber plattierte Schicht, angeordnet auf der Unterschicht,
die Verbindung ist elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der negativen Elektrode verbunden,
die zweite Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode ist elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der positiven Elektrode verbunden,
der Anschluss der positiven Elektrode und der Anschluss der negativen Elektrode sind gebogen, so dass jede erste Flä che des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlus ses der negativen Elektrode auf derselben Ebene angeordnet ist, und
jede der ersten Flächen kann auf ein Substrat gelötet werden.

Vorzugsweise umfasst jede erste Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode die erste plattierte Schicht, welche direkt auf dem metallischen Element angeordnet ist, und die Schicht der in termetallischen Verbindung, welche durch eine Wärmeaufschmelz behandlung zwischen dem metallischen Element und der ersten plattierten Schicht ausgebildet ist;
jede zweite Fläche des Anschlusses der positiven Elektro de und des Anschlusses der negativen Elektrode umfasst eine Unterschicht aus Nickel, welche auf dem metallischen Element angeordnet ist;
die zweite Fläche des Anschlusses der negativen Elektrode weist eine Verbindung auf,
die Verbindung umfasst eine mit Silber plattierte Schicht, welche auf der Unterschicht angeordnet ist;
die Verbindung ist elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der negativen Elektrode verbunden,
die zweite Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode ist elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der positiven Elektrode verbunden;
der Anschluss der positiven Elektrode und der Anschluss der negativen Elektrode sind gebogen, so dass jede erste Flä che des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlus ses der negativen Elektrode sich auf derselben Ebene befinden, und
jede der ersten Flächen kann auf ein Substrat gelötet werden.

Vorzugsweise umfasst jede erste Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode eine erste plattierte Schicht, welche direkt auf dem metallischen Element angeordnet ist, und die Schicht der in termetallischen Verbindung, welche durch eine Wärmeaufschmelz behandlung zwischen der metallischen Schicht und der erste plattierten Schicht ausgebildet ist;
die zweite Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode umfasst eine zweite mit Zinn plattierte Schicht, welche direkt auf dem metallischen Element angeordnet ist, und eine zweite Schicht einer intermetallischen Verbindung, welche durch eine Wärmeaufschmelzbehandlung zwischen dem metallischen Element und der zweiten mit Zinn plattierten Schicht ausgebildet ist;
die zweite Fläche des Anschlusses der negativen Elektrode umfasst eine Verbindung und einen zweiten mit Zinn plattierten Abschnitt, welcher in einem bestimmten Abstand zu der Verbin dung angeordnet ist,
die Verbindung weist eine mit Nickel plattierte Unter schicht auf, welche auf dem metallischen Element angeordnet ist, und eine mit Silber plattierte Schicht, welche auf der Unterschicht angeordnet ist;
die Verbindung ist elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der negativen Elektrode verbunden,
die zweite Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode ist elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der positiven Elektrode verbunden;
der Anschluss der positiven Elektrode und der Anschluss der negativen Elektrode sind gebogen, so dass jede erste Flä che des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlus ses der negativen Elektrode sich auf derselben Ebene befindet, und
jede der ersten Fläche kann auf ein Substrat gelötet wer den.

Vorzugsweise umfasst die erste Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode die erste plattierte Schicht und die Schicht der intermetallischen Verbindung, ausgebildet durch eine Wärmeaufschmelzbehandlung zwischen dem metallischen Ele ment und der ersten plattierten Schicht;
die erste Fläche des Anschlusses der negativen Elektrode umfasst eine Verbindung und einen zweiten plattierten Ab schnitt, welcher in einem bestimmten Abstand zu der Verbindung angeordnet ist;
die Verbindung umfasst eine mit Nickel plattierte Unter schicht, welche auf dem metallischen Element angeordnet ist, und eine mit Silber plattierte Schicht, welche auf der Unter schicht angeordnet ist;
die zweite plattierte Schicht umfasst die erste plattier te Schicht und die Schicht der intermetallischen Verbindung, welche durch eine Wärmeaufschmelzbehandlung zwischen dem me tallischen Element und der ersten plattierten Schicht ausge bildet ist;
die Verbindung ist elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der negativen Elektrode verbunden;
ein Ende der ersten Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode ist elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der posi tiven Elektrode verbunden;
der Anschluss der positiven Elektrode und der Anschluss der negativen Elektrode sind gebunden, so dass jede erste Flä che des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlus ses der negativen Elektrode sich auf derselben Ebene befindet, und
jede der ersten Flächen kann auf ein Substrat gelötet werden.

Vorzugsweise umfasst das metallische Element das Nickel und/oder die Nickellegierung, und
die Schicht der intermetallischen Verbindung ist eine Verbindung, welche Zinn und Nickel enthält.

Vorzugsweise umfasst das metallische Element das Kupfer und/oder die Kupferlegierung, und
die Schicht der intermetallischen Verbindung ist eine Verbindung, welche Zinn und Kupfer enthält.

Ein Verfahren zur Herstellung eines kompakten Elektrolyt kondensators der vorliegenden Erfindung umfasst folgende Schritte:

a) Ausbilden einer ersten plattierten Schicht, ohne Unterschicht, direkt auf einer ersten Fläche ei nes metallischen Elements;
anschließendes Ausbilden einer Schicht der intermetalli schen Verbindung zwischen dem metallischen Element und der ersten plattierten Schicht durch eine Wärmeaufschmelzbehand lung,
wobei die erste plattierte Schicht Zinn und/oder eine Zinnlegierung umfasst;
b) Ausbilden einer Unterschicht aus Nickel auf ei ner Verbindung einer zweiten Fläche des metallischen Elements und ferner Ausbilden einer mit Silber plattierten Schicht auf der Unterschicht;
c) Stanzen des metallischen Elements zu einer vor bestimmten Form zum Ausbilden von Anschlüssen der positiven Elektrode und von Anschlüssen der negativen Elektrode,
wobei das metallische Element derart gestanzt wird, dass ein Ende des Anschlusses der negativen Elektrode als die Ver bindung ausgebildet wird;
d) Biegen des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode in eine vorbe stimmte Form; und
e) elektrisches Verbinden der Verbindung mit dem leitenden Abschnitt der negativen Elektrode eines Kondensator elements und elektrisches Verbinden eines Endes eines An schlusses der positiven Elektrode mit dem leitenden Abschnitt der positiven Elektrode des Kondensatorelements.

Durch das obige Verfahren können die Herstellabläufe ver einfacht werden. Folglich ist es möglich, kompakte Elektrolyt kondensatoren bei niedrigen Kosten herzustellen.

Vorzugsweise ist die Unterschicht eine durch Elektroplat tieren ausgebildete Nickelschicht, und die mit Silber plat tierte Schicht ist durch Elektroplattieren ausgebildet.

Vorzugsweise ist das metallische Element aus Nickel und/oder einer Nickel-Eisen-Legierung gebildet, und
die Schicht der intermetallischen Verbindung umfasst eine intermetallische Verbindung aus Zinn und Nickel.

Vorzugsweise ist das metallische Element aus Kupfer und/oder einer Kupferlegierung gebildet, und die Schicht der intermetallischen Verbindung umfasst eine intermetallische Verbindung aus Zinn und Kupfer.

Vorzugsweise erfolgt ein Schritt zur Ausbildung der Schicht der intermetallischen Verbindung derart, dass das me tallische Element, welches die erste plattierte Schicht bil det, einer Wärmeaufschmelzbehandlung bei 400°C bis 800°C in einer Sauerstoffatmosphäre von 200 PPM oder weniger unterzogen wird, und die erste plattierte Schicht wird durch die Wär meaufschmelzbehandlung geschmolzen, um eine Schicht der inter metallischen Verbindung, welche Zinn und das Metall des metal lischen Elements enthält, zwischen dem metallischen Element und der ersten plattierten Schicht auszubilden.

Vorzugsweise umfasst das Herstellverfahren folgende Schritte:

a) Anordnen eines Außenmantelharzes durch Bedecken des Kondensatorelements und der Verbindung mit dem Harz in ei ner derartigen Weise, dass das andere Ende des Anschlusses der positiven Elektrode und das andere Ende des Anschlusses der negativen Elektrode frei liegen; und
b) Biegen des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode, welche nicht durch das Außenmantelharz bedeckt sind.

Die oben beschriebenen Wirkungen werden infolge jedes der obigen Herstellverfahren weiter verbessert.

Vorzugsweise umfassen der Schritt (a) und der Schritt (b) :
einen Schritt zur Ausbildung einer Unterschicht aus Ni ckel auf der Verbindung der zweiten Fläche des metallischen Elements und ferner zur Ausbildung der mit Silber plattierten Schicht auf der Unterschicht;
ferner einen Schritt zur Ausbildung einer ersten plat tierten Schicht an einer Position, welche sich in einem Ab stand von mindestens 0,5 mm zu der Verbindung befindet;
einen Schritt zur Ausbildung einer zweiten plattierten Schicht, welche Zinn und/oder eine Zinnlegierung umfasst, ohne Unterschicht und direkt auf der ersten Fläche des metallischen Elements; und
Ausbilden der Schicht der intermetallischen Verbindung zwischen dem metallischen Element und der ersten plattierten Schicht durch eine Wärmeaufschmelzbehandlung des metallischen Elements mit der ersten plattierten Schicht, der zweiten plat tierten Schicht und der Verbindung, und ferner Ausbilden einer zweiten Schicht der intermetallischen Verbindung zwischen dem metallischen Element und der zweiten plattierten Schicht. Durch das obige Verfahren ist es möglich, kompakte Elekt rolytkondensatoren, welche hinsichtlich der Lötmittelbenetz barkeit und der elektrischen Eigenschaften hervorragend sind, zuverlässig herzustellen.

Vorzugsweise nach dem Schritt zur Ausbildung des An schlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der ne gativen Elektrode durch Stanzen des metallischen Elements des Schritts (c) werden
der Schritt zur Ausbildung der plattierten Schicht und der Schicht der intermetallischen Verbindung auf der ersten Fläche wie in dem Schritt (a) und der Schritt zur Ausbildung der Verbindung auf der zweiten Fläche wie in dem Schritt (b) ausgeführt.

Durch das obige Verfahren werden die oben beschriebenen Wirkungen weiter verbessert.

Vorzugsweise nach dem Schritt (a) und dem Schritt (b) wird der Schritt (c) ausgeführt.

Durch dieses Verfahren ist es möglich, kompakte Elektro lytkondensatoren, welche hinsichtlich der Lötmittelbenetzbar keit und der elektrischen Eigenschaften hervorragend sind, zu verlässig herzustellen.

Vorzugsweise umfasst das Herstellverfahren ferner:
einen Schritt zur Anordnung eines Außenmantelharzes durch Bedecken des Kondensatorelements und der Verbindung mit dem Harz in einer derartigen Weise, dass das andere Ende des An schlusses der positiven Elektrode und das andere Ende des An schlusses der negativen Elektrode frei liegen; und
Strahlen der ersten plattierten Schicht, angeordnet auf dem Anschluss der positiven Elektrode und dem Anschluss der negativen Elektrode, ausgebildet an dem durch das Außenmantel harz nicht bedeckten Abschnitt, wodurch die erste plattierte Schicht dünner gemacht wird.

Durch dieses Verfahren können Biegespannungen verringert werden, wenn ein Anschluss der positiven Elektrode und ein An schluss der negativen Elektrode nach Formen durch ein Außen mantelharz gebogen werden. Folglich wird ein Leckstrom des Kondensators verringert, wodurch die elektrischen Eigenschaf ten des Kondensators verbessert werden. Außerdem ist es mög lich, kompakte Elektrolytkondensatoren zuverlässig herzustel len.

Die beispielhaften Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf einen kom pakten Elektrolytkondensator und ein Verfahren zu dessen Her stellung beschrieben.

Beispielhaftes Ausführungsbeispiel 1

Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht des Aufbaus eines Tantalelektrolytkondensators (nachfolgend bezeichnet als Kon densator) als ein kompakter Elektrolytkondensator in dem ers ten beispielhaften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin dung.

In Fig. 1 umfaßt der Kondensator ein Kondensatorelement 1, einen Leitungsdraht 2 einer positiven Elektrode, einen An schluss 3 einer positiven Elektrode, einen Anschluss 4 einer negativen Elektrode, einen leitfähigen Klebstoff 5 und ein Au ßenmantelharz 6. Das Kondensatorelement 1 umfaßt einen Körper einer positiven Elektrode sowie eine leitfähige Oxidfilm schicht, eine kompakte Elektrolytschicht und eine Schicht ei ner negativen Elektrode (nicht dargestellt), welche nacheinan der auf den Körper der positiven Elektrode geschichtet sind. Das Kondensatorelement 1 umfaßt einen leitenden Abschnitt der positiven Elektrode und einen leitenden Abschnitt der negati ven Elektrode. Der Anschluss 4 der negativen Elektrode ist elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der negativen Elektrode verbunden. Der Anschluss der positiven Elektrode ist elekt risch mit dem leitenden Abschnitt der positiven Elektrode ver bunden. Der Körper der positiven Elektrode ist ausgebildet durch Sintern eines Kompaktelements aus Tantalpulver, und der Körper der positiven Elektrode ist porös. Das Außenmantelharz 6 deckt das Kondensatorelement 1 in einem Zustand ab, in wel chem sowohl der Anschluss 3 der positiven Elektrode als auch der Anschluss 4 der negativen Elektrode nach außen hin teil weise freiliegen. Das Außenmantelharz 6 ist geeignet zur elektrischen Isolierung. Der Leitungsdraht 2 der positiven Elektrode als ein leitender Abschnitt der positiven Elektrode ist mit dem Körper der positiven Elektrode verbunden, und ein Ende des Leitungsdrahts 2 der positiven Elektrode erstreckt sich ausgehend von der Fläche des Körpers der positiven Elekt rode. Ein Ende des Anschlusses 3 der positiven Elektrode ist durch Schweißen oder ähnliches mit dem Leitungsdraht 2 der po sitiven Elektrode verbunden. Das andere Ende des Anschlusses 3 der positiven Elektrode erstreckt sich aus dem Außenmantelharz 6 heraus und ist längs des Außenmantelharzes gebogen. Auf die se Weise ist ein Ende des Anschlusses 4 der negativen Elektro de durch den leitfähigen Klebstoff 5 mit der Schicht der nega tiven Elektrode des Kondensatorelements 1 verbunden. Der An schluss 4 der negativen Elektrode ist ausgebildet als ein An schluss für eine externe Verbindung. Das andere Ende des An schlusses 4 der negativen Elektrode erstreckt sich aus dem Au ßenmantelharz 6 heraus und ist längs des Außenmantelharzes 6 gebogen. So ist der andere Anschluss für eine externe Verbin dung ausgebildet.

Fig. 3 zeigt eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht eines Leiterrahmens, welcher den Anschluss 3 der positiven Elektrode und den Anschluss 4 der negativen Elektrode bildet, welche für den Kondensator verwendet werden. Fig. 2(b) ist eine Querschnittsansicht des Abschnitts der Linie 2A-2A von Fig. 2(a). In Fig. 2 umfaßt der Leiterrahmen 11 ein streifen förmiges metallisches Element aus Nickel bzw. einer Eisen- Nickel-Legierung (wie etwa einer Legierung 42) oder aus Kupfer bzw. einer Kupferlegierung (wie etwa einer Kupfer-Nickel-Zinn- Legierung). Das heißt, der Leiterrahmen 11 ist ein metalli sches Element 11. Der Anschluss 3 der positiven Elektrode und der Anschluss 4 der negativen Elektrode sind auf dem Leiter rahmen 11 ausgebildet. Eine erste Fläche als eine Fläche des Leiterrahmens 11 umfaßt eine mit Zinn plattierte Schicht als eine erste plattierte Schicht sowie eine Schicht einer inter metallischen Verbindung, welche zwischen der mit Zinn plat tierten Schicht 7 und dem metallischen Element ausgebildet ist.

In dem Fall, dass das metallischen Element 11 Nickel oder eine Eisen-Nickel-Legierung ist, ist die Schicht der interme tallischen Verbindung Zinn-Nickel. In dem Fall, dass das me tallische Element Kupfer oder eine Kupferlegierung ist, ist die Schicht der intermetallischen Verbindung Kupfer. Die mit Zinn plattierte Schicht 7 weist eine Dicke von etwa 4,0 µm bis 9,0 µm auf. Die Schicht der intermetallischen Verbindung weist eine Dicke von etwa 0,4 µm bis 2,0 µm auf. Die erste Fläche entspricht der Außenflächenseite nach Biegen des jeweiligen Anschlusses 3 der positiven Elektrode und des Anschlusses 4 der negativen Elektrode, dargestellt in Fig. 1, und die erste Fläche wird auf ein Substrat gelötet. Die mit Zinn plattierte Schicht 7 und die Schicht der intermetallischen Verbindung werden ausgebildet durch einen Schritt eines direkten Ausbil dens der mit Zinn plattierten Schicht 7 ohne Unterschicht auf der Fläche des metallischen Elements und durch einen Schritt eines Ausbildens der Schicht der intermetallischen Verbindung aus Zinn-Nickel bzw. Zinn-Kupfer zwischen dem metallischen Element und der mit Zinn plattierten Schicht 7 durch eine Wär meaufschmelzbehandlung.

Eine zweite Fläche als die andere Fläche des Leiterrah mens 11 umfaßt eine Unterschicht 8 aus Nickel, angeordnet auf der Fläche des metallischen Elements, und eine mit Silber plattierte Schicht 9, angeordnet auf der Unterschicht 8. Die Unterschicht 8 aus Nickel weist eine Dicke von etwa 0,3 µm auf. Die mit Silber plattierte Schicht 9 weist eine Dicke von etwa 1,0 µm auf. Die zweite Fläche entspricht in Fig. 1 der mit dem Kondensatorelement 1 verbundenen Seite. Die zweite Fläche ist mit dem Kondensatorelement 1 verbunden. Auf diese Weise ist ein elementbefestigter Abschnitt 10 ausgebildet.

Bei einem derart gestalteten Kondensator wurde ein Expe riment im Hinblick auf die Dicke der mit Zinn plattierten Schicht durchgeführt. Das heißt, es wurde eine Eisen-Nickel- Legierung als ein streifenförmiges metallisches Element ver wendet, welches den Leiterrahmen 11 bildet. Die verwendete Ei sen-Nickel-Legierung war eine Legierung 42 einer 42%-Ni-Fe- Legierung. Die mit Zinn plattierte Schicht 7 wurde direkt auf dem metallischen Element ohne Unterschicht in einer Vielzahl von Dicken ausgebildet. Anschließend wurden diese einer Auf schmelzbehandlung in einer Atmosphäre von verschiedenen Sauer stoffdichten bei 500°C unterzogen, wodurch eine Schicht einer intermetallischen Zinn-Nickel-Legierung zwischen dem metalli schen Elementen und der mit Zinn plattierten Schicht 7 ausge bildet wurde. So wurden Kondensatoren in den Ausführungsbei spielen 1 bis 20 jeweils in einer Stückzahl von 100 herge stellt. Diese Kondensatoren wurden einem Feuchtigkeitsbestän digkeitstest in einer Atmosphäre bei 60°C 90-95%RH über 240 Stunden unterzogen, und ferner wurde die Lötmittelbenetzbar keit nach dem Feuchtigkeitsbeständigkeitstest bewertet. Die Ergebnisse des Benetzbarkeitstest sind in Tabelle 1 darge stellt. Die Benetzbarkeit wurde durch das Lötmittelgleichge wichtsverfahren auf der Grundlage des ELAJ-Verfahrens, ET- 7404, bewertet. Die verwendete Lötmittelpaste war SN-37Pb, Typ RMA. Die Bewertungstemperatur betrug 235°C. Bei der Bewertung der Lötmittelbenetzbarkeit wurde diese mit "O" beurteilt, wenn die Nulldurchgangszeit 3,0 sec oder weniger betrug, und es er folgte eine Beurteilung mit "x", wenn die Nulldurchgangszeit 3,1 oder mehr betrug.

Tabelle 1

In Fig. 1 ist die Lötmittelbenetzbarkeit, wenn die mit Zinn plattierte Schicht 7 eine Dicke von 4 µm oder mehr auf weist, hervorragend. Insbesondere dann, wenn der Sauerstoff im Aufschmelzofen eine Dichte von 200 oder weniger aufweist, ist die Lötmittelbenetzbarkeit weiter verbessert.

Obwohl der Kondensator hier mit dem auf eine konstante Temperatur von 500°C eingestellten Aufschmelzofen hergestellt ist, existiert diesbezüglich keine Einschränkung, jedoch ist es erwünscht, dass die Temperatur in dem Aufschmelzofen nicht niedriger ist als der Schmelzpunkt von Zinn, das heißt, 231,9°C. Jedoch ist es im Hinblick auf den tatsächlichen Mas senherstellungsprozess erwünscht, die Behandlungstemperatur zum Zwecke der Realisierung eines schnellen Schmelzens weiter zu erhöhen, um die Taktzeit für die Herstellung zu verkürzen. Das heißt, der optimale Temperaturbereich liegt zwischen 400°C und 800°C. Dementsprechend ist die Temperatur in dem Auf schmelzofen bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel auf 500°C eingestellt.

Als nächstes wurden bezüglich Kondensatoren mit dem obi gen Aufbau die Beziehungen zwischen der Art des metallischen Elements, der Dicke der Schicht einer intermetallischen Zinn- Nickel-Verbindung und der wärmebeständigen Haftung von mit Zinn plattierten Schichten dieser Kondensatoren bewertet. Das heißt, als metallförmige metallische Elemente wurden eine 30%- Ni-Fe-Legierung (Legierung 30), eine 42%-Ni-Fe-Legierung (Le gierung 42) und 100% Nickel verwendet. Eine mit Zinn plattier te Schicht 7 mit einer Dicke von 6,0 µm wurde direkt und ohne Unterschicht auf jedem dieser metallischen Elemente ausgebil det. Anschließend wurden diese einer Aufschmelzbehandlung bei Temperaturen unterzogen, welche von 300°C bis 800°C reichten, um eine intermetallische Zinn-Nickel-Verbindung in verschiede nen Dicken zwischen der mit Zinn plattierten Schicht und dem metallischen Element auszubilden. Jeder dieser Kondensatoren wurde bezüglich der wärmebeständigen Haftung der mit Zinn plattierten Schicht bewertet. Die Bewertungsergebnisse sind in Tabelle 2 dargestellt. Die Sauerstoffdichte bei der Auf schmelzbehandlung betrug 200 ppm. Die Dicke der intermetalli schen Verbindung wurde gemäß den durch die Auger-Elektronen- Spektroskopie (AES) erhaltenen Daten berechnet. Bei der Fest legung der Kriterien hinsichtlich der wärmebeständigen Haftung wurde ein metallisches Element mit einer mit Zinn plattierten Schicht und einer Schicht der intermetallischen Verbindung zu einer U-Form mit einem Biegeradius von 0,5 mm gebogen und der Atmosphäre bei 125°C über 1000 Stunden ausgesetzt, und an schließend wurde die Fläche des gebogenen Abschnitts der mit Zinn plattierten Schicht durch ein stereoskopisches Mikroskop (Vergrößerungsfaktor x 10) beobachtet. Es erfolgte eine Mar kierung mit "O", wenn der gebogene Abschnitt nicht abblätter te, und eine Markierung mit "Δ", wenn der gebogene Abschnitt teilweise abblätterte, und eine Markierung mit "X", wenn der gebogene Abschnitt vollständig abblätterte. Die Ergebnisse des Tests sind in Tabelle 2 dargestellt.

Tabelle 2

In Tabelle 2 tritt, wenn die Schicht der intermetallischen Zinn-Nickel-Verbindung eine Dicke von 0,4 µm oder mehr auf weist, überhaupt kein Abblättern des gebogenen Abschnitts auf, und es kann eine überaus hervorragende wärmebeständige Haftung erreicht werden. Wenn die Dicke der Schicht der intermetalli schen Verbindung von 0,2 µm bis 0,3 µm reicht, so findet ein teilweises Abblättern statt. Wenn die Dicke der Schicht der intermetallischen Verbindung von 0,1 µm bis 0,2 µm reicht, so findet ein Abblättern über der gesamten Fläche statt. Das heißt, um eine überaus hervorragende wärmebeständige Haftung der mit Zinn plattierten Schicht zu erreichen, sollte die Schicht der intermetallischen Zinn-Nickel-Verbindung eine Di cke von mindestens 0,4 µm aufweisen. Ferner ist es zum Errei chen einer hervorragenden wärmebeständigen Haftung besser, ei ne Legierung 42 zu verwenden, welche einen höheren Prozentge halt von Nickel enthält, oder 100% Nickel zu verwenden als ei ne Legierung 30 zu verwenden, welche einen niedrigeren Pro zentgehalt von Nickel enthält. Ferner kann eine dickere Schicht der intermetallischen Zinn-Nickel-Verbindung erhalten werden durch Erhöhen der Aufschmelztemperatur.

Fig. 3 zeigt das Ergebnis einer Prüfung der Dicke einer mit Silber plattierten Schicht 9, angeordnet an dem elementbefes tigten Abschnitt 10, und der ESR-Charakteristik des Kondensa tors. ESR steht für Ersatzreihenwiderstand. In Fig. 3 ist, wenn die Dicke der mit Silber plattierten Schicht 9 0,3 µm oder mehr beträgt, der ESR-Wert höher, so dass eine hervorra gende ESR-Charakteristik festzustellen ist.

Ein Kondensator in dem vorliegenden beispielhaften Ausfüh rungsbeispiel weist einen Aufbau auf, bei welchem eine mit plattierte Schicht 7 ohne Unterschicht direkt auf einem metal lischen Element mit einem Anschluss 3 einer positiven Elektro de und einem Anschluss 4 einer negativen Elektrode ausgebildet ist und eine Schicht einer intermetallischen Zinn-Nickel- Verbindung bzw. einer Zinn-Kupfer-Verbindung durch eine Auf schmelzbehandlung zwischen dem metallischen Element und der mit Zinn plattierten Schicht 7 ausgebildet ist. Auf diese Wei se ist es möglich, den Plattiervorgang zu vereinfachen und die Herstellkosten zu senken. Ferner kann eine hervorragende Be netzbarkeit über eine lange Zeitspanne erreicht werden. Außer dem können Kondensatoren mit Anschlüssen erhalten werden, wel che eine hervorragende wärmebeständige Haftung gewährleisten. So weisen die erhaltenen Kondensatoren allesamt die gewünsch ten Wirkungen auf.

In dem vorliegenden beispielhaften Ausführungsbeispiel wurde als Kondensatorelement 1 ein Element für einen kompakten Tan talektrolytkondensator, hergestellt durch Pressformen und Sin tern eines Tantalpulvers mit einem eingebetteten Leitungsdraht 2 einer positiven Elektrode, beschrieben. Jedoch ist dieses nicht auf diese Gestaltung beschränkt, und es ist ferner mög lich, ein Element für einen kompakten Elektrolytkondensator zu verwenden, welcher aus einer Ventilmetallfolie hergestellt ist, und in diesem Fall können die gleichen Wirkungen wie oben beschrieben erhalten werden.

Ferner ist als Kondensatorelement 1 dieses nicht beschränkt auf diese Gestaltung, und es ist ferner möglich, ein Element für einen kompakten Elektrolytkondensator mit einem Ventilme tall, einer auf der Fläche des Ventilmetalls ausgebildeten dielektrischen Oxidfilmschicht, einer kompakten Elektrolyt schicht, welche aus einem leitfähigen Polymer besteht und auf der dielektrischen Oxidfilmschicht angeordnet ist, und einer auf der kompakten Elektrolytschicht angeordneten Schicht einer negativen Elektrode zu verwenden.

Ferner ist es möglich, als eine auf dem Anschluss 3 der posi tiven Elektrode und dem Anschluss 4 der negativen Elektrode ausgebildete erste plattierte Schicht eine Schicht einer Le gierung auf Silberbasis, wie etwa eine mit Zinn-Silber plat tierte Schicht, eine mit Zinn-Wismut plattierte Schicht, eine mit Zinn-Zink plattierte Schicht oder eine mit Zinn-Kupfer plattierte Schicht, zu verwenden. Und auch in diesem Fall kön nen die gleichen Wirkungen wie oben beschrieben erreicht wer den.

Beispielhaftes Ausführungsbeispiel 2

Der Kondensator des beispielhaften Ausführungsbeispiels 2 ist in der Gestaltung hinsichtlich der Plattierung auf dem An schluss der positiven Elektrode und dem Anschluss der negati ven Elektrode im Vergleich zu dem Kondensator des beispielhaf ten Ausführungsbeispiels 1 verschieden. Bezüglich anderer Ges taltungen und bezüglich des Herstellverfahrens ist das bei spielhafte Ausführungsbeispiel 2 mit dem beispielhaften Aus führungsbeispiel 1 identisch. Die Abschnitte, welche mit Ab schnitten des beispielhaften Ausführungsbeispiels 1 identisch sind, sind mit denselben Bezugszeichen bezeichnet, und werden nicht beschrieben, und lediglich die Abschnitte, welche ver schieden sind von den Abschnitten des beispielhaften Ausfüh rungsbeispiels 1, nachfolgend beschrieben.

Fig. 4 ist eine Querschnittsansicht der Gestaltung eines kom pakten Tantalektrolytkondensators in dem beispielhaften Aus führungsbeispiel 2. Fig. 5 ist eine Querschnittsansicht eines Leiterrahmens, welcher einen Anschluss einer positiven Elekt rode und einen Anschluss einer negativen Elektrode, die für den Kondensator verwendet werden, bildet. In Fig. 4 und in Fig. 5 umfasst der Kondensator den. Sowohl der Anschluss 3A der positiven Elektrode als auch der Anschluss 4A der negati ven Elektrode umfassen eine erste Fläche und eine zweite Flä che auf der Rückseite davon. Die erste Fläche kann auf ein Substrat gelötet werden. Eine mit Zinn plattierte Schicht 7 (mit einer Dicke von 4,0 µ bis 9,0 µm) ist direkt und ohne Un terschicht auf die Fläche eines metallischen Elements an jeder ersten Fläche der Anschlüsse 3A und 4A ausgebildet. Ferner ist eine Schicht einer intermetallischen Verbindung aus Zinn- Nickel bzw. Zinn-Kupfer (welche nicht dargestellt sind und ei ne Dicke von 0,4 µm bis 2,0 µm aufweisen) durch eine Auf schmelzbehandlung zwischen dem metallischen Element und der mit Zinn plattierten Schicht 7 ausgebildet.

Jede zweite Fläche des Anschlusses 3A der positiven Elektrode und des Anschlusses 4A der negativen Elektrode ist eine Flä che, welche mit dem Kondensatorelement 1 verbunden ist. Wie in Fig. 5 dargestellt, ist Unterschicht 8 (mit einer Dicke von 0,3 µm) der Fläche des metallischen Elements über die gesamte zweite Fläche ausgebildet. Ferner ist eine mit Silber plat tierte Schicht 9 (mit einer Dicke von 1,0 µm) auf einem Ab schnitt ausgebildet, welcher mit dem Kondensatorelement 1 auf der Unterschicht 8 verbunden ist. So ist ein elementbefestig ter Abschnitt 10 ausgebildet.

Das heißt, in dem vorliegenden beispielhaften Ausführungsbei spiel 2 ist die Unterschicht 8 aus Nickel auf der gesamten zweiten Fläche jedes Anschlusses des Anschlusses 3A der posi tiven Elektrode und des Anschlusses 4A der negativen Elektrode angeordnet. Hingegen ist in dem obigen beispielhaften Ausfüh rungsbeispiel 1 die Unterschicht 8 aus Nickel lediglich auf einem Abschnitt angeordnet, welcher mit dem Kondensatorelement 1 auf der zweiten Fläche des Anschlusses der negativen Elekt rode verbunden ist. Erfolgt ein Plattieren in dem beispielhaf ten Ausführungsbeispiel 1 teilweise, so ist ein Vorbereitungs schritt, wie etwa ein Maskieren, erforderlich. Jedoch wird in dem beispielhaften Ausführungsbeispiel 2, wenn ein Plattieren auf der gesamten zweiten Fläche durchgeführt wird, keinerlei Vorbereitungsschritt, wie etwa ein Maskieren, benötigt. Folg lich ist es möglich, den Herstellvorgang weiter zu vereinfa chen.

Beispielhaftes Ausführungsbeispiel 3

Das beispielhafte Ausführungsbeispiel 3 ist hinsichtlich der Dicke der auf dem Anschluss der positiven Elektrode und dem Anschluss der negativen Elektrode angeordneten mit Zinn plat tierten Schicht, verglichen mit dem obigen beispielhaften Aus führungsbeispiel 2, verschieden. Das heißt, die frei liegende, mit Zinn plattierte Schicht des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode weist ei ne geringere Dicke auf. Hinsichtlich anderer Gestaltungen und hinsichtlich des Herstellverfahrens ist das beispielhafte Aus führungsbeispiel 3 mit dem beispielhaften Ausführungsbeispiel 2 identisch. Die Abschnitte, welche mit den Abschnitten des beispielhaften Ausführungsbeispiels 2 identisch sind, sind mit denselben Bezugszeichen bezeichnet und werden nicht beschrie ben, und lediglich die Abschnitte, welche verschieden sind von den Abschnitten des beispielhaften Ausführungsbeispiels 2, werden nachfolgend beschrieben.

Fig. 6 ist eine Querschnittsansicht eines wesentlichen Ab schnitts, welche die Gestaltung des kompakten Tantalektrolyt kondensators in dem beispielhaften Ausführungsbeispiel 3 der vorliegenden Erfindung darstellt. In Fig. 6 ist an der ersten Fläche (welche auf ein Substrat zu löten ist) des Anschlusses 4A der negativen Elektrode eine mit Zinn plattierte Schicht 7 (mit einer Dicke von 4,0 µm bis 9,0 µm) direkt und ohne Unter schicht auf der Fläche eines metallischen Elements ausgebil det. Ferner ist eine Schicht einer intermetallischen Verbin dung aus Zinn-Nickel bzw. Zinn-Kupfer (welche nicht darge stellt sind und eine Dicke von 0,4 µm bis 2,0 µm aufweisen) durch eine Aufschmelzbehandlung zwischen dem metallischen Ele ment und der mit Zinn plattierten Schicht 7 ausgebildet. In ähnlicher Weise, obwohl nicht dargestellt, sind eine mit Zinn plattierten Schicht 7 und eine Schicht einer intermetallischen Verbindung ebenfalls auf der ersten Fläche des Anschlusses 3A der positiven Elektrode ausgebildet.

Ferner ist eine Unterschicht 8 aus Nickel (mit einer Dicke von 0,3 µm) auf der Fläche des metallischen Elements an jeder ge samten Seitenfläche (welche mit dem Kondensatorelement 1 zu verbinden ist) des obigen Anschlusses 3A der positiven Elekt rode und des Anschlusses 4A der negativen Elektrode ausgebil det. Ferner ist eine mit Silber plattierte Schicht 9 (mit ei ner Dicke von 1,0 µm) auf einem Abschnitt ausgebildet, welcher mit dem Kondensatorelement 1 auf der Unterschicht 8 verbunden ist. So ist ein elementbefestigter Abschnitt 10 ausgebildet.

Ferner reicht die Dicke "t1" der mit Zinn plattierten Schicht 7 von 4,0 µm bis 9,0 µm, und ein Teil der mit Zinn plattierten Schicht 7 ist durch ein Außenmantelharz 6 geformt, und der an dere Abschnitt ist nicht durch das Außenmantelharz 6 bedeckt. Die Dicke "t2" der mit Zinn plattierten Schicht 7 des nicht durch das Außenmantelharz 6 bedeckten Abschnitts ist durch Strahlschleifen oder ähnliches bearbeitet und beträgt etwa 0,2 µm bis 1,0 µm weniger als die Dicke "t1".

Fig. 7 ist ein Kennliniendiagramm, welches die Beziehung zwi schen der Strahlschleifdicke und dem Leckstrom des Kondensa tors darstellt. In Fig. 7 kann, wenn t1 0,2 µm oder mehr be trägt, das heißt, ein Schleifen erfolgt um 0,2 µm oder mehr, der Leckstrom verringert werden, wodurch die Zuverlässigkeit gewährleistet wird.

Auf diese Weise ist es, da die Dicke "t2" der mit Zinn plat tierten Schicht 7 an dem nicht durch das Außenmantelharz 6 be deckten Abschnitt des Anschlusses 3A der positiven Elektrode und des Anschlusses 4A der negativen Elektrode etwa 0,2 µm bis 1,0 µm weniger ist als die Dicke "t1" der mit Zinn plattierten Schicht 7 an dem durch das Außenmantelharz 6 bedeckten Ab schnitt, wenn der Anschluss 3A der positiven Elektrode und der Anschluss 4A der negativen Elektrode längs des Außenmantelhar zes 6 gebogen sind, möglich, infolge des Biegevorgangs erzeug te Spannungen zu verringern. Dementsprechend kann ein Leck strom (LC), welcher eine wichtige Kenngröße des Kondensators darstellt, verringert werden. Insbesondere durch Verdünnen der Lötflächenseite, welche nach Biegen der Anschlüsse außen ist, können die obigen Wirkungen weiter verbessert werden.

Beispielhaftes Ausführungsbeispiel 4

Das beispielhafte Ausführungsbeispiel 4 ist im Aufbau bezüg lich der Plattierung auf dem Anschluss der positiven Elektrode und dem Anschluss der negativen Elektrode, im Vergleich zu dem oben beschriebenen beispielhaften Ausführungsbeispiel 1, ver schieden. Hinsichtlich anderer Gestaltungen und hinsichtlich des Herstellverfahrens ist das beispielhafte Ausführungsbei spiel 4 mit dem beispielhaften Ausführungsbeispiel 1 iden tisch. Die Abschnitte, welche mit den Abschnitten des bei spielhaften Ausführungsbeispiels 1 identisch sind, sind mit denselben Bezugszeichen bezeichnet und werden nicht beschrie ben, und lediglich die Abschnitte, welche verschieden sind von den Abschnitten des elementfixierter 1, werden nachfolgend be schrieben.

Fig. 8 ist eine Querschnittsansicht der Gestaltung eines kom pakten Tantalektrolytkondensators in dem vorliegenden bei spielhaften Ausführungsbeispiel 4.

In Fig. 8 ist an der ersten Fläche (welche auf ein Substrat zu löten ist) des Anschlusses 3B der positiven Elektrode und des Anschlusses 4B der negativen Elektrode eine mit Zinn plattier te Schicht 7 (mit einer Dicke von 4,0 µm bis 9,0 µm) als eine erste plattierte Schicht direkt und ohne Unterschicht auf der Fläche eines metallischen Elements ausgebildet.

Ferner ist an der Verbindung zum Kondensatorelement 1 auf der zweiten Fläche (welche mit dem Kondensatorelement 1 zu verbin den ist) des Anschlusses 4B der negativen Elektrode eine Un terschicht 8 aus Nickel (mit einer Dicke von 0,3 µm) auf der Fläche eines metallischen Elements ausgebildet. Ferner ist ei ne mit Silber plattierte Schicht 9 (mit einer Dicke von 1,0 µm) auf der Unterschicht 8 ausgebildet. Ferner ist an der zweiten Fläche des Anschlusses der negativen Elektrode eine zweite mit Zinn plattierte Schicht 7a als eine zweite plat tierte Schicht direkt und ohne Unterschicht an einer Position ausgebildet, welche sich mindestens 0,5 mm weg von der Verbin dung befindet.

In ähnlicher Weise ist an der zweiten Fläche des Anschlusses 3B der positiven Elektrode eine zweite mit Zinn plattierte Schicht 7a ausgebildet. Eine zweite Schicht einer intermetal lischen Verbindung (mit einer Dicke von 0,4 bis 2,0 µm) aus Zinn-Nickel bzw. Zinn-Kupfer ist durch eine Aufschmelzbehand lung zwischen dem metallischen Element und der zweiten mit Zinn plattierten Schicht 7a ausgebildet. So ist ein elementbe festigter Abschnitt ausgebildet. Durch diese Gestaltung werden die elektrischen Eigenschaften des Kondensators weiter stabi lisiert.

Auf diese Weise weist der Kondensator des vorliegenden bei spielhaften Ausführungsbeispiels eine Gestaltung auf, bei wel cher eine Schicht einer intermetallischen Verbindung aus Zinn- Nickel bzw. Zinn-Kupfer auf jeder Fläche des Anschlusses 4A der positiven Elektrode und des Anschlusses 4B der negativen Elektrode ausgebildet ist. Folglich ist es möglich, die elekt rischen Eigenschaften des Kondensators weiter zu stabilisie ren.

Beispielhaftes Ausführungsbeispiel 5

Das beispielhafte Ausführungsbeispiel 5 ist im Aufbau bezüg lich der Plattierung auf dem Anschluss der positiven Elektrode und dem Anschluss der negativen Elektrode und in der Form nach einem Biegen verschieden von dem beispielhaften Ausführungs beispiel 1. Bezüglich anderer Gestaltungen und bezüglich des Herstellverfahrens ist das beispielhafte Ausführungsbeispiel 5 mit dem beispielhaften Ausführungsbeispiel 1 identisch. Die Abschnitte, welche mit den Abschnitten des beispielhaften Aus führungsbeispiels 1 identisch sind, sind mit denselben Bezugs zeichen bezeichnet und werden nicht beschrieben, und lediglich die Abschnitte, welche verschieden sind von den Abschnitten des elementfixierter 1, werden nachfolgend beschrieben.

Fig. 9 ist eine Querschnittsansicht des Aufbaus eines kompak ten Tant 09539 00070 552 001000280000000200012000285910942800040 0002010152203 00004 09420alektrolytkondensators des beispielhaften Ausführungs beispiels 5. In Fig. 9 umfasst der Kondensator einen Anschluss 3C der positiven Elektrode und einen Anschluss 4C der negati ven Elektrode. Ein Teil einer ersten Fläche als eine Fläche des Anschlusses 4C der negativen Elektrode ist auf ein Sub strat gelötet, und ferner ist der andere Abschnitt der ersten Fläche mit dem Kondensatorelement 1 verbunden. Das heißt, an der ersten Fläche des Anschlusses 4C der negativen Elektrode ist eine Unterschicht 8 aus Nickel (mit einer Dicke von 0,8 µm) auf der Fläche eines metallischen Elements des mit dem Kondensatorelement 1 verbundenen Abschnitts ausgebildet, und ferner ist eine mit Silber plattierte Schicht 9 (mit einer Di cke von 1,0 µm) auf der Unterschicht 8 ausgebildet. So ist ein elementbefestigter Abschnitt 10 ausgebildet. Ferner ist an der ersten Fläche eine mit Zinn plattierte Schicht direkt und ohne Unterschicht auf der Fläche des metallischen Elements mindes tens 0,5 mm weg von der mit Silber plattierten Schicht 9 aus gebildet. Die mit Zinn plattierte Schicht 9 ist auf der ersten Fläche des Anschlusses 3C der positiven Elektrode ausgebildet. Eine intermetallische Verbindung aus Zinn-Nickel bzw. Zinn- Kupfer (mit einer Dicke von 0,4 µm bis 2,0 µm, nicht darge stellt) ist durch eine Aufschmelzbehandlung zwischen dem me tallischen Element und der mit Zinn plattierten Schicht 7 aus gebildet. Der Anschluss 3C der positiven Elektrode und der An schluss 4C der negativen Elektrode sind in der Biegeform ver schieden von jenen des beispielhaften Ausführungsbeispiels 1. Bezüglich der anderen Gestaltungen existiert kein Unterschied zu dem des beispielhaften Ausführungsbeispiels 1.

So sind bei dem vorliegenden beispielhaften Ausführungsbei spiel der Anschluss 3C der positiven Elektrode und der An schluss 4C der negativen Elektrode in der Biegeform verändert, und lediglich eine der Flächen des Anschlusses 3C der positi ven Elektrode und des Anschlusses 4C der negativen Elektrode ist plattiert. Durch diese Gestaltung ist es, wie bei den des beispielhaften Ausführungsbeispielen 1 bis 4, nicht erforder lich, ein Plattieren auf beiden Flächen der Anschlüsse durch zuführen, wodurch der Fertigungsvorgang weiter vereinfacht wird. Folglich ist es möglich, die Kosten zu senken.

Beispielhaftes Ausführungsbeispiel 6

Das beispielhafte Ausführungsbeispiel 6 betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlusses einer positiven Elektrode und eines Anschlusses einer negativen Elektrode, welche für einen kompakten Tantalektrolytkondensator verwendet werden.

Fig. 10 ist eine Darstellung des Herstellvorgangs, welche ein Herstellverfahren durch ein Zuerst-Plattieren-Nach-Pressen- System bei der Herstellung eines Anschlusses einer positiven Elektrode und eines Anschlusses einer negativen Elektrode ei nes Kondensators auf der Grundlage des vorliegenden beispiel haften Ausführungsbeispiels 6 darstellt.

In Fig. 10 wird zuerst, wie in Fig. 10(a) dargestellt, eine (nicht dargestellte) mit Zinn plattierte Schicht direkt und ohne Unterschicht auf einer Seite (Rückseite in der Figur) ei nes streifenförmigen metallischen Elements (Leiterrahmen) 11 aus Nickel bzw. einer Eisen-Nickel-Legierung (wie etwa einer Legierung 42) bzw. aus Kupfer oder einer Kupferlegierung (wie etwa einer Kupfer-Nickel-Zinn-Legierung) ausgebildet. Als nächstes wird eine Schicht einer intermetallischen Verbindung aus Zinn-Nickel bzw. Zinn-Kupfer durch eine Aufschmelzbehand lung zwischen dem metallischen Element 11 und der mit Zinn plattierten Schicht ausgebildet.

Ferner wird, wie in Fig. 10(b) dargestellt, eine (nicht dar gestellte) Unterschicht aus Nickel auf einem mit dem Kondensa torelement 1 auf der anderen Seite (Flächenseite in der Figur) des metallischen Elements 11 verbundenen Abschnitt ausgebil det. Ferner wird eine mit Silber plattierte Schicht 9 auf der Unterschicht ausgebildet. So ist ein elementbefestigter Ab schnitt 10 ausgebildet. Anschließend wird, wie in Fig. 10(c) dargestellt, das metallische Element 11 mit einer plattierten Schicht zu einer vorbestimmten Form gestanzt.

Danach wird, wie in Fig. 10(d) dargestellt, das derart ge stanzte metallische Element pressgeformt, um einen Anschluss 3 einer positiven Elektrode und einen Anschluss 4 einer negati ven Elektrode herzustellen, welche zu einer vorbestimmten Form gebogen werden. Ferner wird ein leitfähiger Klebstoff 5 auf den elementbefestigten Abschnitt 10 des so hergestellten An schlusses 4 der negativen Elektrode aufgebracht.

Anschließend wird, wie in Fig. 10(e) dargestellt, die Seite der negativen Elektrode des Kondensatorelements 1 auf den leitfähigen Klebstoff 5 gesetzt, um das Kondensatorelement daran zu kleben. Ferner wird ein aus dem Kondensatorelement 1 herausgeführter Leitungsdraht 2 einer positiven Elektrode durch Schweißen oder ähnliches mit dem Anschluss 3 der positi ven Elektrode verbunden. Auf diese Weise wird der Kondensator aufgebaut. Danach werden unnötige Teile von dem Leiterrahmen 11 entfernt.

Fig. 11 ist eine Darstellung des Herstellvorgangs, welche ein Herstellverfahren durch ein Zuerst-Pressen-Nach-Plattieren- System bei der Herstellung eines Anschlusses einer positiven Elektrode und eines Anschlusses einer negativen Elektrode ei nes Kondensators auf der Grundlage des vorliegenden beispiel haften Ausführungsbeispiels 6 darstellt.

Zuerst wird, wie in Fig. 11(a) dargestellt, ein streifenför miges metallisches Element (Leiterrahmen) 11 aus Nickel bzw. einer Eisennickellegierung (wie etwa einer Legierung 42) oder aus Kupfer bzw. einer Kupferlegierung (wie etwa einer Kupfer- Nickel-Zinn-Legierung) vorbereitet.

Als nächstes wird, wie in Fig. 11(b) dargestellt, das strei fenförmige metallische Element 11 zu einer bestimmten Form ge stanzt.

Anschließend wird, wie in Fig. 11(c) dargestellt, eine (nicht dargestellte) mit Zinn plattierte Schicht direkt und ohne Un terschicht auf einer Seite (Rückseite in der Figur) des metal lischen Elements 11 ausgebildet. Ferner wird eine Schicht ei ner intermetallischen Verbindung aus Zinn-Nickel bzw. Zinn- Kupfer durch eine Aufschmelzbehandlung zwischen dem metalli schen Element 11 und der mit Zinn plattierten Schicht ausge bildet. Ferner wird eine (nicht dargestellte) Unterschicht aus Nickel auf einem mit dem Kondensatorelement 1 auf der einen Seite (Flächenseite der Figur) des metallischen Elements 11 verbundenen Abschnitt ausgebildet. Ferner wird eine mit Silber plattierte Schicht 9 auf der Unterschicht ausgebildet. So ist ein elementbefestigter Abschnitt 10 ausgebildet, wodurch ein plattiertes Produkt erhalten wird.

Danach wird, wie in Fig. 11(d) dargestellt, das plattierte Produkt pressgeformt, um einen Anschluss 3 einer positiven Elektrode und einen Anschluss 4 einer negativen Elektrode her zustellen. Ferner wird ein leitfähiger Klebstoff 5 auf den elementbefestigten Abschnitt 10 des so hergestellten Anschlus ses 4 der negativen Elektrode aufgebracht.

Anschließend wird, wie in Fig. 11(e) dargestellt, die Seite der negativen Elektrode des Kondensatorelements 1 auf den leitfähigen Klebstoff 5 gesetzt, um das Kondensatorelement daran zu kleben. Ferner wird ein aus dem Kondensatorelement 1 herausgeführter Leiterdraht 2 der positiven Elektrode durch Schweißen oder ähnliches mit dem Anschluss 3 der positiven Elektrode verbunden. Auf diese Weise wird der Kondensator auf gebaut. Danach werden unnötige Teile von dem Leiterrahmen 11 entfernt.

Durch diese Gestaltung ist es möglich, ein Herstellverfahren auf der Grundlage eines Zuerst-Plattieren-Nach-Pressen- bzw. Zuerst-Presse-Nach-Plattieren-Systems anzuwenden. Das ange wandte Herstellverfahren wird unter Berücksichtigung verschie dener Merkmale jedes Verfahrens bestimmt.

Wie oben beschrieben, ist durch die Gestaltung der vorliegen den Erfindung der Anschlussplattiervorgang vereinfacht, und die Kosten sind gesenkt. Ferner sind die Anschlüsse in der La ge, eine hervorragende Lötmittelbenetzbarkeit über eine lange Zeitspanne zu gewährleisten. Ferner sind die Anschlüsse hin sichtlich der wärmebeständigen Haftung hervorragend. Die er haltenen Kondensatoren sind mit Anschlüssen ausgestattet, wel che sämtliche Wirkungen aufweisen. Außerdem ist es möglich, umweltfreundliche Kondensatoren zu erhalten, in denen kein Blei verwendet wird, welches zu den Umwelt verschmutzenden Substanzen zählt.

Claims

1. Kompakter Elektrolytkondensator, umfassend:
ein Kondensatorelement mit einem leitenden Abschnitt ei ner positiven Elektrode und einem leitenden Abschnitt einer negativen Elektrode;
einen Anschluss einer positiven Elektrode, welcher elekt risch verbunden ist mit dem leitenden Abschnitt der positiven Elektrode; und
einen Anschluss einer negativen Elektrode, welcher elekt risch verbunden ist mit dem leitenden Abschnitt der negativen Elektrode,
wobei der Anschluss der positiven Elektrode und der An schluss der negativen Elektrode umfassen:
ein metallisches Element, welches Nickel, eine Nickellegierung, Kupfer und/oder eine Kupferlegierung umfasst;
eine erste plattierte Schicht, umfassend Zinn und/oder eine Zinnlegierung, welche auf dem metallischen Element ange ordnet ist; und
eine Schicht einer intermetallischen Verbindung, ausge bildet zwischen dem metallischen Element und der ersten plat tierten Schicht, und
wobei die Schicht der intermetallischen Verbindung um fasst:

a) Zinn, welches in dem Zinn bzw. der Zinnlegierung enthalten ist, und
b) eine Verbindung, welche Nickel und/oder Zinn ent hält, die in dem metallischen Element enthalten sind, umfasst.

2. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 1, wobei der Anschluss der positiven Elektrode und der An schluss der negativen Elektrode umfassen:
das metallische Element,
die erste plattierte Schicht, welche direkt, ohne Unter schicht, auf dem metallischen Element angeordnet ist, und
die Schicht einer intermetallischen Verbindung, ausgebil det durch eine Wärmeaufschmelzbehandlung zwischen dem metalli schen Element und der ersten plattierten Schicht.

3. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 1,
wobei der Anschluss der positiven Elektrode einen An schluss einer positiven Plattenelektrode mit einer ersten Flä che und einer zweiten Fläche, welche auf der Gegenseite zur ersten Fläche angeordnet ist, umfasst;
der Anschluss der negativen Elektrode einen Anschluss der negativen Plattenelektrode mit einer ersten Fläche und einer zweiten Fläche, welche auf der Gegenseite zur ersten Fläche angeordnet ist, umfasst; und
die erste plattierte Schicht und die Schicht der interme tallischen Verbindung auf mindestens einer der ersten Fläche und der zweiten Fläche der beiden Anschlüsse der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode angeord net sind.

4. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 1,
ferner umfassend ein isolierendes Außenmantelharz, wel ches derart angeordnet ist, dass es das Kondensatorelement ab deckt,
wobei das Außenmantelharz derart angeordnet ist, dass so wohl der Anschluss der positiven Elektrode als auch der An schluss der negativen Elektrode nach außen hin teilweise frei liegt.

5. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 3,
wobei die ersten Flächen des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode die ers te plattierte Schicht und die Schicht der intermetallischen Verbindung umfassen;
die zweiten Flächen von dem Anschluss der positiven Elektrode und/oder dem Anschluss der negativen Elektrode eine plattierte Unterschicht mit Nickel und eine mit Silber plat tierte Schicht, welche auf der Unterschicht ausgebildet ist, umfassen und
ein Abschnitt mit der mit Silber plattierten Schicht elektrisch mit dem Kondensatorelement verbunden ist.

6. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 5,
wobei die zweiten Flächen von dem Anschluss der positiven Elektrode und dem Anschluss der negativen Elektrode eine plat tierte Unterschicht mit Nickel umfassen;
wobei der Anschluss der negativen Elektrode eine mit Sil ber plattierte Schicht, welche auf der Unterschicht ausgebil det ist, umfasst; und
ein Abschnitt mit der mit Silber plattierten Schicht elektrisch mit dem Kondensatorelement verbunden ist.

7. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 5,
wobei die ersten Flächen des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode
die erste plattierte Schicht, welche direkt, ohne Unter schicht, auf dem metallischen Element angeordnet ist, und
die Schicht einer intermetallischen Verbindung, ausgebil det durch eine Wärmeaufschmelzbehandlung zwischen dem metalli schen Element und der ersten plattierten Schicht, umfassen.

8. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 3,
wobei die ersten Flächen des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode die ers te plattierte Schicht und die Schicht der intermetallischen Verbindung umfassen;
die zweiten Flächen des Anschlusses der positiven Elekt rode und/oder des Anschlusses der negativen Elektrode eine Verbindung zu dem Kondensatorelement und einen zweiten plat tierten Abschnitt umfassen, welcher in einem vorbestimmten Ab stand zu der Verbindung angeordnet ist;
die Verbindung eine plattierte Unterschicht mit Nickel und eine mit Silber plattierte Schicht, welche auf der Unter schicht angeordnet ist, umfasst; und
der zweite plattierte Abschnitt eine mit Zinn plattierte Schicht und/oder eine mit einer Zinnlegierung plattierte Schicht umfasst, welche auf dem metallischen Element angeord net ist.

9. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 8, wobei der vorbestimmte Abstand, welcher zwischen der Ver bindung und der zweiten plattierten Schicht vorgesehen ist, 0,5 mm oder mehr beträgt.

10. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 3,
wobei die ersten Flächen des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode die ers te plattierte Schicht und die Schicht der intermetallischen Verbindung umfassen;
die zweiten Flächen des Anschlusses der positiven Elekt rode und/oder des Anschlusses der negativen Elektrode eine Verbindung zu dem Kondensatorelement und einen zweiten plat tierten Abschnitt, welcher in einem vorbestimmten Abstand zu der Verbindung angeordnet ist, umfassen;
die Verbindung umfasst eine Unterschicht mit Nickel und eine auf der Unterschicht angeordnete mit Silber plattierte Schicht; und
der zweite plattierte Abschnitt umfasst (i) eine mit Zinn plattierte Schicht und/oder mit einer Nickellegierung plat tierte Schicht, welche auf dem metallischen Element sind, und (ii) eine Schicht einer intermetallischen Verbindung, welche zwischen dem metallischen Element und der plattierten Schicht angeordnet ist.

11. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 1, wobei die erste plattierte Schicht eine Dicke von 4,0 µm oder mehr aufweist.

12. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 1, wobei die Schicht der intermetallischen Verbindung eine Dicke in einem Bereich von 0,4 µm bis 2,0 µm aufweist.

13. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 5, wobei die mit Silber plattierte Schicht eine Dicke von 0,3 µm oder mehr aufweist.

14. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 4,
wobei die erste Fläche einen freiliegenden Abschnitt, welcher nicht durch das Außenmantelharz bedeckt ist, und einen Außenmantelabschnitt, welcher durch das Außenmantelharz be deckt ist, umfasst und
die erste plattierte Schicht, welche sich an dem freilie genden Abschnitt befindet, 0,2 µm bis 1,0 µm dünner ist als die erste plattierte Schicht, welche sich an dem Außenmantel abschnitt befindet.

15. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 1, wobei die erste plattierte Schicht eine mit Zinn plat tierte Schicht ist.

16. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 1,
wobei das Kondensatorelement umfasst:
einen poröse Körper der positiven Elektrode, ausgebildet durch Sintern eines Kompaktelements mit einem Ventilmetallpul ver;
eine dielektrische Dioxidfilmschicht, ausgebildet auf dem poröse Körper der positiven Elektrode;
eine kompakte Elektrolytschicht, angeordnet auf der die lektrischen Dioxidfilmschicht; und
eine Schicht einer negativen Elektrode, angeordnet auf der kompakten Elektrolytschicht, und
wobei der Anschluss der positiven Elektrode elektrisch mit dem Körper der positiven Elektrode verbunden ist, und
der Anschluss der negativen Elektrode elektrisch mit der Schicht der negativen Elektrode verbunden ist.

17. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 1,
wobei das Kondensatorelement umfasst:
ein Ventilmetall;
eine dielektrische Oxidfilmschicht, ausgebildet auf der Fläche des Ventilmetalls;
eine kompakte Elektrolytschicht, bestehend aus einem leitfähigen Polymer, welches auf der dielektrischen Oxidfilm schicht angeordnet ist; und
eine Schicht einer negativen Elektrode, angeordnet auf der kompakten Elektrolytschicht, und
wobei der Anschluss der positiven Elektrode elektrisch mit der Körper der positiven Elektrode verbunden ist und
der Anschluss der negativen Elektrode elektrisch mit Schicht der negativen Elektrode verbunden ist.

18. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 3,
wobei der Anschluss der positiven Elektrode und der An schluss der negativen Elektrode gebogen sind, so dass jede erste Fläche des Anschlusses der negativen Elektrode und des Anschlusses der positiven Elektrode auf derselben liegt, und
jede der ersten Flächen auf ein Substrat gelötet werden kann.

19. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 1, wobei ein Ende des Anschlusses der negativen Elektrode und der leitende Abschnitt der negativen Elektrode durch einen leitfähigen Klebstoff elektrisch miteinander verbunden sind.

20. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 3,
wobei jede erste Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode die di rekt auf dem metallischen Element angeordnete erste plattierte Schicht und die Schicht der intermetallischen Verbindung um fasst, welche durch eine Aufschmelzbehandlung zwischen dem me tallischen Element und der ersten plattierten Schicht ausge bildet ist;
die zweite Fläche des Anschlusses der negativen Elektrode eine Verbindung aufweist;
die Verbindung eine mit Nickel plattierte Unterschicht, angeordnet auf dem metallischen Element, und eine mit Silber plattierte Schicht, angeordnet auf der Unterschicht, aufweist;
die Verbindung elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der negativen Elektrode verbunden ist;
die zweite Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der positiven Elektrode verbunden ist;
der Anschluss der positiven Elektrode und der Anschluss der negativen Elektrode gebogen sind, so dass jede erste Flä che des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlus ses der negativen Elektrode sich auf derselben Ebene befindet; und
jede der ersten Flächen auf ein Substrat gelötet werden kann.

21. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 3,
wobei jede erste Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode die di rekt auf dem metallischen Element angeordnete erste plattierte Schicht und die Schicht der intermetallischen Verbindung um fasst, welche durch eine Wärmeaufschmelzbehandlung zwischen dem metallischen Element und der ersten plattierten Schicht ausgebildet ist;
jede zweite Fläche des Anschlusses der positiven Elektro de und des Anschlusses der negativen Elektrode eine mit Nickel plattierte Unterschicht, angeordnet auf dem metallischen Ele ment, umfasst;
die zweite Fläche des Anschlusses der negativen Elektrode eine Verbindung aufweist;
die Verbindung eine auf der Unterschicht angeordnete mit Silber plattierte Schicht aufweist;
die Verbindung elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der negativen Elektrode verbunden ist;
die zweite Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der positiven Elektrode verbunden ist;
der Anschluss der positiven Elektrode und der Anschluss der negativen Elektrode gebogen sind, so dass jede erste Flä che des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlus ses der negativen Elektrode auf derselben Ebene liegt; und
jede der ersten Flächen auf ein Substrat gelötet werden kann.

22. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 3,
wobei jede erste Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode die di rekt auf dem metallischen Element angeordnete erste plattierte Schicht und die Schicht der intermetallischen Verbindung um fasst, welche durch eine Wärmeaufschmelzbehandlung zwischen dem metallischen Element und der ersten plattierten Schicht ausgebildet ist;
die zweite Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode eine zweite mit Zinn plattierte Schicht, welche direkt auf dem metallischen Element angeordnet ist, und eine zweite Schicht einer intermetallischen Verbindung umfasst, welche zwischen dem metallischen Element und der zweiten mit Zinn plattierten Schicht durch eine Wärmeaufschmelzbehandlung ausgebildet ist;
die zweite Fläche des Anschlusses der negativen Elektrode eine Verbindung und einen zweiten mit Zinn plattierten Ab schnitt, welcher in einem vorbestimmten Abstand zu der Verbin dung angeordnet ist, aufweist;
die Verbindung eine mit Nickel plattierte Unterschicht, welche auf dem metallischen Element angeordnet ist, und eine mit Silber plattierte Schicht, welche auf der Unterschicht an geordnet ist, aufweist;
die Verbindung elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der negativen Elektrode verbunden ist;
die zweite Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der positiven Elektrode verbunden ist;
der Anschluss der positiven Elektrode und der Anschluss der negativen Elektrode gebogen sind, so dass jede erste Flä che des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlus ses der negativen Elektrode auf derselben Ebene liegt; und
jede der ersten Flächen auf ein Substrat gelötet werden kann.

23. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 3,
wobei jede erste Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode die erste plattierte Schicht und die Schicht der in termetallischen Verbindung, ausgebildet zwischen dem metalli schen Element und der ersten plattierten Schicht durch eine Wärmeaufschmelzbehandlung, umfasst;
die erste Fläche des Anschlusses der negativen Elektrode eine Verbindung und einen zweiten plattierten Abschnitt, wel cher in einem vorbestimmten Abstand zu der Verbindung angeord net ist, umfasst;
die Verbindung eine mit Nickel plattierte Unterschicht, welche auf dem metallischen Element angeordnet ist, und eine mit Silber plattierte Schicht, welche auf der Unterschicht an geordnet ist, aufweist;
die zweite plattierte Schicht die erste plattierte Schicht und die Schicht der intermetallischen Schicht auf weist, welche zwischen dem metallischen Element und der ersten plattierten Schicht durch eine Wärmeaufschmelzbehandlung aus gebildet ist;
die Verbindung elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der negativen Elektrode verbunden ist;
ein Ende der ersten Fläche des Anschlusses der positiven Elektrode elektrisch mit dem leitenden Abschnitt der positiven Elektrode verbunden ist;
der Anschluss der positiven Elektrode und der Anschluss der negativen Elektrode gebogen sind, so dass jede erste Flä che des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlus ses der negativen Elektrode auf derselben Ebene liegt; und
jede der ersten Flächen auf ein Substrat gelötet werden kann.

24. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 1,
wobei das metallische Element Nickel und/oder eine Ni ckellegierung umfasst und
die Schicht der intermetallischen Verbindung eine Verbin dung ist, welche Zinn und Nickel enthält.

25. Kompakter Elektrolytkondensator nach Anspruch 1,
wobei das metallische Element Kupfer und/oder eine Kup ferlegierung umfasst und
die Schicht der intermetallischen Verbindung eine Verbin dung ist, welche Zinn und Kupfer enthält.

26. Verfahren zur Herstellung eines kompakten Elekt rolytkondensators, welches die folgenden Schritte umfasst:

a) Ausbilden einer ersten plattierten Schicht, ohne Un terschicht, direkt auf einer ersten Fläche eines metallischen Elements;
anschließendes Ausbilden einer Schicht der intermetalli schen Verbindung zwischen dem metallischen Element und der ersten plattierten Schicht durch eine Wärmeaufschmelzbehand lung,
wobei die erste plattierte Schicht Zinn und/oder eine Zinnlegierung umfasst;
b) Ausbilden einer mit Nickel plattierten Unterschicht auf einer Verbindung der zweiten Fläche des metallischen Ele ments und ferner Ausbilden einer mit Silber plattierten Schicht auf der Unterschicht;
c) Stanzen des metallischen Elements zu einer vorbe stimmten Form zum Ausbilden von Anschlüssen der positiven Elektrode und von Anschlüssen der negativen Elektrode,
wobei das metallische Element derart gestanzt wird, dass ein Ende des Anschlusses der negativen Elektrode als die Verbindung ausgebildet wird;
d) Biegen des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode in eine vorbestimmte Form; und
e) elektrisches Verbinden der Verbindung mit dem lei tenden Abschnitt der negativen Elektrode eines Kondensatorele ments und elektrisches Verbinden eines Endes eines Anschlusses der positiven Elektrode mit dem leitenden Abschnitt der posi tiven Elektrode des Kondensatorelements.

27. Verfahren zur Herstellung eines kompakten Elektrolytkon densators nach Anspruch 26,
wobei die Unterschicht eine Nickelschicht ist, welche durch Elektroplattieren ausgebildet wird, und
die mit Silber plattierte Schicht durch ein Elektroplat tieren ausgebildet wird.

28. Verfahren zur Herstellung eines kompakten Elektrolytkon densators nach Anspruch 26,
wobei das metallische Element aus Nickel oder einer Ni ckeleisenlegierung besteht und
die Schicht der intermetallischen Verbindung eine inter metallische Verbindung aus Zinn und Nickel umfasst.

29. Verfahren zur Herstellung eines kompakten Elektrolytkon densators nach Anspruch 26,
wobei das metallische Element aus Kupfer oder einer Kup ferlegierung besteht und
die Schicht der intermetallischen Verbindung eine inter metallische Verbindung aus Zinn und Kupfer umfasst.

30. Verfahren zur Herstellung eines kompakten Elektrolytkon densators nach Anspruch 26,
wobei der Schritt eines Ausbildens der Schicht der inter metallischen Verbindung
die Schritte eines Ausführens einer Wärmeaufschmelzbe handlung der intermetallischen Schicht, welche die erste plat tierte Schicht bildet, bei 400°C bis 800°C in einer Sauer stoffatmosphäre von 200 PPM oder weniger umfasst,
wodurch die erste plattierte Schicht durch die Wär meaufschmelzbehandlung geschmolzen wird, um eine Schicht einer intermetallischen Verbindung, welche Metall des metallischen Elements und Zinn enthält, zwischen dem metallischen Element und der ersten plattierten Schicht auszubilden.

31. Verfahren zur Herstellung eines kompakten Elektrolytkon densators nach Anspruch 26, ferner umfassend die Schritte:

a) Anordnen eines Außenmantelharzes durch Bedecken des Kondensatorelements und der Verbindung mit dem Harz in einer derartigen Weise, dass das andere Ende des Anschlusses der po sitiven Elektrode und das andere Ende des Anschlusses der ne gativen Elektrode frei liegen; und
b) Biegen des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode, welche nicht durch das Außenmantelharz bedeckt sind.

32. Verfahren zur Herstellung eines kompakten Elektrolytkon densators nach Anspruch 26,
wobei der Schritt (a) und der Schritt (b) die folgenden Schritte umfassen:
Ausbilden einer mit Nickel plattierten Unterschicht auf der Verbindung der zweiten Fläche des metallischen Elements und ferner Ausbilden der mit Silber plattierten Schicht auf der Unterschicht;
Ausbilden einer ersten plattierten Schicht an einer Posi tion, welche sich in einem Abstand von mindestens 0,5 mm zu der Verbindung befindet;
Ausbilden einer zweiten plattierten Schicht, welche Zinn und/oder eine Zinnlegierung enthält und ohne Unterschicht di rekt auf der ersten Fläche des metallischen Elements angeord net ist; und
Durchführen einer Wärmeaufschmelzbehandlung des metalli schen Elements mit der ersten plattierten Schicht, der zweiten plattierten Schicht und der Verbindung,
wodurch die Schicht der intermetallischen Verbindung zwi schen dem metallischen Element und der ersten plattierten Schicht ausgebildet wird und ferner eine zweite Schicht einer intermetallischen Verbindung zwischen dem metallischen Element und der zweiten plattierten Schicht ausgebildet wird.

33. Verfahren zur Herstellung eines kompakten Elektrolytkon densators nach Anspruch 26, wobei nach dem Schritt eines Ausbildens des Anschlusses der positiven Elektrode und des Anschlusses der negativen Elektrode durch Stanzen des metallischen Elements wie in dem Schritt der Schritt eines Ausbildens der plattierten Schicht und der Schicht der intermetallischen Verbindung auf der ers ten Fläche wie in dem Schritt (a) und der Schritt eines Aus bildens der Verbindung auf der zweiten Fläche wie in dem Schritt (b) durchgeführt werden.

34. Verfahren zur Herstellung eines kompakten Elektrolytkon densators nach Anspruch 26, wobei der Schritt (c) nach dem Schritt (a) und dem Schritt (b) ausgeführt wird.

35. Verfahren zur Herstellung eines kompakten Elektrolytkon densators nach Anspruch 26, ferner umfassend:
einen Schritt eines Anordnens eines Außenmantelharzes durch Bedecken des Kondensatorelements und der Verbindung mit dem Harz in einer Weise, dass das andere Ende des Anschlusses der positiven Elektrode und das andere Ende des Anschlusses des negativen Elektrode freiliegen; und
einen Schritt eines Strahlens der ersten plattierten Schicht, angeordnet auf dem Anschluss der positiven Elektrode und dem Anschluss der negativen Elektrode, ausgebildet an ei ner nicht durch das Außenmantelharz bedeckten Position, wo durch erreicht wird, dass die Dicke der ersten plattierten Schicht geringer ist.