TW499590B - Electro-optical device - Google Patents

Description

499590 A7 B7 五、發明說明（1 ) 【技術領域】 本發明係關於液晶裝置等之電氣光學裝置之技術領域 ，特別是屬於藉由採用被施加在於列方向或行方向相鄰接 之像素電極之電壓的極性成爲相反地，使每像素行或像素 列電位極性週期性地反轉之反轉驅動方式之薄膜電晶體（ Thin Film Transistor :以下稱爲T F T )之主動矩陣驅動型 之液晶裝置等之電氣光學裝置之技術領域。 先 閱 讀 背 面

I 背景技術】 一般液晶裝置等之電氣 寫 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 持液晶等之電氣 依據電氣光學物 質側之面上之定 生段差（即，在 極之底層之層間 之情況，在電氣 不良，在此部份 電氣光學裝置之 動陣列驅動型之 上於各各地方形 各種配線或像素 平坦化處理，因 面必然產生段差 因此習知上 光學物質， 質之性質以 向膜所規定 定向膜下之 絕緣膜之表 光學物質產 要良好驅動 漏光等，對 電氣光學裝 成切換控制 電極用之T 應這些配線 光學裝 此電氣 及被形 。因此 像素電 面如存 生定向 電氣光 比比降 置之情 掃描線 F T等 或元件 置係在一對 光學物質之 成在基板之 ，如在定向 極之表面或 在段差）， 不良。如產 學物質變得 低。然而， 形，在T F 、資料線、 之故，如不 之存在，在 之基板間夾 定向狀態係 電氣光學物 膜之表面產 成爲像素電 因應此段差 生此種定向 困難，由於 在T F T主 T陣列基板 電容線等之 施行某種之 定向膜之表 使產生此種段差之基板上區域對Έ於相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4 - 另一方面 499590 Α7 — Β7 五、發明說明（2 ) 鄰接之像素電極間之間隙，同時，藉由設置在對向基板或 T F T陣列基板之黑罩或被稱爲黑底（black matrix )之遮 光膜，覆蓋隱藏段差產生之區域（即，像素電極間之間隙 )，使得因此段差產生定向不良之電氣光學物質部份不被 看見，或不對顯示光有貢獻。 或者習知上，使不產生起因於此種各種配線或T F T 之存在之段差本身地，例如由有機S OG ( Spin On Glass )膜等之平坦化膜構成像素電極下之層間絕緣膜，使像素 電極之下地面平坦之技術也被開發著。 般在此種電氣光學裝置中，爲了由於直 請 先 閱 讀 背 面 之 注 Μ 事 項 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 流電壓施 或閃爍之 之電位極 框或場之 性之電位 電極之電 像素電極 號之間， 素電極， 素電極（ ，如此每 驅動方式 示成爲可 之電位驅 加之電氣 防止等， 性反轉之 影像訊號 驅動被配 位爲基準 ，接續於 反之，以 同時，以 即，藉由 行使電位 ，由於控 光學物質之 採用以指定 反轉驅動方 之間，以對 置於奇數行 以負極性之 此，在進行 正極性之電 負極性之電 同一極性之 極性以訊框 制上比較容 能之反轉驅動方式爲 動同一列之像素電極 劣化防止、 規格使被施 式。其中在 向電極之電 之像素電極 電位驅動被 對應下一訊 位驅動被配 位驅動被配 電位驅動同 或場週期反 易，以能使 所利用。又 ，每列使電 像之串音 像素電極 應一個訊 準以正極 ，以對向 偶數行之 之影像訊 數行之像 數行之像 像素電極 轉）之1 Η反轉 高品質之影像顯 ，藉由同一極性 位極性以框或 顯示影 加於各 進行對 位爲基 ，同時 配置於 框或場 置於偶 置於奇 行之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5 - 499590 Α7 Β7 五、發明說明（3 ) 場週期反轉之1 S反轉驅動方向也由於控制比較容易，以 能使高品質之影像顯示成爲可能之反轉驅動方式爲所利用 但是，依據藉由遮光膜覆蓋隱藏前述段差之技術，因 應有段差之區域之大小，像素之開口區域變窄之故，於被 限制之影像顯示區域內，要滿足提高像素之開口率、進行 更明亮之影像顯示之該電氣光學裝置之技術領域之基板的 要求有困難。特別是伴隨進行高精細之影像顯示用之像素 節距之微細化，每單位面積之配線數或T F T數增加，這 些配線或T F T之微細化有其一定之限度，在影像顯示區 域內，有段差之區域所佔有之比例相對變高，此問題隨著 電氣光學裝置之高精細化之進展，更爲深刻化。 另一方面，依據前述之平坦化像素電極下之層間絕緣 膜之技術，於T F T陣列基板上，相鄰接之像素電極爲相 同電極之情形，雖然不會產生問題，但是，如前述之1 Η 反轉驅動方式或1 S反轉驅動方式般地，這些電壓（即在 1 Η反轉驅動方式中，被施加於在列方向相鄰接之像素電 極之電壓，或在1 S反轉驅動方式中，被施加於在行方向 相鄰接之像素電極之電壓））之相位爲反極性之情形，藉 由平坦化，像素電極與對向電極之間隔於位於配線或 T F Τ之上方之像素電極之邊緣附近，比未平坦化之情形 還變得更寬之故，產生於相鄰接之像素電極間產生之橫電 場（即，平行於基板面之電場，或包含平行於基板面之成 分之斜電場）相對增加之問題。對於假定在相對向泛像素 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6- 499590 A7 B7 之縱電場（即，垂直於基板面之方向 氣光學物質，此種橫電場一被施加， 定向不良，此部份產生漏光等，產生 對於此，雖然可以藉由遮光膜覆蓋隱 ，但是，因應產生橫電場之區域之大 區域會變窄之問題。特別是伴隨由於 鄰接之像素電極間之距離縮小，此種 些問題隨著電氣光學裝置之高精細化 〇 上述問題點而完成者，其課題爲提供 於面對液晶等之電氣光學物質之基扳 光學物質之定向不良以及由於橫電場 向不良，使得像素之開口率高，而且 品質的影像顯示成爲可能之液晶裝置 【發明之公開揭露】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（4 ) 電極與對向電極之間 的電場）的施加之電 產生電氣光學物質之 對比比降低之問題。 藏產生橫電場之區域 小，產生像素之開口 像素節距之微細化相 橫電場變大之故，這 之進展，更爲深刻化 本發明係有鑑於 :藉由綜合減少起因 上表面之段差之電氣 之電氣光學物質之定 高對比比、明亮之高 等之電氣光學裝置。 本發明之第1電氣光學裝置爲了解決上述課題，其特 徵爲：由具有複數之像素電極之第1基板；及具有被與前 述像素電極對向配置之對向電極之第2基板；及被以前述 第1基板與前述第2基板夾’持之電氣光學物質形成，前述 電氣光學物質係使以互相不同之極性被驅動之鄰接的前述 像素電極間之前述電氣光學物質之層厚比以互相相同之極 性被驅動之鄰接的前述像素電極間之前述電氣光學场質之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -7 - 499590 A7 B7 五、發明說明（5 ) 層厚薄。 又，本發明之第1電氣光學裝置’其特徵爲：複數之 像素電極係每行或每列被反轉驅動。而且，對於被反轉驅 動之行或列，使交叉之像素間之前述電氣光學物質之層厚 比前述被反轉驅動之行或列之像素間之前述電氣光學物質 之層厚薄。 此反轉驅動例如以1 Η反轉驅動方式或1 S反轉驅動 方式爲有效。 依據以上之構成，以互相不同極性被驅動之鄰接的像 素電極間之電氣光學物質之層厚薄之故，可以加強產生在 像素電極與對向電極之間之縱電場。因此，於產生橫電場 之區域，對於橫電場而言，可以使縱電場相對變強，能減 低由於橫電場之電氣光學物質之定向不良之產生。 又，本發明之第1電氣光學裝置之特徵爲：在前述第 1基板具有：對應以互相不同極性被驅動之鄰接的像素電 極間之部位，被形成在前述像素電極下之隆起部。 或在前述第2基板具有：對應以互相不同極性被驅動 之鄰接的像素電極間之部位，被形成在前述像素電極下之 隆起部。 被形成在第1基板之隆起部可以在平坦之前述第1基 板上積層絕緣層與配線層而形成。 又，被形成在第2基板之隆起部也可以形成遮光膜。 隆起部被形成爲土堤狀，在其長度軸垂直切斷之剖面 形狀例如可考慮爲：梯形、三角形、半圓形等之各ll形狀 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8 - 499590 A7 _ B7 五、發明說明（6 ) 又，在形成隆起部上，利用形成配線或薄膜電晶體之 導電膜或層間絕緣膜等，在積層製程中，也可以局部追加 在第1基板與像素電極之間形成隆起部形成用膜。 又，只要是可以使因應液晶等之電氣光學裝置之性質 產生之電氣光學物質之定向不良變小之剖面形狀，於隆起 部即使使電氣光學物質之層厚部份地變厚者，也不會妨礙 本發明之旨趣。 又，鄰接之各像素電極之緣部可以位於隆起部上。 在此情形，鄰接之各像素電極之緣部之寬幅期望與至 第2基板之對向基板與像素電極之緣部爲止距離幾乎相等 又，前述鄰接之各像素電極之緣部之寬幅 間隔之一半的厚度還長。 依據此形態，可以使縱電場對於橫電場大 場之不好影響在實用上不會表面化之程度爲止 以不使電氣光學物質之層厚薄，使像素電極之 故，即使像素節距成爲微細化，不單可以維持 可以控制電氣光學物質之層厚。 又，隆起部之厚度期望至少具有3 0 0 nir 依據此形態，在產生橫電場之區域，縱電 膜厚變小而變強，但是在與像素電極群鄰接之 差成爲3 0 0 nm以上地隆起之故，膜厚因應 可以使此區域之縱電場對於橫電場大到由於橫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9 - 請 先 閱 讀 背 面 意 事· 項

I裝 頁I 訂 期望比單元 到由於橫電 。因此，可 間隔變窄之 開口率，也 L之厚度。 場雖然因應 區域中，段 此而變小， 電場泛不好

A 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 _ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（7 ) 影響實用上不會表面化之程度爲止< 又，電氣光學物質在由TN ( 向列）液晶形成之情形，期望隆起 使前述T N液晶之預傾角之傾斜方 面之傾斜方向一致。 依據此形態，T N液晶在無電 子基板上以幾乎平行於基板面之狀 基板逐漸扭轉定向之故，如此在下 拔，像素電極端之TN液晶之層厚 ，可以獲得接近像素電極略中心之 情形之良好的液晶定向狀態。即可 因於橫電場之液晶定向不良，在層 份由於段差產生之液晶定向不良。’ 在此形態中，使T N液晶之第 斜方向與隆起部之傾斜面之傾斜方 在無電壓施加狀態，各液晶分子基 行之狀態，對於基板面例如定向爲 角之狀態，如此推拔之傾斜方向與 作成一致，沿著此推拔，像素電極 使沿著側面逐漸變小，可以獲得非 中心之T N液晶之層厚一定之情形 。又，此處所謂“傾斜方向被作成 接近T N液晶之層厚一定之情形之 程度，使這兩者之傾斜一致，其之

Twisted Nematic :扭轉 部在側面具備傾斜面， 向與前述隆起部之傾斜 壓施加狀態，各液晶分 態，由第1基板向第2 地面之邊界如被賦予推 即使沿著側面逐漸變小 T N液晶之層厚一定之 以極力抑制爲了減少起 厚被局部變薄之液晶部 1基板上之 向一致之故 板上爲與基 紙傾斜數度 預傾角之傾 端之T N液 常接近像素 之良好的液 一致“係指 良好的液晶 容許範圍由 預傾角之傾 ，T N液晶 板面幾乎平 程度之預傾 斜方向如被 晶之層厚即 電極之幾乎 晶定向狀態 在獲得非常 定向狀態之 實驗=、經驗 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項

頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- 499590 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8 ) 以及理論適當決定。 又，電氣光學物質在由V A ( Vertically Aligned ··垂 直對準）液晶形成之情形，期望隆起部具有對於前述第2 基板之平面略垂直之側面。 依據此形態，V A液晶在無電壓施加狀態中，各液晶 分子基本上定向爲與基板面幾乎成爲垂直狀態之故，在存 在高度不同之下地面之邊界之區域中，液晶定向雖然不得 不亂，但是下地面之邊界如垂直峭立，在此種邊界可以使 定向錯亂之液晶部份極小。因此，位於相對高之下地面之 頂上附近之幾乎平的地方之像素電極之部份與位於相對低 之下地面之平坦之像素電極之部份之兩者可以獲得接近 V A液晶之層厚一定之情形之良好的液晶定向狀態。即可 以極力抑制爲了減少起因於橫電場之液晶定向不良，在層 厚被局部變薄之液晶部份由於段差產生之液晶定向不良。 又，在本發明之第1電氣光學裝置之第1基板具有： 對應以互相相同極性被驅動之鄰接的前述像素電極間之部 位，被形成在前述電氣光學物質側表面之平坦部。 此平坦部期望在前述第1基板之表面形成溝，在對應 前述溝之區域設置配線而形成。 依據此形態，在位於資料線或掃描線等之配線之下方 之第1基板或層間絕緣膜藉由蝕刻處理等挖溝，藉由埋入 資料線或掃描線，可以比較容易施行此區域之平坦化處理 〇 本發明之第2電氣光學裝置之特徵爲由：具有It數之 請 先 閱 讀 背 面 意

m |fi 頁I 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 499590 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（9 ) 像素電極之第1基板；及具有被與前述 之對向電極之第2基板；及被以前述第 基板夾持之電氣光學物質；及對應以互 動之前述像素電極間，被形成在前述第 電極下之隆起部所形成。 本發明之第3電氣光學裝置之特徵 像素電極之第1基板；及具有被與前述 之對向電極之第2基板；及被以前述第 基板夾持之電氣光學物質；及對應以互 動之前述像素電極間，被形成在前述第 電極下之隆起部所形成。 本發明之第4電氣光學裝置之特徵 像素電極之第1基板；及具有被與前述 之對向電極之第2基板；及被以前述第 基板夾持之電氣光學物質；及對應以互 動之前述像素電極間，被形成在前述第 光學物質側表面之平坦部所形成。 本發明之第5電氣光學裝置之特徵 數條之資料線；及與前述資料線交叉之 及被形成在以前述資料線與前述掃描線 配置爲矩陣狀之複數的像素電極；及具 料線與前述掃描線，將影像訊號輸出於 關元件之元件基板；及具備被與前述像 對向電極之對向基板；及被設置在前述 像素電極對向配置 1基板與前述第2 相不同之極性被驅 1基板之前述像素 爲由：具有複數之 像素電極對向配置 1基板與前述第2 相不同之極性被驅 2基板之前述對向 爲由：具有複數之 像素電極對向配置 1基板與前述第2 相相同之極性被驅 1基板之前述電氣 爲具備：具有：複 複數條的掃描線； 所包圍之區域，被 有被接續於前述資 前述像素電極之開 素電極對向配置之 元件基板與漁述對 請 先 閱 讀 背 面 之 注 項 寫 本 頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- 499590 A7 B7 五、發明說明（10) 向基板之間之電氣光學物質；及被形成在沿著前述元件基 板之前述資料線之區域之電氣光學物質側表面之平坦部； 及被形成在沿著前述元件基板之前述掃描線之區域之電氣 光學物質側表面之隆起部。 而且，前述被配置爲矩陣狀之複數的像素電極適合於 沿著前述掃描線之方向的像素電極之每一行被反轉驅動者 〇 又，前述隆起部也可以形成在沿著前述掃描線之電容 線之區域。 又，前述隆起部之頂上附近也可以平坦地形成。 又，前述平坦部期望在沿著前述元件基板之前述資料 線之區域形成溝地構成。 本發明之第6電氣光學裝置之_特徵爲具備：複數條之 資料線；及與前述資料線交叉之複數條的掃描線；及被形 成在以前述資料線與前述掃描線所包圍之區域，被配置爲 矩陣狀之複數的像素電極；及具有被接續於前述資料線與 前述掃描線，將影像訊號輸出於前述像素電極之開關元件 之元件基板；及具備被與前述像素電極對向配置之對向電 極之對向基板；及被設置在前述元件基板與前述對向基板 之間之電氣光學物質；及被形成在沿著前述元件基板之前 述資料線之區域之電氣光學物質側表面之隆起部；及被形 成在沿著前述元件基板之前述掃描線之區域之電氣光學物 質側表面之平坦部。 而且，前述被配置爲矩陣狀之複數的像素電極合於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 閱 讀 背 面 之 注 項 再 填 寫 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 499590 A7 _ B7 五、發明說明（) 沿著前述掃描線之方向的像素電極之每一行被反轉驅動者 又’前述平坦部也可以形成在沿著前述掃描線之電容 線之區域。 又，前述隆起部之頂上附近也可以平坦地形成。 又，前述平坦部期望在沿著前述元件基板之前述掃描 線以及前述電容線之區域形成溝地構成。 本發明之第7電氣光學裝置之特徵爲具備：複數條之 資料線；及與前述資料線交叉之複數條的掃描線；及被形 成在以前述資料線與前述掃描線所包圍之區域，被配置爲 矩陣狀之複數的像素電極；及具有被接續於前述資料線與 前述掃描線，將影像訊號輸出於前述像素電極之開關元件 之元件基板；及具備被與前述像素電極對向配置之對向電 極之對向基板；及被設置在前述元件基板與前述對向基板 之間之電氣光學物質；及被形成在沿著對應前述元件基板 之前述資料線之區域之前述對向基板之電氣光學物質側表 面之平坦部；及被形成在對應沿著前述元件基板之前述掃 描線之區域之前述對向基板之電氣光學物質側表面之隆起 部。 而且，前述被配置爲矩陣狀之複數的像素電極適合於 沿著前述掃描線之方向的像素電極之每一行被反轉驅動者 又，前述隆起部也可以形成在沿著前述掃描線之電容 線之區域。 = 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14 - 先 閱 讀 背 面 之 注 意 項 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 B7__ 五、發明說明（l2 ) (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 又’前述元件基板在前述元件基板之表面形成對應前 述資料線延伸存在之區域之溝，使前述元件基板之電氣光 學物質側表面平坦。 又’前述元件基板在前述元件基板之表面形成對應前 述掃描線延伸存在之區域之溝，使前述元件基板之電氣光 學物質側表面平坦。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之第8電氣光學裝置之特徵爲具備：複數條之 資料線；及與前述資料線交叉之複數條的掃描線；及被形 成在以前述資料線與前述掃描線所包圍之區域，被配置爲 矩陣狀之複數的像素電極；及具有被接續於前述資料線與 前述掃描線，將影像訊號輸出於前述像素電極之開關元件 之元件基板；及具備被與前述像素電極對向配置之對向電 極之對向基板；及被設置在前述元件基板與前述對向基板 之間之電氣光學物質；及被形成在沿著對應前述元件基板 之前述資料線之區域之前述對向基板之電氣光學物質側表 面之隆起部；及被形成在對應沿著前述元件基板之前述掃 描線之區域之前述對向基板之電氣光學物質側表面之平坦 部。 、 而且，前述被配置爲矩陣狀之複數的像素電極適合於 沿著前述掃描線之方向的像素電極之每一行被反轉驅動者 〇 # 又，前述元件基板在前述元件基板之表面形成對應前 述資料線延伸存在之區域之溝，使前述元件基板之電氣光 學物質側表面平坦。 :: 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) :15- 499590 A7 B7 五、發明說明（) 又，前述元件基板在前述元件基板之表面形成對應前 述掃描線延伸存在之區域之溝，使前述元件基板之電氣光 學物質側表面平坦。 依據以上之本發明之電氣光學裝置，可以綜合減少由 於橫電場之電氣光學物質的定向不良與段差所引起之電氣 光學物質之定向不良，隱藏電氣光學物質之定向不良地方 用之遮光膜也可以小。因此，不會引起漏光等之影像不良 ，可以提高各像素之開口率，最終能使對比比高而且明亮 之高品質的影像顯示成爲可能。 而且，本發明之此種作用以及其它之優點由後述之實 施例可以便明白。

【實施發明用之最合適實施例】 I 以下，依據圖面說明本發明之實施例。以下之各實施 例係將本發明之電氣光學裝置適用於液晶裝置者。 (第1實施例） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參考圖1至圖8說明本發明之第1實施例之電氣光學 裝置之構成。圖1係被形成在構成電氣光學裝置之影像顯 示區域之矩陣狀的複數像素之各種元件、配線等之等效電 路。圖2係資料線、掃描線、像素電極等被形成之T F T 陣列基板之相鄰接的複數像素群之平面圖、圖3係圖2之 A - A >剖面圖、圖4係圖2之B — B /剖面圖、圖5係 圖2之C 一 C >剖面圖、又圖6係顯示1 Η反轉驅屬方式 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) -16 - 499590 A7 __B7 _____ 五、發明說明（Μ ) 之各電極之電位極性與產生橫電場之區域之像素電極之圖 示平面圖、圖7係顯示使用Τ Ν液晶之情形的液晶分子之 定向的樣子之圖示剖面圖、圖8係顯示使用V Α液晶之情 形的液晶分子之定向的樣子之圖示剖面圖。又，於圖3至 圖5中*爲了作成在圖面上可以辨識各層或各構件之程度 的大小，各層或各構件縮小比例不同。 圖1中，被形成在構成第1實施例之電氣光學裝置之 影像顯示區域之矩陣狀的複數像素之像素電極9 a與控制 該像素電極9 a用之TFT3 0矩陣狀地被複數形成，被 供給影像訊號之資料線6 a被導通地接續於該T F T 3 0 之源極。被寫入資料線6 a之影像訊號S 1、S 2 ..... S η可以依此順序以線順序供給，也可以對於相鄰接之複 數資料線6 a彼此，以每群方式供給。又，掃描線3 a被 導通地接續在TFT3 0之閘極，以指定之時機，脈衝式 的以掃描訊號Gl、G2 .....Gm之順序依據線順序施 加於掃描線3 a地構成。像素電極9 a被導通地接續於 T F T 3 0之汲極，藉由只在一定期間使開關元件之 T F T 3 0關閉其開關，將由資料線6 a所供給之影像訊 號SI、S2、…、Sn以指定之時機寫入。透過像素電 極9 a被寫入電氣光學物質之一例之液晶之指定準位之影 像訊號S 1、S 2 ..... S· η在與被形成於對向基板（後 述）之對向電極（後述）之間被保持一定期間。液晶藉由 被施加之電壓準位，分子集合之定向或秩序變化，調製光 ，可以做灰階顯示。如係白底（normal white )模式^因應 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 % 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17 499590 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（〗5) 被施加之電壓，液晶部份之入射光之透過光量被減少，如 係黑底（normal black )模式，因應被施加之電壓，液晶部 份之入射光之透過光量被增加，整體上由電氣光學裝置射 出具有對應影像訊號之對比的光。此處爲了防止被保持之 影像訊號洩漏之故，在與被形成於像素電極9 a與對向電 極之間之液晶電容並聯地附加儲存電容7 0。 在第1實施例係使用於前述之習知的各種反轉驅動方 式中之1 Η反轉驅動方式以進行驅動（參考圖6)。藉由 此，可以避免由於直流電壓施加之液晶的劣化，能進行在 訊框或場週期產生之閃爍或特別是縱串音被降低之影像顯 示。 圖2中，在電氣光學裝置之TFT陣列基板上設置矩 陣狀之複數的透明像素電極9 a (*以點線部9 a >顯示出 輪廓），各沿著像素電極9 a之縱橫邊界設置資料線6 a 、掃描線3 a以及電容線3 b。資料線6 a透過接觸孔5 被導通地接續於例如由多晶矽膜形成之半導體層1 a之中 之後述的源極區域。像素電極9 a透過接觸孔8被導通地 接續於半導體層1 a之中後述之汲極區域。又，與半導體 層1 a之中圖中以向下之斜線區域顯示之通道區域1 a > 面對地配置掃描線3 a，掃描線3 a作成閘極電極之機能 。如此，在掃描線3 a與資料線6 a之交叉處分別設置掃 描線3 a作爲閘極電極被對向配置於通道區域1 a /之像 素開關用TFT30。 電容線3 b具有：沿著掃描線3 a幾乎直線狀Έ伸之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

499590 A7 _ B7 五、發明說明（Ιό) 本線部，以及由與資料線6 a交叉之地方沿著資料線6 a 突出圖中上方之突出部。 在第1實施例中，特別是於TFT陣列基板1 〇上， 在沿著各資料線6 a或包含各TFT 3 〇之資料線6 a之 區域（圖中以粗線顯示其輪廓之區域）設置溝2 〇 1，形 成爲條狀之溝。藉由此，被施行對於資料線6 a之平坦化 處理。 接著，如圖3之剖面圖所示般地，電氣光學裝置具備 :透明之TF T陣列基板1 〇，以及與此對向配置之透明 的對向基板2 0。TFT陣列基板1 〇例如由石英基板、 玻璃基板、矽基板形成，對向基板2 0例如由玻璃基板或 石英基板形成。在TFT陣列基板1 〇設置像素電極9 a ，在其上側設置被施行摩擦處理秦之指定的定向處理之定 向膜1 6。像素電極9 a例如係由I TO (銦錫氧化物） 膜等之透明導電性薄膜形成。又，定向膜1 6例如係由聚 酉先亞胺薄膜等之有機薄膜形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另一方面，在對向基板2 0涵蓋其之全面地設置對向 電極2 1，在其下側設置被施行摩擦處理等之指定的定向 處理之定向膜2 2。對向電極2 1例如由I TO膜等之透 明導電性薄膜形成。又，定向膜2 2係由聚酉先亞胺薄膜 等之有機薄膜形成。 ’ 在TFT陣列基板1 0之鄰接各像素電極9 a之位置 設置開關控制各像素電極9 a之像素開關用TFT3 0。 在對向基板2 0更如圖3所示般地’於各像素^非開 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) 19: 499590 A7 B7 五、發明說明（17) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 口區域設置一般被稱爲黑罩或黑底之遮光膜2 3。因此， 入射光不會由對向基板2 0側侵入像素開關用T F T 3 0 之半導體層1 a之通道區域1 a'或低濃度源極區域1 b以 及低濃度汲極區域1 c。進而遮光膜2 3在對比之提升上 ’具有形成彩色濾色器之情形之色材的混色防止等機能。 又，在本實施例中，可以藉由以A 1等形成之遮光性之資 料線6 a遮住沿著各像素之非開口區域之中沿著資料線 6 a之部份，規定各像素之開口區域之中沿著資料線6 a 之輪廓部份，於沿著此資料線6 a之非開口區域也可以以 冗長或單獨被設置在對向基板2 0之遮光膜2 3進行遮光 地構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此構成，在像素電極9 a與對向電極2 1被相面對 配置之T F T陣列基板1 〇與對向基板2 0之間藉由後述 之密封材所包圍之空間被封入電氣光學物質之一例之液晶 ，形成液晶層5 0。液晶層5 0在沒有被施加由像素電極 9 a來之電場之狀態，藉由定向膜1 6以及2 2成爲指定 之定向狀態。液晶層5 0例如係由一種或混合數種之向列 液晶之液晶所形成。密封材係將T F T _列基板1 0以及 對向基板2 0在彼等之周邊貼合用之例如由光硬化性樹脂 或熱硬化性樹脂形成之黏著劑，被混入使兩基板間之距離 成爲指定値用之玻璃纖維或玻璃珠等之間隔材。

進而，在TFT陣列基板1 0與複數之像素開關用 TFT30之間設置底層絕緣膜1 2。底層絕緣膜1 2藉 由被形成在TFT陣列基板1 0之全面，具有防止吁F T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20 - 499590 A7 ____Β7 ______ 五、發明說明（I8) 陣列基板1 ο之表面之硏磨時之粗糙，或洗淨後殘留污染 等之像素開關用T F Τ 3 0之特性劣化機能。底層絕緣膜 12例如由NSG (非摻雜矽酸鹽玻璃）、PSG (磷矽 酸鹽玻璃）、BSG (硼矽酸鹽玻璃）、BPSG (硼磷 矽酸鹽玻璃）等高絕緣性玻璃或氧化矽膜、氮化矽膜等形 成。 在第1實施例中，使半導體層1 a由高濃度汲極區域 1 e延伸設置，當成第1儲存電容電極1 f ，將與此對向 之電容線3 b之一部份當成第2儲存電容電極，使包含閘 極絕緣膜之絕緣膜2由與掃描線3 a對向之位置延伸設置 ，當成被夾持在這些電極間之電介質膜，構成儲存電容 7 0。 圖3中，像素開關用TFT3‘0具有LDD ( Lightly Doped Drain :輕度摻雜汲極）構造，具備：掃描線3 a、 藉由由該掃描線3 a來之電場被形成通道之半導體層1 a 之通道區域1 a >、包含絕緣掃描線3 a與半導體層1 a 之閘極絕緣膜之絕緣薄膜2、資料線6 a、半導體層1 a 之低濃度源極區域1 b以及低濃度汲極區域1 c、半導體 層1 a之高濃度源極區域1 d以及高濃度汲極區域1 e。 複數之像素電極9 a之中之對應之一個透過接觸孔8被接 續於在高濃度汲極區域1 e'。又，各形成通過高濃度源極 區域1d之接觸孔5以及通過高濃度汲極區域1e之接觸 孔8之第1層間絕緣膜4被形成在掃描線3 a以及電容線 3 b上。進而，形成往高濃度汲極區域1 e之接觸1 8之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21 - 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 ----—_ B7 五、發明說明（19 ) 第2層間絕緣膜7被形成在資料線6 a以及第1層間絕緣 膜4上。前述之像素電極9 a被設置在如此構成之第2層 間絕緣膜7之上面。 如圖4所示般地，在位於圖2中左右相鄰接之像素電 極9 a之間隙之各像素之非開口區域被設置資料線6 a , 藉由資料線6 a，各像素之開口區域之輪廓中沿著資料線 6a之部份被規定，而且，藉由資料線，該非開口區 域之漏光被防止。又，在資料線6 a之下方利用由電容線 3 b之本線部份沿著資料線6 a之下突出之部份，形成儲 存電容7 0，謀求非開口區域之有效利用。 如圖3以及圖4所示般地，在第1實施例中，特別是 在沿著TFT陣列基板1 〇上之各資料線6 a或包含各 TFT30之各資料線6a之區域，複數設置溝201。 藉由此，被施fr對於資料線6 a之平坦化處理。 如圖5所示般地，在位於圖2中上下相鄰接之像素電 極9 a之間隙之各像素之非開口區域設置掃描線3 a以及 電容線3 b，藉由被設置在對向基板2 0之遮光膜2 3， 各像素之開口區域之輪廓之中沿著掃描線3 a之部份被規 定，而且，藉由遮光膜2 3 ,該非開口區域之漏光被防止 如圖3及圖5所示般地，在第1實施例中，特別是在 TFT陣列基板10上除了與資料線交叉之區域以及其之 附近之掃描線3 a之區域並不設置溝2 0 1。又，如圖所 示般地，在沿著電容線3 b之區域也可以不設置溝5 〇 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -22 - 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 寫 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明 。又，於電 著光透過區 防止因爲段 化處理不須 中，由第3 被配置之像 起部3 0 1 3 0 1 上。 此處參 式之相鄰接 之關係。 即如圖 自然數）號 極9 a以+ 素電極9 a (20 ) 容線3 b區域 域，至少一部 差之漏光。以 施行，像素電 層間絕緣膜7 素電極9 a之 。而且像素電 考圖6說明第 像素電極9 a 6 ( a )所示 之場或訊框之 或-顯示之液 在每行以同 )所示般地，在顯示第n 之際，各像素電極9 a之 ，在顯示此第η + 1號之 中，積層變厚之情形 份設置溝2 0 1。藉 上，至少對於掃描線 極9 a之下地面（在 之表面形成）於此掃 間隙中，土堤狀地隆 極9 a之邊緣被形成 1實施例採用之1 Η 之電位極性與橫電場 般地，在顯示第η ( 影像訊號之期間中， 晶驅動電位之極性不 極性下被驅動。之後 + 1號之場或1訊框 液晶驅動電位之電位 場或1訊框之影像訊 ，也可以沿 由此，可以 3 a之平坦 第1實施例 描線3 a等 起，形成隆 在此隆起部 反轉驅動方 之發生區域 但是 爲 先 閱 背 面 之 注 項 本 頁 ，，每一像素電極9 a以+或一顯示之液晶驅 性不被反轉，像素電極9 a在每行以同一極性 而且，圖6 ( a )以及圖& ( b )所示狀態在 框之週期被重複，進行依據1 Η反轉驅動方式 結果爲：可以避免由於直流電壓施加之液晶的 行串音或閃爍被降低之影像顯示。又，依據1 每一像素電 被反轉，像 如圖6 ( b 之影像訊號 極性被反轉 號之期間中 動電位之極 下被驅動。 1場或1訊 之驅動。此 劣化，能進 Η反::轉驅動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -23- 499590 A7 B7 五、發明說明（21 ) 方式，與1 S反轉驅動方式相比，縱方向之串音幾乎不見 之點有利。. 由圖6 (a)以及圖6 (b)可以明白地，在第1實 施例中，在沿著掃描線3 a之區域形成隆起部3 0 1，使 被配置在此隆起部3 0 1上之像素電極9 a之邊緣附近之 縱電場變強。更具體而言，如圖5所示般地，使被配置在 隆起部3 0 1上之像素電極9 a之邊緣附近與對向電極 2 1之距離d 1只窄隆起部3 0 1之段差（高度）部份。 相對於此，如圖4所示般地，對於資料線6 a被施行平坦 化處理，像素電極9 a之邊緣附近與對向電極2 1之間的 距離d 2與佔據像素電極之大部分之中央區域之像素電極 9 a與對向電極21之間之距離D幾乎成爲相同地形成溝 2 0 1。此處，平坦化部份之像素電極9 a之邊緣附近與 對向電極2 1之距離d 2在與像素電極之略中心上之液晶 層5 0之單元間隔D之間，使d 2 + 3 0 0 n m^D之關 係成立。即於不發生橫電場之區域，在與液晶之單元間隔 D之間，如產生3 0 0 nm以上之段差，有產生漏光之可 能性之故。 因此，於圖6所示之橫電場之發生區域C 1中，可以 使像素電極9 a與對向電極2 1之間之縱電場變強。而且 ，圖5中，距離d 1即使窄，相鄰接之像素電極9 a間之 間隙W 1 —定之故，由於間隙W 1窄，可以使加強之橫電 場之大小一定。因此，於圖6所示之橫電場產生區域C 1 中，可以局部地使縱電場比橫電場強，此結果爲藉=由使縱 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -24 - 請 先 閱 讀 背 面 項 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 Α7 Β7 五、發明說明（22 ) 電場更成爲支配性，能防止橫電場產生區域C 1之液晶之 定向不良。. 又，如圖4所示般地，對於資料線6 a被施行平坦化 處理之故，於此部份中，可以減少由於資料線6 a等之段 差所引起之液晶的定向不良之發生。此處被施行平坦化處 理之故，藉由像素電極9 a與對向電極2 1之間的距離 d 2變短，縱電場雖被被加強，但是在此部份，如圖6所 示般地，在相鄰接之像素電極9 a間並不發生橫電場。因 此，在此部份不須採取對於橫電場之對策，藉由平坦化處 理可以使液晶之定向狀態變成極爲良好。 由以上之結果，依據第1實施例，著眼於1 Η反轉驅 動方式所產生之橫電場之特性，在橫電場產生區域C 1中 ，於隆起部3 0 1配置像素電極^ a之邊緣，藉由加強縱 電場可以減低由於橫電場之不好影響，同時，在不發生橫 電場之區域，進行平坦化，減低由於像素電極9 a表面之 段差所導致之不好影響。如此藉由綜合減少由於橫電場之 液晶的定向不良與由於段差之液晶的定向不良，可以使隱 藏液晶的定向不良處用之遮光膜2 3變小。因此’不會引 起漏光等畫質不良，可以使各像素之開口率提高’最終可 以使對比高而且明亮之高品質之影像顯示成爲可能。 附帶依據本發明者之硏究，液晶層5 0之層厚爲了維 持耐光性在某種程度，使液晶5 0之注入製程不會困難， 藉由動作中之電場施加，液晶分子可以良好動作’有必要 在某種程度之層厚（例如依據現行之技術’爲3 程度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 項 寫 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 B7 五、發明說明（23 ) )。另一方面，了解到：如使相鄰接之像素電極9 a間之 間隙W1 (參考圖5 )短於此部份之像素電極9 a與對向 電極2 1之間的距離dl (即Wl<dl)，由於橫電場 之不好影響開始明顯化。因此，爲了謀求微細節距之像素 的高開口率化，單純使液晶層5 0之層厚D (參考圖4以 及圖5 )全體變薄，會發生液晶之層厚控制困難化、耐光 性之降低、注入製程之困難化、液晶分子之動作不良等。 反之爲了謀求微細節距之像素之高開口率化，不使液晶層 5 0變薄，單純使相鄰接之像素電極9 a間之間隙W1變 窄，與縱電場相比，橫電場變大之故，由於該橫電場之液 晶的定向不良明顯化。考慮此種液晶裝置之特質，如上述 第1實施例般地，藉由只於橫電場產生區域使液晶層5 0 之層厚d 1變窄（例如至1 · 5 // m程度），同時，於佔 據像素電極9 a之大部分之其它區域，不使液晶層5 0之 層厚D變窄，可以充分確保液晶層5 0之光透過區域之層 厚D (例如3 μ m程度），而且不會使橫電場相對加強地 使相鄰接之像素電極9 a間之間隙W 1可以變窄之構成’ 在謀求微細節距之像素的高開口率以及顯示影像之高精細 化上非常有效。 在第1實施例中，特別於圖5中最好使滿足0 · 5 D < W 1之關係地平面配置像素電極9 a。此係如果液晶之 層厚D不控制在像素電極9 a間之間隔W 1之2倍以上’ 由於橫電場之液晶的定向不良明顯化之故。再者，使d 1 + 3 0 0 nm^D之關係滿足地形成隆起部3 0 1 T即使 ----——*|丨 __ 丨 裝· — — —訂丨——— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -26 · 499590 A7 ——__B7 _ 五、發明說明（24 ) 隆起部3 0 1隆起至段差爲3 0 0 nm以上爲止，由於橫 電場之不好影響實用上不會表面化之程度爲止地使此區域 之縱電場對於橫電場變大。又，爲了謀求微細節距之像素 的高開口率以及顯示影像之高精細化，雖然使間隙W 1或 間隙W 2儘可能變小有效，但是爲了不使橫電場之不好影 響明顯化，無法使此間隙W 1變得太過於小。此處，如設 置間隙W 1小至W 1与d 1爲止，不減低畫質地謀求微細 節距的像素之高開口率化最爲有效。 進而在第1實施例中，以使像素電極9 a之邊緣位於 隆起部3 0 1之長度狀延伸之上面的寬幅方向之邊緣而構 成最爲理想。如此構成下，可以最大限度利用隆起部 3 0 1之高度以使該像素電極9 a內之周邊部與對向電極 2 1之間的距離d 1變短。同時，_可以最大限度活用隆起 部3 0 1之上面的寬幅，使產生橫電場之相鄰接的像素電 極9 a間之間隔W 1變窄。藉由此，可以極爲有效地利用 隆起部3 0 1之形狀，於橫電場之發生區域C 1中，對於 橫電場可以加強縱電場。 又，以上說明之隆起部3 0 1雖係利用形成掃描線 3 a或T F T 3 0之導電膜或層間絕緣膜所形成，但是也 可以藉由：在積層製程中，在TF T陣列基板1 0與像素 電極9 a之間局部追加形成·隆起部形成用之膜，藉由蝕刻 處理T FT陣列基板1 〇上之表面等形成土堤狀、藉由蝕 刻處理中介存在於T F T陣列基板1 0之表面與像素電極 9 a之間之層間絕緣膜之表面等形成土堤狀而形成V又’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐1 - 27 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 mmm— ϋ ϋ-^-ral- tmmw mat ϋ mmmmm I I 1 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 _ B7 五、發明說明（25) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 隆起部3 0 1之該長度軸之垂直切斷之剖面形狀例如可以 爲：梯形、·三角形、半圓形、半橢圓形、頂上附近被平坦 化之半圓形或半橢圓形、或側邊之傾斜向頂上逐漸增加之 2次曲線或3次曲線狀之略梯形、略三角形等之各種形狀 。進而對於圖5所示之掃描線3 a或電容線3 b之本線部 ，也可以只部份地施以平坦化處理。例如將這些配線部份 地膜入被形成在T F T陣列基板1 〇或層間絕緣膜之溝內 ，在希望之區域形成希望之高度的隆起部。因此，實踐上 ，期望適當採用因應液晶之性質，由於段差所產生之液晶 的定向不良可以小之剖面形狀。 此處如圖7(b)所示般地，在第1實施例中，最好 液晶層5 0由T N ( Twisted Nematic :扭轉向列）液晶構 成，在隆起部3 0 1之側面賦予推拔。而且，使此種T N 液晶之T F T陣列基板1 〇上之預傾角0之傾斜角度與推 拔之傾斜角度一致即可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 即如圖7 ( a )所示般地，T N液晶之液晶分子 5 0 a在沒有電壓施加狀態中，各液晶分子5 0 a基本上 成爲幾乎平行於基板面之狀態，而且由T F T陣列基板 10向對向基板20逐漸扭轉定向，同時，在電壓施加狀 態中，如箭頭分別顯示般地，各液晶分子5 0 a定向爲由 基板面垂直站立。因此，如·圖7 ( b )所示般地，在隆起 部3 0 1之側面被賦予推拔，而且，TN液晶之預傾角0 之傾斜角度與推拔之傾斜角度如一致，於隆起部3 0 1與 對向基板2 0之間，液晶之層厚d 1即使沿著側面蓮漸變 未紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公爱 1 - 28 - 499590 A7 B7 五、發明說明（26 ) 小，也可以獲得接近液晶之層厚D —定之情形之良好的液 晶定向狀態。即，可以極力抑制由於減低起因於橫電場之 液晶定向不良之隆起部3 0 1之存在所產生之段差而導致 之液晶定向不良。假如如圖7 ( c )所示般地，T N液晶 之預傾角0之傾斜角度與推拔之傾斜角度如不一致，在隆 起部3 0 1與對向基板2 0之間，與其它之液晶分子 5 0 a相反方向站立之液晶分子5 0 b在隆起部3 0 1之 附近產生，由於這樣，產生定向狀態不連續之液晶定向不 良。因此，此種區域在對向基板2 0或TFT陣列基板 1 0形成遮光膜加以隱藏即可。 或如圖8 ( b )所示般地，在第1實施例中，液晶層 50 '係由VA ( Vertically Aligned )液晶形成，設置幾 乎沒有賦予推拔之隆起部3 0 1 /亦可。 即，如圖8 ( a )所示般地，V A液晶在無電壓施加 狀態中，各液晶分子5 0 a >基板上定向爲幾乎垂直於基 板面之故，由平面來看在土堤狀部份3 0 1 >之側面存在 推拔之區域中，液晶定向雖然不得不亂，但是在隆起部 3 0 1 /之側面如幾乎未賦予推拔，可以使在此側面定向 錯亂之液晶部份變得極少。因此，位於隆起部3 0 1 >之 頂上附近之幾乎平坦處之像素電極9 a之部份與位於隆起 部30 1 >之下之幾乎平坦·處之像素電極9 a之部份之兩 者，如圖8 ( b )般地可以獲得接近圖8 ( a )之液晶之 層厚D —定之情形之良好的液晶定向狀態。 在以上說明之第1實施例中，藉由挖掘溝2 0 1 ，將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -29 - {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ ϋ a— _1 一-口* · ϋ a^i iai I 1 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 — —___B7____ 五、發明說明（27 ) 資料線6 a等埋入以進行平坦化處理，也可以藉由CMP (化學機械硏磨）處理等將位於資料線6 a之上方之層間 絕緣膜7或1 2之上面的段差削平，或藉由使用有機 S 0 G平平形成，進行該平坦化處理。 此平坦化處理後，也可以於資料線6 a或掃描線3 a 方向部份地形成隆起部。方法可以藉由對於除掉形成隆起 部之層間絕緣膜做蝕刻，能夠容易地形成。藉由此，可以 容易在產生橫電場之區域設置隆起部。 進而在以上說明之第1實施例中，像素開關用 TFT3 0雖然以具有圖3所示之LDD構造爲理想，但 是也可以在低濃度源極區域1 b以及低濃度汲極區域1 c 進行不純物之植入以具有偏置構造，也可以將由掃描線 3 a之一部份形成之閘極電極當成光罩，高濃度植入不純 物，自己對準地形成高濃度源極以及汲極區域之自己對準 型TFT。又，在第1實施例中，雖係使像素開關用 TFT3 0之閘極電極在高濃度源極區域1 d以及高濃度 汲極區域1 e間只配置1個之單閘極構造，但是在彼等之 間配置2個以上之閘極電極也可以。如此以雙閘極或三閘 極以上構成T F T，可以防止通道與源極以及汲極區域之 接合部之漏電流，能減低關閉時之電流。 (第1實施例之製造製程） 接著，參考圖9說明構成具有以上之構成之第1實施 例之電氣光學裝置之T F T陣列基板側之製造製程1又， ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - 30: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1_1 ϋ ϋ^OJt mml a— i_i ϋ ϋ 1 I 署· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 B7 五、發明說明（28) 圖9係使各工程之T F T陣列基板側之各層與圖4以及圖 5同樣地對應圖2之B - B /剖面以及圖2之C 一 C >剖 面所顯示之工程圖。 首先，如圖9之工程（a )所示般地，首先，準備石 英基板、硬玻璃基板、矽基板等之TFT陣列基板10， 在應形成資料線6 a之區域形成溝2 0 1。 接著，如圖9之工程（b )所示般地，利用薄膜形成 技術，在TFT陣列基板1 0上形成掃描線3 a以及電容 線3 b。與此平行，如圖3所示般地，形成T F T 3 0以 及儲存電容7 0。 更具體而言，在形成溝2 0 1之TFT陣列基板1 0 上，例如藉由常壓或減壓CVD法等，使用TEOS(四 乙鄰矽酸鹽）氣體、TEB (四乙硼酯）氣體、 TMOP (四甲基氧化磷酯）氣體等，形成由N S G、 PSG、BSG、BPSG等之矽酸鹽玻璃膜、氮化矽膜 或氧化矽膜等形成，膜厚約5 0 0〜2 0 0 0 n m之底層 絕緣膜1 2。接著，在底層絕緣膜1 2之上藉由減壓 C V D法等形成非晶質矽膜，施以熱處理，使多晶矽膜固 相成長。或不經過非晶質矽膜，藉由減壓C VD法等直接 形成多晶矽膜。接著，藉由對於此多晶矽膜施行光蝕工程 、蝕刻工程等，如圖2所示·般地，形成具有包含第1儲存 電容電極1 f之指定圖案之半導體層1 a。接著，藉由熱 氧化等，與圖3所示之T F T 3 0之閘極絕緣膜一齊地形 成包含儲存電容形成用之電介質膜之絕緣薄膜2。lb結果 ^紙張尺度適用中國國.家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ^31 - — -----------裝！ — I ——訂·！ — ί· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 499590 A7 B7 五、發明說明（29) 爲：半導體層1 a之厚度爲約3 0〜1 5 0 nm之厚度， 最好成爲約3 5〜5 0 nm之厚度，絕緣薄膜2之厚度約 20〜150nm之厚度，最好爲30〜lOOnm之厚 度。接著，藉由減壓CVD法等，將多晶矽膜堆積約 100〜500nm之厚度，進而熱擴散P (磷），使此 多晶矽膜倒電化後，藉由光蝕工程、蝕刻工程等，如圖2 所示般地，形成指定圖案之掃描線3 a以及電容線3 b。 又，掃描線3 a以及電容線3 b也可以由高熔點金屬或金 屬矽氧化物等之金屬合金膜形成，組合多晶矽膜等之多層 配線亦可。接著，藉由在低濃度以及高濃度之2階段摻雜 不純物，形成包含低濃度源極區域1 b以及低濃度汲極區 域1 c、高濃度源極區域1 d以及高濃度汲極區域1 e之 LDD構造之像素開關用TFT3 0。 又，也可以與圖9之工程（b )並行，將構成由 T F T所構成之資料線驅動電路、掃描線驅動電路等之周 邊電路之TFT形成在TFT陣列基板1〇上之周邊部。 接著，如圖9之工程（c )所示般地，覆蓋由掃描線 3 a、電容線3 b、絕緣薄膜2以及底層絕緣膜1 2形成 之積層體地，例如使用常壓或減壓C VD法或T E 0 S氣 體等，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等之矽 酸鹽玻璃膜、氮化矽膜或氡化矽膜等形成之層間絕緣膜4 。層間絕緣膜4例如被設爲1 0 〇 〇〜2 0 0 0 n m程度 之膜厚。又，與此熱熟成並行或相前後，爲了活性化半導 體層la，也可以進行約1000 °C之熱處理。而1：，在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐):32- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · ! ! 11 訂- — ΙΛ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7____ 五、發明說明（3〇 ) 第1層間絕緣膜4以及絕緣薄膜2開設爲了導通接續圖3 所示之資料線6 a與半導體層1 a之高濃度源極區域1 d 用之接觸孔5，又，未了使掃描線3 a或電容線3 b於基 板周邊區域與未圖示出之配線接續用之接觸孔也可以藉由 與接觸孔5相同之工程加以開孔。接著，在第1層間絕緣 膜4上藉由濺鍍工程等，堆積A 1等之低電阻金屬膜或金 屬矽氧化物膜約1 0 0〜5 0 0 nm之厚度後，藉由光蝕 工程以及蝕刻工程等形成資料線6 a。 接著，如圖9之工程（d )所示般地，在資料線6 a 上形成第2層間絕緣膜7。又，如圖3所示般地，藉由反 應性離子蝕刻、反應性離子光束蝕刻等之乾蝕刻或溼蝕刻 形成導通接續像素電極9 a與高濃度汲極區域1 e用之接 觸孔8。接著，在第2層間絕緣膜7上藉由濺鍍工程等， 堆積I TO膜等之透明性導電性薄膜約5 0〜2 0 0 nm 之厚度，進而藉由光蝕工程以及蝕刻工程等，形成像素電 極9 a。又，在將該電氣光學裝置當成反射型使用之情形 ，也可以由A 1等之反射率高之不透明材料形成像素電極 9 a 〇 依據上述般之第1實施例之製造方法，在TFT陣歹(1 基板1 0挖掘溝2 0 1形成資料線6 a，施行對於資料線 6 a之平坦化處理，同時，對於掃描線3 a以及電容線 3 b之一部份不施行平坦化處理之故，可以比較容易地製 造在橫電場不產生之區域中，可以減低由於段差之液晶g 向不良，在橫電場產生之區域中，藉由隆起部3 〇Ί減低 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21(^297 ^釐）~Γ33 -— — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ϋ ϋ 1 -ϋ 一：°J ϋ «ϋ 1 ϋ ϋ · 499590 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Β7 五、發明說明（31 ) 由於橫電場之液晶定向不良之第1實施例之液晶裝置。 (第2實施例） 參考圖1 0至圖1 4說明本發明之第2實施例之電氣 光學裝置之構成。圖1 0係形成資料線、掃描線、像素電 極等之T F T陣列基板之相鄰接之複數的像素群之平面圖 ，圖1 1係圖10之A 剖面圖、圖12係圖10之 B — B 剖面圖，圖1 3係圖1 0之C 一 C '剖面圖。又 ，圖1 4係顯示1 S反轉驅動方式之各電極之電位極性與 橫電場產生區域之像素電極之圖示的平面圖。又，於圖 1 1至圖1 3中，爲了作成在圖面上可以辨識各層或各構 件之程度的大小，各層或各構件縮小比例不同。又，圖 1 0至圖1 4所示之第2實施例中'關於與圖2至圖6所 示之第1實施例相同之構成元件，賦予相同之參考標號， 省略其說明。 第2實施例之電路構成與圖1所示之第1實施例之情 形相同。 如圖1 0所示般地，在第2實施例中，相對於在第1 實施例中溝2 0 1被挖掘於沿著資料線6 a之區域，在沿 著掃描線3 a以及電容線3 b之區域（圖中，以粗線包圍 之區域）挖掘溝202。而·且，在第2實施例中如圖1 1 以及圖1 2所示般地，沿著資料線6 a形成由資料線6 a 以及沿著此之儲存電容7 0之部份（即，電容線3 b之中 由平面來看，由本線部沿著資料線突出之部份以及Μ此對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -34 - ------丨 |_!丨 裝—訂·! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 499590 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（32 ) 向之絕緣薄膜2以及儲存電容電極1f部份）隆起之部份 302，如圖以及圖13所示般地，對於掃描線3a 以及電容線3 b被施行平坦化處理。進而，如圖1 4所示 般地，在第2實施例中藉由1 S反轉驅動方式被驅動。第 2實施例之其它構成以及動作與第1實施例之情形相同。 即在第2實施例中，如圖14 (a)所示般地，在顯 示第η (但是，η爲自然數）號之場或訊框之影像訊號之 期間中，每一像素電極9 a以+或-顯示之液晶驅動電位 之極性不被反轉，像素電極9 a在每行以同一極性下被驅 動。之後如圖14 (b)所示般地，在顯示第n + 1號之 場或1訊框之影像訊號之際，各像素電極9 a之液晶驅動 電位之電位極性被反轉，在顯示此第η + 1號之場或1訊 框之影像訊號之期間中，，每一像素電極9 a以+或-顯 示之液晶驅動電位之極性不被反轉，像素電極9 a在每行 以同一極性下被驅動。而且，圖14(a)以及圖14( b )所示狀態在1場或1訊框之週期被重複，進行依據 1 S反轉驅動方式之驅動。此結果爲：依據本實施例，可 以避免由於直流電壓施加之液晶的劣化，能進行串音或閃 爍被降低之影像顯示。 由圖1 4 ( a )以及圖1 4 ( b )可以明白地，在 1 S反轉驅動方式中，橫電屬產生區域C 2經常成爲在橫 方向（X方向）相鄰接之像素電極9 a間之間隙附近。 此處如圖1 1以及圖1 2所示般地，在第2實施例中 ，形成隆起部3 0 2 ,使被配置在此隆起部3 0 2 Ϊ之像 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐)~ -35- 〜 I I-----^--丨丨裝！—丨_ —訂· — — — — - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 B7 五、發明說明（33) 素電極9 a之邊緣附近之縱電場變強。更具體而言，如圖 1 2所示般地，使被配置在隆起部3 0 2上之像素電極 9 a之邊緣附近與對向電極2 1之距離d 2只窄土堤狀部 份3 0 2之段差（高度）部份。相對於此，如圖1 3所示 般地，對於掃描線3 a以及電容線3 b之本線部被施行平 坦化處理，像素電極9 a之邊緣附近與對向電極2 1之間 的距離d 1與佔據像素電極9 a之大部分之中央區域與對 向電極21之間之距離D幾乎成爲相同。 因此，，於圖1 4所示之橫電場產生區域C 2中，可以 加強像素電極9 a與對向電極2 1之間之縱電場。而且， 於圖1 2中，即使距離d 2窄，相鄰接之像素電極9 a間 之間隙W2 —定之故，由於間隙W2窄可以使加強之橫電 場之大小一定。因此，於圖1 4所示之橫電場產生區域 C 2中，可以局部地使相對於橫電場之縱電場變強。此結 果爲藉由使縱電場更成爲支配性，能防止橫電場產生區域 C 2之由於橫電場之液晶之定向不良。 又，如圖1 3所示般地，對於掃描線3 a以及電容線 3 b之本線部，被施行平坦化處理之故，於此部份可以減 低起因於由於掃描線3 a以及電容線3 b所導致之段差之 液晶的定向不良之產生。此處被施行平坦化處理之故’雖 然不會有由於像素電極9 a與對向電極2 1之間的距離 d 1變短，而使得縱電場被加強，但是，在此部份中’如 圖1 4所示般地，在相鄰接之像素電極9 a間不會產生橫 電場。因此，在此部份不須採取對於橫電場之對策^藉由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐1 - 36 - "" • 丨 ----------— — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 499590 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（34) 平坦化處理可以使液晶之定向狀態變成極爲良好。又，在 第2實施例中，在與掃描線3 a以及電容線3 b對向之液 晶層5 0之部份，幾乎不會產生由於段差所導致之定向不 良之故，隱藏此部份之遮光膜2 3之寬幅可以比第1實施 例之情形還細。 由以上之結果，依據第2實施例，著眼於1 S反轉驅 動方式所產生之橫電場之特性，在橫電場產生區域C 2中 ，於隆起部3 0 2配置像素電極9 a之邊緣，藉由加強縱 電場可以減低由於橫電場之不好影響，同時，在不發生橫 電場之區域，進行平坦化，減低由於像素電極9 a表面之 段差所導致之不好影響。 (第3實施例） ' 參考圖1 5至圖2 2說明本發明之第3實施例之電氣 光學裝置之構成。圖1 5係形成資料線、掃描線、像素電 極等之T F T陣列基板之相鄰接之複數的像素群之平面圖 ，圖1 6係圖1 5之A — A /剖面圖、圖1 7係圖1 5之 B — B >剖面圖，圖1 8係圖1 5之C — C，剖面圖。圖 1 9以及圖2 0係顯示土堤狀部份之各種剖面形狀之剖面 圖。又，圖2 1係顯示使用T N液晶之情形之液晶分子之 定向的樣子之圖示剖面圖〃圖2 2係使用V A液晶之情形 之液晶分子之定向的樣子之圖示剖面圖。又，於圖1 6至 圖1 8以及圖1 9以及圖2 0中，爲了作成在圖面上可以 辨識各層或各構件之程度的大小，各層或各構件縮另、比例 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) € -eamf ammmm —mt if ϋ ϋ 一 tmmr ί I ·_ϋ emmf tmmmr _

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） · 37 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 B7 五、發明說明（35) 不同。關於與第1實施例相同之構成元件’賦予相同之參 考標號，省略其說明。 在第3實施例中，特別是於TFT陣列基板上，在資 料線6 a、掃描線3 a、電容線3 b以及T F 丁 3 0被形 成之像素電極9 a之間隙部份被形成溝，在此溝中埋入資 料線6a、掃描線3a、電容線3b以及TFT30。即 進行T F T陣列基板側之平坦化。而且，在與如此被施行 平坦化處理之T F T陣列基板對向之對向基板側，沿著掃 描線3 a以及電容線3 b之區域（圖中以粗線顯示其輪廓 之區域）設置複數之隆起部3 0 3，形成條狀之隆起部。 接著，如圖1 6之剖面圖所示般地，電氣光學裝置具 備透明之TFT陣列基板10以及與此對向配置之透明的 對向基板2 0。T F T陣列基板1 例如由石英基板、玻 璃基板、矽基板形成，對向基板2 0例如由玻璃基板或石 英基板形成。在TFT陣列基板10設置像素電極9a ， 在其上側被施行摩擦處理等之指定的定向處理之定向膜 1 6。像素電極9 a例如係由I TO (銦錫氧化物）膜等 之透明導電性薄膜形成。又，定向膜1 6例如係由聚醯亞 胺薄膜等之有機薄膜形成。 另一方面，在對向基板2 0涵蓋其之全面地設置對向 電極2 1，在其下側設置被·施行摩擦處理等之指定的定向 處理之定向膜2 2。對向電極2 1例如由I TO膜等之透 明導電性薄膜形成。又，定向膜2 2係由聚酉先亞胺薄膜 等之有機薄膜形成。 : 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐） -38 - I!!! — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 499590 A7 B7 _ 五、發明說明（36 ) 在丁 FT陣列基板1 〇之鄰接各像素電極9 a之位置 設置開關控制各像素電極9 a之像素開關用TFT3 0。 在第3實施例中，如圖1 6所示般地，在對向基板 2 0之對向基板2 0與對向電極2 1之間，於各像素之非 開口區域設置由遮光膜2 3形成之隆起部3 0 3。此處雖 然就由於隆起部3 0 3之減低橫電場之作用以及效果以後 敘述，但是此隆起部3 0 3係由遮光膜2 3形成之故，也 具有所謂之黑罩或黑底之機能。入射光不會由對向基板 2 0側侵入像素開關用TFT3 0之半導體層1 a之通道 區域1 a >或低濃度源極區域1 b以及低濃度汲極區域 1 c。進而由遮光膜2 3形成之隆起部3 0 3在對比之提 升上，具有形成彩色濾色器之情形之色材的混色防止等機 能。又，在第3實施例中，可以藉由以A 1等形成之遮光 性之資料線6 a遮住各像素之非開口區域之中沿著資料線 6 a之部份，規定各像素之開口區域之中沿著資料線6 a 之輪廓部份，於沿著此資料線6 a之非開口區域也可以以 冗長或單獨由被設置在對向基板2 0之遮光膜2 3形成之 隆起部3 0 3進行遮光地構成。 如此構成，在像素電極9 a與對向電極2 1被相面對 配置之TFT陣列基板1 〇與對向基板2 0之間藉由後述 之密封材所包圍之空間被封·入電氣光學物質之一例之液晶 ，形成液晶層5 0。液晶層5 0在沒有被施加由像素電極 9 a來之電場之狀態，藉由定向膜1 6以及2 2成爲指定 之定向狀態。液晶層5 0例如係由一種或混合數種芝向列 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -39- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -ϋ <1· ϋ i_i -I- 1 一-0, ϋ ϋ ϋ Β— 1 >1 I * 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 ^___B7__ 五、發明說明（37 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 液晶之液晶所形成。密封材係將T F T陣列基板1 〇以及 對向基板2 0在彼等之周邊貼合用之例如由光硬化性樹脂 或熱硬化性樹脂形成之黏著劑，被混入使兩基板間之距離 成爲指定値用之玻璃纖維或玻璃珠等之間隔材。 進而，在TFT陣列基板1 0與複數之像素開關用 TFT3 0之間設置底層絕緣膜1 2。底層絕緣膜1 2藉 由被形成在TFT陣列基板1 〇之全面，具有防止TFT 陣列基板1 0之表面之硏磨時之粗糙，或洗淨後殘留污染 等之像素開關用T F T 3 0之特性劣化機能。底層絕緣膜 12例如由NSG (非摻雜矽酸鹽玻璃）、PSG (磷矽 酸鹽玻璃）、BSG(硼矽酸鹽玻璃）、BPSG (硼磷 矽酸鹽玻璃）等高絕緣性玻璃或氧化矽膜、氮化矽膜等形 成。

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第3實施例中，使半導體層1 a由高濃度汲極區域 1 e延伸設置，當成第1儲存電容電極1 f ，將與此對向 之電容線3 b之一部份當成第2儲存電容電極，使包含閘 極絕緣膜之絕緣膜2由與掃描線3 a對向之位置延伸設置 ，當成被夾持在這些電極間之電介質膜，構成儲存電容 7 0° 圖16中，像素開關用TFT30具有LDD ( Lightly Doped Drain :輕度摻雜汲極）構造，具備：掃描線 3 a、藉由由該掃描線3 a來之電場被形成通道之半導體 層1 a之通道區域1 a >、包含絕緣掃描線3 a與半導體 層1 a之閘極絕緣膜之絕緣薄膜2、資料線6 a、罕導體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -40 - 499590 A7 ______ B7 五、發明說明（38) 層1 a之低濃度源極區域1 b以及低濃度汲極區域1 c、 半導體層1 a之高濃度源極區域1 d以及高濃度汲極區域 1 e。複數之像素電極9 3之中之對應之一個透過接觸孔 8被接續於在高濃度汲極區域1 e。又，各形成通過高濃 度源極區域1 d之接觸孔5以及通過高濃度汲極區域1 e 之接觸孔8之第1層間絕緣膜4被形成在掃描線3 a以及 電容線3 b上。進而，形成往高濃度汲極區域1 e之接觸 孔8之第2層間絕緣膜7被形成在資料線6 a以及第1層 間絕緣膜4上。前述之像素電極9 a被設置在如此構成之 第2層間絕緣膜7之上面。 如圖1 6至圖1 8所示般地，於TFT陣列基板1 0 上，在形成各資料線6 a、各掃描線3 a、各電容線3 b 以及各TFT30之區域被設置溝^01，藉由此，被施 行T F T陣列基板1 〇上之平坦化。 如圖1 5至圖1 7所示般地，在位於左右相鄰接之像 素電極9 a之間隙之各像素之非開口區域被設置資料線 6 a ，藉由資料線6 a ，各像素之開口區域之輪廓中沿著 資料線6 a之部份被規定，而且，藉由資料線6 a，該非 開口區域之漏光被防止。又，在資料線6 a之下方利用由 電容線3 b之本線部份沿著資料線6 a之下突出之部份， 形成儲存電容7 0，謀求非開口區域之有效利用。 如圖1 6以及圖1 8所示般地，在圖1 5位於上下相 鄰接之像素電極9 a之間隙之各像素的非開口區域，被設 置掃描線3 a以及電容線3 b之本線部。 r 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ! — I — I 訂.！ ·

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 __ B7 五、發明說明（39) 在第3實施例中，特別是如圖1 5所示般地，在面對 左右相鄰接之像素電極9 a之間隙之對向基板2 0之對向 電極2 1之下地面不被設置隆起部3 0 1，如圖1 7所示 般地，對向電極2 1被平坦形成。相對於此，如圖1 5所 示般地，在面對左右相鄰接之像素電極9 a之間隙之對向 基板2 0之對向電極2 1之下地面如圖1 8所示般地，土 堤狀地隆起。即，形成由遮光膜2 3形成之隆起部3 0 3 ，對向電極2 1被形成爲向像素電極9 a側突出。又，藉 由隆起部3 0 3各像素之開口區域之輪廓中沿著掃描線 3 a之部份被規定，而且藉由由遮光膜2 3形成之隆起部 3 0 1，防止該非開口區域之漏光。 如圖1 6以及圖1 8所示般地，在第3實施例中，在 沿著掃描線3 a之區域形成隆起部^ 〇 3，使被配置在此 隆起部3 0 3上之對向電極2 1之突出部附近之縱電場變 強。更具體而言，如圖1 8所示般地，使被配置在隆起部 3 0 3上之對向電極2 1與像素電極9 a之距離d 1只窄 隆起部3 0 3之段差（高度）部份。相對於此，如圖1 7 所示般地，在與資料線6 a對向之區域不形成隆起部 3 0 3，像素電極9 a之邊緣附近與對向電極2 1之間的 距離d 2與佔據像素電極之大部分之中央區域之像素電極 9 a與對向電極2 1之間之距離D幾乎成爲相同。 因此，於圖6所示之橫電場產生區域C 1中，可以加 強像素電極9 a與對向電極2 1之間之縱電場。而且，於 圖18中，即使距離dl窄，相鄰接之像素電極9 間之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -42 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) mmmmm 1 ϋ _1 一so* · ϋ ϋ ϋ 1 ϋ _ϋ I* 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 B7__ 五、發明說明（40) 間隙W 1 —定之故，由於間隙W 1窄可以使加強之橫電場 之大小一定。因此，於圖6所示之橫電場產生區域c 1中 ，可以局部地使相對於橫電場之縱電場變強。此結果爲藉 由使縱電場更成爲支配性，能防止橫電場產生區域c 1之 由於橫電場之液晶之定向不良。 又，如圖1 7所示般地，在與資料線6 a對向之區域 不形成隆起部3 0 3，對向基板2 1平坦之故，於此部份 可以減低起因於由於隆起部3 0 3之存在之段差之液晶的 定向不良之發生。此處因爲平坦之故，雖然不會藉由像素 電極9 a與對向電極21之間的距離d 2變短而使縱電場 加強，但是此部份如圖6所示般地，在相鄰接之像素電極 9 a間不會發生橫電場。因此，此部份不須採取對於橫電 場之對策，藉由平坦化處理可以使液晶之定向狀態變成極 爲良好。 由以上之結果，依據第3實施例，著眼於1 Η反轉驅 動方式所產生之橫電場之特性，在橫電場產生區域C 1中 ，於隆起部3 0 3使對向電極2 1突出，藉由加強縱電場 可以減低由於橫電場之不好影響，同時，在不發生橫電場 之區域，使對向電極2 1平坦化，減低由於對向電極2 1 表面之段差所導致之不好影響。如此藉由綜合減少由於橫 電場之液晶的定向不良與由’於段差之液晶的定向不良，可 以由使隱藏液晶的定向不良處用之遮光膜2 3形成之隆起 部3 0 3之寬幅變小（但是，爲了隱藏起因於隆起部 3 0 3之段差之液晶定向不良處，期望使具有比隆起ζ部 >紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮1 - 43 - ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 * ϋ ·ϋ 1_ I ϋ an-^OJ· 1 ·ϋ —.1 1 ti mmf I * 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 ___ B7 五、發明說明（41) 3 0 3之寬幅還寬若干之寬幅之遮光膜2 3 —體地或個別 地形成）°困此’不會引起漏光等畫質不良，可以使各像 素之開口率提高’最終可以使對比高而且明亮之高品質之 影像顯示成爲可能。 附帶依據本發明者之硏究，液晶層5 0之層厚爲了維 持耐光性在某種程度，使液晶5 0之注入製程不會困難， 藉由動作中之電場施加，液晶分子可以良好動作，有必要 在某種程度之層厚（例如依據現行之技術，爲3 //m程度 )。另一方面，了解到：如使相鄰接之像素電極9 a間之 間隙W1 (參考圖1 8 )短於此部份之像素電極9 a與對 向電極2 1之間的距離d 1 (即W1 <d 1 )，由於橫電 場之不好影響開始明顯化。因此，爲了謀求微細節距之像 素的高開口率化，單純使液晶層5 0之層厚D (參考圖 1 7以及圖1 8 )全體變薄，會發生液晶之層厚控制之均 勻化變困難、耐光性之降低、注入製程之困難化、液晶分 子之動作不良等。反之爲了謀求微細節距之像素之高開口 率化，不使液晶層5 0變薄，單純使相鄰接之像素電極 9 a間之間隙W 1變窄，與縱電場相比，橫電場變大之故 ，由於該橫電場之不好影響（即液晶的定向不良）明顯化 。考慮此種液晶裝置之特質，如上述實施例般地，藉由只 於橫電場產生區域使液晶層· 5 0之層厚d 1變窄（例如至 1.5/zm程度），同時，於佔據像素電極9 a之大部分 之其它區域，不使液晶層5 0之層厚D變窄，不使橫電場 相對變強。藉由此，相鄰接之像素電極9 a間之間M W 1 1本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公- 44 - " • I ϋ n 1 e§ M—mw I n Mmmmr tmmmr e—mw B 1 · 1_ emmw mte a— __1 s mm§ mmmmm 1 i i__i I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

499590 A7 B7 五、發明說明（42 ) 變窄之故，在謀求微細節距之像素的高開口率以及顯示影 像之高精細化上非常有效。 在第3實施例中，特別於圖1 8中最好使滿足 0 · 5D<W1之關係地平面配置像素電極9 a ，再者， 使d 1 + 3 0 0 nm^D之關係滿足地形成隆起部3 0 3 。即不使像素電極9 a間太接近而且，隆起部3 0 3隆起 至段差爲3 0 Onm以上爲止，由於橫電場之不好影響實 用上不會表面化之程度爲止地使此區域之縱電場對於橫電 場變大。又，爲了謀求微細節距之像素的高開口率以及顯 示影像之高精細化，雖然使間隙W 1或間隙W 2儘可能變 小有效，但是爲了不使橫電場之不好影響明顯化，無法使 此間隙W 1變得太過於小。此處，如設置間隙w 1小至 W1 ~ d 1爲止，不減低畫質地謀求微細節距的像素之高 .開口率化最爲有效。 又’以上說明之隆起部3 0 3雖係利用遮光膜2 3形 成，但是也可以藉由：在積層製程中，在對向基板2 0與 對向電極2 1之間局部追加有機膜或光阻等之土堤形成用 之膜。又，隆起部3 0 3之該長度軸之垂直切斷之剖面形 狀例如可以爲：梯形、三角形、半圓形、半橢圓形、頂上 附近被平坦化之半圓形或半橢圓形、或側邊之傾斜向頂上 逐漸增加之2次曲線或3次曲線狀之略梯形、略三角形等 之各種形狀。因此，實踐上，期望適當採用因應液晶之性 質，由於段差所產生之液晶的定向不良可以小之剖面形狀 。進而，由於形成隆起部303，產生由於段差之液孟定 -45- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 499590 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（43) 向不良之故，期望在隆起部3 0 3與對向基板2 0之間配 置比隆起部3 0 3還寬若干之寬幅的遮光膜2 3，或將其 配置在土堤狀部份303與像素電極之間。 例如如圖19 (a)所示般地，可以由遮光膜23形 成在長度方向垂直切斷之剖面形狀爲三角形之隆起部 3 0 3，也可以如圖1 9 ( b )所示般地，在比隆起部 3 0 3還寬若干之寬幅之遮光膜2 3上由光阻或有機膜形 成之隆起部形成用膜313形成，也可以如圖19 (c) 所示般地，在對向基板2 0上形成由光阻或有機膜形成之 隆起部形成用膜3 1 3，以遮光膜2 3稍微寬廣地覆蓋在 其上，也可以如圖19 (d)所示般地，在對向基板20 上形成由光阻或有機膜形成之隆起部形成用膜3 1 3，在 其上不形成遮光膜（但是，在此情#形，於T F T陣列基板 側形成覆蓋此部份之遮光膜）。 再者，也可以設以垂直於隆起部3 0 3之長度方向之 平面切斷之剖面形狀如圖20 (a)所示般之矩形、也可 以爲如圖20(b)所示般之半圓形、也可以爲如圖20 (c )所示般之梯形、也可以爲如圖2 0 ( d )所示般之 略梯形。如圖20所示之積層構造雖與圖19 (a)相同 地，由設置在對向基板2 0上之遮光膜2 3形成隆起部 303,但是這些也可以如·圖19 (a)〜圖19 (d) 所示之其中一種之積層構造。進而也可以在對向基板2 0 上形成彩色濾色器、保護膜、絕緣膜等之故，實際之積層 構造可以更有各種之變形。 — — — — — — — — — — — --------— — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -46 - 499590 A7 B7 五、發明說明（44) 此處，如圖2 1 ( b )所示般地，在第3實施例中最 好液晶層5 〇係由T N液晶形成，在隆起部3 0 3之側面 賦予推拔。而且，使此種TN液晶之對向基板2 0上之預 傾角0之傾斜方向與推拔之傾斜方向一致即可。 即如圖2 1 ( a )所示般地，T N液晶之液晶分子 5 0 a在沒有電壓施加狀態中，各液晶分子5 0 a基本上 成爲幾乎平行於基板面之狀態，而且由T F T陣列基板 1 0向對向基板2 0逐漸扭轉定向，同時，在電壓施加狀 態中，如箭頭分別顯示般地，各液晶分子5 0 a定向爲由 基板面垂直站立。因此，如圖21(b)所示般地，在隆 起部3 0 3之側面被賦予推拔，而且，TN液晶之預傾角 0之傾斜方向與推拔之傾斜方向如一致，於隆起部3 0 3 與T F T陣列基板1 〇之間，液晶之層厚d 1即使沿著側 面逐漸變小，也可以獲得接近液晶之層厚D —定之情形之 良好的液晶定向狀態。即，可以極力抑制由於減低起因於 橫電場之液晶定向不良之隆起部3 0 3之存在所產生之段 差而導致之液晶定向不良。假如如圖2 1 ( c )所示般地 ，T N液晶之預傾角0之傾斜方向與推拔之傾斜方向如不 一致，在隆起部3 0 3與TFT陣列基板1 0之間，與其 它之液晶分子5 0 a相反方向站立之液晶分子5 0 b在隆 起部3 0 3之附近產生，由#於這樣，產生定向狀態不連續 之液晶定向不良。因此，在此種情形，在對向基板2 0或 丁 F T陣列基板1 〇之至少一方形成遮光膜加以抑制漏光 即可。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -47 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — II 訂.！ Λ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 B7 五、發明說明（45 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 或如圖2 2 ( b )所示般地’在第3實施例中’液晶 層50 >係由VA ( Vertically AHgned )液晶形成’設置 幾乎沒有賦予推拔之隆起部3 0 3 /亦可。 即，如圖2 2 ( a )所示般地，V A液晶在無電壓施 加狀態中，各液晶分子5 0 a '基板上定向爲幾乎垂直於 基板面之故，由平面來看在土堤狀部份3 0 3 /之側面存 在推拔之區域中，液晶定向雖然不得不亂，但是在隆起部 3 0 3 /之側面如幾乎未賦予推拔，可以使在此側面定向 錯亂之液晶部份變得極少。因此，位於隆起部3 0 3 >之 頂上附近之幾乎平坦處之像素電極9 a之部份與位於隆起 部3 0 3 /之下之幾乎平坦處之像素電極9 a之部份之兩 者，如圖22 (b)般地可以獲得接近圖22 (a)之液 晶之層厚D —定之情形之良好的液晶定向狀態。 在以上說明之第3實施例中，藉由於T F T陣列基板 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 0挖溝2 0 1，埋入掃描線3 a等以進行平坦化處理， 也可以藉由CMP (化學機械硏磨）處理等將位於掃描線 3 a之上方之層間絕緣膜7或1 2之上面的段差削平，或 藉由使用有機S 0 G平平形成，進行該平坦化處理❹ 此平坦化處理後，也可以於資料線6 a或掃描線3 a 方向部份地形成隆起部。方法可以藉由對於除掉形成隆起 部之層間絕緣膜做蝕刻，能’夠容易地形成。藉由此，可以 容易在產生橫電場之區域設置隆起部。如此對於橫電場產 生之區域，不用說可以在T F T陣列基板1 〇與對向基板 2 0之兩方之基板形成隆起部。 : 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐)一 實 3 第 之 成 .構 之 上 以 有 具 成 構 >明 程說 製3 造2 製圖 之考 例參 施， 實著 3 接 第 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 B7____ 五、發明說明（46) 進而在以上說明之第3實施例中，像素開關用 TFT3 0雖然以具有圖3所示之LDD構造爲理想，但 是也可以在低濃度源極區域1 b以及低濃度汲極區域1 c 進行不純物之植入以具有偏置構造，也可以將由掃描線 3 a之一部份形成之閘極電極當成光罩，高濃度植入不純 物，自己對準地形成高濃度源極以及汲極區域之自己對準 型TFT。又，在第3實施例中，雖係使像素開關用 TFT3 0之閘極電極在高濃度源極區域1 d以及高濃度 汲極區域1 e間只配置1個之單閘極構造，但是在彼等之 間配置2個以上之閘極電極也可以。如此以雙閘極或三閘 極以上構成T F T，可以防止通道與源極以及汲極區域之 接合部之漏電流，能減低關閉時之電流。 施例之電氣光學裝置之對向基板側之製造製程。又，圖 2 3係使各工程之對向基板側之各層與圖1 8同樣地對應 圖1 5之C — C /剖面所顯示之工程圖。 首先，如圖2 3之工程（a )所示般地，首先準備指 定形狀之玻璃基板、石英基板作爲對向基板2 0。 接著，如圖2 3之工程b )所示般地，形成有機膜 、金屬膜等之遮光膜2 3 /爲3 0 0 nm程度之膜厚。 接著，如圖2 3之工程（c )所示般地，藉由利用光 蝕處理以及蝕刻處理之圖案化，在T F T陣列基板！h發生 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) -49 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

499590 ， - A7 ___ B7 五、發明說明（47) 橫電場之區域，藉由形成帶狀之遮光膜2 3以作爲隆起部 形成用膜，形成隆起部303。 接著，如圖2 3之工程（d )所示般地，在隆起部 3 0 3上由I TO (銦錫氧化物）膜等之透明導電性薄膜 形成對向電極，進而在其上，由聚酉先亞胺薄膜等之有機 薄膜形成定向膜2 2，以指定之摩擦方向進行摩擦。 又，也可以代替工程（b )以及工程（c )，藉由印 刷技術，形成由遮光膜形成之隆起部3 0 3。 如上述般地，依據第3實施例之製造方法，在橫電場 產生區域藉由隆起部3 0 3，可以比較容易地製造減低由 於橫電場之液晶定向不良之液晶裝置。 接著，參考圖2 4以及圖2 5說明被形成在上述第3 實施例之對向基板2 0上之隆起部、0 3與遮光膜之平面 配置之具體例。又，這些具體例分別係在T F T陣列基板 1 0側，藉由資料線6 a等遮蔽在沿著資料線6 a之Y方 向延伸之像素電極9 a之間隙、藉由對向基板2 0側之遮 光膜覆蓋在沿著掃描線3 a之X方向延伸之像素電極9 a 之間隙者。' 如圖24 (a)所示般地，隆起部303a以及遮光 膜2 3 a皆可以橫跨複數之像素電極9 a在X方向延伸爲 條狀地形成。也可以如圖2 ·4 ( b )所示般地，隆起部 3 0 3 a橫跨複數之像素電極9 a在X方向延伸爲條狀地 形成，同時遮光膜2 3 b依每一像素電極9 a被形成爲島 狀。也可以如圖2 5 (a)所示般地’隆起部3 0¾ b依 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -50 - {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · I! ! I 訂· — ! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 B7 五、發明說明（48) 每一像素電極9 a被形成爲島狀之同時，遮光膜2 3 a橫 跨複數之像素電極9 a在X方向延伸爲條狀地形成。或也 可以如圖25 (b)所示般地，隆起部303b以及遮光 膜2 3b皆依每一像素電極9 a被形成爲島狀。在圖24 以及圖2 5所示之任一之情形，藉由隆起部3 0 3 a或 303b，可以使產生橫電場之區域之縱電場變強。同時 ，可以藉由遮光膜2 3 a或2 3 b隱藏由於隆起部 3 0 3 a或3 0 3 b之存在之液晶定向不良。 如此，於橫電場產生區域，藉在對向基板上之遮光膜 以及隆起部之配置工夫，像素節距即使微細化，也可以實 現高開口率之液晶裝置。 (第4實施例） · 參考圖2 6至圖2 9說明本發明之第4實施例之電氣 光學裝置之構成。圖2 6係形成資料線、掃描線、像素電 極等之T F T陣列基板之相鄰接之複數的像素群之平面圖 ，圖27係圖26之A-A#剖面圖、圖28係圖26之 B — B —剖面圖，圖2 9係圖2 6之C 一 C，剖面圖。又 ，於圖2 7至圖2 9中，爲了作成在圖面上可以辨識各層 或各構件之程度的大小，各層或各構件縮小比例不同。由 圖2 6至圖2 9所示之第4·實施例中，關於與由圖1 5至 圖1 8所示之第3實施例相同之構成元件，賦予相同之參 考標號，省略其說明。 如圖1 4至圖1 6所示般地，在第4實施例中$相對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) :51 : 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

· I· n ·1 ___1 ell^eJ· §mm ϋ I i··* ί ϋ -I I

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 B7 五、發明說明（49) 於第3實施例之隆起部3 0 3係沿著掃描線3 a形成，此 例係在沿著對向基板2 0上之資料線6 a之區域（圖1 4 中，以粗線包圍之區域）形成隆起部3 0 4。在此情形， 資料線6 a作爲遮光膜之機能之故，隆起部3 0 4可以由 遮光膜形成，也可以由透明材料膜形成。如圖2 7以及圖 2 9所示般地，在與掃描線3 a以及電容線3 b之本線部 對向處，對向基板2 0被平坦地形成。又，對向基板2 0 上之與掃描線3 a以及電容線3 b之本線部對向處，形成 沿著彼等之遮光膜2 3，藉由此遮光膜2 3規定各像素之 開口區域之中至少沿著掃描線3 a之部份。又，也可以將 此種遮光膜2 3形成在沿著對向基板2 0上之資料線6 a 之區域。而且，在如圖1 4所示之第4實施例中，藉由 1 S反轉驅動方式被驅動。第4實施例之其它構成以及動 作與第3實施例之情形相同。 即在第4實施例中，如圖1 4 ( a )所示般地，在顯 示第η (但是，η爲自然數）號之場或訊框之影像訊號之 期間中，每一像素電極9 a以+或-顯示之液晶驅動電位 之極性不被反轉，像素電極9 a在每列以同一極性下被驅 動。之後如圖14 (b)所示般地，在顯示第n + 1號之 場或1訊框之影像訊號之際，各像素電極9 a之液晶驅動 電位之電位極性被反轉，在·顯示此第n+1號之場或1訊 框之影像訊號之期間中，每一像素電極9 a以+或-顯示 之液晶驅動電位之極性不被反轉，像素電極9 a在每列以 同一極性下被驅動。而且，圖1 4 ( a )以及圖1 1 ( b 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -52 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝！ I訂·！ ί

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 _ B7 五、發明說明（5〇) )所示狀態在1場或1訊框之週期被重複，進行依據第4 實施例之1 S反轉驅動方式之驅動。此結果爲：依據第4 實施例，可以避免由於直流電壓施加之液晶的劣化，能進 行串音或閃爍被降低之影像顯示。 由圖14 (a)以及圖14 (b)可以明白地，在 1 S反轉驅動方式中，橫電場產生區域C 2經常成爲在橫 方向（X方向）相鄰接之像素電極9 a間之間隙附近。 此處如圖2 7以及圖2 8所示般地，在第4實施例中 ，形成隆起部304，使被配置在此隆起部304上之對 向電極2 1突出以使縱電場變強。更具體而言，如圖2 8 所示般地，使被配置在隆起部3 0 4上之對向電極2 1與 像素電極9 a之距離d 2只窄隆起部3 0 4之段差（高度 )部份。相對於此，如圖2 9所示般地，在與掃描線3 a 以及電容線3 b對向處，對向基板2 0平坦之故，對向基 板2 0與像素電極9 a之間的距離d 1與佔據像素電極之 大部分之中央區域之像素電極9 a與對向電極2 1之間之 距離D幾乎成爲相同。 因此，於圖1 4所示之橫電場產生區域C 2中，可以 加強像素電極9 a與對向電極2 1之間之縱電場。而且， 於圖2 8中，即使距離d 2窄，相鄰接之像素電極9 a間 之間隙W2 —定之故，由於澗隙W2窄加強之橫電場之大 小也一定。因此，於圖1 4所示之橫電場產生區域C 2中 ，可以局部地使相對於橫電場之縱電場變強。此結果爲藉 由使縱電場更成爲支配性，能防止橫電場產生區域亡2之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -53 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · I MIB ο··· Μ·» ΙΗΒ · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 B7 五、發明說明（51 ) 由於橫電場之液晶之定向不良。 !·裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，如圖2 9所示般地，對於掃描線3 a以及電容線 3 b之本線部，對向基板2 1平坦之故，於此部份可以減 低起因於由於隆起部3 0 4之存在所導致之段差之液晶的 定向不良之產生。此處平坦之故，雖然不會有由於像素電 極9 a與對向電極2 1之間的距離d 1變短，而使得縱電 場被加強，但是，在此部份中，如圖1 4所示般地，在相 鄰接之像素電極9 a間不會產生橫電場。因此，在此部份 不須採取對於橫電場之對策，藉由平坦化處理可以使液晶 之定向狀態變成極爲良好。又，在第4實施例中，在與掃 描線3 a以及電容線3 b對向之液晶層5 0之部份，幾乎 不會產生由於段差所導致之定向不良之故，隱藏此部份之 遮光膜之寬幅可以比第3實施例之情形還細。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由以上之結果，依據第4實施例，著眼於1 S反轉驅 動方式所產生之橫電場之特性，在橫電場產生區域C 2中 ，於隆起部3 0 4配置像素電極9 a之邊緣，藉由加強縱 電場可以減低由於橫電場之不好影響，同時，在不發生橫 電場之區域，進行平坦化，減低由於像素電極9 a表面之 段差所導致之不好影響。 再者於上述之第3實施例以及第4實施例中，如上述 般地，在對向基板2 0側形’成隆起部303或304之外 ，TFT陣列基板1 0上之像素電極9 a之下地面也可以 在與掃描線3 a以及電容線3 b之本線部對向之區域、或 與資料線6 a對向之區域，土堤狀隆起地構成。即ft如此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 54 - 499590 A7 B7 五、發明說明（52) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 構成，於產生橫電場之區域中，各像素電極9 a與對向電 極2 1之間的距離變短之故，可以獲得與上述相同之效果 。進而對於資料線6a、掃描線3a、電容線3b以及 T F T 3 0，也可以只是部份地施行平坦化處理。例如將 這些配線或T F T部份地埋入被形成在T F T陣列基板 1 0或層間絕緣膜之溝內，在希望之區域形成希望之高度 之隆起部。 (第5實施例） 參考圖3 0說明本發明之第5實施例之電氣光學裝置 之構成。圖3 0係掃描線以及電容線延伸部份之剖面圖。 與第1實施例同樣之構成元件，賦予相同之參考標號，省 略其說明。 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖3 0所示般地，在第5實施例中，相對於第1實 施例中掃描線3 a與電容線3 b同層鄰接地被形成，電容 線3 b在掃描線3 a之區域上透過第1層間絕緣膜被配置 。在電容線3 b透過絕緣薄膜6 1形成被配置第1儲存電 容電極6 2之儲存電容7 0。電容線3 b爲高熔點金屬之 遮光性材料，遮蔽掃描線3b。 而且，在電容線3b上形成隆起部305，使被配置 在此隆起部3 0 5上之像素·電極9 a之邊緣附近之縱電場 變強。 又，電容線3 b也可以透過層間絕緣膜配置於掃描線 3 a之區域下。 : -55- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 499590 A7 B7 五、發明說明（53 ) (第6實施仍I ) 參考圖31說明本發明之第6實施例之電氣光學裝置 之構成。圖3 1係掃描線以及電容線延伸部份之剖面圖。 與第1實施例同樣之構成元件，賦予相同之參考標號，省 略其說明。 如圖3 1所示般地，在第6實施例中，爲了使液晶之 層厚D薄之故，以形成在TFT陣列基板1 0之隆起部 3 0 6以及設置在對向基板2 0之隆起部3 0 7形成。隆 起部3 0 6、3 0 7之構成與第1實施例之隆起部3 0 1 以及第3實施例之隆起部3 0 3相同。而且，以對向之隆 起部306、307使被配置於隆起部306上之像素電 極9 a的邊緣附近之縱電場變強。* 又，在第6實施例中，各隆起部306、307雖係 對向配置，也可以分別在不同區域形成。 又，在上述之本發明之1 Η反轉驅動方式中，可以使 驅動電位之極性每一行反轉，也可以使相鄰接之每2行或 複數行反轉。同樣地在本發明之1 S反轉驅動方式中，可 以使驅動電位之極性每一列反轉，也可以使相鄰接之每2 列或複數列反轉。 (電氣光學裝置之整體構成） 參考圖3 2以及圖3 3說明如上述般構成之各實施例 之電氣光學裝置之整體構成。又，圖3 2係使T F Ύ陣列 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) -56 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) * ϋ n n ϋ n mm— Bi 一：0, I ·ϋ ϋ n ϋ ϋ ϋ ϋ I · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 _ 五、發明說明（54 ) 基板10與被形成在其上之各構成元件一齊地由對向基板 側所見之平面圖，圖3 3係圖3 2之Η — Η >剖面圖。 於圖3 2中，在TFT陣列基板1 〇之上，密封材 5 2沿著其之邊緣設置，與其內側並行，例如設置規定由 與遮光膜2 3相同或不同之材料形成之影像顯示區域之周 邊之邊緣5 3。在密封材5 2之外側區域，藉由以指定時 機供給影像訊號給資料線6 a以驅動資料線6 a之資料線 驅動電路10 1以及外部電路接續端子1 0 2沿著TFT 陣列基板1 0之一邊被設置，藉由以指定時機供給掃描訊 號給掃描線3 a以驅動掃描線3 a之掃描線驅動電路 1 0 4沿著鄰接此一邊之2邊設置。被供給於掃描線3 a 之掃描訊號延遲如不成爲問題，不用說掃描線驅動電路 1 0 4也可以只是單側。又，也可以積資料線驅動電路 1 0 1排列於沿著影像顯示區域之邊之兩側。例如奇數列 之資料線由被沿著影像顯示區域之一方之邊配置之資料線 驅動電路供給影像訊號，偶數列之資料線由被沿著前述影 像顯示區域之反對側之邊配置之資料線驅動電路供給影像 訊號。如此，如櫛齒狀驅動資料線6 a，可以擴張資料線 驅動電路1 0 1之佔有面積之故，可以構成複雜之電路。 進而在T F T陣列基板1 0之剩餘之一邊設置連接被設置 在影像顯示區域之兩側之掃補線驅動電路1 〇 4間之複數 之配線1 0 5。又，於對向基板2 0之角落部之至少1個 地方，設置在TFT陣列基板1 0與對向基板2 0之間電 氣地取得導通之導通材1 0 6。而且，如圖3 3所索般地 •-----------裝--------訂-— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -57- 499590 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7_五、發明說明（55) ，具有與圖3 2所示之密封材5 2幾乎相同輪廓之對向基 板2 0藉由該密封材5 2被固定於TFT陣列基板1 0。 又，在TFT陣列基板1 〇上除了這些資料線驅動電 路101、掃描線驅動電路104等之外，也可以形成： 以指定之時機施加影像訊號於複數之資料線6 a之取樣電 路、以指定之電壓準位之預先充電訊號先於影像訊號供給 給各複數之資料線6 a之預先充電電路、檢查製造中途或 出貨時之該電氣光學裝置之品質、缺陷等用之檢查電路等 〇 在以上說明之各實施例中，代替在T F T陣列基板 1 0上設置資料線驅動電路1 0 1以及掃描線驅動電路 1 0 4，也可以例如透過被設置在TFT陣列基板1 0之 周邊部之非等向性導電薄膜電氣以及機械地接續於被構裝 於 T A B ( Tape Automated Bonding )基板上之驅動用 L S I。又，在對向基板2 0之投射光射入側以及T F T 陣列基板1 0之射出光射出之側各各例如因應T N模式、 VA 模式、PDLC ( Polymer Dispersed Liquid Crystal : 聚合物擴散液晶）模式等之動作模式，以指定之方向配置 偏光膜、相位差膜、偏光板等。 以上說明之各實施例之電氣光學裝置被適用於投影機 之故，3片之電氣光學裝置·被當成RGB用之光閥使用， 透過各各R G B色分解用之分色鏡被分解之各色的光當成 投射光各被射入於各光閥。因此，在各實施例中，於對向 基板2 0不設置彩色濾色器。但是，於與沒有形成發光膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 裝 ϋ ϋ I ϋ ϋ -

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚) -58 - 499590 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 _ 五、發明說明（56) 2 3之像素電極9 a對向之指定區域，也可以與其保護膜 一齊地在對向基板2 0上形成RG B之彩色濾色器。如此 一來，在液晶投影機以外之直視型或反射型之彩色電氣光 學裝置也可以適用各實施例之電氣光學裝置。 再者，於以上之各實施例中，在TFT陣列基板1 〇 上之與像素開關用TFT3 0對向之位置（即，像素開關 用T F T 3 0之下側）也可以例如設置由高熔點金屬形成 之遮光膜。如此在像素開關用T F T 3 0之下側也設置遮 光膜，透過稜鏡等組合由T F T陣列基板1 〇側來之裏面 反射（返回光）或複數之液晶裝置構成一個光學系統之情 形，可以防患由其它之電氣光學裝置穿過稜鏡等到達之投 射光射入該電氣光學裝置之像素開關用T F T 3 0於未然 。又，也可以在對向基板2 0上Γ像素1個對應地形成微 透鏡。或在與TFT陣列基板10之RGB對向之像素電 極9 a之下側以彩色光阻等形成彩色濾色器層。如此一來 ，藉提升入射光之聚光效率，可以實現明亮之電氣光學裝 置。也可以進而又於對向基板2 0上堆積多層之折射率不 同之干涉層，利用光之干涉，形成製作出R G B色之分色 鏡濾色器。依據此含分色鏡濾色器之對向基板，可以實現 更明亮之彩色電氣光學裝置。 (電子機器之構成） 使用上述之實施例之電氣光學裝置所構成之電子機器 係由包含：圖3 4所示之顯示資訊輸出源1 0 0 0 \顯示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -59 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝 訂--------- #· 499590 A7 ___ B7 五、發明說明（57) 資訊處理電路10 02、顯示驅動電路1 004、液晶裝 置等之電氣光學裝置1 0 0、時脈產生電路1 0 0 8以及 電源電路1 0 1 〇所構成。顯示資訊輸出源1 0 0 0之構 成係包含：ROM、RAM等之記憶體、與電視訊號同步 輸出之同步電路等，依據由時脈產生電路1 0 0 8來之時 脈，輸出視頻訊號等之顯示資訊。顯示資訊處理電路 1 0 0 2依據由時脈產生電路1 0 0 8來之時脈，處理顯 示資訊輸出。此顯示資訊處理電路1 0 0 2例如可以包含 :放大·極性反轉電路、串列-並列轉換電路、旋轉電路 、7補正電路或箝位電路等。顯示驅動電路1 0 0 4由包 含：掃描線驅動電路以及資料線驅動電路所構成，顯示驅 動液晶裝置1 0 0。電源電路1 0 1 0對上述個電路供給 電力。 . 此種構成之電子機器可以舉出：圖3 5所示之投射型 顯示裝置、圖3 6所示之對應多媒體之個人電腦（P C ) 以及工程工作站（E W S )等。 圖3 5係顯示投射型顯示裝置之重要部位之槪略構成 圖。圖中，1102係光源、1108係分色鏡、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 --------；—丨0裝 --------訂 i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 1 0 6係反射鏡、1 1 2 2係入射透鏡、1 1 2 3係中 繼透鏡、1124係射出透鏡、100R，100G， 1 0 0 B係光閥，1 1 1 2·係分色稜鏡、1 1 1 4係投射 透鏡。光源1 1 0 2係由金屬鹵素燈等之燈與反射燈之光 的反射器構成。藍色光·綠色光反射之分色鏡1 1 0 8使 由光源1 1 0 2來之光束中之紅色光透過之同時，发射藍 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^60- "" 499590 A7 _____B7____ 五、發明說明（58) 色光與綠色光。透過之紅色光在反射鏡1 1 0 6被反射， 被射入紅色光用光閥1 0 0 R。另一方面，在分色鏡 1 1 0 8被反射之色光中之綠色光藉由綠色光反射之分色 鏡1 10 8被反射，被射入綠色光用光閥1 0 0 G。另一 方面，藍色光也透過第2分色鏡1 1 0 8。對於藍色光， 爲了防止由於長光路導致之光損失，設置由包含入射透鏡 1 1 22、中繼透鏡1 123、射出透鏡1 1 24之中繼 透鏡系統所形成之導光手段1121 ，透過此，藍色光被 射入藍色光用光閥1 0 0 B。藉由各光調製裝置被調製之 3色光射入分色稜鏡1 1 1 2。此棱鏡被貼合4個之直角 稜鏡，在其內面十字狀地形成反射紅光之電介質多層膜以 及反射藍光之電介質多層膜。藉由這些電介質多層膜，3 色光被合成，形成顯示彩色影像之光。被合成之光藉由投 射光學系統之投射透鏡1 1 1 4被投射於螢幕1 1 2 0上 ，影像被放大顯示。 圖3 6所示之個人電腦1 2 0 0係具備：具有鍵盤 1 2 0 2之本體部1 2 0 4以及電氣光學裝置之液晶顯示 畫面1 2 0 6。 本發明並不受限於上述之各實施例，在不違反由申請 專利範圍以及詳細說明書全體所解讀之發明的要旨或思想 之範圍內，可以適當地變更·，伴隨該變更之電氣光學裝置 之製造方法或電氣光學裝置也被包含於本發明之技術範圍 內0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 方 · I _1 1 mmee ί I ϋ-^rej· 1 tmme ϋ ϋ 1 an 1 I ^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -61 - 499590 A7 B7 五、發明說明（59) 【圖面之簡單說明】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1係被設置在構成第1實施例之電氣光學裝置之影 像顯示區域之矩陣狀的複數像素之各種元件、配線等之等 效電路。 圖2係第1實施例之電氣光學裝置之資料線、掃描線 、像素電極等被形成之T F T陣列基板之相鄰接的複數像 素群之平面圖。 圖3係圖2之A—A>剖面圖。 圖4係圖2之B — B >剖面圖。 圖5係圖2之C 一 C >剖面圖。 圖6係顯示在第1實施例以及第3實施例所使用之1 Η反轉驅動方式之各電極之電位極性與產生橫電場之區域 之像素電極之圖示平面圖。 ~ 圖7係顯示在第1實施例使用Τ Ν液晶之情形的液晶 分子之定向的樣子之圖示剖面圖。 圖8係顯示在第1實施例使甩V Α液晶之情形的液晶 分子之定向的樣子之圖示剖面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖9係依序顯示第1實施例之電氣光學裝置之製造製 程之工程圖。 圖10係本發明之第2實施例之電氣光學裝置之資料 線、掃描線、像素電極等被·形成之T F T陣列基板之相鄰 接的複數像素群之平面圖。 圖1 1係圖1 0之A — A /剖面圖。 圖1 2'係圖1 0之B — B >剖面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -62- 499590 A7 B7 五、發明說明（6〇) 圖1 3係圖1 0之C — C /剖面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖14係顯示在第2實施例以及第4實施例所使用之 1S反轉驅動方式之各電極之電位極性與產生橫電場之區 域之像素電極之圖示平面圖。 圖15係本發明之第3實施例之電氣光學裝置之資料 線、掃描線、像素電極等被形成之T F Τ陣列基板之相鄰 接的複數像素群之平面圖。 圖16係圖15之A — A /剖面圖。 圖1 7係圖1 5之B — B 剖面圖。 圖1 8係圖1 5之C 一 C /剖面圖。 圖19係顯示第3實施例之隆起部之各種的剖面形狀 之剖面圖。 圖2 0係顯示第3實施例之隆起部之各種的剖面形狀 之剖面圖。 圖2 1係顯示在第3實施例使用Τ N液晶之情形的液 晶分子之定向的樣子之圖示剖面圖。 圖2 2顯示在第3實施例使用V A液晶之情形的液晶 分子之定向的樣子之圖示剖面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2 3依序顯示第3實施例之電氣光學裝置之製造製 程之工程圖。 圖2 4係顯示被形成在‘第3實施例之對向基板上之隆 起部與遮光膜之平面佈置之各種具體例之一個平面圖。 圖2 5顯示被形成在第3實施例之對向基板上之隆起 部與遮光膜之平面佈置之各種具體例之其它平面圖。= -63 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 499590 A7 __ B7 五、發明說明（6*l ) 圖2 6係本發明之第4實施例之電氣光學裝置之資料 線、掃描線、像素電極等被形成之T F T陣列基板之相鄰 接的複數像素群之平面圖。 圖27係圖26之A — A >剖面圖。 圖2 8係圖2 6之B — B >剖面圖。 圖29係圖26之C一剖面圖。 圖3 0係第5實施例之掃描線以及電容線延伸存在之 部位之剖面圖。 圖3 1係第6實施例之掃描線以及電容線延伸存在之 部位之剖面圖。 圖3 2係使各實施例之電氣光學裝置之T F T陣列基 板與被形成在其上之各構成元件一齊地由對向基板側所見 之平面圖。 圖3 3係圖3 2之Η — Η /剖面圖。 圖34係電子機器之實施例。 圖3 5係使用本實施例之應用例之投射型顯示裝置之 實施例。 圖3 6係使用本實施例之應用例之個人電腦之實施例 【標號之說明】 · la ••半導體層，la > :通道區域，lb :低濃度 源極區域，1 c :低濃度汲極區域，1 d :高濃度源極區 域，le :高濃度汲極區域，If :第1儲存電容焉極， 未紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱1 -64- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

· ! ί I 訂-! I

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 499590 A7 B7______ 五、發明說明（62 ) 2 :絕緣薄膜，3a :掃描線，3b :電容線，4 :第1 層間絕緣膜，5 ··接觸孔，6 a :資料線，7 :第2層間 絕緣膜，8 :接觸孔，9a :像素電極，10 : TFT陣 列基板，12 :底層絕緣膜，16 :定向膜，20 :對向 基板，21 ··對向電極，2 2 ··定向膜，23 :遮光膜， 3 0 : T F T，5 0 :液晶層，5 ◦ a ··液晶分子，7 0 ••儲存電容，201，202 :溝，30 1、302、 303、304、305、306、307:隆起部 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 一裝 Ίδι·111111!_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -65 -

Claims (1)

1. 9Γ 5 9 9 ) 公 -Jd. A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 著專利範圍 1 · 一種電氣光學裝置，其特徵爲： 由：具弯複數之像素電極之第1基板； 及具有被與前述像素電極對向配置之對向 基板； 及被以前述第1基板與前述第2基板夾持 物質形成， 前述電氣光學物質係使以互相不同之極性 接的前述像素電極間之前述電氣光學物質之層 相同之極性被驅動之鄰接的前述像素電極間之 學物質之層厚薄。 2 ·如申請專利範圍第1項記載之電氣光 中前述像素電極係依每行或每列被反轉驅動。 3 ·如申請專利範圍第2項記~載之電氣光 中對於前述被反轉驅動之行或列，使交叉之像 電氣光學物質之層厚比前述被反轉驅動之行或 之前述電氣光學物質之層厚薄。 4 ·如申請專利範圍第1項記載之電氣光 中在前述第1基板具有：對應以互相不同極性 接的像素電極間之部位，被形成在前述像素電 部。 5 ·如申請專利範圍第·4項記載之電氣光 中前述隆起部係在平坦之前述第1基板上積層 線層而形成。 6 .如申請專利範圍第4項記載之電氣光 電極之第2 之電氣光學 被驅動之鄰 厚比以互相 前述電氣光 學裝置，其 學裝置，其 素間之前述 列之像素間 學裝置，其 被驅動之鄰 極下之隆起 學裝置，其 絕緣層與配 學裝蘆，其 請 先 閲 讀 背 面 之 注 I

   訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -66 - 499590 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 _ D8六、申請專利範圍 中前述鄰接之各像素電極之邊緣部係位於前述隆起部上。 7 ·如申請專利範圍第6項記載之電氣光學裝置，其 中前述鄰接之各各像素電極之邊緣部之寬幅與前述第2基 板之對向電極與前述像素電極之邊緣部爲止之距離幾乎相 等。 8 ·如申請專利範圍第6項記載之電氣光學裝置，其 中前述鄰接之各各像素電極之邊緣部之寬幅比單元間隔之 一半的厚度還長。 9 ·如申請專利範圍第6項記載之電氣光學裝置，其 中前述隆起部至少具有3 0 0 nm之厚度。 1〇·如申請專利範圍第4項記載之電氣光學裝置， 其中前述電氣光學物質係由Twisted Nematic液晶形成，前述 隆起部在側面具有傾斜面， ' 前述Twisted Nematic液晶之預傾角之傾斜方向與前述隆 起部之傾斜面之傾斜方向一致。 11·如申請專利範圍第4項記載之電氣光學裝置， 其中前述電氣光學物質由Vertically Aligned液晶形成， 前述隆起部具有對於前述第1基板之平面爲略垂直之 側面。 1 2 ·如申請專利範圍第1項記載之電氣光學裝置， 其中前述第2基板具有：對應以互相不同極性被驅動之鄰 接的像素電極間之部位，被形成在前述對向電極下之隆起 部。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項記載之電氣光學裝置 請 先 閲 背 之 注， 意 事 項 再- 本· 頁 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -67- 499590 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ’其中前述隆起部形成遮光膜。 14·如申請專利範圍第12項記載之電氣光學裝置 ’其中前述鄰接之各各像素電極之邊緣部係位於前述隆起 部下。 15·如申請專利範圍第14項記載之電氣光學裝置 ’其中前述鄰接之各各像素電極之邊緣部之寬幅與前述第 2基板之對向電極與前述像素電極之邊緣部爲止之距離幾 乎相等。 1 6 ·如申請專利範圍第1 4項記載之電氣光學裝置 ，其中前述鄰接之各各像素電極之邊緣部之寬幅比單元間 隔之一半的厚度還長。 17.如申請專利範圍第14項記載之電氣光學裝置 ’其中前述隆起部至少具有3 0 0 nm之厚度。 18·如申請專利範圍第1項記載之電氣光學裝置， 其中在前述第2基板具有：對應以互相相同極性被驅動之 鄰接的像素電極間之部位，被形成在前述電氣光學物質側 表面之平坦部。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項記載之電氣光學裝置 ，其中前述平坦部係在前述第1基板之表面形成溝，對應 前述溝之區域設置配線而形成。 20.—種電氣光學裝置，其特徵係由： 具有複數之像素電極之第1基板； 及具有被與前述像素電極對向配置之對向電極之第2 基板； : 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -68- 9( 5 9 9 ) A8 Βδ C8 D8 六、申請專利範圍 及被以前述第1基板與前述第2基板夾持之電氣光學 物質； 及對應以互相不同之極性被驅動鄰接之前述像素電極 間，被形成在前述第1基板之前述像素電極下之隆起部所 形成。 2 1 · —種電氣光學裝置，其特徵係由： 具有複數之像素電極之第1基板； 及具有被與前述像素電極對向配置之對向電極之第2 基板； 及被以前述第1基板與前述第2基板夾持之電氣光學 物質； 及對應以互相不同之極性被驅動鄰接之前述像素電極 間，被形成在前述第2基板之前述七向電極下之隆起部所 形成。 22 · —種電氣光學裝置，其特徵係由： 具有複數之像素電極之第1基板； 及具有被與前述像素電極對向配置之對向電極之第2 基板； （ 及被以前述第1基板與前述第2基板夾持之電氣光學 物質； 及對應以互相相同之極性被驅動鄰接之前述像素電極 間，被形成在前述第1基板之前述電氣光學物質側表面之 平坦部所形成。 23 . —種電氣光學裝置，其特徵爲具備： : 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（ 210X297公釐） 請 先 閲 背 面 之 注 意 事 項 再 % 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -69- 499590 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 具有：複數條之資料線；及與前述資料線交叉之複數 條的掃描線；及被形成在以前述資料線與前述掃描線所包 圍之區域，被配置爲矩陣狀之複數的像素電極； 及具有被接續於前述資料線與前述掃描線，將影像訊 號輸出於前述像素電極之開關元件之元件基板； 及具備被與前述像素電極對向配置之對向電極之對向 基板； 及被設置在前述元件基板與前述對向基板之間之電氣 光學物質； 及被形成在沿著前述元件基板之前述資料線之區域之 電氣光學物質側表面之平坦部； 及被形成在沿著前述元件基板之前述掃描線之區域之 電氣光學物質側表面之隆起部。 ~ 2 4 ·如申請專利範圍第2 3項記載之電氣光學裝置 ，其中前述被配置爲矩陣狀之複數的像素電極係沿著前述 掃描線之方向的像素電極之每一行被反轉驅動者。 2 5 ·如申請專利範圍第2 3項記載之電氣光學裝置 ，其中前述隆起部被形成在沿著前述掃描線之電容線之區 域。 2 6 ·如申請專利範圍第2 5項記載之電氣光學裝置 ，其中前述電容線係被形成在與前述掃描線同一層。 2 7 ·如申請專利範圍第2 5項記載之電氣光學裝置 ’其中前述電容線係透過絕緣膜被形成在前述掃描線之區 域上。 … :… (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -70- 499590 A8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 2 8 ·如申請專利範圍第2 3項記載之電氣光學裝置 ，其中前述隆起部之頂上附近平坦地形成。 • 29·如申請專利範圍第23項記載之電氣光學裝置 ，其中前述平坦部在沿著前述元件基板之前述資料線之區 域形成溝地構成。 3 0 · —種電氣光學裝置，其特徵爲具備： 具有：複數條之資料線；及與前述資料線交叉之複數 條的掃描線；及被形成在以前述資料線與前述掃描線所包 圍之區域，被配置爲矩陣狀之複數的像素電極；及具有被 接續於前述資料線與前述掃描線，將影像訊號輸出於前述 像素電極之開關元件之元件基板； 及具備被與前述像素電極對向配置之對向電極之對向 基板； ‘ 及被設置在前述元件基板與前述對向基板之間之電氣 光學物質； 及被形成在沿著前述元件基板之前述資料線之區域之 電氣光學物質側表面之隆起部； 及被形成在沿著前述元件基板之前述掃描線之區域之 電氣光學物質側表面之平坦部。 3 1 ·如申請專利範圍第3 0項記載之電氣光學裝置 ，其中前述被配置爲矩陣狀·之複數的像素電極係於沿著前 述掃描線之方向的像素電極之每一行被反轉驅動。 3 2 ·如申請專利範圍第3 0項記載之電氣光學裝置 ，其中更具備沿著前述掃描線之電容線， r 請 先 閲 讀 背 之 注. I _ I 頁 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 71 499590 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 前述平坦部被形成在前述電容線之區域。 3 3 ·如申請專利範圍第3 2項記載之電氣光學裝置 ，其中前述電容線被形成在與前述掃描線同一層。 3 4 ·如申請專利範圍第3 2項記載之電氣光學裝置 ，其中前述電容線係透過絕緣膜被形成在前述掃描線之區 域上。 3 5 ·如申請專利範圍第3 〇項記載之電氣光學裝置 ，其中前述隆起部之頂上附近平坦地形成。 3 6 ·如申請專利範圍第3 2項記載之電氣光學裝置 ，其中前述平坦部在沿著前述元件基板之前述掃描線以及 前述電谷線之區域之至少一部份形成溝地構成。 3 7 · —種電氣光學裝置，其特徵爲具備： 具有：複數條之資料線；及與 '前述資料線交叉之複數 條的掃描線；及被形成在以前述資料線與前述掃描線所包 圍之區域，被配置爲矩陣狀之複數的像素電極；及具有被 接續於前述資料線與前述掃描線，將影像訊號輸出於前述 像素電極之開關元件之元件基板； 及具備被與前述像素電極對向配置之對向電極之對向 基板； 及被設置在前述元件基板與前述對向基板之間之電氣 光學物質； · 及被形成在對應沿著前述元件基板之前述資料線之區 域之前述對向基板之電氣光學物質側表面之平坦部； 及被形成在對應沿著前述元件基板之前述掃描綠之區 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T -72- 499590 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 域之前述對向基板之電氣光學物質側表面之隆° 3 8 ·如申請專利範圍第3 7項記載之電氣光學裝置 ，其中前述被配置爲矩陣狀之複數的像素電極係沿著前述 掃描線之方向的像素電極之每一行被反轉驅動° 3 9 ·如申請專利範圍第3 7項記載之電氣光學裝置 ，其中更具備沿著前述掃描線之電容線， 前述隆起部被形成在前述電容線之區域。 4 0 ·如申請專利範圍第3 9項記載之電氣光學裝置 ，其中前述電容線被形成在與前述掃描線同一層。 4 1 .如申請專利範圍第3 9項記載之電氣光學裝置 ，其中前述電容線係透過絕緣膜被形成在前述掃描線之區 域上。 4 2 .如申請專利範圍第3 7項記載之電氣光學裝置 ，其中前述元件基板係在前述元件基板之表面形成對應前 述資料線延伸之區域之溝，使前述元件基板之電氣光學物 質側表面平坦。 4 3 ·如申請專利範圍第3 7項記載之電氣光學裝置 ，其中前述元件基板係在前述元件基板之表面形成對應前 述掃描線延伸之區域之溝，使前述元件基板之電氣光學物 質側表面平坦。 44·一種電氣光學裝置，其特徵爲具備： 具有：複數條之資料線；及與前述資料線交叉之複數 條的掃描線；及被形成在以前述資料線與前述掃描線所包 圍之區域，被配置爲矩陣狀之複數的像素電極；及真有被 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 先 閲 讀 背 面 之 注* 意 事 項 再、 I*f 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -73- 9C 5 9 9 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 接續於前述資料線與前述掃描線，將影像訊號輸出於前述 像素電極之開關元件之元件基板； 及具備被與前述像素電極對向配置之對向電極之對向 基板； 及被設置在前述元件基板與前述對向基板之間之電氣 光學物質； 及被形成在對應沿著前述元件基板之前述資料線之區 域之前述對向基板之電氣光學物質側表面之隆起部； 及被形成在對應沿著前述元件基板之前述掃描線之區 域之前述對向基板之電氣光學物質側表面之平坦部。 4 5 .如申請專利範圍第4 4項記載之電氣光學裝置 ，前述被配置爲矩陣狀之複數的像素電極係沿著前述掃描 線之方向的像素電極之每一行被反_驅動者。 4 6 ·如申請專利範圍第4 4項記載之電氣光學裝置 ，其中更具備沿著前述掃描線之電容線， 前述隆起部被形成在前述電容線之區域。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 7 ·如申請專利範圍第4 6項記載之電氣光學裝置 ，其中前述電容線被形成在與前述掃描線同一層。 4 8 ·如申請專利範圍第4 6項記載之電氣光學裝置 ，其中前述電容線係透過絕緣膜被形成在前述掃描線之區 域上。 · 4 9 ·如申請專利範圍第4 4項記載之電氣光學裝置 ，其中前述元件基板係在前述元件基板之表面形成對應前 述資料線延伸之區域之溝，使前述元件基板之電氣晃學物 本I氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — -74 - 499590 A8 B8 C8 _____D8 六、申請專利範圍 質側表面平坦。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 0 ·如申請專利範圍第4 4項記載之電氣光學裝置 ’其中前述元件基板係在前述元件基板之表面形成對應前 述掃描線延伸之區域之溝，使前述元件基板之電氣光學物 質側表面平坦。 5 1 · —種投影機，其特徵爲具備：由申請專利範圍 第1項至第5 0項所記載之任一個電氣光學裝置形成之光 閥；及投射光學系。 52·—種電氣光學裝置，其特徵爲具備： 具有：複數條之資料線；及與前述資料線交叉之複數 條的掃描線；及被形成在以前述資料線與前述掃描線所包 圍之區域，被配置爲矩陣狀之複數的像素電極；及具有被 接續於前述資料線與前述掃描線，將影像訊號輸出於前述 像素電極之開關元件之元件基板； 及具備被與前述像素電極對向配置之對向電極之對向 基板； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 及被設置在前述元件基板與前述對向基板之間之電氣 光學物質；S 及在前述元件基板之電氣光學物質側表面與前述對向 基板之電氣光學物質側表面至少部份被形成之隆起部。 5 3 ·如申請專利範圍第5 2項記載之電氣光學裝置 ，其中前述隆起部係被形成在前述元件基板上之橫電場產 生區域。 5 4 ·如申請專利範圍第5 2項記載之電氣光拿裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐） -75- 499590 A8 BB C8 D8 申請專利範圍 ，其中前述隆起部係被形成在對應以互相不同極性被驅動 之鄰接的前述像素電極間之區域。 5 5 ·如申請專利範圍第5 2項記載之電氣光學裝置 ，其中前述元件基板側之隆起部與前述對向基板側之隆起 部係對向被形成。 5 6 .如申請專利範圍第5 2項記載之電氣光學裝置 ，其中前述元件基板側之隆起部與前述對向基板側之隆起 部係被形成在不同之部位。 請 先 閲 讀 背 面 之 I 養 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -76-