JPH09211461A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 残像による表示不良を解決し、低反射、高開
口率、高コントラストな液晶表示装置を提供することを
目的とする。 【解決手段】 アレイ基板１０１と対向基板１０８との
間に液晶を狭持しており、ＴＦＴ素子１０２上、ゲート
線１０３上、ソース線１０４上、画素電極１０６上の一
部に遮光層１０５が形成され、遮光層１０５と画素電極
１０６との段差部には、画素電極１０６主面上とは異な
った液晶の配向領域が設けられ、それによって、ディス
クリネーションの発生を抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶の電気光学特性
を利用した液晶表示装置とその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶の電気光学特性を利用した液晶表示
装置は、大画面化、大容量化によりＯＡ機器への応用が
盛んに進められている。現在一般に実用化されている液
晶表示装置の動作モードとして、２枚のガラス基板間で
液晶分子が９０゜ねじれた配向状態を呈するツイステッ
ドネマティック（ＴＮ）型、１８０゜〜２７０゜の捻れ
た配向状態を呈するスーパーツイステッドネマティック
（ＳＴＮ）型がある。ＴＮ型は主としてアクティブマト
リックス型液晶表示装置に、ＳＴＮ型は単純マトリック
ス型液晶表示装置に用いられている。

【０００３】特に近年、アクティブマトリックス型液晶
表示装置の使用用途が飛躍的に拡大し、それに伴い広視
野角化、高輝度化、低反射化、高精細化、フルカラー化
に対する要望が増大している。このような要望に対し
て、高輝度化、低反射化を実現する技術としてブラック
マトリックス オン ＴＦＴアレイ技術（例えば、エッ
チ・ヤマナカ、ティー・フクナガ、ティー・コセキ、ケ
イ・ナガヤマ、ティ・ウエキ：エスアイディー ’９２
ダイジェスト、７８９頁−７９２頁、１９９２年；H.
Yamanaka, T.Fukunaga, T. Koseki, K. Nagayama, T.
Ueki:SID '92 Digest,pp789-792,(1992)や野崎、朝倉、
日経ＢＰ社刊「フラットパネル・ディスプレイ１９９４
年」、ＰＰ５０−６３、１９９３年１２月）が実用化さ
れている。ブラックマトリックス オン ＴＦＴアレイ
技術（以下ＢＭ オン アレイと呼ぶ）は、アレイ基板
上のアクティブ素子上やソース線上やゲート線上に直接
黒色樹脂からなる遮光層を形成するものである。従来の
カラーフィルター基板（以下ＣＦ基板と呼ぶ）上にブラ
ックマトリックス（以下ＢＭと呼ぶ）層を形成する技術
と比較すると、ＢＭ オン アレイ技術ではＢＭが直接
アレイ基板上に形成されているため、パネル組立時のア
レイ基板とＣＦ基板との貼合わせマージンが不要とな
り、ＢＭの幅を狭くすることが可能となる。このＢＭ幅
の細線化により画素電極部の開口率を向上させることが
でき、従来技術に比べて高輝度化を図ることが可能にな
る。更に、ＢＭ オン アレイ技術では、顔料分散型の
黒色レジストをＢＭ層の材料にしているため反射率が低
く、金属材料を用いた従来のＢＭに比べると、大幅に表
面反射を抑えることができ、表示品位を高めることがで
きる

【０００４】。

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＢＭ
オン アレイ技術では、アクティブ素子やソース線やゲ
ート線上にＢＭ層を形成するために、画素電極部との間
に数μｍの段差が発生する。この段差近傍での液晶の異
常配向の発生が、ＢＭ オン アレイ技術では問題にな
る。一般に工業的には液晶の配向処理は、ラビング法に
より行われる。ラビング法は基板上に形成されたポリイ
ミド等からなる配向膜をレーヨン布等の合成繊維で１方
向に擦る方法である。ラビングでの合成繊維と配向膜と
の接触により配向膜を構成するポリマーの主鎖が一方向
に延伸され、ポリマーと液晶との相互作用により液晶が
ポリマーの延伸方向に束縛され、液晶がラビング方向に
基板面に対してプレチルト角をもって配向する。ＢＭ等
の段差を有する基板に対してラビングを行った場合、段
差の前後でプレチルト角の向きが逆になる。すなわち段
差に対して擦り上げる場合では、段差斜面の影響からよ
りプレチルト角が上がる。これに対して段差に対して擦
り下げる場合では、段差斜面が逆向きになるためプレチ
ルト角は擦り上げの場合とは逆方向になり、かつ、繊維
が配向膜と接触しない領域（未ラビング領域）となる。

【０００５】図６を用いて、段差前後での液晶の配向状
態を説明する。段差６０１に対して矢印６０２の方向に
ラビングを行う。擦り上げ部６０４では、繊維により配
向膜６０３がラビングされ、液晶６０５はプレチルト角
をもって配向する。擦り下げ部６０７では、ラビングさ
れにくいために段差斜面に沿って配向する。このため基
板面６０６に対して、擦り上げ部６０４と擦り下げ部６
０７ではプレチルト角が逆方向になっている。このため
段差に対して擦り下げ領域では、プレチルト角がラビン
グの方向と全く逆になる逆チルト領域が発生する。

【０００６】逆チルト領域が存在すると、画像表示時に
正規の方向とは逆方向に液晶が立ち上がるために、ラビ
ング方向にプレチルト角を有する領域（正規チルト領
域）ととの間に欠陥線（ディスクリネーションライン）
が発生する。特に配線電極付近では画素電極と配線電極
間で横方向電界が発生し、段差近傍部の液晶が横電界の
影響を受けるために、より一層ディスクリネーションラ
インが発生しやすくなる。ディスクリネーションライン
が発生すると、残像、光漏れによるコントラスト低下等
の問題が発生し、著しく表示品位が劣化することにな
る。

【０００７】本発明は、上記従来の配向技術の課題を解
決し、ＢＭ オン アレイ技術での遮光層の段差による
異常配向の低減とディスクリネーションラインの発生を
抑制することのできる液晶表示装置およびその製造方法
を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置に
おいては、画素電極主面上での液晶の配向状態と遮光層
と画素電極との段差近傍部での液晶の配向状態を異なら
したものである。この本発明によれば、段差近傍部での
逆チルトドメインの発生を防いで、ディスクリネーショ
ンラインを抑制して、品位の高い液晶表示装置が得られ
る。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載した発明
は、画素電極、ソース線とゲート線からなる配線電極お
よびスイッチング素子がマトリックス状に配置されたア
レイ基板と対向電極を有する対向基板との間に液晶を挟
持してなる液晶表示装置であって、少なくともスイッチ
ング素子上と配線電極上と画素電極上の一部に遮光層が
形成され、前記画素電極主面上と前記対向電極主面上間
では液晶がツイステッドネマティック配向し、前記画素
電極と前記遮光層の段差部には、前記画素電極主面上と
は異なる液晶配向領域を設けたものであり、ラビングの
擦り下げに相当する遮光層段差部での逆チルトドメイン
の発生を防ぎ、ディスクリネーションを抑制する作用を
有する。

【００１０】本発明の請求項２に記載した発明は、前記
アレイ基板上での前記画素電極主面上と前記段差近傍部
では液晶の配向方向を異ならしたものであり、アレイ基
板と対向基板間で、画素電極主面上と段差部で異なる液
晶配向領域を形成する作用を有する。

【００１１】本発明の請求項３に記載した発明は、前記
アレイ基板上での前記画素電極主面上と前記段差近傍部
では液晶のプレチルト角を異ならしたものであり、アレ
イ基板と対向電極間で、画素電極主面上と段差部で異な
る液晶配向領域を形成する作用を有する。

【００１２】本発明の請求項４に記載の発明は、画素電
極、ソース線とゲート線からなる配線電極およびスイッ
チング素子を有するアレイ基板と対向電極を有する対向
基板との間に液晶を挟持してなる液晶表示装置であっ
て、少なくともスイッチング素子と配線電極と画素電極
上の一部に遮光層を形成し、前記画素電極主面上と前記
対向電極主面上間では液晶はツイステッドネマティック
配向し、少なくとも前記画素電極主面上での遮光層と画
素電極との段差近傍部では、液晶は配線電極長手方向に
概ね平行に配向しているとしたものであり、段差近傍部
での液晶の配向方向を配線電極と平行にすることによ
り、段差部近傍において液晶と横方向電界とのカップリ
ングを減らと共に逆チルト配向領域をなくし、ディスク
リネーションラインの出現を抑制する作用を有する。

【００１３】本発明の請求項５に記載の発明は、前記画
素電極主面上での遮光層と画素電極との段差近傍部で
は、少なくとも液晶をソース線またはゲート線いずれか
一方に沿って配向させたものであり、少なくともソース
線またはゲート線どちらか一方でのディスクリネーショ
ンラインの発生を抑制するという作用を有する。

【００１４】本発明の請求項６に記載した発明は、画素
電極とソース線、ゲート線からなる配線電極およびスイ
ッチング素子を有するアレイ基板と、対向電極を有する
対向基板の間に、液晶を挟持した液晶表示装置の製造方
法であって、前記アレイ基板の前記画素電極の端部、前
記配線電極および前記スイッチング素子上に遮光層を形
成する工程と、その後、前記画素電極および前記遮光層
上に配向膜を形成する工程と、その後前記配向膜をソー
ス線長手方向に対して第１の角度でラビングする工程
と、その後前記配向膜を前記ソース線長手方向に対して
第２の角度でラビングする工程とを含むものであり、遮
光層の擦り下げ部での逆チルト配向をなくす作用を有す
る。

【００１５】本発明の請求項７に記載の発明は、画素電
極とソース線、ゲート線からなる配線電極およびスイッ
チング素子を有するアレイ基板と、対向電極を有する対
向基板の間に、液晶を挟持した液晶表示装置の製造方法
であって、前記アレイ基板の前記画素電極の端部、前記
配線電極および前記スイッチング素子上に遮光層を形成
する工程と、その後、前記画素電極および前記遮光層上
に配向膜を形成する工程と、その後前記配向膜を配線電
極長手方向にラビングする工程と、その後前記配向膜を
前記ソース線に対して所定の視角方向にラビングする工
程とを含むものであり、最初に配向膜を配線電極長手方
向にラビングすることで、遮光層と画素電極の段差部近
傍での液晶を配線電極長手方向に配向させることがで
き、更に再度ソース線に対して所定の方向にラビングす
ることにより、段差近傍以外の画素電極主面上の液晶を
所定の視角方向に配向させることができる作用を有す
る。

【００１６】以下本発明の実施の形態について、説明す
る。

【００１７】（第１の実施の形態）図１はこの発明の第
１の実施の形態の液晶表示装置の構成を示す断面図であ
る。図１において、１０１はガラスより構成されるアレ
イ側基板、１０２はスイッチング素子としての薄膜トラ
ンジスター（ＴＦＴ）、１０３はアルミニュウム等の低
抵抗金属からなる配線電極としてのゲート線、１０４は
配線電極としてのソース線、１０５は感光性の黒色樹脂
等からなる遮光層、１０６は酸化インジュウム・錫（Ｉ
ＴＯ）からなる画素電極、１０７は窒化シリコンからな
る絶縁膜、１０８はガラスからなる対向側基板、１０９
はＩＴＯからなる対向電極、１１０は耐熱性高分子から
なる配向膜、１１１は液晶、１１２は偏光板である この実施の形態では、アレイ基板１０１上に、マトリッ
クス状に配置したＴＦＴ素子１０２、ゲート線１０３、
ソース線１０４、画素電極１０６および絶縁膜１０７を
形成した後、感光性の黒色樹脂からなる遮光層１０５
を、絶縁膜１０７を介してＴＦＴ素子１０２、ゲート線
１０３、ソース線１０４上および画素電極１０６の端部
上に形成している。遮光層１０５はその側面が画素電極
１０６に対して斜面状であり、その断面は概ね台形状と
なっている。更に、遮光層１０５上および画素電極１０
６上には配向膜１１０を形成しており、図２の矢印１２
１で示す方向、すなわちソース線長手方向に４５°の方
向に一度ラビングしている。更に矢印１２２で示す方向
に、すなわち１３５°の角度で２度目のラビングしてい
る。そして、対向基板１０８には、対向電極１０９上に
配向膜１１０を形成し、矢印１２２とは直交する方向に
ラビングしている。このアレイ基板１０１と対向基板１
０８との間に液晶を挟持し、その両外側に偏光板１１２
を配置している。

【００１８】本実施の形態によれば、アレイ基板１０１
上に形成された配向膜１１０は一度目のラビングにより
ソース線に対して４５°の方向にラビングされる。図２
に示す、領域１２３、１２４は１度目のラビングでは擦
り下げに相当し、ラビングされない領域であり、領域１
２５と１２６は擦り上げに相当し、十分にラビングされ
る。領域１２５、１２６と画素電極主面１２７は、ラビ
ングされるために１度目のラビング方向に向く。次に２
度目のラビングに対して、領域１２３と１２６は擦り上
げに、逆に領域１２５は擦り下げに相当する。このため
領域１２３と１２６は２度目のラビング方向を向く。ま
た画素電極主面１２７は１度目のラビング効果が打ち消
されて２度目のラビング方向を向く。液晶の配向方向を
↑で表す。↑の方向にプレチルト角が発現していること
を表すものとする。領域１２５は、画素電極主面とは９
０°異なった方向に配向するので、プレチルト角が全く
逆になる逆チルト領域とはならず、ディスクリネーショ
ンラインを抑制することができる。

【００１９】なお本実施の形態では、ラビングの方向を
ソース線に対して４５°と１３５°になる場合について
説明したが、ラビング方向を限定したものではなく、段
差擦り下げ領域と画素主面上での液晶の配向方向が異な
る様にすれば、任意のラビング方向も可能である。

【００２０】（第２の実施の形態）次に本発明の第２の
実施の形態について、図３を用いて説明する。第２の実
施の形態で第１の実施の形態と異なるのは、耐熱性高分
子からなる配向膜１１０として基板面に対して液晶を垂
直に配向させる垂直配向膜１１３を用いる点である。垂
直配向膜１１３は、ラビングされると液晶を水平配向さ
せるが、ラビングされないと液晶を垂直配向させる。

【００２１】本実施の形態では、図４の矢印１２１の方
向に１度目のラビングを行い、矢印１２２の方向に２度
目のラビングを行う。領域１２３、１２５、１２６、１
２７での液晶の配向方向は、実施の形態１と同様である
が、領域１２４が異なり、垂直配向状態となる。図４で
は垂直配向状態を◎で示す。なぜなら、領域１２４は絶
えず擦り下げ部分に相当し、ラビングされないためであ
る。このため、領域１２４はプレチルト角が画素主面上
１２７と大きく異なり、アレイ基板と対向基板間でハイ
ブリッド配向状態となる。この配向形態により、逆チル
ト領域は発生せず、ディスクリネーションラインの発生
を抑制することができる。

【００２２】なお、本実施の形態では、アレイ基板に２
度のラビングを施したが、１度のラビングでも同様に逆
チルト領域の発生を防ぐことができる。

【００２３】（第３の実施の形態）次に本発明の第３の
実施の形態について、図１を用いて説明する。本実施の
形態では、ソース線１０４近傍の遮光層１０５段差部で
は液晶はソース線１０４の電極長手方向に平行に配向
し、ゲート線１０３近傍の遮光層１０５段差部では液晶
がゲート線１０３の電極長手方向に配向していることが
特徴である。

【００２４】図５を用いて説明する。図５は本実施の形
態の液晶表示装置の画素の平面図である。アレイ基板１
０１上に形成された配向膜１１０は一度目のラビングに
よりソース線に平行な方向にラビングされる。この場
合、ソース線１０４と平行な段差部１２３、１２５も１
度目のラビング方向１３１に延伸され、ソース線１０４
に直交する擦り下げ部１２４を除く領域がソース線１０
４と平行な方向に延伸される。次に、２度目のラビング
は、ゲート線１０３に平行な方向１３２にラビングす
る。これにより、領域１２４はゲート線１０３方向にラ
ビングされる。更に３度目のラビングをソース線１０４
に対して４５°方向１３３に行う。領域１２１、１２３
と画素電極主面１２７は、それぞれ３度目のラビングに
より１度目、２度目のラビング効果が打ち消され、全て
３度目のラビング方向に配向する。３度目のラビングに
対して擦り下げに相当する領域１２５は１度目のラビン
グ方向に、領域１２４は２度目のラビング方向にそれぞ
れ配向させることができる。

【００２５】この状態により、段差部と画素主面上での
液晶の配向方向を異ならし、逆チルト領域の発生を防ぐ
ことができる。更に段差擦り下げ近傍の液晶は、各配線
電極と平行に配向させることで、配線電極と画素電極間
に発生する横方向電界とのカップリングを防ぐことがで
き、より効果的にディスクリネーションラインの発生を
防ぐことができる。

【００２６】

【実施例】次に本発明の実施例を、図１、図２を参照し
ながら、その構成と製造方法について説明する。 （実施例１）図１に示す様にガラス基板（７０５９：コ
ーニング社製）上には所定の方法により、アモルファス
シリコンＴＦＴ素子１０２、Ａｌ／Ｔａからなるゲート
線１０３、Ｔｉ／Ａｌからなるソース線１０４、酸化イ
ンジュウム錫（ＩＴＯ）からなる画素電極１０６を形成
し、画素電極１０６以外の領域に窒化シリコンからなる
絶縁膜１０７を形成してアレイ基板１０１を作製した。

【００２７】次に、アレイ基板１０１に感光性の黒色レ
ジスト（例えば、ブラックレジストＣＫ−Ｓ０９２Ｂ：
富士ハントテクノロジィー株式会社）をコーターにより
アライメントマカー以外の部分に全面に塗布した。その
後、１１０℃で２０分間プリベークした後、所定のマス
クでアライメントした後、プロキシミティー方式で２μ
ｍの間隙を設けて１６０ｍＪのパワーで露光を行い、所
定の条件にて現像を行った。

【００２８】その後、２５０℃で３０分間ホットプレー
ト上でポストベークを行い、遮光層１０５をＴＦＴ素子
１０２、ゲート線１０３、ソース線１０４の全面と画素
電極１０６の一部に形成した。画素電極１０６上には画
素電極端部より３μｍの領域まで遮光層１０５を形成し
た。遮光層の膜厚は１．５μｍであった。

【００２９】次に、アレイ基板を酸素プラズマ中に一定
時間暴露して、遮光層の表面改質を行った後、固形分濃
度６％のポリイミドワニス（例えばＳＥ−７２１０：日
産化学工業株式会社製）をアレイ基板上に印刷法により
塗布し、１９０℃で３０分間ホットプレート上でベーク
して、配向膜１１０を形成した。垂直配向膜１１０の膜
厚は約７０ｎｍであった。対向基板上には固形分濃度６
％の水平配向用ポリイミドワニス（例えＳＥ−７２１
０：日産化学工業株式会社製）を印刷法により塗布した
後、１９０℃で３０分間ベークして、水平配向膜１１１
を形成した。

【００３０】次に、アレイ基板１０１に配向処理を行っ
た。最初にソース線１０４に対して４５°の方向に１度
目のラビングを行った。次にソース線１０４に対して１
３５°の方向に２度目のラビングを行った。２度目のラ
ビング密度は１度目のラビング密度の２倍の強さにし
た。ラビング布はレーヨン布（ＹＡ−１８Ｒ：吉川化工
製）を用い、ラビング圧は全て０．３ｍｍにした。対向
基板にも同様の配向膜を形成した後、アレイ基板の２度
目のラビング方向に対して直交する方向にラビングを施
した。

【００３１】次に、アレイ基板１０１上にプラスチック
からなる球状のスペーサ（例えばミクロパール：積水フ
ァイン株式会社製）を均一に分散させた。スペーサの球
径は４μｍである。対向ガラス基板１０８の周辺部に熱
硬化型のシール材（例えばストラクトボンド：三井東圧
化学（株）製）を液晶注入口を設けて印刷形成し、アレ
イ基板１０１と対向基板１０８を貼り合わせ、所定の温
度でシール材を完全硬化させ、液晶セルを作製した。

【００３２】次に屈折率異方性が０．０９７であるネマ
チック液晶（例えばＺＬＩ−４７９２：メルクジャパン
株式会社製）に左捻れのカイラル物質（例えばＳ−８１
１：メルクジャパン株式会社）を添加して、ねじれピッ
チが８０μｍになるようにに濃度調整した。この様な条
件で作製したカイラルネマチック液晶を真空注入法で液
晶セルに注入し、カイラルネマチック液晶が完全に充填
された後、液晶注入口を封止樹脂により封口して、アレ
イ基板１０１と対向ガラス基板１０８の表面に偏光板１
１４をその吸収軸がラビング方向に平行になるように貼
り付け、液晶表示装置を作製した。

【００３３】次に、作製した液晶表示装置の配向観察を
行った。液晶表示装置を駆動し、ＯＮ／ＯＦＦ状態での
配向を観察した。図２は本液晶表示装置を上部より観察
した図である。１２５、１２４はラビングの擦り下げの
部分であり、逆チルト配向が発生しやすい領域である。
また領域１２５はソース線１０４による横電界の影響を
最も受けやすい部分である。

【００３４】本実施例の場合、ディスクリネーションラ
インは全く見られなかった。これは遮光層段差擦り下げ
部で逆チルト配向の発生を防止できたためであると考え
られる。

【００３５】次に作製した液晶表示装置の電気光学特性
の測定を行った。測定は液晶評価装置（ＬＣＤ−７００
０：大塚電子株式会社製）を用い、ＯＮ／ＯＦＦ状態で
のコントラストの測定を行った。本実施例でのコントラ
ストは２５０程度であり、良好な特性を得ることができ
た。

【００３６】更に、本実施例の場合、従来の対向電極に
Ｃｒからなる遮光層を設けた液晶パネルと比較すると、
開口率は１．４倍、反射率は１／５にすることができ、
性能面での大きな向上が図れた。 （実施例２）実施例１と同じ構成のアレイ基板１０１上
に、垂直配向膜（例えばＳＥ−７５１１Ｌ：日産化学工
業株式会社）を塗布した。ラビングを行わない場合のプ
レチルト角はほぼ９０°である。

【００３７】上記配向膜を形成したアレイ基板１０１に
対して、ソース線１０４に対して１度目のラビングは４
５°の方向に、２度目のラビングは１３５°の方向に行
い、その後実施例１と同様のやり方で、液晶表示装置を
作製した。

【００３８】１度目、２度目のラビングに対してもラビ
ングされない段差擦り下げ領域は、垂直配向状態のまま
であり、明らかに画素電極主面上とはプレチルト角が異
なる配向状態を呈していた。本実施例においても、ディ
スクリネーションラインの発生を抑制することができ
た。 （実施例３）実施例１と全く同様のアレイ基板１０１
に、同様の感光性の黒色レジストを用いて遮光層を形成
して、配向膜を形成して、液晶表示装置を作製した。た
だしアレイ側配向膜に３回のラビングを行った。ラビン
グ方向はそれぞれ、１度目はソース線１０４に対して平
行方向、２度目はゲート線１０３に平行な方向、３度目
はソース線１０４に対して１３５°の方向にそれぞれラ
ビングした。

【００３９】本実施例では、段差擦り下げ部分での液晶
の配向方向を各配線電極と平行にすることいより、ディ
スクリネーションの発生を抑制することができた。

【００４０】

【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明の液晶表示装置は、アレイ基板上のスイッチング
素子、配線電極と画素電極の一部に形成した遮光層の側
面での液晶配向方向を画素主面上での液晶配向方向と異
ならせることにより、逆チルト領域の発生を防ぎ、ディ
スクリネーションラインの発生を抑制することができ、
コントラストの向上、表示品位の向上に大きな効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の液晶表示装置の断面図であ
る。

【図２】本発明の実施例１の液晶表示装置の画素の平面
図である。

【図３】本発明の実施例２の液晶表示装置の断面図であ
る。

【図４】本発明の実施例２の液晶表示装置の断面図であ
る。

【図５】本発明の実施例３の液晶表示装置の断面図であ
る。

【図６】段差前後での液晶配向の状態を表した模式図で
ある。

【符号の説明】

１０１ アレイ基板 １０２ ＴＦＴ素子 １０３ ゲート線 １０４ ソース線 １０５ 遮光層 １０６ 画素電極 １０７ 絶縁膜 １０８ 対向ガラス基板 １０９ 対向電極 １１０ 配向膜 １１１ 液晶分子 １１２ 偏光板 １１３ 垂直配向膜 １２１ １度目のラビング方向 １２２ ２度目のラビング方向 １２３ 遮光層段差部 １２４ 遮光層段差部 １２５ 遮光層段差部 １２６ 遮光層段差部 １２７ 画素電極主面 １３１ １度目のラビング方向 １３２ ２度目のラビング方向 １３３ ３度目のラビング方向 ６０１ 段差 ６０２ ラビング方向 ６０３ 配向膜 ６０４ 段差擦り上げ部 ６０５ 液晶 ６０６ 基板 ６０７ 段差擦り下げ部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８Ｚ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画素電極、ソース線とゲート線からなる
   配線電極、およびスイッチング素子がマトリックス状に
   配置されたアレイ基板と、対向電極を有する対向基板と
   の間に液晶を挟持してなる液晶表示装置であって、少な
   くとも前記スイッチング素子上と前記配線電極上と前記
   画素電極上の一部に遮光層が形成され、前記画素電極主
   面上と前記対向電極主面上間では液晶がツイステッドネ
   マティック配向し、前記画素電極と前記遮光層の段差部
   には、前記画素電極主面上とは異なる液晶配向領域が設
   けられていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記アレイ基板上での前記画素電極主面
   上と前記段差近傍部では液晶の配向方向が異なることを
   特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記アレイ基板上での前記画素電極主面
   上と前記段差近傍部では液晶のプレチルト角が異なるこ
   とを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 画素電極、ソース線とゲート線からなる
   配線電極、およびスイッチング素子がマトリックス状に
   配置されたアレイ基板と、対向電極を有する対向基板と
   の間に液晶を挟持してなる液晶表示装置であって、少な
   くともスイッチング素子上と配線電極上と画素電極上の
   一部に遮光層が形成され、前記画素電極主面上と前記対
   向電極主面上間では液晶がツイステッドネマティック配
   向し、少なくとも前記画素電極主面上での前記遮光層と
   前記画素電極との段差近傍部では、液晶は配線電極長手
   方向に実質上平行に配向していることを特徴とする液晶
   表示装置。
5. 【請求項５】 前記画素電極主面上での遮光層と画素電
   極との段差近傍部では、液晶は少なくともソース線また
   はゲート線どちらか一方に沿って配向し、前記段差近傍
   部以外の画素電極主面上では、液晶はソース線に対して
   所定の視角方向に配向していることを特徴とする請求項
   ４記載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】 画素電極とソース線、ゲート線からなる
   配線電極、およびスイッチング素子を有するアレイ基板
   と、対向電極を有する対向基板との間に、液晶を挟持し
   てなる液晶表示装置の製造方法であって、前記アレイ基
   板の前記画素電極の端部、前記配線電極および前記スイ
   ッチング素子上に遮光層を形成する工程と、その後、前
   記画素電極および前記遮光層上に配向膜を形成する工程
   と、その後前記配向膜をソース線長手方向に対して第１
   の角度でラビングする工程と、その後前記配向膜を前記
   ソース線長手方向に対して第２の角度でラビングする工
   程とを備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方
   法。
7. 【請求項７】 画素電極とソース線、ゲート線からなる
   配線電極、およびスイッチング素子を有するアレイ基板
   と、対向電極を有する対向基板との間に、液晶を挟持し
   てなる液晶表示装置の製造方法であって、前記アレイ基
   板の前記画素電極の端部、前記配線電極および前記スイ
   ッチング素子上に遮光層を形成する工程と、その後、前
   記画素電極および前記遮光層上に配向膜を形成する工程
   と、その後前記配向膜を配線電極長手方向にラビングす
   る工程と、その後前記配向膜を前記ソース線に対して所
   定の視角方向にラビングする工程とを備えたことを特徴
   とする液晶表示装置の製造方法。