TW491914B

TW491914B - Method for heat treatment of silicon wafers and silicon wafer

Info

Publication number: TW491914B
Application number: TW088122675A
Authority: TW
Inventors: Norihiro Kobayashi; Shoji Akiyama; Yuuichi Matsumoto; Masaro Tamatsuka
Original assignee: Shinetsu Handotai Kk
Priority date: 1998-12-28
Filing date: 1999-12-22
Publication date: 2002-06-21
Also published as: US7011717B2; WO2000041227A1; US6573159B1; EP1061565A1; US6809015B2; KR20010083771A; US20050025691A1; US20030104709A1

Description

A7 B7 491914 '.惠

It:發明:說矿tJi ) 技術領域本發明係有關一種砂晶圓的熱處理方法，尤其是有關於可取得安全性優，高品質的矽晶圓之矽晶圓的熱處理方法。背景技術欲製造半導積體電路等之半導體裝置的晶圓，主要是採用矽晶圓。就該半導體裝置製造而言，使良品率降低的主要原因之一，舉例而言爲，留在COP (Ci*y st) al Originated Particle)等的晶圓表層部的結晶缺陷。若此種缺陷留在晶圓表層部.，就是造成晶圓電氣特性劣化的原因，例如，就Μ 0 S電晶體而言，對於被形成在晶圓表面的閘氧化膜等之熱氧化膜，施加高電壓時，造成發生氧化膜絕緣破壞的原因。進而，使半導體裝置製造良品率惡化的主要原因，舉例而言其爲，晶圓表面的微小凹凸。據知留在晶圓表面的微小凹凸，會使閘氧化膜正下方的載體移動度，受到不良影響（參照Shinya Yamakawa，Hirai Ueno，Kenji Taniguchi， Chihixo Hamaguch, Kazuo Miyatsuji, Umbert Ravaioli, J. Appl.Phys.79 9 1 1.1 995 )。就半導體裝置而言，若其積體度增加，相應於此，必須提高載體的移動度。而近年來， C P U的驅動頻率愈來愈高，隨之而來的是，記憶體的寫入及讀取速度也被要求高速化，欲提高載體的移動度，減少微小凹凸，就被視爲更重要了。 -^1 ·ϋ ϋ ·ϋ ϋ ϋ 1- ϋ a— n 0 ϋ n I ·ϋ 1 Jr、 n I ϋ ϋ ·ϋ n ϋ I · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4 - 491914 A7 __B7 __ 五、發明說明（2 ) 減低矽晶圓表層部的結晶缺陷之方法，是以退火熱處理等，來實施消減缺陷。其代表性案例有，高溫氫退火，此方法是在高溫的氫氣氛中，執行退火熱處理，藉此消減結晶缺陷之方法（參照特開平第6 — 3 4 9 8 3 9號公報但雖然氫氣氛中的熱處理，可陷，但卻有因熱處理引起晶圓表面以1 2 0 0 °C，執行6 0分鐘熱處會被蝕刻掉0 . 5 // m的矽。因此，的部分（無缺陷層）的厚度很薄。進而，將高濃度的氫氣，在此處理，是非常危險的，若不解決安用化。於是，也考慮藉由於氣氛中，，來執行熱處理，除去晶圓表層部方法雖不會蝕刻晶圓表層部，卻會表面的微小凹凸，比熱處理前更惡經濟部智慧財產局員工消費合作社印製消減晶圓表層的結晶缺被蝕刻的缺點。例如，理時，晶圓表層部大約晶圓表層部結晶缺陷少種高溫狀態，經長時間全性的問題，就無法實採用氬氣等非活性氣體結晶缺陷之方法。但此除去結晶缺陷，使晶圓化的缺點。，易引起局部性的蝕刻，於晶圓表面中，具有主要爲，以利用雷射的面，且予以測定其亂反，成爲晶圓全面的霧度 0 ϋ tt i^i i-i 1_1 imm->、i It aammt mmm— I eammm I _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而因受到氣氛中微量氧的影響，也會發生霧度障礙。此例，霧度爲表面粗度的指標數〜數十n m左右的周期性彎曲。粒子計數器，用雷射來掃描晶圓全射強度，藉此，以準定量性來評詁位準之表面粗度。 491914 Α7 Β7 五、發明說明（3 ) 欲回避氫氣危險性的其他方法，也考慮倂用利用氫氣氛的熱處理、和利用氬等非活性氣體氣氛之熱處理的方法。此係爲先在非活性氣體氣氛中，執行令晶圓熱處理之工程，然後包含氫的氣氛中，施行熱處理之方法（參照特開平第4— 167433號公報）。但於非活性氣體氣氛中，施行熱處理之後，以相同溫度，在包含氫的氣氛中，施行熱處理，結果卻會鈾刻晶圓表面，造成無缺陷層之厚度薄者。另一方面，於特開平第7 — 2 3 5 5 0 7號公報揭示，熱處理係利用在非活性氣氛中執行的，於其熱處理的昇溫或降溫時’於氣氛中’導入氣之方法。因而’此方法係藉由在昇溫或降溫時，自非活性氣體，導入熱傳導率高的氫，防止晶圓產生滑動轉位的目的，無法執行去除留在晶圓表層部的結晶缺陷或改善晶圓表面的微小凹凸。亦即，此方法爲，昇降溫時，每分鐘只導入一公升的氫，由於不淸楚昇降溫時的最適當熱處理氣氛的組成，即使用此方法，還是會令晶圓表面的鈾刻量提升，或使微小凹凸惡化，無法同時改善晶圓的結晶缺陷和表面粗度。此種習知之熱處理方法，不會蝕刻晶圓表層部，而且不會使晶圓的微凹凸惡化，減少氫的使用量，而沒有減低晶圓表層部結晶缺陷之方法，希望開發出有效的方法。進而，通常氫退火，乃於氫氣氛下，以1〜1 0 °C / m i η的昇溫速度來昇溫，且以9 5 0 °C〜矽融點以下的溫度，保持數小時後，以2〜5 °C / m i η的降溫速本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .··------- -訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6- 491914 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) 度來降溫，藉此執行熱處理（例如特公平第5 -1 8 2 5 4號公報，特開平第6 — 2 9 5 9 1 2號公報）。但以此熱處理方法，卻有熱處理需要長時間之缺點。於是，爲縮短此熱處理時間等，提案一採用急速加熱、急速冷卻（Rapid Thermal Annealer，以下簡稱R ΤΑ裝-置）。例如本發明人等，先就特願平第10-82606 號揭示，針對矽晶圓，使用R Τ Α裝置，在還原氣氛下，執行熱處理之方法，特別提案一能減低矽晶圓表面C〇P 密度之熱處理方法。此方法，乃將矽晶圓，在還原性氣氛下1 2 0 0 °C〜矽融點以下的溫度範圍，執行1〜6 0秒鐘熱處理，而此時的還原性氣氛，爲1 0 0 %氫，或氫與氬的混合氣氛，熱處理時間爲1〜3 0秒鐘更爲理想。而硏判按此方法，矽晶圓表面的C〇P密度顯著地減少，且電氣特性的氧化膜耐壓（Time Zero Dielectric Breakd〇wn:T D D B )也顯著被改善。但此方法，就熱處理後的晶圓表面而言，卻有所謂使，前述所稱的霧度之表面粗度惡化之問題。而如前所述，使氧化膜耐壓或載體移動度等之電氣特性大受影響的主要成因，據知晶圓表面的霧度等的表面粗度，會密切地關係到裝置的性能和可靠性（參照Appl.Phys. 7 9,9 1 1.1 996 )，晶圓表面的霧度成爲一大問題。於是，本發明人等，提案一解決此問題之方法，而於特願平第1 0 - 1 7 6 6 9 3號案中，分成複數段來執行本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .·· «! 訂---------#φ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491914 A7 B7 五、發明說明（5 ) R T A熱處理之方法。此方法不在前段的熱處理，完成減低C〇P之目的。而是在後段的熱處理，完成改善霧度等晶圓表面的表面粗度。由於此方法能減低C 0 P，且充分地改善霧度，是非常有益的方法。但由於須將複數段的高溫熱處理，於 R T A裝置來執行，故有導致工程煩雜的缺點。由於工程煩雜化會因生產率降低，連帶使成本提高，故要求更進一步改善。發明之揭示本發明係爲有鑑於此種問題點之發明，其目的在於提供一不蝕刻晶圓表層部，且不使晶圓的微小凹凸惡化，減少氫的使用量，可減低晶圓表層部的結晶缺陷之熱處理方法。、加上，本發明就使用急速加熱、急速冷卻裝置的熱處理而，其目的在於提供一能以更簡單的方法，減低晶圓表面的C〇P和霧度之矽晶圓熱處理方法。爲解決上述課題之本發明，就矽晶圓之熱處理方法而言，對矽晶圓，於非活性氣體氣氛中，以1 0 0 0 °c以上矽融點以下的溫度，施行熱處理，且該熱處理降溫時，以含有容量1〜6 0%的氫之氣氛中來降溫爲特徵之矽晶圓熱處理方法。此種，藉由對矽晶圓，於非活性氣體氣氛中，以 1 0 0 0 t以下矽融點以下的溫度，施行熱處理，先除去 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _··--------訂--------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491914 A7 B7 五、發明說明（6 ) 晶圓表層部的結晶缺陷，更藉由於熱處降溫時，在含有容量1〜6 0 %的氫之氣氛中來降溫，即可根據晶圓表面的矽原子之移動，來改善微小凹凸。此時，由於氫氣的使用量爲少量，故熱處理工程的安全性也提高。此時，前述非活性氣體氣氛，以氬氣氛或1含容量 3 0 %以下的氫之氬氣氛組成爲佳。氫係容易處理，即使含氫，其濃度爲容量3 0%以下的情況下，幾乎不會因氣氛中的氫引起蝕刻，反之爲改善晶圓表面的微小凹凸的效果高。又，本發明係用急速加熱、急速冷卻裝置，在含有氫的還原性氣氛下，將矽晶圓做熱處理之方法中，其特徵爲 :從熱處理的最高溫度至7 0 0 °C的降溫速度爲2 0 °C / s e c以下之矽晶圓熱處理方法。此種使用急速加熱、急速冷卻裝置，在含有氫的還原性氣氛下，將矽晶圓做熱處理之方法中，只是從熱處理的最高溫度至7 0 CTC的降溫速度，爲2 0 t： / s e c以下的簡單方法，即可減低晶圓表面的C〇P，又可改善霧度〇此時，熱處理中，未滿7 0 0 °C的降溫速度，則以比從最高溫度至7 0 0 °C的降溫速度快爲佳。此種利用熱處理中，未滿7 0 0 °C的降溫速度，比從最高溫度至7 0 0 °C的降溫速度快，縮短整個熱處理時間，而更進一步的提升熱處理的效率。此時，含有前述氫之還原性氣氛，以氫1 0 〇 %或氫 -i^i a^i —ϋ ·ϋ ϋ ϋ —ϋ ϋ n - ·ϋ 1_1 1^— ·ϋ ·ϋ _ϋ i^i ^1 an ϋ ϋ -^1 1-— ϋ I _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491914 A7 B7 五、發明說明（7 ) 與氬及/或氮的混合氣體氣氛爲佳。若爲此種熱處理氣氛，即能確實地減低晶圓表面的 COP密度，改善霧度。又，因利用上述本發明之方法被熱處理的矽晶圓，乃以簡易的方法，減低晶圓表面的C〇P密度，且霧度小，故氧化膜耐壓、載體移動度等的電氣特性提升，可得到極高的品質，又可以高生產性取得矽晶圓。因此，例如就矽晶圓而言，晶圓主體部的結晶缺陷密度爲1. 0X104個/ cm3以上，且表面至深度〇 · 5 // m的晶圓表層部的結晶缺陷，爲1 · 〇 X 1 〇 4 個/ c m 3以下1 · 〇 X 1 〇 4個/ c m 3以，晶圓表面的結晶缺陷密度爲0 · 1 5個/ c m 2以下，表面粗度爲P -V値，並成爲1 . 0 n m以下的砂晶圓。再者，此例所謂的晶圓主體部，係爲從晶圓表面，超過0 · 5//m的深度區。即使此種本發明之矽晶圓，於矽單結晶育成時，爲結晶缺陷密度高的矽晶圓，還是爲從表面至深度0 · 5 // m 的層，晶圓表層部的結晶缺陷密度爲1 · 0 X 1 0 4 個/ c m 3以下的低缺陷密度，表面粗度爲P — V値，而爲 1 . 0 n m以下的微小凹凸少的砂晶圓。且於主體中，具有將重金屬等雜質予以除氣所必要的結晶缺陷之故’使用本發明之矽晶圓，製造半導體裝置，即可製成氧化膜耐壓特性或載體移動度優，可使裝置製造的良品率提升。如以上所做之說明，本發明乃針對將矽晶圓做熱處理本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

· n ϋ I ϋ .^1 ϋ n I ϋ i^i I ϋ _ϋ n ϋ I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491914 Α7 Β7 五、發明說明（8 ) 之方法，藉由限制最適當的熱處理氣氛的組成，取得晶圓表面的結晶缺陷少，晶圓表層部的無缺陷層厚度厚，且晶圓表面的微小凹凸少的矽晶圓。因而，使裝置製造的良品率提升。加上，由於本發明之方法，能令氫的使用量減至最小限度，故可確保熱處理作業的安全性。加上，本發明係針對使用急速加熱、急速冷卻裝置，將矽晶圓做熱處理之方法中，藉由加上改良熱處理的降溫速度，兼具消減晶圓表面的c 0 P等缺陷之效果和改善霧度的效果，能非常簡便地執行熱處理，比習知更能以簡單且低成本取得高品質的矽晶圓。【用以實施本發明之最佳形態】以下就本發明做更詳細的敘述。本發明乃針對本發明人對矽晶圓的熱處理條件，特別是熱處理氣氛的組成，對各種定量重新硏究的結果，發現最適當的條件，根據其結果直至完成的發明。首先，本發明人等針對熱處理昇溫時及降溫時的氣氛條件，使晶圓狀態受到的影響，進行實驗調查。首先準備複數枚同款的矽晶圓，並插入熱處理爐內，進行以昇溫速度lot： / mi η，予以加熱至1 200 °C，並在 1 2 0 0 °C，保持6 0分鐘後，以降溫速度3 °C / m i η ，予以冷卻之熱處理實驗。於此昇溫、降溫時，針對各個晶圓，使氣氛變化，來施行熱處理，熱處理後的晶圓微小凹凸，則以測定Ρ - V値，來評估。測定係使用A F Μ ( (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 1 Mmmt ϋ. I emme n I-_、· ·1 ϋ l ϋ 1·— ϋ aai I i 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491914 A7 B7 五、發明說明（9 ) 原子間力顯微鏡）。測定2 // m角。於第1圖表示測定結果。自第1圖硏判，如由習知即知，僅以氬氣氛，進行熱處理時的P - V値，乃比僅以氫氣氛，施行熱處理的情形，約惡化四倍。此外，亦硏判此傾向，即使昇溫時，分別將氣氛改爲其他的氣氛，也完全不受影響。另一方面，降溫時，改變氣氛的情形不同，從氫氣氛，改爲氬氣氛，並降溫時，雖在氫氣氛執行熱處理，但P - V値還是惡化，從氬氣氛，改爲氫氣氛，並降溫時，反之，雖在氬氣氛，執行熱處理，但硏判P - V値，還是與在氫氣氛，施行熱處理的情形相同程度的値。由此硏判，晶圓的微小凹凸，完全不受昇溫時的氣氛影響，反之，降溫時的氣氛條件，是決定晶圓的微小凹凸。亦即，即使在氬氣氛，施行熱處理，降溫時，還是要變更爲氫氣氛，藉此，即可取得與在氫氣氛，施行熱處理的情形，同等的晶圓表面。但降溫時，氣氛中的氫濃度太高時，晶圓被蝕刻的量增大，並不理想。於是，本發明人等，針對熱處理氣氛，再進行實驗檢討。與上述實驗相同，準備複數枚矽晶圓，進行以昇溫速度1 0 t： / c m，予以加熱，且在1 2 0 0 °C，保持6 0分鐘後，以降溫速度3 °C / c m，予以冷卻的實驗。在昇溫及定溫保持之際的氣氛，則採用1 0 0 % 的氬。降溫時，每個晶圓，於氬氣氛中，在容量1〜 1 0 0 %的範圍，來變化或混入氫，進行熱處理。就施行 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) J·· 訂---------##. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491914 A7 B7 五、發明說明（10) 熱處理的晶圓之微小凹凸而言，乃藉由晶的P — V値，做評估。於第2圖表示其結果。自第2圖硏判，降溫時的氫混入量，若爲容量1 %以上，即具改善晶圓表面粗度的效果。若由此在氬等非活性氣氛內，施行熱處理，於降溫時，混入容量1 %以上的氫，進行降溫，即能以最小限的氬使用量，來改善晶圓的微小凹凸。反之，若氫混入量不滿容量1 %，由於改善晶圓表面粗度的效果，顯著減少，故硏判氫混入量爲容量1 %以上，是很重要的。進而，本發明人等，也針對晶圓的霧度，進行同樣的測定。於第3圖表示結果。自第3圖硏判，也針對晶圓的霧度，與微小凹凸相同，於降溫時，導入容量1 %以上的氫，進行降溫，藉此即具改善晶圓霧度的效果。加上，本發明人等，也針對降溫時的氣氛之氫濃度和晶圓的蝕刻量之關係，進行測定。蝕刻量的評估，則藉由月旲厚爲1 //m的S〇I (Silicon On Insulator)晶圓，來測定熱處理前與熱處理後的S 0 I膜厚，求得其差異，做〜評估。於第4圖表示測定結果。第4圖之縱軸，係表示任單單位（Arbitrary Unit)以氫濃度1 〇 0 %的蝕刻量爲標準。如第4圖所示，降溫時氣氛的氫濃度，爲容量3 〇 % 以下時，晶圓表面幾乎不會引起飩刻。但硏判，若氫濃度超過容量3 0 %，即開始產生飩刻，若超過容量6 %，晶 ---------------Μ------- —訂------ (請先閱讀背面之注音2事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 491914 A7 ____ B7 五、發明說明（11) 圓的蝕刻量，即急遽增大。若綜合以上的硏判，熱處理後的晶圓表面狀態，可對熱處理降溫時的氣氛，導入氫，而加以改善，若其氫濃度爲容量1 %，舉例而言十足改善晶圓的微小凹凸及霧度。又，氫的濃度，若爲容量6 0 %以下，即硏判晶圓的蝕刻量是在容許範圍。另一方面，本發明人等，也針對熱處理方面的熱處理溫度保持時的氣氛組成，進行檢討。就晶圓表面粗度而言，由於如上所述，硏判若對降溫時的氣氛，導入適量氫，即可加以改善，定溫保持時，以氬爲熱處理氣氛，也沒問題。本發明人等，針對晶圓的蝕刻量和熱處理溫度保持時的氣氛組成之關係，進行實驗、檢討。準備複數枚膜厚爲1 // m的S Ο I晶圓，並插入熱處理爐內，進行以昇溫速度1 0 °C / m i η，予以加熱至 1 2 0 CTC，且在1 2〇0 °C，保持6 0分鐘後，以降溫速度3 °C / m i η，予以冷卻的熱處理實驗。在此定溫保持時，針對各個晶圓，對氬氣氛，改變氫混入量，並施行熱處理，測定熱處理後的S 0 I晶圓的蝕刻量。再者，昇降溫時，爲氬氣氛。於第5圖表示測定結果。自第5圖硏判，就定溫保持時的熱處理氣氛中的氫濃度而言，若氫濃度爲容量30%以下，在1 200 °C，施行6 0分鐘的熱處理後，也幾乎不會引起晶圓表面的蝕刻。因而，對此定溫保持時的氣氛，導入容量3 0 %以下的氫，藉此不會產生飩刻，連定溫保持時，也可改善晶圓的 --I---------- ----訂---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 491914 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（12) 表面粗度。另一方面，若氫導入量超過容量3 0%，因晶圓表面的蝕刻量增大，故硏判以不超過此値爲佳。進而，本發明人等，乃針對使用急速加熱、急速冷卻裝置的熱處理方法，是以較習知簡單的方法，減少留在矽晶圓表面的C 0 P密度，提升氧化膜耐壓的同時，有關可減小霧度，並提升載體移動度的熱處理條件，做種種實驗性的硏究。其結果，本發明人等，發現若以熱處理方面的最高溫度至7 0 0 °C的降溫速度，爲2 CTC / s e c以下較的速度，即可減少C 0 P密度，霧度也減少。習知，在含有氫的還原性氣氛下，予以熱處理，並令晶圓表面改質的效果，不管用不用R 丁 A裝置，認爲其熱處理的最高溫度及其溫度，主要都是利用保持時間來決定的，就不考慮最高溫度的昇溫速度，或從最高溫度開始降溫的速度。尤其使用R T A裝置時，由於昇降溫度所需的時間，比普通電阻加熱式的熱處理爐還要短，昇降溫度對晶圓表面的影響而言，則完全不被考慮，通常採用3 0〜6 0 °C / s e c的昇降溫速度。於是，本發明人等，採用日本特開平第1 0 — 8 2 6 0 6號所揭示的熱處理方法，來進行令矽晶圓熱處理的實驗。其結果發現，即使爲採用R T A裝置的熱處理，若自熱處理的最高溫度之降溫速度不同，熱處理後的晶圓表面狀態，特別是霧度就有很大的差異。本發明人等，爲確定矽晶圓採用R T A裝置的熱處理 I----------Φ0------- 訂--------- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- 491914 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（13) 方面之適當的降溫條件，而進行如下的實驗。針對利用C Z法（Czochralski method)所得到的矽晶圓，採用R TA裝置，並在1 〇〇%氫氣氛下，進行 1 2 0 0 °C，1 0秒的熱處理，改變熱處理的最高溫度開始降溫之際的降溫速度，來測定晶圓表面的霧度。於熱處理使用RTA裝置（急速加熱、急速冷卻裝置 ’ SHUTEIATSUKU MAIKUROTETSUKU 國際社製 S H S — 2 8 0 0 型）。矽晶圓係採用，以一般採行的方法來切割利用C Ζ法製造的矽碇，並予鏡面加工之直徑6英吋，結晶方位< 1 0 0 > 者。又，霧度之測定用爲粒子計數器的L S — 6 0 3 0 ( 日立電子ENJINIARINGU社製商品名），以測定電壓7 0 0 V波段，來測定。於第6圖表示測定結果。第6圖係表示降溫速度與霧度的關係圖。第6圖的縱軸係表示霧度位準，單位爲 bits。自第6圖硏判，降溫速度愈慢就慢，晶圓表面的霧度位準減低。例如，降溫速度爲2 0 °C / s e c時，霧度位準5 0 b 1 t s以下，此乃在裝置特性沒有問題的位準。又，硏判降溫速度爲5 t： / s e c時，爲2 5 b i t s極小的値。加上，本發明人等，針對熱處理方面的降溫速度和降溫中的溫度範圍之關係，做詳細的調查。就與上述同樣的 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) #·1 訂----------着·_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16- 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印制衣 491914 A7 _ B7 五、發明說明（14) 熱處理實驗而言，自最高溫度1 2 0 0 °C開始的降溫速度爲5 t： / s e c，且於降溫中，達到預定溫度時，令降溫速度加速至6 0°C/s e c，並進行降溫。並且，與上述同樣地予以測定熱處理後的晶圓表面之霧度。於第7圖表示測定結果。第7圖係表示將降溫速度切換至高速的溫度和晶圓表面的霧度之關係圖。如第7圖所示，若在到1 2 0 0〜 7 5 0 °C附近的溫度範圍，將降溫速度，切換至高速，晶圓表面的霧度位準，就會自維持低速降溫速度的情況開始惡化。可是，降溫到未滿7 0 0 °C的溫度範圍之後，切換至高速時，即使之後，令降溫速度加速，硏判晶圓表面的霧度，還是完全不受影響。亦即，晶圓表面的霧度，以自熱處理方面的最高溫度至7 0 〇 t的降溫速度爲2 0 t： / s e c以下，藉此即足以令之改善，未滿7 0 0 °C之溫度範圍的降溫速度則不存在。對於產生此種現象的詳細原因並不淸楚，但認爲是根據以下的理由。亦即，例如，若以1 2 0 0 °C以上的高溫，進行含有氫的還原性氣氛之熱處理，就易在其表面產生階狀。此階狀係爲以原子位準來產生與晶圓初期面方位不同的面方位，但在最高溫度所產生的階狀，在降溫速度加快時’維持其形狀。但若降溫速度不慢，的確會根據移動的效果’向著表面能量穩定的方向，被平坦化。其結果，認 ----------_·- —I ϋ n tmt )eJ iai ϋ taf ϋ ϋ n n I #· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491914 A7 B7 五、發明説明（15) 爲會因降溫速度，於熱處理後的霧度位準產生差異。因而’目忍爲右從熱處理最局溫度開始慢慢降溫到 7 0 0 °C程度，除此以外的溫度，完全不會產生移動，故加快降溫速度且急冷，也不會影響到晶圓的霧度位準。由以上的硏究硏判，針對使用急速加熱、急速冷卻裝置，在含有氫的還原性氣氛下，令矽晶圓做熱處理的方法，可藉由從熱處理方面的最高溫度至7 0 0 °C的降溫速度，爲2 0 °C / s e c以下的簡易方法，來改善晶圓表面的 C〇P和霧度。因本發明之方法，乃如前述的特願平第 1 0 - 1 7 6 6 9 3號的複數段熱處理，並不是改變高溫熱處理本身的條件，而只是改變降溫速度，亦即冷卻強度，故爲極簡便的熱處理方法。而，因本發明之熱處理方法，係略微減慢降溫速度，而擔心熱處理效率降低，但假設針對最高溫度從1 2 0 ◦ C開始降溫的情況’ 一'般以3 0〜6 0 °C / s e c來降温的情形，降溫到室溫，大槪要花2 0〜4 0秒，但以2 0 °C / s e c來降溫的情形，約6 0秒鐘弱，連以5 °C / s e c來降溫的情形，只要4分鐘弱。不用R T A裝置的一般熱處理法（例如電阻加熱方式），若與一周期的熱處理，需要7〜8小時做比較，也關係到晶圓裝在裡面的枚數，但藉由利用本發明之方法，可縮短相當於一枚的處理時間。欲達到熱處理時間縮短化的情形，只要熱處理方面未滿7 0 0 °C的降溫速度，比自最高溫度至7 〇〇 °C的降溫本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 18- -ϋ 11 1_ϋ ·ϋ ϋ ϋ. ϋ mmmMK —ϋ —·ρ · ϋ 11 emmMm ϋ ϋ an I-_、I 11 ^1 ϋ ϋ 1 1 I (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 491914 A7 B7 五、發明說明（16) 速度快即可。例如從最高溫度1 2 0 0 °C至7 0 〇 °C，以降溫速度5 t： / s e c來降溫後，只要未滿7 〇〇〇c，以 6 0 °C / s e c來降溫即可，可得到與降溫只要2分鐘弱 ’整個溫度區’以5 C / s e c來降溫同程度的霧度位準的晶圓表面。而爲7 0 0。(：時，利用將燈源〇F F，也可爲7 〇 °C / s e c以上的降溫速度。另一方面，就使用該急速加熱、急速冷卻裝置之情形下的熱處理時之氣氛而言，可使用氫1 〇〇%或氫與氬及 /或氮的混合氣體氣氛。若提高氫濃度，改善晶圓表面的 C〇P或霧度等之面粗度的效果就增高，若增加氬或氮的度，即具處理谷易之長處。以下，針對本發明，邊參照圖面進而邊做一說明，但本發明並不以此爲限。第8圖係表示進行有關本發明的熱處理之熱處理裝置一例之槪略圖。如第8圖所示，熱處理裝置1 〇具有在內部進行熱處理之真空室1，於真空室1內配置供載置被熱處理的晶圓之支撐台2。於真空室1配置圍繞真空室1周圍之加熱器3。又於真空室1的吸氣口 4，係連接通過混合器6的氬供給源7 及氫供給源8，製成能於真空室1內，將任一之氣體單獨或預定的混合比之氣氛氣體予以導入。進而，真空室1具有排氣口 5，欲由此排氣。其次，就使用上述熱處理裝置1 0，令晶圓W做熱處理之方法做一說明。首先，在支撐台2載置晶圓W，且令 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .si 訂---------##. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 19- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491914 A7 B7 五、發明說明（17) 之配置在真空室1內。其次，使氬從氬供給源7，通過吸氣口 4，並送入真空室1內。此時，亦可將氫從氫供給源 8，通過混合器6加以混合的混合氣體氣氛。此時，如前所述，爲防止晶圓蝕刻，氫的混合比以容量3 0 %以下爲佳。若真空室1內的空氣，足夠利用預定的氣氛氣體被置換，就增加加熱器3的供給電力，使真空室1加熱到預定溫度。並以預定時間保持此溫度。此中所謂保持溫度，乃爲徹底保持在熱處理溫度區內之意，於熱處理中，對應需求，即使溫度有所增減也沒關係。在結束晶圓W熱處理之際，爲減低晶圓W表面的微小凹凸，須對應要求，增加氣氛的氫濃度。此時，利用混合器6，自氫供給源8，增加氫的混合比，使氣氛中的氫濃度控制在容量1〜6 0 %。並將具有此預定氫濃度的混合氣體，一面從吸氣口 4開始送入，一面停止或減低供給至加熱器3的電力，並以預定的降溫速度，予以降溫。若降溫到足夠的溫度，即從真空室1取出晶圓W及支撐台2。如上所述，對矽晶圓，施行熱處埋，藉此可取得，晶圓表層部的無缺陷層厚很厚’晶圓表面的微小凹凸及霧度被改善的矽晶圓。進而，若按本發明之方法，由於熱處理溫時，僅使用極少量的氫即可’故也可確保熱處理工程的安全性。又，針對使用本發明之R A裝置的另一實施形態’做一說明。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) #·· 訂--------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20- 491914 A7 B7 五、發明說明（18) 首先，本發明所用之矽晶圓的急速加熱、急速冷卻裝置，舉例而言，可利用熱輻射的燈具加熱器之裝置。又市售者，舉修!！而言，恢fj$[]可爲SHUTEIATSUKU MAIKUROTETSUKU國際社製SHS — 2 8 0 0型之裝置，該等不特別複雜，也不昂貴。以此例表示本發明所用的矽單結晶晶圓的急速加熱、急速冷欲裝置（RT A裝置）之一例。第9圖係RT A裝置之槪略圖。第9圖之熱處理裝置2 0，係具有以石英製成之真空室1 1，且令之在該真空室1 1內·對晶圓做熱處理。加熱則利用從上下左右圍繞真空室1 1的方式，被配置之加熱燈具1 2來進行的。該燈具可各別控制獨立供給之電力 0 氣體的供給側，則連接圖未表示的氫氣體供給源、氬供給源及氮氣體供給源，以任意的混合比，混合該等，並供給至真空室1 1內。氣體排氣側，則裝備有自動調節板1 3，藉以封鎖外氣。流切斷器1 3則設有構成可利用閘閥開關之圖未表示的晶圓插入口。又’於溢流切斷1 3設有氣體排氣口’藉以調整爐內氣氛壓力。而晶圓W，係被配置在形成於石英托盤1 4的三點支撐部1 5之上。在托盤1 4的氣體導入口側，裝設石英製的緩衝器1 6，防止導入氣體直接接觸到晶圓W。又，於真空室1 1，裝設圖未表示的溫度測定用特殊 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) δ------- —訂--------- #· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21 - 491914 A7 B7 五、發明說明（19) 窗’利用被設在真空室1 1外部的高溫計1 7，通過該特殊窗，來測定晶圓W的濫度。利用如上般的熱處理裝置2 0，並將晶圓W如以下般進f了急速加熱、急速冷卻之處理。首先，利用鄰接並配置在熱處理裝置2 0之圖未表示的晶圓搬運裝置，將晶圓W從插入口，送入真空室1 1內，配置在托盤1 4後，關上自動調節板1 3。真空室1 1 內’係充滿含有預定的氫之還原性氣氛。然後，對加熱燈具1 2，供給電力，將晶圓W，昇溫到例如1 1 0 0 °C〜矽融點，特別是1 3 0 0 °C以下的預定溫度。此時到達目的溫度所要的時間，例如爲2 0秒左右。接著，針對該溫度，保持預定時間，藉此，對晶圓w 增加高溫熱處理。若經過預定時間，結束高溫熱處理，燈具1 2輸出會降低，晶圓W的溫度也會降低。本發明之熱處理方法，係爲從熱處理方面的最高溫度至7 0 0 °C的降溫速度，爲 2 0 °C / s e c以下的方法，但實施此方法時，只要以高溫計1 7，來測定晶圓W的溫度，經習知2 0〜4 0秒左右的時間，以降溫速度3 0〜6 0 t： / s e c，來降溫’ 適當地調整燈具1 2的輸出，令降溫速度降低至2 0 °C / s e c以下即可。因而，習知所用的R T A裝置幾乎不加改造，即可實施本發明之方法。最後，若晶圓降溫結束，即利用晶圓搬運裝置，取出晶圓’藉此即結束熱處理。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) δ------- —訂--------- ## 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22- 491914 A7 B7 五、發明說明（2〇) 欲縮短降溫時間時，以高溫計1 7所測定的晶圓W的溫度，若未滿7 0 0 °C，例如只要燈具1 2的輸出爲〇F F，令晶圓W急冷即可。或者，利用晶圓搬運裝置，取出晶圓W，使之移動到室溫的空間，藉此也可加快未滿 7 ◦ 0 °C的降溫速度，縮短降溫時間。以下，舉例具體地說明本發明之實施例及比較例，但本發明並不限於此。 (實施例1、比較例1〜5 ) 準備複數枚同款的矽晶圓，並插入熱處理爐內，進行以昇溫速度1 0 °C / s e c，加熱至1 2 0 0 °C，以 1 2 0 0 °C保持6 0分鐘後，以降溫速度3 °C / s e c來冷卻之熱處理。針對各晶圓，改變昇溫、定溫保持時的氣氛和降溫時的氣份條件，來進行熱處理。然後，針對熱處理後的各晶圓，來測定晶圓表面的P - V値、白色霧狀、 C 〇 P (Crystal Originated Particle)密度、及距離晶圓表面0 · 5 // m深度之C〇P密度，加以評估熱處理的效果。石夕晶圓係採用，以一般採行的方法來切割，利用c Z 法製造的矽碇，並予鏡面加工之直徑8英吋，結晶方位< 1〇〇 > 者。

P — V 値的測疋係以 A F M ( Atomic Force Microscope ，原子間力顯微鏡，N a η o S c o p e — π/數據 INSUTSURUMENTO社製商品名）來進行，2 // m角的面積，爲測定範圍。霧度的測定，係採用K L A 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·#·------- —訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- 491914 A7 B7 五、發明說明（21) TENKO — RE社製之SP— 1 ，來進行。晶圓表面的C Ο P之測定，以粒子計數器（L S -6 0 3 0 日立電子ENJ INIARINGU社製商品名）的7 0 0 V波段，針對留在晶圓表面大小0 · 1 // m以上的C〇P，計數C〇P數，藉此來測定。又，距離晶圓表面0 . 5深度的C〇P密度之測定，則是在晶圓表面成長約1 // m的熱氧化膜，自該氧化膜上，以前述粒子計數器來測定，藉此予以進行。亦即，氧化膜前後的測定値的增加部分，因包含自原來的矽表面至深度約0 . 5 // m的C〇P總數，依此求得C〇P密度。於表1表示，按此所得的測定結果。 (表1 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ♦·--------訂| 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製昇溫·定溫時降溫時之霧度 P-V値 COP 密度（$ 0.1 // m ) 之氣氛條件氣氛條件 (ppm) (nm) 表面深度0.5 # m (個 /cm2) (個 /cm3) 實施例1 100% 氬 1%氫 0.40 0.73 0.15 1.5 X 103 99%氬比較例1 無熱處理無熱處理 0.30 0.80 2.20 1.5 X 104 比較例2 100% 氫 100% 氫 0.31 0.76 0.14 2.0X 1〇3 比較例3 100% 氬 100% 氬 1.42 1.33 0.15 1.5 X 103 比較例4 100% 氬 100% 氫 0.35 0.71 0.15 2.0X 1〇3 比較例5 100%M 80%氫 0.37 0.72 0.15 1.9X 1〇3 20%氬 -24 - #· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 491914 A7 B7 五、發明說明（22) 自表1硏判’利用本發明之熱處理方法，施行熱處理的矽晶圓（實施例1 )，係有與只用氫氣氛，來進行熱處理時（比較例2 )的晶圓同程度之良好的p - v値及霧度，晶圓表面則微小凹凸少，平坦度優。又’該晶圓係有與只用氬氣氛，來進行熱處理時（比較例3 )的晶圓同程度之良好的表面c〇P密度，進而，就距離0.5 //m深度的C〇P密度而言，也表示與只用氬氣氛時同程度的値。亦即，儘管此晶圓採用降溫時的氣氛爲含氫的氣氛，依然有厚的無缺陷層，推定幾乎不引起矽晶圓表面的蝕刻。由以上硏判，施行本發明之熱處理的晶圓，比熱處理前的晶圓（比較例1 )，更不會使晶圓表面的微小凹凸等惡化，而爲除去晶圓面表及表層部的結晶缺陷的高品質之石夕晶圓。另一方面，以氬氣氛，進行昇溫、降溫保持，以氫容量1 0 0 %予以降溫的晶圓（比較例4 )，或氫容量8 0 %，氬容量2 0 %予以降溫的晶圓（比較例5 )，雖然P 一 V値和霧度良好，但距離晶圓表面0 . 5 # πί涂度的 C〇P密度，則爲比本發明之晶圓惡化的値。此乃由於降溫時，氣氛的氫濃度很高，會發生晶圓表面的蝕刻，故考慮使晶圓表層的無缺陷層厚，減少至0 · 5 // m以下。 (實施例2 ) ϋ ϋ ϋ n I* I 1 I ϋ I 1 I ϋ ϋ jrg· ϋ ϋ Λί I n I (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25- 491914 A7 B7 五、發明說明（23) 對利用C Z法所得的矽晶圓，使用R τ A裝置，在 1 0 0%氫氣氛下，進行1 2 0 0°C，1 〇秒的熱處理。自熱處理的最高溫度開始降溫之際的降溫速度，係按照本發明之方法，爲2 0 °C / s e c。然後測定熱處理後的砂晶圓表面的霧度。熱處理係採用前述的RT A裝置（急速加熱、急速冷谷 P 裝置，SHUTEIATSUKU M AIKUROTETSUKU 國際社製 SHS — 2800 型）。矽晶圓係採用，以一般採行的方法來切割，利用C Ζ 法製造的矽碇，並予鏡面加工之直徑6英吋，結晶方位< 1〇0 >者。又，霧度的測定，係使用粒子計數器的L S -6030 (日立電子ENJ INIARINGU社製商品名）的7 0 0 V波段來測定，霧度位準爲單位b i t s來表示。測定結果，實施例2的晶圓霧度位準，約爲4 9 b i t s，此係比高速冷卻的情形更顯著被改善的同時，爲裝置製造上沒有問題的霧度。又，連熱處理時間，自習知方法中，以6 0 °C / s e c來降溫的情況，僅需4 0秒弱，不會使生產性受到太大的影響，且比電阻加熱方式更能提昇生產性。 (實施例3 ) 就實施例2之熱處理而言，從最高溫度1 2 0 〇 °C至 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — — — ## 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -26- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491914 A7 ________B7 五、發明說明（24) 7 0 0 °C的降溫速度，爲5 °C / s e c，未滿7 ◦ 〇艺的降溫速度’爲6 0 °C / s e c，並對矽晶圓，施行熱處理。除此以外的條件’則與實施例2相同的來進行熱處理、霧度測定。測定結果’實施例3的晶圓霧度位準，約爲2 5 b i t s，霧度位準顯著的被改善，也足以對應將來裝置之高積體化。 (比較例6 ) 就實施例2之熱處理而言，自最高溫降1 2 0 0 t開始的降溫速度，爲5 0 °C / s e c，並對矽晶圓施行熱處理。除此以外的條件，則與實施例2相同的來進行熱處理、霧度測定。測定結果，比較例晶圓的霧度位準，大於9 5 b i t s ，預料晶圓氧化膜耐壓和載體的移動度等之電氣特性降低。再者，本發明並不限於上述實施形態。上述實施形態爲例示，具有實質上與記載在本發明請求項的範圍之技術思想同一的構成，且達到同樣的效果者，均包含在本發明的技術範圍。例如，上述實施形態，係以在施行熱處理之前，對包含許多C〇P等結晶缺陷的矽晶圓做熱處理的情況爲中心所做的說明，但本發明之熱處理方法，就連結晶缺陷少的矽晶圓，也適用在改善晶圓表面的微小凹凸之目的。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -27- ^1 ϋ ϋ ϋ β— ί ϋ ϋ · ϋ ϋ I ϋ ϋ ϋ ϋ J,J i_i ϋ n ·ϋ ϋ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 491914 A7 ___B7____ 五、發明說明（25 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，使用上述R T A裝置的實施形態，是以減低晶圓的C〇P，跟改善晶圓表面的霧度之效果爲中心做一說明 ’但本發明之熱處理方法的效果，不僅可改善霧度’也可改善晶圓表面的P - V値（峰和谷的最大値）或以其他形式表示晶圓的表面狀態，且也可改善晶圓表面的平坦度。又，上述係針1對直徑6英吋或8英吋的矽晶圓’施行熱處理，但本發明當然並不因晶圓的直徑，而完全適用之，且足以適用今後1 2〜1 6英吋，或其以上的大直徑晶圓。【圖面之簡單說明】第1圖係表示熱處理昇溫時及降溫時的氣氛條件、和熱處理後的晶圓P — V値之關係圖。第2圖係表示熱處理降溫時的氣氛之氫濃度、和熱處理後的晶圓P — V値之關係圖。第3圖係表示熱處理降溫時的氣氛之氫濃度、和熱處理後的晶圓霧度之關係圖。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第4圖係表示熱處理降溫時的氣氛之氫濃度、和熱處理後的晶圓蝕刻量之關係圖。第5圖係表示熱處理定溫保持時的氣氛組成、和熱處理後的晶圓飩刻量之關係圖。第6圖係表示利用R T A裝置的熱處理之降溫速度和霧度之關係圖。第7圖係表示將降溫速度換至高速的溫度和晶圓表面本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） · 28 - 491914 A7 _B7_ 五、發明說明（26 ) 之關係圖。第8圖係表示爲了進行有關本發明之熱處理的熱處理裝置一例之槪略圖。第9圖係表示可將矽晶圓急速加熱、急速冷卻的裝置一例之槪略斷面圖。【符號之說明】 W :晶圓 1 :真空室 2 :支撐台 1 0 :熱處理裝置 1 2 :加熱燈具 1 7 :高溫計 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I I ϋ ϋ n ϋ ·.1 JuI MM am IW I I MM I 44 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 29-

Claims

491914 I® 々範利40辠泰-Ϊ ，v六表 88 88 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 · 一種矽晶圓之熱處理方法，乃屬於矽晶圓之熱處理方法，其特徵爲：對矽晶圓，於非活性氣體氣氛中，以 1〇0 0 °c以上矽融點以下的溫度，施行熱處理，且該熱處理降溫時，以含有容量1〜6 0%的氫之氣氛中來降溫〇 2 ·如申請專利範圍第1項所述之矽晶圓之熱處理方法，其中，前述非活性氣體氣氛，以氬氣氛或1含容量 3 0 %以下的氫之氬氣氛組成。 3 . —種矽晶圓之熱處理方法，乃屬於用急速加熱、急速冷卻裝置，在含有氫的還原性氣氛下，將矽晶圓做熱處理之方法中，其特徵爲：從熱處理的最高溫度至7 0 0 °C的降溫速度爲2 0 °C / s e c以下。 4 ·如申請專利範圍第3項所述之矽晶圓之熱處理方法，其中，熱處理中，未滿7 〇〇 t的降溫速度，則以比從最高溫度至7 0 0 t的降溫速度快。 5 ·如申請專利範圍第3項所述之矽晶圓之熱處理方法，其中，含有前述氫之還原性氣氛，爲氫1 0 0 %或氫與氬及/或氮的混合氣體氣氛。 6 ·如申請專利範圍第4項所述之砂晶圓之熱處理方法，其中，含有前述氫之還原性氣氛，爲氫1 〇〇 %或氫與氬及/或氮的混合氣體氣氛。 7 · —種砍晶圓，利用申請項第1項至第6項之任一項所記載之方法，被熱處理。 8 · —矽晶圓，乃屬於矽晶圓，其特徵爲：晶圓主體張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） (請先閱讀背面之注音2事項再填寫本頁) T . ϋ emmt team i_i «ϋ 1_ 1 emam —Hi ·ϋ ϋ· ϋ I I 4e 491914 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍部的結晶缺陷密度爲1 . Ο X 1 0 4個/ c m 3以上，且表面至深度0 . 5 // m的晶圓表層部的結晶缺陷，爲1 .〇 X 1 0 4個/ c m 3以下，晶圓表面的結晶缺陷密度爲〇· 15個/cm2以下，而表面粗度爲P — V値，1 · 〇 n m以下。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）