JP3451908B2 - Soiウエーハの熱処理方法およびsoiウエーハ - Google Patents
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Description
処理方法に関し、特にSOI層及び埋め込み酸化膜がエ
ッチングされることなく、SOI層表面のCOP密度を
低減させることができる熱処理方法に関する。
ulater)ウエーハの表面粗さを改善する技術とし
て、SOIウエーハを好ましくは500〜1200℃、
200Torr以下の還元性雰囲気で熱処理すると表面
粗さが改善されることが提案されている(特開平5−2
17821号公報参照)。例えば、SOIウエーハを水
素雰囲気中、950℃、80Torr以下で熱処理する
とSOI層表面粗さが20nmから1.5nmに改善さ
れるとしている。
ピタキシャル層から作製されたものである。一方、CZ
法(チョクラルスキー法)により製造されたシリコンウ
エーハをSOI層としたSOIウエーハの場合、本発明
者らの実験によると、このような従来の方法で、115
0℃で180分という高温で長時間の水素アニールを行
うと、SOIウエーハの活性層(SOI層)のシリコン
は約0.5μmエッチングされると共に、埋め込み酸化
膜にエッチピットが生じることが判ってきた。このこと
は、SOI層にCOP(Crystal Origin
ated Particle)のような欠陥があり、そ
れが下地の酸化膜まで繋がっていると、COPは消滅せ
ずにそのまま残るか、拡大することもあると共に、欠陥
を通して侵入した水素によって埋め込み酸化膜までもエ
ッチングされてしまい、ここにピットが形成され、その
近傍の活性層にも影響を及ぼしているという不利な現象
が生じていることが分かった。
SOI層を0.5μmより厚くして、熱処理をすること
を提案しているが(特願平8−257757号参照)、
この方法では0.5μm以下のSOI層を得るために
は、熱処理後さらにSOI層を薄膜化する工程が必要に
なるという欠点がある。
ャル層を成長させた後、結合し、エピタキシャル層をS
OI層とする方法が提案されているが、この方法では欠
陥は確実に消滅するものの、著しいコストの上昇は避け
られない。
は、少なくとも高温熱処理に1時間以上必要であるとし
ており、生産性が低いという問題があると共に、熱処理
炉についても、いわゆる縦型炉によるバッチ方式で熱処
理を行なうため、大量の水素を流さなければならず、そ
れに伴い危険性も増すという不利があった。
を低下させる原因としてもCOPの存在が挙げられてい
る。COPとは、結晶成長時に導入される結晶欠陥のひ
とつであり、正八面体構造の欠陥であることがわかって
いる。このCOPは、鏡面研磨後のシリコンウエーハを
アンモニアと過酸化水素の混合液で洗浄すると、ウエー
ハ表面にピットが形成され、このウエーハをパーティク
ルカウンターで測定すると、ピットも本来のパーティク
ルとともにパーティクルとして検出される。このような
ピットを本来のパーティクルと区別するためにCOPと
呼称されている。
するCOPは、電気的特性を劣化させる原因となる。例
えば、デバイスの重要な電気的特性である信頼性試験、
なかでも酸化膜の経時絶縁破壊特性(Time Dep
endent Dielectric Breakdo
wn:TDDB)は、COPと関係があり、これを向上
させるためにはCOPを減少させることが必要となって
いる。
ro Dielectric Breakdown:T
ZDB)にも影響を及ぼしているといわれている。さら
に、COPはデバイス工程においても悪影響を及ぼして
いるといわれている。つまりSOIウエーハ表面にCO
Pがあると、配線工程で段差が生じ、断線の原因とな
り、歩留まりの低下を導くというものである。
ような問題点に鑑みなされたもので、本発明の目的とす
るところは、SOI層及び埋め込み酸化膜がエッチング
されることなく、従って、ピットを形成させることな
く、水素アニール法によってSOI層のCOPを消滅さ
せることができる熱処理方法を提供することにある。そ
して、これによって酸化膜耐圧のみならず、信頼性試験
その他の電気特性を改善するとともに、生産性の向上、
水素ガスの少量化、コストダウン等を達成しようとする
ものである。
め、本発明に記載した発明は、CZ法により製造された
シリコンウエーハをSOI層とした、SOI層にCOP
があるSOIウエーハを還元性雰囲気中で熱処理する方
法において、急速加熱・急速冷却装置を用いて1100
〜1300℃の温度範囲で、1〜60秒間熱処理をする
ことによりSOI層のCOPを消滅させることを特徴と
するSOIウエーハの熱処理方法である。ここで、急速
加熱・急速冷却とは、前記温度範囲に設定された熱処理
炉中にウエーハを直ちに投入し、前記熱処理時間の経過
後、直ちに取り出す方法や、ウエーハを熱処理炉内の設
定位置に設置した後、ランプ加熱器等で直ちに加熱処理
する方法である。この直ちに投入し、取り出すというの
は、従来より行われている一定時間での昇温、降温操作
や熱処理炉内にウエーハを、ゆっくり投入し、取り出す
いわゆるローディング、アンローディング操作を行わな
いということである。ただし、炉内の所定位置まで運ぶ
には、ある程度の時間を有するのは当然であり、ウエー
ハを投入するための移動装置の能力に従い、数秒から数
分間で行われる。
・急速冷却装置(Rapid Termal Anne
aler、以下、RTA装置という)を用いて還元性雰
囲気下で、従来法に比較しより高い温度範囲で短時間に
熱処理をすれば、SOI層も埋め込み酸化膜もエッチン
グされることなく、しかも、COPを大幅に減少するこ
とができ、酸化膜耐圧のみならず、信頼性試験等の電気
特性も改善することができる。
性雰囲気とし、100%水素雰囲気、あるいは水素とア
ルゴンの混合雰囲気とすればCOP減少効果が大きいと
共に、SOI層も埋め込み酸化膜もエッチングされない
ので好ましい。
0秒と、従来法に比較しさらに短時間化を図ることがで
きる。高温で熱処理するため30秒も熱処理をすれば十
分にCOPを減少させることができるし、処理時間が短
いためSOI層も埋め込み酸化膜もエッチングされない
からである。
OIウエーハのSOI層のCOP密度が、例えば10個
/cm2 であったものが0.1個/cm2 にまで減少
し、SOI層も埋め込み酸化膜もエッチングされないS
OIウエーハが得られるので、デバイス特性が向上し、
歩留も向上する等きわめて有用なSOIウエーハとな
る。
る。本発明者らは、SOIウエーハのSOI層表面に存
在するCOPの密度を減少させると共に、SOI層も埋
め込み酸化膜もエッチングされない熱処理条件につき、
種々実験、調査を重ねた結果、これには還元性雰囲気
下、従来技術より高い温度範囲で極短時間の熱処理をす
れば、COPの密度が減少し、SOI層も埋め込み酸化
膜もエッチングされない。従って、ピットの形成もない
SOIウエーハを得ることができることを知見し、本発
明を完成させたものである。
速冷却装置(RTA装置)を用いて、熱処理を水素濃度
100%あるいは水素とアルゴンとの混合の還元性雰囲
気下で、1100℃〜1300℃の温度範囲で1秒〜6
0秒間、好ましくは1〜30秒間滞在させることでCO
Pを著しく減少させることができる。特に、この熱処理
条件によればSOIウエーハのCOP密度を実質的に零
にすることも可能である。そして、SOIウエーハのS
OI層表面のCOPの密度が約1個/cm2 以下にする
ことができれば、酸化膜耐圧のみならず経時絶縁破壊特
性(TDDB)といった電気特性の値も向上する。さら
に、このように本発明により作製されたSOIウエーハ
は、SOI層も埋め込み酸化膜も殆どエッチングされ
ず、熱処理前の膜厚を保っているので、所望のSOIウ
エーハ本来のデバイス特性を発揮することができる。
使用することで、急速加熱・急速冷却できることとなり
短時間で熱処理できることにより量産性が向上するとと
もに、水素ガスの使用量も節約できるようになり、操業
の安全性も確保することができる。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
まず、本発明で用いられる、SOIウエーハを急速加熱
・急速冷却できる装置としては、熱放射によるランプ加
熱器のような装置を挙げることができる。また、その他
市販されているものとして、例えばAST社製、SHS
−2800のような装置を挙げることができ、これらは
特別複雑で高価なものではない。
急速加熱・急速冷却できる装置の一例を示す。図3は、
急速加熱・急速冷却できる装置の概略断面図である。図
3の熱処理装置10は、例えば炭化珪素あるいは石英か
らなるベルジャ1を有し、このベルジャ1内でウエーハ
を熱処理するようになっている。加熱は、ベルジャ1を
囲繞するように配置される加熱ヒータ2,2’によって
行う。この加熱ヒータは上下方向で分割されており、そ
れぞれ独立に供給される電力を制御できるようになって
いる。もちろん加熱方式は、これに限定されるものでは
なく、いわゆる輻射加熱、高周波加熱方式としてもよ
い。加熱ヒータ2,2’の外側には、熱を遮蔽するため
のハウジング3が配置されている。
レート5が配置され、ベルジャ1内と、外気とを封鎖し
ている。そしてウエーハ8はステージ7上に保持される
ようになっており、ステージ7はモータ9によって上下
動自在な支持軸6の上端に取りつけられている。水冷チ
ャンバ4には横方向からウエーハを炉内に出し入れでき
るように、ゲートバルブによって開閉可能に構成される
不図示のウエーハ挿入口が設けられている。また、ベー
スプレート5には、ガス流入口と排気口が設けられてお
り、炉内ガス雰囲気を調整できるようになっている。
OIウエーハの急速加熱・急速冷却する熱処理は次のよ
うに行われる。まず、加熱ヒータ2,2’によってベル
ジャ1内を、例えば1100℃〜1300℃の所望温度
に加熱し、その温度に保持する。分割された加熱ヒータ
それぞれを独立して供給電力を制御すれば、ベルジャ1
内を高さ方向に沿って温度分布をつけることができる。
したがって、ウエーハの処理温度は、ステージ7の位
置、すなわち支持軸6の炉内への挿入量によって決定す
ることができる。
ら、熱処理装置10に隣接して配置される、不図示のウ
エーハハンドリング装置によってSOIウエーハを水冷
チャンバ4の挿入口から入れ、最下端位置で待機させた
ステージ7上に例えばSiCボートを介してウエーハを
乗せる。この時、水冷チャンバ4およびベースプレート
5は水冷されているので、ウエーハはこの位置では高温
化しない。
が完了したなら、すぐにモータ9によって支持軸6を炉
内に挿入することによって、ステージ7を1100℃〜
1300℃の所望温度位置まで上昇させ、ステージ上の
SOIウエーハに高温熱処理を加える。この場合、水冷
チャンバ4内のステージ下端位置から、所望温度位置ま
での移動には、例えば20秒程度しかかからないので、
SOIウエーハは急速に加熱されることになる。
定時間停止(1〜60秒)させることによって、ウエー
ハに停止時間分の高温熱処理を加えることができる。所
定時間が経過し高温熱処理が終了したなら、すぐにモー
タ9によって支持軸6を炉内から引き抜くことによっ
て、ステージ7を下降させ水冷チャンバ4内の下端位置
とする。この下降動作も、例えば20秒程度で行うこと
ができる。ステージ7上のウエーハは、水冷チャンバ4
およびベースプレート5が水冷されているので、急速に
冷却される。最後に、ウエーハハンドリング装置によっ
て、ウエーハを取り出すことによって、熱処理を完了す
る。さらに熱処理するウエーハがある場合には、熱処理
装置10の温度を降温させてないので、次々にウエーハ
を投入し連続的に熱処理をすることができる。
な熱処理装置を用い、水素100%雰囲気中で、SOI
ウエーハを枚葉式で熱処理を行った。この場合、水素の
還元力を調整する、あるいは安全上等の理由からアルゴ
ンとの混合気としてもよい。熱処理の温度条件は110
0℃〜1300℃の範囲で行ない、処理時間は1〜30
秒の範囲で実施した。使用SOIウエーハは、チョクラ
ルスキー法(CZ法)により製造されたシリコンインゴ
ットを、スライスして鏡面加工された、直径8インチ、
結晶方位<100>のシリコン単結晶ウエーハ2枚を用
い、先ず、SOI層となる一方のウエーハ(ボンドウエ
ーハ)に酸化膜を形成し、次いで他方のウエーハ(ベー
スウエーハ)と密着結合した後、ボンドウエーハを薄膜
化したものである。
る前に予め表面のCOP密度を測定し、その表面に約1
0個/cm2 のCOPが存在している事を確認した。
尚、SOIウエーハのCOP密度は、通常のシリコンウ
エーハで一般に用いられているパーティクルカウンター
を用いた方法では測定できないので、後述のHFディッ
プ法による埋め込み酸化膜の欠陥観察手法を用いて算出
した。この手法によれば、少なくともSOI層を貫通す
る大きさを有するCOPを、埋め込み酸化膜に形成され
たエッチピットとして観察できる。
OP密度の熱処理前のSOI層のCOP密度に対する比
率と熱処理温度の関係を図2に示す。この結果からわか
るように、1100℃以上、特には1200℃を越えて
高温度とするほど、また熱処理時間を10秒以上、特に
は30秒程度長く処理するとCOPが顕著に減少してお
り、デバイス特性等が著しく改善されることが期待され
る。そして、熱処理時間としては、30秒も行なえば十
分であり、安全も見込んで60秒程度行なってもよい
が、それ以上の熱処理を行ってもさらなる改善効果は期
待できず、スループットが低下する。
方法である1200℃以下で長時間の熱処理、例えば、
水素雰囲気中1100℃で2時間では、COPの密度は
9個/cm2 となり、ほとんど減少していないことがわ
かる。これらの事から高温な程、また処理時間1〜60
秒と急速加熱するほど、表面に存在するCOPの減少効
果が大きいことがわかる。
し、より高温度で短時間の熱処理を水素雰囲気中でする
ことによって、SOI層も埋め込み酸化膜もエッチング
されることなく、COPの密度を減少させる、すなわち
COPを消滅させることができ、その結果、SOIウエ
ーハの電気特性を、酸化膜耐圧のみならず信頼性試験に
ついても改善することができる。
急速加熱・急速冷却装置(RTA装置)がSOIウエー
ハの熱処理に極めて有効であることが判明したが、その
作用効果は次のように考えられる。
化膜のエッチングは、1000℃程度から顕著に発生す
るのに対し、COPの消滅は1100℃以上でないと発
生しないので、昇温レートの遅い従来の縦型炉のような
場合、例え、目標温度での熱処理時間を短時間に設定し
ても、目標温度に達するまでの1000〜1100℃へ
の昇温にもある程度の時間がかかるので、その間にSO
I層を貫通しているCOPを通して水素が侵入し、酸化
膜がエッチングされてしまい、COPが消滅する高温に
なった時点では、既に酸化膜にエッチピットが形成され
てしまっているようである。一方、RTA装置の場合
は、昇温レートが極めて速く、COPが消滅する温度に
なるのに要する時間が極めて短いため、SOI層を貫通
するCOPが存在するとしても、酸化膜がエッチングさ
れずに高温になり、COPが消滅するものと考えられ
る。
トの遅い炉であっても、例えば、1100℃までの昇温
時には、アルゴン等の不活性ガス雰囲気とし、1100
℃以上になってから水素ガスを混合することで、本発明
と同様の上記作用効果は得られる。しかし、スループッ
トや水素ガス使用量等の面でRTA装置には劣るもので
ある。
的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。 (実施例) (1)SOIウエーハの作製 SOIウエーハを作製するための2枚のウエーハは、C
Z法で引き上げられた方位〈100〉、直径8インチの
シリコンウェーハを用いた。SOI層となるウエーハ
(ボンドウエーハ)に酸化膜を0.2μm形成した後、
ベースウエーハと密着させ、これに1100℃で2時間
の結合熱処理を加えた後、ボンドウエーハを研削・研磨
し、さらに気相エッチングを行い、約0.1μmのSO
I層を持つSOIウエーハを6枚作製し、2枚を実施例
に、4枚を比較例に使用した。
用い、上記SOIウエーハを水素ガス100%の雰囲気
で、1200℃で10秒の急速加熱・急速冷却熱処理を
行った。
る酸化膜の欠陥観察) 薄いSOI層を有するSOIウエーハをHF50%水溶
液に、例えば10分間浸すと、SOI層を貫通する欠陥
があれば、これを通して埋め込み酸化膜にHFが到達し
て酸化膜がエッチングされ、エッチピットが形成され
る。酸化膜に形成されるこのエッチピットは、薄いSO
I層を透して光学顕微鏡で観察できる。本実施例におけ
る顕微鏡観察は、ウエーハ表面の直径方向にスキャンし
て、合計約10cm2 の領域のピット数を観察した。
P密度に換算すると0.1個/cm2 であった(図1参
照)。また、熱処理後のSOI層の厚みは、0.1μ
m、埋め込み酸化膜は0.2μmで熱処理前の値と変わ
らなかった。
チ式縦型炉を使用し、熱処理条件を1100℃で2時間
とした以外は実施例と同じ条件下にSOIウエーハの処
理および測定を行った。この熱処理を行った結果、観察
されたピットの個数は、それぞれ86個、93個であ
り、COP密度は約9個/cm2 までしか減少していな
かった(図1参照)。また、熱処理後のSOI層の厚み
は、0.07μmまでエッチングされており、埋め込み
酸化膜は上記COPの存在部でエッチングされ、ピット
を形成していた。
のSOIウエーハの場合、観察されたピットの個数は、
それぞれ99個、102個であり、COP密度は、平均
10個/cm2 であった。
ものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
エーハは、2枚のシリコン単結晶ウエーハをシリコン酸
化膜を介して貼り合わせた、いわゆる貼り合わせSOI
ウエーハを熱処理する場合について説明したが、本発明
はこの場合に限定されるものではなく、シリコンウエー
ハと絶縁性ウエーハを結合してSOIウエーハとする場
合、あるいは、シリコンウエーハをイオン注入したウエ
ーハに結合し、その後注入部で分離してSOIウエーハ
を製造する方法(スマートカット法と呼ばれる技術)で
得たSOIウエーハにも適用することが可能である。
な熱処理装置を用いたが、本発明はこのような装置によ
り行わなければならないものではなく、SOIウエーハ
を急速加熱・急速冷却することができる熱処理装置で、
1100℃以上に加熱することができるものであれば、
原則としてどのような装置であっても用いることができ
る。
急速加熱・急速冷却装置を用いて、還元性雰囲気下で高
温の熱処理をすることにより、SOI層表層部のCOP
を著しく低減させることができ、その結果電気特性に優
れたSOIウエーハを得ることができる。すなわち、た
とえシリコン単結晶の成長中あるいはその後の熱処理に
よって、ウエーハにCOPが導入されても、本発明の熱
処理を施すことによって、COPを消滅させることがで
きると共に、SOI層も埋め込み酸化膜もエッチングさ
れず、熱処理前の膜厚を保っているので、SOIウエー
ハ本来のデバイス特性を発揮することができる。さら
に、従来のバッチ式の熱処理に比べ、枚葉式の急速加熱
・急速冷却装置を用いることにより、短時間で処理でき
るため量産効果も上り、水素ガス使用量も減少するので
操業の安全性も確保できる。
・急速冷却装置で熱処理を行った後(実施例)及び従来
の技術で熱処理を行った後(比較例1)のCOP密度を
比較した図である。
COP密度と熱処理温度・時間の関係を示した図であ
る。
置の一例を示した概略断面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 CZ法により製造されたシリコンウエー
ハをSOI層とした、SOI層にCOPがあるSOIウ
エーハを還元性雰囲気中で熱処理する方法において、前
記還元性雰囲気を、水素とアルゴンの混合雰囲気とし、
急速加熱・急速冷却装置を用いて1100〜1300℃
の温度範囲で、1〜60秒間熱処理をすることによりS
OI層のCOPを消滅させることを特徴とするSOIウ
エーハの熱処理方法。 - 【請求項2】 CZ法により製造されたシリコンウエー
ハをSOI層とした、SOI層にCOPがあるSOIウ
エーハを還元性雰囲気中で熱処理する方法において、前
記還元性雰囲気を、100%水素雰囲気とし、急速加熱
・急速冷却装置を用いて1200℃を越えて1300℃
までの温度範囲で、1〜60秒間熱処理をすることによ
りSOI層のCOPを消滅させることを特徴とするSO
Iウエーハの熱処理方法。 - 【請求項3】 熱処理時間を、1〜30秒とすることを
特徴とする請求項1または請求項2に記載したSOIウ
エーハの熱処理方法。 - 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれか1項
に記載した熱処理を加えたSOIウエーハ。
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