KR100465527B1 - Soi 웨이퍼의 결함 제거 및 표면 경면화 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (5)
- SOI 웨이퍼를 준비하여 열처리로의 내부에 장입한 후, 약 500℃의 온도로 아르곤(Ar)가스 분위기에서 예열하는 제 1 단계와;상기 열처리로 내부의 가스 분위기를 100% 수소 가스로 하고, 900 내지 1050℃의 온도로 상기 SOI 웨이퍼를 열처리하는 제 2 단계와;상기 열처리로 내부의 가스 분위기를 100% 수소 가스로 유지하면서, 1050 내지 1100℃의 온도로 상기 SOI 웨이퍼를 열처리하는 제 3단계와;상기 열처리로 내부의 가스 분위기를 100% 아르곤(Ar)가스로 바꾸고, 1050 내지 1150℃의 온도로 상기 SOI 웨이퍼를 열처리하는 제 4단계와;상기 열처리로 내부의 가스 분위기를 100% 아르곤(Ar)가스로 유지하면서, 약 500℃의 온도로 강온시켜 상기 SOI 웨이퍼를 안정화시키는 제 5단계를 포함하는 것이 특징인 SOI웨이퍼의 결함 제거 및 표면 경면화 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2단계에서 그 열처리 시간은 4 내지 10분 동안으로 하는 것이 특징인 SOI웨이퍼의 결함 제거 및 표면 경면화 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 3단계에서 그 열처리 시간은 10 내지 20분 동안으로 하는 것이 특징인 SOI웨이퍼의 결함 제거 및 표면 경면화 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제 4단계에서 그 열처리 시간은 60 내지 90분 동안으로 하는 것이 특징인 SOI웨이퍼의 결함 제거 및 표면 경면화 방법.
- 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열처리로는 종형 확산 열처리로로 하는 것이 특징인 SOI웨이퍼의 결함 제거 및 표면 경면화 방법.
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