TWI714654B - 缺陷區域的判定方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係為一種判定自CZ法所製造的單晶矽所切出的矽晶圓的缺陷區域的缺陷區域的判定方法，包含下列步驟：（1）鏡面加工該矽晶圓，使其表面的霧度等級在藉由使用波長266nm的雷射的微粒計數器的霧度測定中為0.06ppm以下；（2）使用得以進行15nm以下尺寸的缺陷測定的微粒計數器，而測定該鏡面加工後的矽晶圓表面的缺陷數及／或缺陷密度分布；以及（3）自該測定的缺陷數及／或缺陷密度分布，判定該矽晶圓的缺陷區域。5藉此提供將自藉由CZ法製造的矽單晶所切出的矽晶圓的缺陷區域予以短時間且非破壞檢查的判定方法。

Description

缺陷區域的判定方法
本發明係關於：使用微粒計數器而判定出自藉由CZ法製造的單晶矽所切出的矽晶圓的缺陷區域的方法。
以柴式(CZ)法所製造的單晶矽，存在有FPD(Flow Pattern Defect)、LSTD(Laser Scattering Tomography Defect)、COP(Crystal Originated Particle)等的被稱為Grown-in缺陷之缺陷，由於這些缺陷係為裝置特性惡化之其一原因，而降低這些缺陷為被重視。
對於這些缺陷進行說明，首先，分別對於被捕入在矽單晶之被稱為Vacancy(以下簡稱為V)的空洞型的點缺陷，以及被稱為Interstitial-Si(以下簡稱為I)的晶格型矽點缺陷，說明一般習知的內容。
在矽單晶之中，V區域係為矽原子不足所發生的凹部或孔洞為多的區域，I區域係為由於矽原子多餘地存在而發生的轉位或多餘的矽原子塊為多的區域。特別是，已知在V區域發生的FPD、LSTD、COP等的Grown-in缺陷係為在裝置處理之中使氧化膜耐壓特性惡化的其一原因。再者，V區域與I區域之間，存在有原子不足或無多餘(少量)的Neutral區域(以下簡稱為N區域)。然後，已知：上述的Grown-in缺陷(FPD、LSTD、COP等)僅在V或I為過飽和狀態時才會發生，即使有些許的原子的偏差，若在飽和以下，也不存在有Grown-in缺陷。
更進一步，於V區域與I區域的交界附近，被稱為OSF(氧化感生堆積缺陷、Oxidation Induced Stacking Fault)的缺陷，在以對於結晶成長軸為垂直方向的剖面觀看時，確認有環狀分布(以下，將發生OSF的區域記述為「OSF區域」)。再者，已知這些缺陷區域會由於結晶生長時的提拉速度而變化。
作為評價前述的Grown-in缺陷的方法，一般有如專利文獻1或專利文獻2的使用熱處理或氧化處理的方法，或是如專利文獻3的使用蝕刻的方法。再者，作為判定缺陷區域(特別是N區域)的方法，已知有如專利文獻4的進行氧化處理的方法，更進一步，將這些方法合併Cu沉積法而實施的方法也已為人所知。
再者，如專利文獻5，雖然提供於單結晶製造時，藉由調節爐內溫度等的製造條件而製造具有期望的V區域或N區域之缺陷區域的矽單晶的方法，但是，特別是N區域所求之製造條件係為困難，難以得到安定的製品。因此，在以如此的方法進行單結晶的製造的情況下，作為品質檢查的缺陷區域的判定係為重要。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕 日本特開平10-297995號公報
〔專利文獻2〕 日本特開2000-269288號公報
〔專利文獻3〕 日本特開2000-058509號公報
〔專利文獻4〕 日本特開2004-153083號公報
〔專利文獻5〕 日本特開平11-79889號公報
判定自晶棒切出的晶圓的缺陷區域(V區域、OSF區域、N區域)的情況，如上述的專利文獻1至4實施熱處理等，之後進行OSF檢查或氧化膜耐壓評價、晶圓生命期檢查等，係為一般。但是，這些方法中，前述的熱處理就要20小時程度，若包含之後的OSF檢查等，到判定為止前，最短也必須要整整一日。更進一步，這些檢查係為破壞檢查的緣故，亦為製品的回收率下降的原因。
鑑於如同前述的問題，本發明的目的在於：提供一種將自藉由CZ法製造的矽單晶所切出的矽晶圓的缺陷區域在短時間且以非破壞檢查來判定的方法。
為了達成上述目的，本發明提供一種缺陷區域的判定方法，係判定自CZ法所製造的單晶矽所切出的矽晶圓的缺陷區域，該缺陷區域的判定方法包含下列步驟：(1)鏡面加工該矽晶圓，使其表面的霧度等級在藉由使用波長266nm的雷射的微粒計數器的霧度測定中為0.06ppm以下；(2)使用得以進行15nm以下尺寸的缺陷測定的微粒計數器，而測定該鏡面加工後的矽晶圓表面的缺陷數及/或缺陷密度分布；以及(3)自該測定的缺陷數及/或缺陷密度分布，判定該矽晶圓的缺陷區域。
如此的方法，藉由使判定缺陷區域的晶圓的霧度等級在規定值以下，並且使用規定的檢測精確度的微粒計數器，能靈敏度良好地檢測出結晶缺陷，而能自測定的缺陷數及/或缺陷密度分布，在短時間且以非破壞檢查來判定矽晶圓的缺陷區域。
再者，作為該缺陷區域，判定V區域、OSF區域及N區域為佳。
本發明的缺陷區域的判定方法對於V區域、OSF區域及N區域的判定特別有效。
再者，於該步驟(3)之前，以與該矽晶圓相同的氧濃度並且藉由該步驟(2)所使用的微粒計數器而測定缺陷區域為已知的矽晶圓的表面的缺陷數及/或缺陷密度分布，預先求得缺陷區域與矽晶圓表面的缺陷數及/或缺陷密度分布的對應關係，以及在該步驟(3)之中，基於該預先求得的對應關係，自該步驟(2)所測定的缺陷數及/或缺陷密度分布而判定該矽晶圓的缺陷區域為佳。
如此一來，藉由預先求得缺陷區域與矽晶圓表面的缺陷數及/或缺陷密度分布的對應關係，能以更短時間判定矽晶圓的缺陷區域。
再者，該矽晶圓的氧濃度為5~20ppma(JEIDA)為佳。
如此的氧濃度的矽晶圓，每個缺陷區域的缺陷數或缺陷密度分布的差異更為明確的緣故，能更正確地判定矽晶圓的缺陷區域。
如同以上，本發明的缺陷區域的判定方法，能正確地判定：在自藉由CZ法製造的矽單晶所切出的矽晶圓之中的V區域、OSF區域及N區域等的缺陷區域，再者能大幅地縮短判定所花費的時間。更進一步，本發明的缺陷區域的判定方法，由於此判定係使用微粒計數器而以非破壞檢查所進行的緣故，亦能防止製品的回收率降低。
1:矽單晶
2:V區域
3:N區域
4:OSF區域
5:I區域
A-A:切出部位
B-B:切出部位
C-C:切出部位
第1圖係係顯示本發明的缺陷區域的判定方法的一範例的流程圖。
第2圖係顯示以CZ法而在降低提拉速度的同時所成長的矽單晶之中各缺陷區域的示意圖。
第3圖係顯示在第2圖的矽單晶之中，自A-A、B-B及C-C部位所切出的矽晶圓表面內的缺陷的示意晶圓分布圖。
第4圖在實施例1之中所測定的晶圓(i)至(iii)的缺陷密度分布的晶圓分布圖。
第5圖在比較例1之中所測定的晶圓(i)至(iii)的缺陷密度分布的晶圓分布圖。
第6圖在比較例2之中所測定的晶圓(i)至(iii)的缺陷密度分布的晶圓分布圖。
如同上述，在短時間且以破壞檢查來判定自CZ法所製造的單晶矽所切出的矽晶圓的缺陷區域的方法的開發係為所求。
本發明發明人們對於上述課題努力進行研究，結果找出：將判定缺陷區域的矽晶圓的霧度為規定值以下，更進一步使用規定的檢測精確度的微粒計數器而測定結晶缺陷，藉由自該結果判定缺陷區域而能達成上述課題，進而完成了本發明。
亦即，本發明係為一種缺陷區域的判定方法，係判定自CZ法所製造的單晶矽所切出的矽晶圓的缺陷區域，該缺陷區域的判定方法包含下列步驟：(1)鏡面加工該矽晶圓，使其表面的霧度等級在藉由使用波長266nm的雷射的微粒計數器的霧度測定中為0.06ppm以下；(2)使用得以進行15nm以下尺寸的缺陷測定的微粒計數器，而測定該鏡面加工後的矽晶圓表面的缺陷數及/或缺陷密度分布；以及(3)自該測定的缺陷數及/或缺陷密度分布，判定該矽晶圓的缺陷區域。
另外，於此簡單地說明微粒計數器。微粒計數器一般具有入射系與檢測系，對矽晶圓照射入射光，自其散射光的強度，檢測出作為LPD(Light Point Defect)的存在於此矽晶圓表面的缺陷。已知在微粒計數器計數前述的LPD數時，存在於晶圓表面的數至數十nm程度的粗糙度為妨害要因。此數至數十nm程度的粗糙度係為霧度。通常，霧度所導致的散射光的大小係以相對於入射光強度的比所表示，例如：相對於入射光強度為1，而散射光的強度為其100萬分之1的情況，散射光的強度(即霧度程度)表示為1ppm。
以下，參考圖式而詳細地說明本發明，但是本發明並非限定於此。
第1圖係顯示本發明的缺陷區域的判定方法的一範例的流程圖。第1圖的缺陷區域的判定方法，藉由以下的(1)至(3)的步驟而判定缺陷區域。
(1)鏡面加工該矽晶圓，使自以CZ法製造的矽單晶所切出的矽晶圓的表面的霧度等級為0.06ppm以下； (2)使用得以進行15nm以下尺寸的缺陷測定的微粒計數器，而測定該鏡面加工後的矽晶圓表面的缺陷數及/或缺陷密度分布； (3)自該測定的缺陷數及/或缺陷密度分布，判定該矽晶圓的缺陷區域。
以下進一步詳細地說明各步驟。
〔步驟(1)〕
步驟(1)係鏡面加工該矽晶圓，使自以CZ法製造的矽單晶所切出的該矽晶圓的表面的霧度等級為0.06ppm以下。另外，霧度等級愈小愈好。
作為步驟(1)的前階段，自以CZ法製造的矽單晶切出要判定缺陷區域的矽晶圓(切割步驟)。接下來，於鏡面加工之前，進行倒角步驟、拋 光、平面磨削、雙頭磨削步驟及蝕刻步驟等亦可。另外，這些步驟以習知的方法進行即可。
接下來，將經如此準備的矽晶圓予以鏡面加工。鏡面加工係由研磨步驟及洗淨步驟所構成，在研磨步驟之中，更進一步提升已進行如上述的蝕刻等的矽晶圓的平坦度，或是使該矽晶圓的表面鏡面化。另外，於此所述的「平坦度」係具有各種頻率成分，包含大波長的Warp(翹曲)或波紋、小波長的粗糙度或微粗糙度、霧度。
與霧度關連的頻率成分，能藉由於研磨步驟使用的研磨劑、研磨布及研磨溫度等來調節，而使其低減。更具體而言，例如使研磨劑之中所含的矽的平均顆粒直徑為30nm以下，於研磨布設置形成有多數的細微孔(絨毛)的絨毛層，雖然該絨毛層係以醚系樹脂等而軟軟地構成為佳，但是當然並不限定於此。
上述的研磨步驟後的洗淨步驟係自矽晶圓去除在研磨步驟之中使用過的研磨液或研磨劑，並且去除附著於矽晶圓的金屬雜質或環境起因的微粒。
另外，在洗淨步驟之中，不使上述的研磨步驟所製作完成的矽晶圓表面的霧度品質惡化係為重要，藉由調節洗淨液或洗淨溫度等，能不使霧度品質惡化而洗淨。更具體而言，例如，作為洗淨步驟，於一般SCI的洗淨後，利用氟酸與更進一步使用臭氧實施洗淨，矽晶圓的蝕刻加工量為0.1至2.0nm為佳，但是並不限定於此。
這些研磨條件或洗淨條件等，只要是能使藉由使用波長266nm的雷射的微粒計數器的霧度測定，而霧度等級為0.06ppm以下的條件，習知的任意條件皆得以採用。
接下來，測定鏡面加工後的矽晶圓表面的霧度等級。此時，本發明進行藉由使用波長266nm的雷射的微粒計數器而進行霧度測定。作為得以用於如此霧度測定的裝置，能例舉KLA-Tencor公司製的SurfScan SP3的DWO模式等。另外，由於隨雷射波長而霧度檢測精確度會相異的緣故，必須注意在使用雷射波長相異的微粒計數器的情況下，不會成為相同的霧度值的點。
在本發明之中，如同上述，進行鏡面加工，而使所測定的鏡面加工後的矽晶圓表面的霧度等級為0.06ppm以下。亦即，在測定的霧度等級超過0.06ppm的情況下，對同一晶圓進行再次鏡面加工，或是重新鏡面加工別的晶圓，而準備鏡面加工後的表面的霧度等級為0.06ppm以下的矽晶圓。
〔步驟(2)〕
步驟(2)係使用得以進行15nm以下尺寸的缺陷測定的微粒計數器，而測定上述步驟(1)所鏡面加工後的矽晶圓表面的缺陷數及/或缺陷密度分布。
藉由使用微粒計數器，如同上述將存在於矽晶圓表面的結晶缺陷作為LPD予以檢測出，藉由計數該LPD數，能測定矽晶圓表面的缺陷數及/或缺陷密度分布。
另外，在本發明之中，此時使用得以進行15nm以下尺寸的缺陷測定的微粒計數器。在使用較此更低的檢測精確度的微粒計數器(例如僅能測定至20nm程度的大小的缺陷者)的情況下，由於各缺陷區域(特別是OSF區域及N區域)的缺陷數或缺陷密度分布的差異會變得不明確的緣故，而變得無法判別這些區域。另外，作為得以進行15nm以下尺寸的缺陷測定的微粒計數器，能例舉KLA-Tencor公司製的SurfScan SP5等。
〔步驟(3)〕
步驟(3)係自上述步驟(2)所測定的缺陷數及/或缺陷密度分布判定該矽晶圓的缺陷區域。另外，本發明的缺陷區域的判定方法對V區域、OSF區域及N區域的判定特別有效。
於此對各缺陷區域及分布的特徵進行說明。第2圖係顯示以CZ法而在降低提拉速度的同時所成長的矽單晶之中各缺陷區域的示意圖。如第2圖所示，於以CZ法而在降低提拉速度的同時所成長的矽單晶1，存在有V區域2、N區域3、OSF區域4及I區域5。這些各缺陷區域的特徵如同上述。再者，第2圖中的A-A、B-B、C-C係顯示自矽單晶1切出包含各缺陷區域的矽晶圓的情況的切出部位，第3圖係顯示在第2圖的自A-A、B-B及C-C部位所切出的矽晶圓表面內的缺陷密度分布的示意圖。
如第3圖所示，A-A部位所切出的全表面為V區域的矽晶圓，於矽晶圓的全表面發生有FPD、LSTD及COP等的Grown-in缺陷。再者，自B-B部位所切出的包含V區域、N區域及OSF區域的矽晶圓，發生由於熱氧化處理而明顯化的環狀缺陷(OSF環)，更進一步於中央部發生以V區域所表示的Grown-in缺陷。另一方面，自C-C部位所切出的全表面為N區域的矽晶圓，即使實施熱處理等，缺陷的發生也非常地少。如此一來，本來，由於各缺陷區域的缺陷數或缺陷密度分布相異的緣故，若能提高微粒計數器的缺陷的檢測敏感度，即使不實施蝕刻或熱處理等，也能藉由微粒計數器自所測定的缺陷數及/或缺陷密度分布而判定矽晶圓的缺陷區域。
於此，能於步驟(3)之前，以與判定缺陷區域的矽晶圓為相同的氧濃度並且藉由步驟(2)所使用的微粒計數器而測定缺陷區域為已知的矽晶圓的表面的缺陷數及/或缺陷密度分布，預先求得缺陷區域與矽晶圓表面的缺陷數及/或缺陷密度分布的對應關係，在步驟(3)之中，基於預先求得的對應關係，自步驟(2)所測定的缺陷數及/或缺陷密度分布而判定該矽晶圓的缺陷區域。如此一來，藉由預先求得缺陷區域與矽晶圓表面的缺陷數及/或缺陷密度分布的對應關係，能在短時間內判定矽晶圓的缺陷區域。
再者，在本發明之中，判定缺陷區域的矽晶圓的氧濃度(初期氧濃度)為5至20ppma(JEIDA)者為佳。此因：藉由微粒計數器所測定的缺陷數係與矽晶圓的氧濃度有關係。若氧濃度為5ppma以上，由於V區域及OSF區域的缺陷數會增加的緣故，V區域、OSF區域及N區域的各區域的缺陷數或缺陷密度分布的差異會更為明確，即使僅藉由微粒計數器的缺陷數及/或缺陷密度分布的測定結果(亦即，如同上述，並未進行基於預先求得的對應關係的判定)，缺陷區域的更為正確的判定亦為可能。若氧濃度為8ppma以上更佳，各缺陷區域的差異會更為明確。再者，氧濃度為20ppma以下為佳，在V區域的測定之中，不會有微粒計數器的缺陷數會過量的擔憂。
如同以上，本發明的缺陷區域的判定方法，能正確地判定在自以CZ法製造的矽單晶切出的矽晶圓之中的V區域、OSF區域及N區域，再者能大幅地降低判定所花費的時間。更進一步，本發明的缺陷區域的判定方法，由於此判定係使用微粒計數器而以非破壞檢查所進行的緣故，亦能防止製品的回收率降低。
以下利用實施例以及比較例而更具體地說明本發明，但是本發明並非限定於此。
在實施例1及比較例1與2之中，使用自同一個矽單晶所切出的缺陷區域為已知的矽晶圓。另外，矽單晶係為藉由CZ法在改變提拉速度的同時所成長的直徑300mm且初期氧濃度11ppma(JEIDA)的矽單晶。再者，作為矽晶圓，準備下列三種類：(i)全表面為V區域的矽晶圓、(ii)包含V區域、OSF區域及N區域的矽晶圓、(iii)全表面為N區域的矽晶圓。依照習知方法，對各別的矽晶圓進行倒角步驟、拋光、平面磨削、雙頭磨削步驟、蝕刻步驟。
〔實施例1〕
如同上述，對於所準備的矽晶圓(i)至(iii)，依照習知方法進行研磨步驟以及洗淨步驟，進行鏡面加工。接下來，藉由KLA-Tencor公司製SurfScan SP3的DWO模式(雷射波長為266nm)測定此鏡面加工後的晶圓表面的霧度等級，確認任一個晶圓的霧度等級皆為0.055至0.060ppm。接下來，使用得以進行15nm以下尺寸的缺陷測定的KLA-Tencor公司製SurfScan SP5，測定鏡面加工過的晶圓表面的缺陷數以及缺陷密度分布。經檢測出14nm以上的缺陷的各晶圓的缺陷密度分布(晶圓分布)表示於第4圖。另外，缺陷數在晶圓(i)約60000個，在晶圓(ii)約10000個，在晶圓(iii)約200個。
首先，僅比較缺陷數，於晶圓(i)、晶圓(ii)及晶圓(iii)各別的缺陷數有顯著的差異，能各別區別這些晶圓。接下來，比較缺陷密度分布，如第4圖所示，在晶圓(i)之中，Grown-in缺陷於晶圓全表面明顯化；在晶圓(ii)之中，外圍附近的環狀缺陷(OSF環)及於中央部被認為是V區域起因的缺陷明顯化；在晶圓(iii)之中，在晶圓全表面的缺陷非常少，因此能夠各個區別這些 晶圓。自這些結果，能判定矽晶圓(i)為全表面V區域，矽晶圓(ii)包含V區域、OSF區域及N區域，矽晶圓(iii)為全表面N區域。
更進一步，如同上述，基於：所測定的晶圓(i)至(iii)的缺陷數及缺陷密度分布，以及預先求得的在初期氧濃度為11ppma(JEIDA)的矽單晶之中的缺陷區域與矽晶圓表面的缺陷數及缺陷密度分布的對應表(未圖示)，進行缺陷區域的判定，而能判定矽晶圓(i)為全表面V區域，矽晶圓(ii)包含V區域、OSF區域及N區域，矽晶圓(iii)為全表面N區域。
〔比較例1〕
對於在實施例1中已測定缺陷數及缺陷密度分布的鏡面加工後的矽晶圓，使用僅能測定至20nm的大小的缺陷的KLA-Tencor公司製SurfScan SP3的DWO模式，測定缺陷數及缺陷密度分布。將檢測出26nm以上的缺陷的缺陷密度分布(晶圓分布)顯示於第5圖。另外，缺陷數在晶圓(i)約200個，在晶圓(ii)約40個，在晶圓(iii)約40個。
首先，僅比較缺陷數，雖然晶圓(i)的缺陷數比晶圓(ii)及晶圓(iii)的缺陷數多，但是晶圓(ii)及晶圓(iii)的缺陷數幾乎相同，而無法區別晶圓(ii)及晶圓(iii)。接下來，比較缺陷密度分布，如第5圖所示，相比於晶圓(ii)及晶圓(iii)，晶圓(i)於晶圓中央部發現大量的缺陷；晶圓(ii)及晶圓(iii)，晶圓全表面的缺陷非常少，無法區別晶圓(ii)及晶圓(iii)。如此一來可得知：在使用缺陷檢測能力為20nm等級(亦即，15nm以下的大小的缺陷的測定為不可能)的微粒計數器的情況下，即使鏡面加工後的霧度等級為0.06ppm以下，也無法判定缺陷區域。
〔比較例2〕
與實施例1相同，準備矽晶圓(i)至(iii)，變更研磨條件而進行鏡面加工，確認任一個晶圓的鏡面加工後的晶圓表面的霧度等級為0.068至0.072ppm。接下來，使用得以進行15nm以下尺寸的缺陷測定的KLA-Tencor公司製SurfScan SP5，測定鏡面加工過的晶圓表面的缺陷數以及缺陷密度分布。經檢測出14nm以上的缺陷的各晶圓的缺陷密度分布(晶圓分布)表示於第6圖。另外，任意的晶圓的微粒計數器的缺陷數皆過量，無法測定缺陷數。
如同上述，任意的晶圓的微粒計數器的缺陷數皆過量，再者如第6圖所示，無法得知正確的缺陷密度分布的緣故，而無法區別晶圓(i)至(iii)。此為，由於鏡面加工後的霧度成分的降低為不充分，矽晶圓表面的缺陷成分與霧度成分會在微粒計數器下皆被檢測為缺陷的緣故。由此得知，鏡面加工後的霧度等級在超過0.06ppm的情況下，即使使用檢測能力為10nm等級(亦即，15nm以下的大小的缺陷的測定為可能)的微粒計數器，也無法判定缺陷區域。
自以上的事情明瞭，如同本發明的缺陷區域的判定方法，藉由使判定缺陷區域的晶圓的霧度等級在規定值以下，並且使用規定的檢測精確度的微粒計數器，能靈敏度良好地檢測出結晶缺陷，而能自測定的缺陷數及/或缺陷密度分布，於短時間且以非破壞檢查而判定矽晶圓的缺陷區域。
此外，本發明並不限定於上述的實施例。上述實施例為舉例說明，凡具有與本發明的申請專利範圍所記載之技術思想實質上同樣之構成，產生相同的功效者，不論為何物皆包含在本發明的技術範圍內。

Claims (5)

  1. 一種缺陷區域的判定方法，係判定自CZ法所製造的單晶矽所切出的矽晶圓的缺陷區域，該缺陷區域的判定方法包含下列步驟： （1）鏡面加工該矽晶圓，使該矽晶圓的表面的霧度等級在藉由使用波長266nm的雷射的微粒計數器的霧度測定中為0.06ppm以下； （2）使用得以進行15nm以下尺寸的缺陷測定的微粒計數器，而測定該鏡面加工後的矽晶圓表面的缺陷數以及缺陷密度分布的其中一者或兩者；以及 （3）自該測定的缺陷數以及缺陷密度分布的其中一者或兩者，判定該矽晶圓的缺陷區域。
  2. 如請求項1所述的缺陷區域的判定方法，其中作為該缺陷區域，判定V區域、OSF區域及N區域。
  3. 如請求項1所述的缺陷區域的判定方法，其中於該步驟（3）之前，以與該矽晶圓相同的氧濃度並且藉由該步驟（2）所使用的微粒計數器而測定缺陷區域為已知的矽晶圓的表面的缺陷數以及缺陷密度分布的其中一者或兩者，預先求得缺陷區域與矽晶圓表面的缺陷數以及缺陷密度分布的其中一者或兩者的對應關係，以及在該步驟（3）之中，基於該預先求得的對應關係，自該步驟（2）所測定的缺陷數以及缺陷密度分布的其中一者或兩者而判定該矽晶圓的缺陷區域。
  4. 如請求項2所述的缺陷區域的判定方法，其中於該步驟（3）之前，以與該矽晶圓相同的氧濃度並且藉由該步驟（2）所使用的微粒計數器而測定缺陷區域為已知的矽晶圓的表面的缺陷數以及缺陷密度分布的其中一者或兩者，預先求得缺陷區域與矽晶圓表面的缺陷數以及缺陷密度分布的其中一者或兩者的關係，以及在該步驟（3）之中，基於該預先求得的對應關係，自該步驟（2）所測定的缺陷數以及缺陷密度分布的其中一者或兩者而判定該矽晶圓的缺陷區域。
  5. 如請求項1至4中任一項所述的缺陷區域的判定方法，其中該矽晶圓的氧濃度為5~20ppma（JEIDA）。
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