JP6388058B2 - シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
シリコンウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6388058B2 JP6388058B2 JP2017118148A JP2017118148A JP6388058B2 JP 6388058 B2 JP6388058 B2 JP 6388058B2 JP 2017118148 A JP2017118148 A JP 2017118148A JP 2017118148 A JP2017118148 A JP 2017118148A JP 6388058 B2 JP6388058 B2 JP 6388058B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ingot
- lpd
- atoms
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 132
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 132
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 128
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 228
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 96
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 96
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 85
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 83
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 83
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 83
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 49
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000000692 Student's t-test Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 238000012353 t test Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02598—Microstructure monocrystalline
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/221—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities of killers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
- H01L21/3225—Thermally inducing defects using oxygen present in the silicon body for intrinsic gettering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/30—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface
- H01L29/34—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface the imperfections being on the surface
Description
前記未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度を求める工程と、
前記未熱処理シリコンウェーハについて、酸素ドナー濃度を求める工程とを含んでもよく、
この場合、前記ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および前記酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、300℃以上の温度での熱処理を施すか否かを判断することを含んでもよい。
前記インゴットまたはブロックについて、酸素ドナー濃度を求める工程とを含み、
前記ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および前記酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、前記インゴットの結晶育成完了後50日以内に、前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すか否かを判断し、
前記判断が、前記インゴットまたはブロックについて、前記ホウ素濃度が、5×1014atoms/cm3以上、かつ7×1014atoms/cm3以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、4×1014個/cm3以上、かつ8×1014個/cm3以下であるとの要件を満たす場合は、前記インゴットの結晶育成完了後50日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出す、と判断するものであることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
ここで、インゴットについて「結晶育成完了」の時点は、単結晶育成に用いた融液からこの単結晶を切り離した後、この単結晶の表面温度が室温(30℃)以下になった時点をいう。
N(atoms/cm3)=(1.330×1016)/ρ+(1.082×1017)/ρ×[1+(54.56×ρ)1.105] (1)
TD(個/cm3)=1.39×1016×(1/ρAft−1/ρBef) (2)
TD(個/cm3)=1.39×1016/ρAft+5.0×1015/ρBef (3)
A:ホウ素濃度が、5×1014〜10×1014atoms/cm3であり、かつ、酸素ドナー濃度が、1×1014〜11×1014個/cm3であると判断される。
B:ホウ素濃度が、5×1014〜7×1014atoms/cm3であり、かつ、酸素ドナー濃度が、4×1014〜8×1014個/cm3である、とは判断されない。
いずれの場合も、研磨後、シリコンウェーハを洗浄して、ポリッシュドウェーハとしての製品が得られる。
ウェーハの切り出し後は、上記製造方法の一例と同様にして、研磨以降の工程を実施する。
偏在LPDが観察される未熱処理シリコンウェーハと、偏在LPDが観察されない未熱処理シリコンウェーハとについて、ウェーハの中心1点について、ホウ素濃度、および酸素ドナー濃度を求めた。いずれの未熱処理シリコンウェーハも、COPおよび転位クラスターを含まないものであった。ホウ素濃度は、上記(1)式を用いる上述の方法により求めた。酸素ドナー濃度は、上記(2)式または(3)式を用いる上述の方法により求めた。また、ウェーハ上に偏在LPDが存在するか否かは、LPDの分布について、ウェーハ25枚分のデータを加え合わせて、上述の方法により判断した。上記偏在LPDが観察された未熱処理シリコンウェーハにおいて、相対的にLPD密度が高い領域は他の領域よりもLPD密度が5〜14倍高かった。
420本のシリコン単結晶インゴットを、チョクラルスキー法により育成し、結晶育成完了後インゴットからウェーハを切り出すまでの日数(以下、「リードタイム」という。)を変えて、切り出したウェーハについて、ホウ素濃度、および酸素ドナー濃度を測定するとともに、偏在LPDの有無を調査した。
Claims (4)
- アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度を求める工程と、
前記インゴットまたはブロックについて、酸素ドナー濃度を求める工程とを含み、
前記ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および前記酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、前記インゴットの結晶育成完了後50日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すか否か、を判断し、
前記判断が、前記インゴットまたはブロックについて、前記ホウ素濃度が、5×1014atoms/cm3以上、かつ7×1014atoms/cm3以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、4×1014個/cm3以上、かつ8×1014個/cm3以下であるとの要件を満たす場合は、前記インゴットの結晶育成完了後50日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出す、と判断するものであることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 前記インゴットの結晶育成完了後50日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すか否かを、ロット単位で判断することを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度が、5×1014atoms/cm3以上、かつ7×1014atoms/cm3以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、4×1014個/cm3以上、かつ8×1014個/cm3以下であるとの要件を満たす場合であって、前記インゴットの結晶育成完了後50日を超えて前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出した場合に、当該切り出されたウェーハに対して、300℃以上の温度での熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
- アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度が、5×1014atoms/cm3以上、かつ7×1014atoms/cm3以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、4×1014個/cm3以上、かつ8×1014個/cm3以下であるとの要件を満たす場合であって、前記インゴットの結晶育成完了後50日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出した場合には、当該切り出されたウェーハに対して、300℃以上の温度での熱処理を施さないことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014114335 | 2014-06-02 | ||
JP2014114335 | 2014-06-02 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016525673A Division JP6187689B2 (ja) | 2014-06-02 | 2015-04-10 | シリコンウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017200878A JP2017200878A (ja) | 2017-11-09 |
JP6388058B2 true JP6388058B2 (ja) | 2018-09-12 |
Family
ID=54766375
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016525673A Active JP6187689B2 (ja) | 2014-06-02 | 2015-04-10 | シリコンウェーハの製造方法 |
JP2017118148A Active JP6388058B2 (ja) | 2014-06-02 | 2017-06-15 | シリコンウェーハの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016525673A Active JP6187689B2 (ja) | 2014-06-02 | 2015-04-10 | シリコンウェーハの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10526728B2 (ja) |
JP (2) | JP6187689B2 (ja) |
KR (1) | KR101895817B1 (ja) |
CN (1) | CN106463403B (ja) |
DE (1) | DE112015002599T5 (ja) |
TW (2) | TWI571541B (ja) |
WO (1) | WO2015186288A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112015002599T5 (de) * | 2014-06-02 | 2017-04-06 | Sumco Corporation | Silicium-Wafer und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP6614066B2 (ja) * | 2016-08-22 | 2019-12-04 | 株式会社Sumco | シリコン接合ウェーハの製造方法 |
JP6711327B2 (ja) * | 2017-07-18 | 2020-06-17 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハ製造工程の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
JP6841202B2 (ja) * | 2017-10-11 | 2021-03-10 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
JP7463934B2 (ja) | 2020-10-07 | 2024-04-09 | 信越半導体株式会社 | N型シリコン単結晶ウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6031232A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-18 | Toshiba Corp | 半導体基体の製造方法 |
JPH0786289A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-03-31 | Toshiba Corp | 半導体シリコンウェハおよびその製造方法 |
US5629216A (en) * | 1994-06-30 | 1997-05-13 | Seh America, Inc. | Method for producing semiconductor wafers with low light scattering anomalies |
JP2862229B2 (ja) * | 1996-01-26 | 1999-03-03 | ローム株式会社 | 半導体装置製造計画作成装置および半導体装置製造計画作成方法 |
US6548886B1 (en) * | 1998-05-01 | 2003-04-15 | Wacker Nsce Corporation | Silicon semiconductor wafer and method for producing the same |
TW505710B (en) * | 1998-11-20 | 2002-10-11 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | Production method for silicon single crystal and production device for single crystal ingot, and heat treating method for silicon single crystal wafer |
JP4078782B2 (ja) | 2000-03-14 | 2008-04-23 | 株式会社Sumco | 高品質シリコン単結晶の製造方法 |
US6663708B1 (en) * | 2000-09-22 | 2003-12-16 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Silicon wafer, and manufacturing method and heat treatment method of the same |
JP4607304B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2011-01-05 | 信越半導体株式会社 | 太陽電池用シリコン単結晶及び太陽電池用シリコン単結晶ウエーハ並びにその製造方法 |
JP4822582B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2011-11-24 | Sumco Techxiv株式会社 | ボロンドープされたシリコンウエハの熱処理方法 |
KR20080017376A (ko) * | 2005-05-19 | 2008-02-26 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크. | 고저항률 실리콘 구조 및 그 제조 프로세스 |
KR101313326B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2013-09-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 후속 열처리에 의해 산소 침전물로 되는 유핵의 분포가제어된 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
JP5568837B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2014-08-13 | 株式会社Sumco | シリコン基板の製造方法 |
JP5561918B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2014-07-30 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
JP5537802B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-07-02 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | シリコンウエハの製造方法 |
US8263484B2 (en) * | 2009-03-03 | 2012-09-11 | Sumco Corporation | High resistivity silicon wafer and method for manufacturing the same |
JP5407473B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2014-02-05 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
JP5515406B2 (ja) | 2009-05-15 | 2014-06-11 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
JP2010283144A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Sumco Corp | シリコンウェーハ及びその製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法 |
JP5707682B2 (ja) | 2009-08-21 | 2015-04-30 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
DE112011100688T5 (de) * | 2010-02-26 | 2013-02-28 | Sumco Corporation | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterwafers |
FR2959351B1 (fr) * | 2010-04-26 | 2013-11-08 | Photowatt Int | Procede de preparation d’une structure de type n+pp+ ou de type p+nn+ sur plaques de silicium |
WO2012005289A1 (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-12 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法およびその研磨液 |
WO2012167104A1 (en) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | Memc Singapore Pte, Ltd. | Processes for suppressing minority carrier lifetime degradation in silicon wafers |
JP5682471B2 (ja) | 2011-06-20 | 2015-03-11 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
KR101246493B1 (ko) * | 2011-07-08 | 2013-04-01 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼의 결함 평가방법 |
US9281206B2 (en) * | 2011-10-12 | 2016-03-08 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor processing by magnetic field guided etching |
JP5772553B2 (ja) * | 2011-12-06 | 2015-09-02 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 |
JP5621791B2 (ja) * | 2012-01-11 | 2014-11-12 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法及び電子デバイス |
JP6111572B2 (ja) * | 2012-09-12 | 2017-04-12 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
FR2997096B1 (fr) * | 2012-10-23 | 2014-11-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de formation d'un lingot en silicium de resistivite uniforme |
JP2014236093A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | サンケン電気株式会社 | シリコン系基板、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
DE112014006165B4 (de) * | 2014-01-14 | 2023-02-09 | Sumco Corporation | Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Wafers |
JP6156188B2 (ja) * | 2014-02-26 | 2017-07-05 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
DE112015002599T5 (de) * | 2014-06-02 | 2017-04-06 | Sumco Corporation | Silicium-Wafer und Verfahren zu dessen Herstellung |
-
2015
- 2015-04-10 DE DE112015002599.5T patent/DE112015002599T5/de active Pending
- 2015-04-10 US US15/306,860 patent/US10526728B2/en active Active
- 2015-04-10 WO PCT/JP2015/002025 patent/WO2015186288A1/ja active Application Filing
- 2015-04-10 KR KR1020167035181A patent/KR101895817B1/ko active IP Right Grant
- 2015-04-10 CN CN201580029564.0A patent/CN106463403B/zh active Active
- 2015-04-10 JP JP2016525673A patent/JP6187689B2/ja active Active
- 2015-06-01 TW TW104117600A patent/TWI571541B/zh active
- 2015-06-01 TW TW105126517A patent/TWI580826B/zh active
-
2017
- 2017-06-15 JP JP2017118148A patent/JP6388058B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201643281A (zh) | 2016-12-16 |
TWI571541B (zh) | 2017-02-21 |
JP2017200878A (ja) | 2017-11-09 |
WO2015186288A1 (ja) | 2015-12-10 |
KR20170005107A (ko) | 2017-01-11 |
US10526728B2 (en) | 2020-01-07 |
CN106463403A (zh) | 2017-02-22 |
CN106463403B (zh) | 2020-05-05 |
JPWO2015186288A1 (ja) | 2017-04-20 |
JP6187689B2 (ja) | 2017-08-30 |
TW201608064A (zh) | 2016-03-01 |
KR101895817B1 (ko) | 2018-09-07 |
US20170044688A1 (en) | 2017-02-16 |
TWI580826B (zh) | 2017-05-01 |
DE112015002599T5 (de) | 2017-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6388058B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
US8088219B2 (en) | Monocrystalline semiconductor wafer comprising defect-reduced regions and method for producing it | |
US10513798B2 (en) | Method for determining defect region | |
JP5998225B2 (ja) | 結晶関連欠陥の位置を示す方法 | |
US7718446B2 (en) | Evaluation method for crystal defect in silicon single crystal wafer | |
JP6565624B2 (ja) | シリコンウェーハの品質評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 | |
JP2008085333A (ja) | 金属汚染と熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法 | |
JP2013004825A (ja) | シリコンウェーハ及びその製造方法 | |
KR20120084257A (ko) | 실리콘 단결정의 검사 방법 및 제조 방법 | |
CN109477241B (zh) | 硅晶片的评价方法及制造方法 | |
JP2001081000A (ja) | シリコン単結晶の結晶欠陥評価方法 | |
US10020203B1 (en) | Epitaxial silicon wafer | |
JP2004119446A (ja) | アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ | |
JP6731161B2 (ja) | シリコン単結晶の欠陥領域特定方法 | |
KR102661941B1 (ko) | 웨이퍼의 결함 영역의 평가 방법 | |
JP5742739B2 (ja) | 金属汚染評価用シリコン基板の選別方法 | |
JP2007142063A (ja) | シリコン単結晶ウエーハ、これを用いたデバイスの製造方法、並びにそのシリコン単結晶ウエーハの製造方法及び評価方法 | |
JP2006005017A (ja) | アニールウエーハの評価方法及び品質保証方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180402 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180717 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180730 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6388058 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |