JPWO2015186288A1 - シリコンウェーハおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度を求める工程と、
前記未熱処理シリコンウェーハについて、酸素ドナー濃度を求める工程とを含み、
前記ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および前記酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、300℃以上の温度での熱処理を施すか否かを判断することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
前記インゴットまたはブロックについて、酸素ドナー濃度を求める工程とを含み、
前記ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および前記酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、前記インゴットの結晶育成完了後50日以内に、前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すか否かを判断することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
上記(A)〜(F)の製造方法により製造されたことを特徴とするシリコンウェーハ。
上記(A)〜(F)の製造方法により製造されたことを特徴とするシリコンウェーハ。
ここで、インゴットについて「結晶育成完了」の時点は、単結晶育成に用いた融液からこの単結晶を切り離した後、この単結晶の表面温度が室温(30℃)以下になった時点をいう。
本発明のシリコンウェーハは、偏在LPDが存在しないか低減されている。
N(atoms/cm3)=(1.330×1016)/ρ+(1.082×1017)/ρ×[1+(54.56×ρ)1.105] (1)
TD(個/cm3)=1.39×1016×(1/ρAft−1/ρBef) (2)
TD(個/cm3)=1.39×1016/ρAft+5.0×1015/ρBef (3)
A:ホウ素濃度が、5×1014〜10×1014atoms/cm3であり、かつ、酸素ドナー濃度が、1×1014〜11×1014個/cm3であると判断される。
B:ホウ素濃度が、5×1014〜7×1014atoms/cm3であり、かつ、酸素ドナー濃度が、4×1014〜8×1014個/cm3である、とは判断されない。
いずれの場合も、研磨後、シリコンウェーハを洗浄して、ポリッシュドウェーハとしての製品が得られる。
ウェーハの切り出し後は、本発明の第1の実施形態と同様にして、研磨以降の工程を実施する。
偏在LPDが観察される未熱処理シリコンウェーハと、偏在LPDが観察されない未熱処理シリコンウェーハとについて、ウェーハの中心1点について、ホウ素濃度、および酸素ドナー濃度を求めた。いずれの未熱処理シリコンウェーハも、COPおよび転位クラスターを含まないものであった。ホウ素濃度は、上記(1)式を用いる上述の方法により求めた。酸素ドナー濃度は、上記(2)式または(3)式を用いる上述の方法により求めた。また、ウェーハ上に偏在LPDが存在するか否かは、LPDの分布について、ウェーハ25枚分のデータを加え合わせて、上述の方法により判断した。上記偏在LPDが観察された未熱処理シリコンウェーハにおいて、相対的にLPD密度が高い領域は他の領域よりもLPD密度が5〜14倍高かった。
420本のシリコン単結晶インゴットを、チョクラルスキー法により育成し、結晶育成完了後インゴットからウェーハを切り出すまでの日数(以下、「リードタイム」という。)を変えて、切り出したウェーハについて、ホウ素濃度、および酸素ドナー濃度を測定するとともに、偏在LPDの有無を調査した。
Claims (14)
- 未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度が、5×1014atoms/cm3以上、かつ7×1014atoms/cm3以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、4×1014個/cm3以上、かつ8×1014個/cm3以下である場合に、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、300℃以上の温度での熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
- シリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度が、5×1014atoms/cm3以上、かつ7×1014atoms/cm3以下であり、かつ、酸素ドナー濃度が、4×1014個/cm3以上、かつ8×1014個/cm3以下である場合に、前記インゴットの結晶育成完了後50日以内に、前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
- ドナーキラー熱処理した場合の抵抗率が、19Ω・cm以上、かつ26Ω・cm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶をスライスして、未熱処理シリコンウェーハを得る工程と、
前記未熱処理シリコンウェーハについて、ホウ素濃度を求める工程と、
前記未熱処理シリコンウェーハについて、酸素ドナー濃度を求める工程とを含み、
前記ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および前記酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、300℃以上の温度での熱処理を施すか否か、を判断することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 前記判断が、前記未熱処理シリコンウェーハについて、前記ホウ素濃度が、5×1014atoms/cm3以上、かつ7×1014atoms/cm3以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、4×1014個/cm3以上、かつ8×1014個/cm3以下であるとの要件を満たさない場合は、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、300℃以上の温度での熱処理を施すことなく、研磨を行う、と判断するものであることを特徴とする請求項4に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記判断が、前記未熱処理シリコンウェーハについて、前記ホウ素濃度が、5×1014atoms/cm3以上、かつ7×1014atoms/cm3以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、4×1014個/cm3以上、かつ8×1014個/cm3以下であるとの要件を満たす場合は、前記未熱処理シリコンウェーハに対して、300℃以上の温度での熱処理を施した後、研磨を行う、と判断するものであることを特徴とする請求項4に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記未熱処理シリコンウェーハに対して、300℃以上の温度での前記熱処理を施すか否かを、ロット単位で判断することを特徴とする請求項4から6のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
- アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、ホウ素濃度を求める工程と、
前記インゴットまたはブロックについて、酸素ドナー濃度を求める工程とを含み、
前記ホウ素濃度を求める工程で求められたホウ素濃度、および前記酸素ドナー濃度を求める工程で求められた酸素ドナー濃度に基づき、前記インゴットの結晶育成完了後50日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すか否か、を判断することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 前記判断が、前記インゴットまたはブロックについて、前記ホウ素濃度が、5×1014atoms/cm3以上、かつ7×1014atoms/cm3以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、4×1014個/cm3以上、かつ8×1014個/cm3以下であるとの要件を満たす場合は、前記インゴットの結晶育成完了後50日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出す、と判断するものであることを特徴とする請求項8に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記インゴットの結晶育成完了後50日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出すか否かを、ロット単位で判断することを特徴とする請求項8または9に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、前記ホウ素濃度が、5×1014atoms/cm3以上、かつ7×1014atoms/cm3以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、4×1014個/cm3以上、かつ8×1014個/cm3以下であるとの要件を満たす場合であって、前記インゴットの結晶育成完了後50日を超えて前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出した場合に、当該切り出されたウェーハに対して、300℃以上の温度での熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
- アクセプタとしてホウ素を含有するシリコン単結晶のインゴット、または当該インゴットから切り出したブロックについて、前記ホウ素濃度が、5×1014atoms/cm3以上、かつ7×1014atoms/cm3以下であり、かつ、前記酸素ドナー濃度が、4×1014個/cm3以上、かつ8×1014個/cm3以下であるとの要件を満たす場合であって、前記インゴットの結晶育成完了後50日以内に前記インゴットまたはブロックからウェーハを切り出した場合には、当該切り出されたウェーハに対して、300℃以上の温度での熱処理を施さないことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
- 半導体デバイス製造ラインにおいてパーティクルをモニターするためのパーティクルモニターウェーハであって、
請求項1から12のいずれかの製造方法により製造されたことを特徴とするシリコンウェーハ。 - COPおよび転位クラスターを含まないシリコンウェーハであって、
請求項1から12のいずれかの製造方法により製造されたことを特徴とするシリコンウェーハ。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002104897A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン結晶及びシリコン結晶ウエーハ並びにその製造方法 |
JP2008545605A (ja) * | 2005-05-19 | 2008-12-18 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 高抵抗率シリコン構造体およびその製造方法 |
JP2013004825A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6031232A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-18 | Toshiba Corp | 半導体基体の製造方法 |
JPH0786289A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-03-31 | Toshiba Corp | 半導体シリコンウェハおよびその製造方法 |
US5629216A (en) * | 1994-06-30 | 1997-05-13 | Seh America, Inc. | Method for producing semiconductor wafers with low light scattering anomalies |
JP2862229B2 (ja) | 1996-01-26 | 1999-03-03 | ローム株式会社 | 半導体装置製造計画作成装置および半導体装置製造計画作成方法 |
KR100541882B1 (ko) * | 1998-05-01 | 2006-01-16 | 왁커 엔에스씨이 코포레이션 | 실리콘 반도체 기판 및 그의 제조 방법 |
TW505710B (en) * | 1998-11-20 | 2002-10-11 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | Production method for silicon single crystal and production device for single crystal ingot, and heat treating method for silicon single crystal wafer |
JP4078782B2 (ja) | 2000-03-14 | 2008-04-23 | 株式会社Sumco | 高品質シリコン単結晶の製造方法 |
US6663708B1 (en) * | 2000-09-22 | 2003-12-16 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Silicon wafer, and manufacturing method and heat treatment method of the same |
JP4822582B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2011-11-24 | Sumco Techxiv株式会社 | ボロンドープされたシリコンウエハの熱処理方法 |
KR101313326B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2013-09-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 후속 열처리에 의해 산소 침전물로 되는 유핵의 분포가제어된 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 |
JP5568837B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2014-08-13 | 株式会社Sumco | シリコン基板の製造方法 |
JP5561918B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2014-07-30 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
JP5537802B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-07-02 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | シリコンウエハの製造方法 |
US8263484B2 (en) * | 2009-03-03 | 2012-09-11 | Sumco Corporation | High resistivity silicon wafer and method for manufacturing the same |
JP5407473B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2014-02-05 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
JP5515406B2 (ja) | 2009-05-15 | 2014-06-11 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
JP2010283144A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Sumco Corp | シリコンウェーハ及びその製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法 |
JP5707682B2 (ja) | 2009-08-21 | 2015-04-30 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
KR20120091371A (ko) * | 2010-02-26 | 2012-08-17 | 가부시키가이샤 사무코 | 반도체 웨이퍼의 제조 방법 |
FR2959351B1 (fr) * | 2010-04-26 | 2013-11-08 | Photowatt Int | Procede de preparation d’une structure de type n+pp+ ou de type p+nn+ sur plaques de silicium |
US20130109180A1 (en) * | 2010-07-08 | 2013-05-02 | Sumco Corporation | Method for polishing silicon wafer, and polishing solution for use in the method |
WO2012167104A1 (en) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | Memc Singapore Pte, Ltd. | Processes for suppressing minority carrier lifetime degradation in silicon wafers |
KR101246493B1 (ko) * | 2011-07-08 | 2013-04-01 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼의 결함 평가방법 |
US9281206B2 (en) * | 2011-10-12 | 2016-03-08 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor processing by magnetic field guided etching |
JP5772553B2 (ja) | 2011-12-06 | 2015-09-02 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 |
JP5621791B2 (ja) * | 2012-01-11 | 2014-11-12 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法及び電子デバイス |
JP6111572B2 (ja) * | 2012-09-12 | 2017-04-12 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
FR2997096B1 (fr) * | 2012-10-23 | 2014-11-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de formation d'un lingot en silicium de resistivite uniforme |
JP2014236093A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | サンケン電気株式会社 | シリコン系基板、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
US10177008B2 (en) * | 2014-01-14 | 2019-01-08 | Sumco Corporation | Silicon wafer and method for manufacturing the same |
JP6156188B2 (ja) * | 2014-02-26 | 2017-07-05 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
US10526728B2 (en) * | 2014-06-02 | 2020-01-07 | Sumco Corporation | Silicon wafer and method for manufacturing same |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002104897A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン結晶及びシリコン結晶ウエーハ並びにその製造方法 |
JP2008545605A (ja) * | 2005-05-19 | 2008-12-18 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 高抵抗率シリコン構造体およびその製造方法 |
JP2013004825A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウェーハ及びその製造方法 |
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