JP5440564B2 - 結晶欠陥の検出方法 - Google Patents
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Description
図1を参照して、結晶欠陥の顕在化ができるモデルを説明する。このモデルは、後述のように、1≦α(=酸素固溶度/初期酸素濃度)≦3のときに成り立つ。
図2を参照して、酸素が外方拡散するモデルを説明する。このモデルは、後述のように、酸素固溶度/初期酸素濃度=α<1のときに成り立つ。
図3を参照して、酸素が内方拡散し、結晶欠陥が消滅するモデルを説明する。このモデルは、後述のように、酸素固溶度/初期酸素濃度=α>3のときに成り立つ。
図4を参照して、熱処理温度が低すぎる場合に結晶欠陥の顕在化が十分にならないモデルを説明する。図4(a)は図1(a)、図2(a)及び図3(a)と同様に、熱処理前段階の結晶状態を示している。
結晶欠陥の顕在化のために最適なα=酸素固溶度/初期酸素濃度の値(上記モデルのうち、(1)結晶欠陥の顕在化ができるモデルに当てはまる値)を求めるため、以下の実験を行った。
まず、直径200mm、酸素濃度4ppma(JEIDA)、窒素濃度3×1013atoms/cm3、V領域(空孔(Vacancy)の多い領域であり、空孔とはシリコン原子の不足から発生する原子レベルの大きさの欠陥である。)のシリコン単結晶ウェーハを、6枚、同一のシリコン単結晶インゴットから切り出して準備した。
Claims (4)
- 窒素をドープした初期酸素濃度8ppma(JEIDA)以下のシリコン単結晶ウェーハに存在する結晶欠陥の検出方法であって、
前記シリコン単結晶ウェーハに酸素雰囲気下にて熱処理を行うことにより、前記結晶欠陥内に酸素を注入し、欠陥サイズが25nm以下の結晶欠陥を顕在化して検出可能にする工程と、
前記熱処理後のシリコン単結晶ウェーハの結晶欠陥を検出する工程と
を含み、
前記熱処理時における、前記シリコン単結晶ウェーハの酸素固溶度と初期酸素濃度の比率を、α=酸素固溶度/初期酸素濃度としたとき、αを1以上3以下の範囲になるように前記熱処理における熱処理温度を設定することを特徴とする結晶欠陥の検出方法。 - 前記熱処理温度を900℃〜1200℃とし、前記熱処理を行う時間を10〜60分とすることを特徴とする請求項1に記載の結晶欠陥の検出方法。
- 前記シリコン単結晶ウェーハの窒素ドープ濃度を、1×1013〜1×1015atoms/cm3とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の結晶欠陥の検出方法。
- 前記結晶欠陥の検出を、光散乱方式のパーティクルカウンタによる検出、コンフォーカル光学系のレーザー顕微鏡による検出、及び、RIE法による検出のいずれかにより行うことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の結晶欠陥の検出方法。
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