JP4449842B2 - 半導体基板の測定方法 - Google Patents
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また、上記熱処理を施すだけで従来見えなかった欠陥情報を顕在化させて測定できるので極めて簡便である。
このように、前記熱処理の温度を1200℃以下とすれば、熱処理における温度を高くし過ぎることなく、そのため、熱処理中に形成された前記ピット、すなわち基板の表面に存在する欠陥の跡を消滅させてしまうのを抑制し、より確実にピットを残留させて欠陥をさらに正確に測定することができる。
このように、前記雰囲気ガスを、アルゴンまたは水素、あるいはこれらの混合ガスとすれば、高温熱処理の下、シリコン基板の表面を微量エッチングすることができ、正確に微小欠陥をエッチングして顕在化させることができる。また、熱処理等において頻繁に用いられているガスでもあり準備し易い。
このように、パーティクルカウンターを用いて計測すれば、基板表面に形成されたピットを簡単かつ正確に計測することが可能である。したがって、シリコン基板の表面に存在する欠陥について正確なデータを得ることができる。
上述したように、近年のデバイスの高集積化、高信頼性の要求から結晶成長速度が小さいシリコン結晶が用いられるようになったことに伴い、酸素析出物等の欠陥の挙動がより重要視されるようになった。この結晶から切り出され、熱処理が施されていないシリコン基板中の上記欠陥は極めて微小であり、この微小欠陥の検出にあたっては、例えば二段熱処理などの熱処理によって酸素析出核を成長させた後に、選択エッチング法や光学的手法により欠陥を検出して測定する方法が開示されている。
まず、チョクラルスキー法によりシリコン結晶を引上げ、この結晶から切り出し、熱処理が施されていないアズグロウンの半導体シリコン基板を用意する。
この半導体シリコン基板を例えば熱処理用ボートに載置し、熱処理炉内に搬入する。そして、熱処理炉内で、アルゴンまたは水素、あるいはこれらの混合ガス雰囲気の下、シリコン基板を熱処理する。なお、本発明の測定方法を実施する際に使用する熱処理炉は、いわゆる縦型や横型等、また、バッチ方式か枚葉方式か、さらには加熱方式等についても特に限定されない。上述の温度・時間範囲における熱処理を施せるものであれば良い。
(実施例1〜7、比較例1〜4)
チョクラルスキー法によって結晶成長速度0.6mm/minのシリコン結晶を引上げ、この結晶から切り出して、ボイド欠陥が低密度の方位<100>、直径200mmのシリコン基板を用意した。このサンプルを縦型熱処理炉(日立国際電気社製 DD−813V)で、炉内温度、保持時間を変えて熱処理し、その後、パーティクルカウンター(KLA テンコール社製 SP1)でパーティクルサイズ0.12μm以上としてシリコン基板表面のピットを計測した。
また、X=1150℃に固定し、t=0(比較例3)、10分(実施例5)、1時間(実施例6)、4時間(実施例7)、8時間(比較例4)の熱処理を施した場合の欠陥を測定した。
なお、熱処理を施す前のシリコン基板においてパーティクルカウンターによりピットを測定したところ、最大10個/ウエーハであり、特異な分布はなかった。
Claims (3)
- チョクラルスキー法により製造された半導体シリコン基板の表面にある欠陥を測定する方法であって、前記半導体シリコン基板に対してエッチング作用を持つアルゴン雰囲気下において、1100℃以上融点未満の温度で10分以上4時間以下の熱処理を前記半導体シリコン基板に施すことによって、該半導体シリコン基板の表面に形成されている酸化膜をエッチング除去するとともに、表面にある欠陥をエッチングしてピットを形成し、その後、該ピットを計測することにより、前記半導体シリコン基板の表面の欠陥を測定することを特徴とする半導体基板の測定方法。
- 前記熱処理の温度を1200℃以下とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の測定方法。
- 前記ピットの計測を、パーティクルカウンターにより行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体基板の測定方法。
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