JPS6067634A - 真空インタラプタの電極材料とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、真空インタラプタの電極材料とその製造方法
とに関する。

一般に、真空インタラプタの電極は、 １）大電流を遮断する能力が高いこと、２）絶縁強度が
大きいこと、 ３）耐溶着性が良好なこと、及び ４）小電流を良好に連断できること（さい断電流値が小
さいこと） 等の電極条件を満足することが要求されている。

従来、上記の電極条件を満足すべく、種々の電極材料が
提案されている。が、いずれの′ｎｔ極祠料も、上記の
電極条件を十分には満足しないのが現状である。

例えば、銅に微量の高蒸気圧・低融点材料を含有せしめ
た種々の電極、例えば、％公昭４１−１２１３１号公報
（米国特許証＠　３，２４６，９７９号参照）に示され
ている、銅に０．５重］俤のビスマスを含有せしめてな
るもの（以下、Ｃｕ　−０，５Ｂ　ｉ電極という）、ま
たは、特公昭４８−３６０７１号公報（米国特許証第３
，５９６，０２７号参照）に示されているもの等が知ら
れている。

これら高蒸気圧・低融点材料を含有してなる電極にあっ
ては、上記の電極条件から餌て、大電流遮断能力、耐溶
着性および心電率に冴れているものの、絶縁強度、特に
大電流西断後の絶縁強度が著しく低下する欠点があり、
しかも、さい断電流値がＩＯＡと高いために重流潤断時
にさい断ザージを発生することがあるので、連れ小電流
を良好に遮断し得ない欠点があり、したがって、負荷側
の゛屯気機器の絶縁破壊を引起す虞れがあった。

また、例えば、上記高蒸気圧・低融点材料を含有する７
１：極の上述したような欠点を解消するのを目的とした
電極として、鋏と低蒸気圧・高融点１料との合金から成
るもの、例えば、特公昭５３−６７１０号公報に示され
ているＡｇ−ＷＣ合金から成るもの（以下、Δｇ−ＷＣ
電極という。）が知られている。この低蒸気圧・高融点
１料を含有する電極（＝Ａ３つでは、」二■己のγ（尤
栖条イ生から４兄′で、さい町−ｒ　？Ｋｉ）Ｉｉ：値
が小さくなる利点はあるものの、１席断性能が低くキ、
さらに、銀を用いているために、電極が高価と７：Ｃる
とともにこの電極は９５（１”ｃ以上の温度でろう付け
（’ｌ’！＋に、へ空ろうイτＪけ）できない欠点があ
った。

本発明は、上述した技術水準に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、耐溶着性を実用上不都合とな
らない程度に良好に維持しつつ、さい断電流値を極めて
小さくし、絶縁強度を極めて大きくし得るとともに、大
電流および小電流のいずれをも良好に遮断し得るように
した、真空インタラプタの電極材料とその製造方法な捉
供することである。

上記の目的を達成するための特定発明にかかる真空イン
タラプタの電極材料は、２０〜８０重２ｊ　％の鍋と、
３０〜８０重量係のクロムと、１０〜３５重量％の鉄と
、０．５〜１５重訃チの炭素と、０５〜１５重量係の炭
素と、０．５〜１５￥ｔ、−針条の硅素と７：［らなる
複合金屑である。

また、上記の目的を達成するための第２発明にかかる真
空インクラブタの電極材料は、２０〜８０重１４％の銅
と、残りがフェロクロムとから成り、このフェロクロム
が含有する、炭素と硅素とを含めて、炭素及び硅素の含
有率がいずれも０．５〜１５重量％とｒｚる複合金属で
ある。

また、上記の目的を達成するための第３発明にかかる、
真空インタラプタの１′１２極材料の製造方法は、クロ
ム、鉄、炭素及び硅素で多孔質基材を形成し、この多孔
質基材に銅を溶浸するようにしたものである。

また、上記の目的を達成するための第４発明にかかる、
真空インタラプタの電極材料の製造方法は、クロム、鉄
、炭素及び硅素からなる混合物を、非酸化性雰囲気中で
、がっ、これらクロム、鉄、炭素及び硅素の融点よりも
低い温ＩｙＬで、加ｔ１シして多孔質基材を形成し、こ
の多孔質基材に非酸化性寡聞気中で銅を溶浸するように
したものである、。

以下、図面および写真等の図を然照しで、本発明の実施
例を詳細に説明する。

第１図は、本発明にかかる電極を備えた真空インタラプ
タの縦断面図である。真空インタラプタは、円筒状に成
形した絶縁ガラスもしくは・１てラミクラ等の絶縁材料
から成る複数（本実施例においては、２本）の絶縁筒１
，１を、各絶縁ｆｉ’ｉｉ　１の両端に固着したＦｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ、　Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金１ｊＫから成る薄
肉円環状の到着金具２，２・・・の一方を介し、同軸的
に接合することにより一体の絶縁ｔ）と１−るとともに
、この一体の絶縁筒の開口部を、他方の封着金具２，２
を介し、ステンレスｓ＋ｒｔ＋　秀から成る円板状の両
金属端板３，３により閉塞し、かつ、一体の絶縁筒と両
金属端板３，３とから成る容器の内部を高真２、すに排
気して真空容器４を形成し、この真空容器４内に、一対
の円板状のＷ！、極５，５を、各金属端板３の中央部か
ら、真空容器４の気密性を保持しつつ、相対的にす３近
１ｉ［を反自在に導入した対をｆ［す１ｊ１：　ｉｌｉ
イｉ　０ｉ÷６，６を介し、接触離反（接片１１）自在
に設けて相略構成されている。

ｆｃお、第１１ヅｌにおいて、Ｉは金しタベローズ、８
は各電極５と回心状に囲繞する中間シールドである。

各電極５は、２０〜８００〜８０重量％３０〜８０重戦
係のクロｌ＼と、１０〜３５　’＠Ｊ：ｉ′チの鉄と、
０．５〜１５＠埼係の炭素と、０，５〜１５重−１憾の
硅素とを腹介し７た電極材料から成る。

以下、上述した電極材料を製造する方法について説明す
る。

第１の製造方法 まず、クロム３０〜８０重量％、鉄１０〜３５重量％、
炭素０．５〜１５重量％及び硅素０．５〜１５重量％の
組成比となるように調整され、例えば−１００メツシユ
の粒径を有する、所定１１．のクロム粉末と、鉄粉末と
、炭素粉末と、硅素粉末とを（例えば、加工しろを加え
た電極１個分相当）機械的に混合する。ついで、得られ
た混合粉末を、クロム、鉄、炭素、硅素および銅のいず
れとも反応しない材料、例えば、アルミナセラミクスか
ら成る円形断面の容器に収納し、この収納物を、非酸化
性寡聞気中（例えば、５　Ｘ　１０”−５Ｔｏｒｒ以下
の真空、水素ガス、窒素ガスまたはアルゴンガス中等）
ニおいて、銅の融点より低い温度で加熱保持（例えば、
６００〜１０００℃で５〜６０分間）し、クロム粉末と
、鉄粉末と、炭素粉末と、硅素粉末とを相互に拡散結合
して、これら粉末から成る多孔質基材を製造する。

事後に、上記拡散結合の工程と同−又は異ｒ（る非酸化
性雰囲気中において、多孔質の基材上に銅ブロック又は
銅粉末等の固形の銅材を載■ｄシ、かつ、多孔質基材と
銅相とを銅の融点（１０８３℃）以上で、かつ、多孔質
ノ、Ｉ；材の融点より低い温度で、５〜２０分間程度、
加熱保持して、溶融した銅材を多孔質基材に溶浸させ、
この多孔質基材を冷却する。これにより、真空インタラ
プタのνδ１極拐料が得られる。

なお、上記製造法において多孔質基材のための素材とし
て市販フェロクロムを使用する場合、この市販フェロク
ロムが高炭素フェロクロム（ＪＩＳ規格で、ＦＣｒＨＯ
からＦＣｒＨ５まで）及び中炭素フエｏクロム（ＪＩＳ
規格で、ＦＣｒＭ３及びＦＣｒＭ４　）のときは、これ
ら高炭素もしくは中炭素フェロクロムをそのまま使用で
き、他方、市販フェロクロムが低炭素フェロクロム（Ｊ
ＩＳ規格で、ＦＣｒＬｌからＦＣｒＬ４まで）のときは
、所定量の炭素粉末及び硅素粉末を追加すればよい。も
ちろん、高炭素もしくは中炭素フェロクロムを使用する
１４合も、必要に応じて炭素粉末及び／又は硅素粉末を
追加することができる。

第２の製造方法 第２の製造方法は、第１の製造方法と同様に、拡散結合
工程前にクロムと鉄と炭素と硅素との混合粉末と、固形
の銅材とを円形断面の同−容）：（内に納置し、混合粉
末の拡散結合工程及びｆ同相の溶浸工程を同一非酸化性
雰囲気中での加熱温度の震央のみで分ける点に特徴があ
る。

−「１Ｃわち、ます、クロム３０〜８０重吸チ、鉄１０
〜３５重耽チ、炭素０５〜１５重量係及び硅素０．５〜
１５重刑係の組成比となるように調整され、例えば、−
１００メツシユの粒径な有する、クロム粉末と、鉄粉末
と、炭駆粉末と、及び硅素粉末とを所定量機械的に混合
する。ついで、イ１られた金属混合粉末を、クロム、鉄
、炭素、硅素及び銅のいずれとも反応しない材料、例え
ば、アルミナセラミクスから成る円形断面の容器に収納
するとともに、混合粉末−ヒに固形の銅材を載置する。

ついで、容器中の収納物を非酸化性雰囲気中（例えば、
５Ｘ１０−’Ｔ’ｏｒｒ以下のＡ空中）において、まず
、銅の融点より低い温度で加熱保持（例えば、６００〜
１０（１０°して５〜６０分間）し、これにより、り［
コム粉末と、鉄粉末と、炭素及び硅素粉末とを相互に拡
散結合して、多ＴＬ質基材を製造し、ついで、得られた
多孔質基材と固形のｆＩｉｉｌ祠とを句の融点以上で、
かつ、多孔質基材の融点より低い温１３１（例えば、Ｉ
ｊ−００℃）で、５〜２０分間程度、加熱保持し、浴融
した銅材な多孔質基材に溶浸させる。これにより、クロ
ム、鉄、炭素、硅素及び銅から成る！（空・（ンタラブ
タの電極材料を製造する。

ｆＩお、第２の製造方法において、多孔ｒｉｊ１基月の
ための素材として市販フエロク「１１・をｆＬｌ−Ｊ用
する場合、その使用法は、第１の製造方法の、Ｈ）合と
同一である。

上記第１及び第２の製造方法において、クロム、鉄、炭
素及び硅素粉末の粒径は、−６０メツシユ（２５０μｍ
以下）であればよい。しかし、粒径の上限が低下するに
したがって、各成分粉末の均一な混合、すなわち、各成
分粒子の均一な分散は、一般的に、より困碓となり、各
成分粒子は、より酸化し易くなるため、取扱いが一層面
倒になると共に使用に際してｌ’ｉｉＪ処理を必要とす
る。

他方、各成分粉末の粒径が６０メツシユより大きい場合
には、各成分粉末の粒子を拡散結合させるとき、拡散距
［ツ（「の増大に伴って加熱’／！＋ｌＬ度を而くした
り、または、加熱時間を長くしたりすることが必要とな
り、拡散結合工程の生産性が低下する。

したがって、各成分粉末の粒径の上限は、　ｆ＋ｉ々の
条件を勘案して選定される。

上記実施例において、各成分粉末の粒径を一１００メツ
シュとした理由は、各成分粒子のより均一な分散が得ら
れ、より良好ｒ（拡散結合がＴＪられ、し５たがって、
優れた緒特性を有する電極相ネｌが得られるからである
。各成分粒子間のａ　ＩＴ　ｌｒ相互拡散が行われｒ（
い場合には、各成分の欠点が（旧互補完されず、各成分
の利点も発揮されｆ「い＋＋　’！”ｌに、各成分粒子
の粒径が６０メツシユよりも大きくなる場合には、絶縁
強度の小さい伯が電極のａ面を占める割合が著しく太き
くｆＩるか、又は、私°Ｉ径が大きくなった各成分粒子
及び各成分粒子間の合金粒子が電極の表面に現われるか
ら、句を含めて各成分のそれぞれの欠点が各成分の七れ
ぞＡ１の利点よりも顕著とｆＩる、。

また、上記実施例において、拡散結合下＋°１′：にお
ける加熱保持時間は、加熱保持温度及び４４７ベき多孔
質基材の個数；二よって異なり、例えば、長過ぎる場合
、各成分相互の拡散結合が過度に行われ、所期の性質を
有する電極材料が得られない。

以下、第１の製造方法により製造した′ｍ電極材料実施
例にかかる金属組織を第２図囚、　（Ｂ）　、　（Ｃ）
　。

（Ｄ）　、　（Ｅｌおよび（Ｆ）；二示す。これら第２
図（５）、　（Ｂ）　、　（Ｃ１、（ＤＪ　、　（Ｅ）
および（Ｆ）は、絹、クロム、鉄、炭素および硅素の各
組成比を、それぞれ５０重撒チ、３０重昂゛チ、１２重
量％、３重量％および５重量％とした電極材料のＸ＆Ｉ
ｊマイクロアナライザによる特性写真で、＠２図ム）は
、金属組織の二次電子像を示す特性写真である。後述の
第２図（Ｂ）　、　（Ｃ１、（Ｄｌ　、　（Ｅｌおよび
（ト）から判るように各図で白い部分として示されたク
ロムＣｒ　、鉄Ｆｅ、炭素Ｃおよび硅素Ｓｉは、はぼ均
一に混り合い多孔質の基材を形成するとともに、この多
孔質の基材に銅Ｃｕが溶浸され−Ｃいる。第２図（Ｂｌ
は、分散したクロムの特性Ｘ朽（像で、島状に点在する
白い部分がクロムＣｒである。第２図（Ｃ１は、分散し
た鉄の特性Ｘ線像で、白い音１５分が鉄、第２図（Ｄ）
は、分散した炭素の特性Ｘ線像で、白点群が炭素Ｃであ
る。第２図（Ｅｌは、分１１にシた硅素の特性Ｘ線像で
、白点群が硅素である。第２図（Ｆｌは、溶浸された鍋
の特性Ｘ線像で、白い部分が銅Ｃｕである。

以上の通り図示し詳述した金属組織を有する′電極材料
を、直径５０−１厚み６．５門の円板に形成し、かつ、
その周縁にＲ＝４ｍの丸味を付けた一対の電極とし、こ
れらの電極を第１図に示ず４７ｙ成の六窒インタラプタ
に組込んで、この真空インクラブタの諸性能を検証した
。この検証結果は、以下の通りであった１、 １）耐溶着性 両電極５，５間士を１３０　ｋｇｆＯ力で加圧し、これ
ら電極５，５間に２５　ｋＡｒｍｓの電流を３秒間通電
した（　ＩＥＣ短時間ｒＥ流規格）後に、両電極５゜５
は、２００　ｋｇｆの静的な引外し力で問題ｒ（、（引
外すことができ、その後の接触抵抗の増加は、２〜８優
に止まった。

また、両電極５，５間士を１，０００　ｋｇｆの力で加
圧し、これらγＥ極５，５間に５０　ｋＡｒｍｓの電流
を３秒間通電した後（ＩＥＣ短時間電流規格）に、両電
極５，５は、２００　ｋｇｆの静的な引外し力で問題な
く引外すことができ、その後の接触抵抗の増加は２〜１
０チに止まった。。

したがって、耐溶着性は、実用上不都合とＢらない程度
に良好ζ二維持された。

１１）さい断電流値 平均０．６　Ａ　（標準偏差６．＝０．６．標本数ｎ＝
１００）１１１）遮断後のさい断電流値 平均０．６　Ａ　（σ、＝Ｑ、４、ｎ＝１００）であり
、はとんど変化しなかった。

ｌｖ）絶縁強度 極間ギャップを３．０調に維持し、インパルス耐電圧試
験を行なったところ、±１．００　ｋＶ　（バラツキ±
１０ｋＶ）の耐電圧値を示した。

■）遮断後の絶縁強度 極間ギャップを３．０鰭に維持し、インパルス耐電圧試
験を行ったところ、±１００　ｋＶ　（バラツキ±１０
ｋＶ）の耐電圧値を示した、。

ｖｉ）　大電流遮断能力 １２　ｋＡｒｍｓの電流を遮１所することができた。

ｖｌｌ）小電流開閉後の絶縁強度 電流８０Ａで小Ｎ、Ｔ流連続開閉試験を１（１，０００
回行′ｆ、Ｌつだ。嗣電圧仙は、初期〜１ｏ、ｏｏｏ回
の間において、はとんど変化しなかった。

Ｖ＋＋＋）進み小１Ｅ流遮断能力 １．２５ 電圧３６　Ｘ　−ｋＶ　、電流８０　Ａ　ｒｍｓの進み
小事ｒ「 流；ハ断試験（ＪＥＣ１８１）を１０，０００回行ｆｊ
つだ。両電極５，５間に再点弧は発生しなかった。

上述の１）〜Ｖｅｉ＋）項から判るように、本発明の電
極材料から成るｉ４１　極を備えた真空インクラブタ（
以下、第１真窒インタラプタという。）は、優れた諸性
能を有するものであり、第１真ビとインタラプタの諸性
能と本発明にがかる、１χ極と同一形状のＣｕ−Ｂ１電
極を備えたｈ３空インタラプタ（以下、第２真空インク
ラブタという。）の諸性能、および本発明にかかる電極
と同一形状のＡｇ　−ＷＣ’ＦＩＪ極を備えた真空イン
タラプタ（以下、第３真空インタラプタという。）の諸
性能とを比較したころ、下記の通りであった。

８）大電流遮断能力 ｆｉｆＪｌおよび＠２真空インクラブタについては、同
一であった。第３真空、インタラプタについては、第１
真空インタラプタの３０チであった。

ｂ）絶縁強度 一対のＣｕ　−０，５Ｂｉ電極およびＡｇ−ＷＣＣ電極
棒極間ギャップ１０暉おいて示すインパルス耐電ＩＥ値
と本発明にかかる一対の電極が極間ギャップ３．０鰭に
おいて示すインパルス耐電圧１１１１とは、同一であっ
た。したがって、Ｊ　ｉ　真空インクラブタは、第２お
よび第３真空インタラプタの３倍強の絶縁強度を有する
。

Ｃ）耐溶着性 第１および第３真突インタラプタについては、第２真空
インタラプタの８０　％であった。が、実用上はとんど
問題γ「＜、必要ならば、電極開離瞬時の引外し力を若
干増加させればよい。

ｄ）進み小電流遮断能力 第１Ｘ空インタラプタは、第２」６よび第３真空インク
ラブタ（ニル較して、それぞれ強さが１．５倍および３
倍の容ｈＩ−性電流を；ｌＱＨ断することができる。

ｅ）さい断電流値 第１Ｘ窒インタラプタのさい断電流値は、第２および第
３真をインタラプタのものに比較して。

それぞれ６％おＪ、び６ｏチと小さくなった。

しかして１、クロムが３０重量％未満のり合には、さい
断電流値が急に大きくなり、他方、８０＠ｈｌ　ｑｂを
超える場合には、大電流遮断能力が急に低下しブこ。

また、鉄が１０重量係未満の場合には、さい断電流値が
急に太きく　ｒｒす、他方３５重ｑ・係を超える場合に
は、大電流遮断能力が急に低下した、。

また、炭素が０．５厭世チ未満の場合には、さい断電流
値が急に大きくなり、他方、１５汚僻係を超える場合に
は、絶縁強度が急に低下した。

また、硅素が０５重量％未満のＩＩ′１合には、さい断
電流値が急に大きくなり、他方１５Ｈｒ址乃をメ１イ（
える場合には、大電流遮断能力が低下した。

また、銅が２０重量％未満の場合には、ハノｕニア間電
流試験の結果から判るように通′屯後の、））：　／’
ＩＪ！　４１（、抗が急に太きく、　ｒ（す、ず斤わち
、６Ｉ極のイ＾′市率が急（二低下するので、定格電流
通電時のジュール熱が大きく、ζ（・’ｌ　２０　取（
７ｉ係未満の１［（棒の実用性が低下した。。

が急じ低下するととも（二、耐溶着性が急に低下した。

以上の如＜　、　４？？定発明は、２０〜８（）重（ｉ
１係の銅と、３０〜８０卸−１土係のクロムと、１０〜
３５重喰チの秩と、０．５〜１５Ｑ’ｊβ七％の炭素と
、０．５〜１５重量％のｎ１素とから成る１７１１：　
揮祠ｔＦであるから、この電椅拐料から成る真空インタ
ラプタの電極は、　Ｃｕ　−０，５Ｂｉ電朽のよう（二
高蒸気圧・低１な１１１点材料を含有して成る従来の：
１シ極およびＡｇ−ＷＣポ称のように低糖うｔ圧・窩副
１点材料な含有ｌ、て虚る従平の７１ｊ゛極→〉 （ニルして、真空インクラブタの絶縁強度を閉曲に大き
くし、かつ、さい断電流値を飛躍的に小さくすることが
できる。したがって、特定発明にかかる電極材料は、大
電流遮断、進み小電流遮断オ６よび遅れ小電流遮断を良
好に行うことができる。

また、融点の最も低い構成元素としては融点が１０８３
℃の銅を使用しているので、９５０℃以上でのろう付、
特に真空ろう付けが可能である。。

また、高価な銀ではｒｘ　＜安価す伯を使用しているの
で、安価な電極材料が得られる。

また、第２発明は、２０〜８０重Ｉ−］チの銅と、残り
がフェロクロムとから成り、このフエロク［１ムが含有
する炭素と硅素とを含めて、炭素及びｎ１素の含有量が
いずれも０．５〜１５重付チとなる真２とインタラプタ
の電極材料であるから、各成分別粉末の混合工程を省略
し得る。

また、第３発明は、クロム、鉄、炭素及び硅素で多孔質
基材を形成し、この多孔質基材に銅を溶浸して成る真空
インタラプタの電極材料の製造方法であるから、銅を多
孔質基材に溶浸したことによる機械的強度の向上した電
極を得ることができる。

また、第４発明は、クロム、鉄、炭素及び硅素からなる
混合物を、非酸化性雰囲気中で、かつ、硅素の融点より
も低い温度で、加熱して多孔質基材を形成し、この多孔
質基材に非酸化性雰囲気中で銅を溶浸した真空インタラ
プタの゛ｒ１５：極材料の製造方法であるから、電極材
料の電気的特性及び機械的特性を優れたものとすること
ができる。。

また、第４発明の一実施態様は、多孔質基材を形成する
各成分の粉末を混合して得られた混合粉末に固形の鋼材
を載せ、まず、（へ）の融点より低い温度で上記混合粉
末を加熱して多孔質基材を形成し、ついで、この多孔質
基材を、年の融点μ上で、かつ、多孔質基材の融点より
低い／！１ｈ度で加ｉ％Ｉｉ　して銅を多孔質基材に溶
浸した製造方法であるから、多孔質基材の形成及び鋼材
の溶浸工程を加熱保持温度の変更のみで区別し、全体の
製造工程を時間的に連続して行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明（−かかる電４θ拐料により成る電極
を有する真空インタラプタの縦断面図、第２図（Ａ）　
、　（Ｂ）　、　（Ｃ）　、　（Ｄ）　、　（Ｅ）およ
び旧は、銅５０重を夷係、クロム３０重量％、鉄１２重
量％、炭素３重ｌｌ係および硅素５重量％の組成を有す
る′Ｉｉ＋、祢拐ネ１のＸ線マイクロアナライザによる
特性写真で、第２図（Ａｔは、’Ｉｆ’（＠を材料の組
織の二次電子イ１！を示し、第２図（Ｂ）　、　（Ｃ）
　、υ）　、　（Ｅ）および（Ｆ）は、分散状態にある
、クロム粒子、鉄粒子、炭素粒子、硅素粒子および溶浸
された銅の特性Ｘｆｆ！＄像を示す。 第１図 手続補正書（轄） 昭和６９１１　月６１＋ ２、発明の名称 真空インタラプタの１ル極材料とその製造方法３、　ヤ
＋Ｉ’ｉ＋Ｉをする呂 °１汁ｊとの関係　出＋ｙｒ１人 （６１０）　株式会社　明電舎 ４代ｊ、１１人〒１０４ 東ｊｉｌ都中央ｌメ明イＳ町１番２９号　１１★ｆ音会
ビル明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の構
及び図面の第２図（５）。 ＆　補正の内容 （６−１）　明細書中、特許請求の範囲の記載を別紙の
通り補正する。 （６−２）　同、第６頁、第１１行目に記載する「２０
〜８０」を「２９〜７４」と補正する。 （６−３）　同、第６頁、第１２行目に記載する「３０
〜８０」を「１５〜６０」と補正する。 （６−４）　同、第６頁、第１４行目ないし第１５行目
に記載する「硅素とならなる」を１硅素とからなる」と
補正する。 （６−５）　同、第７頁、第２行目に記載する「２″θ
〜８０」を「２９〜７４」と補正する。 （６−６）　同、第９頁、第１２行目に記載する「２０
〜８０」を１２９〜７４」と補正する。 （６−７）　同、第９頁、第１２行目に記載する「３０
〜８０」を「１５〜６０」と補正する。 （６−８）　同、第１０貞、第４行目に記載する１３０
〜８０Ｊを「１５〜６０」と補正する。 （６−９）　同、＠１３Ｉｉ、第４行目Ｖｃｄ己載する
１３０〜８０」を「１５〜６０」と補正する。 （６−１０）　同、第１９負、第４行目に記載するｒ　
２５　ｋＡｒｍｓ　Ｊをｒ　２５　ｋＡ（ｒｍｓ）Ｊと
補正する。 （６−１１）　同、第１９貞、第１０行目にね記載する
ｒ　５０　ｋＡｒｍｓ　Ｊをｌ　５０　ｋＡ（ｒｍｓ）
　Ｊと補正する。 （６−１２）　同、第２１頁、第１行目に記載するｒ　
１２　ｋＡｒｍｓ　Ｊをｒ　１２　ｋＡ（ｒｍｓ）　Ｊ
と補正する。 （６−１３）　同、第２１頁、第７行目に記載するｒ　
８０　Ａｒｍ５　ＪをＩ−８ＯＡ（ｒｍａ）　Ｊと補正
する。 （６−１４）　同、第２４頁、第１行目に記載する１３
０重量％」を「１５重量％」と補正する。 （６−１５）　同、第２４頁、第２行目に記載する「８
０重量％」を「６０重１４％」と補正する。。 （６−１６）　同、第２４頁、第１４行目に記載する「
２０重量％」を「２９重１１と補正する。 （６−１７）　同、第２５負、第３行目に記載する「２
０重量％」を１−２９重量％」と補正する。 （６−１８）　同、第２５頁、第５行目に記載する「８
０重量％」を「７４重量％」と補正する。 （６−１９）　同、第２５貞、第８行目に記載する「２
０〜８０」を「２９〜７４」と補正する。 （６−２０）　同、第２５頁、第９行目に記載する「３
０〜８０」を「１５〜６０Ｊと補正する。 （６−２１）　同、第２６負、第１１行目に記載する「
２０〜８０」を「２９〜７４」とｊｉ！ｉ正する。 （６−２２）　図面の第２図（Ａ１２ｉ−朱病の如く補
正する。 〔別紙〕 特許請求の範囲 （１）２９−７４重量−の銅と、上１〜録重量−のクロ
ムと、１０〜３５重量％の鉄と、０．５〜１５重量％の
炭素と、０．５〜１５重澗：ｑｂの硅素とから成るＸ空
インタラプタの電極材料。 （２）　２９〜７４重量％の銅と、残りがフェロクロム
とから成り、このフェロクロムが含有する、炭素と硅素
とを含めて、炭素及び硅素の含有量がいずれも０．５〜
１５重量−となるｆｃ空インクラゲタの電極材料。 （３）　クロム、鉄、炭素及び硅素で多孔質基材を形成
し、この多孔質基材に銅を溶浸してなる真空インタラプ
タの電極材料の製造方法。 （４）多孔質基＠’　ｔ：７エロクロムで形成しｆｔ、
、　％許請求の範囲第３項に記載の真空インタラプタの
電極材料の製造方法。 （５）クロム、鉄、炭素及び硅素からなる混合物を、非
酸化性雰囲気中で、かつ、硅素の融点よりも低い温度で
、加熱して多孔質基材を形成し、この多孔質基材に非酸
化性雰囲気中でｆｆ１ｔ−溶浸した真空インタラプタの
電極材料の製造方法。 （６）多孔質基材を形成する各成分の粉末を混合して得
られた混合粉末に固形の銅相を載せ、まず、銅の融点よ
り低い温度で上記混合粉末を加熱して多孔質基材を形成
し、この多孔質基材を、ついで、銅の融点以上で、かつ
、多孔質基材の融点より低い温度で加熱して銅を多孔質
基材に溶浸した１１１許請求の範囲第３項又は第４項に
記載の１ｃ、空インタラプタの電極材料の製造方法。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　２０〜８０重＠係の銅と、３０〜８０重晴係の
   クロムと、１０〜３５重量％の鉄と、０．５〜１５重量
   係の炭素と、０．５〜１５重月チの硅素とから成る真空
   インタラプタの電極材料。 （２１２０〜８０重Ｍ％の銅と、残りがフェロクロムと
   から成り、このフェロクロムが含拘ｒる、炭素と＠素と
   を含めて、炭素及び硅素の含有（升がいずれも０．５〜
   １５重Ｒ９６とｙｒる真空インクラブタのｔ）（極祠料
   。 （３）　クロム、６７（、炭素及び硅素で多孔質基材を
   形インタラプタの電極材料の１１１！！潰方法。 （４）　多孔質基材をフェロクロムで形成したｑｉ’ｒ
   請求の範囲＠３項に記載の真空インクラブタの電極材料
   の製造方法。 （５）クロム、鉄、炭素及び硅素からなる混合物を、非
   酸化性雰囲気中で、かつ、硅素の融点よりも低い温度で
   、加熱して多孔質基材を形成し、この多孔質基材に非酸
   化性雰囲気中でｆ］ｉを溶浸した真空インクラブタの電
   極材料の製造方法。 （６）多孔質基材を形成する各成分の粉末を混合して得
   られた混合粉末に固形の銅相を載せ、まず、銅の融点よ
   り低い温度で上記混合粉末を加熱して多孔質基材を形成
   し、この多孔質基材を、ついで、銅の融点以上で、かつ
   、多孔質基材の１．ｉ゛ｌ＋点より低い温度で加熱して
   畑を多孔Ｊ７Ｊ＋基イ」に俗浸した特許請求の範囲第３
   項又は第４項に記載の真空インタラプタの電極材料の製
   造方法。