TW473753B - Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing the same - Google Patents

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47^7?^ A7 ______—„ B7 五、發明說明（1 ) 本發明所屬之技術領域 本發明係有關於一種具有固體電解質層之固體電解電 容器及其製造方法。 習知技藝： 素來’此種之固體電解電容器係具有如在第8圖所示 之構成。在第8圖上，固體電解電容器，係具備具有陽極 引出部2與電容器元件部3之活門金屬5，設置在前述活門 金屬之上的介電體氧化被膜，設置在前述介電體氧化被膜 之上的導電性高分子層，設置在前述導電性高分子之上的 V電體層、陽極端子6與陰極端子7，以及外裝樹脂8。活 門作用金屬5乃依蝕刻處理而具有粗面化層或多孔質層。 陽極端子6係以電氣性連接在陽極引出部2，而陰極端子7 乃以電氣性連接於導電性層。外裝樹脂8係覆蓋電容器元 件整體而依模子成形予以被覆。 於此，導電性高分子層方面，眾知有由於使用單體物 之電解氧化重合而予形成之方法，與依化學氧化重合所形 成之方法。電解氧化重合法，係在事先形成於介電體氧化 被膜上之二氧化錳層之表面，予以形成導電性高分子層之 方法。化學氧化重合法，係在介電體氧化被膜之表面，直 接予形成導電性高分子層之方法。 但是，如在第8圖所示之固體電解電容器上，具有粗 面化層或多孔質層之活門作用金屬，乃依阻體材1而區分 為陽極引出部2與電容器元件部3，惟，導電性高分子層， 即通過粗面化層或多孔質層之間隙4而接觸於陽極引出部2 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再J 本 頁 I I I I I 訂

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇 A7

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Ae-'νΛ作社印公 五、發明說明（2 ) ’因此’有發生絕緣不良，或著，發生絕緣破壞之虞。由 於此’乃提案將阻體材1之寬度加大，或著，使用具有高 岔著性之材料為活門作用金屬。但是，於如是之場合，對 於多數之生產批量即較難獲得經常為穩定之效果，並且， 欲予達成穩定之低絕緣不良率就有所困難，同時，在成本 上亦不利。 本發明之目的： 本發明係欲提供以較為簡便之方法為生產可能且可防 止因導電性高分子層到達陽極引出部而生之絕緣不良，並 可防止絕緣破壞之發生，同時，具有不影響習知之生產力 等的效果之固體電解電容器及其製造方法，為目的。 解決課題之本發明裝置： 本發明之固體電解電容器係具備： 具有電谷器元件部與禁止帶及陽極引出部之陽極體， =此，則述禁止帶係具有為區別前述電容器元件部與前述 陽極引出部而設置在前述電容器元件部與前述陽極引出部 之間的境界部，設置在前述介電體氧化被膜層之上方的導 Z性高分子層，設置在前述導電性高分子層之上方的導電 k層以電氣性而連接在前述陽極引出部之陽極端子，以 及以電氣性而連接在前述導電體層之陰極端子。 特別期望前述陽極體在粗面化層及多孔質層之中至少 亦具有其一凹凸層。 特別期望前述陽極體在粗面化層及多孔質層之中至少 亦具有形成其一層之活門作用金屬。

Α7 Β7 五、 發明說明（3) 特別期望前述固體電解電容器更具備予以設置在前述 禁止帶之上的阻體材。 本發明之固體電解電容器的製造方法，係具備： (a) 陽極體供給工程； (b) 禁止帶形成工程，係欲予形成電容器元件部與陽 極引出部之境界部； (c) 介電體氧化被膜形成工程，係予形成在前述電容 器元件部； (d) 導電性高分子層形成工程，係予形成在前述介電 體氧化被膜之上方； (e) V電體層形成工程，係予形成在前述導電性高分 子層之上方； (f) 陽極端子連接工程，係以電氧性將陽極端子連接 於前述陽極引出部；及 (g) 陰極端子連接工程，係以電氧性予以連接在前述 導電體層。 特別期望前述陽極體供給工程，在前述陽極體之表面 狖粗面化層及多孔質層之中至少亦具有形成其一之凹凸 層的工程。 特別期望前述陽極體具有活門作用金屬，而前述陽極 姐供、° &工軚在則述陽極體之表面，於粗面化層及多孔質 曰之中至J亦具有形成其中之一的凹凸層之工程。 特別期望前述方法應具備在前述禁止帶上設置阻體材 之工程。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) tr---------線

6 A7 B7 竹rir,' 4Λ·Γ/μ' 14费合作社印制衣 五、發明說明（4 依該構成，以較為簡便之製造方法，就可獲得具有與 素來為同等以上之基本電氣特性之固體電解電容器，具可 防止因導電性高分子層到達陽極引出部而引起之絕緣不良 的發生，並可防止絕緣破壞之發生，同時，不會影響習知 之生產力的如是效果之固體電解電容器及其製造方法。 本發明之實施態樣： 本發明之一實施例的固體電解電容器，係具備·· 形成在活門作用金屬之表面的粗面化層或多孔質層， 形成在該層之中而至少亦欲予防止為形成陽極引出部與電 容器元件部之境界部份之用的導電性高分子材料之浸透的 禁止帶，在依該帶止帶所區分之電容器元件部之表面，依 序所設置之介電體氧化被膜層與導電性高分子層及導電體 層’以及以電氧性分別予以連接在上述陽極引出部之表面 及導電體層之端子。前述之粗面化層或多孔質層係具有含 有凹部與凸部之凹凸表面。 依該構成，禁止帶可防止導電性高分子材料之浸透。 由於此，可獲得能防止導電性高分子層因到達陽極引出部 而引起之絕緣不良的發生，並使發生絕緣破壞之機率顯著 降低，同時，不會損失習知之生產力的固體電解電容器。 特別期望前述禁止帶應具有接觸於粗面化層或多孔質 層之表面，所形成之矽酮材或矽酮擴散層。依該構成就可 獲得特別優良之上述效果。 特別期望前述矽酮材或矽_擴散層，應由從矽酮之2 里収至20里體之範圍的聚合矽氧烷之低分子矽酮所形成。 ^--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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聚合矽氧烷具有_(〇_Si)n— 〇_之骨格，而對Si有連結R1 與R2等之烷基。2量體乃”n”具有”2”之構造，而2〇量體係，，n，, 具有”20”之構造。 由於該範圍之低分子矽乃具有所望之粘性，因此，該 低分子矽可確實予以設置在禁止帶之凹凸表面的凹部與凸 部雙方之表面，並且，該範圍之低分子矽具有實用上優良 的耐熱溫度。 依該構成，可獲得上述之效果之同時，亦顯著提昇防 止導電性高分子材料之浸透的效果。 特別期望前述禁止帶，應由將活門作用金屬之凹凸表 面作壓縮或凝縮所形成之壓縮層或熔融凝縮層予以形成。 即，壓縮層或熔融凝縮層係予加工處理成具有比活門作用 金屬之凹凸表面的表面積為較小之表面積。由於使凹凸表 面之凹凸差作成較小，就使祖面化層或多孔質層之表面積 成為極端之小。依該構成，就可獲得上述之效果之同時， 特別，可顯著提昇防止導電性高分子材料之浸透效果。 特別期望禁止帶應予以去除使活門作用金屬之粗面化 曰或夕孔質層之基材露呈的分斷溝。依該構成，即可獲得 上述之效果之同時，由於禁止帶就可顯著提昇防止導電性 高分子材料之浸透的效果。 本發明之其他實施例的固體電解電容器，係具備··形 成在活門作用金屬之表面的粗面化層或多孔質層、形成在 該層而至少亦為形成陽極引出部與電容器元件部之境界部 伤’以防止導電性高分子材料之浸透之用的禁止帶，設置 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用國家標準（CNS)A4規格⑵0 x 297公餐）

4737FiM A7 B7 五、發明說明（6 ) 在該禁止帶上之阻體材，在由該禁止帶與阻體材所區分之 電容器元件部之表面，依序所設置之介電體氧化被膜層， 導電性高分子層及導電體層，以及分別對上述陽極引出部 之表面及導電體層，以電氣性所連接之端子。而阻體材係 表示具有電氣絕緣性之材料。 依該構成，禁止帶就予防止導電性高分子材料之浸透 ，並且，阻體材就確實防止導電性高分子層超越禁止帶予 > 以形成。’禁纟帶與阻體材之雙方乃予防止使導電性高 分子材料予以形成在陽極引出部。由於此’乃可防止因導 電性高分子層到達陽極引出部而引起之絕緣不良之發生， 而且，使造成絕緣破壞之機率顯著降低，同時，亦可獲得 不會知、失素來之生產力的固體電解電容器。 特別期望前述阻體材應具有由耐熱性膠帶及塗膜在該 而于熱性膠帶之财熱性枯著劑所成之膠帶。對於耐熱性粘 劑方面特別期望以料“㈣為宜。該耐熱性枯著劑 設置在禁止帶之表面為粘著狀態。即，設置在禁止帶_ 凹λ表面之凹部與凸部之表面的石夕網系㈣劑，就如同石夕 銅擴散層般予以設在孽丨黑令主I不止帶之表面。矽酮系粘著劑係表示 於化學構造上含有「Si之矽、 」又矽酮化合物。依該構成，即， 可擭得上述之效果之同時，防.连一 I万止導電性尚分子材料之浸透 的效果就顯著提昇。特別期望前述㈣擴散層應由含縱石夕網之2量體至 量體之範圍的聚矽氧烷之低分早^ 低77子矽綱所形成。依該構成， 就可獲得上述之效果之同時亦町 ；J J穩疋擭得防止導電性高 訂 著 乃 之 20 線 9

4737U A7 _ B7 五、發明說明（7) 分子材料之浸透的效果。 特別期望刚述阻體材應具有由耐熱性膠帶材，及塗膜 在該膠帶材之耐熱性矽酮系粘著劑所成之膠帶，而該膠帶 乃設置為覆蓋禁止帶，而該膠帶之寬度即比禁止帶之帶寬 為大。依該構成，就可獲得上述之效果且更能抑導電性高 分子層超越禁止帶予以形成，因此，更能穩定獲得防止導 電性高分子材料之浸透的效果。 特別期望前述禁止帶應具有經予加壓處理之壓縮層或 炫融凝縮層，且具有比活門作用金屬之粗面化層或多孔質 層之表面積為小之表面積。依該構成，就可獲得上述之效 果’且粗面化層或多孔質層之表面積就變成極端之小。因 此’可確實獲得防止導電性高分子材料之浸透的顯著效果

C 特別期望前述活門作用金屬具有箔狀。依該構成，就 可容易使從粗面化層或多孔質層之表面至深部之距離作成 較小。又，從粗面化層或多孔面質層之表面至内部止就可 容易予以形成禁止帶，因此，乃可獲得上述之效果並且可 更穩定擭得防止導電性高分子材料之浸透的效果。 特別期望前述活門作用金屬，至少應在鋁、妲、鈮、 錯、鈥之中至少亦為其一種，該等之複合體，或著，由該 等之合金所作成。依該構成，就可獲得特別優良之上述的 效果。 本發明之^一實施例的固體電解電容為之製造方法’係 具備： 本紙張尺度遠用中0 0家標準（CNS)A4規格（2】〇χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·11111 線f< 4?桃 A7 B7 五 發明說明（8) (a) %極處理工程，係在活門作用金屬之表面，予以 形成粗面化層·或多孔質層等之凹凸表面； (b) 預備工程，係在上述活門作用金屬之凹凸表面之 中’至少·.亦為形成陽極引出部與電容器元件部的境界部份 之用而予形成欲予防止導電性高分子材料之浸透的禁止帶 9 (C )素子形成工程，係在由上述禁止帶所區分之電容 為几件的表面’依序予以形成介電體氧化被膜層、導電性 高分子層及導電體層；及 (d)後處理工程，係分別在上述陽極引出部之表面及 上述導電體層，予以形成端子； 依違構成’禁止帶就可防止導電性高分子材料浸透至 陽極引出部。具有如是之特性之固體電解電容器就能容易 製造。由於此’就可防止因導電性高分子層到達至陽極引 出部而引起之絕緣不良的發生，且變成絕緣破壞之機率就 顯著降低’同時，可獲得不會損失習知之生產力的固體電 解電容器。 特別期望形成前述之禁止帶的預備工程，應具有在前 述活門作用金屬之凹凸表面予以形成矽酮塗膜之工程，以 及在上述凹凸表面之中，將前述矽酮塗膜放置所定時間， 以能形成所定之矽酮擴散層的控制工程。由該構成，即， 矽酮塗膜可完全浸透至凹凸表面之凹部與凸部之雙方的表 面’而使矽酮擴散層在凹凸表面予以形成為無間隙。其辞 果，可獲得特別優良之上述的效果。 — — — — — — — —— —--I · I I I I--I 3 - -------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) U'G··/:::作社 £ 11 rl' 工消费合作社印裝 Α7 Β7 五、發明說明（9 ) 特別期望形成前述禁止帶之預備工程，具有將形成在 活門作用金屬之表面的粗面化層或多孔質層之一部份，依 切削作去除而予形成之工程。依該構成，就可獲得特別優 良之上述的效果。 特別期望形成前述禁止帶之預備工程，具有將形成在 活門作用金屬之表面的粗面化層或多孔質層之一部份，依 沖壓加工作壓縮予以形成之工程。依該工程，依禁止帶就 可使粗面化層或多孔質層之表面積變成極端之小。由於此 ’就可獲得特別優良之上述的效果，並且，防止導電性高 分子材料之浸透的效果可顯著提昇。 特別期望形成前述禁止帶之預備工程，具有將形成在 活門作用金屬之表面的粗面化層或多孔質層之一部份，依 熔解加工作熔融凝縮予以形成之工程。依該構成，由所形 成之禁止帶而可使粗面化層或多孔質層之表面積，變成極 端之小。由於此，可獲得特別優良之上述的效果，並且， 防止導電性高分子材料之浸透的效果更可提昇。 本發明之其他實施例的固體電解電容器之製造方法， 係具備：將在活門作用金屬之表面予以形成粗面化層或多 孔質層之陽極處理工程，在上述活門作用金屬之粗面化層 或多孔質層内，至少亦為形成陽極引出部與電容器元件部 之境界部份而欲予形成防止導電性高分子材料之浸透之用 的禁止帶，並且，在上述禁止帶之上予以形成阻體材的預 備工程。在由上述禁止帶所區分之電容器元件部的表面， 依序形成介電體氧化被膜層、導電性高分子層及導電體声 本紙張尺度iiS用中0 S木標準（CI\’S)A4規格（2】0 χ 297公爱） — — — — — — — ·111111 — I . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 12 47^7?；^ 4. 合 社 印 法’j 形 A7 B7 五、發明說明（1〇) 之素子形成工程’以及分別在上述陽極引出部之表面及上 述導電體層上形成端子之後處理工程。 依該構成，就容易獲得具有禁止帶防止導電性高分子 材料之浸透的效果的固體電解電容器，並且，可確實防止 阻體材超越禁止帶而予形成導電性高分子層。由於此，可 防止因導電性高分子層到達陽極引出部而引起之絕緣不良 的發生，並且，變成為絕緣破壞之機率顯著降低，同時， ^ 可獲得不會影響素來之生產力的固體電解電容器。 特別期望前述預備工程具有，在形成於前述活門作用 金屬之表面的粗面化層或多孔質層上，將塗膜耐熱性之石夕 _系粘著劑的膠帶粘著在耐熱性膠帶基材之工程，以及在 上述粗面化層或多孔質層内，將前述所粘著之膠帶放置所 定時間，使能予形成由所定之矽酮擴散層所成之禁止帶的 控制工程。依該構成，就可獲得與上述為同樣之優良的效 果。 > 特別期望前述預備工程具有，將活門作用金屬之粗面 化層或多孔質層之一部份，依切削去除而予形成由分斷溝 所成之禁止帶的工程，以及於其後，如同阻塞上述禁止帶 般而將阻體膠帶粘著之工程。依該構成，就可獲得與上述 為同稱悛良之效果，並且，設置在前述禁止帶上之阻體材 就可抑制超越禁止帶予以形成導電性高分子層。因此，可 確貫獲得防止導電性高分子材料之浸透的效果。 特別期望前述預備工程具有，將活門作用金屬之粗面 化層或多孔質層之一部份，以沖壓加工或熔解加工予以 -------------^---I I------------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 13 A7 -—____ B7 五、發明說明（n) 成具有壓縮層或熔融凝縮層之前述禁止帶的工程，以及於 其後，如同阻塞上述禁止帶般而將阻體膠帶粘著之工程。 依該構成，就可獲得與上述為同樣之優良效果，並且，由 於前述粗面化層或多孔質層之表面積變成極端之小，因此 ’可確實獲得防止導電性高分子材料之浸透的效果。 <<第1典型性實施例>> 第1 a圖係表示本發明之典型性實施例的鋁製固體電解 電容器之構成的透視圖。第lb圖係表示其要部之擴大截面 圖。在第la圖與第lb圖上，固體電解電容器係具有，陽極 體10、介電體氧化被膜14、導電性高分子層15、以及導電 體層16，而陽極體1〇乃具有電容器元件部丨丨、禁止帶12、 及1%極引出部13。 該陽極體10係由鋁箔所作成，而該鋁箔具有予以粗面 化之表面。該予以粗面化之表面乃具有含有凹部與凸部之 凹凸表面。該陽極體10乃依禁止帶12而與陽極引出部13分 離。禁止帶12具有設置在凹凸表面之凹部與凸部之表面的 矽酮材19。矽酮材19係具有含有從矽之2量體至5量體的範 圍之聚矽氧烷的低分子矽酮。介電體氧化被膜14乃予形成 在電容器元件部11之表面，而在該電容器元件部丨丨之表面 上，由聚合毗喀所成之導電性高分子層15就依電解氧化重 合予以形成。在該導電性高分子量i 5上，就依序積膚形成 由碳層及銀塗料層所成之導電體層。 為確認具有矽酮材19之禁止帶12的效果，乃予作成將 從設置矽酮材19起至進行其次之工程為止之放置時間為相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱） -------1—奮 i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---—----- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14 ;sduu)Μ4.Λ·/ΙΜ、二消費合作社印裝 A7 -—-——— -- B7 _ 五、發明說明（Π ) 以如疋，在介電體氧化被膜14之上，予以形成作為固體電 解質層之導電性高分子層14。其後，塗佈作為陰極引出層 之膠態碳懸濁液且予乾燥，而由該工程予以形成碳層。又 ，在該碳層之上塗佈銀糊狀物且予乾燥，而由此工程予以 形成銀層。以如是，予以形成具有碳層與銀層之導電體層 16。該導電體層16乃具有陰極引出部之功用。然後，將以 如是所獲得之試料，依環氧樹脂作外裝。以如是，予以完 成固體電解電容器。 而在本典型性實施例上，係使用鋁箔作為具有活門作 用金屬之陽極體，推，並不限定於此，如妲、鈮、鍅或鈦 等均可使用。又，使用以燒結金屬粉末所獲得之燒結體亦 可把。如疋之燒結體乃具有多孔質之凹凸表面。 «第2典型性實施例》 第2a圖係表示本發明之其他典型性實施例的鋁製固體 電解電谷器之透視圖，第2b圖係表示其要部之擴大裁面圖 。在第2a圖與第2b圖上，固體電解電容器係具備電容器元 件部2 1、禁止帶22、陽極引出部23、介電體氧化被膜24、 導電性高分子層25、以及導電體層26。 ό攻电谷器元件部2 1乃由紹箔所作成，而該链落乃具有 經予粗面化之凹凸表面。禁止帶22係具有將鋁箔之凹凸表 面依沖壓加工所形成之壓縮部22。即，壓縮部22乃具有此 凹凸表面為小之表面積。電容器元件21秫由該禁止帶22與 1%極引出部23予以區分。介電體氧化被膜24乃予形成在電 容器元件部2 1之表面，並且，於該介電體氧化被膜24之表 本紙張尺度適用中S國家標準（CNS)A4規格（2】〇χ 297公釐） --------#--------- ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 16 五、發明說明（Μ ) 面上’乃予形成由聚合。比喀所成之導電性高分子層25。在 該導電性高分子層25之上，依序積層形成由碳層及銀塗料 層所成之導電體層26。導電性高分子層25、導電體層26等 之成膜，即，以與第丨實施例為同樣之條件作調製。 «第3典型性實施例》 第3a圖係表示本發明之其他典型性實施例的鋁製固體 電解電容器之透視圖，第3b圖係表示其要部之擴大載面圖 。在第3a圖及第3b圖上，固體電解電容器係具備電容器元 件。P 3 1、禁止可32、陽極引出部33、介電趙氧化被膜34、 導電性高分子層35，以及導電體層36。 該電容器元件部31乃由鋁箔所作成，而該鋁箔乃具有 經予粗面化之凹凸表面。禁止帶32具有將鋁箔之凹凸表面 依雷射加工所熔融之熔融凝縮部。即，熔融凝縮部32乃具 有比凹凸表面為小之表面積。電容器元件3丨乃由該禁止帶 32與陽極引出部33所區分。介電體氧化被膜34乃予形成在 電容器元件部31之表面，而在該介電體氧化被膜34之表面 上，予以形成由聚合咄喀所成之導電性高分子層35。在該 # if生冋釦子層35之上，依序積層形成由碳層及銀塗料層 所成之導電體層36。導電性高分子層35、導電體層％等之 成膜，乃與苐1實施例為同樣之條件作調製。 <<第4典型性實施例>> 第4a圖係表不本發明之其他典型性實施例的鋁製固體 電解電容器之透視圖。第仆圖係表示其要部之擴大戴面圖 。在第4a圖與第4b圖上，固體電解電容器係具備電容器元 五、 體 圖 發明說明（l5) 件部41、禁止帶42、陽極引出部43、介電體氧化被膜44、 導電性高分子層44以及導電體層46。 該電容器元件部41乃由鋁箔所作成，而該鋁箔乃具有 經予粗面化之凹凸表面。禁止帶42係具有將鋁箔之凹凸表 面依切削加工所去除之分斷溝42。分斷溝42乃具有將凹凸 予以削除而使链箔之基材予以露出之形狀。即，分斷溝 42乃具有比凹凸表面為小之表面積。電容器元件部41乃由 該禁止帶42與陽極引出部43所區分。介電體氧化被膜44乃 予形成在電谷器元件部41之表面。而在該介電體氧化被膜 44之表面上，予以形成由聚合吼嗔所成之導電性高分子層 45之表面上，予以形成由聚合咄喀所成之導電性高分子層 4)。在該導電性高分子層45之上，依序積層予以形成由碳 層及銀塗料層所成之導電體層46。導電性高分子層45、導 電體層46之成膜，即與第1實施例為同樣之條件作調製。 <<第5典型性實施例》 第5a圖係表示本發明之其他典型性實施例之鋁製固 電解電容器的透視圖。第5b圖係表示其要部之擴大截面 。在第5a圖與第5b圖上，固體電解電容器係具備電容器 件。卩5 1。设置在禁止帶5 2之石夕酮材5 9、石夕嗣阻體膠帶5 3、 1%極引出部54、介電體氧化被膜55、導電性高分子層56、 以及導電體層57。 該電容器元件部5 1係由銘箔所作成，而該紹溪乃具有 經予粗面化之凹凸表面。具有矽酮之2量體〜2〇量體的聚 石夕氧烷之低分子矽酮59乃設置禁止帶52之凹凸表面。石夕酮 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 元 工消費合作社印裝 18 A7 -—____B7 五、發明說明（16 ) 阻體膠帶53就貼附為如同覆蓋該禁止帶52。矽酮材59乃上 述之低分子矽酮，而該低分子矽_59係具有作為矽酮粘著 材之功用。即，由於將具有耐熱性膠帶材53及附著在該耐 熱性膠帶材矽酮粘著劑59之膠帶，設置在鋁箔之凹凸表面 ’就能予形成上述之構成。 —^^1 0, >Μί,4.^;Μ 二;ή费合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電容器元件部51係由禁止帶52與矽酮材59及矽酮阻體 膠帶53而被區分與陽極引出部54。介電體氧化被膜兄乃予 形成在電容器元件部51之表面，而在該介電體氧化被膜55 之表面上，乃予形成由聚合咄喀所成之導電性高分子層56 。在該導電性高分子層56之上，就依序積層予以形成由碳 層及銀塗料層所成之導電體層57。導電性高分子層56、導 電體層57等之成膜，乃與第！實施例為同樣之條件作調製 。而在本實施例上，為確認阻體膠帶53之效果，乃予製成 阻體膠帶53之寬度與禁止帶52具有大約為相同寬度之試料 Μ ’與阻體膠帶53之寬度比禁止帶52具有大約寬大〇.4mm 之試料5B。 <<第6典型性實施例>> 第6圖係表示本發明之一實施例的固體電解電容器之 组立狀‘怒與外裝狀態的截面圖。在由禁止帶6 1與阻體膠帶 62所區分之陽極引出部64，使陽極端子65以電氣性予以連 接。又’在所區別之電容器元件部63，使陰極端子66以電 氣性作連接，並且，由以環氧樹脂所成之外裝樹脂67作塑 模成型。其後，突出之陽極端子65與陰極端子66就沿著外 裝樹脂6 7之側面及底面予以彎折。 本紙張g刺中關家標準（CNS)A4規格⑵0x 297公爱） 19 A7 B7 五、發明說明（17) «第7典型性實施例>> 對於以如是所獲得之種種的鋁製固體電解電容器，及 在第8圖所示之素來的鋁製固鱧電解電容器的各個，作鋁 製固體電解電容器之基本性電氣性能與漏電流的良品率之 測定。漏電流良品率係對於2〇〇個試料，以具有4以A以下 之漏電流之試料的比率。其測定結果表示於第1表，而由 第1〜5實施例所獲得之各個之2〇〇個試料的測定，其2〇〇個 之平均值乃表示於第1表。 ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1表（規格：4V，56//F，200個試料之平均值，tas5 :IKHz之值） ! 基本性之電氣性能 漏電流 之良品 率(％) 靜電容 器（"F) tan δ (%) 漏電流 [/iA] I 丨第1典型性實施例 放置24Hr 57.4 1.9 0.34 86.5 放置48Hr 57.3 1.9 0.35 88.5 放置96Hr 56.6 1.7 0.28 94.0 放置144Hr 56.5 1.7 0.29 95.0 第2典型性實施例 56.4 1.7 0.28 94.5 第3典型性實施例 56.7 1.8 0.30 92.5 第4典型性實施例 57.0 1.7 0.33 90.5 第5典型性實施例 5A,同寬度 56.6 1.6 0.30 95.0 5B，廣寬度 56.4 1.7 0.27 95.5 習知例 57.9 2.1 0.34 82.0

訂---------線J 工消费合作社印製 由第1表可知，本第1〜5典型性實施例之鋁製固體電 解電容器，與習知之鋁製固體電解電容器相比較，雖具有 同等以上之基本性電氣性能，但是，本實施例之鋁製固體 電解電容器乃比習知之鋁製固體電解電容器，具有較高之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇χ 297公釐） 20 473753 A7 B7 五、發明說明（l8) 漏電喪。σ率。即，本實施例之鋁製固體電解電容器，係 ”有優良之基本性電氣性能之同時，亦具有優良之漏電流 良扣率。換5之，由禁止帶可防止導電性高分子層浸透至 陽極引出部。 特別疋，對於第1典型性實施例之試料的測定結果， 由於從在禁止帶設置矽酮材起至形成其次之介電體氧化層 之工程為止，至少亦作約96小時以上之放置的控制工程之 設置’即，漏電流良品率就顯著提昇。 又，對於第5典型性實施例之試料的測定結果上，由 ^置八有比不止帶之見度為廣調寬度的耐熱性膠帶以覆 蓋禁止帶，即，其漏電流良品率有提升若干。但是，使用 具有該廣調寬度的石夕酮膠帶之絲，&匕依設置禁止帶之 效果為低。即，具有比禁止帶之寬度為調大的膠帶，係更 加具有防止超越禁止帶所形成之導電性高分子層的浸透之 效果。因此，可穩定予以防止導電性高分子層浸透至陽極 引出部。 ，又，在設置依第2典型性實施例之試料的沖壓加工的 望蝙形成之禁止帶22，由第3典型性實施例的雷射加工之 熔融凝縮所形成的禁止帶32，以及由第4典型性實施例之 J削加工作去除所形成之阻塞禁止帶般的阻體膠帶之構成 寺上，乃具有與習知為同等以上之基本性電氣性能之同時 亦可後得比習知的顯著之優良的漏電流良品率。 <<第8典型性實施例>> 在第1〜5典型性實施例上，導電性高分子層係由電解 本:¾用中國國家標準 (CNS)A4 (210 x 297 ) I I I I I------· I — I — I I I 訂-----I I-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 21 473753 A7 ___Β7 五、發明說明（l9) 氧化重合所形成：惟，並不限定於該構成，而導電性高分 子層由化學氧化重合法予以形成導電性高分子層亦為可能 。於該構成上，亦可獲得與上述為同樣之作用效果。由該 化學氧化重合法之具體例，於以下作說明。 將鈕粉末作加壓成形且作真空燒結而作成厚度〇9mm 、寬度2.0mm、長度1.3mm之作為陽極體的多孔質活門金 屬，而該多孔質活門金屬具有引出線。將該陽極體之表面 ’於具有5重量％之濃度的磷酸水溶液中，進行3〇v之陽極 氧化而在陽極體之表面予以形成介電體氧化被膜。接著， 將該試料浸潰在含有複素環式化合物或其誘導體之^比喀單 體物0.7莫耳/1，與界面活性劑，及作為雜質之萘磺酸〇 〇5 旲耳/1之水溶液。然後，接著予以浸潰在含有界面活性劑 與萘〜I之鐵鹽類〇 · 〇 5莫耳/1之氧化液，以進行液相化學 氧化重合。其後，以其原狀曝晒在〇之吼嗔單體物蒸氣 中30分鐘，以進行氣相化學氧化重合。之後，於離子交換 水之流水中洗淨10分鐘，以去除氧化劑之殘渣。其後，於 1 C進仃1 0分鐘乾燥。將如是之化學氧化重合反覆作】5 -人、而以如是予以形成由導電性高分子所成之固體電解質 層。然後，在由導電性高分子所成之固體電解質層之上， 予以設置勝態石墨及銀塗料，其後，就施予所定之外裝。 以如是予以構成固體電解電容器。 以如是所製作之固體電解電容器，係具有與習知之固 體電解電容器為同等以上之基本的電氣性能之同時，乃具 有白知之固體電解電容器為優良之漏電流良品率。 (2】〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装---- 訂---------線、 22 if： 7οτ 五 A7 """" B7 __ 發明說明（2〇 ) 如上述，本發明之固體電解電容器，係具有為形成陽 極引出部與電'容器元件部之境界部份之用的禁止帶，而該 禁止帶乃要防止導電性高分子材料浸透至陽極引出部。因 此，可防止導電性高分子層因到達陽極引出部而起之絕緣 不良的發生，並且，可使變為絕緣破壞之機率顯著予以減 少，同時，亦不會影響習知之固體電解電容器的生產力。 由於此，就可獲得具有與素來之電解電容器為同等以上之 基本的電氣性能之固體電解電容器。 又’由於具有設置在禁止帶之上的阻體材，因此，使 禁止帶可防止導電性高分子材料之浸透，乃可防止因導電 性南分子層到達陽極引出部而生之絕緣不良的發生，且使 k為絕緣破壞之機率顯著降低。並且，設置在禁止帶上之 阻體材可防止導電性高分子層超越禁止帶而予形成在陽極 引出部’因此，絕緣不良之防止與絕緣破壞之防止就可顯 著提升。該禁止帶之效果與阻體材之效果乃予相乘，其結 果，具有上述之效果的固體電解電容器就確實可獲得。 而禁止帶或阻體材，由具有如矽酮之強撥水性及耐熱 性之材料予以形成之構成，即，上述之效果將更加提升。 並且’依使用粗面化之筵狀的活門作用金屬之構成， 可使從粗面化層之表面至深部之距離容易作成較小。由於 此’就可容易將禁止帶確實形成至經予粗面化之層的内部 ，因此，上述之效果就更加確實予以獲得。 圖面之簡單說明 第1 a圖係表示本發明之一實施例的固體電解電容器元 本紙張尸、1:¾闬中SS家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） — — — —— —------- ·1111111 ^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 23 A7 B7 〜^.::^$"^4^;:只工消費合作社印製 五、發明說明（21 ) 件的構成之透視圖。 第lb圖係表示在第la圖所示之固體電解電容器元件之 要部擴大載面圖。 第2a圖係表示本發明之其他實施例的固體電解電容器 元件之構成的透視圖。 第2b圖係表示在第2a圖所示之固體電解電容器元件的 要部擴大截面圖。 第3a圖係表示本發明之另一實施例的固體電解電容器 元件之構成的透視圖。 第3b圖係表示在第3a圖所示之固體電解電容器元件的 要部擴大戴面圖。 第4a圖係表示本發明之另一實施例的固體電解電容器 元件之構成的透視圖。 第4b圖係表示在第4a所示之固體電解電容器元件的要 部擴大戴面圖。 第5a圖係表示本發明之另一實施例的固體電解電容器 元件之構成的透視圖。 第5b圖係表示在第5a圖所示之固體電解電容器元件的 要部擴大裁面圖。 第6圖係表示本發明之一實施例的固體電解電容器元 件之組立狀態與外裝狀態的裁面圖。 第7圖係表示本發明之一實施例的固體電解電容器之 製造方法的製程圖。 第8圖係表示習知之固體電解電容器的構成之裁面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線_

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元件標號對照 ι··阻體材 2，13,23,33,43,54,64···陽極引 出部 3’11,21，31，41，51，63 ···電容器 元件部 4…間隙 5···活門金屬 6 · 6 5…陽極端子 7，6 6…陰極端子 8 · 6 7…外裝樹脂 10…陽極體 12,22,32,42,52,6卜·禁止帶 14,24,34,44,55〜介電體氧化 被膜 15,25,35,45,56···導電性高分 子層 16,26,36,46,57···導電體層 19,59···矽材 53,62···阻體膠帶 -------------裝--------訂· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .線· &&度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇χ 297公釐） 25

Claims (1)

1. 、申請專利範圍 第89職10號專射請㈣請專利範圍修正本 修正曰期：90年8月 --I--U------1__ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 種=體電解電谷器，其構成特徵在於具備： 陽極體’係具有電容器元件部與禁止帶及陽極引出 部， 而前述禁止帶如同區別前述電容元件部及前述陽 極引出部般，且具有設置在前述電容器元件部與前述陽 極引出部之間的境界部； "電體氧化被膜層，係予設置在前述電容器元件部 導電性高分子層，係予設置在前述介電體氧化被膜 層之上方； 導電體層，係予設置在前述導電性高分子層之上方 陽極端子，係以電氣性連接於前述陽極引出部；及 陰極端子，係以電氣性連接於前述導電體層。 2·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其中： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 刖述陽極體係在粗面化層及多孔質層之中至少亦 具有其中之一的凹凸層。 3·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其中： 前述陽極體係在粗面化層及多孔質層之中至少亦 具有形成其中之一的層之活門作用金屬。 4.如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其在構成上 尚具有： 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 26 圍範 專請 中 ABCD 凹凸層，係前述陽極體具有在粗面化層及多孔質層 之中至少亦有其中之一的凹凸層； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 凹部與凸部，係前述凹凸層乃具有凹部與凸部；及 矽酮層，係前述禁止帶具有予以設置在前述凹部之 表面與前述凸部之表面的矽酮層。 5·如申請專利範圍第丨項之固體電解電容器，其在構成上 尚具有： 凹凸層，係前述陽極體在粗面化層及多孔質層之中 至少亦具有其中之一的凹凸層； 凹部與凸部，係前述凹凸層具有凹部與凸部；及 石夕綱層，係前述禁止帶具有予以設置在前述凹部之 表面與前述凸部之表面的石夕酮層，而上述石夕_層乃具有 從石夕_之2量體至20量體止之範圍的聚矽氧貌之低分子 6·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其中： 則述陽極體，係在粗面化層及多孔質層之中至少亦 具有含有其中之一的凹凸層之活門作用金屬； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 前述禁止帶，係具有含有比前述凹凸層之表面積為 小之表面積的加工部；及 前述加工部，係具有由前述凹凸層之壓縮加工所形 成之壓縮層。 7·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其中： 前述陽極體，係在粗面化層及多孔質層之中至少亦 具有含有其中之一的凹凸層之活門作用金屬； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 27 A8 Β8 C8 -- ^~-_ Ρ8 一 申請專利範圍 别述禁止帶，係具有含有比前述凹凸層之表面積為 小的表面積之加工部，·及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述加工部，係具有由前述凹凸層之熔融加工所形 成之熔融凝縮層。 8·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其中： 前述陽極體，係在粗面化層及多孔質層之中至少亦 具有含有其中之一的凹凸層之活門作用金屬； 前述凹凸層，係具有凹部與凸部；及 前述禁止帶，係具有由前述凸部之去除所形成之分 斷溝。 9·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其中： 前述陽極體，係在粗面化層及多孔質層之中至少亦 具有含有其中之一的凹凸層之活門作用金屬；及 前述活門作用金屬，係具有箔狀。 10.如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其中： 前述陽極體，係在粗面化層及多孔質層之中至少亦 具有含有其中之一的凹凸層之活門作用金屬；及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 前述活門作用金屬，係在鋁、鈕、銳、鍅、鈦，在 該等之中至少亦含有其中之2種的複合體，以及由至少 亦含有該等之中的2種之合金所成之群組所選用的至少 亦有其1種者。 11·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其中： 前述導電性高分子層，係含有由電解氧化重合所形 成之生成物。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 28 !/： 7

   申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其中： 前述導電性高分子層，係具有由複素5圓環化合物 及在其介導體之中至少亦有其一之單體物，以及作為雜 質之烯丙磺酸的電解氧化重合所形成之生成物。 13·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其在構成上 再具備： 阻體材：係予設置在前述禁止帶。 I4·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器 再具有： 阻體材，係予設在前述禁止帶； 凹凸層’係前述陽極體，在粗面化層及多孔質層 中至少亦具有其中之一的凹凸層； 凹部與凸部，係前述凹凸層，具有凹部與凸部 膠帶’係前述阻體材，具有耐熱性膠帶材與含有 置在刖述耐熱性膠帶材之矽酮系統粘著劑的膠帶厂 矽酮擴散層，係前述禁止帶，乃具有使前述矽綢系 統粘著劑含有如同予以設置在前述凹部與前述凸部 表面的形狀之石夕_擴散層。 15·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其在構成 具再具有： 阻體材’係予設置在前述禁止帶； 凹凸層，係前述陽極體，在粗面化層及多孔質層之 中至少亦具有其中之一的凹凸層； 凹部與凸部，係前述凹凸層，具有凹部與凸部； 其在構成上 之 設 之 上 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 29 A8 B8 C8 〜___D8 '申請專利範圍 膠帶，係前述阻體材，具有耐熱性膠帶材與含有予 以設置在前述耐熱性膠帶材之矽酮系統粘著劑的膠帶； 石夕嗣擴散層，係前述禁止帶，乃具有使前述石夕酮系 統粘著劑含有如同予以設置在前述凹部與前述凸部之 表面般的形狀之矽硐擴散層；及 低分子矽綢，係前述矽酮系統粘著劑，乃具有從矽 酮之2量體至20量體止之範圍的聚矽氧烷之低分子矽_ 16·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其在構成上 再具有： 阻體材，係予設置在前述禁止帶； 凹凸層，係前述陽極體，在粗面化層及多孔質層之 中至少亦具有其中之一的凹凸層； 凹部與凸部，係前述凹凸層，具有凹部與凸部； 膠帶，係前述阻體材，乃具有耐熱性膠帶材與含有 予以設置在前述耐熱性膠帶材之矽酮系統粘著劑之膠 帶； 矽酮擴散層，係前述禁止帶，乃具使前述矽酮系統 枯著劑含有如同予以設置在前述凹部與前述凸部之表 面般的形狀的矽酮擴散層；及 前述膠帶，係具有比前述禁止帶之帶寬為較大的寬 度。 17·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其在構成上 再具有： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 30 !/： 7 Ο： 7 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 阻體材，係予設置在前述禁止帶； 活門作用金屬’係則述陽極體，在粗面化層及多孔 質層之中具有至少亦含有其中之一的凹凸層之活門作 用金屬； 凹部與凸部，係前述凹凸層具有凹部與凸部； 加工部’係前述禁止帶具有含有比前述凹凸層之表 面積為小之表面積的加工部；及 壓縮層，係冑述加工部具有由前述凹凸層之I缩加 工所形成之壓縮層。 18·如申請專利範圍第i項之固體電解電容器，其在構成上 再具有： 阻體材’係予没置在前述禁止帶； /舌門作用金屬，係前述陽極體，具有在粗面化層及 夕孔質層之中具有至少亦含有其中之一的凹凸層之活 門作用金屬； 凹部與凸部，係前述凹凸層具有凹部與凸部； 加工部，係前述禁止帶，具有含有比前述凹凸層之 表面積為小之表面積的加工部；及 溶融凝縮層’係前述加工部，具有由前述凹凸層之 溶融加工所形成之溶融凝縮層。 19·如申請專利範圍第丨項之固體電解電容器，其在構成上 再具有： 阻體材，係予設置在前述禁止帶； 活門作用金屬，係前述陽極體，具有在粗面化層及 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------^------------線、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 31 7οτ ? 4 Η Α8 Β8 C8 D8

   、申請專利範圍 多孔質層之中至少亦持有其中之一的凹凸層之活門作 用金屬； 凹部與凸部，係前述凹凸層具有凹部與凸部； 分斷溝，係前述禁止帶具有由前述凸部之去除而所 形成之分斷溝。 2〇·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其在構成上 再具有： 阻體材，係予設置在前述禁止帶； 孔 金 !#! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 活門作用金屬，係前述陽極體，在粗面化層及多 質層之中至少亦持有其中之一的凹凸層之活門作用 屬；及 、言 箔狀，係前述活門作用金屬具有箔狀。 21·如申請專利範圍第1項之固體電解電容器，其在構成上 再具有： 阻體材，係予設置在前述禁止帶； 活門作用金屬，係前述陽極體，具有在粗面化層及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 多孔質層之中至少亦持有其中之一的凹凸層之活門作 用金屬；及 群選之合金或複合體，係前述活門作用金屬乃為鋁 '組、銳、錯、鈦’在該等之中至少亦含有其2種之複 合體，以及由該等之中至少亦含有其2種之合金所成之 群所選用之至少亦具有其一種者。 22·如申研專利範圍第1項之固體電解電容器，其在構成上 再具有： 32 4737M Α8 Β8 C8 D8 々、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 阻體材，係予設置在前述禁止帶；及 生成物，係前述導電性高分子層，乃具有由複素5 圓環化合物及在其介導體之中至少亦為其一之單體物 ，以及作為雜質之烯丙磺酸之電解氧化重合，予以形成 之生成物。 23·—種固體電解電容器之製造方法，其步驟特徵在於具備 陽極體供給工程，係供給陽極體； 禁止帶形成工程，係予形成在前述陽極體，乃欲予 形成電容器元件部與陽極引出部之境界部之用； 介電體氧化被膜形成工程，係予形成在前述電容器 元件部； 導電性南分子層形成工程，係予形成在前述介電體 氧化被膜之上方； 導電體層形成工程，係予形成在前述導電性高分子 層之上方； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 連接工程，係將陽極端子以電氣性連接於前述陽極 引出部；及 連接工程，係將陰極端子以電氣性連接於前述導電 體層。 24·如申請專利範圍第23項之固體電解電容器之製造方法 ’其中，前述陽極體供給工程尚具有： 凹凸層形成工程，係在前述陽極體之表面予以形成 ，在粗面化層及多孔質層之中至少亦為其中之一的凹凸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 33 A8 B8 C8 ___ D8 六、申請專利範圍 層。 (請先閲讀背面之注意事項再頊寫本頁) 25·如申請專利範圍第23項之固體電解電容器之製造方法 ’其中，前述陽極體供給工程尚具有： 凹凸層形成工程，係在前述陽極體之表面予以形成 ’在粗面化層及多孔質層之中至少亦為其中之一的凹凸 層，且前述陽極體乃具有活門作用金屬。 26.如申請專利範圍第23項之固體電解電容器之製造方法 ’其中，前述陽極體供給工程及前述禁止帶形成工程， 分別尚具有： 凹凸層形成工程，係予形成在前述陽極體之表面而 於粗面化層及多孔質層之中至少亦具有其中之一；及 矽酮塗膜形‘成工程，係予形成在前述凹凸層之表面 . 〇 27·如申請專利範圍第23項之固體電解電容器之製造方法 ’其中，前述陽極體供給工程尚具有： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 凹凸層形成工程’係予形成在前述陽極體之表面而 粗面化層及多孔質層之中至少亦具有其中之一，且前述 凹凸層乃具有凹部與凸部之表面； 而前述禁止帶形成工程尚具有： 矽酮設置工程，係設置在前述凹凸層之表面；及 所定時間放置工程，係使前述所設之前述矽酮擴散 至前述凹部與前述凸部之前述表面者。 28·如申請專利範圍第23項之固體電解電容器之製造方法 ’其中，前述陽極體供給工程尚具有： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 34 A8 B8 C8 D8 5、申請專利範圍 凹凸層形成工程，係予形成在前述陽極體之表面， 而於粗面化層及多孔質層之中至少亦具有其中之一； 而前述禁止帶形成工程尚具有： 去除工程，係將前述凹凸層之凸部依切削而去除。 29·如申請專利範圍第23項之固體電解電容器之製造方法 ，其中，前述陽極體供給工程尚具有： 凹凸層形成工程，係予形成在前述陽極體之表面， 而於粗面化層及多孔質層之中至少亦具有其中之一； 而前述禁止帶形成工程尚具有： 壓縮部形成工程’係將前述凹凸層之凸部作壓縮。 30.如申請專利範圍第23項之固體電解電容器之製造方法 ，其中，前述陽極體供給工程尚具有： 凹凸層形成工程，係予形成在前述陽極體之表面， 且在粗面化層及多孔質層之中至少亦具有其中之一； 而前述禁止帶形成工程尚具有： 溶融凝縮部形成工程，係將前述凹凸層之一部份作 熔融。 31·如申請專利範圍第23項之固體電解電容器之製造方法 ，其中， 前述導電性高分子層形成工程，係依單體物之電解 氧化重合所形成❶ 32·如申請專利範圍第23項之固體貧解電容器之製造方法 ，其中，其在構成步驟上再具有： 阻體材設置工程，係予設置在前述禁止帶。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、言 經濟部智慧財產局員工·消費合作社印製 35 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 33·如申請專利範圍第23項之固體電解電容器之製造方法 ，其中，其在構成步驟上再具有： 阻體材設置工程，係予設置、在前述禁止帶。 而前述陽極體供給工程即具有·· 凹凸層形成工程，係予形成在前述陽極體之表面， 且於粗面化層及多孔質層之中至少具有其中之一，而前 述凹凸層乃具有凹部與凸部之表面； 又前述禁止帶形成工程即具有： 膠帶設置工程，係具有耐熱性膠帶基材及予以設置 在前述对熱性膠帶基材之上的梦酮粘著劑；及 所定時間放置工程，係欲使前述矽酮粘著劑可擴散 至前述凹部蜱前述凸部之前述表面之需。 34·如申請專利範圍第23項之固體電解電容器之製造方法 ，其在構成步驟上再具備： 阻體膠帶設置工程，係予設置在前述禁止帶。 而前述陽極體供給工程即具有在其表面形成凹凸 層工程；及 且前述禁止帶形成工程即具有去除前述凹凸層之 一部份而予形成分斷溝之工程，以及覆蓋前述分斷溝而 予粘著前述阻體膠帶之工程。 35·如申請專利範圍第23項之固體電解電容器之製造方法 ，其在構成步驟上再具備： 阻體膠帶設置工程，係予設置在前述禁止帶； 而前述陽極體供給工程，即具有在其表面形成凹凸 本紙張财酬家料（CNS〉A4· ( 210X297公釐) -------- -36 - ---- ----JI I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 47^7^：^ ABCD 、申請專利範圍 層之工程；及 且前述禁止帶形成工程，即具有將前述凹凸層之一 部份作沖廢加工，而予形成遞 _ 卞开y成壓細層之工程，以及覆蓋葡 述壓縮層而予粘著前述阻體膠帶之工程。 %如申請專利範圍第23項之固體電解電容器之製造方法 ’其在構成步驟上再具備·· 阻=膠較置工程，料設置在前述禁止帶； 而前述陽極體供給工程，即具有在其表面形成凹凸 層之工程； 么且則述禁止帶形成工程，即具有將前述凹凸層之一 部份熔融而予形成熔融凝縮層之工程，以及將前述壓熔 融凝縮層覆蓋，而予粘著前述阻體膠帶之工程。 ^ — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） 37