JPH0650711B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH0650711B2 JPH0650711B2 JP639586A JP639586A JPH0650711B2 JP H0650711 B2 JPH0650711 B2 JP H0650711B2 JP 639586 A JP639586 A JP 639586A JP 639586 A JP639586 A JP 639586A JP H0650711 B2 JPH0650711 B2 JP H0650711B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電導性高分子化合物を固体導電体として用い
た、性能の良好な固体電解コンデンサの製造方法に関す
るものである。
た、性能の良好な固体電解コンデンサの製造方法に関す
るものである。
［従来の技術］ 従来の固体電解コンデンサ、例えばアルミニウム電解コ
ンデンサは、エッチング処理した比表面積の大きい多孔
質アルミニウム箔の上に誘電体である酸化アルミニウム
層を設け、陰極箔との間の電解紙に液状の電解液を含浸
させた構造からなっているが、電解液が液状であるため
に液漏れ等の問題を引き起こし好ましいものではなく、
従って、この導電層を固体導電体で代替する試みがなさ
れている。それらの固体電解コンデンサは、陽極酸化被
膜を有するアルミニウム、タンタルなど被膜形成金属に
固体導電体を付着した構造を有したものであり、この種
の固体コンデンサの固体導電体には主に硝酸マンガンの
熱分解により形成される二酸化マンガンが用いられてい
る。しかし、この固体電解コンデンサは、熱分解の際に
要する高熱と発生するＮＯｘガスの酸化作用などによっ
て、誘電体であるアルミニウム、タンタルなどの金属酸
化被膜の損傷があり、そのため耐電圧は低下し、漏れ電
流が大きくなり、誘電特性を劣化させるなど極めて大き
な欠点があり、また、再化成という工程も必要とされて
いる。
ンデンサは、エッチング処理した比表面積の大きい多孔
質アルミニウム箔の上に誘電体である酸化アルミニウム
層を設け、陰極箔との間の電解紙に液状の電解液を含浸
させた構造からなっているが、電解液が液状であるため
に液漏れ等の問題を引き起こし好ましいものではなく、
従って、この導電層を固体導電体で代替する試みがなさ
れている。それらの固体電解コンデンサは、陽極酸化被
膜を有するアルミニウム、タンタルなど被膜形成金属に
固体導電体を付着した構造を有したものであり、この種
の固体コンデンサの固体導電体には主に硝酸マンガンの
熱分解により形成される二酸化マンガンが用いられてい
る。しかし、この固体電解コンデンサは、熱分解の際に
要する高熱と発生するＮＯｘガスの酸化作用などによっ
て、誘電体であるアルミニウム、タンタルなどの金属酸
化被膜の損傷があり、そのため耐電圧は低下し、漏れ電
流が大きくなり、誘電特性を劣化させるなど極めて大き
な欠点があり、また、再化成という工程も必要とされて
いる。
これらの欠点を補うため、高温に加熱することなく固体
導電体を形成する方法として、高電導性の有機材料を固
体導電体とする方法が試みられている。その例として
は、特開昭52−79255号公報に記載されるように7,7,8,8
−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）錯塩を含む電
導性有機化合物を固体導電体の主成分とする固体電解コ
ンデンサが知られている。しかしながら、この固体電解
コンデンサは、ＴＣＮＱ錯塩が陽極酸化被膜との付着性
に劣り、細孔内への含浸が十分でなく、コンデンサの容
量値は小さく、誘電損失も大きく、また熱的経時的な安
定性も劣り信頼性が低い。また、ＴＣＮＱ錯塩はコスト
が高いため、固体電解コンデンサ全体の製造コストが高
くつくという問題があった。
導電体を形成する方法として、高電導性の有機材料を固
体導電体とする方法が試みられている。その例として
は、特開昭52−79255号公報に記載されるように7,7,8,8
−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）錯塩を含む電
導性有機化合物を固体導電体の主成分とする固体電解コ
ンデンサが知られている。しかしながら、この固体電解
コンデンサは、ＴＣＮＱ錯塩が陽極酸化被膜との付着性
に劣り、細孔内への含浸が十分でなく、コンデンサの容
量値は小さく、誘電損失も大きく、また熱的経時的な安
定性も劣り信頼性が低い。また、ＴＣＮＱ錯塩はコスト
が高いため、固体電解コンデンサ全体の製造コストが高
くつくという問題があった。
近年、電導度が高く、誘電体被膜との付着性がよく、ま
た安価な電導性高分子化合物を固体導電体に用いた固体
電解コンデンサを提供する試みがなされている。この試
みにおいては、誘電体として用いる多孔質金属酸化物の
被膜上に電導性高分子化合物を付着させる際に、多孔質
金属酸化物の細孔内に電導性高分子化合物を巧みに導入
して安定化させることが、最も重要な課題となってい
る。一般に、電導性高分子化合物は不溶、不融であり賦
形性、加工性が著しく劣っている。即ち、殆どの電導性
高分子化合物は、溶融成形や、キャスティング法による
成形などができないため、固体導電体としてのすぐれた
性能を有しながら、多孔質金属酸化物の細孔内に導入さ
れることができず、従って固体電解コンデンサには用い
られることのできない場合が多かった。
た安価な電導性高分子化合物を固体導電体に用いた固体
電解コンデンサを提供する試みがなされている。この試
みにおいては、誘電体として用いる多孔質金属酸化物の
被膜上に電導性高分子化合物を付着させる際に、多孔質
金属酸化物の細孔内に電導性高分子化合物を巧みに導入
して安定化させることが、最も重要な課題となってい
る。一般に、電導性高分子化合物は不溶、不融であり賦
形性、加工性が著しく劣っている。即ち、殆どの電導性
高分子化合物は、溶融成形や、キャスティング法による
成形などができないため、固体導電体としてのすぐれた
性能を有しながら、多孔質金属酸化物の細孔内に導入さ
れることができず、従って固体電解コンデンサには用い
られることのできない場合が多かった。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の目的は、上述した従来技術の問題点を解決し、
多孔質誘電体の細孔内に固体導電体としての性能のすぐ
れている電導性高分子化合物を容易に導入することがで
き、さらに誘電体被膜との付着性が良好で、しかも製造
コストが低い電導性高分子化合物を固体導電体とする固
体電解コンデンサの製造方法を提供することにある。
多孔質誘電体の細孔内に固体導電体としての性能のすぐ
れている電導性高分子化合物を容易に導入することがで
き、さらに誘電体被膜との付着性が良好で、しかも製造
コストが低い電導性高分子化合物を固体導電体とする固
体電解コンデンサの製造方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明に従えば、電導性高分子化合物を固体電解質とす
る固体電解コンデンサを製造するに当り、該電導性高分
子化合物を、多孔質誘電体層表面上の一部に設けた導電
物質を重合の開始点として電解重合を実施することによ
り、多孔質誘電体層表面に析出・成長させることを特徴
とする固体電解コンデンサの製造方法が提供される。
る固体電解コンデンサを製造するに当り、該電導性高分
子化合物を、多孔質誘電体層表面上の一部に設けた導電
物質を重合の開始点として電解重合を実施することによ
り、多孔質誘電体層表面に析出・成長させることを特徴
とする固体電解コンデンサの製造方法が提供される。
本発明方法において、多孔質誘電体層表面に電解重合法
によって析出・成長させる固体導電体として用いられる
電導性高分子化合物とは、π電子共役系を有する高分子
化合物のことであり、電気伝導度が10-3Ｓ／cm以上の値
を有するものが望ましい。このような電導性高分子化合
物の代表例としては、ポリアセチレン、ポリパラフェニ
レン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリシアノアセ
チレン、ポリイソチアナフテン、ポリジアセチレン、ポ
リアニリン、ポリフタロシアニン及びこれらのポリマー
を構成するモノマーの誘電体の重合体等をあげることが
できる。これらの電導性高分子化合物のうち、好ましい
電導性高分子化合物としては、ポリチオフェン、ポリイ
ソチアナフテン、ポリピロールをあげることができ、さ
らに好ましくはポリチオフェンをあげることができる。
によって析出・成長させる固体導電体として用いられる
電導性高分子化合物とは、π電子共役系を有する高分子
化合物のことであり、電気伝導度が10-3Ｓ／cm以上の値
を有するものが望ましい。このような電導性高分子化合
物の代表例としては、ポリアセチレン、ポリパラフェニ
レン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリシアノアセ
チレン、ポリイソチアナフテン、ポリジアセチレン、ポ
リアニリン、ポリフタロシアニン及びこれらのポリマー
を構成するモノマーの誘電体の重合体等をあげることが
できる。これらの電導性高分子化合物のうち、好ましい
電導性高分子化合物としては、ポリチオフェン、ポリイ
ソチアナフテン、ポリピロールをあげることができ、さ
らに好ましくはポリチオフェンをあげることができる。
上記の電導性高分子化合物の中には、中性の状態で10-3
S/cm以上の電気伝導度を有するものもあれば、電子供与
性あるいは電子吸引性のドーパントをドープすることに
よって10-3S/cm以上の電気伝導度を有するものもあり、
いずれも固体導電体として用いることができる。
S/cm以上の電気伝導度を有するものもあれば、電子供与
性あるいは電子吸引性のドーパントをドープすることに
よって10-3S/cm以上の電気伝導度を有するものもあり、
いずれも固体導電体として用いることができる。
電解重合法では、該電導性高分子化合物の析出と同時
に、使用した電解電位に対応したドーピングが生じるの
が普通であり、このような場合には製膜と同時に電気化
学的なドーピングが行われることになる。この電導性高
分子化合物から、電解重合時にドーピングされたドーパ
ントを脱ドープして中性にすることも可能である。ま
た、脱ドープして中性化した電導性高分子化合物、ある
いは電解重合時にドーピングされない中性の電導性高分
子化合物を、さらに適当なドーパントでドーピングする
ことも可能である。この場合、ドーピングは化学的ドー
ピング、電気化学的ドーピングのいずれの方法を採用し
てもよい。以上のように電解重合法で得られる電導性高
分子化合物は種々なドーピング状態を取りうるが、いず
れの場合にも固体導電体として用いることができる。
に、使用した電解電位に対応したドーピングが生じるの
が普通であり、このような場合には製膜と同時に電気化
学的なドーピングが行われることになる。この電導性高
分子化合物から、電解重合時にドーピングされたドーパ
ントを脱ドープして中性にすることも可能である。ま
た、脱ドープして中性化した電導性高分子化合物、ある
いは電解重合時にドーピングされない中性の電導性高分
子化合物を、さらに適当なドーパントでドーピングする
ことも可能である。この場合、ドーピングは化学的ドー
ピング、電気化学的ドーピングのいずれの方法を採用し
てもよい。以上のように電解重合法で得られる電導性高
分子化合物は種々なドーピング状態を取りうるが、いず
れの場合にも固体導電体として用いることができる。
電気化学的にドーピングするドーパントとしては、
（Ｉ）ＰＦ，ＳｂＦ，ＡｓＦ，ＳｂＣｌの如き
Ｖａ族の元素のハロゲン化物アニオン、ＢＦの如きII
Iａ族の元素のハロゲン化物アニオン、Ｉ−（Ｉ），
Ｂｒ−，Ｃｌ−の如きハロゲンアニオン、ＣｌＯの如
き過塩素酸アニオン等の陰イオン・ドーパント及び（I
I）Ｌｉ＋，Ｎａ＋，Ｋ＋，Ｒｂ＋，Ｃｓ＋の如きアル
カリ金属イオン、一般式Ｒ４−ＸＭ＋ＨＸまたはＲ３Ｍ
１ ＋〔式中、ＲはＣ１からＣ10のアルキル基、フェニ
ル、ハロフェニル、アルキルフェニル等のアリール基、
ＭはＮ，Ｐ，Ａｓ、Ｍ１は０又はＳ、ｘは０又は１を表
す。〕で示されるテトラアルキルアンモニウムイオン、
テトラアルキルホスホニウムイオン、テトラアルキルア
ルソニウムイオン、トリアルキルオキソニウム、トリア
ルキルスルホニウムイオン等の陽イオン・ドーパント等
をあげることができる。一方、化学的にドーピングする
ドーパントとしては、従来から知られている種々の電子
受容性化合物及び電子電子供与性化合物、例えば（Ｉ）
沃素、臭素及び沃化臭素の如きハロゲン、（II）五弗化
砒素、五弗化アンチモン、四弗化珪素、五塩化燐、五弗
化燐、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム及び弗化ア
ルミニウムの如き金属ハロゲン化物、（III）硫酸、硝
酸、フルオロ硫酸、トリフルオロメタン硫酸及びクロロ
硫酸の如きプロトン酸、（IV）三酸化硫黄、二酸化窒
素、ジフルオロフルホニルパーオキシドの如き酸化剤、
（Ｖ）ＡｇＣｌＯ４、（VI）テトラシアノエチレン、テ
トラシアノキノジメタン、クロラニール、2,3−ジクロ
ル−5,6−ジシアノパラベンゾキノン、2,3−ジブロム−
5,6−ジシアノパラベンゾキノン、（VII）Ｌｉ，Ｎａ，
Ｋの如きアルカリ金属等を用いることができるが、必ず
しもこれらに限定されるものではない。
（Ｉ）ＰＦ，ＳｂＦ，ＡｓＦ，ＳｂＣｌの如き
Ｖａ族の元素のハロゲン化物アニオン、ＢＦの如きII
Iａ族の元素のハロゲン化物アニオン、Ｉ−（Ｉ），
Ｂｒ−，Ｃｌ−の如きハロゲンアニオン、ＣｌＯの如
き過塩素酸アニオン等の陰イオン・ドーパント及び（I
I）Ｌｉ＋，Ｎａ＋，Ｋ＋，Ｒｂ＋，Ｃｓ＋の如きアル
カリ金属イオン、一般式Ｒ４−ＸＭ＋ＨＸまたはＲ３Ｍ
１ ＋〔式中、ＲはＣ１からＣ10のアルキル基、フェニ
ル、ハロフェニル、アルキルフェニル等のアリール基、
ＭはＮ，Ｐ，Ａｓ、Ｍ１は０又はＳ、ｘは０又は１を表
す。〕で示されるテトラアルキルアンモニウムイオン、
テトラアルキルホスホニウムイオン、テトラアルキルア
ルソニウムイオン、トリアルキルオキソニウム、トリア
ルキルスルホニウムイオン等の陽イオン・ドーパント等
をあげることができる。一方、化学的にドーピングする
ドーパントとしては、従来から知られている種々の電子
受容性化合物及び電子電子供与性化合物、例えば（Ｉ）
沃素、臭素及び沃化臭素の如きハロゲン、（II）五弗化
砒素、五弗化アンチモン、四弗化珪素、五塩化燐、五弗
化燐、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム及び弗化ア
ルミニウムの如き金属ハロゲン化物、（III）硫酸、硝
酸、フルオロ硫酸、トリフルオロメタン硫酸及びクロロ
硫酸の如きプロトン酸、（IV）三酸化硫黄、二酸化窒
素、ジフルオロフルホニルパーオキシドの如き酸化剤、
（Ｖ）ＡｇＣｌＯ４、（VI）テトラシアノエチレン、テ
トラシアノキノジメタン、クロラニール、2,3−ジクロ
ル−5,6−ジシアノパラベンゾキノン、2,3−ジブロム−
5,6−ジシアノパラベンゾキノン、（VII）Ｌｉ，Ｎａ，
Ｋの如きアルカリ金属等を用いることができるが、必ず
しもこれらに限定されるものではない。
本発明において用いられる多孔質誘電体の種類には特に
限定はなく、例えばアルミニウム、タンタル、ニオブ等
の金属の酸化物を好適に使用することができる。多孔質
誘電体層表面上の一部に重合の開始点として設ける導電
物質には特に限定はないが、例えばポリエステルフィル
ムの上に金属を蒸着した導電フィルムを好適に使用する
ことができる。重合の開始点である導電物質を設ける位
置は特に制限はなく、多孔質誘電体層表面上の任意の位
置でよく、好ましくは多孔質誘電体層表面上の外周部に
設けることが望ましい。また、必要とされる導電物質の
面積は、電導性高分子化合物を与える重合用モノマーの
種類によって異なるので一概には決められないが、一般
には多孔質誘電体の全表面積に対して、0.001〜50％、
好ましくは１％〜30％の範囲である。多孔質誘電体層表
面上の一部に導電物質を設ける方法には特に制限はな
く、例えば導電フィルムを適当な形状や面積に切断し、
多孔質誘電体層表面上に接着剤例えばエポキシ系接着剤
等を用いて、張り合わせ接着することによって設けるこ
とができる。
限定はなく、例えばアルミニウム、タンタル、ニオブ等
の金属の酸化物を好適に使用することができる。多孔質
誘電体層表面上の一部に重合の開始点として設ける導電
物質には特に限定はないが、例えばポリエステルフィル
ムの上に金属を蒸着した導電フィルムを好適に使用する
ことができる。重合の開始点である導電物質を設ける位
置は特に制限はなく、多孔質誘電体層表面上の任意の位
置でよく、好ましくは多孔質誘電体層表面上の外周部に
設けることが望ましい。また、必要とされる導電物質の
面積は、電導性高分子化合物を与える重合用モノマーの
種類によって異なるので一概には決められないが、一般
には多孔質誘電体の全表面積に対して、0.001〜50％、
好ましくは１％〜30％の範囲である。多孔質誘電体層表
面上の一部に導電物質を設ける方法には特に制限はな
く、例えば導電フィルムを適当な形状や面積に切断し、
多孔質誘電体層表面上に接着剤例えばエポキシ系接着剤
等を用いて、張り合わせ接着することによって設けるこ
とができる。
多孔質誘電体層表面上に開始点が存在しない場合は、重
合反応が円滑に進行せず、過電圧で長時間重合を行なわ
ないと性能の良好な固体電解コンデンサが得られない。
合反応が円滑に進行せず、過電圧で長時間重合を行なわ
ないと性能の良好な固体電解コンデンサが得られない。
本発明における電解重合とは、例えば前記電導性高分子
化合物を与える重合用モノマーを含む電解液を電解し
て、モノマーの酸化重合を行う方法のことであり、各種
重合用モノマーに対し、公知の適切な重合条件を選ぶこ
とによって行うことができる。これまでに知られている
電解重合法では、陽極として、例えば金、白金など電気
化学的に安定な材質が使用されているが、本発明におい
ては、例えばアルミニウムなど、陽極において極めて酸
化されやすい金属の表面が多孔質誘電体、例えばアルミ
ニウムなどの酸化物で覆われている材料を用い、その表
面上の一部に導電物質を重合の開始点として設けて使用
する。この導電物質を重合の開始点として、重合反応
は、円滑に副反応がなく、速やかに進行し、また多孔質
誘電体で金属表面が保護されているので金属の酸化の進
行なしにモノマーの重合のみを実施せしめることも可能
となり、導電性高分子化合物が誘電体表面を覆うように
成長して行く。
化合物を与える重合用モノマーを含む電解液を電解し
て、モノマーの酸化重合を行う方法のことであり、各種
重合用モノマーに対し、公知の適切な重合条件を選ぶこ
とによって行うことができる。これまでに知られている
電解重合法では、陽極として、例えば金、白金など電気
化学的に安定な材質が使用されているが、本発明におい
ては、例えばアルミニウムなど、陽極において極めて酸
化されやすい金属の表面が多孔質誘電体、例えばアルミ
ニウムなどの酸化物で覆われている材料を用い、その表
面上の一部に導電物質を重合の開始点として設けて使用
する。この導電物質を重合の開始点として、重合反応
は、円滑に副反応がなく、速やかに進行し、また多孔質
誘電体で金属表面が保護されているので金属の酸化の進
行なしにモノマーの重合のみを実施せしめることも可能
となり、導電性高分子化合物が誘電体表面を覆うように
成長して行く。
電解重合の重合温度には特に限定はないが、一般には−
60℃から80℃、好ましくは−20℃から30℃の間の温度で
実施する。
60℃から80℃、好ましくは−20℃から30℃の間の温度で
実施する。
重合時間は、電導性高分子化合物の析出・成長程度を観
察判断することにより適宜選定されるが、一般には数分
〜数時間程度である。
察判断することにより適宜選定されるが、一般には数分
〜数時間程度である。
重合圧力には特に限定はないが、一般には重合開始前に
減圧操作により、多孔質誘電体層細孔内を電解液で満た
した後、常圧に戻し重合操作を実施する。
減圧操作により、多孔質誘電体層細孔内を電解液で満た
した後、常圧に戻し重合操作を実施する。
［発明の効果］ 本発明の方法によって製造される固体電解コンデンサ
は、従来の無機酸化物半導体や有機半導体を用いた固体
電解コンデンサに比較して、容量、誘電損失、経時安定
性において著しくすぐれた性能を有している。
は、従来の無機酸化物半導体や有機半導体を用いた固体
電解コンデンサに比較して、容量、誘電損失、経時安定
性において著しくすぐれた性能を有している。
また、本発明の方法によって製造される固体電解コンデ
ンサは、従来公知の固体電解コンデンサに比較して、以
下のような利点を有している。
ンサは、従来公知の固体電解コンデンサに比較して、以
下のような利点を有している。
高温に加熱することなく多孔質誘電体層上に電導性高
分子化合物を形成できるので、陽極の酸化被膜を損傷す
る恐れがなく、補修のための陽極酸化（再化成）を行う
必要もない。そのため、定格電圧を従来の数倍に上げる
ことができ、同容量、同定格電圧のコンデンサを得るの
に、従来のものに比較して形状を小型化できる。
分子化合物を形成できるので、陽極の酸化被膜を損傷す
る恐れがなく、補修のための陽極酸化（再化成）を行う
必要もない。そのため、定格電圧を従来の数倍に上げる
ことができ、同容量、同定格電圧のコンデンサを得るの
に、従来のものに比較して形状を小型化できる。
電導性高分子化合物と誘電体被膜との付着性が良好で
あるため、漏れ電流が小さい。
あるため、漏れ電流が小さい。
高耐電圧のコンデンサを作製することができる。
電導性高分子化合物の電気伝導度が10-3Ｓ／cm以上で
十分に高いため、グラファイト等の導電層を設ける必要
がなく、そのための工程が簡略化することができる。
十分に高いため、グラファイト等の導電層を設ける必要
がなく、そのための工程が簡略化することができる。
周波数特性が良い。
製造コストが低い。
さらに、本発明の方法による重合方法を用いれば、重合
の開始点である導電物質を用いない場合の重合方法に比
較して副反応がなく、円滑に速やかに重合反応が進行す
る。従って、重合開始時に過電圧をかける必要がなく、
電解液分解の心配もない。また、重合時間、重合に要す
る総電気量を大幅に小さくすることができる。
の開始点である導電物質を用いない場合の重合方法に比
較して副反応がなく、円滑に速やかに重合反応が進行す
る。従って、重合開始時に過電圧をかける必要がなく、
電解液分解の心配もない。また、重合時間、重合に要す
る総電気量を大幅に小さくすることができる。
［実施例］ 以下、実施例及び比較例をあげて本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
なお、各例の固体電解コンデンサの特性値は表に示し
た。
た。
実施例１ 厚さ100μｍのアルミニウム箔（純度99.99％）を陽極と
し、直流及び交流の交互使用により、箔の表面を電気化
学的にエッチングして平均細孔径２μｍで、比表面積が
12m２／ｇの多孔質アルミニウム箔とした。次いで、こ
のエッチング処理したアルミニウム箔を硼酸アンモニウ
ムの液中に浸漬し、液中で電気化学的にアルミニウム箔
の上に誘電体の薄層を形成した。このようにして作製し
たアルミニウム箔のサイズは40mm×15mmであった。
し、直流及び交流の交互使用により、箔の表面を電気化
学的にエッチングして平均細孔径２μｍで、比表面積が
12m２／ｇの多孔質アルミニウム箔とした。次いで、こ
のエッチング処理したアルミニウム箔を硼酸アンモニウ
ムの液中に浸漬し、液中で電気化学的にアルミニウム箔
の上に誘電体の薄層を形成した。このようにして作製し
たアルミニウム箔のサイズは40mm×15mmであった。
二軸延伸ポリエステルフィルム上に金を蒸着して作製し
た導電フィルムを幅１mm程度に切断し、上記のアルミニ
ウム箔の外周部にエポキシ系接着剤を用いて張り合わせ
た。導電フィルムの面積は、アルミニウム箔の全表面積
の約16.7％であった。このアルミニウム箔と導電フィル
ムとを陽極として使用し、白金板を陰極として使用し
て、0.1モル／チオフェンと0.05モル／ＬｉＢＦ４
とを含むベンゾニトリル溶液にアルゴンガス雰囲気中、
常温常圧で４〜５Ｖ、２ｍＡ／cm2の電流を２時間流
し、チオフェンを電気化学的に重合して前記陽極板上に
ポリチオフェンフィルムを析出させた。このポリチオフ
ェンフィルムの電気伝導度は20Ｓ／cmであった。陰極に
アルミニウム箔を用いてゴムで封止して固体電解コンデ
ンサを作製した。
た導電フィルムを幅１mm程度に切断し、上記のアルミニ
ウム箔の外周部にエポキシ系接着剤を用いて張り合わせ
た。導電フィルムの面積は、アルミニウム箔の全表面積
の約16.7％であった。このアルミニウム箔と導電フィル
ムとを陽極として使用し、白金板を陰極として使用し
て、0.1モル／チオフェンと0.05モル／ＬｉＢＦ４
とを含むベンゾニトリル溶液にアルゴンガス雰囲気中、
常温常圧で４〜５Ｖ、２ｍＡ／cm2の電流を２時間流
し、チオフェンを電気化学的に重合して前記陽極板上に
ポリチオフェンフィルムを析出させた。このポリチオフ
ェンフィルムの電気伝導度は20Ｓ／cmであった。陰極に
アルミニウム箔を用いてゴムで封止して固体電解コンデ
ンサを作製した。
実施例２ 実施例１と同じ陽極を用い、炭素板を陰極として使用し
て、0.15モル／の１，３−イソチアナフテンと0.1モ
ル／のテトラフェニルフォスフォニウムクロライドと
を含むアセトニトリル溶液にアルゴンガス雰囲気中、常
温常圧で２Ｖ、0.5〜１ｍＡ／cm2の電流を２時間流し、
１，３−イソチアナフテンを電気化学的に重合して陽極
板上にポリ（１，３−イソチアナフテン）フィルムを析
出させた。このポリ（１，３−イソチアナフテン）フィ
ルムの電気伝導度は10Ｓ／cmであった。陰極にアルミニ
ウム箔を用いてゴムで封止して固体電解コンデンサを作
製した。
て、0.15モル／の１，３−イソチアナフテンと0.1モ
ル／のテトラフェニルフォスフォニウムクロライドと
を含むアセトニトリル溶液にアルゴンガス雰囲気中、常
温常圧で２Ｖ、0.5〜１ｍＡ／cm2の電流を２時間流し、
１，３−イソチアナフテンを電気化学的に重合して陽極
板上にポリ（１，３−イソチアナフテン）フィルムを析
出させた。このポリ（１，３−イソチアナフテン）フィ
ルムの電気伝導度は10Ｓ／cmであった。陰極にアルミニ
ウム箔を用いてゴムで封止して固体電解コンデンサを作
製した。
実施例３ 実施例１と同じ陽極を用い、白金板を陰極として使用し
て、0.1モル／のピロールと0.05モル／のｐ−トル
エンスルホン酸のトリ−ｎ−ブチルアンモニウム塩とを
含むアセトニトリル溶液にアルゴンガス雰囲気中、常温
常圧で３〜４Ｖ、１ｍＡ／cm2の電流を２時間流し、ピ
ロールを電気化学的に重合して陽極板上にポリピロール
フィルムを析出させた。このポリピロールフィルムの電
気伝導度は50Ｓ／cmであった。陰極にアルミニウム箔を
用いてゴムで封止して固体電解コンデンサを作製した。
て、0.1モル／のピロールと0.05モル／のｐ−トル
エンスルホン酸のトリ−ｎ−ブチルアンモニウム塩とを
含むアセトニトリル溶液にアルゴンガス雰囲気中、常温
常圧で３〜４Ｖ、１ｍＡ／cm2の電流を２時間流し、ピ
ロールを電気化学的に重合して陽極板上にポリピロール
フィルムを析出させた。このポリピロールフィルムの電
気伝導度は50Ｓ／cmであった。陰極にアルミニウム箔を
用いてゴムで封止して固体電解コンデンサを作製した。
比較例１ 実施例１と同じ誘電体層を有するアルミニウム箔を使用
し、従来の二酸化マンガンを固体導電体とし、陰極をア
ルミニウム箔とした固体電解コンデンサを作製した。
し、従来の二酸化マンガンを固体導電体とし、陰極をア
ルミニウム箔とした固体電解コンデンサを作製した。
比較例２ 実施例１において、誘電体の薄層を形成したアルミニウ
ム箔の外周部に、導電物質である二軸延伸ポリエステル
フィルム上に金を蒸着して作製した導電フィルムを設け
なかった以外は、実施例１と同様にしてチオフェンを電
気化学的に重合させた。その結果、実施例１と同じ重合
条件では、上記アルミニウム箔の陽極板上にポリチオフ
ェンフィルムの析出が起こらず、固体電解コンデンサを
作製することはできなかった。
ム箔の外周部に、導電物質である二軸延伸ポリエステル
フィルム上に金を蒸着して作製した導電フィルムを設け
なかった以外は、実施例１と同様にしてチオフェンを電
気化学的に重合させた。その結果、実施例１と同じ重合
条件では、上記アルミニウム箔の陽極板上にポリチオフ
ェンフィルムの析出が起こらず、固体電解コンデンサを
作製することはできなかった。
Claims (1)
- 【請求項１】電導性高分子化合物を固体導電体とする固
体電解コンデンサを製造するに当り、該電導性高分子化
合物を、多孔質誘電体層表面上の一部に設けた導電物質
を重合の開始点として電解重合を実施することにより、
多孔質誘電体層表面に析出・成長させることを特徴とす
る固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP639586A JPH0650711B2 (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP639586A JPH0650711B2 (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62165313A JPS62165313A (ja) | 1987-07-21 |
| JPH0650711B2 true JPH0650711B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=11637178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP639586A Expired - Lifetime JPH0650711B2 (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0650711B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6432619A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Japan Carlit Co Ltd | Manufacture of solid electrolytic capacitor |
| JPS6474712A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-20 | Japan Carlit Co Ltd | Manufacture of solid electrolytic capacitor |
| JPH0266922A (ja) * | 1988-09-01 | 1990-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2000235937A (ja) | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP3663952B2 (ja) | 1999-02-17 | 2005-06-22 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2000243665A (ja) | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| DE60035916T2 (de) | 1999-02-17 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Herstellungsverfahren und Vorrichtung zur Herstellung von einem Festelektrolytkondensator |
-
1986
- 1986-01-17 JP JP639586A patent/JPH0650711B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62165313A (ja) | 1987-07-21 |
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| JPH0155571B2 (ja) |
Legal Events
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| R250 | Receipt of annual fees |
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