JPS62165313A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

固体電解コンデンサの製造方法

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JPS62165313A
JPS62165313A JP639586A JP639586A JPS62165313A JP S62165313 A JPS62165313 A JP S62165313A JP 639586 A JP639586 A JP 639586A JP 639586 A JP639586 A JP 639586A JP S62165313 A JPS62165313 A JP S62165313A
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conductive
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電導性高分子化合物を固体導電体として用い
た、性能の良好な固体電解コンデンサの製造方法に関す
るものである。
[従来の技術] 従来の固体電解コンデンサ、例えばアルミニウム電解コ
ンデンザは、エツチング処理した比表面積の大きい多孔
質アルミニウム箔の上に誘電体である酸化アルミニウム
層を設け、陰極箔との間の電解紙に液状の電解液を含浸
させた構造からなっているが、電解液が液状であるため
に液漏れ等の問題を引き起こし好ましいものではなく、
従って、この導電層を固体導電体で代替する試みがなさ
れている。それらの固体電解コンデンサは、陽極酸化被
膜を有するアルミニウム、タンタルなど被膜形成金属に
固体導電体を付着した構造を有したものであり、この種
の固体コンデンサの固体導電体には主に硝酸マンガンの
熱分解により形成される二酸化マンガンが用いられてい
る。しかし、この固体電解コンデンサは、熱分解の際に
要する高熱と発生するNOxガスの酸化作用などによっ
て、誘電体であるアルミニウム、タンタルなどの金属酸
化被膜の損傷があり、そのため耐電圧は低下し、漏れ電
流が大きくなり、誘電特性を劣化させるなど極めて大き
な欠点があり、また、再化成という工程も必要とされて
いる。
これらの欠点を補うため、高温に加熱することなく固体
導電体を形成する方法として、高電導性の有機材料を固
体導電体とする方法が試みられている。その例としては
、特開昭52−79255号公報に記載されるように7
.7,8.8−テトラシアノキノジメタン(TCNQ)
錯塩を含む電導性有機化合物を固体導電体の主成分とす
る固体電解コンデンサが知られている。しかしながら、
この固体電解コンデンサは、TCNQ釦塩が陽極酸化被
膜との付着性に劣り、細孔内への含浸が十分でなり、コ
ンデンサの容量値は小さく、誘電損失も大きく、また熱
的経時的な安定性も劣り信頼性が低い。また、TCNQ
錯塩はコストが高いため、固体電解コンデンナ全体の製
造コストが高くつくという問題があった。
近年、電導度が高く、誘電体被膜との付着性がよく、ま
た安価な電導性高分子化合物を固体導電体に用いた固体
電解コンデンサーを提供する試みがなされている。この
試みにおいては、誘電体として用いる多孔質金属酸化物
の被膜上に電導性高分子化合物を付着させる際に、多孔
質金属酸化物の細孔内に電導性高分子化合物を巧みに導
入して安定化させることが、最も重要な課題となってい
る。
一般に、電導性高分子化合物は不溶、不融であり賦形性
、加工性が著しく劣っている。即ち、殆どの雷導性高分
子化合物は、溶融成形や、キャスティング法による成形
などができないため、固体導電体としてのすぐれた性能
を有しながら、多孔質金属酸化物の細孔内に導入される
ことができず、従って固体電解コンデンサには用いられ
ることのできない場合が多かった。
[発明が解決しようとする問題点] 本発明の目的は、上述した従来技術の問題点を解決し、
多孔質誘電体の細孔内に固体導電体としての性能のすぐ
れている電導性高分子化合物を容易に導入することがで
き、さらに誘電体被膜との付着性が良好で、しかも製造
コストが低い電導性高分子化合物を固体導電体とする固
体電解コンデンサの製造方法を提供することにある。
E問題点を解決するだめの手段] 本発明に従えば、雷導性高分子化合物を固体電解質とす
る固体電解コンデンサを製造するに当りり、該電導性高
分子化合物を、多孔質誘電体層表面上の一部に設けた導
電物質を重合の開始点として電解重合を実施することに
より、多孔質誘電体層表面に析出・成長させることを特
徴とする固体電解コンデンサの製造方法が提供される。
本発明方法において、多孔質誘電体層表面に電解重合法
によって析出・成長させる固体導電体として用いられる
電導性高分子化合物とは、π電子共役系を有する高分子
化合物のことであり、電気伝導度が1O−3S/cm以
上の値を有するものが望ましい。このような電導性高分
子化合物の代表例としては、ポリアセチレン、ポリパラ
フェニレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリシア
ノアセチレン、ポリイソチアナフテン、ポリジアセチレ
ン、ポリアニリン、ポリフタロシアニン及びこれらのポ
リマーを構成する七ツマ−の誘電体の重合体等をあげる
ことができる。これらの電導性高分子化合物のうち、好
ましい電導性高分子化合物としては、ポリチオフェン、
ポリイソチアナフテンポリピロールをあげることができ
、さらに好ましくはポリチオフェンをあげることができ
る。
上記の電導性高分子化合物の中には、中性の状態で1O
−3S/cm以上の電気伝導度を有するものもあれば、
電子供与性あるいは電子吸引性のドーパントをドープす
ることによって1O−3S/cm以上の電気伝導度を有
するものもあり、いずれも固体導電体として用いること
ができる。
電解重合法では、該電導性高分子化合物の析出と同時に
、使用した電解電位に対応したドーピングが生じるのが
普通であり、このような場合には製膜と同時に電気化学
的なドーピングが行われることになる。この電導性高分
子化合物から、電解重合時にドーピングされたドーパン
トを脱ドープして中性にすることも可能である。また、
脱ドープして中性化した電導性高分子化合物、あるいは
電解重合時にドーピングされない中性の電導性高分子化
合物を、さらに適当なドーパントでドーピングすること
も可能である。この場合、ドーピングは化学的ドーピン
グ、電気化学的ドーピングのいずれの方法を採用しても
よい。以上のように電解重合法で得られる電導性高分子
化合物は種々なドーピング状態を取りつるが、いずれの
場合にも固体導電体として用いることができる。
電気化学的にドーピングするドーパン1〜としては、(
I)PFo 、Sb Fi 、As Fi 。
SbC,Oiiの如きVa族の元素のハロゲン化物アニ
オン、BF′iの如きlea族の元素のハロゲン化物ア
ニオン、I−(Ii >、Br −、CIJ−の如きハ
ロゲンアニオン、CρOイの如き過塩素酸アニオン等の
陰イオン・ドーパント及び(II)Li +、Na” 
、K” 、Rb” 、Cs+の如きアルカリ金属イオン
、一般式R4−xM ]」8またはRM  +(式中、
RはC1からC1oのアルキル基、フェニル、へ〇フェ
ニル、アルキルフェニル等のアリール基、MはN、P、
As 、M、はO又はS1×はO又は1を表す。〕で示
されるテトラアルキルアンモニウムイオン、テトラアル
キルホスホニウムイオン、テトラアルキルアルソニウム
イオン、トリアルキルオキソニウム、トリアルキルスル
ホニウムイオン等の陽イオン・ドーパント等をあげるこ
とができる。一方、化学的にドーピングするドーパント
としては、従来から知られている種々の電子受容性化合
物及び電子供与性化合物、例えば、(I)沃素、臭素及
び沃化臭素の如きハロゲン、(Ill)万邦化砒素、万
邦化アンチモン、四弗化珪素、五塩化燐、万邦化燐、塩
化アルミニウム、臭化アルミニウム及び弗化アルミニウ
ムの如き金属ハロゲン化物、(III)硫酸、硝酸、フ
ルオロ硫酸、トリフルオロメタン硫酸及びクロロ硫酸の
如きプロトン酸、(TV)三酸化硫黄、二酸化窒素、ジ
フルオロスルホニルパーオキシドの如き酸化剤、(V)
Δ(I C1104、(v■)テトラシアノエヂレン、
テトラシアノキノジメタン、フロラニール、2.3−ジ
クロル−5,6−ジシアツバラベンゾキノン、2,3−
ジブロム−5,6−ジシアツバラベンゾキノン、(W)
Li 、Na 。
Kの如きアルカリ金属等を用いることができるが、必ず
しもこれらに限定されるものではない。
本発明において用いられる多孔質誘電体の種類には特に
限定はなく、例えばアルミニウム、タンタル、ニオブ等
の金属の酸化物を好適に使用することができる。多孔質
誘電体層表面上の一部に重合の開始点として設ける導電
物質には特に限定はないが、例えばポリエステルフィル
ムの上に金属を蒸着した導電フィルムを好適に使用する
ことができる。重合の開始点である導電物質を設置′j
る位置は特に制限はなく、多孔質誘電体層表面上の任意
の位置でよく、好ましくは多孔質誘電体層表面上の外周
部に設置プることが望ましい。また、必要とされる導電
物質の面積は、電導性高分子化合物を与える重合用七ツ
マ−の種類によって異なるので一部には決められないが
、一般には多孔質誘電体の全表面積に対して、0.00
1〜50%、好ましくは1%〜30%の範囲である。多
孔質誘電体層表面上の一部に導電物質を設ける方法には
特に制限はなく、例えば導電フィルムを適当な形状や面
積に切断し、多孔質誘電体層表面上に接着剤例えばエポ
キシ系接着剤等を用いて、張り合わせ接着することによ
って設りることかできる。
多孔質誘電体層表面上に開始点が存在しない場合は、重
合反応が円滑に進行せず、過電圧で長時間重合を行なわ
ないと性能の良好な固体電解コンデンサが得られない。
本発明における電解重合とは、例えば前記電導性高分子
化合物を与える重合用モノマーを含む電解液を電解して
、七ツマ−の酸化重合を行々う方法のことであり、各種
重合用モノマーに対し、公知の適切な重合条件を選ぶこ
とによって行うことができる。ごれまでに知られている
電解重合法では、陽極として、例えば金、白金など電気
化学的に安定な材質が使用されているが、本発明におい
ては、例えばアルミニウムなど、陽極において極めて酸
化されやすい金属の表面が多孔質誘電体、例えばアルミ
ニウムなどの酸化物で覆われている材料を用い、その表
面上の一部に導電物質を重合の開始点として設けて使用
する。この導電物質を重合の開始点として、重合反応は
、円滑に副反応がなく、速やかに進行し、また多孔質誘
電体で金属表面が保護されているので金属の酸化の進行
なしにモノマーの重合のみを実施せしめることも可能と
なり、電導性高分子化合物が誘電体表面を覆うように成
長して行く。
電解重合の重合温度には特に限定はないが、一般には一
60℃から80℃、好ましくは−20”Cから30℃の
間の温度で実施する。
重合時間は、電導性高分子化合物の析出・成長程度を観
察判断することにより適宜選定されるが、一般には数分
〜数時間程度である。
重合圧力には特に限定はないが、一般には重合開始前に
減圧操作により、多孔質誘電体層細孔内を電解液で満た
した後、常圧に戻し重合操作を実施する。
[発明の効果1 本発明の方法によって製造される固体電解コンデンサは
、従来の無機酸化物半導体や有機半導体を用いた固体電
解コンデンサに比較して、容量、誘電損失、経時安定性
において著しくすぐれた性能を有している。
また、本発明の方法によって製造される固体電解コンデ
ンサは、従来公知の固体電解コンデンサに比較して、以
下のような利点を有している。
■ 高温に加熱することなく多孔質誘電体層上に電導性
高分子化合物を形成できるので、陽極の酸化被膜を損傷
する恐れがなく、補修のための陽極酸化(再化成)を行
う必要もない。
そのため、定格電圧を従来の数倍に上げることができ、
同容量、同定格電圧のコンデンサを得るのに、従来のも
のに比較して形状を小型化できる。
■ 電導性高分子化合物と誘電体被膜との付着性が良好
であるため、漏れ電流が小さい。
■ 高耐電圧のコンデンサを作製することができる。
■ 雷導性高分子化合物の電気伝導度が10−38 /
 ctn以上で十分に高いため、グラファイト等の導電
層を設ける必要がなく、そのための工程を簡略化するこ
とができる。
■ 周波数特性が良い。
■ 製造コストが低い。
さらに、本発明の方法による重合方法を用いれば、重合
の開始点である導電物質を用いない場合の重合方法に比
較して副反応がなく、円滑に速やかに重合反応が進行す
る。従って、重合開始時に過電圧をかcノる必要がなく
、電解液分解の心配もない。また、重合時間、重合に要
する総電気吊を大幅に小さくすることができる。
[実施例1 以下、実施例及び比較例をあげて本発明を更に詳細に説
明する。
なお、各個の固体電解コンデンサの特性値は表に示した
実施例 1 厚さ100μmのアルミニウム箔(純度99.99%)
を陽極とし、直流及び交流の交互使用により、箔の表面
を電気化学的にエツチングして平均細孔径2μmで、比
表面積が12TrL2/gの多孔質アルミニウム箔とし
た。次いで、このエツチング処理したアルミニウム箔を
硼酸アンモニウムの液中に浸漬し、液中で電気化学的に
アルミニウム箔の上に=  12 − 誘電体の薄層を形成した。このようにして作製したアル
ミニウム箔のサイズは40. X 15.であった。
二軸延伸ポリエステルフィルム上に金を蒸着して作製し
た導電フィルムを幅1#程度に切断し、上記のアルミニ
ウム箔の外周部にエポキシ系接着剤を用いて張り合わせ
た。導電フィルムの面積は、アルミニウム箔の全表面積
の約16.7%であった。
このアルミニウム箔と導電フィルムとを陽極として使用
し、白金板を陰極として使用して、0.1モル/斐チオ
フェンと0.05モル/lLi BF4とを含むベンゾ
ニトリル溶液にアルゴンガス雰囲気中、常温常圧で4〜
5■、2TrLA/cm2の電流を2時間流し、チオフ
ェンを電気化学的に重合して前記陽極板上にポリチオフ
ェンフィルムを析出させた。このポリチオフェンフィル
ムの電気伝導度は208/cmであった。陰極にアルミ
ニウム箔を用いてゴムで封止して固体電解コンデンサを
作製し1こ 。
実施例 2 実施例1と同じ陽極を用い、炭素板を陰極として使用し
て、0.15モル/Jtの1,3−イソデアナフテンと
0.1モル/愛のテトラフェニルフAスフメニウムクロ
ライドとを含むアセトニトリル溶液にアルゴンガス雰囲
気中、常温常圧で2V。
0.5〜1 mA/cm2の電流を2時間流し、1,3
−イソデアナフテンを電気化学的に不合しで陽極板Fに
ポリ(1,3−イソデアナフテン)フィルムを析出させ
た。このポリ(1,3−イソチアナフテン)フィルムの
電気伝導度は10S/(:II+であった。陰極にアル
ミニウム箔を用いてゴムで封止して固体電解コンデンサ
を作製した。
実施例 3 実施例1と同じ陽極を用い、白金板を陰極として使用し
て、0.1モル/、Qのピ1〕−ルど0.05モル/p
のp−トルエンスルホン酸のトリーn−ブチルアン上ニ
ウム塩とを含むアセ1−二トリル溶液にアルゴンガス雰
囲気中、常温常圧で3〜4■、1TrLA/cm2の電
流を2時間流し、ピロールを電気化学的に重合して陽極
板上にポリピロールフィルムを析出させた。このポリピ
ロールフィルムの電気伝導度は50S/cmであった。
陰極にアルミニウム箔を用いてゴムで封止して固体電解
コンデンサを作製した。
比較例 1 実施例1と同じ誘電体層を有するアルミニウム箔を使用
し、従来の二酸化マンガンを固体導電体とし、陰極をア
ルミニウム箔とした固体電解コンデンサを作製した。
比較例 2 実施例1において、誘電体の薄層を形成したアルミニウ
ム箔の外周部に、導電物質である二軸延伸ポリエステル
フィルム上に金を蒸着して作製した導電フィルムを設シ
ブなかった以外は、実施例1と同様にしてチオフェンを
電気化学的に重合させた。その結果、実施例1と同じ重
合条件では、上記アルミニウム箔の陽極板上にポリチオ
フェンフィルムの析出が起こらず、固体電解コンデンサ
を作製することはできなかった。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  電導性高分子化合物を固体導電体とする固体電解コン
    デンサを製造するに当り、該電導性高分子化合物を、多
    孔質誘電体層表面上の一部に設けた導電物質を重合の開
    始点として電解重合を実施することにより、多孔質誘電
    体層表面に析出・成長させることを特徴とする固体電解
    コンデンサの製造方法。
JP639586A 1986-01-17 1986-01-17 固体電解コンデンサの製造方法 Expired - Lifetime JPH0650711B2 (ja)

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