JPH0650710B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH0650710B2 JPH0650710B2 JP25780985A JP25780985A JPH0650710B2 JP H0650710 B2 JPH0650710 B2 JP H0650710B2 JP 25780985 A JP25780985 A JP 25780985A JP 25780985 A JP25780985 A JP 25780985A JP H0650710 B2 JPH0650710 B2 JP H0650710B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電導性高分子化合物を固体導電体として用い
た、性能の良好な固体電解コンデンサの製造方法に関す
るものである。
た、性能の良好な固体電解コンデンサの製造方法に関す
るものである。
［従来の技術］ 従来の固体電解コンデンサ、例えばアルミニウム電解コ
ンデンサは、エッチング処理した比表面積の大きい多孔
質アルミニウム箔の上に誘電体である酸化アルミニウム
層を設け、陰極箔との間の電解紙に液状の電解液を含浸
させた構造からなっているが、電解液が液状であるため
に液漏れ等の問題を引き起こし好ましいものではなく、
従って、この電導層を固体導電体で代替する試みがなさ
れている。それらの固体電解コンデンサは、陽極酸化被
膜を有するアルミニウム、タンタルなど被膜形成金属に
固体導電体を付着した構造を有したものであり、この種
の固体コンデンサの固体導電体には主に硝酸マンガンの
熱分解により形成される二酸化マンガンが用いられてい
る。しかし、この固体電解コンデンサは、熱分解の際に
要する高熱と発生するＮＯｘガスの酸化作用などによっ
て、誘電体であるアルミニウム、タンタルなどの金属酸
化被膜の損傷があり、そのため耐電圧は低下し、漏れ電
流が大きくなり、誘電特性を劣化させるなど極めて大き
な欠点がある。
ンデンサは、エッチング処理した比表面積の大きい多孔
質アルミニウム箔の上に誘電体である酸化アルミニウム
層を設け、陰極箔との間の電解紙に液状の電解液を含浸
させた構造からなっているが、電解液が液状であるため
に液漏れ等の問題を引き起こし好ましいものではなく、
従って、この電導層を固体導電体で代替する試みがなさ
れている。それらの固体電解コンデンサは、陽極酸化被
膜を有するアルミニウム、タンタルなど被膜形成金属に
固体導電体を付着した構造を有したものであり、この種
の固体コンデンサの固体導電体には主に硝酸マンガンの
熱分解により形成される二酸化マンガンが用いられてい
る。しかし、この固体電解コンデンサは、熱分解の際に
要する高熱と発生するＮＯｘガスの酸化作用などによっ
て、誘電体であるアルミニウム、タンタルなどの金属酸
化被膜の損傷があり、そのため耐電圧は低下し、漏れ電
流が大きくなり、誘電特性を劣化させるなど極めて大き
な欠点がある。
これらの欠点を補うため、高熱を付加せずに固体導電体
を形成する方法として、高電導性の有機半導体材料を固
体導電体とする方法が試みられている。その例として
は、特開昭52−79255号公報に記載されるように7,7,8,8
−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）錯塩を含む電
導性有機化合物を固体導電体の主成分とする固体電解コ
ンデンサが知られている。しかしながら、この固体電解
コンデンサは、ＴＣＮＱ錯塩が陽極酸化被膜との付着性
に劣り、電導度も10-3〜10-2S/cmと不十分であるため、
コンデンサの容量値は小さく、誘電損失も大きく、また
熱的経時的な安定性も劣り信頼性が低い。また、ＴＣＮ
Ｑ錯塩はコストが高いため、固体電解コンデンサ全体の
製造コストが高くつくという問題があった。
を形成する方法として、高電導性の有機半導体材料を固
体導電体とする方法が試みられている。その例として
は、特開昭52−79255号公報に記載されるように7,7,8,8
−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）錯塩を含む電
導性有機化合物を固体導電体の主成分とする固体電解コ
ンデンサが知られている。しかしながら、この固体電解
コンデンサは、ＴＣＮＱ錯塩が陽極酸化被膜との付着性
に劣り、電導度も10-3〜10-2S/cmと不十分であるため、
コンデンサの容量値は小さく、誘電損失も大きく、また
熱的経時的な安定性も劣り信頼性が低い。また、ＴＣＮ
Ｑ錯塩はコストが高いため、固体電解コンデンサ全体の
製造コストが高くつくという問題があった。
近年、電導度が高く、誘電体被膜との付着性がよく、ま
た安価な電導性高分子化合物を固体導電体に用いた固体
電解コンデンサを提供する試みがなされている。この試
みにおいては、誘電体として用いる多孔質金属酸化物の
被膜上に電導性高分子化合物を付着させる際に、多孔質
金属酸化物の細孔内に電導性高分子化合物を巧みに導入
して安定化させることが、最も重要な課題となってい
る。一般に、電導性高分子化合物は不溶、不融であり賦
形性、加工性が著しく劣っている。このため殆どの電導
性高分子化合物は、溶融成形や、キャスティング法によ
る成形などができないため、固体導電体としてのすぐれ
た性能を有しながら、多孔質金属酸化物の細孔内に導入
することができず、従って固体電解コンデンサには用い
ることのできない場合が多かった。
た安価な電導性高分子化合物を固体導電体に用いた固体
電解コンデンサを提供する試みがなされている。この試
みにおいては、誘電体として用いる多孔質金属酸化物の
被膜上に電導性高分子化合物を付着させる際に、多孔質
金属酸化物の細孔内に電導性高分子化合物を巧みに導入
して安定化させることが、最も重要な課題となってい
る。一般に、電導性高分子化合物は不溶、不融であり賦
形性、加工性が著しく劣っている。このため殆どの電導
性高分子化合物は、溶融成形や、キャスティング法によ
る成形などができないため、固体導電体としてのすぐれ
た性能を有しながら、多孔質金属酸化物の細孔内に導入
することができず、従って固体電解コンデンサには用い
ることのできない場合が多かった。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の目的は、上述した従来技術の問題点を解決し、
多孔質誘電体の細孔内に固体導電体としての性能のすぐ
れている電導性高分子化合物を容易に導入することがで
き、さらに誘電体被膜との付着性が良好で、しかも製造
コストが低い電導性高分子化合物を固体導電質とする固
体電解コンデンサの製造方法を提供することにある。
多孔質誘電体の細孔内に固体導電体としての性能のすぐ
れている電導性高分子化合物を容易に導入することがで
き、さらに誘電体被膜との付着性が良好で、しかも製造
コストが低い電導性高分子化合物を固体導電質とする固
体電解コンデンサの製造方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明に従えば、電導性高分子化合物を固体導電体とす
る固体電解コンデンサを製造するにあたり、該電導性高
分子化合物を部分的に金属の露出した多孔質誘電体の金
属面を起点として電解重合を実施することにより、多孔
質誘電体層表面に析出・成長させた後、陽極酸化によっ
て露出金属表面上に誘電体層を形成させることを特徴と
する固体電解コンデンサの製造方法が提供される。
る固体電解コンデンサを製造するにあたり、該電導性高
分子化合物を部分的に金属の露出した多孔質誘電体の金
属面を起点として電解重合を実施することにより、多孔
質誘電体層表面に析出・成長させた後、陽極酸化によっ
て露出金属表面上に誘電体層を形成させることを特徴と
する固体電解コンデンサの製造方法が提供される。
本発明方法において、部分的に金属の露出した多孔質誘
電体の金属面を起点として電解重合により多孔質誘電体
層表面に析出・成長させる固体導電体として用いられる
電導性高分子化合物とは、π電子共役系を有する高分子
化合物のことであり、電気伝導度が10-3Ｓ／cm以上の値
を有するものが望ましい。このような電導性高分子化合
物の代表例としては、ポリアセチレン、ポリパラフェニ
レン、ポリピロール、ポチオフェン、ポリシアノアセチ
レン、ポリイソチアナフテン、ポリジアセチレン、ポリ
アニリン、ポリフタロシアニン及びこれらのポリマーを
構成するモノマーの誘電体の重合体等をあげることがで
きる。これらの電導性高分子化合物のうち、好ましい電
導性高分子化合物としては、ポリチオフェン、ポリ
（１，３−イソチアナフテン）、ポリピロールをあげる
ことができ、さらに好ましくはポリチオフェンをあげる
ことができる。
電体の金属面を起点として電解重合により多孔質誘電体
層表面に析出・成長させる固体導電体として用いられる
電導性高分子化合物とは、π電子共役系を有する高分子
化合物のことであり、電気伝導度が10-3Ｓ／cm以上の値
を有するものが望ましい。このような電導性高分子化合
物の代表例としては、ポリアセチレン、ポリパラフェニ
レン、ポリピロール、ポチオフェン、ポリシアノアセチ
レン、ポリイソチアナフテン、ポリジアセチレン、ポリ
アニリン、ポリフタロシアニン及びこれらのポリマーを
構成するモノマーの誘電体の重合体等をあげることがで
きる。これらの電導性高分子化合物のうち、好ましい電
導性高分子化合物としては、ポリチオフェン、ポリ
（１，３−イソチアナフテン）、ポリピロールをあげる
ことができ、さらに好ましくはポリチオフェンをあげる
ことができる。
上記の電導性高分子化合物の中には、中性の状態で10-3
S/cm以上の電気伝導度を有するものもあれば、電子供与
性あるいは電子吸引性のドーパントをドープすることに
よって10-3S/cm以上の電気伝導度を有するものもあり、
いずれも固体導電体として用いることができる。
S/cm以上の電気伝導度を有するものもあれば、電子供与
性あるいは電子吸引性のドーパントをドープすることに
よって10-3S/cm以上の電気伝導度を有するものもあり、
いずれも固体導電体として用いることができる。
後者の場合、ドーピングは化学的ドーピング、電気化学
的ドーピングのいずれの方法を採用してもよい。化学的
にドーピングするドーパントとしては、従来から知られ
ている種々の電子受容性化合物及び電子供与性化合物、
例えば（Ｉ）沃素、臭素及び沃化臭素の如きハロゲン、
（II）五弗化砒素、五弗化アンチモン、四弗化珪素、五
塩化燐、五弗化燐、塩化アルミニウム、臭化アルミニウ
ム及び弗化アルミニウムの如き金属ハロゲン化物、（II
I）硫酸、硝酸、フルオロ硫酸、トリフルオロメタン硫
酸及びクロロ硫酸の如きプロトン酸、（IV）三酸化硫
黄、二酸化窒素、ジフルオロフルホニルパーオキシドの
如き酸化剤、（Ｖ）ＡｇＣｌＯ４、（VI）テトラシアノ
エチレン、テトラシアノキノジメタン、クロラニール、
2,3−ジクロル−5,6−ジシアノパラベンゾキノン、2,3
−ジブロム−5,6−ジシアノパラベンゾキノン、（VII）
Ｌｉ，Ｎａ，Ｋの如きアルカリ金属等を用いることがで
きる。一方、電気化学的にドーピングするドーパントと
しては、（Ｉ）ＰＦ，ＳｂＦ，ＡｓＦ，ＳｂＣｌ
の如きＶａ族の元素のハロゲン化物アニオン、ＢＦ
の如きIIIａ族の元素のハロゲン化物アニオン、Ｉ
−（Ｉ），Ｂｒ−，Ｃｌ−の如きハロゲンアニオン、
ＣｌＯの如き過塩素酸アニオン等の陰イオン・ドーパ
ント及び（II）Ｌｉ＋，Ｎａ＋，Ｋ＋，Ｒｂ＋，Ｃｓ＋
の如きアルカリ金属イオン、一般式Ｒ４−ＸＭ＋ＨＸま
たはＲ３Ｍ１ ＋〔式中、ＲはＣ１からＣ10のアルキル
基、フェニル、ハロフェニル、アルキルフェニル等のア
リール基、ＭはＮ，Ｐ，Ａｓ、Ｍ１は０又はＳ、ｘは０
又は１を表す。〕で示されるテトラアルキルアンモニウ
ムイオン、テトラアルキルホスホニウムイオン、テトラ
アルキルアルソニウムイオン、トリアルキルオキソニウ
ム、トリアルキルスルホニウムイオン等の陽イオン・ド
ーパント等をあげることができるが、必ずしもこれらに
限定されるものではない。
的ドーピングのいずれの方法を採用してもよい。化学的
にドーピングするドーパントとしては、従来から知られ
ている種々の電子受容性化合物及び電子供与性化合物、
例えば（Ｉ）沃素、臭素及び沃化臭素の如きハロゲン、
（II）五弗化砒素、五弗化アンチモン、四弗化珪素、五
塩化燐、五弗化燐、塩化アルミニウム、臭化アルミニウ
ム及び弗化アルミニウムの如き金属ハロゲン化物、（II
I）硫酸、硝酸、フルオロ硫酸、トリフルオロメタン硫
酸及びクロロ硫酸の如きプロトン酸、（IV）三酸化硫
黄、二酸化窒素、ジフルオロフルホニルパーオキシドの
如き酸化剤、（Ｖ）ＡｇＣｌＯ４、（VI）テトラシアノ
エチレン、テトラシアノキノジメタン、クロラニール、
2,3−ジクロル−5,6−ジシアノパラベンゾキノン、2,3
−ジブロム−5,6−ジシアノパラベンゾキノン、（VII）
Ｌｉ，Ｎａ，Ｋの如きアルカリ金属等を用いることがで
きる。一方、電気化学的にドーピングするドーパントと
しては、（Ｉ）ＰＦ，ＳｂＦ，ＡｓＦ，ＳｂＣｌ
の如きＶａ族の元素のハロゲン化物アニオン、ＢＦ
の如きIIIａ族の元素のハロゲン化物アニオン、Ｉ
−（Ｉ），Ｂｒ−，Ｃｌ−の如きハロゲンアニオン、
ＣｌＯの如き過塩素酸アニオン等の陰イオン・ドーパ
ント及び（II）Ｌｉ＋，Ｎａ＋，Ｋ＋，Ｒｂ＋，Ｃｓ＋
の如きアルカリ金属イオン、一般式Ｒ４−ＸＭ＋ＨＸま
たはＲ３Ｍ１ ＋〔式中、ＲはＣ１からＣ10のアルキル
基、フェニル、ハロフェニル、アルキルフェニル等のア
リール基、ＭはＮ，Ｐ，Ａｓ、Ｍ１は０又はＳ、ｘは０
又は１を表す。〕で示されるテトラアルキルアンモニウ
ムイオン、テトラアルキルホスホニウムイオン、テトラ
アルキルアルソニウムイオン、トリアルキルオキソニウ
ム、トリアルキルスルホニウムイオン等の陽イオン・ド
ーパント等をあげることができるが、必ずしもこれらに
限定されるものではない。
本発明において使用する多孔質誘電体の種類に特に限定
はないが、例えばアルミニウム、タンタル、ニオブ等の
金属の酸化物を好適に使用することができる。多孔質誘
電体に金属面を部分的に露出させる方法には特に限定は
なく、例えば多孔質誘電体を切断するときに生じる金属
面を使用するとか、一面に斑点状に金属面を露出させて
使用することができる。
はないが、例えばアルミニウム、タンタル、ニオブ等の
金属の酸化物を好適に使用することができる。多孔質誘
電体に金属面を部分的に露出させる方法には特に限定は
なく、例えば多孔質誘電体を切断するときに生じる金属
面を使用するとか、一面に斑点状に金属面を露出させて
使用することができる。
多孔質誘電体の金属露出部分の表面積は、電導性高分子
化合物を与える重合用モノマーの種類によって異なるの
で一概には決められないが、一般には多孔質誘電体全表
面積に対して、0.001〜10％、好ましくは0.01〜５％の
範囲内が好ましい。
化合物を与える重合用モノマーの種類によって異なるの
で一概には決められないが、一般には多孔質誘電体全表
面積に対して、0.001〜10％、好ましくは0.01〜５％の
範囲内が好ましい。
本発明における電解重合法とは、例えば前記電導性高分
子化合物を与える重合用モノマーを含む電解液を電解し
て、モノマーの酸化重合を行なう方法のことであり、各
種重合用モノマーに対し公知の適切な重合条件を選ぶこ
とによって行なうことができる。これまでに知られてい
る電解重合法では、陽極として、例えば金、白金など電
気化学的に安定な材質が使用されているが、本発明にお
いては、前述のように部分的に金属の露出した多孔質誘
電体が使用される。この金属面を起点として重合反応は
速やかに進行し、電導性高分子化合物が誘電体表面を覆
うように成長していく。
子化合物を与える重合用モノマーを含む電解液を電解し
て、モノマーの酸化重合を行なう方法のことであり、各
種重合用モノマーに対し公知の適切な重合条件を選ぶこ
とによって行なうことができる。これまでに知られてい
る電解重合法では、陽極として、例えば金、白金など電
気化学的に安定な材質が使用されているが、本発明にお
いては、前述のように部分的に金属の露出した多孔質誘
電体が使用される。この金属面を起点として重合反応は
速やかに進行し、電導性高分子化合物が誘電体表面を覆
うように成長していく。
電解重合の重合温度には特に限定はないが、一般には−
60℃から80℃、好ましくは−20℃から30℃の間の温度で
実施する。
60℃から80℃、好ましくは−20℃から30℃の間の温度で
実施する。
重合時間は、電導性高分子化合物の析出・成長程度を観
察判断することにより適宜選定されるが、一般には数分
〜数時間程度である。
察判断することにより適宜選定されるが、一般には数分
〜数時間程度である。
重合圧力には特に限定はないが、一般には重合開始前に
減圧操作により、多孔質誘電体層細孔内を電解液で満た
した後、常圧に戻し重合操作を実施する。
減圧操作により、多孔質誘電体層細孔内を電解液で満た
した後、常圧に戻し重合操作を実施する。
重合後、部分的に金属が露出している多孔質誘電体の金
属表面を修復するための陽極酸化（後化成）としては、
非水系、水系、或いは固相系などにより行なわれるが、
電導性高分子化合物の種類により、適当な系を選択する
ことができる。
属表面を修復するための陽極酸化（後化成）としては、
非水系、水系、或いは固相系などにより行なわれるが、
電導性高分子化合物の種類により、適当な系を選択する
ことができる。
［発明の効果］ 本発明に方法によって製造される固体電解コンデンサ
は、従来の無機酸化物半導体や有機半導体を用いた固体
電解コンデンサに比較して、容量、誘電損失、経時安定
性において著しくすぐれた性能を有している。
は、従来の無機酸化物半導体や有機半導体を用いた固体
電解コンデンサに比較して、容量、誘電損失、経時安定
性において著しくすぐれた性能を有している。
また、本発明の方法によって製造される固体電解コンデ
ンサは、従来公知の固体電解コンデンサに比較して、以
下のような利点を有している。
ンサは、従来公知の固体電解コンデンサに比較して、以
下のような利点を有している。
高温に加熱することなく、多孔質誘電体層上に電導性
高分子化合物を形成できるので、陽極の酸化被膜の損傷
がない。そのため、定格電圧を従来の数倍に上げること
ができ、同容量、同定格電圧のコンデンサを得るのに、
従来のものに比較して形状を小型化できる。
高分子化合物を形成できるので、陽極の酸化被膜の損傷
がない。そのため、定格電圧を従来の数倍に上げること
ができ、同容量、同定格電圧のコンデンサを得るのに、
従来のものに比較して形状を小型化できる。
電導性高分子化合物と誘電体被膜との付着性が良好で
あるため、漏れ電流が小さい。
あるため、漏れ電流が小さい。
高耐圧のコンデンサを作製することができる。
電導性高分子化合物の電導度が10-3Ｓ／cm以上で十分
に高いため、グラファイト等の導電層を設ける必要がな
く、そのための工程が簡略化することができる。
に高いため、グラファイト等の導電層を設ける必要がな
く、そのための工程が簡略化することができる。
周波数特性が良い。
製造コストが低い。
［実施例］ 以下、実施例及び比較例をあげて本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
なお、各例の固体電解コンデンサの特性値は表に示し
た。
た。
実施例１ 厚さ100μｍのアルミニウム箔（純度99.99％）を陽極と
し、直流及び交流の交互使用により、箔の表面を電気化
学的にエッチングして平均細孔径２μｍで、比表面積が
12m２／ｇの多孔質アルミニウム箔とした。次いで、こ
のエッチング処理したアルミニウム箔を硼酸アンモニウ
ムの液中に浸漬し、液中で電気化学的にアルミニウム箔
の上に誘電体の薄層を形成した。
し、直流及び交流の交互使用により、箔の表面を電気化
学的にエッチングして平均細孔径２μｍで、比表面積が
12m２／ｇの多孔質アルミニウム箔とした。次いで、こ
のエッチング処理したアルミニウム箔を硼酸アンモニウ
ムの液中に浸漬し、液中で電気化学的にアルミニウム箔
の上に誘電体の薄層を形成した。
このようにして作製したアルミニウム箔の外周部分を裁
断することにより、部分的にアルミニウム金属表面を露
出させた。アルミニウム金属の露出部分は、多孔質誘電
体の全表面積の0.1％であった。これを陽極として使用
し、白金板を陰極として使用し、0.1mol／チオフェン
と0.05mol／ＬｉＢＦ４とを含むベンゾニトリル溶液
にアルゴンガス雰囲気中、常温、常圧で４〜５Ｖ、２ｍ
Ａ／cm2の電流を２時間流し、チオフェンを電気化学的
に重合して前記陽極板上にポリチオフェンフィルムを析
出させた。このポリチオフェンフィルムの電導度は20Ｓ
／cmであった。次にこのポリチオフェンフィルムで覆わ
れたアルミニウム箔を陽極とし、白金板を陰極として、
ホウ酸アンモニウムのエチレングリコール溶液中で後化
成を９Ｖ、10分間実施した。この後化成物を陽極とし、
陰極にアルミニウム箔を用いてゴムで封止して固体電解
コンデンサを作製した。
断することにより、部分的にアルミニウム金属表面を露
出させた。アルミニウム金属の露出部分は、多孔質誘電
体の全表面積の0.1％であった。これを陽極として使用
し、白金板を陰極として使用し、0.1mol／チオフェン
と0.05mol／ＬｉＢＦ４とを含むベンゾニトリル溶液
にアルゴンガス雰囲気中、常温、常圧で４〜５Ｖ、２ｍ
Ａ／cm2の電流を２時間流し、チオフェンを電気化学的
に重合して前記陽極板上にポリチオフェンフィルムを析
出させた。このポリチオフェンフィルムの電導度は20Ｓ
／cmであった。次にこのポリチオフェンフィルムで覆わ
れたアルミニウム箔を陽極とし、白金板を陰極として、
ホウ酸アンモニウムのエチレングリコール溶液中で後化
成を９Ｖ、10分間実施した。この後化成物を陽極とし、
陰極にアルミニウム箔を用いてゴムで封止して固体電解
コンデンサを作製した。
実施例２ 実施例１と同じ陽極を用い、炭素板を陰極として使用し
て、0.1mol／の１，３−イソチアナフテンと0.05mol
／のテトラフェニルフォスフォニウムクロライドとを
含むアセトニトリル溶液にアルゴンガス雰囲気中、常
温、常圧で２〜３Ｖ、１ｍＡ／cm2の電流を２時間流
し、イソチアナフテンを電気化学的に重合して、陽極板
上にポリイソチアナフテンフィルムを析出させた。この
ポリ（１，３−イソチアナフテン）フィルムの電導度は
10Ｓ／cmであった。実施例１と同様に後化成した後、陰
極にアルミニウム箔を用いてゴムで封止して固体電解コ
ンデンサを作製した。
て、0.1mol／の１，３−イソチアナフテンと0.05mol
／のテトラフェニルフォスフォニウムクロライドとを
含むアセトニトリル溶液にアルゴンガス雰囲気中、常
温、常圧で２〜３Ｖ、１ｍＡ／cm2の電流を２時間流
し、イソチアナフテンを電気化学的に重合して、陽極板
上にポリイソチアナフテンフィルムを析出させた。この
ポリ（１，３−イソチアナフテン）フィルムの電導度は
10Ｓ／cmであった。実施例１と同様に後化成した後、陰
極にアルミニウム箔を用いてゴムで封止して固体電解コ
ンデンサを作製した。
実施例３ 実施例１と同じ陽極を用い、白金板を陰極として使用し
て、0.1mol／のピロールと0.05mol／のｐ−トルエ
ンスルホン酸のトリ−ｎ−ブチルアンモニウム塩とを含
むアセトニトリル溶液にアルゴンガス雰囲気中、常温、
常圧で３〜４Ｖ、１ｍＡ／cm2の電流を２時間流し、ピ
ロールを電気化学的に重合して陽極板上にポリピロール
フィルムを析出させた。このポリピロールフィルムの電
導度は50Ｓ／cmであった。実施例１と同様に後化成した
後、陰極にアルミニウム箔を用い、ゴム封止して固体電
解コンデンサを作製した。
て、0.1mol／のピロールと0.05mol／のｐ−トルエ
ンスルホン酸のトリ−ｎ−ブチルアンモニウム塩とを含
むアセトニトリル溶液にアルゴンガス雰囲気中、常温、
常圧で３〜４Ｖ、１ｍＡ／cm2の電流を２時間流し、ピ
ロールを電気化学的に重合して陽極板上にポリピロール
フィルムを析出させた。このポリピロールフィルムの電
導度は50Ｓ／cmであった。実施例１と同様に後化成した
後、陰極にアルミニウム箔を用い、ゴム封止して固体電
解コンデンサを作製した。
比較例 実施例１と同じ誘電体層を有するアルミニウム箔を使用
し、従来の二酸化マンガンを固体導電体とし、陰極をア
ルミニウム箔とした固体電解コンデンサを作製した。
し、従来の二酸化マンガンを固体導電体とし、陰極をア
ルミニウム箔とした固体電解コンデンサを作製した。
Claims (1)
- 【請求項１】電導性高分子化合物を固体導電体とする固
体電解コンデンサを製造するにあたり、該電導性高分子
化合物を部分的に金属の露出した多孔質誘電体の金属面
を起点として電解重合を実施することにより、多孔質誘
電体層表面に析出・成長させた後、陽極酸化によって露
出金属表面上に誘電体層を形成させることを特徴とする
固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25780985A JPH0650710B2 (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25780985A JPH0650710B2 (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62118511A JPS62118511A (ja) | 1987-05-29 |
| JPH0650710B2 true JPH0650710B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=17311415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25780985A Expired - Lifetime JPH0650710B2 (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0650710B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1985
- 1985-11-19 JP JP25780985A patent/JPH0650710B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62118511A (ja) | 1987-05-29 |
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