TW460592B

TW460592B - Fe-Ni alloy for semi-tension mask having excellent magnetic property, semi-tension mask and color cathode ray tube using the same

Info

Publication number: TW460592B
Application number: TW089114992A
Authority: TW
Inventors: Toshiyuki Ono; Masazumi Mori
Original assignee: Nippon Mining & Amp Metals Co
Priority date: 1999-11-25
Filing date: 2000-07-27
Publication date: 2001-10-21
Also published as: WO2001038594A1; US6600259B1; KR20010050106A; JP2001152292A; EP1253211A1; EP1253211A4

Description

46C 59 2 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 __B7_ 五、發明說明（(） [發明之詳細說明] [產業上之利用領域] 本發明係關於一種於陰極射線管(映像管)所使用之Fe-Ni系合金所構成之半拉伸張力遮罩(Semi-Stretched Tension Mask，SST遮罩，簡稱半張力遮罩(Semi Tension. Mask))中1 磁性良好、在因地磁之影響所造成之射束偏向的抑制上優異的材料。 [習知技術] 映像管之遮罩可大致區分爲：將遮罩素材以蝕刻加工形成電子線透過用之點或長孔(slot)之後，加壓成形爲遮罩形態之蔭罩方式；以及，於遮罩素材藉蝕刻加工形成電子線透過用之長狹縫(slit)之後，拉伸其上下，張架於框架上之蔭柵(aperture grill)方式 β 爲改善因熱膨脹所產生之隆起(doming)特性，蔭罩方式一般係使用Fe-36%Ni(Invar合金）。另一方面，就蔭柵方式而言，由於其構造上所具特徵，故不易因熱膨脹發生隆起現象，即使熱膨脹係數高仍使用著較廉價的軟鋼。上述兩種方式各有其優劣所在，不論是哪一種方式皆爲市場所採用’惟，目前已開始硏究一擷取此2方式所各' 具之優點之半張力遮罩方式(Semi-Tension Mask)。此種方式係對於藉由蝕刻加工形成電子線透過用之點或長孔的遮罩素材，並不進行加壓，而是與蔭柵方式同樣地拉伸其上下’然後支撐於框架上的方法（張架方式）。此種新方式的開發當初，對於遮罩素材不僅是朝上下方向、 4 本紙張尺度用中國國家標準^CNS>A4規格（21G X 297公釐） ' " (諳先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) I 裝--------訂*-------- 46059 2 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印數五、發明說明（二）亦在左右方向進行拉伸⑸卩4方向拉伸）。惟，當將遮罩素材拉伸於4方向時，常有遮罩破裂的情事。爲了避免因上述遮罩破裂所導致的危險性，乃嘗試將遮罩素材僅朝上下 2方向拉伸，而得到了良好的結果。經此改善所製作之遮罩，因並非以4方向來拉伸，而是以2方向來拉伸之故，乃稱爲半拉伸張力遮罩(簡稱半張力遮罩）。圖1(a)舆(b)係槪略地顯示半張力方式遮罩與蔭柵方式遮罩之說明圖。此兩形式的遮罩皆被拉伸於上下方向。於半張力遮罩中，複數之垂直長孔列係形成於寬全體上 > 各長孔列係由相鄰之長孔2間存在著橋接(bridge)5之複數的長孔2所構成，另一方面，蔭柵方式遮罩係於寬全體包含複數之長的垂直狹縫3，爲抑制自擴音器等音響源對遮罩造成振動，有必要設置減振(damper)線4。半張力方式遮罩之橋接5係藉由蝕刻形成長孔2之際於各長孔列之長孔2 間的未蝕刻部分。橋接5的作用在於防止垂直長孔列的扭曲。由於半張力方式遮罩在各長孔列存在著橋接5之故亦稱爲附橋接張力遮罩。相較於藉由加壓之蔭罩方式，半張力方式可進一步達成平面化’且可達成筒壳度化、高解析化。再者，較蔭柵方式具有更優異的振動特性、不需減振線4，又，於上下方向之拉伸荷重僅需少許，有助於成本的降低。另一方面，就半張力遮罩方式而言，由於與蔭栅方式相異，會因熱膨脹造成隆起(cLomining)的發生，乃硏究著以熱膨脹係數低的Invar合金爲中心之Fe-Ni系合金的採用。 5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i裝--------訂---------線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 460592 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（j) 惟，若將作爲高精細彩色顯示器使用之Invar合金當作半張力遮罩來使用時，已知會發生在遮罩之端部射束偏向變大的問題。此乃由於半張力遮罩爲平面管，故在遮罩端部，遮罩與射束所成的角度小，僅些許的射束偏向對於螢光體之誤著地(miss landing)量即會變大。又，由於增大開口面積來達成高亮度亦爲半張力遮罩方式的一個目的，是以遮罩本身的磁屏蔽性乃降低，於是有容易發生射束偏向的狀況。 [發明所欲解決之課題] 惟，自熱膨脹的觀點來看，軟鋼等並不適於作爲半張力遮罩用材料來使用，故有必要藉助如Invar合金之低熱膨脹合金來提升磁屏蔽性。是以，就加壓形式之蔭罩而言，若將該可在磁屏蔽性上不具問題的前提下來使用之Invar合金用於半張力遮罩時，針對遮罩製造之各階段進行詳細地調查結果，已發現磁屏蔽性變差的原因是由於張架材料後之磁性較張架前之磁性出現很大的變化。具體而言，由於加壓彤式之遮罩必須讓橋接(bhdge，可通過點狀或長孔狀之射束的孔與孔之間的部分)具備可保持遮罩形狀（曲率）的強度；又爲達成高亮度，蝕刻因子(深度方向之蝕刻量/側蝕刻量）必須要大，故一般的做法係避免讓軋製面上腐蝕速度小的原子最密面（111)集合。將此材料張架於軋製方向(<1〇〇>方向)與相對於軋製方向成90度與45度之方向(<11〇>方向）來測定磁性。以映像管的方式之交流消磁後之地磁屏壁中，殘留磁通量密度(Br)大、矯 6 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-— — — III— « — — — — — III 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 46059 ^ A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（十）頑磁力（He)小則在磁屏蔽性上優異，也就是以Br/Hc來計算之比磁通率愈大則磁屏蔽性愈佳。已知若張架於軋製方向與相對於軋製方向爲90度的方向上，比磁通率// Br他相較於未張架的情形來得小從而磁屏蔽性變差，若張架於相對軋製方向成45度的方向上，比磁通率&會變大從而磁屏蔽性乃佳。又’已知此比磁通率^Βτ/Η。會隨著黑化處理溫度與張架應力的變化而變化。惟，實際上並不會因爲以45度的角度來將遮罩自條狀物處進行加工而造成許多的失誤。 [用以解決課題之手段] 亦即，本發明係用以解決上述問題所得之物，其中， (1) —種半張力遮罩用Fe-Ni系合金，其特徵在於，由 Ni 34%〜45%、Μη 0.01%〜0.5%、殘餘部Fe以及不可避免之不純物所構成之Fe-Ni系合金，於最終冷軋後之板表面，以下述式所表示之（ill)集合度與(220)集合度之和a(umm〇) 爲15%以上。 (1(111) + 1(220)) O. ¢111)+(220) = --—---X 100 (%) (1(1 1 1) + 1(200) + 1(220)+1(31 1)} (2) —種半張力遮罩用Fe-Ni系合金，其特徵在於，對遮罩進行黑化處理之溫度定爲T°C、作爲半張力遮罩的張架應力定爲σΝ/mm2時，於最終冷軋後之板表面，以下述式所表示之 (X (1 1 1)+(220) 7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 4 60 5、：： A7 _______B7 五、發明說明（X) (I⑴ 0 + 1(22(0) a (iin*(22〇) ------X 100(%) (Id ^) + 1(200) + 1(220) + 1(311)} 係滿足下述式 -〇.28T-O.la+218S〇；(U1W220)S55 (%)。 (3)如（1M2)所記載之半張力遮罩用Fe-Ni系合金，其中’含有 Si 0·005%~0_20% ' A1 0.005%〜0.030%。 ⑷如（1)〜(3)所記載之半張力遮罩用Fe-Ni系合金，其中’在不可避免之不純物當中，c爲0.010%以下、P爲 0.015%以下、S爲0.010%以下。 (5) —種半張力遮罩’其特徵在於，係使用上述（1)〜⑷ 之Fe-Ni系合金。 (6) —種彩色映像管’其特徵在於，係使用上述(5)之半張力遮罩。亦即’本發明係自Fe-Ni系合金之(11丨)集合度未滿1% 之加壓遮罩用Invar金屬條，以柵條(grid)之軸方向相對於軋製平行方向從0度〜45度之5度間隔的方式進行蝕刻製作遮罩，於640°C進行黑化處理，以l〇〇N/mm2來張架，調査通過柵條之射束的偏向量，同時以相對於軋製平行方向爲0度〜45度的角度來切出薄長方形之試驗片，以 100N/mm2來張架’測定最大磁場3183A/m之磁滯 (hysteresis)曲線，計算比磁通率/ζ ，結果得知只要比磁通率在2400以上，射束之偏向即可被充分的抑制。又，藉由改變軋製面之（111)集合度與(220)集合度之和 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I------------ . ------- 訂-----I---I {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7___ 五、發明說明（) ，已知亦與從(111)集合度未滿1%之條來變更採取角度的情形同樣地來確保磁性屏壁性。亦即，本發明者等發現藉由抑制Fe-Ni系合金之軋製面的（111)集合度與(220)集合度的和，可確保磁屏蔽性，從而可抑制因射束偏向造成色偏的發生。此乃由於，色偏會隨著遮罩之黑化溫度與對半張力遮罩之張架的應力而被抑制。其次說明本發明的限定理由。

Ni :若见多於少於36%會關係到熱膨脹係數的變大、色純度的降低。若Ni較34%爲低，除了熱膨脹係數會急驟地增大以外，軟化溫度亦會變低，從而於黑化處理後之耐力下降，張架後之潛變延伸容易變大。是以Ni的下限乃定在 34%。又，若Ni超過36%雖熱膨脹係數會變得過大，但由於 * 軟化溫度上升會造成黑化處理後之耐力的降低變小，張架力乃大，而可防止因熱膨脹所造成之隆起特性的惡化。再者，:N!的含有量愈多磁性亦會愈佳。惟，若Ν!超過45% ，在熱膨脹特性上與軟鋼的差異性會變小，就成本來考量，將Fe-Ni系合金用於半張力遮罩用材料上的優點將不復存在。是以，其成分範圍係定於34%~45%。 Μη : Μη在將妨礙熱軋加工性之作爲不純物包含其中之S無害化上爲必要之物。又，若Μη少於0.01%該效果將消失，若超過0.5%會妨礙蝕刻性，並造成熱膨脹係數變大。是以，其成份範圍係定於0.01%〜0.5% ’惟，爲讓蝕刻性 9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·11!!I 訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 Ο B- A7 ------ B7 五、發明說明（7) 與熱膨脹特性更好，故較佳的範圍爲0.01%〜0.1%。

Si : Si係添加作爲脫氧劑，惟，若&過多會大幅地影響餓刻往，故以少夏爲宜。另—方面，雖然少但至少也要具有改善潛變特性的效果，故其成分範圍係定於 0.01%〜0.20%。其中’爲進一步提升蝕刻性，更佳的範圍是在0.03%以下。 A1 : AI係作爲脫氧劑來使用，若大量地固溶A1將具有改善潛變特性的效果。惟，若A丨之含有量過多會形成氧化鋁’不但妨礙蝕刻性、且在冷軋時會由於氧化鋁而發生表面的瑕疵。是以’其成份範圍係定於〇.〇〇5%〜〇.〇3〇%。 c : C係形成碳化物’若c超過0.010%會生成過多的碳化物，此會妨礙蝕刻性。是以，將C定爲0.01%以下，其中’固溶C亦會對於蝕刻性造成不良影響，故c以儘可能少爲宜’ C之更佳範圍爲0.005%以下。 P :若含有過量的P會成爲蝕刻不良的原因。是以，其含有量以0.015%以下爲宜。 S :若S超過〇.〇丨〇%會妨礙熱軋加工性，且硫化物系中間體會變得過多從而對触刻性造成不良影響。晕以，其上限係定於0.010%以下。軋製面之（111)集合度與(220)集合度之和

d CLLD + (22〇) ： (X (πη +⑴(3)對張架於軋製平行方向與相對於軋製方向成9〇度的方向時之磁性影響甚大 J ^ CL (II t)+(220) 小，張架後之比磁通量會變少，磁屏蔽性乃變差。爲確保磁屏蔽性，α(π1)+(22(3) 係定於15%以上。另一方面，爲增大 CC (111)+(220) » 有必要減 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------ 訂---------線 A60L9 - A7 _ B7 五、發明說明（t) 低冷軋之加工度，而由於退火次數增加，成本乃變高，若對遮罩進行黑化處理之溫度高，即使 CL (1 1 1 ) + (220) 相同比磁通量仍會變大。是以，au⑴以設定爲下述式的範圍爲佳 ’其中，該式是根據實驗由黑化處理溫度T°C與張架應力 σΝ/mm2的關係所獲得之結果。 (1( 1 1 1 ) + 1(220)) 〇:⑴ 1)+<22〇) = —-—-X 100 (%) (1(1 1 1 ) + 1(200) + 1(220)+1(31 1)) 此處，以上述式所計算之値，其規定如下：一 0.28T — 0.1 σ+218$ a(ui)+mQ)彡55 (%) 以真空熔解來熔製由Ni : 36.1%、Μη : 0.25%、殘鐵以及不可避免之不純物所構成之Fe-Ni系合金，接著以熱鍛造與熱軋形成厚度3mm之後’進行酸洗來去除皮膜。接著，爲改變（111)集合度與(220)集合度之和 (X (1 1 1) + (220) J 包含中間進行1次或2次的退火之物，以數種類之加工度進行冷軋成爲0.13nun厚度，讓這些材料再結晶退火後冷乳爲 0.1mm厚度。然後’以X射線繞射來測定這些材料的軋製面的結晶方位來求出，並以580°C、600°c、64〇t：進行15分鐘的黑化處理後，將lOON/mm2、150N/mm2、 200N/mm2之拉伸應力負荷於軋製平行方向，由最大磁場 3183A/m之磁滯曲線來測定比磁通率。圖2〜4中之拉伸應力與黑化處理溫度欄係顯示最終冷軋後之軋製面之a “u)+mo>與比磁通量# 的關係。又，於拉伸應力與黑化處理溫度的組合中，若計算用以判斷不會 11 ^>尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · ( ---I I 1 訂----- » . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 6 ϋ ^ Α7 Β7 .發明說明（1) 發生射束偏向(即比磁通量。成爲2400)的最終冷軋後之軋製面之 (X (111)+(220) 1 則成爲表1的結果。從而’已知黑化處理溫度在64CTC以下(此乃由於若超過640°c則接近軟化溫度的強度會變低）、張架應力在200N/mm2以下(此乃由於若超過200N/mm2則接近耐力的潛變延伸會變大）的要在15%以上即可。再者，基於表1的結果，若以黑化處理溫度T°C與拉伸應力σΝ/mm2的2變數來求出用以表示比石從通星β 爲2400以上之Ci (111) + (220) 的近似式，乃得到下述式的左邊。 -0.28Τ-0.1σ+218^ CL (1 1 1)+(220) ^ 55 (%) [表1] 比磁通量以Br/Hc成爲2400之α <Ι1ΙΗί220>(%) 應力 σ (N/mm2) 100 150 200 580 45.0 38.8 33.2 600 38.4 32.6 26.7 640 27.9 21.8 16.0 又’爲減小最終冷軋後之軋製面的 CL (1 1 1) + (220) ^ 雖有必要讓最終退火之前的冷軋加工度變小，惟，當加工度變小則於之後之再結晶退火時會發生混粒。在不致發生混粒的限度內的加工度來製造之時的最終冷軋後之軋製面的α [mwm)的上限係55%。於是，下述式 1(111)+1(220) (111)+(220)-------------------------------X 100 (%) 1(111)+I(200)+I(220)+I(3 11) 12 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公笼） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I 裝iI I----訂---------線 ' A7 ______B7_____ 五、發明說明（p ) 的右邊乃得以決定，最後得到下述式。 -0.28Τ-0.1σ+218^ d (111)+(220) ^55 (%) 以下詳細地說明本發明。將具有表2所示之成分的Fe-Ni系合金熔製後’藉鍛造與熱軋形成3mm厚度，再進行酸洗來去除皮膜° [表2] 成分 No, C Si Mn P s Ni A1 備考 A 0.004 0.02 0.28 0.004 0.003 36.2 0.012 滿足申請專利範圍1~4 滿足申請專利範圍1〜3 滿足申請專利範圍1 不滿足申請專利範圍1 B 0.005 0.01 0.25 0.004 0.002 36.0 0.022 C 0.003 0.02 0.25 0.004 0.003 36.0 0.022 D 0.012 0.01 0,26 0.003 0.002 35.8 0.015 E 0.003 0.02 0.26 0.018 0.002 36.2 0.014 F 0.004 0.03 0.24 0.002 0.013 35.7 0.011 G 0.003 0.23 0.26 0.003 0.002 36.1 0.018 H 0.003 0.003 0.25 0.004 0.003 36.0 0.016 I 0.006 0.02 0.27 0.002 0.003 35.8 0.042 J 0.007 0.01 0.25 0.001 0.002 35.9 0.003 K 0.004 0.02 0.85 0.003 0.002 36.1 0.017 L 0.005 0.02 0.007 0.002 0.002 35.7 0.021 M 0.003 0.02 0.27 0.003 0.002 46.3 0.014 N 0.005 0.01 0.26 0.002 0.002 33.1 0.018 其次，爲改變包含中間進行過1次或2次之退火之物，以數種類之加工度形成0.13mm厚度，讓這些材料再結晶退火後冷軋爲0.1mm厚度。然後，以X射線繞射來測定這些材料的軋製面的結晶方位來測定 (X ¢111)+-(220) ，並於640°C進行15分鐘的黑化處理後，負荷100N/mm2之拉伸應力，於3183A/m之交流磁場中測定比磁通率。 13 本紙張尺度適用♦國國家標準（CNS)A4規格（210 公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i 裝--------訂---------線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4- G υ 〇：. Α7 Β7 五、發明說明（丨I)又’一邊於46〇°C加熟〜邊負荷i0〇N/mm2之拉伸應力，測定1小時後之潛麵伸。拉伸方向係定爲乳製平行方向。於表3巾顯讀終隸後:^製面之⑽集合度與 (220)集合度之和❹⑴，、比磁通率"·、潛變延伸、自3(TC到·C之平均熱膨麵數、f乍爲_性之關面的狀態。

No, 成分 No. 最終冷軋後之 a(%) 比磁通率 β Br/Hc [表 45CTCJ小時之潛變延伸(％) 負荷 100N/mm264〇TEfc

100 °C 熱膨脹保數 Xl〇.2，C 蝕刻面之狀態.

A

A £7_ 35 34S8 2792

B 52 3742

B 34 2852 0.064 0.057 0.061 0.055 12 ,24 良好良好以式2計算之α (111Κ220)與 j 55的關係_ 滿足 ___ 滿足一滿足 _ {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

C 49 4153 0.05 33 良好

C 36_ 58 3452 4103 57 4456 0.053 O.OS7 0.078

H 59 10

D 32 4169 2620 0.092 11 35 2792 12

G 32 2576 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 13 14

K 34 2528 32 2573 15 16

M 37 31 2915 3104 17

N

A 19 20 35 2706 637

B 12 12 1592 0.061 0.058 0.061 0.058 Q.Q65 0.062 0.048 0.112 Q.Q65 0.061 II 13^ 14]3__ 57 55 良好普通* 普通普通* 普通* 普通* 良好良好良好 1472 0.062 14 12 滿足滿足不滿足不滿足不滿足滿足滿足滿足滿足滿足滿足滿足滿足不滿足不滿足不滿足裝 -------訂 - ---I-- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4605 五、發明說明（p ) A7 B7 21 J <1 716 0.081 12 良好不滿足 *有微少的凹凸與異物的蝕刻痕跡自No.1到No.6係滿足申請專利範圍第1~4項之物。其比磁通率 U Sr/Hc 係達可抑制射束偏向的2400以上、在磁屏蔽性上優異、潛變延伸亦夠小(未滿0.07%)、且蝕刻面亦良好5熱膨脹係數雖會隨著Ni的含有量而變大，但可藉由張架力的調整來防止隆起特性的惡化。另一'方面，在No.7〜No.9中，雖比磁通率# 超過 4000爲良好的，但最終冷軋後之軋製面的 (X (\ \ 1)+(220) 係超過申請專利範圍第2項所規定的55%，乃較No.1〜No.6的潛變延伸爲大。從而，若施加之張架力更大，則必須注意製作半張力遮罩時之遮罩雛摺的發生。在No.10~No.13中，比磁通率係超過2400、潛變延伸亦與No.1〜No.6的潛變延伸同樣。惟，於蝕刻面存在著微少的凹凸。就此微少凹凸的原因來說，推測No.10是鐵碳化物、No.ll是硫化錳(MnS)、No.12是二氧化矽(SiCb) ' No.13是氧化鋁(AhCb)所造成。由於上述凹凸會被蝕刻條件（液體比重，液溫等）所左右，故依據條件的不同，必須注意蝕刻面之狀態是否出現問題。由於No.14之Μη超過申請專利範圍第丨項所規定的範圍’於蝕刻面乃存在許多MnS的蝕刻痕跡。由於此MnS 具有延性，經軋製會長長地延伸。再者，MnS係大量地存在於長孔狀或點狀之射束通過孔的壁面，會造成形狀的惡 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------1—訂---------辣經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 B7 4 60 59 2 五、發明說明（ly 化。另一方面，由於No.15之Μη較申請專利範圍第1項所規定之範圍爲少，並無法將包含於材料中之S所造成之熱延性的惡化加以無害化，也因爲於熱加工時會發生許多的裂痕或hege瑕疵，在工業製造上乃爲困難的。由於Νο·Ι6與No.17超出申請專利範圍第1項所規定的範圍，熱膨脹係數乃大，作爲半張力遮罩用材料並不適當。再者，由於No.17之Ni少故潛變延伸非常的大。由於No.18〜No.20之 OL ¢111)+(220) 未達申請專利範圔第2項所規定的15%，比磁通率乃未滿2400，在磁屏蔽性上不充分。再者，No.20在蝕刻面存在著蝕刻痕(推測是受到磷偏析的影響），對此必須注意到依據蝕刻條件的不同，凹凸會變大，從而對通過之射束的散射造成影響。又，於本發明之實施例中，於最終冷軋後雖未進行去應變退火，惟，即使進行去應變退火，幾乎沒有改變。從而，亦確認磁性未發生變化。不過，若不進行去應變的動作，藉蝕刻加工爲點狀或長孔狀之遮罩之際，殘留應力分布的平衡會崩潰，有時會造成藉黑化處理所解放之形狀的惡化，故乃希望在張架作業上進行去應變退火以避免因黑化處理所造成之形狀的變化。再者，依必要性有時亦可實施藉張力校平器(leveller)所進行之形狀矯正，當然將這些製程加入對本發明之有效性不會造成問題，亦毋庸置疑其可包含於本專利申請的範圍內。 [發明之效果] 由於本發明之Fe-Ni系合金具備優異之磁性，乃可適 16 (請先閱讀背面之注意事頊再填寫本真> -^-------ί 訂---------線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 46059^ A7 B7 五、發明說明（丨(p 切地當作無射束偏向、無色差的彩色映像管用材料。尤其，本發明所構成之半張力遮罩在將彩色映像管的畫面平面化上是適宜的。 [圖式之簡單說明] 圖1U)係槪略地顯示半張力方式遮罩的說明圖。圖1(b)係槪略地顯示蔭柵方式遮罩的說明圖。圖2所示係負荷ΙΟΟΝ/ππη2之拉伸應力，於黑化處理後之aitulwnDi與比磁通率的關係的圖表。圖3所示係負荷150N/mm2之拉伸應力，於黑化處理後之aum+mw與比磁通率的關係的圖表。圖4所示係負荷200N/mm2之拉伸應力，於黑化處理後之α(ι⑴+(ηα)與比磁通率的關係的圖表。 [符號說明] 1 框架 2 長孔 3 狹縫 4 減振線 5 橋接 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）

Claims

經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 4 6 0 5 9；^—：--1 |公告本: 、申請專利範圍 1. 一種半張力遮罩用Fe-Ni系合金，其特徵在於，由 Νι 34%〜45%以下、Μη 0.01%~0.5%、殘餘部Fe以及不可避免之不純物所構成之Fe-N:系合金，於最終冷軋後之板表面，以下述式所表示之（111)集合度與(220)集合度之和α (111).(22。)爲 15% 以上· (1( 1 1 1)+1(220)) (X ( 1 1 1) + (220)——--------- -χιοο(%)。 (1(1 ⑴+ 1(200) + 1(2 20) + 1(川)） 2. —種半張力遮罩用Fe-Ni系合金，其特徵在於，對遮罩進行黑化處理之溫度定爲T°C、作爲半張力遮罩的張架應力定爲¢7 N/mm2時，於最終冷軋後之板表面，以下式所表示之α (111)+(220) (I ⑴ 1) + 1(220)) a (111) + (220) = -X 100 (%) ¢1(1 1 1) + 1(200) + 1(220) + 1(31 1 )} 係滿足下式： -0.28T-0· 1 ¢7 +218$ a(m)+(2 2〇)S55 (%)。 3. 如申請專利範圍第1或第2項之半張力遮罩用Fe-Ni 系合金’其中’係含有 Si 0.005%〜0.20%、A1 0.005%~0.030%。 4. 如申請專利範圍第i或第2項之半張力遮罩用Fe-Ni 系合金，其中，在不可避免之不純物當中，C爲0.010%以下、P爲0.015%以下、S爲0.010%以下。 5·如申請專利範圍第3項之半張力遮罩用Fe-Ni系合金，其中，在不可避免之不純物當中，C爲0.010%以下、P 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1 - /u n 1^1 m l^i ^^1 i I r n _n I _ ^^1 Kn ^^1 一口， n ^ - 1 n I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 六、申請專利範圍爲0.015%以下、S爲0.010%以下。 6. 如申請專利範圍第1或第2項之半張力遮罩用Fe-m 系合金，係於最終冷軋後進行去應變退火。 7. 如申請專利範圍第3項之半張力遮罩用Fe-Ni系合金，係於最終冷軋後進行去應變退火。 · 8. 如申請專利範圍第4項之半張力遮罩用Fe-Ni系合金，係於最終冷軋後進行去應變退火。 9. 如申請專利範圍第5項之半張力遮罩用Fe-Ni系合金，係於最終冷軋後進行去應變退火。 10. —種半張力遮罩，其特徵在於，係使用申請專利範圍第1〜9項中任一項之Fe-Ni系合金。 11. 一種彩色映像管，其特徵在於，係使用申請專利範圍第丨〇項之半張力遮罩。 --N----------- ________訂 _________ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*'^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）