JPH06264190A - シャドウマスク用素材 - Google Patents
シャドウマスク用素材Info
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- JPH06264190A JPH06264190A JP5079116A JP7911693A JPH06264190A JP H06264190 A JPH06264190 A JP H06264190A JP 5079116 A JP5079116 A JP 5079116A JP 7911693 A JP7911693 A JP 7911693A JP H06264190 A JPH06264190 A JP H06264190A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/08—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing nickel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/06—Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
- H01J29/07—Shadow masks for colour television tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/07—Shadow masks
- H01J2229/0727—Aperture plate
- H01J2229/0733—Aperture plate characterised by the material
Landscapes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Heat Treatment Of Sheet Steel (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 強度が高く、かつエッチング性、黒化性等に
優れたシャドウマスク用素材を提供しようとするもので
ある。 【構成】 重量割合でＮｉ３０〜４８％、Ｂ０．０００
１〜０．０１％、不可避的不純物元素および残部Ｆｅか
らなり、未再結晶組織でかつ結晶粒径が１０μｍ以下で
ある再結晶途上組織を有することを特徴としている。
優れたシャドウマスク用素材を提供しようとするもので
ある。 【構成】 重量割合でＮｉ３０〜４８％、Ｂ０．０００
１〜０．０１％、不可避的不純物元素および残部Ｆｅか
らなり、未再結晶組織でかつ結晶粒径が１０μｍ以下で
ある再結晶途上組織を有することを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カラーテレビ用受像管
に使用されるシャドウマスクの素材に関するものであ
る。
に使用されるシャドウマスクの素材に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】カラーテレビ用受像管に使用されるるシ
ャドウマスクは、三色蛍光面に正確な電子ビームスポッ
トを投影する機能を有する。このため、電子ビーム通過
孔の相対位置、孔径及び孔形状が画質に直接的な影響を
及ぼし、電子ビーム通過孔の高い加工精度が要求され
る。また、散乱電子の発生防止のため、電子ビーム通過
孔の蛍光面と対向する面を半球状等に面取り加工すると
いう特殊な加工も必要である。これらの加工精度が低い
と、ドーミングにより画質低下を招く。
ャドウマスクは、三色蛍光面に正確な電子ビームスポッ
トを投影する機能を有する。このため、電子ビーム通過
孔の相対位置、孔径及び孔形状が画質に直接的な影響を
及ぼし、電子ビーム通過孔の高い加工精度が要求され
る。また、散乱電子の発生防止のため、電子ビーム通過
孔の蛍光面と対向する面を半球状等に面取り加工すると
いう特殊な加工も必要である。これらの加工精度が低い
と、ドーミングにより画質低下を招く。
【０００３】従来、このようなシャドウマスクの加工は
シャドウマスク用素材にエッチングによって細長状の電
子通過孔を形成していた。
シャドウマスク用素材にエッチングによって細長状の電
子通過孔を形成していた。
【０００４】ところで、近年、テレビ画面の“きめの細
かさ”に対する一般的要求が高まり、通信方式でも高品
位テレビ方式の開発が進められている。したがって、受
像管においても解像度の向上の観点から、シャドウマス
クに更に微細な電子ビーム通過孔を形成することが要求
される。
かさ”に対する一般的要求が高まり、通信方式でも高品
位テレビ方式の開発が進められている。したがって、受
像管においても解像度の向上の観点から、シャドウマス
クに更に微細な電子ビーム通過孔を形成することが要求
される。
【０００５】また、前記シャドウマスクは高精細化が要
求されるに伴ってその熱膨張による電子ビーム通過孔の
位置ずれの問題が生じる。これを解決するために熱膨張
率αの低いＦｅ−Ｎｉ系アンバー合金の使用が検討され
ている。しかしながら、かかる状況下では別の従来余り
注目されていなかった新たな問題点がクローズアップさ
れる。すなわち、圧延で薄肉化したＦｅ−Ｎｉ系アンバ
ー合金からなるシャドウマスク用素材をエッチングによ
り微細な電子ビーム通過孔を開孔すると、前記孔が均一
にならないという問題があった。このようなことから、
特開昭５９−１４９６３８号公報等にはシャドウマスク
用素材の板面を｛１００｝面を揃えることによって前記
エッチングにより形状が均一な孔を開孔できることが開
示されている。
求されるに伴ってその熱膨張による電子ビーム通過孔の
位置ずれの問題が生じる。これを解決するために熱膨張
率αの低いＦｅ−Ｎｉ系アンバー合金の使用が検討され
ている。しかしながら、かかる状況下では別の従来余り
注目されていなかった新たな問題点がクローズアップさ
れる。すなわち、圧延で薄肉化したＦｅ−Ｎｉ系アンバ
ー合金からなるシャドウマスク用素材をエッチングによ
り微細な電子ビーム通過孔を開孔すると、前記孔が均一
にならないという問題があった。このようなことから、
特開昭５９−１４９６３８号公報等にはシャドウマスク
用素材の板面を｛１００｝面を揃えることによって前記
エッチングにより形状が均一な孔を開孔できることが開
示されている。
【０００６】一方、最近Ｃ−ＣＲＴの大型化に伴い、高
価なアンバー材使用によるコストアップを避けるため、
マスク厚の薄厚化が要求されている。また、Ｃ−ＣＲＴ
の画面のフラット化に伴うマスクのたわみ低減も要求さ
れている。しかしながら、従来のＦｅ−Ｎｉ系アンバー
合金からなるシャドウマスク用素材ではマスク形成後の
黒化膜形成後の軟化によりへこみ、たわみ不良等が発生
するという問題があった。このため、Ｃ−ＣＲＴの大型
化および画面のフラット化に対応してシャドウマスク用
素材の強度を改善することが切望されている。
価なアンバー材使用によるコストアップを避けるため、
マスク厚の薄厚化が要求されている。また、Ｃ−ＣＲＴ
の画面のフラット化に伴うマスクのたわみ低減も要求さ
れている。しかしながら、従来のＦｅ−Ｎｉ系アンバー
合金からなるシャドウマスク用素材ではマスク形成後の
黒化膜形成後の軟化によりへこみ、たわみ不良等が発生
するという問題があった。このため、Ｃ−ＣＲＴの大型
化および画面のフラット化に対応してシャドウマスク用
素材の強度を改善することが切望されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、強度が高く
かつ撓みが少なく、しかもエッチング性、黒化性等に優
れたシャドウマスク用素材を提供しようとするものであ
る。
かつ撓みが少なく、しかもエッチング性、黒化性等に優
れたシャドウマスク用素材を提供しようとするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係わるシャドウ
マスク用素材は、重量割合でＮｉ３０〜４８％、Ｂ０．
０００１〜０．０１％、不可避的不純物元素およぴ残部
Ｆｅからなり、未再結晶組織でかつ結晶粒径が１０μｍ
以下である再結晶途上組織を有することを特徴とするも
のである。
マスク用素材は、重量割合でＮｉ３０〜４８％、Ｂ０．
０００１〜０．０１％、不可避的不純物元素およぴ残部
Ｆｅからなり、未再結晶組織でかつ結晶粒径が１０μｍ
以下である再結晶途上組織を有することを特徴とするも
のである。
【０００９】前記素材の組成割合を限定した理由を以下
に説明する。
に説明する。
【００１０】（１）Ｎｉ Ｎｉの配合割合が前記範囲（３０〜４８重量％）を逸脱
すると熱膨張係数が７×１０-6／℃以下にならず、電子
衝突による昇温で電子ビーム通過孔の位置ずれが大きく
なり、最終的に所要の機能を有するシャドウマスクとし
て素材を得ることができなくなる。なお、前記Ｎｉの一
部をＣｏ、Ｃｒで置換することを許容する。前記Ｃｏ
は、前記素材に対して０．０１〜１０重量％、前記Ｃｒ
は前記素材に対して０．０１〜５重量％の範囲で配合さ
れることが望ましい。ただし、Ｃｏ量＞Ｃｒ量にするこ
とが望ましい。
すると熱膨張係数が７×１０-6／℃以下にならず、電子
衝突による昇温で電子ビーム通過孔の位置ずれが大きく
なり、最終的に所要の機能を有するシャドウマスクとし
て素材を得ることができなくなる。なお、前記Ｎｉの一
部をＣｏ、Ｃｒで置換することを許容する。前記Ｃｏ
は、前記素材に対して０．０１〜１０重量％、前記Ｃｒ
は前記素材に対して０．０１〜５重量％の範囲で配合さ
れることが望ましい。ただし、Ｃｏ量＞Ｃｒ量にするこ
とが望ましい。
【００１１】（２）Ｂ Ｂは、前記素材の強度、耐撓み性の向上に寄与する。ま
た、Ｂは再結晶途上組織の安定化に寄与する。Ｂの量を
０．０００１重量％未満にすると、前記素材の強度を高
めることができなくなる。一方、Ｂの量が０．０１重量
％を超えると熱間加工性、プレス成形性を悪化する。よ
り好ましいＢの量は、０．００１〜０．００８重量％で
ある。
た、Ｂは再結晶途上組織の安定化に寄与する。Ｂの量を
０．０００１重量％未満にすると、前記素材の強度を高
めることができなくなる。一方、Ｂの量が０．０１重量
％を超えると熱間加工性、プレス成形性を悪化する。よ
り好ましいＢの量は、０．００１〜０．００８重量％で
ある。
【００１２】（３）不可避的不純物元素 不可避的不純物元素としては、例えば重量割合でＣを
０．０２％以下、Ａｌを０．０２％以下、Ｓを０．０１
％以下、Ｐを０．１％以下、Ｍｏを０．０２％以下、窒
素を５０ｐｐｍ以下、酸素を１００ｐｐｍ以下、脱酸剤
としてのＭｎを０．５％以下、Ｓｉを０．１％以下含む
ことを許容する。
０．０２％以下、Ａｌを０．０２％以下、Ｓを０．０１
％以下、Ｐを０．１％以下、Ｍｏを０．０２％以下、窒
素を５０ｐｐｍ以下、酸素を１００ｐｐｍ以下、脱酸剤
としてのＭｎを０．５％以下、Ｓｉを０．１％以下含む
ことを許容する。
【００１３】前記素材における再結晶途上組織とは、素
材製造のための最終工程のアニーリング（焼鈍）により
完全には再結晶組織化されていない未再結晶組織で、か
つ再結晶化した結晶において結晶粒径が１０μｍ以下で
ある組織を意味する。
材製造のための最終工程のアニーリング（焼鈍）により
完全には再結晶組織化されていない未再結晶組織で、か
つ再結晶化した結晶において結晶粒径が１０μｍ以下で
ある組織を意味する。
【００１４】すなわち、結晶が本発明のアンバー材のよ
うにｆ．ｃ．ｃである場合は、冷間加工等の加工により
板面の結晶方位は｛１１０｝面に配向しており、アニー
リング（焼鈍）による再結晶過程中に結晶軸が回転し、
板面が｛１００｝面になることが知られているが、本発
明は未再結晶構造が完全に回転し終わらない再結晶過程
の途上（この途上では無方向を示す段階である）の状態
を使用するというものである。
うにｆ．ｃ．ｃである場合は、冷間加工等の加工により
板面の結晶方位は｛１１０｝面に配向しており、アニー
リング（焼鈍）による再結晶過程中に結晶軸が回転し、
板面が｛１００｝面になることが知られているが、本発
明は未再結晶構造が完全に回転し終わらない再結晶過程
の途上（この途上では無方向を示す段階である）の状態
を使用するというものである。
【００１５】前記再結晶途上組織を有する素材は、特定
の結晶方位に配向していない無配向性を有している。こ
のような無配向性の素材は、電子ビーム通過孔を形成す
るためのエッチング工程においてエッチング方向が何等
特定されず全くランダムになる。このため、巨視的に見
ればエッチングは所望方向に均等に進行するものと考え
られる。したがって、前記電子ビーム通過孔を前記素材
のエッチング面に対して直角に形成することができ、前
記孔の位置および形状を均一化することができる。
の結晶方位に配向していない無配向性を有している。こ
のような無配向性の素材は、電子ビーム通過孔を形成す
るためのエッチング工程においてエッチング方向が何等
特定されず全くランダムになる。このため、巨視的に見
ればエッチングは所望方向に均等に進行するものと考え
られる。したがって、前記電子ビーム通過孔を前記素材
のエッチング面に対して直角に形成することができ、前
記孔の位置および形状を均一化することができる。
【００１６】また、前記素材の結晶粒径は、前記再結晶
途上組織を規定する指標の他に、エッチング面の状態に
も影響を与え、その粒径が１０μｍを超えると、エッチ
ングにより高精細の電子ビーム通過孔のエッチング面が
粗くなってしまう。
途上組織を規定する指標の他に、エッチング面の状態に
も影響を与え、その粒径が１０μｍを超えると、エッチ
ングにより高精細の電子ビーム通過孔のエッチング面が
粗くなってしまう。
【００１７】前記素材は、プレス成形性が改善する観点
から、硬度（Ｈｖ）が２３０以下（もしくはエリクセン
値が７以上）であることが望ましく、より好ましくは２
１０以下である。
から、硬度（Ｈｖ）が２３０以下（もしくはエリクセン
値が７以上）であることが望ましく、より好ましくは２
１０以下である。
【００１８】本発明に係わるシャドウマスク用素材は、
例えば次のような方法により製造される。
例えば次のような方法により製造される。
【００１９】まず、Ｎｉ、Ｂ、不可避的不純物元素およ
び残部Ｆｅの組成からなる合金インゴットを造塊、熱間
加工を行ない、９００℃以上（好ましくは１０００〜１
２００℃）の温度で鍛造、熱間圧延を行なう。つづい
て、冷間圧延を施して所定の厚さの板にした後、最終処
理においては再結晶温度以下に制御された温度条件で軟
化焼鈍を行なう。
び残部Ｆｅの組成からなる合金インゴットを造塊、熱間
加工を行ない、９００℃以上（好ましくは１０００〜１
２００℃）の温度で鍛造、熱間圧延を行なう。つづい
て、冷間圧延を施して所定の厚さの板にした後、最終処
理においては再結晶温度以下に制御された温度条件で軟
化焼鈍を行なう。
【００２０】また、本発明に係わる素材からシャドウマ
スクを製造するには、前記素材をフォトエッチング技術
により微細な電子ビーム通過孔を多数穿設し、プレス成
形を施した後、黒化膜を形成する方法が採用される。
スクを製造するには、前記素材をフォトエッチング技術
により微細な電子ビーム通過孔を多数穿設し、プレス成
形を施した後、黒化膜を形成する方法が採用される。
【００２１】
【作用】本発明に係わるシャドウマスク用素材は、Ｂを
所定量配合したＮｉ−Ｆｅ系合金からなり、未再結晶組
織でかつ結晶粒径が１０μｍ以下である再結晶途上組織
を有するため、強度を向上でき黒化膜形成後のへこみお
よびたわみに起因する不良発生を抑制することができる
と共にエッチング性を改善できる。
所定量配合したＮｉ−Ｆｅ系合金からなり、未再結晶組
織でかつ結晶粒径が１０μｍ以下である再結晶途上組織
を有するため、強度を向上でき黒化膜形成後のへこみお
よびたわみに起因する不良発生を抑制することができる
と共にエッチング性を改善できる。
【００２２】すなわち、アンバー合金のようなＮｉ−Ｆ
ｅ系合金を薄膜化すると、マスク強度が低下するため、
黒化膜形成後のマスク面にへこみおよびたわみが生じ、
不良品になる。
ｅ系合金を薄膜化すると、マスク強度が低下するため、
黒化膜形成後のマスク面にへこみおよびたわみが生じ、
不良品になる。
【００２３】このようなことから、前記素材としてＢが
所定量配合されたＮｉ−Ｆｅ系合金からなり、再結晶途
上組織を有する構成にすることによって、薄膜化し、黒
化膜形成後の強度を著しく向上できるため、マスク面の
へこみおよびたわみを抑制し、前記へこみ等に起因する
不良発生を抑制することができる。この場合、前記Ｂを
所定量配合したＮｉ−Ｆｅ系合金からなる素材やＢが無
添加のＮｉ−Ｆｅ系合金で未再結晶組織を有する素材で
は、前記へこみおよびたわみを抑制し難い。これは、前
記Ｂの添加および再結晶途上組織により強度を著しく向
上できると共に、前記Ｂの添加により前記再結晶途上組
織の安定化を図ることができることに起因するものと推
定される。
所定量配合されたＮｉ−Ｆｅ系合金からなり、再結晶途
上組織を有する構成にすることによって、薄膜化し、黒
化膜形成後の強度を著しく向上できるため、マスク面の
へこみおよびたわみを抑制し、前記へこみ等に起因する
不良発生を抑制することができる。この場合、前記Ｂを
所定量配合したＮｉ−Ｆｅ系合金からなる素材やＢが無
添加のＮｉ−Ｆｅ系合金で未再結晶組織を有する素材で
は、前記へこみおよびたわみを抑制し難い。これは、前
記Ｂの添加および再結晶途上組織により強度を著しく向
上できると共に、前記Ｂの添加により前記再結晶途上組
織の安定化を図ることができることに起因するものと推
定される。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００２５】実施例１ Ｎｉ；３６．２重量％、Ｂ；０．０００２重量％、Ｐ、
Ｓｉ、Ｍｎなどの不可避的不純物；０．１重量％以下お
よび残部Ｆｅからなるアンバー合金を溶解し、インゴッ
ト５トンを作製した。つづいて、前記インゴットを１１
５０℃で４時間加熱した後、熱間加工して厚さ４ｍｍの
板材にした。ひきつづき、１１００℃で４時間焼鈍した
後、冷間圧延して厚さ０．７ｍｍの板材を作製した。さ
らに、８００℃で中間焼鈍した後、冷間圧延して厚さ
０．３ｍｍの板材とした。次いで、８５０℃、１分間焼
鈍した後、冷間圧延して厚さ０．２ｍｍの板材とした。
その後、前記板材を再結晶温度以下である８００℃に設
定した炉内に１０秒間の滞炉時間で通して軟化焼鈍を行
ない、スキンパスにより平坦化し、シャドウマスク用素
材を製造した。前記軟化焼鈍工程において、前記板材の
最高到達温度は実測できないが、約７００℃と推定され
る。
Ｓｉ、Ｍｎなどの不可避的不純物；０．１重量％以下お
よび残部Ｆｅからなるアンバー合金を溶解し、インゴッ
ト５トンを作製した。つづいて、前記インゴットを１１
５０℃で４時間加熱した後、熱間加工して厚さ４ｍｍの
板材にした。ひきつづき、１１００℃で４時間焼鈍した
後、冷間圧延して厚さ０．７ｍｍの板材を作製した。さ
らに、８００℃で中間焼鈍した後、冷間圧延して厚さ
０．３ｍｍの板材とした。次いで、８５０℃、１分間焼
鈍した後、冷間圧延して厚さ０．２ｍｍの板材とした。
その後、前記板材を再結晶温度以下である８００℃に設
定した炉内に１０秒間の滞炉時間で通して軟化焼鈍を行
ない、スキンパスにより平坦化し、シャドウマスク用素
材を製造した。前記軟化焼鈍工程において、前記板材の
最高到達温度は実測できないが、約７００℃と推定され
る。
【００２６】本実施例１のシャドウマスク用素材の電子
顕微鏡写真を図１に、同素材の光学顕微鏡写真（５００
倍）を図３に示す。図１、図３から本実施例１のシャド
ウマスク用素材は、未再結晶組織で、かつ結晶粒径が１
０μｍ以下の再結晶途上組織を有することが確認され
た。
顕微鏡写真を図１に、同素材の光学顕微鏡写真（５００
倍）を図３に示す。図１、図３から本実施例１のシャド
ウマスク用素材は、未再結晶組織で、かつ結晶粒径が１
０μｍ以下の再結晶途上組織を有することが確認され
た。
【００２７】比較例１ Ｎｉ；３６．２重量％、Ｐ、Ｓｉ、Ｍｎなどの不可避的
不純物；０．１重量％以下および残部Ｆｅからなるアン
バー合金を溶解し、インゴット５トンを作製した。つづ
いて、前記インゴットを１１５０℃で４時間加熱した
後、熱間加工して厚さ４ｍｍの板材にした。ひきつづ
き、１１００℃で４時間焼鈍した後、冷間圧延して厚さ
０．７ｍｍの板材を作製した。さらに、１０００℃で中
間焼鈍した後、冷間圧延して厚さ０．２ｍｍの板材とし
た。次いで、９００℃、１分間焼鈍した後、スキンパス
により平坦化し、シャドウマスク用素材を製造した。
不純物；０．１重量％以下および残部Ｆｅからなるアン
バー合金を溶解し、インゴット５トンを作製した。つづ
いて、前記インゴットを１１５０℃で４時間加熱した
後、熱間加工して厚さ４ｍｍの板材にした。ひきつづ
き、１１００℃で４時間焼鈍した後、冷間圧延して厚さ
０．７ｍｍの板材を作製した。さらに、１０００℃で中
間焼鈍した後、冷間圧延して厚さ０．２ｍｍの板材とし
た。次いで、９００℃、１分間焼鈍した後、スキンパス
により平坦化し、シャドウマスク用素材を製造した。
【００２８】比較例１のシャドウマスク用素材の電子顕
微鏡写真を図２に、同素材の光学顕微鏡写真（５００
倍）を図４に示す。図２、図４から比較例１のシャドウ
マスク用素材は、再結晶途上組織を有することが確認さ
れた。 なお、前記実施例１および比較例１のシャドウ
マスク用素材の製造工程の差を明らかにするために、そ
れら工程を下記表１に示す。
微鏡写真を図２に、同素材の光学顕微鏡写真（５００
倍）を図４に示す。図２、図４から比較例１のシャドウ
マスク用素材は、再結晶途上組織を有することが確認さ
れた。 なお、前記実施例１および比較例１のシャドウ
マスク用素材の製造工程の差を明らかにするために、そ
れら工程を下記表１に示す。
【００２９】
【表１】 実施例２ Ｎｉ；３６．２重量％、Ｂ；０．００５重量％、Ｐ、Ｓ
ｉ、Ｍｎなどの不可避的不純物；０．１重量％以下およ
び残部Ｆｅからなるアンバー合金のインゴットを用いた
以外、実施例１同様な方法によりシャドウマスク用素材
を製造した。
ｉ、Ｍｎなどの不可避的不純物；０．１重量％以下およ
び残部Ｆｅからなるアンバー合金のインゴットを用いた
以外、実施例１同様な方法によりシャドウマスク用素材
を製造した。
【００３０】実施例３ Ｎｉ；３６．２重量％、Ｂ；０．００８重量％、Ｐ、Ｓ
ｉ、Ｍｎなどの不可避的不純物；０．１重量％以下およ
び残部Ｆｅからなるアンバー合金のインゴットを用いた
以外、実施例１同様な方法によりシャドウマスク用素材
を製造した。
ｉ、Ｍｎなどの不可避的不純物；０．１重量％以下およ
び残部Ｆｅからなるアンバー合金のインゴットを用いた
以外、実施例１同様な方法によりシャドウマスク用素材
を製造した。
【００３１】実施例４ Ｎｉ；３３．７重量％、Ｂ；０．００３重量％、Ｃｏ；
１．５重量％、Ｃｒ；１．０重量％、Ｐ、Ｓｉ、Ｍｎな
どの不可避的不純物；０．１重量％以下および残部Ｆｅ
からなるアンバー合金のインゴットを用いた以外、実施
例１同様な方法によりシャドウマスク用素材を製造し
た。
１．５重量％、Ｃｒ；１．０重量％、Ｐ、Ｓｉ、Ｍｎな
どの不可避的不純物；０．１重量％以下および残部Ｆｅ
からなるアンバー合金のインゴットを用いた以外、実施
例１同様な方法によりシャドウマスク用素材を製造し
た。
【００３２】参照例１ Ｎｉ；３６．２重量％、Ｂ；０．０００１重量％未満、
Ｐ、Ｓｉ、Ｍｎなどの不可避的不純物；０．１重量％以
下および残部Ｆｅからなるアンバー合金のインゴットを
用いた以外、実施例１同様な方法によりシャドウマスク
用素材を製造した。
Ｐ、Ｓｉ、Ｍｎなどの不可避的不純物；０．１重量％以
下および残部Ｆｅからなるアンバー合金のインゴットを
用いた以外、実施例１同様な方法によりシャドウマスク
用素材を製造した。
【００３３】参照例２ 実施例２と同様な組成のアンバー合金のインゴットを用
い、低温焼鈍を９００℃、３０秒間行った以外、実施例
１同様な方法によりシャドウマスク用素材を製造した。
い、低温焼鈍を９００℃、３０秒間行った以外、実施例
１同様な方法によりシャドウマスク用素材を製造した。
【００３４】得られた実施例１〜４、参照例１、２およ
び比較例１のシャドウマスク用素材を常法のフォトエッ
チング法により設計孔径１．７×０．７ｍｍの長孔の電
子ビーム通過孔を穿設し、プレス成形し、黒化膜を形成
した。前記電子ビーム通過孔の穿設に際してのエッチン
グ性、プレス性および黒化膜形成後のマスク面のへこ
み、たわみによる不良発生率を調べた。その結果を下記
表２に示す。なお、エッチング性は前記電子ビーム通過
孔の開孔寸法精度が２％以内の場合を優、５％以内の場
合を良として評価した。また、下記表２には、実施例１
〜４、参照例１、２および比較例１のシャドウマスク用
素材の組織を併記した。
び比較例１のシャドウマスク用素材を常法のフォトエッ
チング法により設計孔径１．７×０．７ｍｍの長孔の電
子ビーム通過孔を穿設し、プレス成形し、黒化膜を形成
した。前記電子ビーム通過孔の穿設に際してのエッチン
グ性、プレス性および黒化膜形成後のマスク面のへこ
み、たわみによる不良発生率を調べた。その結果を下記
表２に示す。なお、エッチング性は前記電子ビーム通過
孔の開孔寸法精度が２％以内の場合を優、５％以内の場
合を良として評価した。また、下記表２には、実施例１
〜４、参照例１、２および比較例１のシャドウマスク用
素材の組織を併記した。
【００３５】
【表２】 前記表２から明らかなように、Ｂを所定量（０．０００
１〜０．０１重量％）配合され、未再結晶組織を有する
実施例１〜４のシャドウマスク用素材は、比較例１の同
素材に比べて黒化膜形成後のマスク面のへこみ、たわみ
に起因する不良も少く、かつエッチング性も良好で均一
な電子ビーム通過孔を有するシャドウマスクを製造でき
ることがわかる。これに対し、Ｂが０．００５重量％配
合されたアンバー合金からなるが、その組織が再結晶組
織を有する参照例２のシャドウマスク用素材は、黒化膜
形成後のマスク面のへこみ、たわみに起因する不良が高
いことがわかる。
１〜０．０１重量％）配合され、未再結晶組織を有する
実施例１〜４のシャドウマスク用素材は、比較例１の同
素材に比べて黒化膜形成後のマスク面のへこみ、たわみ
に起因する不良も少く、かつエッチング性も良好で均一
な電子ビーム通過孔を有するシャドウマスクを製造でき
ることがわかる。これに対し、Ｂが０．００５重量％配
合されたアンバー合金からなるが、その組織が再結晶組
織を有する参照例２のシャドウマスク用素材は、黒化膜
形成後のマスク面のへこみ、たわみに起因する不良が高
いことがわかる。
【００３６】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明によれば強度
が高く、黒化膜形成後のへこみおよびたわみに起因する
不良発生を抑制でき、かつエッチング性、黒化性等に優
れたフラットのＣ−ＣＲＴ等のシャドウマスクに好適な
素材を提供できる。
が高く、黒化膜形成後のへこみおよびたわみに起因する
不良発生を抑制でき、かつエッチング性、黒化性等に優
れたフラットのＣ−ＣＲＴ等のシャドウマスクに好適な
素材を提供できる。
【図１】実施例１のシャドウマスク用素材の結晶組織を
示す電子顕微鏡写真。
示す電子顕微鏡写真。
【図２】比較例１のシャドウマスク用素材の結晶組織を
示す電子顕微鏡写真。
示す電子顕微鏡写真。
【図３】実施例１のシャドウマスク用素材の結晶組織を
示す光学顕微鏡写真。
示す光学顕微鏡写真。
【図４】比較例１のシャドウマスク用素材の結晶組織を
示す光学顕微鏡写真。
示す光学顕微鏡写真。
Claims (1)
- 【請求項１】 重量割合でＮｉ３０〜４８％、Ｂ０．０
００１〜０．０１％、不可避的不純物元素および残部Ｆ
ｅからなり、未再結晶組織でかつ結晶粒径が１０μｍ以
下である再結晶途上組織を有することを特徴とするシャ
ドウマスク用素材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5079116A JPH06264190A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | シャドウマスク用素材 |
| KR1019940002636A KR0135060B1 (ko) | 1993-03-12 | 1994-02-08 | 새도우마스크 판소재 및 그를 이용한 새도우마스크 |
| US08/193,867 US5532088A (en) | 1993-03-12 | 1994-02-09 | Shadow mask plate material and shadow mask |
| DE4404269A DE4404269C2 (de) | 1993-03-12 | 1994-02-10 | Schattenmaskenplattenwerkstoff und daraus hergestellte Schattenmaske |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5079116A JPH06264190A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | シャドウマスク用素材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06264190A true JPH06264190A (ja) | 1994-09-20 |
Family
ID=13680951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5079116A Pending JPH06264190A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | シャドウマスク用素材 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5532088A (ja) |
| JP (1) | JPH06264190A (ja) |
| KR (1) | KR0135060B1 (ja) |
| DE (1) | DE4404269C2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US5807435A (en) * | 1997-03-13 | 1998-09-15 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Spray module having shielding means and collecting means |
| JPH10265908A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-10-06 | Nikko Kinzoku Kk | 電子部品用Ｆｅ−Ｎｉ系合金素材 |
| JP3043701B2 (ja) | 1998-02-06 | 2000-05-22 | 大日本印刷株式会社 | カラーブラウン管用の展張型マスクおよびその素材 |
| TW494142B (en) * | 1998-03-20 | 2002-07-11 | Nippon Mining & Amp Metals Co | Fe-Ni alloy for shadow mask |
| TWI225101B (en) * | 1999-03-12 | 2004-12-11 | Toyo Kohan Co Ltd | Material for shadow mask, method for production thereof, shadow mask and image receiving tube |
| JP2001131709A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-15 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | セミテンションマスク用低熱膨張Ｆｅ−Ｎｉ系合金並びにそれを用いたセミテンションマスク及びカラーブラウン管 |
| JP2001152292A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-05 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 磁気特性に優れたセミテンションマスク用Ｆｅ−Ｎｉ系合金並びにそれを用いたセミテンションマスク及びカラーブラウン管 |
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| FR2877678B1 (fr) * | 2004-11-05 | 2006-12-08 | Imphy Alloys Sa | Bande d'alliage fer-nickel pour la fabrication de grilles support de circuits integres |
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| JPS6046510B2 (ja) * | 1983-02-08 | 1985-10-16 | 株式会社東芝 | シヤドウマスクの製造方法 |
| DE3636815A1 (de) * | 1985-11-12 | 1987-05-14 | Nippon Mining Co | Schattenmaske und verfahren zur herstellung von schattenmasken |
| CA1319589C (en) * | 1988-08-19 | 1993-06-29 | Masaomi Tsuda | Method of producing fe-ni series alloys having improved effect for restraining streaks during etching |
| JPH0711033B2 (ja) * | 1988-10-07 | 1995-02-08 | 日本冶金工業株式会社 | エッチング時のスジむら抑制効果に優れるＦｅ−Ｎｉ系合金の製造方法 |
| JP2567159B2 (ja) * | 1991-05-17 | 1996-12-25 | 日本冶金工業株式会社 | 黒化処理性に優れたＦｅ−Ｎｉ系シャドウマスク材 |
| US5308723A (en) * | 1992-01-24 | 1994-05-03 | Nkk Corporation | Thin metallic sheet for shadow mask |
-
1993
- 1993-03-12 JP JP5079116A patent/JPH06264190A/ja active Pending
-
1994
- 1994-02-08 KR KR1019940002636A patent/KR0135060B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-02-09 US US08/193,867 patent/US5532088A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-10 DE DE4404269A patent/DE4404269C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5532088A (en) | 1996-07-02 |
| KR0135060B1 (ko) | 1998-04-20 |
| DE4404269C2 (de) | 1999-07-01 |
| KR940022639A (ko) | 1994-10-21 |
| DE4404269A1 (de) | 1994-09-15 |
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