JPS6046510B2 - シヤドウマスクの製造方法 - Google Patents
シヤドウマスクの製造方法Info
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- JPS6046510B2 JPS6046510B2 JP58019085A JP1908583A JPS6046510B2 JP S6046510 B2 JPS6046510 B2 JP S6046510B2 JP 58019085 A JP58019085 A JP 58019085A JP 1908583 A JP1908583 A JP 1908583A JP S6046510 B2 JPS6046510 B2 JP S6046510B2
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
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- H01J9/142—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of shadow-masks for colour television tubes
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- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/07—Shadow masks
- H01J2229/0727—Aperture plate
- H01J2229/0733—Aperture plate characterised by the material
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- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
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- H01J2229/0777—Coatings
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Heat Treatment Of Sheet Steel (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はカラーテレビ用受像管のシヤドウマスクの製造
方法に関する。
方法に関する。
従来より、カラーテレビ用受像管としてシヤドウマスク
を用いたいわゆるシヤドウマスク管が良く知られている
。
を用いたいわゆるシヤドウマスク管が良く知られている
。
第１図はデルタ型電子銃を用いたシヤドウマスク管の基
本構造を示す斜視図てある。
本構造を示す斜視図てある。
即ち、第１図に示すようにシヤドウマスク管は３本の電
子銃１ａ〜１ｃと三色螢光面２の間に多数の電子ビーム
通過孔３ａ，３ｂ，・・・・を有したシヤドウマスク３
を設けて構成される。
子銃１ａ〜１ｃと三色螢光面２の間に多数の電子ビーム
通過孔３ａ，３ｂ，・・・・を有したシヤドウマスク３
を設けて構成される。
このシヤドウマスク３は、３本の電子銃１ａ〜１ｃから
特定の電子ビーム通過孔、例えば３ｃを狙つて発射され
た電子ビームを整形して三色螢光面２の各色螢光部２ａ
〜２ｃにそれぞれ正確なビームスポットを投影する働き
を有している。尚、上記電子ビーム通過孔３ａ，３ｂ，
・・・は一般に、第２図の拡大断面図に示されるように
、螢光面に対向する面４（以後１マスク面ョと呼ぶ）側
を半円球状にえぐつた形状に加工され、散乱電子の発生
を防止する工夫がなされている。
特定の電子ビーム通過孔、例えば３ｃを狙つて発射され
た電子ビームを整形して三色螢光面２の各色螢光部２ａ
〜２ｃにそれぞれ正確なビームスポットを投影する働き
を有している。尚、上記電子ビーム通過孔３ａ，３ｂ，
・・・は一般に、第２図の拡大断面図に示されるように
、螢光面に対向する面４（以後１マスク面ョと呼ぶ）側
を半円球状にえぐつた形状に加工され、散乱電子の発生
を防止する工夫がなされている。
そして、このシヤドウマスク３における電子ビーム通過
孔３ａ，３ｂ，・・の相対位置、孔径および孔形状の精
度は十分高く設定されている。ちなみに上記電子ビーム
通過孔３ａ，３ｂ・・・・・・の加工精度が低い場合に
は、ドーミング現象と呼ばれ・る色のにじみ、色ムラ等
、画質劣化を生ずる要因となる。一方、近年、テレビ画
面の１きめの細かさョに対する一般的要求が高まり、送
信方式も走査線本数を現方式の約２倍とする高品位テレ
ビ方式と呼ばれるものに移行しつつある。
孔３ａ，３ｂ，・・の相対位置、孔径および孔形状の精
度は十分高く設定されている。ちなみに上記電子ビーム
通過孔３ａ，３ｂ・・・・・・の加工精度が低い場合に
は、ドーミング現象と呼ばれ・る色のにじみ、色ムラ等
、画質劣化を生ずる要因となる。一方、近年、テレビ画
面の１きめの細かさョに対する一般的要求が高まり、送
信方式も走査線本数を現方式の約２倍とする高品位テレ
ビ方式と呼ばれるものに移行しつつある。
そこで、これに対応するべく受像管においても更に性能
を向上し、明析できめの細かい画像を再現し得るものの
開発が強く望まれている。そして、このような要求に伴
い、シヤドウマスクの電子ビーム通過孔を高密度で微細
に形成することが必要となつてきている。しかしながら
、一般にシヤドウマスクの製造に）おいて用いられる従
来のフォトエッチング法では、微細で精度の高い電子ビ
ーム通過孔を形成することが非常に困難であつた。
を向上し、明析できめの細かい画像を再現し得るものの
開発が強く望まれている。そして、このような要求に伴
い、シヤドウマスクの電子ビーム通過孔を高密度で微細
に形成することが必要となつてきている。しかしながら
、一般にシヤドウマスクの製造に）おいて用いられる従
来のフォトエッチング法では、微細で精度の高い電子ビ
ーム通過孔を形成することが非常に困難であつた。
即ち、従来技術を用いて微細で精度の高い電子ビーム通
過孔を形成しようとしても、これによつて得られた電子
ビー・ム通過孔は、例えば第３図ｂに示すようにマスク
面４から見た電子ビーム通過孔３ａ，３ｂ，の孔位置、
形状とも不均一て精度の低いものとなつた。また、この
ような問題とは別に電子ビーム通過１孔の高密度、微細
化を図るにつれ、電子銃から発射された電子ビームがシ
ヤドウマスクに衝突する比率が高まり、シヤドウマスク
の温度上昇に起因したシヤドウマスクの熱膨張によつて
、電子ビーム通過孔と螢光体との相対位置関係か変化し
、この結果ドーミング現象を生じるという問題も新たに
生じた。
過孔を形成しようとしても、これによつて得られた電子
ビー・ム通過孔は、例えば第３図ｂに示すようにマスク
面４から見た電子ビーム通過孔３ａ，３ｂ，の孔位置、
形状とも不均一て精度の低いものとなつた。また、この
ような問題とは別に電子ビーム通過１孔の高密度、微細
化を図るにつれ、電子銃から発射された電子ビームがシ
ヤドウマスクに衝突する比率が高まり、シヤドウマスク
の温度上昇に起因したシヤドウマスクの熱膨張によつて
、電子ビーム通過孔と螢光体との相対位置関係か変化し
、この結果ドーミング現象を生じるという問題も新たに
生じた。
本発明は、かかる問題点に対処すべくなされたものであ
り、その目的とするところは、微細な電子ビーム通過孔
を高精度で且つ高密度に形成することができるシヤドウ
マスクの製造方法を提供することにある。
り、その目的とするところは、微細な電子ビーム通過孔
を高精度で且つ高密度に形成することができるシヤドウ
マスクの製造方法を提供することにある。
本発明は、前述した電子ビーム通過孔の孔形状の不均一
は、従来のシヤドウマスク原板のマスク面における結晶
方向が不揃いであることに起因する事実に着目し、これ
に基づいてなされたものである。
は、従来のシヤドウマスク原板のマスク面における結晶
方向が不揃いであることに起因する事実に着目し、これ
に基づいてなされたものである。
即ち、第３図ａに示す如く、シヤドウマスク原板のマス
ク面４およびこれに対向する面５て結晶粒の方向が不揃
いであると、この原板にエッチングを施した際、エッチ
ングされ易い結晶粒とエッチングされにくい結晶粒との
間でエッチング速度に差が生じる。
ク面４およびこれに対向する面５て結晶粒の方向が不揃
いであると、この原板にエッチングを施した際、エッチ
ングされ易い結晶粒とエッチングされにくい結晶粒との
間でエッチング速度に差が生じる。
この結果エッチング進行方向６が傾く等のバラツキが生
じて同図ｂに示す如く、電子ビーム通過孔３ａ，３ｂ，
・・の孔位置、形状とも不均一なものとなる。本発明者
等は、マスク面に、（１００）結晶面を３５％以上（よ
り好ましくは４０％以上）集合させたシヤドウマスク原
板を用いれば、そのエッチング精度が大きく向上するこ
とを見い出した。
じて同図ｂに示す如く、電子ビーム通過孔３ａ，３ｂ，
・・の孔位置、形状とも不均一なものとなる。本発明者
等は、マスク面に、（１００）結晶面を３５％以上（よ
り好ましくは４０％以上）集合させたシヤドウマスク原
板を用いれば、そのエッチング精度が大きく向上するこ
とを見い出した。
ここで、上記マスク面に（１００）結晶面の集合してい
る度合いとは、次の如く定義される。
る度合いとは、次の如く定義される。
即ち、多結晶の個々の粒のく１００〉方向の、マスク面
に垂直な軸方向への成分を、全ての結晶粒について集計
した割合であり、次の式で表される。ここでＶφは粒の
体積比、φはマスク面に垂直な方向と各結晶粒のく１０
０〉方向とのなす角である。そこで、本発明は、インバ
型合金等の面心立方格子構造又は体心立方格子構造の合
金からなるシヤドウマスク材を冷間にて強加工圧延して
圧延面に（１１０）結晶面を集合させたのち、この強加
工圧延されたシヤドウマスク材を前記合金の再結晶温度
以上で熱処理し、圧延面に（１００）結晶面を集合させ
てシヤドウマスク原板を得、このシヤドウマスク原板の
上記（１００）結晶面をエッチングして上記シヤドウマ
スク原板に電子ビーム通過孔を形成するようにしたこと
を特徴としている。
に垂直な軸方向への成分を、全ての結晶粒について集計
した割合であり、次の式で表される。ここでＶφは粒の
体積比、φはマスク面に垂直な方向と各結晶粒のく１０
０〉方向とのなす角である。そこで、本発明は、インバ
型合金等の面心立方格子構造又は体心立方格子構造の合
金からなるシヤドウマスク材を冷間にて強加工圧延して
圧延面に（１１０）結晶面を集合させたのち、この強加
工圧延されたシヤドウマスク材を前記合金の再結晶温度
以上で熱処理し、圧延面に（１００）結晶面を集合させ
てシヤドウマスク原板を得、このシヤドウマスク原板の
上記（１００）結晶面をエッチングして上記シヤドウマ
スク原板に電子ビーム通過孔を形成するようにしたこと
を特徴としている。
また、本発明は強加工圧延したのちシヤドウマスク材を
前記合金の再結晶温度以上て熱処理して圧延面に（１０
０）結晶面を集合させたシヤドウマスク材を、更に必要
に応じて結晶面が回転しない範囲てある圧延率２５％以
下の条件て冷間圧延して板厚の精度を高めたシヤドウマ
スク原板を得、このシヤドウマスク原板をエッチング加
工するようにしたものである。〔発明の効果〕 かくして本発明によれば、圧延面に（１００）結晶面を
集合させたシヤドウマスク原板を得、上記（１００）結
晶面をエッチングして電子ビーム通過孔を形成するので
エッチング速度に差が生じることはなく、微細な電子ビ
ーム通過孔を高精度で且つ高密度に形成することが可能
となる。
前記合金の再結晶温度以上て熱処理して圧延面に（１０
０）結晶面を集合させたシヤドウマスク材を、更に必要
に応じて結晶面が回転しない範囲てある圧延率２５％以
下の条件て冷間圧延して板厚の精度を高めたシヤドウマ
スク原板を得、このシヤドウマスク原板をエッチング加
工するようにしたものである。〔発明の効果〕 かくして本発明によれば、圧延面に（１００）結晶面を
集合させたシヤドウマスク原板を得、上記（１００）結
晶面をエッチングして電子ビーム通過孔を形成するので
エッチング速度に差が生じることはなく、微細な電子ビ
ーム通過孔を高精度で且つ高密度に形成することが可能
となる。
このため、きめの細かい画面の得られるシヤドウマスク
管のシヤドウマスクが製造でＳる。加えて、この発明に
よれば、（１００）結晶面を集合させるのに先立ち、冷
間強加工圧延工程を施すのて、所望の肉厚のシヤドウマ
スク原板を極めて短時間に得ることができるという効果
も奏する。 またシヤドウマスク材として熱膨張係数が
非常に少ないインバ型合金等の面心立方格子構造ないし
体心立方格子構造の合金を用いるのでシヤドウマスクの
温度上昇による熱膨張に起因したドーミング現象の発生
も防止てきる。
管のシヤドウマスクが製造でＳる。加えて、この発明に
よれば、（１００）結晶面を集合させるのに先立ち、冷
間強加工圧延工程を施すのて、所望の肉厚のシヤドウマ
スク原板を極めて短時間に得ることができるという効果
も奏する。 またシヤドウマスク材として熱膨張係数が
非常に少ないインバ型合金等の面心立方格子構造ないし
体心立方格子構造の合金を用いるのでシヤドウマスクの
温度上昇による熱膨張に起因したドーミング現象の発生
も防止てきる。
従つて、本発明にノ より製造されたシヤドウマスク
を用いることにより高品位テレビ方式に対する要求を満
たしたシヤドウマスク管を得ることが可能となる。しか
も本発明方法を実施することは容易であり、その実用的
利点が絶大てある等の効果が奏せられる。〔発明の実施
例〕 以下に本発明の一実施例について説明を行う。
を用いることにより高品位テレビ方式に対する要求を満
たしたシヤドウマスク管を得ることが可能となる。しか
も本発明方法を実施することは容易であり、その実用的
利点が絶大てある等の効果が奏せられる。〔発明の実施
例〕 以下に本発明の一実施例について説明を行う。
本発明で用いるシヤドウマスク材としては、前述の通
り結晶面を揃える必要から面心立方格子構造または体心
立方格子構造の合金であることが好ましい。しかも熱膨
張係数が殆んど零に近いものであれば熱的問題を解決で
きることから、インバ合金（３６Ｎｉ−Ｆｅ）、超不変
鋼（３２Ｎ１−５Ｃ０−６３Ｆｅ）、ステンレス不変鋼
（５４Ｃ０−９．３Ｃｒ−３６．５Ｆ′ｅ）、４３Ｐｄ
−５７Ｆｅ合金等のインバ型合金を用いるのが良い。
本実施例では３６Ｎｉ−Ｆｅなる成分のインバ合金を溶
解し、その鋳塊を連続熱間製線工程により、直径６朗の
線材とし、この線材を長手方向に直角に鍛造し、厚さ２
７７０７！、巾５０Ｔｍｍの断面を有する板を）シヤド
ウマスク材として使用する。
り結晶面を揃える必要から面心立方格子構造または体心
立方格子構造の合金であることが好ましい。しかも熱膨
張係数が殆んど零に近いものであれば熱的問題を解決で
きることから、インバ合金（３６Ｎｉ−Ｆｅ）、超不変
鋼（３２Ｎ１−５Ｃ０−６３Ｆｅ）、ステンレス不変鋼
（５４Ｃ０−９．３Ｃｒ−３６．５Ｆ′ｅ）、４３Ｐｄ
−５７Ｆｅ合金等のインバ型合金を用いるのが良い。
本実施例では３６Ｎｉ−Ｆｅなる成分のインバ合金を溶
解し、その鋳塊を連続熱間製線工程により、直径６朗の
線材とし、この線材を長手方向に直角に鍛造し、厚さ２
７７０７！、巾５０Ｔｍｍの断面を有する板を）シヤド
ウマスク材として使用する。
このシヤドウマスク材を９００゜Ｃの主なる肉厚減少
工程である熱間圧延により、大まかな圧延を施こし、厚
さ１顛、巾１０ｈの断面を有する板を得る。
工程である熱間圧延により、大まかな圧延を施こし、厚
さ１顛、巾１０ｈの断面を有する板を得る。
尚、上記９００゜Ｃは上記インバ合金の再結晶温５度以
上の温度であるため、これによつてその圧延面に（１０
０）結晶面を集合させることがてきるが、これは本発明
において特に大きな意味を持つものではない。 次にこ
の熱間圧延によつて得た板を、圧延率８０θ％以上、例
えば９０％の強加工によつて、厚さ０．１朗、巾１００
ｈの板となるべく１回乃至複数回冷間圧延を行う。
上の温度であるため、これによつてその圧延面に（１０
０）結晶面を集合させることがてきるが、これは本発明
において特に大きな意味を持つものではない。 次にこ
の熱間圧延によつて得た板を、圧延率８０θ％以上、例
えば９０％の強加工によつて、厚さ０．１朗、巾１００
ｈの板となるべく１回乃至複数回冷間圧延を行う。
この強加工によつて結晶面は回転し、圧延面には（１１
０）結晶面が集合する。 しかるのち、この板に唯一回
、再結晶温度を超える９２０℃の熱処理を１時間施こす
ことにより、結晶軸は回転し、圧延面には再び（１００
）面が集合する。この集合する度合いは、前述の如く３
５％以上、より好ましくは４０％以上であることが望ま
しい。ちなみに、本発明者等の実験により、上記各工程
終了後の圧延面の表面状態をＸ線回析にて調べたところ
、主なる肉厚減少工程である熱間圧延により（１００）
結晶面が４０％、その後の冷間による強加工圧延で（１
１０）結晶面が３８％、更に再結晶温度を超える９２０
゜Ｃの熱処理て安定した（１００）結晶面が４２％集合
していた。
０）結晶面が集合する。 しかるのち、この板に唯一回
、再結晶温度を超える９２０℃の熱処理を１時間施こす
ことにより、結晶軸は回転し、圧延面には再び（１００
）面が集合する。この集合する度合いは、前述の如く３
５％以上、より好ましくは４０％以上であることが望ま
しい。ちなみに、本発明者等の実験により、上記各工程
終了後の圧延面の表面状態をＸ線回析にて調べたところ
、主なる肉厚減少工程である熱間圧延により（１００）
結晶面が４０％、その後の冷間による強加工圧延で（１
１０）結晶面が３８％、更に再結晶温度を超える９２０
゜Ｃの熱処理て安定した（１００）結晶面が４２％集合
していた。
このようにして得たシヤドウマスク原板を、例えは塩化
第２鉄４３％、塩化第１鉄６％、塩酸０．１％の水溶液
からなるエッチング液を用い、６５゜Ｃの温度て第４図
ａに示すマスク面４およびそれに対向する面５に順次フ
ォトエッチングを施し、電子ビーム通過孔を形成する。
第２鉄４３％、塩化第１鉄６％、塩酸０．１％の水溶液
からなるエッチング液を用い、６５゜Ｃの温度て第４図
ａに示すマスク面４およびそれに対向する面５に順次フ
ォトエッチングを施し、電子ビーム通過孔を形成する。
この時、電子ビーム通過孔のピッチを約０．３順とし、
Ｈ型テレビ用シヤドウマスクとして約５訪個の電子ビー
ム通過孔を形成し、これをマスク面４方向から見た図を
第４図ｂに示す。一方、比較対照を行うため、前記、強
加工による冷間圧延を行つた後、再結晶温度以下である
５００゜Ｃの歪取り熱処理を行い、マスク面に殆んど，
（１００）面の集合していないシヤドウマスク材を用い
てフォトエッチングを施した場合の電子ビーム通過孔の
形状は第３図ｂと同様のものとなつた。
Ｈ型テレビ用シヤドウマスクとして約５訪個の電子ビー
ム通過孔を形成し、これをマスク面４方向から見た図を
第４図ｂに示す。一方、比較対照を行うため、前記、強
加工による冷間圧延を行つた後、再結晶温度以下である
５００゜Ｃの歪取り熱処理を行い、マスク面に殆んど，
（１００）面の集合していないシヤドウマスク材を用い
てフォトエッチングを施した場合の電子ビーム通過孔の
形状は第３図ｂと同様のものとなつた。
以上の結果から明らかなように、本実施例によれば、よ
り微細は電子ビーム通過孔が高精度で且ｊつ高密度に形
成できるが、これは第４図ａに示す如く、エッチング進
行方向がマスク面４に対して、ほぼ垂直方向となつてい
ることによる。このように、マスク面において（１００
）結晶面を集合させることによつて、高密度かつ微細な
電：子ビーム通過孔を有するシヤドウマスクを得ること
ができるが、さらにシヤドウマスクの厚さ方向の精度を
高める必要がある場合には、強加工による冷間圧延を行
なつた後、再結晶温度以上て熱処理を施し、さらに圧延
率２５％を超えない冷間圧延を必要な回数だけ行なつた
シヤドウマスク原板を用いれば良い。即ち、圧延率２５
％以下てあれば圧延面における（１００）結晶面の回転
を抑えることが可能であるからである。以上の方法によ
れば、従来のシヤドウマスクに比ベピツチ巾を約１１３
．電子ビーム通過孔の数を５倍程度まで増加させる事が
可能であるとともに、シヤドウマスク材に熱膨張率の非
常に小さい）インバ合金を使用するので、シヤドウマス
クの熱膨張によるドーミング現象も防止でき、高品位テ
レビの目的に合致したシヤドウマスクが得られる。
り微細は電子ビーム通過孔が高精度で且ｊつ高密度に形
成できるが、これは第４図ａに示す如く、エッチング進
行方向がマスク面４に対して、ほぼ垂直方向となつてい
ることによる。このように、マスク面において（１００
）結晶面を集合させることによつて、高密度かつ微細な
電：子ビーム通過孔を有するシヤドウマスクを得ること
ができるが、さらにシヤドウマスクの厚さ方向の精度を
高める必要がある場合には、強加工による冷間圧延を行
なつた後、再結晶温度以上て熱処理を施し、さらに圧延
率２５％を超えない冷間圧延を必要な回数だけ行なつた
シヤドウマスク原板を用いれば良い。即ち、圧延率２５
％以下てあれば圧延面における（１００）結晶面の回転
を抑えることが可能であるからである。以上の方法によ
れば、従来のシヤドウマスクに比ベピツチ巾を約１１３
．電子ビーム通過孔の数を５倍程度まで増加させる事が
可能であるとともに、シヤドウマスク材に熱膨張率の非
常に小さい）インバ合金を使用するので、シヤドウマス
クの熱膨張によるドーミング現象も防止でき、高品位テ
レビの目的に合致したシヤドウマスクが得られる。
しかも、上記方法によれば、冷間強加工圧延工程を介在
させているので、製造工程の簡略化および時間短縮を図
ることができる。なお、本実施例では特に丸形電子ビー
ム通過孔を有するシヤドウマスクの製造方法について説
明を行なつたが、特にこれに限定されるものではなく、
例えばスリット型又はストライプ型のシヤドウマスクの
製造方法にも適用可能てある。
させているので、製造工程の簡略化および時間短縮を図
ることができる。なお、本実施例では特に丸形電子ビー
ム通過孔を有するシヤドウマスクの製造方法について説
明を行なつたが、特にこれに限定されるものではなく、
例えばスリット型又はストライプ型のシヤドウマスクの
製造方法にも適用可能てある。
第１図はデルタ型電子銃を用いたシヤドウマスク管の概
略構成を示す斜視図、第２図は第１図のシヤドウマスク
の電子ビーム通過孔の断面図、第３図Ａ，ｂは従来のシ
ヤドウマスク原板製造方法により形成されたシヤドウマ
スクを説明するための図で、同図ａは同シヤドウマスク
断面におけるエッチング状況を示す断面図、同図ｂは同
シヤドウマスク表面をマスク面から見た正面図、第４図
は本発明の一実施例による製造方法にて形成されたシヤ
ドウマスクを説明するための図であり、同図ａは同シヤ
ドウマスクの断面におけるエッチング状況を示す断面図
、同図ｂは同シヤドウマスク表面をマスク面から見た正
面図である。 １ａ〜１ｃ・・・・・・電子銃、３・・・・・・シヤド
ウマスク、３ａ，３ｂ，３ｃ・・・・・・電子ビーム通
過孔、２・・・三色螢光面、４・・・・・・マスク面、
Ｃ，Ｃ″・・・電子ビーム。
略構成を示す斜視図、第２図は第１図のシヤドウマスク
の電子ビーム通過孔の断面図、第３図Ａ，ｂは従来のシ
ヤドウマスク原板製造方法により形成されたシヤドウマ
スクを説明するための図で、同図ａは同シヤドウマスク
断面におけるエッチング状況を示す断面図、同図ｂは同
シヤドウマスク表面をマスク面から見た正面図、第４図
は本発明の一実施例による製造方法にて形成されたシヤ
ドウマスクを説明するための図であり、同図ａは同シヤ
ドウマスクの断面におけるエッチング状況を示す断面図
、同図ｂは同シヤドウマスク表面をマスク面から見た正
面図である。 １ａ〜１ｃ・・・・・・電子銃、３・・・・・・シヤド
ウマスク、３ａ，３ｂ，３ｃ・・・・・・電子ビーム通
過孔、２・・・三色螢光面、４・・・・・・マスク面、
Ｃ，Ｃ″・・・電子ビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 面心立方格子構造または体心立方格子構造の合金か
らなるシヤドウマスク材を冷間にて強加工圧延する工程
と、この強加工圧延されたシヤドウマスク材を前記合金
の再結晶温度以上の温度で熱処理を施こし圧延面に｛１
００｝結晶面を集合させたシヤドウマスク原板を得る工
程と、このシヤドウマスク原材の上記｛１００｝結晶面
をエッチングして上記シヤドウマスク原板に電子ビーム
通過孔を形成する工程とを具備したことを特徴とするシ
ヤドウマスクの製造方法。 ２ シヤドウマスク材はインバ型合金であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のシヤドウマスクの製
造方法。 ３ 冷間による強加工圧延は８０％以上の圧延率で行わ
れて、その圧延面に｛１００｝結晶面を集合させるもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のシ
ヤドウマスクの製造方法。 ４ シヤドウマスク材はシヤドウマスク素材を鍛造した
のち熱間圧延して得られた板体からなるものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のシヤドウマス
クの製造方法。 ５ 面心立方格子構造または体心立方格子構造の合金か
らなるシヤドウマスク材を冷間にて強加工圧延する工程
と、この強加工圧延されたシヤドウマスク材を前記合金
の再結晶温度以上の温度で熱処理を施こし圧延面に｛１
００｝結晶面を集合させたシヤドウマスク材を得る工程
と、この｛１００｝結晶面を集合させたシヤドウマスク
材を圧延率２５％以下で冷間圧延しシヤドウマスク原材
を得る工程と、このシヤドウマスク原材の上記｛１００
｝結晶面をエッチングして上記シヤドウマスク原板に電
子ビーム通過孔を形成する工程とを具備したことを特徴
とするシヤドウマスクの製造方法。 ６ シヤドウマスク材はインバ型合金であることを特徴
とする特許請求の範囲第５項記載のシヤドウマスクの製
造方法。 ７ 冷間による強加工圧延は８０％以上の圧延率で行わ
れて、その圧延面に｛１００｝結晶面を集合させるもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載のシ
ヤドウマスクの製造方法。 ８ シヤドウマスク材はシヤドウマスク素材を鍛造した
のち熱間圧延して得られた板体からなるものであること
を特徴とする特許請求の範囲第５項記載のシヤドウマス
クの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019085A JPS6046510B2 (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | シヤドウマスクの製造方法 |
| CA000435352A CA1204143A (en) | 1982-08-27 | 1983-08-25 | Textured shadow mask |
| EP83108417A EP0104453B1 (en) | 1982-08-27 | 1983-08-26 | Shadow mask, color picture tube and color television |
| US06/526,824 US4528246A (en) | 1982-08-27 | 1983-08-26 | Shadow mask |
| DE8383108417T DE3378442D1 (en) | 1982-08-27 | 1983-08-26 | Shadow mask, color picture tube and color television |
| KR1019830005091A KR880000102B1 (ko) | 1983-02-08 | 1983-10-27 | 새도우 마스크의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019085A JPS6046510B2 (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | シヤドウマスクの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7384785A Division JPS60234921A (ja) | 1985-04-08 | 1985-04-08 | エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59149638A JPS59149638A (ja) | 1984-08-27 |
| JPS6046510B2 true JPS6046510B2 (ja) | 1985-10-16 |
Family
ID=11989608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58019085A Expired JPS6046510B2 (ja) | 1982-08-27 | 1983-02-08 | シヤドウマスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046510B2 (ja) |
| KR (1) | KR880000102B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173356A (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-15 | Hitachi Metals Ltd | リ−ドフレ−ム部材 |
| JPS60234921A (ja) * | 1985-04-08 | 1985-11-21 | Toshiba Corp | エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板の製造方法 |
| JPS62284046A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-09 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | Ｆｅ−Ｎｉ合金薄板の製造方法 |
| JPH06264190A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-20 | Toshiba Corp | シャドウマスク用素材 |
-
1983
- 1983-02-08 JP JP58019085A patent/JPS6046510B2/ja not_active Expired
- 1983-10-27 KR KR1019830005091A patent/KR880000102B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59149638A (ja) | 1984-08-27 |
| KR850003470A (ko) | 1985-06-17 |
| KR880000102B1 (ko) | 1988-02-23 |
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