JPS5932859A - イオン選択性電極装置 - Google Patents
イオン選択性電極装置Info
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- JPS5932859A JPS5932859A JP57143621A JP14362182A JPS5932859A JP S5932859 A JPS5932859 A JP S5932859A JP 57143621 A JP57143621 A JP 57143621A JP 14362182 A JP14362182 A JP 14362182A JP S5932859 A JPS5932859 A JP S5932859A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、イオン濃度の検出可能なイオン選択性電極
装置に関する。
装置に関する。
従来、複合型電極として、ｐＨ電極がある。ｐＨ電極は
、水素イオン選択性のガラス電極と、比較電極と、温度
補償電極と全組み合わせでなる。
、水素イオン選択性のガラス電極と、比較電極と、温度
補償電極と全組み合わせでなる。
し７かしながら、ｐＨ電極では、水素イオン濃度全測定
することし１、できるが、他種イオンたとえばＮｏ十、
、Ｋ” 、 ＣＬ−等を同時に測定すること口、でき
ない。
することし１、できるが、他種イオンたとえばＮｏ十、
、Ｋ” 、 ＣＬ−等を同時に測定すること口、でき
ない。
他種イオンの濃度の測定可能な従来のイオン選択性電極
ａへ内（へ、ｌ、−よび内液を必要とするので小型化を
図るのに制限がある。したがって、複数種のイオンの濃
度’？ ｌ１ｉ１１定することができるようにイオン選
択性１（眠に構成すると、電極装置自体の大型化で余儀
なくされるばかりか、製造技術上の田２′雉件が新たに
生ずる。
ａへ内（へ、ｌ、−よび内液を必要とするので小型化を
図るのに制限がある。したがって、複数種のイオンの濃
度’？ ｌ１ｉ１１定することができるようにイオン選
択性１（眠に構成すると、電極装置自体の大型化で余儀
なくされるばかりか、製造技術上の田２′雉件が新たに
生ずる。
一方、近年、導ル体表面に、イオン感応物質を含む層を
形成し７てなるものが、イオン’ｉｌ？、 ４？とじて
作用することが判明した結果、たとえば、円筒状の導電
体の内周壁に・イオン感応層を形成し、その円筒内に試
料を流通させることによシ、試料中のイー：ｔ）’′）
濃度を検出するイ４′選択性電シを轡Ｆされている（特
開昭５５−１５４４５４号公報参照）。
形成し７てなるものが、イオン’ｉｌ？、 ４？とじて
作用することが判明した結果、たとえば、円筒状の導電
体の内周壁に・イオン感応層を形成し、その円筒内に試
料を流通させることによシ、試料中のイー：ｔ）’′）
濃度を検出するイ４′選択性電シを轡Ｆされている（特
開昭５５−１５４４５４号公報参照）。
しかしながらご前記ゑ報妬記載された１イオン選 □択
性電極は、所謂ファーシステムによる連続測定に適しで
いるが、システム全体としてみると、輸液装置、切換バ
ルブ等の付量装置全必要とする。
性電極は、所謂ファーシステムによる連続測定に適しで
いるが、システム全体としてみると、輸液装置、切換バ
ルブ等の付量装置全必要とする。
したがって、前記イオン選択性電極を使用するフ「ツー
システムは、システム自体が複雑化するのみならず、フ
ローパイプ内での気泡の発生、試薬や試料の汚染等の問
題もあ名。
システムは、システム自体が複雑化するのみならず、フ
ローパイプ内での気泡の発生、試薬や試料の汚染等の問
題もあ名。
この発明は前記事情に鑑みてなされ是ものであり、複数
種のイオニ／の濃度１．商時に、７．度良く、かつ、−
〒い応答速度で測定可能な、小型の液浸型のイオン選択
性？を極装置金提供することを目的とするものである。
種のイオニ／の濃度１．商時に、７．度良く、かつ、−
〒い応答速度で測定可能な、小型の液浸型のイオン選択
性？を極装置金提供することを目的とするものである。
前記目的全達成するためのこの発明の概要は、試料液と
接触するイオン感応層を有する・イオン選択性電極装置
において、絶縁性基体に複数のイオン電極と比較電極と
温度補償電極とを具備することを特徴とするものである
。
接触するイオン感応層を有する・イオン選択性電極装置
において、絶縁性基体に複数のイオン電極と比較電極と
温度補償電極とを具備することを特徴とするものである
。
１発病の実施例〕
この発明の一実施例について図面を参照しながら説明す
る。
る。
第１図はこの発明の一実施例１示す断面図であるＯ
第１図に示すように、イオン選択性電極装置は、円筒形
状の絶縁性基体１の一端開口部に温度補償、＃、、つ４
□＊−ｉ、ｂ□よ７、や。１１１よ、に比較電極７とイ
オン電極８ 、９．７１０とを有し、また、絶縁性芙体
１の他端−口部には５本のビン６Ａを有するコネクタ６
ｆｆｉＧけられ、前記ビン６Ａの端部と前記温度補償電
極４訃よびイオン電極８． ：９．１０と全絶縁性
基体１０円筒内でリード線５で結合されてなる。なお、
比較電極７および６基のイオン電極８，９．１０１１．
、それぞれ帯状の絶縁体ろで電気的に分断されておシ、
また、温度補償電極４．比較電極７．および６基のイオ
ン電極８．９．１０より出力される電気信号は、リード
線５．コネクタ６′？介して、図示しないプリアンプお
よびアンプに導びかれるようになっている。
状の絶縁性基体１の一端開口部に温度補償、＃、、つ４
□＊−ｉ、ｂ□よ７、や。１１１よ、に比較電極７とイ
オン電極８ 、９．７１０とを有し、また、絶縁性芙体
１の他端−口部には５本のビン６Ａを有するコネクタ６
ｆｆｉＧけられ、前記ビン６Ａの端部と前記温度補償電
極４訃よびイオン電極８． ：９．１０と全絶縁性
基体１０円筒内でリード線５で結合されてなる。なお、
比較電極７および６基のイオン電極８，９．１０１１．
、それぞれ帯状の絶縁体ろで電気的に分断されておシ、
また、温度補償電極４．比較電極７．および６基のイオ
ン電極８．９．１０より出力される電気信号は、リード
線５．コネクタ６′？介して、図示しないプリアンプお
よびアンプに導びかれるようになっている。
絶縁性基体１は、適度□の強度を有する不良導体の材料
であれば適宜にそれ全使用して構成することができる。
であれば適宜にそれ全使用して構成することができる。
成型加工の容易性を考慮すると、絶縁性□基体１の材料
として、絶縁性の大きい合成樹脂が好ましい。
として、絶縁性の大きい合成樹脂が好ましい。
比較電極７および３基のイオン電極８，９．１０それぞ
れはＪ絶縁性基体１の周側面に形成された導電物質層７
Ａ、８Ａ、９Ａ、１０Ａと、この導電物質層７Ａ、８Ａ
、９Ａ、 １０，４上に形成されたイオン感応物質層７
１３’、 ８Ｂ、 ９刀、’ｉｏＢとを有して、構成さ
れている。
れはＪ絶縁性基体１の周側面に形成された導電物質層７
Ａ、８Ａ、９Ａ、１０Ａと、この導電物質層７Ａ、８Ａ
、９Ａ、 １０，４上に形成されたイオン感応物質層７
１３’、 ８Ｂ、 ９刀、’ｉｏＢとを有して、構成さ
れている。
導電物質層７．（、８，（、９Ａ、１ｏＡは、たとえに
金属′またはその酸化物で形成することができる。たと
えば、６基のイオン電極８，９，１０につき、導′電物
質層ＢＡ、９Ａ、１０Ａ・を銅、鍋、白金、金等で形成
することができる。また、比較電極７については、導屯
物質Ｍ８Ａめ少なくともその表面が、塩化鋼で被覆され
ていることが好ましい。したがって、導電物質層８Ａ′
ｆ：＃で形成した場合には、その表 １・四 面塗電解等によシ形成した塩化銀で被覆し、また、
じ導電物質層８７金銀以外の金属たとえば銅、白金、
：金等で先ず形成した場合には、それらの金属表面全メ
ッキ、イオンブレーティング、真空蒸着等に ：１
．ｌ’１より銀で被覆し、次いで電解等によシ前記銀表
面 −：□ｔ ＊（ｆ； 、−ｒ：、、＊Ｔｌｉい
お。、ヵ、、あい。 １；１゜１１： ′□： 比較電極７におけるイオン感応物質層７．、Ｂ ｋｌｌ
、たとえば、次のようにして形成することが、できる。
金属′またはその酸化物で形成することができる。たと
えば、６基のイオン電極８，９，１０につき、導′電物
質層ＢＡ、９Ａ、１０Ａ・を銅、鍋、白金、金等で形成
することができる。また、比較電極７については、導屯
物質Ｍ８Ａめ少なくともその表面が、塩化鋼で被覆され
ていることが好ましい。したがって、導電物質層８Ａ′
ｆ：＃で形成した場合には、その表 １・四 面塗電解等によシ形成した塩化銀で被覆し、また、
じ導電物質層８７金銀以外の金属たとえば銅、白金、
：金等で先ず形成した場合には、それらの金属表面全メ
ッキ、イオンブレーティング、真空蒸着等に ：１
．ｌ’１より銀で被覆し、次いで電解等によシ前記銀表
面 −：□ｔ ＊（ｆ； 、−ｒ：、、＊Ｔｌｉい
お。、ヵ、、あい。 １；１゜１１： ′□： 比較電極７におけるイオン感応物質層７．、Ｂ ｋｌｌ
、たとえば、次のようにして形成することが、できる。
すなわち、結晶を磨砕して微粉法とし定塩化カリ２４゜
、９８゜、ｄ？’）Ｂ４１＝？＝２ｖ７ＷＩｒ＞ＬＵｆ
）’１ｚ−１１．，１イド・７２〜６４部を混合してな
る懸濁液金銀お ：：よび塩化銀を有する導電物質
層乙Ａの表面に塗布 ：′した後、テトラハイド
ロフラン全蒸発、除去する □こと釦より、塩化
カリウム含有被膜全形成し、次 １：いＴ （！
？ Ｈｌｊ、よい、□、ヤ１イ、ヵ、つ４３工）Ｉａゆ
“表面にポリ塩化ビニルのテトラハイドロフラン溶
液の塗布およびテトラハイドロフランの蒸発除去により
・１す塩化ｅ ＝ ／Ｌ／膜を形成する・
：、ニドイオン電極８ 、、 Ｓ’、、 １１：］
におけるイオン感応物質層８Ｂ、９Ｂ、ＩＯＥけ、たと
えば次のようＫして形成することができる。
、９８゜、ｄ？’）Ｂ４１＝？＝２ｖ７ＷＩｒ＞ＬＵｆ
）’１ｚ−１１．，１イド・７２〜６４部を混合してな
る懸濁液金銀お ：：よび塩化銀を有する導電物質
層乙Ａの表面に塗布 ：′した後、テトラハイド
ロフラン全蒸発、除去する □こと釦より、塩化
カリウム含有被膜全形成し、次 １：いＴ （！
？ Ｈｌｊ、よい、□、ヤ１イ、ヵ、つ４３工）Ｉａゆ
“表面にポリ塩化ビニルのテトラハイドロフラン溶
液の塗布およびテトラハイドロフランの蒸発除去により
・１す塩化ｅ ＝ ／Ｌ／膜を形成する・
：、ニドイオン電極８ 、、 Ｓ’、、 １１：］
におけるイオン感応物質層８Ｂ、９Ｂ、ＩＯＥけ、たと
えば次のようＫして形成することができる。
イオン電極８が塩素イオン電極である場合、導電物質層
８Ａの表面（・（＝、メチルｔ、 ＩＪドデシ）Ｌ−ア
ンモニラムク「１ライド１．８〜：）、 ３ ｉＨ（、
ポリ塩化ビニル６．７〜Ｚ２部ふ・よびテトラハイドロ
フラン９１部よりなる溶液全塗布シフ、次いでテトラハ
イド「Ｔフランを蒸発、除去することにより、一定のＪ
ワみ孕イ１する塩素イオン感応物質層Ｂｎケ形成するこ
とができる。
８Ａの表面（・（＝、メチルｔ、 ＩＪドデシ）Ｌ−ア
ンモニラムク「１ライド１．８〜：）、 ３ ｉＨ（、
ポリ塩化ビニル６．７〜Ｚ２部ふ・よびテトラハイドロ
フラン９１部よりなる溶液全塗布シフ、次いでテトラハ
イド「Ｔフランを蒸発、除去することにより、一定のＪ
ワみ孕イ１する塩素イオン感応物質層Ｂｎケ形成するこ
とができる。
イオン電１］メ９がカリウムイオン電極である場合、導
電物質層９，４の表面に、パリノマイシン０２〜０．５
部、可塑剤たとえばジオクグールアジベート４５〜５．
４部、ポリ塩化ビニル６．７〜４．５部およびテトラハ
イドロフラン８９．７〜９１，７部よりなる溶液−５，
ｆ・ｈ布シ２、次いでデトラハイドロフラン？除去する
ことにより、一定の厚み金有するカリタス・イオン感応
層９Ｂｆ形成′することができる。
電物質層９，４の表面に、パリノマイシン０２〜０．５
部、可塑剤たとえばジオクグールアジベート４５〜５．
４部、ポリ塩化ビニル６．７〜４．５部およびテトラハ
イドロフラン８９．７〜９１，７部よりなる溶液−５，
ｆ・ｈ布シ２、次いでデトラハイドロフラン？除去する
ことにより、一定の厚み金有するカリタス・イオン感応
層９Ｂｆ形成′することができる。
イオン電極１０がナトリウムイオン′電極でちるす）合
、導？Ｑ：物質層１（１／ｆの表面に、モネンシン０．
２〜０５部、可塑剤たとえばジオクチルｆジベー ト４
．５〜５，４部、ポリ塩化ビニル６．７〜４．５部およ
びテトラハ・イドロフラン８９７〜９１゜７部、しりな
る溶液全塗布し７、次いでデトラハイド「Ｔフランケ除
去することにより、一定の厚みケ有するナトリウムイオ
ン感応層１ｏＢｖ形成することができる。
、導？Ｑ：物質層１（１／ｆの表面に、モネンシン０．
２〜０５部、可塑剤たとえばジオクチルｆジベー ト４
．５〜５，４部、ポリ塩化ビニル６．７〜４．５部およ
びテトラハ・イドロフラン８９７〜９１゜７部、しりな
る溶液全塗布し７、次いでデトラハイド「Ｔフランケ除
去することにより、一定の厚みケ有するナトリウムイオ
ン感応層１ｏＢｖ形成することができる。
温度補償電（ｉ ４ ）Ｊ４、イオン’ｒｈ ｌｆｊ
７ ＊ε３，９．１０によりイメン濃度′ｌｆ：叫定す
る試料の測定時の温度を検出し２、たとえば（（出した
温度、を：基に、１叩１化学分析装置内の恒温槽の温度
調節ｔ＋、、、あるいは、測定したイオンテ′９４度ケ
基準温度での１オン濃度に換算するために１１Ａ用され
るものであって、〕ことえＨ−！７−ミスタ、ト１金４
バ１抗体、熱伝対、生導体温度センザ笠’ｃ ３ＫＢ宜
にｆｊｉＥ用することができる。
７ ＊ε３，９．１０によりイメン濃度′ｌｆ：叫定す
る試料の測定時の温度を検出し２、たとえば（（出した
温度、を：基に、１叩１化学分析装置内の恒温槽の温度
調節ｔ＋、、、あるいは、測定したイオンテ′９４度ケ
基準温度での１オン濃度に換算するために１１Ａ用され
るものであって、〕ことえＨ−！７−ミスタ、ト１金４
バ１抗体、熱伝対、生導体温度センザ笠’ｃ ３ＫＢ宜
にｆｊｉＥ用することができる。
以−ヒのように１比較電極７および６種のイオンの濃度
全検出する３基のイ刊ン電極８，９，１０ケー・体化し
てイメン選択性電極装ｆＦｊ孕構成テると、試料液中に
イオン選択性電極装ｆＦｉの電極部分全浸漬することに
よって、試料液中の３神のイオンすなわちナトリウムイ
オン、ｊμ素イオンおよびカリウムイオンそれぞれの濃
度を同時に検出することができる。このことｔよ、第２
図に示すように、このイオン選択性電極装置によるナト
リウム・ｆオン、カリウムイオン卦よび塩素イオンそれ
ぞれの濃度の実測値がほぼネルンスト式に従うことから
も明らかである。々お、第２図において、Ａで示゛ｔの
はカリウムイオン電極９の応答曲線であり、Ｂで示すの
はナトリウムイオン電極１０の応答曲線であり、Ｃで示
−すのは塩素イオン電極８の応答曲線であり、Ｄで示す
のはネルンスト式姉よる理想応答曲線である。
全検出する３基のイ刊ン電極８，９，１０ケー・体化し
てイメン選択性電極装ｆＦｊ孕構成テると、試料液中に
イオン選択性電極装ｆＦｉの電極部分全浸漬することに
よって、試料液中の３神のイオンすなわちナトリウムイ
オン、ｊμ素イオンおよびカリウムイオンそれぞれの濃
度を同時に検出することができる。このことｔよ、第２
図に示すように、このイオン選択性電極装置によるナト
リウム・ｆオン、カリウムイオン卦よび塩素イオンそれ
ぞれの濃度の実測値がほぼネルンスト式に従うことから
も明らかである。々お、第２図において、Ａで示゛ｔの
はカリウムイオン電極９の応答曲線であり、Ｂで示すの
はナトリウムイオン電極１０の応答曲線であり、Ｃで示
−すのは塩素イオン電極８の応答曲線であり、Ｄで示す
のはネルンスト式姉よる理想応答曲線である。
また、一般に、臨床検査用の自動化学分析ＫＲＫ塔載さ
れているイオン濃度測定用電極セットには、恒温状態で
測定可能とするために試料槽あるいはフロー七ルが一定
温度に維持されるように設泪されているのであるが、丈
際上、恒温に維持されるべき試料液の温度が、試料ブσ
に相違していたり、あるいＣよ測定中に恒温にＸイＬ持
すべき温度のドリフトが生じたりし、これらが測定誤差
の原因となっていた。しかしながら、前記実施例のイオ
ン選択性電極装置は、濡度補償用電極ケ具備しているの
で、自動化学分析装置に適用すると、前記測定誤差の原
因があったとしても、温度変化による誤差奮袖市；〜だ
イオン濃度音測定することができる。このことは、温度
補償電極を有する前記実施例のイオン選択性電極装置と
、温度補償電極のないイオン選択性電イｖとにょるイメ
ン雨度測定の１１現性全示す第１表からも明らかである
。
れているイオン濃度測定用電極セットには、恒温状態で
測定可能とするために試料槽あるいはフロー七ルが一定
温度に維持されるように設泪されているのであるが、丈
際上、恒温に維持されるべき試料液の温度が、試料ブσ
に相違していたり、あるいＣよ測定中に恒温にＸイＬ持
すべき温度のドリフトが生じたりし、これらが測定誤差
の原因となっていた。しかしながら、前記実施例のイオ
ン選択性電極装置は、濡度補償用電極ケ具備しているの
で、自動化学分析装置に適用すると、前記測定誤差の原
因があったとしても、温度変化による誤差奮袖市；〜だ
イオン濃度音測定することができる。このことは、温度
補償電極を有する前記実施例のイオン選択性電極装置と
、温度補償電極のないイオン選択性電イｖとにょるイメ
ン雨度測定の１１現性全示す第１表からも明らかである
。
（ＩＲｌ「余白）
ここで、第１表は、前記実施例のイオン選択性
−電極装置を塔載する自動化学分析装置で、同一・プ□
−ル血清’（７”−’−；’ １４４ｍＥｑ／ｌ、 Ｋ
″号４６ｍＥｑ ／ｌ＊Ｃｔ″″；１１０ｎＩＥｑ／／
ｌ）全連続してろＯ検体測定シテ１またデータを示して
おり、試潜１液’、ｃ １０倍に希釈して用い、測定時
間１２０秒とし、１回の測定の終了毎に試料液な・校正
液ＣＮＵ 、１４ｍＥｑ７ｔ 、に−；＋・ ０−４ ｍＥｇ／Ｚ ｖ ”Ｚ ； １０ ｒｎ’ｇ、
／ｌ ）と入れ換えテ補正會行なったものである。
−電極装置を塔載する自動化学分析装置で、同一・プ□
−ル血清’（７”−’−；’ １４４ｍＥｑ／ｌ、 Ｋ
″号４６ｍＥｑ ／ｌ＊Ｃｔ″″；１１０ｎＩＥｑ／／
ｌ）全連続してろＯ検体測定シテ１またデータを示して
おり、試潜１液’、ｃ １０倍に希釈して用い、測定時
間１２０秒とし、１回の測定の終了毎に試料液な・校正
液ＣＮＵ 、１４ｍＥｑ７ｔ 、に−；＋・ ０−４ ｍＥｇ／Ｚ ｖ ”Ｚ ； １０ ｒｎ’ｇ、
／ｌ ）と入れ換えテ補正會行なったものである。
以上、この発ＩＪ、ｌの一実施例について詳述したが、
この発明は前記実施例に限定されるものでｅ」、なく、
この発明の要旨の範囲内で適宜に変形して実施すること
かできる。
この発明は前記実施例に限定されるものでｅ」、なく、
この発明の要旨の範囲内で適宜に変形して実施すること
かできる。
前記実施例においては、絶縁性基体１の外周面に、６種
のイオン酸度を検出する６基のイメン電ｆｉ８，９，１
０が設けらｈているが、この発明においては、絶縁性基
体１の外周面に設ける電極の数、検出する・ｆオンの種
類は前記実施例に限定されずζたとえばアンモニウムイ
オン電極を設けてもよい〇 また、第２の実施例として、第３図に示すイオン選択性
′に極装＃を挙げることができる。第２の実施例が前記
第１図に示す実施例と相違するところは、第１の円筒体
１Ａの一端開口部に１第２の円筒体１Ｂの、一端部全密
嵌挿入し、第２の円筒体１Ｂの他端開口部に、第６の円
筒体１Ｃの一端部ｆ：ｆＭ嵌挿入し、以下同様にして第
６の円筒体１０に第４の円筒体１Ｄを、第４の円筒体１
Ｄに第５の円筒体１Ｅを、それぞれ密嵌挿入することに
よシ、絶縁性基体１を形成し、第５の円筒体１Ｅの先端
開口部に温度補償電極４を装着し、第５の円筒体１Ｅ、
第４の円筒体１Ｄ％第６の円筒体１Ｃ５第２の円筒体１
Ｂそれぞれの露出する外周面に、比較電極７、イオン電
極８，９．．１０を形成したことにある。第２の実施例
をこのように構成すると、たとえば、使用の結呆、比較
ｉＨ極７が不良になれば、その比較電極７を有する第５
の円筒体１Ｅを比較電極７を有する新たな第５の円筒体
１Ｅに取り替えるだけで、使用可能々イオン′Ｎ、極８
，９．１０ｆｆｉ無駄にすることなく、イオン選択性電
極装置ケ継続便用することができる。
のイオン酸度を検出する６基のイメン電ｆｉ８，９，１
０が設けらｈているが、この発明においては、絶縁性基
体１の外周面に設ける電極の数、検出する・ｆオンの種
類は前記実施例に限定されずζたとえばアンモニウムイ
オン電極を設けてもよい〇 また、第２の実施例として、第３図に示すイオン選択性
′に極装＃を挙げることができる。第２の実施例が前記
第１図に示す実施例と相違するところは、第１の円筒体
１Ａの一端開口部に１第２の円筒体１Ｂの、一端部全密
嵌挿入し、第２の円筒体１Ｂの他端開口部に、第６の円
筒体１Ｃの一端部ｆ：ｆＭ嵌挿入し、以下同様にして第
６の円筒体１０に第４の円筒体１Ｄを、第４の円筒体１
Ｄに第５の円筒体１Ｅを、それぞれ密嵌挿入することに
よシ、絶縁性基体１を形成し、第５の円筒体１Ｅの先端
開口部に温度補償電極４を装着し、第５の円筒体１Ｅ、
第４の円筒体１Ｄ％第６の円筒体１Ｃ５第２の円筒体１
Ｂそれぞれの露出する外周面に、比較電極７、イオン電
極８，９．．１０を形成したことにある。第２の実施例
をこのように構成すると、たとえば、使用の結呆、比較
ｉＨ極７が不良になれば、その比較電極７を有する第５
の円筒体１Ｅを比較電極７を有する新たな第５の円筒体
１Ｅに取り替えるだけで、使用可能々イオン′Ｎ、極８
，９．１０ｆｆｉ無駄にすることなく、イオン選択性電
極装置ケ継続便用することができる。
第６の実施例として、第４図（Ａ■に示すイオン選択性
電極装置が挙けられる０第３の実施例であるイオン選択
性電極装置は、一端外周面を絶縁被覆した円筒状の導電
性基体１１の一端開口部に温度補償１！極４を装着する
と共に５前記導電性基体１１の周囲に、一端外周面をイ
オン感応物質層７Ｂ。
電極装置が挙けられる０第３の実施例であるイオン選択
性電極装置は、一端外周面を絶縁被覆した円筒状の導電
性基体１１の一端開口部に温度補償１！極４を装着する
と共に５前記導電性基体１１の周囲に、一端外周面をイ
オン感応物質層７Ｂ。
ＢＥ；９Ｂ、１（３Ｂで被覆した４本の棒状の導電体２
會互い接触し々いように配置し、導電性基体１１と４本
の棒状の導電体２と全適宜の手段によυ一体化してなる
。そして、このイオン選択性電極装置においては、絶縁
被覆していない導電性基体１１の他端、イオン感応物質
層７ 、８ 、９、．１０で被 □覆していない
導電体２の他端そ朽ぞれｔ、金メツ □キ処理等
の接触抵抗會小さくする処置デすることにより、その１
まコネクタ□とすることができる。
會互い接触し々いように配置し、導電性基体１１と４本
の棒状の導電体２と全適宜の手段によυ一体化してなる
。そして、このイオン選択性電極装置においては、絶縁
被覆していない導電性基体１１の他端、イオン感応物質
層７ 、８ 、９、．１０で被 □覆していない
導電体２の他端そ朽ぞれｔ、金メツ □キ処理等
の接触抵抗會小さくする処置デすることにより、その１
まコネクタ□とすることができる。
さらに、第４・の実施例として、第５図（ロ）（功に示
すイオン選択性電極装置が挙げられる。第４の実
−施例であるイオン選択性電極装置は５．第６の実施
１□ 例を変形し・たものであり、円筒状の導電性基体の・一
端間に１部に温度補償電極４孕装着すると共に、前記導
電性基体の周囲に、先端面が軸線に対（〜てす１斜する
斜面であり、かつ、その斜面にイオン感応物質層７１Ｊ
３．８Ｂ、９Ｂ、１０Ｂを形成してなる４本の棒状の導
電体２全互いに接触しないように配置首し、；、１％
ｉ［性基体と４本の棒状の導電体２とを適宜の手段によ
り一体化しで構成されている。このイオン選択性電極装
置にふ・いても、第３の実施例と同様に、導電性基体お
よび導電体２の他端をコネクタとすることができる。
すイオン選択性電極装置が挙げられる。第４の実
−施例であるイオン選択性電極装置は５．第６の実施
１□ 例を変形し・たものであり、円筒状の導電性基体の・一
端間に１部に温度補償電極４孕装着すると共に、前記導
電性基体の周囲に、先端面が軸線に対（〜てす１斜する
斜面であり、かつ、その斜面にイオン感応物質層７１Ｊ
３．８Ｂ、９Ｂ、１０Ｂを形成してなる４本の棒状の導
電体２全互いに接触しないように配置首し、；、１％
ｉ［性基体と４本の棒状の導電体２とを適宜の手段によ
り一体化しで構成されている。このイオン選択性電極装
置にふ・いても、第３の実施例と同様に、導電性基体お
よび導電体２の他端をコネクタとすることができる。
［：発明の効果］
この発明に係るイオン選択性電極装置は、複数のイＳン
電極ケ有するので、同時に複数種の・１オンの濃度全測
定することができる。１〜かも、温度補償電極ケも有１
７ているのて、各試料液の温度がそｉｔイー“れ相違し
でいても、温度による誤差を補正１−だＩＦ確なイオン
濃度測定７行なうことができる。
電極ケ有するので、同時に複数種の・１オンの濃度全測
定することができる。１〜かも、温度補償電極ケも有１
７ているのて、各試料液の温度がそｉｔイー“れ相違し
でいても、温度による誤差を補正１−だＩＦ確なイオン
濃度測定７行なうことができる。
絶縁ＦＣ基体−にでの・ｆオン電極孕、基板」−で電子
回路？プリント形成する技術により容易に形成すること
ができるので、この発明に係るイオン選択性Ｎ、極装置
全簡単に、かつ、大量に生産することができる。しかも
、電極そのもの業小さく形成することができるので、イ
オン選択性電極装置１仁それ自体の小型化全達成するこ
とができ、したがって、少量の試料液中の多種のイオン
全同時に測定（ろことができる。
回路？プリント形成する技術により容易に形成すること
ができるので、この発明に係るイオン選択性Ｎ、極装置
全簡単に、かつ、大量に生産することができる。しかも
、電極そのもの業小さく形成することができるので、イ
オン選択性電極装置１仁それ自体の小型化全達成するこ
とができ、したがって、少量の試料液中の多種のイオン
全同時に測定（ろことができる。
第１図はこの発明の一実施例を示１断面図、第２図は前
記実施例のイオン選択性電極装ｆＮケ用いて３稗のイオ
ンの４度ケ実測した結果ケ示−ｔグラフ、第ろ図はこの
発明の第２の実施例に示−ｊ−断面第５図（イ）はこの
発明の第４の実施例を示フ断面図および２８５図（７Ｍ
は前ｕｒ２第４の実施例を示すＩＥ而面である。 １・・・絶縁性基体、 ４・・・温度補償’＋ｌｉ、極
、 ７・・・１七φ文■イ、４Ｌ ８，９．１０
・・・イオン′４丁、極、 フイ。 ８Ａ、９Ａ、１０Ａ・・・導電層、７Ｂ 、 ８１３
、９１３ 、 Ｉ Ｑ、Ｚ？・・・１オン感応層。 ：、 ・ 第 ３ 間第
す図 （Ａ） （εリ −３２２−
記実施例のイオン選択性電極装ｆＮケ用いて３稗のイオ
ンの４度ケ実測した結果ケ示−ｔグラフ、第ろ図はこの
発明の第２の実施例に示−ｊ−断面第５図（イ）はこの
発明の第４の実施例を示フ断面図および２８５図（７Ｍ
は前ｕｒ２第４の実施例を示すＩＥ而面である。 １・・・絶縁性基体、 ４・・・温度補償’＋ｌｉ、極
、 ７・・・１七φ文■イ、４Ｌ ８，９．１０
・・・イオン′４丁、極、 フイ。 ８Ａ、９Ａ、１０Ａ・・・導電層、７Ｂ 、 ８１３
、９１３ 、 Ｉ Ｑ、Ｚ？・・・１オン感応層。 ：、 ・ 第 ３ 間第
す図 （Ａ） （εリ −３２２−
Claims (3)
- （１）試料液と接触するイオン感応層を有するイオン選
択性ｔｌ極装置においで、絶縁性基体に複数のイオン電
極と比軸電極と温度補償電極とを具備すること全特徴と
するイオン選択性電極装置。 - （２）前記複数のイオン電極は、絶縁性基体に形成した
複数の導油層と、各導電層上に形成された、互いに異な
るイオンに感応する・イオン感応層とｒ有すること全特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載のイオン選択性電
極装置。 - （３）前記比較電極が、絶縁性基体に形成した導電Ｊ−
と、導電層上に形成されたイオン感応層とを有すること
孕特徴とする特許請求の範囲第１項ま几は第２項に記載
のイオン選択性電極装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57143621A JPS5932859A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | イオン選択性電極装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57143621A JPS5932859A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | イオン選択性電極装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5932859A true JPS5932859A (ja) | 1984-02-22 |
Family
ID=15343004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57143621A Pending JPS5932859A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | イオン選択性電極装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932859A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60234921A (ja) * | 1985-04-08 | 1985-11-21 | Toshiba Corp | エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板の製造方法 |
| JPS6119737A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-01-28 | Toshiba Corp | エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板及びその製造方法 |
| US5532088A (en) * | 1993-03-12 | 1996-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Shadow mask plate material and shadow mask |
-
1982
- 1982-08-19 JP JP57143621A patent/JPS5932859A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60234921A (ja) * | 1985-04-08 | 1985-11-21 | Toshiba Corp | エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板の製造方法 |
| JPH029654B2 (ja) * | 1985-04-08 | 1990-03-02 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS6119737A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-01-28 | Toshiba Corp | エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板及びその製造方法 |
| JPH029655B2 (ja) * | 1985-05-20 | 1990-03-02 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| US5532088A (en) * | 1993-03-12 | 1996-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Shadow mask plate material and shadow mask |
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