JPS6119737A - エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板及びその製造方法 - Google Patents
エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板及びその製造方法Info
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- JPS6119737A JPS6119737A JP10602485A JP10602485A JPS6119737A JP S6119737 A JPS6119737 A JP S6119737A JP 10602485 A JP10602485 A JP 10602485A JP 10602485 A JP10602485 A JP 10602485A JP S6119737 A JPS6119737 A JP S6119737A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明はテレビ用のシャドウマスク原板およびその製造
方法に関する。
方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来からカラーテレビ受像管として広く使用されている
受像管としてシャドウマスク管がある。
受像管としてシャドウマスク管がある。
このシャドウマスク管は第１図にその基本構造を斜視的
に示す如く多数の電子ビーム通過孔を持ったシャドウマ
スク（１）とその個々の電子ビーム通過孔ｇ二対応して
形成された三色螢光面（２）を有し、電子ビーム通過孔
に入射する電子銃（３）からの３本の電子ビームのそれ
ぞれの入射角により色選択を行っている。
に示す如く多数の電子ビーム通過孔を持ったシャドウマ
スク（１）とその個々の電子ビーム通過孔ｇ二対応して
形成された三色螢光面（２）を有し、電子ビーム通過孔
に入射する電子銃（３）からの３本の電子ビームのそれ
ぞれの入射角により色選択を行っている。
なお、前記電子ビーム通過孔の形状は、例えば第２図に
断面的に示す如く散乱電子の発生を避ける様な形状（−
なっている。しかしながら現在電子ビーム通過孔の形状
（−用いられているフォトエツチング法では第２図の如
く精度よく、均一（二電子ビーム通過孔を設ける事は困
難であり、ドーミング現象と呼ばれる色純度の低下を生
じ易いという欠点があった。特に最近はテレビ画面の「
きめの細かさＪ Ｃ対する一般的要求が高まり、送信方
式が高品位テレビ方式と呼ばれる方式（二変更しつつあ
る。これに対応して受像管も・更に性能を向上し、ドー
ミング現象がなく明所できめの細かい画像を再現する事
が望まれている。その為電子ビーム通過孔を高密度高精
度化し、ピッチを小さくしたシャドウマスクの開発がせ
まられている。
断面的に示す如く散乱電子の発生を避ける様な形状（−
なっている。しかしながら現在電子ビーム通過孔の形状
（−用いられているフォトエツチング法では第２図の如
く精度よく、均一（二電子ビーム通過孔を設ける事は困
難であり、ドーミング現象と呼ばれる色純度の低下を生
じ易いという欠点があった。特に最近はテレビ画面の「
きめの細かさＪ Ｃ対する一般的要求が高まり、送信方
式が高品位テレビ方式と呼ばれる方式（二変更しつつあ
る。これに対応して受像管も・更に性能を向上し、ドー
ミング現象がなく明所できめの細かい画像を再現する事
が望まれている。その為電子ビーム通過孔を高密度高精
度化し、ピッチを小さくしたシャドウマスクの開発がせ
まられている。
またドーミング現象を生じる原因としては、電子銃から
発生する電子ビームの８０〜８５％がシャドウマスクに
射突する事による温度上昇に起因してシャドウマスクが
熱膨張し、電子ビーム通過孔と螢光体そザイクとの電子
ビーム軌道上の相対位置関係が変化してドーミング現象
を生じるという欠点もあった。
発生する電子ビームの８０〜８５％がシャドウマスクに
射突する事による温度上昇に起因してシャドウマスクが
熱膨張し、電子ビーム通過孔と螢光体そザイクとの電子
ビーム軌道上の相対位置関係が変化してドーミング現象
を生じるという欠点もあった。
［発明の目的］
本発明は以上の点に鑑み、シャドウマスクの電子ビーム
通過孔を高密度で、かつ高精度に設はドーミング現象を
生じる事のない受像管を得る事のできるシャドウマスク
の製造に用いられるシャドウマスク原板およびその製造
方法を提供する事を目的とするものである。
通過孔を高密度で、かつ高精度に設はドーミング現象を
生じる事のない受像管を得る事のできるシャドウマスク
の製造に用いられるシャドウマスク原板およびその製造
方法を提供する事を目的とするものである。
［発明の概要］
本発明はインバ合金からなるシャドウマスクＣ二フォト
エツチングにより電子ビーム通過孔を形成する際Ｃユ、
その大きさ、形状を全面にわたって微細でかつ均一に設
ける為１ユは、エツチング速度がシャドウマスク全面じ
おいて一定にする必要があり、これはエツチング面の結
晶面を特定の結晶′面に規定する事Ｃ二より達成される
点（−着目したものである。
エツチングにより電子ビーム通過孔を形成する際Ｃユ、
その大きさ、形状を全面にわたって微細でかつ均一に設
ける為１ユは、エツチング速度がシャドウマスク全面じ
おいて一定にする必要があり、これはエツチング面の結
晶面を特定の結晶′面に規定する事Ｃ二より達成される
点（−着目したものである。
すなわち本発明に係るシャドウマスク原板は面心立方格
子構造を有するインバ型合金からなり螢光面に対向する
面、つまりエツチング処理を施す面となる圧延面（ユ（
１００）結晶面が３５％以上集合したものである。なお
（１００）結晶面を３５％以上集合させる事（二より高
精度でかつ高密度に電子ビーム通過孔が制御されたシャ
ドウマスクを得る事ができるが、より好ましくは（１０
０）結晶面を４０チ以上集合させる事が望ましい。
子構造を有するインバ型合金からなり螢光面に対向する
面、つまりエツチング処理を施す面となる圧延面（ユ（
１００）結晶面が３５％以上集合したものである。なお
（１００）結晶面を３５％以上集合させる事（二より高
精度でかつ高密度に電子ビーム通過孔が制御されたシャ
ドウマスクを得る事ができるが、より好ましくは（１０
０）結晶面を４０チ以上集合させる事が望ましい。
ここで螢光面に対向する面（以後「マスク面」と呼称）
に（１００）結晶面が集合している度合とは、次の様に
定義される。即ち、多結晶の個々の粒の（１００）結晶
軸方向の、マスク面Ｃ二垂直方向への成分を、全ての結
晶性につ・いて集計した割合で次の敵で定跡゛される。
に（１００）結晶面が集合している度合とは、次の様に
定義される。即ち、多結晶の個々の粒の（１００）結晶
軸方向の、マスク面Ｃ二垂直方向への成分を、全ての結
晶性につ・いて集計した割合で次の敵で定跡゛される。
ここで■φは粒の体積比でφはマスク面皺直方向とｆｌ
ｏｏ）結晶軸とのなす角である。
ｏｏ）結晶軸とのなす角である。
つ寸すエッチング面において、結晶粒が不揃Ｕ）になり
（１００）結晶面の方向が異なっていると、エツチング
され易い結晶粒と、されにくい結晶粒との部位でエツチ
ング速度が異なり、微細な箱、子ビーム通過孔を高密度
、高精良で得ることカー困難となる。。
（１００）結晶面の方向が異なっていると、エツチング
され易い結晶粒と、されにくい結晶粒との部位でエツチ
ング速度が異なり、微細な箱、子ビーム通過孔を高密度
、高精良で得ることカー困難となる。。
寸た本発明（ユ係る製造方法は上記の如くエツチングｍ
１を（１００１結晶面に揃える製造方法である。
１を（１００１結晶面に揃える製造方法である。
捷ず血心立方格−７１ｎｑ造を有するインノく型合金を
鍛貨した後、主たる肉厚減少工程とする事カ玉望ましい
熱間圧延を施す工程において、圧延面＋−（１００）結
＾１．間を多、？合させる面心立方格子構造を有するイ
ンバ型合金は熱１ｊｉｊ圧延工８６；おいて主面菟二（
１００）結晶面が集合する。次に１回圧延率５０％以下
の冷間加工および熱処理を必要に応じ複数回繰り返し、
シャドウマスク原板を形成する。なお冷間加工を圧延率
５０％以下／１回で行うのは、強加工を施した際、圧延
面の結晶方向が（１００）面７５藁らずれるのを防止す
る為である。また上記の冷間圧延時の圧延率は実用上１
０チ〜３０チとする事カー好ましい。
鍛貨した後、主たる肉厚減少工程とする事カ玉望ましい
熱間圧延を施す工程において、圧延面＋−（１００）結
＾１．間を多、？合させる面心立方格子構造を有するイ
ンバ型合金は熱１ｊｉｊ圧延工８６；おいて主面菟二（
１００）結晶面が集合する。次に１回圧延率５０％以下
の冷間加工および熱処理を必要に応じ複数回繰り返し、
シャドウマスク原板を形成する。なお冷間加工を圧延率
５０％以下／１回で行うのは、強加工を施した際、圧延
面の結晶方向が（１００）面７５藁らずれるのを防止す
る為である。また上記の冷間圧延時の圧延率は実用上１
０チ〜３０チとする事カー好ましい。
なお本発明において用いるシャドウマスク材としては面
心立方格子構造を有するインノ（型合金を用いる。この
インノ＜凰合金とは電子ビームの射突による温度上昇に
かかわらず殆んど膨張しなＩ／Ｘもので、熱膨張係数が
零（二近いものほどよく、具体的＋二はイ７バ合金（３
５Ｎｉ−Ｆｅ）、超不変鋼（３２Ｎｌ−５Ｃｏ−６３Ｆ
ｅ ） 、ステンレス不変鋼（５４Ｃｏ −９，５Ｃｒ
−３６，５Ｆｅ） 、 ４３Ｐｄ−５７Ｆｅ合金等を用
いる事が出来る。
心立方格子構造を有するインノ（型合金を用いる。この
インノ＜凰合金とは電子ビームの射突による温度上昇に
かかわらず殆んど膨張しなＩ／Ｘもので、熱膨張係数が
零（二近いものほどよく、具体的＋二はイ７バ合金（３
５Ｎｉ−Ｆｅ）、超不変鋼（３２Ｎｌ−５Ｃｏ−６３Ｆ
ｅ ） 、ステンレス不変鋼（５４Ｃｏ −９，５Ｃｒ
−３６，５Ｆｅ） 、 ４３Ｐｄ−５７Ｆｅ合金等を用
いる事が出来る。
また本発明において上記冷間圧延後≦ユ施す熱処理は、
歪取焼鈍を行い（１００）結晶面の安定化を図る為のも
のである。なお所定の冷間圧延および熱処理を施してシ
ャドウマスク原板を得る工程において、例えば圧延率５
０％以下／１回の冷間圧延を初ダく回旋した後、ん稜に
熱処理を施してもよいし、址た各冷間圧延後番ユ熱処理
を施す操作を複数回繰り返１゛弗もできる。
歪取焼鈍を行い（１００）結晶面の安定化を図る為のも
のである。なお所定の冷間圧延および熱処理を施してシ
ャドウマスク原板を得る工程において、例えば圧延率５
０％以下／１回の冷間圧延を初ダく回旋した後、ん稜に
熱処理を施してもよいし、址た各冷間圧延後番ユ熱処理
を施す操作を複数回繰り返１゛弗もできる。
［発明の実飽例コ
実施例−１
３６−％Ｎｉ−Ｆｅなる成分のインバ合金を溶解し、そ
の鋳塊を連紗、′Ｍ−間製線工程により、直径６藺の線
材とした。この線材を長手方向にｆ１角に鍛造しく厚さ
１悶）、次に９００℃の熱間圧延によりｏ５Ｕ厚さとし
た後、圧延率３０％の冷間圧延により０．３５藺厚巾の
薄板を得、これをロール（二巻き取り、熱処理として真
空中で５５０℃、２時間の歪焼鈍を施した。さら（−こ
の薄板を圧延率３０チの冷間圧延により０．２４５＋Ｉ
１１岸の薄板とした後、同様に歪取焼鈍の熱処理を施し
た。この様な冷間圧延および熱処理の操作を複数回繰り
返し、０，１回厚のシャドウマスク原板を得た。
の鋳塊を連紗、′Ｍ−間製線工程により、直径６藺の線
材とした。この線材を長手方向にｆ１角に鍛造しく厚さ
１悶）、次に９００℃の熱間圧延によりｏ５Ｕ厚さとし
た後、圧延率３０％の冷間圧延により０．３５藺厚巾の
薄板を得、これをロール（二巻き取り、熱処理として真
空中で５５０℃、２時間の歪焼鈍を施した。さら（−こ
の薄板を圧延率３０チの冷間圧延により０．２４５＋Ｉ
１１岸の薄板とした後、同様に歪取焼鈍の熱処理を施し
た。この様な冷間圧延および熱処理の操作を複数回繰り
返し、０，１回厚のシャドウマスク原板を得た。
なお上記工程における熱間圧延後の表゛面状態をＸ線回
折を調べたところ、（１００）結晶面が４０％集合して
おり、またその後の冷間圧延、熱処理後シーおいても安
定した（１００）結晶面が維持されていた。
折を調べたところ、（１００）結晶面が４０％集合して
おり、またその後の冷間圧延、熱処理後シーおいても安
定した（１００）結晶面が維持されていた。
なお集合状態は前述の０式（−もとづき、（二より求め
プζ。
プζ。
次に上記の如き方法により得た（ｉｏｏ）結晶面が集合
した面を有するシャドウマスク原板と、比較例として同
様の熱間圧延を行なった後、圧延率８０％／１回の冷間
圧延及び熱処理を施したシャドウマスクＣ二ついて、電
子ビーム通過孔を設けるためのエツチング処理を施した
場合の比較を行なった。
した面を有するシャドウマスク原板と、比較例として同
様の熱間圧延を行なった後、圧延率８０％／１回の冷間
圧延及び熱処理を施したシャドウマスクＣ二ついて、電
子ビーム通過孔を設けるためのエツチング処理を施した
場合の比較を行なった。
なおこの比較例では（１００）結晶面が集合しており（
５７％）、（１００）結晶面は２８チであった。またエ
ツチングは例えば塩化第１鉄６％、塩酸０．１ ％の水
溶液を用い、６５℃塩化第１鉄６％、塩酸０．１チの水
溶液を用い、６５℃の温度でエツチングを施し、電子ビ
ーム通過孔を設けた。
５７％）、（１００）結晶面は２８チであった。またエ
ツチングは例えば塩化第１鉄６％、塩酸０．１ ％の水
溶液を用い、６５℃塩化第１鉄６％、塩酸０．１チの水
溶液を用い、６５℃の温度でエツチングを施し、電子ビ
ーム通過孔を設けた。
なお電子ビーム通過孔はシャドウマスク原板の両面に順
次フォトエツチングを施し、第２図の如き形状と１−た
。電子ビーム通過孔のピンチは約０、３ ＋ｕ トし、
１４型テレビ用シヤドウｉスクとして約５２万個の電子
ビーム通過孔を形成した。この時のシャドウマスク表面
Ｃユおける電子ビーム通過孔を調べ、上記実施例−１１
−よるものの大部分拡大平面図を第３図（−１上記比較
例によるものの部分拡大平面図を第４図に示す。なお図
中の９は電子ビーム通過孔を示１−０ この結果から明らかな如く、本発明に係るシャドウマス
ク原板を用いたシャドウマスクでは均一かつｉｕｉＭ度
１−電子ビーム通過孔が形成されている事は明らかであ
る。
次フォトエツチングを施し、第２図の如き形状と１−た
。電子ビーム通過孔のピンチは約０、３ ＋ｕ トし、
１４型テレビ用シヤドウｉスクとして約５２万個の電子
ビーム通過孔を形成した。この時のシャドウマスク表面
Ｃユおける電子ビーム通過孔を調べ、上記実施例−１１
−よるものの大部分拡大平面図を第３図（−１上記比較
例によるものの部分拡大平面図を第４図に示す。なお図
中の９は電子ビーム通過孔を示１−０ この結果から明らかな如く、本発明に係るシャドウマス
ク原板を用いたシャドウマスクでは均一かつｉｕｉＭ度
１−電子ビーム通過孔が形成されている事は明らかであ
る。
実施例−２
上記実施例−１において冷間圧延時の１回の圧延率を２
０係とし、他は同様（−シて（１００）結晶面が４２チ
集合したシャドウマスク原板を製造した。
０係とし、他は同様（−シて（１００）結晶面が４２チ
集合したシャドウマスク原板を製造した。
この場合も実施例−１と同様Ｃ−良好なシャドウマスク
を得る事ができた。
を得る事ができた。
実施例−３
上記実施例−１と同様の鍛造および熱間圧延を施し、０
．５寵厚さの薄板を得た後、１回の圧延率８％程度の冷
間圧延を複数回繰り返すいわゆる２０段ロール法を用い
、０．１ｍ厚さ、（１００）結晶面が４３％集合したシ
ャドウマスク原板を得た。
．５寵厚さの薄板を得た後、１回の圧延率８％程度の冷
間圧延を複数回繰り返すいわゆる２０段ロール法を用い
、０．１ｍ厚さ、（１００）結晶面が４３％集合したシ
ャドウマスク原板を得た。
次に５５０℃、２時間の歪取焼鈍の熱処理を施した後、
実施例−１と同様のフォトエツチングを施しシャドウマ
スクを得た。この結果、第３図と同様（二高精度で均一
な電子ビーム通過孔を得る事ができた。
実施例−１と同様のフォトエツチングを施しシャドウマ
スクを得た。この結果、第３図と同様（二高精度で均一
な電子ビーム通過孔を得る事ができた。
［発明の効果］
以上の結果から明らかな如く、本発明の製造方法を用い
ることにより、表面に（１００）結晶面が集合したイン
バ型合金からなるシャドウマスク原板を得る事ができ、
とのシャドウマスク原板にフォトエツチングにより電子
ビーム通過孔を高密度、高精度でかつ均一に設ける事が
できる。この結果、従来のシャドウマスクに比ベピッチ
中を約１／３とする事ができ、電子ビーム通過孔の数を
５倍程度まで垢加させる事が可能となり、かつドーミン
グ現象等のない高品位のものが得られる。さらに本発明
においてはインバ型合金を用いているため熱膨張に起因
゛したドーミング現象をも改良する事ができる。
ることにより、表面に（１００）結晶面が集合したイン
バ型合金からなるシャドウマスク原板を得る事ができ、
とのシャドウマスク原板にフォトエツチングにより電子
ビーム通過孔を高密度、高精度でかつ均一に設ける事が
できる。この結果、従来のシャドウマスクに比ベピッチ
中を約１／３とする事ができ、電子ビーム通過孔の数を
５倍程度まで垢加させる事が可能となり、かつドーミン
グ現象等のない高品位のものが得られる。さらに本発明
においてはインバ型合金を用いているため熱膨張に起因
゛したドーミング現象をも改良する事ができる。
第１図はシャドウマスク管の原理を示す斜視図、第２図
は電１子ビーム通過孔の形状例を示す断面図、第３図は
本発明に係るシャドウマスクを示す部分拡大平面図、第
４図は従来のシャドウマスクを示ず部分拡大平面図であ
る。 １・・・シャドウマスク ９・・・電子ビーム通過孔代
理人 弁理士 則 近 憲 佑（はか１名）？ 第１図 第２図
は電１子ビーム通過孔の形状例を示す断面図、第３図は
本発明に係るシャドウマスクを示す部分拡大平面図、第
４図は従来のシャドウマスクを示ず部分拡大平面図であ
る。 １・・・シャドウマスク ９・・・電子ビーム通過孔代
理人 弁理士 則 近 憲 佑（はか１名）？ 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）面心立方格子構造を有するインバ型合金を鍛造後
、圧延面に｛１００｝結晶面が集合する如く熱間圧延を
施す工程と、圧延率が５０％／１回を超えない冷間圧延
および熱処理を施す工程とを具備した事を特徴とするシ
ャドウマスク原板の製造方法。 - （２）面心立方格子構造を有するインバ型金型からなる
シャドウマスクの螢光面に対向する面に｛１００｝結晶
面が３５％以上集合している事を特徴とするシャドウマ
スク原板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10602485A JPS6119737A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10602485A JPS6119737A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57147740A Division JPS5932859B2 (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | シャドウマスク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6119737A true JPS6119737A (ja) | 1986-01-28 |
| JPH029655B2 JPH029655B2 (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=14423071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10602485A Granted JPS6119737A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6119737A (ja) |
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-
1985
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH029655B2 (ja) | 1990-03-02 |
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