TW410478B - Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode - Google Patents

Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode Download PDF

Info

Publication number
TW410478B
TW410478B TW088104690A TW88104690A TW410478B TW 410478 B TW410478 B TW 410478B TW 088104690 A TW088104690 A TW 088104690A TW 88104690 A TW88104690 A TW 88104690A TW 410478 B TW410478 B TW 410478B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
scope
patent application
item
emitting diode
Prior art date
Application number
TW088104690A
Other languages
English (en)
Inventor
Zhenen Bao
Ananth Dodabalapur
Howard Edan Katz
Venkataram Reddy Raju
John A Rogers
Original Assignee
Lucent Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lucent Technologies Inc filed Critical Lucent Technologies Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW410478B publication Critical patent/TW410478B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight

Landscapes

  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

五、發明說明G) 技術範圍 薄膜ΐ二η:片式整合在-起製造之有機發光裝置與 發明背；本發明亦是關於製造該裝置之方法。 用層之有機層的發光二極體⑽)以應 -裝置的：ΐ ϊ 材上製造，而可降低製造此 裝置ΐ: it:以低電壓運作以及此—有機薄膜可使該 破損=光線。因此led對於應用於製造不會 ^. 可撓曲以及廉價的平面顯示裝置而言是絕 對具有吸引力的。 ° 件薄mm)在液晶顯示裝置上两來當做開關元 百等於1 9 9 7年1EEE電子裝置文摘第18:12 1有機led與非晶梦m於可撓與輕量的金 屬：基材上之整合"中所述’希望能整合丁”與㈣以製 ，主動式矩陣發光平面顯示裝置。吳等文章中所述之裝置 10以圖1說明，LED與TFT兩者均形成於不銹鋼薄片基材13 上，TFT之形成乃是藉由沉積一層絕緣層丨4而形成於薄片 基材13之上，再於基材上形成鉻閘極15，並在其上形成另 一絕緣層1 6。 未摻雜之非晶相氫化砂層1 7形成於絕緣層上，並在其上 形成Μ非晶相氫化矽層18。鉻源極/汲極接^點19形成於/已 摻雜矽層18 〇TFT製成後，藉由於源極/汲極接點19上形成 白金陽極21而形成LED 11。發光聚合物層22形成於源極/
第5頁 4ίΰ47只 五、發明說明（2) 汲極接點1 9與白金陽極2 1之上。陰極（雙層Mg : Ag (1 0 : 1 ) / I TO) 2 3形成於發光聚合物之表面，因此使發光聚合物夾 在陽極2 1與陰極2 3之間。 吳（Wu)等提及製造在塑膠基材上整合之TFT與LED的優 點。然而吳（u)等進一步提及此一裝置會因所使用材料之 機械與化學上的不穩定性而難以製造。吳（Wu )等所述之整 合式裴置基本上必須先於基材上形成TFT，再形成LED。 TFT驅動具有機層之需要性亦於μ ·哈特里斯（Hata 1 i s ) 等於1997年SP IE第3057卷第277-286頁之n多晶矽TFT主動 式矩陣有機E T L顯示裝置11中提及。哈特里斯等說明多晶矽 TFT與有機LED於玻璃基材上之整合。哈特里斯等所說明之 TFT結構具有已摻雜多晶矽源極與汲極區域形成於玻璃基 $ ^ ’間極介電材料為藉由於含氧大氣中加熱其上形成有 ^ :曰矽之基材至1 〇 〇 〇。〇而形成。閘極亦為已摻雜多晶矽。 二氧化矽層形成於TFT裝置上，並有一接點開口蝕刻穿過 鈍ϊ ϋ源極與汲極區域並以鋁填充，形成於鈍態層頂端 點用二ί!撝線為圖案化之鋁金屬。另一其中蝕刻有畫素接 阌索& > Ϊ孔的鈍態氧化層形成於鋁上，於鈍態層上形成 〒案=二化銦錫(ΙΤ0)層。主動有機材料形成於ΙΤ0之 上二再於其上形成頂部電極。 中i Ξ Ϊ:Ϊ所說明之裝置亦難以製*，特別是製造程序 因此▽r =理以及多次微影蝕刻步驟來形成導通孔。 LED與TFT早式整合之LED與TFT需要能使用簡化方法形成
410478
五、發明說明（3) 發明概述 本發明係關於薄膜電晶體（m)以 一 (LED)整合之裝置u該1£：1)具有單声式，，、叙光二極體 該材料中電子或電洞會發生移動^電㈢主動材料（即在 電氣接點，陽極則為—注入二為至二入/子上主動層之 TFT中’ t子或電洞移動發生於半導s之 '广，點。在 層主動層與m的半導體層為有機材W中，LED的至少— 這些有機材料層相當容易形成於基材上，這 十觀點與製造觀點均為較佳。®此，當於整合 卜：置中使用有機材料時’丨以有許多不同的裝置構造。 iL:可使用多種不同的製造技術來形成此類裝置，而有 =擇製造技術的彈性4發明亦係關 濟與 製造此類裝置之方法。 ^ 右裝置構造為光線從LED射出穿過基材，則基材必須為 透=的，玻璃基材或透明塑膠基材均相當適合。若基材為 如聚酯樹脂或聚亞醯胺樹脂之透明塑膠基材則相當有利， 因此類材料為價廉、耐久、可撓與輕量。若裝置構造為光 線不從LED射出穿過基材’則如矽、鋼或不透明塑膠基材 之不透明基材均相當適合。 本發明之具體實施例中’光線發射穿過基材，形成於透 明基材上的L E D裝置之陽極亦為透明，合適的透明陽極持 料範例為透明導電金屬氧化物如氧化錫銦τ〇 )。
第7頁 410478 五 '發明說明（4) 有機TFT之間極接點直接形成於透明基材上。具有主動' 有機層之TFT的間極接點用之合適材料乃為熟知此項技藝 者所習知的’合適的材料範例包括真空蒸滅金屬如金、銘 及鉑、溶解性導電聚合物如聚苯腔、聚（3, 4_·(乙烯-二羥 基）噻吩）與聚吡咯均相當適合，而導電粒子基底聚合物組 成物如銀膠與黑膠（石墨膠）均相當適合。 於裝置構造中’ LED之透明陽極直接形成於透明基材 上，若有機TFT之閘極接點與有機之陽極為相同材料為 較佳，而能使用單—沉積步驟與單一微影處理順序因 此’在本發明的具體實施例中，LED陽極為透明金屬氧化 物’若閘極接點為相同透明金屬氧化物為較佳。 絕緣材料層形成於閘極接點之上，適用於有機71^裝置 之巴緣村料已廣為習知且全部都相當適合。適合的材料範 ==無，材料如二氧化矽（s丨〇2 )與氮化矽（s is队）。溶解性 物"電材料如聚亞醯胺與聚曱基丙烯酸曱酯亦相當適 t ^其他適合的介電材料範例包括感光性聚合物材料如笨 7 %己焊與已商業化旋轉玻璃材料D就處理觀點而言，若 二1為溶解性介電材料 '感光性介電材料或旋轉破埤材 :it佳，—此類椅料較佳乃是因為此類衬料層可使用低成 嘴=Γ技術如旋轉塗布、鑄型與印刷（例如：網版印刷、 A p刷卓人性微影圖案化與嗔塗），軟性微影如併入& 誉考之D t ^ 今”被*秦專於1998年現代化學的課題第194卷第¥ 、化、微小結構與微小系統"中所述。 有機 , v 装置具有源極與汲極接點，適用於有機TFT農置
第8頁 ^10478 五、發明說明（5) '--------_ S^--- 用之源極與汲極接點的材料 合。適合的材料範例包括上逑:直=t且全部都相當適 電聚合物與導電粒子基底聚二-、空蒸鍍金屬、可溶性導 汲極接點形成於絕緣層上或二組成物。典型地，源極輿 體材料層之上形成。 、夕成在絕緣層上的有機半導 合適的具有適當的場效應 性之有機半導體材料範例已2率與其他需要的半導體特 類材料可為p型材料或η型材料，此項技藝者所習知，此 沉積此材料層。例如，使’亩可應用許多不同的技術决 體層如噻吩、具融合環半體來形成Ρ型共輪寡聚 層如可發光的金屬化笨二曱藍、·，上笨二甲藍。η型材料 衍生物之針類、C6fl與四氰基笨吩如？四截基二酐與^胺 適。合適的有機半導體材料 t 6—啉二甲烷均相當合 物、寡聚體與具融合環分子。因槌例為可溶性共軛聚合 低成本處理技術如網版印刷、一。溶性半導體材料可利^ 與噴塗而為較佳。 貝w印刷、軟性微影圖素化 、在LED之陽極上形成有機電洞 為熟知此項技藝者所習知。上哺迗層，有機電洞傳送層 適用於LED之有機電洞傳送声。二型有機半導體材料亦 導體材料相同則對於限制製^造右電洞傳送層之材料與半 化步騍的次數有所助益。、 一裝置所需之沉積與圖案 電子傳送/發光層形 明之具體實施例中，電子傳送機層電：傳送層之上。在本發 陰極再形成於電子傳送層之上Y為8〜羥基I啉鋁（Alq) ’
第9頁 ^10478 五 發明說明（6) ' ------- 上述之震置不僅因其效能，且從絲钮士 I 本觀點可經濟地製造而為較佳^若裝置 觀點，處理成 沉積兩個裝置層（例如：led之陽極k選擇容許同時 β * 刃仏’、u主之閘極；T F T夕主 導體層與LED之電洞傳送層）之考量下為較佳。* = + 範圍内，使用相同的材料來形成LED與？FT兩:t 广===儘可能維持處理的簡單：經濟 為較仏。t兩種裝置均使用忐藉由印刷技術 賀墨印刷將材料沉積於基材上之材料為較佳/ J ^ ‘圖例說明 解圖1為先前技藝之具有與m整合之有機薄膜的led之圖 圖2為本發明之單片式整合TFT與LCd的具體實施例之圖 解’其中兩裝置均具有有機材料之主動層。 圖3為本發明之單月式整合TFT與LCD的第二具體實施例 之圖解’其中兩裝置均具有有機材料之主動層。 發明詳述 e 本發明係關於TFT與LED單片式整合於單片基材上之叢 置’與製造此類襞置之方法。TFT具有源極、汲極、閘極 與通，區域形成於基材上，；LED具有一層或多層主動材料 九在％極與陰極間。熟知此項技藝者明瞭可以許多不同的 構k形成。本文中裝置構造乃是指裝置各部份的彼此間排 例如.TFT的源極、汲極等；主動材料、LED的陽極與 fe極）。在本發明中，所說明的材料與方法乃是用來製造 TFT與LED單片式整合之裝置，為便於說明，以特定的裝置
410478 五、發明說明（7) 之内容來說明材料與方法。然而，本發明並不限定於特定 的T F T或L E D構造，例如，τ F T之源極與汲·極接點可形成於 絕緣材料層或半導體層上。任一構造之TFT均可適當的運 作。 參照圖2之本發明具體實施例之一’單片式整合有機τ f τ 與LED 2 0 0以下述順序形成。首先沉積導電層於透明基材 2 0 5上，為簡化處理，該層作為場效應TFT(FET)2(U之閘極 215與LED 202之陽極216為較佳。該層以低.電阻之材料（小 於約1 0_2歐姆-公分）製成以作為FET之閘極21 5 «該層亦具 有低電阻、高光學透過率與相當高的功能以作為LED 202 之陽極2 1 6。滿足這些條件之材料之範例包括氧化銦錫 (ITO)與氧化錫（厚度大於約丨〇〇〇埃）。 在本發明的具體實施例中，其中閘極以不同於LED陽極 之材料製成，金屬如金亦相當適合當作FET之閘極2 1 5，可 洛性導電聚合物如聚苯胺、聚（，4 —乙烯-二羥基噻吩）與聚 吼略均相當適合，導電粒子基底聚合物組成物如銀膠與黑 膠亦相當適合。 導電層圖案化確立FET之閘極2 15與LED之陽極216 ’例 如，在圖案化完成後，.藉由印刷或鑄型將材料做成或轉化 成導電層（例如：微鑄型、或導電玻璃之溼圖案化印刷、 導電玻璃之凝膠先驅物），導電層藉由印上蝕刻劑或使用 蝕刻劑與可除去的遮罩來移除特定區域之均一沉積層^在 具體實施中，藉由印上可用來確立阻抗層之渔式圖案 或可黏性促進劑/抑制劑圖案以完成圖宰化。亦可藉由在
第11頁 410478 五 發明說明（8) 基K f無電解沉積用催化劑或起始劑(例如： ; *沉積用之金膠體）。沉積所 需的圖：2 :層的添加法較佳乃是因為可消除除去該層 之部分以付到所需的圖案之需要，而可有效利用導電材 料。
對：ίΪ”除去材料之減去法而言，使用可當做TFT 阻！的製造程序為較佳，❹，感光性聚 亞可當做光阻層。在層當做光 =的入導電層圖案化後，保留在基材上的遮罩 可當做FET 201之介電層22〇。 FET 201 之介電層 22n ^ ^ έή S ^ Ψ ^ ^ 形成後，該層提供FET閘極與電極 T』：；大於譬F~)。介電顧
Dr將介^^壓（即小於40伏特）運作並與導電層化 子相合將聲層22〇圖案化使其不會罢住10 20?之嗒朽 216。在該具體實淪仓丨+ 个矿现住LED 202之％極 包括選擇性除去介電居：阻與"電層為相同材料，形成 份之已圖案化之介^路出至FET閘極接點與LED陽極的部 將介電層形成柃心：二在其他的方法[，使用印刷方法 言，以圖案化後可固：之¥電層。對於許多印刷技術而 液、懸浮液或沪匕漿）Λ之液態狀(例如：預聚合物或溶 化聚合物的許多類型1二層來處理為較佳。熱或光化學硬 甲基丙稀酸甲嗤為此:二適合f做介電[聚亞酿胺與聚 他範例包括感光性卞^料之犯例。合適的介電材料之其 在基材上形戍Ui!與旋轉玻璃° 』丨電層後’沉積FET 201之源極電
第12買 410478 五、發明說明（9) J2二與材及:。電二或:參照圖3之另-具體實施例)FET之 層=圖3說明f t 後再形成FET裝置之半導體材料 材料声## ^ ^明之具體實施例，其中FET裝置之半導體 之社^因技；FET的源極與汲極電極形成之前。圖2中所晝 形咸之後所沉Ϊ Γ ί t $ 之沉積不會影響在接點 點提供對。Ϊ +體層。然而，圖3之結構因頂端接 的界面較：：Ϊ S佳古的界面以及半導體層與頂端接點間 在太# ΗΒ易心改右有此需要）以改善電氣之連接性。 積半導體材施例中’電極印在基材上，對於先沉 適用於0接為較仏，因已印好之電極通常相當厚而無法 料必須：良ΐ:極；土！：；動材料〇ΕΤ °電極用之材 刷方ν肢舆』丨電材料化學性相容並且適於使用印 理“例如.其對於某些印刷技術，必須可用溶劑處 ’電極與主動材料間界面的特性必須容許FET合理的運 在某些具體實施例中’於電極與主動材料間形成一内 例t改善某些需要的特性。符合這些條件的電極材料之範 歹包括由懸浮液沉積之導電碳、由溶液沉積之聚苯胺、導 電銀膠與前述之材料。 參照圖2，電極225與226形成後，再沉積半導體材料 Ο 〇 Λ 。此材料必須具有得到所要求性能之FET之特性。對大 部分的應用而言，遷移率大於1〇-3 cm2/Vs與開/關比大於 10(以及導通率小於1〇-5 S/cm)即可，雖然半導體層230僅 秦以很·窄的區域存在於源極225與汲極2 2 6間，但選擇亦可
第13頁
"'··· ________ I 410478 五、發明說明（1Q) 當做LED202用之電洞傳送層235的半導體材料為較佳^ 此類材料之範例包括下列p型半導體材料：寡噻吩（即 Di-R- α-nT其中η為4至8，T為2,5-噻吩二離子而尺為 CmH2m+l 其中 m 為 0 至18 或CyH2y+1OCzI-I2z 其中 z + y = 4 至 17，y 大於 0而z大於2);五環素；Di-R-蒽二噻吩（其中R如前所述）； 雙-苯駢噻吩以及笨二曱藍配位化合物，其中配位基為如 銅、鋅、錫、鐵或氣之任一金屬。合適的蒽二噻吩半導體 如併入本文供參考之J.拉昆達南（Laquindanum)等於ι998 年美國化學學會期刊（j· Am_ Chem. Soc.)第120卷第 6 6 4-6 72頁之’’恩二嚷吩之合成、型態以及場效應遷移率” 中所述。合適的苯駢噻吩如併入本文供參考之j .拉昆達 南（1^91^11(^1111111)等於1997年高等材料（^1^.^1;61_.)第 9(1)卷第36-39頁之”做為半導體建造區塊之苯駢噻吩π中 所述。 利用真空沉積來沉積此類材料。某些上述材料如Di _R_ mT其tn為4至8，而^CmH2m+i其中„^416以及Di〜R_ 二噻吩（其中為Ce Hu )在包括如氣苯與丨，2，4 -三氯苯之苯環 溶劑的某些溶劑中的溶解度有限。因此此類材料可藉由^ 轉塗布、澆鑄以及印刷沉積於基材上。具有此類半導體材 料之F E T與或裳置之製造方法如併入本文供參考之η .凯兹 (Katz)等於1998年化學村料（Chem_ Mater.)第10卷第2期 第633-638頁之”伸長且噁取代之“，α -二烷基噻吩暮聚物 之合成、溶解度以及場效應遷移率。’極性介質’合成策略 與電晶體基材上的溶液沉積之延伸"中所述。此類化合物
第14頁 410478 五、發明說明（11) 可澆鑄成具較其他液態為低之關閉導通 率薄膜，而能提供具較高開/關比之薄犋：、薄馭，高遷移 如圖2所述，在本具體實施例中之半雕 ， 積於FET 201區域與LED 20 2區域兩者之肢材料均勾地沉 化。若半導體材料2 3 0需要圖案化（圖3)上，且不需圖案 刷之材料，且材料溶解於溶劑而可跟八蛩f該材料為可印 為較佳。其中烷基含有約2至約丨〇碳原〃⑭電極材料相容 吩）為滿足這些要求之材料。此τ F τ努菩上、水（3烷基噻 之Z.鮑（一等於i 9 96年應周物理文、（二i入二文供參考
Lett.)第 69 卷第 26 期第 4108 - 4110 頁之"田 士， yS. * 場效應電晶體的可溶性與可處理之聚』=遷移率薄膜 述。此聚合物因能提供連續的薄膜 =D基吩）中所 供均勻性。 mW及因此能在裝置中提 例中，FET中的主動半導體層為 = 〜/VS與殘留導通率小糧5 於=有機聚5物，這些FET裝置具有在㈣時開關比大 甲料之其他範例包括”材料如I化苯二 、ίΐ 配位基如前所述、尨四截基二酐與醢 亞月女十丁生物之酐類、ρ 办1 眩册 m / 、 “/、^，^^，以-四氰基苯酚^- 唼啉一甲烷（TCNNQ)。 成於基材上。 型+ V體材料使用真空蒸鍍形 >儿積L E D 2 0 2所雷夕甘/1 1丨11 ^ 200。若FET用Λ道 成單片式整合之裝置 半導體材料未做為電洞傳送層（圖3 )，或
第15頁 410478 五、發明說明（12) 者未沉積於LED陽極2 1 6上時，則為能達到所需的性能而必 須形成電洞傳送層2 3 5，合適的電洞傳送材料包括n，N，-聯 苯-N，Ν’ -雙-(3-曱基苯基）-1，1-聯苯 _4,4’ -二胺（TPD)。 電子傳送/發射層（ETL) 240沉積於電洞傳送層235上後再沉 積陰極245以完成LED ’ ETL用之材料包括聚乙烯二甲笨與 8 -羥基喹琳鋁（A 1 q )。電子傳送材料之其他範例包括2 — ( 4 __ 聯苯基）-5-(4 -參-丁基苯基）-丨，3, 4 -曙二唑（PBD)、2 -苯 酚基-4, 5_雙（4~甲氧苯基）一1( 3一噚（ΝΑρ〇χΑ)、雙一（8一羥基 曱基喹啉）鋁與雙（10-羥基苯駢—羥基啉鋅（ZnBq2)。合適 的陰極材料之範例包括銘與|丐。 ^需要圖案化之發光LED，可將陰極圖案化，例如，在 ，崧發時使用遮罩即可。就處理的觀點而言，將ETL取代 ^極來圖案化為較佳。若ETL圖案化可行，低成本鑄型對 策可用來調整膜厚及其所發出之光的強度。ppv為ETL的— 個以此一方法處理之範例。 在處理效率的另一範例中，可用來製造71^與LEI)，led 之陰極材料亦可當做源極與汲極。 、下列材料與製程用來形成τ F T為較佳，因為其製程及材 料與形成於I TO玻璃上之LED之形成有报好的整合。ITO為 TFT之閘極與LED之陽極，若閘極電極轎由於ϊΤ〇上印上— 層有著所需圖案之如聚胺基曱酸酯的光阻材料以圖案化為 較佳。不需要的ΙΤ〇區域則透過圖案曝光，並使用傳統蝕 刻劑除去。然後將已圖案化之光阻除去。另外，於I TO層 印上韻刻劑以於Ϊ T 0層做出所需圖案。
第16頁
410478
五、發明說明（13) 然後將TFT裝置之介電層^ 電材料之範例包括聚亞印#TFT之閘極上。可印刷之介 然後以印刷 '鑄型、扩胺與聚甲基丙烯酸甲酸。 聚物（例如：二己基~ α 轉塗布或喷佈液態可處理共軛寡 吩））於基材上以形成TFT 或共軛聚合物（如聚（3_己基噻 若源極與汲極接點（亦 m續 間隔大於25貝，丨源極：炻：）之最小尺寸或兩者間的 材料(如銀油墨或石墨油電極可使用導電粒子組成 最小尺寸大於乃㈣二用由:”::機嘴出…^ -5Τ- ^ ^ ^ ^ ^ /V ^ ..吏用 '-罔版印刷）β另外如聚苯胺之 田道^ Μ工π接+ ^基材上，若最小尺寸大於1 ,可 用導電粒子 >儿積或導電平人私^ ,、，Ζ ^ 电^ S物以毛細官狀微鑄型於基材 上。源極與汲極接點的复中夕 闰安外石T m J丹〒之一圖案化至LED之陽極。 TFT形成於ΙΤ0上後，置厣十少成丁㈣立/丄、 欠早層或多層LED形成於基材上。若 可使用真空沉積，電洞傳送層（例如：N}N，_聯苯_N，N，—雙 -(3 -甲基苯基）-1，1-聯笨_4,4，_二胺（TpD))以真空沉積於 陽極上，發光/電子傳送層（例如：8_羥基喹啉鋁（Alci))以 真空沉積於電洞傳送層上，可使用真空沉積之主動材料其 他範例如併入本文供參考之A.度達巴拉波（DodabaUpur〇 於 1997 年固態通訊（Solid State Communication)第 102 卷 第259-267頁之π有機發光二極體"中所述。 若由溶液沉積LED之主動材料為較佳，電洞傳送層（例 如：聚苯基氣乙烯（PPV))形成於基材上。PPV於TFT之介電 層形成前形成於陽極上，PPV層由以使用調節葉片來沉積 於基材上之PPV先驅物藉由在真空下將基材加熱至2 60 °c而
第17頁 _410478_ 五、發明說明（14) 熱轉化為PPV來形成。電子傳送/發光層在已形成之源極與 汲極電極上藉由印刷、鑄型、旋轉塗布聚（氰對苯二曱醞 啶）（CN-PPV)形成於基材上。 在另一具體實施例中，單一 L E D主動層藉由印刷、鑄 型、旋轉塗布含有聚（甲氧基-5-2’-乙基-己氧基）-1，4-苯 基氯乙烯之溶液來形成。可用相似的方法沉積之其他主動 材料範例與其適合的條件如併入本文供參考之A. 卡拉福 特（Kraft)等於1998 年Angew. Chem_ Int. Ed•第37卷第 4 0 2 -428頁之"電場發光共軛聚合物一發現聚合物有新的光 芒”中所述。 在本發明的某些具體實施例中，一個以上的TFT與一個 以上的LED單片式整合在一起。在某些情況下，當一個以 上的TFT與單一單片式整合時，LED之功率損耗會大幅減 少。當本發明之裝置與顯示裝置及/或系統結合時，可將 其視為一個以上的TFT將驅動一個以上的LED，顯示裝置將 具有本發明之單片式整合裝置的多重行與多重列，具有本 發明之叢置的系統亦包括合適的驅動電路。
第18頁

Claims (1)

  1. 六、申請專利ίϊϊ ' ' -- 一種包含與至少一個薄膜電晶體單片式整合之發光二 ^立之^置’其中發光二極體包含陽極、陰極斑至少一層 ^文發光材料炎在陽極與陰極間之主動層，而薄膜電晶體 及源極與汲極接點間之半導體材料使得從源極流向 電曰：會從源極流經半導體材料再到汲極，豆中薄膜 ，阳肢與發光二極體形成於單一、 /、 、 缚膜電晶體之半導體材料與至少：：基材i ’而其中 為有機材料。 θ \先二極體之主動層 2. 如申請專利範圍第丨項之 步包括一形成於基材上的閘極，复、中薄膜電晶體進一 與薄膜電晶體之閘極為單一材料層了中發光二極體之陽極 3. 如申請專利範圍第2項之裝置，复 括電荷負載材料層。 ”中主動層進一步包 4. 如申請專利範圍第3項之裝 導體材料舆發光二極體之電荷、負載其中薄臈，晶體之半 5. 如申請專利範圍第4項之裝置載材科為相同材料。 電洞傳送材料。 ”中電荷負哉从』丨 β , ± ± $載材料為 /、.·_如申岣專利範圍第5項之裝置， :J體材料係選自包括寡噻吩、五環、t荷負載材料與 ”"為CA⑴其中!1!為〇至18或 心、一R、蒽二 y大於0而2大於2、雙〜m分^其中巧=4至1?, 與reg10regular聚（3—烷基噻吩）。—甲藍靶位化合物 7,如申請專利範圍第4項之妒置 少其中之一電氣連接至陽極。、，其中源極輿汲極的至
    O:\57\57661.PTD 第丨9 ϋ ^10478 六、申請專利範圍 ' 8#如中請專利範圍第7項之裝置，纟中基材為透明 溥腠電晶體之閘椏與發光二極體之陽極為氧化銦錫。 9·如申請專利範圍第8項之裝置，其中該透明基材材 係選自包括玻璃、聚酯與聚亞胺。 外 1 0,如申請專利範圍第9項之裝置，其中複數個薄膜 體II光二極體單片式整合在一起^ 晶 一種製造單片式整合之薄膜電晶體與發光二極體 ： 之y基材上形成薄膜電晶體之閘極接點與發光二极题 於閘極接點上形成介電材料層； 於介電材料層上形成有機半導體材料層； f成薄膜電晶體之源極接點與汲極接點， 點與汲極接點形成在有機於/、中W原、極接 成之前或之後，而其中源極；；介電材料層上形 陽極丨 变...、占與波極接點之一電氣迷至 於發光二極體之陽極上形 於有機發光材料層上形成陰極機發光材料層；及 1 2·如申請專利範圍第丨丨項3 陽極由單層導電材料形成。 万法，其中該閘極接點與 1 3‘如申請專利範圍第12項之. 機發光材料層形成前於陽極/法，其進一步包括在有 14·如申請專利範圍第13項W電洞傳送層; 之該有機半導體材料與該發 法，其中該薄膜電晶體 … a叱二極體之該電洞傳送材料為 *—--------- 41〇4γ^ 六、申請專利範圍 相同的ρ型半導體材料 1 5.如申清專利範圍苐I 4項 料係選自包括寡噻吩、五環素 ，其中該Ρ型半導體材 其中m為0至！ 8 ' 3 — +蒽=3其"為 而Ζ大於2、雙-苯駢二噻吩、苯二'、中f + y = 4至17，y大於〇 regioreguUr聚（3 -烷基噻吩）。~ ?藍配位化合物與 16.如申請專利範圍第12項之 由於該薄膜電晶體之閘極接點上£ 其中該介電材料藉 1 7.如申請專利範圍第1 6項之方^刷介電材料層來形成。 藉由印刷半導體材料層來形成^ '，其中該半導體材料 其中該半導體材料 其中該半導體材料 18.如申請專利範圍第16項之 藉由旋轉塗布半導體材料層來步成 1 9·如申請專利範圍第1 6項之〃。 藉由喷塗液態可處理共軛寡取法’其中該半導I ^ 2 〇 .如申請專利範圍第丨2項久’水合物來形成。 ☆印刷源極接點與没極接接點與 2 1.如申請專利範圍第丨2 *之材料來形成。 由印刷來形成。 其中該主動材料藉 其中該主動材料藉 其中戎主動材料藉 22. 如申請專利範圍第12 由鑄型來形成。 之方法 23. 如申請專利範圍第12項 由旋轉塗布來形成。 方法 24. 如申請專利範圍第12項 成作為-蝕刻光罩，其係用 成於、中該介電層係形
    來形成位於導電材料下層的嗎 410478
    第22頁
TW088104690A 1998-05-29 1999-03-25 Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode TW410478B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8720198A 1998-05-29 1998-05-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW410478B true TW410478B (en) 2000-11-01

Family

ID=22203697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088104690A TW410478B (en) 1998-05-29 1999-03-25 Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6150668A (zh)
EP (1) EP0962984A3 (zh)
JP (1) JP2000029403A (zh)
KR (1) KR19990088592A (zh)
TW (1) TW410478B (zh)

Families Citing this family (196)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6623870B1 (en) * 1996-08-02 2003-09-23 The Ohio State University Electroluminescence in light emitting polymers featuring deaggregated polymers
US6194167B1 (en) * 1997-02-18 2001-02-27 Washington State University Research Foundation ω-3 fatty acid desaturase
JP3520396B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
KR100627091B1 (ko) * 1997-08-21 2006-09-22 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액티브 매트릭스형 표시장치
AU3987299A (en) 1998-05-12 1999-11-29 E-Ink Corporation Microencapsulated electrophoretic electrostatically-addressed media for drawing device applications
US6384804B1 (en) * 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
GB2350926A (en) * 1999-05-27 2000-12-13 Seiko Epson Corp Monolithic,semiconductor light emitting and receiving device
TW527735B (en) 1999-06-04 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
US6720572B1 (en) * 1999-06-25 2004-04-13 The Penn State Research Foundation Organic light emitters with improved carrier injection
TW556357B (en) 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
AU7091400A (en) 1999-08-31 2001-03-26 E-Ink Corporation Transistor for an electronically driven display
AU7094400A (en) 1999-08-31 2001-03-26 E-Ink Corporation A solvent annealing process for forming a thin semiconductor film with advantageous properties
TW480722B (en) * 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
GB9926670D0 (en) * 1999-11-12 2000-01-12 Univ Liverpool Field effect transistor (FET) and FET circuitry
GB9929614D0 (en) * 1999-12-15 2000-02-09 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing a transistor
CN100379048C (zh) * 1999-12-21 2008-04-02 造型逻辑有限公司 形成互连
WO2001046987A2 (en) * 1999-12-21 2001-06-28 Plastic Logic Limited Inkjet-fabricated integrated circuits
US6767774B2 (en) * 1999-12-28 2004-07-27 Intel Corporation Producing multi-color stable light emitting organic displays
JP2001267578A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその製造方法
TW521226B (en) * 2000-03-27 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
EP1275156B1 (en) * 2000-04-18 2009-08-05 E Ink Corporation Process for fabricating thin film transistors
US6692845B2 (en) * 2000-05-12 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US6696370B2 (en) * 2000-06-16 2004-02-24 The Penn State Research Foundation Aqueous-based photolithography on organic materials
DE10033112C2 (de) * 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
KR100462712B1 (ko) * 2000-08-10 2004-12-20 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 유기전자장치와 그 제조방법과 그 동작방법 및 그것을 사용한 표시장치
US20040029310A1 (en) * 2000-08-18 2004-02-12 Adoft Bernds Organic field-effect transistor (ofet), a production method therefor, an integrated circut constructed from the same and their uses
EP1309994A2 (de) 2000-08-18 2003-05-14 Siemens Aktiengesellschaft Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
DE10043204A1 (de) 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
DE10044842A1 (de) * 2000-09-11 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters
DE10045192A1 (de) 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
WO2002025750A1 (de) * 2000-09-22 2002-03-28 Siemens Aktiengesellschaft Elektrode und/oder leiterbahn für organische bauelemente und herstellungsverfahren dazu
KR100586241B1 (ko) 2000-10-28 2006-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 및 제조방법
JP2002215065A (ja) * 2000-11-02 2002-07-31 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器
DE10061299A1 (de) 2000-12-08 2002-06-27 Siemens Ag Vorrichtung zur Feststellung und/oder Weiterleitung zumindest eines Umwelteinflusses, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu
DE10061297C2 (de) * 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
DE10063721A1 (de) * 2000-12-20 2002-07-11 Merck Patent Gmbh Organischer Halbleiter, Herstellungsverfahren dazu und Verwendungen
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
TW525402B (en) 2001-01-18 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Process for producing a light emitting device
DE10105914C1 (de) 2001-02-09 2002-10-10 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung
SG143944A1 (en) 2001-02-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US6720198B2 (en) 2001-02-19 2004-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US6980710B2 (en) * 2001-03-09 2005-12-27 Waveguide Solutions Inc Process for efficient light extraction from light emitting chips
US7301279B2 (en) * 2001-03-19 2007-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same
JP2005509200A (ja) * 2001-03-26 2005-04-07 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 少なくとも２つの有機電子構成エレメントを有する装置、および該装置のための製造方法
KR100495702B1 (ko) * 2001-04-13 2005-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4841751B2 (ja) * 2001-06-01 2011-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 有機半導体装置及びその作製方法
DE10126860C2 (de) * 2001-06-01 2003-05-28 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen
TW588570B (en) 2001-06-18 2004-05-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of fabricating the same
TW548860B (en) * 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
US6727970B2 (en) 2001-06-25 2004-04-27 Avery Dennison Corporation Method of making a hybrid display device having a rigid substrate and a flexible substrate
US6856086B2 (en) * 2001-06-25 2005-02-15 Avery Dennison Corporation Hybrid display device
JP3696131B2 (ja) * 2001-07-10 2005-09-14 株式会社東芝 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
EP1423991A4 (en) * 2001-07-27 2009-06-17 Univ Ohio State METHOD FOR PRODUCING POLYMER LIGHT EMISSION ELEMENTS BY LAMINATION
US7662009B2 (en) 2001-08-10 2010-02-16 Panasonic Corporation Organic electronic device, method of producing the same, and method of operating the same
EP1285957A3 (en) * 2001-08-20 2005-12-21 TDK Corporation Organic electroluminescent device and method of its preparation
US6524884B1 (en) 2001-08-22 2003-02-25 Korea Electronics And Telecommunications Research Institute Method for fabricating an organic electroluminescene device having organic field effect transistor and organic eloectroluminescence diode
KR20030017748A (ko) 2001-08-22 2003-03-04 한국전자통신연구원 유기물 전계 효과 트랜지스터와 유기물 발광 다이오드가일체화된 유기물 전기 발광 소자 및 그 제조 방법
JP4244126B2 (ja) * 2001-09-28 2009-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
DE10151036A1 (de) * 2001-10-16 2003-05-08 Siemens Ag Isolator für ein organisches Elektronikbauteil
DE10151440C1 (de) * 2001-10-18 2003-02-06 Siemens Ag Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
US6946676B2 (en) * 2001-11-05 2005-09-20 3M Innovative Properties Company Organic thin film transistor with polymeric interface
JP4269134B2 (ja) * 2001-11-06 2009-05-27 セイコーエプソン株式会社 有機半導体装置
JP4149168B2 (ja) 2001-11-09 2008-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US6731064B2 (en) * 2001-11-20 2004-05-04 International Business Machines Corporation Yield enchancement pixel structure for active matrix organic light-emitting diode displays
DE10160732A1 (de) * 2001-12-11 2003-06-26 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu
US6918807B2 (en) * 2001-12-21 2005-07-19 Ritdisplay Corporation Manufacturing methods of transparent electrode plates and organic flat emitting devices
US6677607B2 (en) * 2002-01-25 2004-01-13 Motorola, Inc. Organic semiconductor device having an oxide layer
KR20020025918A (ko) * 2002-02-15 2002-04-04 박병주 습식 공정으로 제작된 유기 반도체 디바이스 및 유기전계발광 소자
JP2003309268A (ja) * 2002-02-15 2003-10-31 Konica Minolta Holdings Inc 有機トランジスタ素子及びその製造方法
JP2003258256A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Konica Corp 有機ｔｆｔ装置及びその製造方法
JP2003264067A (ja) * 2002-03-07 2003-09-19 Ricoh Co Ltd 機能性素子基板、その製造装置、画像表示装置および画像表示システム
US20030235921A1 (en) * 2002-06-24 2003-12-25 Lucent Technologies Inc. Forming electrical contacts to a molecular layer
US7229847B2 (en) * 2002-03-15 2007-06-12 Lucent Technologies Inc. Forming electrical contacts to a molecular layer
DE10212640B4 (de) * 2002-03-21 2004-02-05 Siemens Ag Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren
DE10212639A1 (de) * 2002-03-21 2003-10-16 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrukturierung von Funktionspolymeren und Verwendungen
US20030193055A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Martter Robert H. Lighting device and method
EP1357163B1 (en) * 2002-04-24 2006-05-31 MERCK PATENT GmbH Reactive mesogenic benzodithiophenes
US7223672B2 (en) * 2002-04-24 2007-05-29 E Ink Corporation Processes for forming backplanes for electro-optic displays
JP3986051B2 (ja) 2002-04-30 2007-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器
JP2004031933A (ja) * 2002-05-09 2004-01-29 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタの製造方法及び、それにより製造された有機薄膜トランジスタと有機薄膜トランジスタシート
GB2388709A (en) * 2002-05-17 2003-11-19 Seiko Epson Corp Circuit fabrication method
US6727645B2 (en) * 2002-05-24 2004-04-27 International Business Machines Corporation Organic LED device
DE10226370B4 (de) 2002-06-13 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET)
US6811815B2 (en) 2002-06-14 2004-11-02 Avery Dennison Corporation Method for roll-to-roll deposition of optically transparent and high conductivity metallic thin films
EP1376697A1 (en) * 2002-06-17 2004-01-02 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA Integrated-optical microsystem based on organic semiconductors
US6642092B1 (en) * 2002-07-11 2003-11-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Thin-film transistors formed on a metal foil substrate
SG130013A1 (en) 2002-07-25 2007-03-20 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating light emitting device
WO2004017439A2 (de) 2002-07-29 2004-02-26 Siemens Aktiengesellschaft Elektronisches bauteil mit vorwiegend organischen funktionsmaterialien und herstellungsverfahren dazu
US6821811B2 (en) 2002-08-02 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, and semiconductor device having the organic thin film transistor
US20060079327A1 (en) * 2002-08-08 2006-04-13 Wolfgang Clemens Electronic device
DE50306683D1 (de) 2002-08-23 2007-04-12 Polyic Gmbh & Co Kg Organisches bauelement zum überspannungsschutz und dazugehörige schaltung
TW554525B (en) * 2002-08-28 2003-09-21 Ind Tech Res Inst Organic integration device of thin film transistor and light emitting diode
JP4547852B2 (ja) * 2002-09-04 2010-09-22 富士ゼロックス株式会社 電気部品の製造方法
WO2004026002A1 (en) 2002-09-11 2004-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and fabrication method of the same
JP4434563B2 (ja) * 2002-09-12 2010-03-17 パイオニア株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR100502856B1 (ko) * 2002-09-17 2005-07-21 주식회사 미뉴타텍 유기 발광 소자
DE10247817A1 (de) * 2002-10-14 2004-04-22 Infineon Technologies Ag Polymertransistor-Anordnung, integrierte Schaltkreis-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer Polymertransistor-Anordnung
JP2004152958A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Pioneer Electronic Corp 有機半導体装置
EP1559148A2 (de) * 2002-11-05 2005-08-03 Siemens Aktiengesellschaft ORGANISCHES ELEKTRONISCHES BAUTEIL MIT HOCHAUFGELöSTER STRUKTURIERUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAZU
JP2004158669A (ja) * 2002-11-07 2004-06-03 Konica Minolta Holdings Inc 半導体性組成物及びそれを用いる電界効果トランジスタ
US7180099B2 (en) 2002-11-11 2007-02-20 Oki Data Corporation Semiconductor apparatus with thin semiconductor film
DE10253154A1 (de) * 2002-11-14 2004-05-27 Siemens Ag Messgerät zur Bestimmung eines Analyten in einer Flüssigkeitsprobe
CN1332448C (zh) * 2002-12-03 2007-08-15 友达光电股份有限公司 有源式有机发光二极管的像素结构及其制造方法
US7176484B2 (en) * 2002-12-09 2007-02-13 International Business Machines Corporation Use of an energy source to convert precursors into patterned semiconductors
KR100956338B1 (ko) * 2002-12-11 2010-05-06 삼성전자주식회사 Ｘ-ｒａｙ 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판
US7038540B2 (en) * 2003-02-14 2006-05-02 Powerwave Technologies, Inc. Enhanced efficiency feed forward power amplifier utilizing reduced cancellation bandwidth and small error amplifier
EP1586004B1 (de) * 2003-01-09 2011-01-26 PolyIC GmbH & Co. KG Platine oder substrat für ein organisches elektronikgerät, sowie verwendung dazu
CN1531077B (zh) * 2003-03-14 2010-07-28 友达光电股份有限公司 用以制造薄膜晶体管导线结构的镶嵌法工艺
CN100373630C (zh) * 2003-04-11 2008-03-05 友达光电股份有限公司 主动矩阵式有机电致发光显示组件及其制造方法
US7354127B2 (en) * 2003-07-16 2008-04-08 Seiko Epson Corporation Method for forming ejection-test pattern, method for testing ejection, printing apparatus, computer-readable medium, and printing system
DE10338277A1 (de) * 2003-08-20 2005-03-17 Siemens Ag Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität
DE10339036A1 (de) 2003-08-25 2005-03-31 Siemens Ag Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu
DE10340644B4 (de) * 2003-09-03 2010-10-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Mechanische Steuerelemente für organische Polymerelektronik
DE10340643B4 (de) 2003-09-03 2009-04-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Druckverfahren zur Herstellung einer Doppelschicht für Polymerelektronik-Schaltungen, sowie dadurch hergestelltes elektronisches Bauelement mit Doppelschicht
EP1679752B1 (en) 2003-10-30 2011-11-30 Panasonic Corporation Conductive thin film and thin-film transistor
JP4887615B2 (ja) * 2003-11-17 2012-02-29 富士ゼロックス株式会社 有機半導体トランジスタ素子、これを用いた半導体装置および該半導体装置の製造方法
US7659138B2 (en) * 2003-12-26 2010-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an organic semiconductor element
US7554121B2 (en) * 2003-12-26 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor device
US8188643B2 (en) * 2003-12-26 2012-05-29 Panasonic Corporation Display apparatus
DE102004002024A1 (de) * 2004-01-14 2005-08-11 Siemens Ag Organischer Transistor mit selbstjustierender Gate-Elektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
GB0400997D0 (en) * 2004-01-16 2004-02-18 Univ Cambridge Tech N-channel transistor
US7332861B2 (en) 2004-02-05 2008-02-19 Agilight, Inc. Light-emitting structures
KR100669708B1 (ko) * 2004-02-11 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치와, 이를 제조하기 위한 방법
KR100669720B1 (ko) * 2004-08-06 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
DE102004040831A1 (de) 2004-08-23 2006-03-09 Polyic Gmbh & Co. Kg Funketikettfähige Umverpackung
US8053763B2 (en) 2004-08-30 2011-11-08 Rohm Co., Ltd. Organic semiconductor light emitting device and display device using the same
KR100669733B1 (ko) 2004-10-14 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기전계 발광표시장치
US20060088962A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Herman Gregory S Method of forming a solution processed transistor having a multilayer dielectric
JP2006156983A (ja) * 2004-10-29 2006-06-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置とその作製方法
US7321133B2 (en) * 2004-11-17 2008-01-22 Plextronics, Inc. Heteroatomic regioregular poly(3-substitutedthiophenes) as thin film conductors in diodes which are not light emitting or photovoltaic
US20070216292A1 (en) * 2004-12-06 2007-09-20 Satoshi Seo Composite Material Including organic Compound And Inorganic Compound Light-Emitting Element And Light-Emitting Device Using The Composite Compound, And Manufacturing Method Of The Light-Emitting Element
KR100731547B1 (ko) * 2004-12-09 2007-06-22 한국전자통신연구원 유기 전기발광소자와 유기 전계효과 트랜지스터의 집적방법
DE102004059467A1 (de) * 2004-12-10 2006-07-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Gatter aus organischen Feldeffekttransistoren
DE102004059464A1 (de) 2004-12-10 2006-06-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbauteil mit Modulator
DE102004059465A1 (de) 2004-12-10 2006-06-14 Polyic Gmbh & Co. Kg Erkennungssystem
TW200623960A (en) * 2004-12-20 2006-07-01 Univ Nat Chiao Tung Device for integrating organic transistor with organic light emitting diode via heterogeneous interface
DE102004063435A1 (de) 2004-12-23 2006-07-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Organischer Gleichrichter
JP4731949B2 (ja) * 2005-02-25 2011-07-27 株式会社沖データ 半導体装置、ｌｅｄヘッド、及びこれを用いた画像形成装置
DE102005009819A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe
DE102005009820A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe mit organischen Logik-Schaltelementen
KR101112534B1 (ko) * 2005-03-04 2012-03-13 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 소자 및 그 제조 방법
GB2424759A (en) * 2005-04-01 2006-10-04 Seiko Epson Corp Inkjet deposition of polythiophene semiconductor material dissolved in halogenated aromatic solvents
DE102005017655B4 (de) 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
KR100708694B1 (ko) * 2005-07-06 2007-04-18 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
US7297926B2 (en) * 2005-08-18 2007-11-20 Em4, Inc. Compound eye image sensor design
DE102005044306A1 (de) 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
US7414262B2 (en) * 2005-09-30 2008-08-19 Lexmark International, Inc. Electronic devices and methods for forming the same
JP4950999B2 (ja) * 2005-10-07 2012-06-13 オスラム シルヴェニア インコーポレイテッド 透光性のヒートシンクを有するｌｅｄ
KR20070039433A (ko) * 2005-10-08 2007-04-12 삼성전자주식회사 표시장치
WO2007051753A1 (fr) * 2005-11-04 2007-05-10 Thomson Licensing Élement electro-optique integrant une diode organique electroluminescente et un transistor organique de modulation de cette diode.
JPWO2007055119A1 (ja) * 2005-11-11 2009-04-30 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法、ｔｆｔシート
KR100683800B1 (ko) 2005-11-12 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR20070063300A (ko) * 2005-12-14 2007-06-19 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US20070215863A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Lucent Technologies Inc. Fabricating apparatus with doped organic semiconductors
US8247801B2 (en) * 2006-03-31 2012-08-21 Imec Organic semi-conductor photo-detecting device
CN100433361C (zh) * 2006-07-10 2008-11-12 友达光电股份有限公司 有机电致发光结构
US7674662B2 (en) * 2006-07-19 2010-03-09 Applied Materials, Inc. Process for making thin film field effect transistors using zinc oxide
TWI316296B (en) * 2006-09-05 2009-10-21 Ind Tech Res Inst Thin-film transistor and fabrication method thereof
JP2008140684A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
DE102007016081A1 (de) * 2007-01-17 2008-07-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung
KR101373491B1 (ko) 2007-02-12 2014-03-12 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법
KR100960492B1 (ko) * 2007-02-13 2010-06-01 주식회사 엘지화학 유기 트랜지스터 및 이의 제조방법
JP2008251872A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 複合型有機発光トランジスタ素子およびその製造方法
GB2450675A (en) * 2007-04-04 2009-01-07 Cambridge Display Tech Ltd Active matrix organic displays
US20080254613A1 (en) * 2007-04-10 2008-10-16 Applied Materials, Inc. Methods for forming metal interconnect structure for thin film transistor applications
US7927713B2 (en) 2007-04-27 2011-04-19 Applied Materials, Inc. Thin film semiconductor material produced through reactive sputtering of zinc target using nitrogen gases
US7768080B2 (en) * 2007-07-30 2010-08-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multilayer dielectric
EP2194582A4 (en) 2007-09-26 2012-01-04 Idemitsu Kosan Co ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
JP2009094413A (ja) * 2007-10-11 2009-04-30 Sumitomo Chemical Co Ltd 薄膜能動素子、有機発光装置、表示装置、電子デバイスおよび薄膜能動素子の製造方法
US7821000B2 (en) * 2008-02-01 2010-10-26 Alcatel-Lucent Usa Inc. Method of doping organic semiconductors
WO2009117438A2 (en) 2008-03-20 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Process to make metal oxide thin film transistor array with etch stopping layer
US7879698B2 (en) * 2008-03-24 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Integrated process system and process sequence for production of thin film transistor arrays using doped or compounded metal oxide semiconductor
KR100931491B1 (ko) * 2008-04-07 2009-12-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP5283980B2 (ja) * 2008-06-12 2013-09-04 出光興産株式会社 有機薄膜太陽電池用材料及びそれを用いた有機薄膜太陽電池
US8258511B2 (en) 2008-07-02 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Thin film transistors using multiple active channel layers
US20100133094A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-03 Applied Materials, Inc. Transparent conductive film with high transmittance formed by a reactive sputter deposition
US20100163406A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-01 Applied Materials, Inc. Substrate support in a reactive sputter chamber
JP5889791B2 (ja) 2009-09-24 2016-03-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ソース・ドレイン金属エッチングのためのウェットプロセスを用いた金属酸化物又は金属酸窒化物ｔｆｔの製造方法
US8840763B2 (en) 2009-09-28 2014-09-23 Applied Materials, Inc. Methods for stable process in a reactive sputtering process using zinc or doped zinc target
DE102010043749A1 (de) * 2010-11-11 2012-05-16 Siemens Aktiengesellschaft Hybride organische Fotodiode
CN102394240B (zh) * 2011-11-18 2013-07-03 贵州大学 一种tft-led彩色阵列显示基板及其制造方法
JP6070073B2 (ja) * 2012-10-31 2017-02-01 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイ
CN104112755B (zh) * 2013-04-16 2016-12-07 浙江恒通电气制造有限公司 覆晶式固态发光显示器
CN104112756B (zh) * 2013-04-19 2016-12-28 浙江恒通电气制造有限公司 主动式固态发光显示器
US9793252B2 (en) 2015-03-30 2017-10-17 Emagin Corporation Method of integrating inorganic light emitting diode with oxide thin film transistor for display applications
US10079264B2 (en) * 2015-12-21 2018-09-18 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Semiconductor devices with integrated thin-film transistor circuitry
US11349052B2 (en) 2019-02-05 2022-05-31 Facebook Technologies, Llc Bonding interface for hybrid TFT-based micro display projector
US11355665B2 (en) 2019-06-19 2022-06-07 Facebook Technologies, Llc Process flow for hybrid TFT-based micro display projector
US11464451B1 (en) 2020-03-11 2022-10-11 Huxley Medical, Inc. Patch for improved biometric data capture and related processes
US11660005B1 (en) 2021-06-04 2023-05-30 Huxley Medical, Inc. Processing and analyzing biometric data

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5319206A (en) * 1992-12-16 1994-06-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method and apparatus for acquiring an X-ray image using a solid state device
JP2821347B2 (ja) * 1993-10-12 1998-11-05 日本電気株式会社 電流制御型発光素子アレイ
US5640067A (en) * 1995-03-24 1997-06-17 Tdk Corporation Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same
KR100248392B1 (ko) * 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
GB9808061D0 (en) * 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990088592A (ko) 1999-12-27
EP0962984A3 (en) 2000-01-12
JP2000029403A (ja) 2000-01-28
EP0962984A2 (en) 1999-12-08
US6150668A (en) 2000-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW410478B (en) Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US7750343B2 (en) Electronic device having an active layer including inorganic semiconductor fine particles covered with a protective layer and producing method thereof
US7126153B2 (en) Organic transistor
US8158971B2 (en) Highly efficient organic light-emitting device using substrate or electrode having nanosized half-spherical convex and method for preparing the same
US9246008B2 (en) Thin-film device, method of manufacturing the same, and method of manufacturing image display apparatus
CN102867914B (zh) 电子器件和半导体器件的制造方法
TW200522362A (en) Thin film transistor array panel using organic semiconductor and a method for manufacturing the same
KR20060089839A (ko) 패터닝된 유기전계발광소자의 제조 방법
US20130009161A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same, and method of manufacturing image display device
JP2009152355A (ja) 有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタ
TWI342077B (zh)
Park et al. Heterogeneous Monolithic Integration of Single‐Crystal Organic Materials
JP5770104B2 (ja) 無電解めっきによる有機薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極の形成方法
TW200541385A (en) Printing of organic electronic devices
Bao et al. Polymer light emitting diodes: new materials and devices
JP2012238753A (ja) 薄膜素子組立体
JP2008060117A (ja) 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2006092809A (ja) シートディスプレイ
WO2006098420A1 (ja) 発光素子及び表示装置
JP2011054774A (ja) 半導体装置の製造方法
US20100127250A1 (en) Method for realizing a thin film organic electronic device and corresponding device
JP5014567B2 (ja) 基体上の誘電体層とその作製方法
TW200926475A (en) Organic semiconductor light emitting device
JP6505857B2 (ja) 有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法
KR20110105784A (ko) 유기 반도체

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent