JP2006156983A - 半導体装置とその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、有機半導体装置の作製において、ゲート電極、ゲート絶縁体層、ソース電極、ドレイン電極および有機半導体層を有する第一の基板に対して、配向膜が形成された第二の基板を有機半導体層と配向膜が接するように備え、有機半導体層を加熱したり、加熱に急冷もしくは徐冷を加えることで有機半導体層を高度に配向させることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
(実施の形態1)
(実施の形態2)
(実施の形態3)
(実施の形態4)
(実施の形態5)
Claims (12)
- 第一の基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁体層を形成し、
前記絶縁体層上に、ソース電極、ドレイン電極、及び有機半導体膜を形成し、
第二の基板上に配向膜を形成し、
前記有機半導体膜の少なくとも一部と、前記配向膜とを接触させることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第一の基板上に有機半導体膜の一部もしくは全部が表面に露出した半導体素子を形成し、
第二の基板上に配向膜を形成し、
前記有機半導体膜の少なくとも一部と前記配向膜とを接触させ、
前記有機半導体膜を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項2において、
前記半導体素子は、前記第一の基板の表面上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上に絶縁体層を形成し、前記絶縁体層上にソース電極、及びドレイン電極を形成して設けられることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項3において、
前記有機半導体膜は、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリフルオレンからなる群から選ばれたいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第一の基板の第一の表面上にゲート電極、絶縁体層、ソース電極、およびドレイン電極を形成し、
第二の基板の第二の表面上に配向膜を形成し、
前記第一の基板の前記第一の表面と前記第二の基板の前記第二の表面とをシール材を用いて貼り付け、
前記シール材と、前記第一の表面及び前記第二の表面に囲まれた領域に有機半導体材料を注入することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項5において、
前記第一の基板上に前記ゲート電極を形成し、前記ゲート電極上に前記絶縁体層を形成し、前記絶縁体層上に前記ソース電極をおよび前記ドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項5または請求項6のいずれか一つにおいて、
前記有機半導体材料は、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリフルオレンからなる群から選ばれたいずれか一で用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項7において、
前記配向膜は、ラビリング法によって作製された膜、SiO等を用いて斜め方向に蒸着した斜方蒸着膜、延伸された高分子鎖を利用した延伸膜、シラン化合物等の界面活性剤で処理した膜、偏向紫外線から照射された膜からなる群から選ばれたいずれか一つを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する第一の基板と、
前記第一の基板上に設けられた第一の導電膜と、
前記第一の導電膜上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた一対の第二の導電膜と、
前記一対の第二の導電膜上に設けられた有機半導体膜と、
前記有機半導体膜の少なくとも一部と接するように設けられた配向膜と、
前記配向膜上に設けられた第二の基板とを有することを特徴とする半導体装置。 - 絶縁表面を有する第一の基板と、
前記第一の基板上に設けられた第一の導電膜と、
前記第一の導電膜上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた有機半導体膜と、
前記有機半導体膜上に設けられた一対の第二の導電膜と、
前記有機半導体膜の少なくとも一部と接するように設けられた配向膜と、
前記配向膜の上に設けられた第二の基板とを有し、
前記配向膜の少なくとも一部は前記一対の第二の導電膜との間に
有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項9または請求項10のいずれか一つにおいて、
前記有機半導体膜は、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリフルオレンからなる群から選ばれたいずれか一であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項9乃至請求項11において、
前記配向膜は、ラビリング法によって作製された膜、SiO等を用いて斜方蒸着膜、延伸された高分子鎖を表面に持つ膜、シラン化合物のような界面活性剤によって作製された膜、偏向紫外線から照射を受けた膜からなる群から選ばれたいずれか一つであることを特徴とする半導体装置。
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120515 |
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A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20120730 |