JP2006156983A5

JP2006156983A5 -

Info

Publication number: JP2006156983A5
Application number: JP2005313279A
Authority: JP
Filing date: 2005-10-27
Publication date: 2008-10-16

Claims

第一の基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁体層を形成し、
前記絶縁体層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記絶縁体層上に、前記ドレイン電極に電気的に接続する陽極を形成し、
第二の基板上に配向膜及び陰極を形成し、
前記ゲート電極と前記配向膜とが互いに向かい合うように、かつ、前記陰極と前記陽極とが互いに向かい合うように前記第一の基板と前記第二の基板を配置し、
前記第一の基板と前記第二の基板の間に有機半導体材料を注入して、有機電界効果トランジスタ及び発光素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
第一の基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁体層を形成し、
前記絶縁体層上に、ソース電極、ドレイン電極、及び有機半導体膜を形成し、
第二の基板上に配向膜を形成し、
前記有機半導体膜の少なくとも一部と、前記配向膜とを接触させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
第一の基板上に有機半導体膜の一部もしくは全部が表面に露出した半導体素子を形成し、
第二の基板上に配向膜を形成し、
前記有機半導体膜の少なくとも一部と前記配向膜とを接触させ、
前記有機半導体膜を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項３において、
前記半導体素子は、前記第一の基板の表面上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上に絶縁体層を形成し、前記絶縁体層上にソース電極、及びドレイン電極を形成して設けられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項２乃至請求項４のいずれか一において、
前記有機半導体膜は、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリフルオレンからなる群から選ばれたいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
第一の基板の第一の表面上にゲート電極、絶縁体層、ソース電極、およびドレイン電極を形成し、
第二の基板の第二の表面上に配向膜を形成し、
前記第一の基板の前記第一の表面と前記第二の基板の前記第二の表面とをシール材を用いて貼り付け、
前記シール材と、前記第一の表面及び前記第二の表面に囲まれた領域に有機半導体材料を注入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項６において、
前記第一の基板上に前記ゲート電極を形成し、前記ゲート電極上に前記絶縁体層を形成し、前記絶縁体層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項６または請求項７において、
前記有機半導体材料は、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリフルオレンからなる群から選ばれたいずれか一を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
第一の基板上にゲート電極と、
前記ゲート電極上に絶縁体層と、
前記絶縁体層上にソース電極及びドレイン電極と、
前記絶縁体層上に、前記ドレイン電極に電気的に接続する陽極と、
前記絶縁体層及び前記陽極上に有機半導体層と、
前記有機半導体層上に配向膜及び陰極と、
前記配向膜及び前記陰極上に第二の基板と、を有し、
前記配向膜は、前記ゲート電極と重なるように前記有機半導体層に接して設けられ、
前記陰極は、前記陽極と重なるように前記有機半導体層に接して設けられていることを特徴とする半導体装置。
絶縁表面を有する第一の基板と、
前記第一の基板上に設けられた第一の導電膜と、
前記第一の導電膜上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた一対の第二の導電膜と、
前記絶縁膜及び前記一対の第二の導電膜上に設けられた有機半導体膜と、
前記有機半導体膜の少なくとも一部と接するように設けられた配向膜と、
前記配向膜上に設けられた第二の基板とを有することを特徴とする半導体装置。
絶縁表面を有する第一の基板と、
前記第一の基板上に設けられた第一の導電膜と、
前記第一の導電膜上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた有機半導体膜と、
前記有機半導体膜上に設けられた一対の第二の導電膜と、
前記有機半導体膜の少なくとも一部と接するように設けられた配向膜と、
前記配向膜の上に設けられた第二の基板とを有し、
前記配向膜の少なくとも一部は前記一対の第二の導電膜の間に設けられていることを特徴とする半導体装置。
請求項１０または請求項１１において、
前記有機半導体膜は、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリフルオレンからなる群から選ばれたいずれか一であることを特徴とする半導体装置。