TW409281B - Semiconductor device and manufacturing method of the same - Google Patents

Description

409281 五、發明説明（） 【發明之背景】 發明領域 (請先閱讀背面41.注意事項再填寫本頁) 本發明係關於一種半導體裝置與其製造方法，尤其是 關於一種具有一微小射極面積與基極面積，並能集積化至 具有高密度之雙極電晶體之裝置結構與其製造方法。 習用技術 圖lAg帽1F係顯示製造一種習用雙極電晶體方法的剖 視圖，尤其是顯示一NPN電晶體在製造步驟的順序，而圖2A 到圖2F分別是圖1A到圖1F之平面視圖。圖1A係於圖2A中 沿著線A-A之剖視圖，而圖1B到圖1F亦是在與圖2A之線A- A相同位置之剖視圖。 如圖1A與圖2A所示，一個P型半導體基板1之一部份被 選擇性的氧化，以致於一場區域2藉由使用一氮化矽膜3作 爲光罩之熱氧化法而形成。參考數字2’係爲一個焊墊氧化 線 膜。 因此，如圖1B與圖2B所示，在從基板1的表面移除氮 化矽膜3之後，使用藉由光刻技術所形成的光阻作爲光罩， 則一N型雜質(特別是磷)將藉由離子注入法而被注入。然 後，在移除光阻之後，則執行熱處理以形成具有1到1.5以 m接合深度的一個N+集極引出區域4。 然後，如圖1C與圖2C所示，係使用其他光阻作爲光罩， 則硼藉由離子注入法而被注入作爲一P型雜質，且在移除 光阻之後，將執行熱處理以形成一P型元件分離區域5。接 ______2___

MfT尺度ϋ中阂K家； (’NS )，\4規枋（210X297公釐） 409281 B7 五、發明説明（） 著，利用光阻作爲光罩，使用一個具有1到1.5百萬電子伏 特(MeV)的高加速度離子注入設備將磷注入，並形成一個N 井區域6。在移除光阻之後，藉由在基板1的整體表面注入 硼，而在一被場區域2所包圍之範圍形成一基極擴散層7。 在此製程中，類似的硼也被注入於此集極引出區域4，但因 濃度差異大於1〇〇倍，所以其幾乎不具影響力。 其後，如圖與圖2D所示，藉由依光刻技術所形成之 光阻作爲光罩，利用乾或濕蝕刻法而移除集極部份與射極 部份之焊墊氧化膜2’的一，並形成開口部(接點)8’、8”。 在移除光阻之後，利用化學氣相沈積(CVD)法形成1000到 2000人的多晶矽膜9。然後，1 X 1016到3X 1016cm·2的砷離 子(As)被注入到基板1的整體表面，並被注入到多晶矽膜9 之中。 如圖1E與圖2E所示，使用一個新的光阻13作爲光罩， 將多晶矽膜9的射極與集極之特定區域以外之其餘區域移 除。接著，藉由高濃度硼的離子注入法，使用光阻作爲光 罩，形成一個低電阻之外部基極區域P。在此狀態下，離 子注入之能量必須設定到使離子無法通過場熱氧化層之程 度。 然後，如圖1F與圖2F所示，在移除光阻之後，藉由化 學氣相沈積法隨後形成末摻雜氧化膜以及摻硼與摻磷之氧 化膜(BPSG)，並形成一內層膜19。藉由900到1000°C之爐 內退火或燈管退火之熱處理，而形成一射極擴散層16。 接著，藉由蝕刻內層膜19而形成一個供金屬接線連接 ________3___ L張尺度適川中阈网家標今（（’NS ) Λ4現格（210X297公# ) (請先吼讀背面之注意事項再填寫本頁)

409281 A7 —一_____B7__ 五'發明説明（） 用之開口部(接點），其中該內層膜19乃藉由使用由光刻技 術所形成的光阻作爲光罩，於特定區域由BPSG/Si〇2所構 成的。最後，在移除光阻之後，藉由濺鍍法而形成一含銅 之鋁合金，並藉由光阻作爲光罩利用乾蝕刻法以形成一金 屬接線18 〇 - 以下將說明一種利用自我匹配技術之習用製造方法。 如圖3A所示，在一P型半導體基板1形成一N+埋入擴散層 Μ，且於藉由磊晶技術在半導體基板1形成一N~型磊晶層23 之後，再形成一焊墊氧化膜2’，而於其表面形成一氮化矽 膜3。 然後，如圖3B所示，藉由一習知光刻技術，於氮化矽 膜3形成一光阻，並以其作爲光罩，將氮化砂膜3與焊墊氧 化膜2’予以蝕刻。使用殘留的焊墊氧化膜2’與氮化矽膜3作 爲光罩，將磊晶層23予以選擇性的蝕刻，且在用以形 成一元件分離氧化膜的位置形成一溝槽25。 之後，如圖3C所示，藉由使用熱氧化法，於溝槽25中 形成一個由二氧化矽膜層所構成的厚元件分離氧化膜2。在 移除作爲抗氧化光罩的氮化膜(未顯示)之後’以光阻作爲 光罩藉由磷離子注入法，而形成如同在習用技術1的集極引 出區域。 在移除焊墊氧化膜2’之後，如圖3D所示’於基板1的 整體表面形成第一多晶矽膜9。藉由熱氧化法’在第一多晶 矽膜9的表面形成一多晶系二氧化砂膜26。 因此，如圖3D與圖3Ε所示，在硼離子注入到第一多晶 ___________4____ 尺度過川屮國S家^^ ( (’NS ) Λ4規格（210X 297公漦） (讀先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) ·ίτ A7 409281 B7 五、發明説明（） 系二氧化砂膜26之後，以利用光刻技術所形成的光阻13作 爲光罩，藉由非等向性蝕刻，依次將多晶系二氧化砂膜26 與多晶系膜9加以蝕刻。 之後，如圖3F所示’在將因非等向性乾蝕刻而暴露出 之表面稍加以氧化之後，於基板的整體表面形成一CVD氧 化膜27。此時，在多晶矽膜9之接觸側末端部份，使硼由多 晶矽膜9擴散至外側，形成一個高濃度的外部基極擴散區域 \Ί。 如圖3G所示，CVD氧化膜27藉由非等向性蝕刻法而被 蝕刻，並形成一CVD氧化膜27的側壁28。藉著穿過一個受 此側壁28所縮狹之開口部之硼離子注入法，利用熱處理方 式形成一基極區域7。 之後，如圖3Η所示，在基板的整體表面形成第二多晶 矽膜29之後，砷離子被注入到此第二多晶砍膜29，而此第 二多晶矽膜29藉由使用圖案化之光阻作爲光罩而被蝕刻。 接著，藉由在非氧化大氣壓加熱，使砷從第二多晶矽膜29 之內部擴散到基極區域7，並形成一射極擴散層16 〇 然而，在顯示於圖3Α到圖3Η的習用技術中，雖可保留 —微小的射極面積或基極面積，且除了高度集積化之外， 並可改善與寄生電容減少相關之電性特徵，及實現低電力 消耗，但卻存在有如下之問題。亦即，因爲在習用技術中 之裝置結構較複雜，所以其製程數目大約爲圖1Α到圖1F之 製程數目的1.5倍以上，且其具有嚴苛的製程條件與較低的 良品率’所以成本較高。 本紙張尺度埤川中闽围家標今「(TNS ) Λ4規格（210X 297公5赛） f請先閏济背面之注意事項再填寫本頁) 11Τ A7 409281 B7 五、發明说明（） (請先閱讀背面之注意事is再填寫本筲) .在此一習用技術中，雖然得以優越之可控制性實現微 小尺寸(小於所採用之光刻技術的最小尺寸)的優點極'顯 著，但在更微小尺寸之場合，於射極開口部的多晶矽膜厚 度將變得更厚，且基極寬度持續擴大，直到藉由離子注入 法而注入的砷在多晶矽擴散並到達基極區域時'。此外’射 極電阻亦較高’且其整體特性劣化，而無法形成高速裝置。 目前其對策係使用摻砷多晶矽’但相較於離子注入法’在 基板表面的不均勻性是較差的’此一狀況導致其特性的變 動。 線 在顯示於圖1A到圖1F與圖2A到圖2F的習用技術中’ 由其裝置結構觀之，其製程步驟較少且可期望有一高良品 率，但基極面積係藉由供金屬配線用之開口部(接點)與金 屬間的偏差限度，以及在金屬與金屬間的間隔而自動決定， 而其現狀是基極面積大約是圖3A到圖3H所示習用技術的2 倍寬，且不容易細微化，故在低電力消耗與高集積化方面 較差。然而，射極面積係取決於目前所採用的平版印刷技 術。 * 【發明之綜合說明】 本發明之目的係提出一種可實現一微小射極與基極面 積、大幅減少各種接合容量、較低之電力消耗、優越之高 速動作方式的半導體裝置及其製造方法。 依據本發明的一半導體裝置，包含：一半導體基板; 一基極區域，形成於該基板之表面上；一多晶砂膜，形成 ____________J_ 必尺適川中晒緖彳（（，NS ) Λ4現格（210X297公梦] ---- A7 409281 ____B7_ 五、發明説明（） 於該基極區域且分割成N型區域與P型區域；一外部基極層 '與一射極擴散層，藉由從該多晶矽膜之雜質擴散進入該基 極區域而形成；以及一多邊形膜，形成於該多晶矽膜之表 面，俾能建構一基極電極與一射極電極。 依據本發明的一半導體裝置之製造方法，包含以下的 步驟：於一基極區域移除該氧化膜之一部份，用以形成接 觸用之一開口部；S々該開口部處直接沈積一多晶矽膜；於 基極區域乾飩刻該多晶矽膜，用以分割成包含與基極區域 相同導電型態之一雜質區域，以及包含與基極區域相反導 電型態之一雜質區域；執行加熱以將雜質從該多晶矽膜擴 散至該基極區域，藉以形成一外部基極層與一射極層；以 及將該多晶矽膜之表面形成爲多邊形膜以降低其電阻，藉 以將一多晶矽膜形成爲射極電極與基極電極。 依據本發明另一方面的一種半導體裝置之製造方法， 包含以下的步驟：藉由選擇性之氧化作用，將半導體基板 之一部份氧化，以形成一場區域；在該半導體基板之一部 份，注入一個與半導體基板相反導電型態之雜質，用以形 成一集極引出區域；使用藉由光刻技術所形成之一光阻作 爲光罩而注入高能量之離子，用以形成N井區域與P型元件 分離區域；注入一P型雜質至基板之整體表面，用以形成 一基極區域，並於其表面移除二氧化砂膜之一部份，用以 形成一開口部；藉由化學氣相沈積(CVD)法，連續地沈積 一多晶矽膜、二氧化砂膜與氮化矽膜，且藉由使用依光刻 技術所形成的光阻圖案作爲光罩而注入離子，並於該多晶 本纸浓尺度國(’NS ) Λ4規格（210X 297公麓） (請先閱·讀背面t注意事項再填寫本頁)

'1T 線 409281 A7 ___B7___ 五、發明説明（） 矽膜形成一N型區域與一P型區域；藉由非等向性蝕刻’將 該多晶矽膜分割成爲該N型區域與該P型區域；使用光阻作 爲光罩，於一基極形成狀況下注入離子；藉由使用於該基 板表面之氮化膜作爲光罩，將該多晶矽膜之側壁氧化；在 移除該氮化膜之後，藉由濺鍍技術而於基板表面形成金屬， 並加熱之以將多晶矽膜之表面變換成多邊形膜；於該基板 之整體表面形成內層膜；以及藉由乾蝕刻而於內層膜形成 作爲接觸用之開口部，並與金屬接線連接。 該開口部形成步驟可用以在基極區域形成一開口部。 該內層膜形成步驟，亦可藉由化學氣相沈積方法以沈積未 摻雜氧化膜，並連續沈積一個含硼與磷之氧化膜(BPSG)以 形成一內層膜。 經涣部中戎if.淖Λ右.T消资At朽社印iy (請先M.讀背面之注意事項再填寫本頁) 依據本發明的半導體裝置之製造方法，於一基極區域 形成一開口部，而於其上所形成的一多晶砂係分割成~N 型區域與一P型區域’雜質係由此多晶矽進行擴散，用以 形成一外部基極層與一射極擴散層，而多晶矽的表面形成 爲多邊結構以降低電阻，俾能分別被使用作爲基極電極與 射極電極，因而此基極與射極面積變的較小，而射極-基極 與基極-集極之接合容量將減小’以便能形成一具有低電力 消耗與較佳高速動作形式之一雙極電晶體。 【圖示之簡單說明】 圖1A到圖1F係以製造步驟順序顯不出_•習用製造方法 之剖視圖； 8 川中國S家標今(('NS ) Λ4規格（210X 297公廣） " ----. 409281 Α7 Β7 五、發明説明（） .圖2A到圖2F係爲圖1A到圖1F之平面視圖； 圖3 A到圖3H係以製造步驟順序顯示其他習用製造方法 之剖視圖； 圖4A到圖4G係以製造步驟順序顯示本發明之一實施例 之製造方法之剖視圖； 一 圖5A到圖5G係分別爲圖4A到圖4G之平面視圖；以及 圖6A到圖6E係爲圖4D到圖4H之局部放大圖。 【符號之說明】 1〜P型半導體基板 2〜場區域 2’〜焊墊氧化膜 3〜氮化膜 4〜N+集極引出區域 5〜P型元件分離區域 6〜N井區域 7〜基極擴散層 8’、8”、2卜22〜開口部(接點） 9〜多晶矽膜 U、10〜氮化膜/氧化膜 12〜外部基極醇 13〜光阻 16〜射極擴散層 19〜內層膜 ------ 9 _ 本紙張尺度通州中阀囚家標彳（（，NS ) Λ4規格（21〇χ 297公麥） f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經沪部中央榡卑局13:工消介合竹ίι印*''4 *·=*

409281 A7 B7 五、發明説明（） .23〜：ΝΓ型磊晶層 24〜N+埋入擴散層 25〜溝槽 26〜多晶系二氧化矽膜 27〜CVD氧化膜 * 28〜側壁 29〜第二多晶矽膜 30〜；P型區域 32〜基極修正區域 【較佳實施例之說明】 本發明之一較佳實施例將於以下參考附圖而詳細說 明。圖4A到圖4G與圖5A到圖5D係以製造步驟順序顯示出 本發明之一較佳實施例的一種半導體裝置之製造方法，而 圖4A到圖4G係沿著在圖5A中之線A-A之剖視圖。圖6A到 圖6E係爲圖4D到圖4F的局部放大圖。 如圖4A與圖5A所示，藉由熱氧化而於一P型半導體基 板1的表面形成一具有數千個A的焊墊氧化膜2’之後，一個 約0.1到0.2 μ m的氮化政膜3，依化學氣相沈積而沈積於基 板之整體表面。連續地，使用一個由光刻技術所形成的光 阻作爲光罩，除特定區域外之氮化矽膜3將被移除，且藉由 使用殘留氮化砂膜3將完成一選擇性的氧化，並形成一場區 域(熱氧化膜)2。 然後，如圖4B與圖5B所示，在從基板表面移除所有氮 ___10__ 本紙张反度適用中家標( ΓΝ5Γλ4規格（—2!0; 297公釐) (诗先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 409281 A7 ____B7 五、發明説明（） 化矽膜3之後，使用一個由光刻技術所形成之光阻作爲光 罩，藉由離子注入法將N型雜質(於此是磷)注入，在移除光 阻之後，藉由熱處理形成一個具有1.0到1.5/zm接合深度之 N+集極引出區域4。 其次，如圖4C與圖5C所示，使用其他光阻作爲光罩， 藉由離子注入法將硼注入作爲P型雜質，且在移除光阻之 後，藉由熱處理形成一P型元件分離區域5。接著，使用其 他光阻作爲光罩，利用具有1.0〜1.5百萬電子伏特(MeV)之 —高加速度離子注入設備注入一N型雜質(特別是磷），並形 成一N井區域6。此製程係相當於習用技術中用已形成N+ 埋入擴散層與N_磊晶成長層的製程，且呈現出具有約1.2到 1.8 左右之峰値濃度之一傾斜輪廓。接著，在移除光阻 之後，藉由離子注入法而於基板的整體表面注入硼作爲P 型雜質，而形成由場區域2所包圍的一基極區域7。附隨地， 在此狀況下，砸亦依類似的方法被注入在集極引出區域4， 但因濃度差異大於100倍，所以它將不具影響力。 因此，如圖4D、圖5D、與圖6A所示，藉由從基極區 域7與集極引出區域4之一部份移除氧化膜，形成多數之開 口部(接點）。然後，在藉由於基板之整體表面上的CVD技 術而沈積一個1000到2000A的多晶矽膜9之後，藉由使用一 個由光刻技術所形成的光阻13作爲光罩，將在基極上的多 晶石夕膜9之一部份形成一個以離子注入法注入硼作爲p型雜 質之P型區域3〇或12 ’而砷離子在其他區域則被注入當作n 型雜質，用以形成一個N型區域31或11。藉由使用CVD法， _________n_____ 本紙乐尺度诚州中阀因家樣:々((，NS ) Λ4ίίί格（210x 297公犛} 一 -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 --5¾ 409281 A7 B7 五、發明説明（ 使一個具有100到200A的氧化膜與一個1000到2000A的氮化 膜連續地沈積。在圖示中，參考數字10係爲氮化膜/氧化膜 之一積層，11則是在基極區域的多晶矽之一N型區域(射極 砷區域U)，而12則是在基極區域的多晶矽之一P型區域(外 部基極12)。 - 之後，如圖4E、圖5E與圖6B所示，使用一光阻作爲光 罩，而此光阻係被圖案化俾能蝕刻移除其在基極區域上之 多晶矽的N型區域(射極砷區域11)以及P型區域(外部基極12) 的邊緣區，藉由非等向性乾餓刻方式將圖4D、圖5D、與圖 6A的氮化膜與氧化膜10以及多晶矽膜9依序移除。此時， 爲防止較低基極區域的蝕刻與移除造成基極電阻增高，多 晶矽膜9留下約100到300人左右。然而，考慮在平面上之乾 蝕刻之不均勻性，爲了即使在較低基極區域被蝕刻並移除 的情況下亦避免基極電阻提高，而採用一個多晶矽膜9的蝕 刻用之光阻作爲光罩，在〇° (〇度)注入角的基極形成條件 下實施離子注入法，以進行基極修正注入，而形成一個基 極修正區域32(圖6C)。 如圖4F、圖5F與圖6D所示，在移除光阻13之後，使用 於基板表面之氮化膜1〇作爲光罩，則殘留於多晶矽膜9之多 晶矽膜與蝕刻部份之底部將受到氧化。此時，如果多晶矽 膜9之蝕刻部份的尺寸(寬度)爲0.3^ m或更小，則蝕刻部份 之內部將被由氧化作用所形成的氧化膜所塡滿，但如果其 尺寸大於0.3 μ m，則在氧化多晶矽膜9之後，以CVD法使 氧化膜更進一步地沈積，且藉由CMP(化學機械拋光)將移 木紙張尺度诚川屮闽S家標呤（（AS ) Μ規格（210X29?公釐） 409281 μ B7 - --- - I ~' - _ 五、發明説明（） 除且平整化此氧化膜°另外’因氧化過程係於氧化大氣壓 與非氧化大氣壓兩個步驟完成，所以雜質從多晶砂膜9擴散 至基極區域7，而外部基極層17與射極擴散層16將分別形 成。 如圖4F、圖5F與圖6E所示，在移除氮化膜與氧化膜1〇 之後，藉由使用一種灘鍍技術，使金屬形成於基板表面並 執行熱處理，以便使多晶矽膜9的表面形成爲多邊結構，且 藉由形成一多邊層I4以降低電阻，而此多晶矽膜9係用以作 爲射極電極11與基極電極12之一部份。 最後，如圖犯與圖5〇所示，一個具有數千個人的未摻 雜氧化膜將藉由CVD方法而沈積’且一個含硼與磷的氧化 膜將連續地沈積以形成一個內層膜19 ’而開口部(接點)21、 22、23將藉由乾蝕刻而形成於內層膜19，並藉由與金屬接 線18的連接，而完成本發明之半導體裝置。 依據本發明如此之說明，在基極區域形成一開口部， 而於其上所形成之多晶矽膜將分割成^^型區域與p型區域， 雜質由此多晶矽膜擴散至基極區域，用以形成外部基極層 與射極擴散層。然後’於此多晶矽膜的表面形成多邊形膜 以降低電阻，俾能被使用作爲基極電極與射極電極。因此， 依據本發明，基極面積與射極面積將縮小’而射極-基極與 基極-集極的接合容量大幅減小’並形成一個具有低電力消 耗與較佳的高速度動作方式的雙極電晶體。 因其幾乎如同在^^〇3的閘門形成一樣’所以其具有 簡單的結構，與被期望的高良品率，而且製造程序比習用 一 _____-__—_ 13___ 木紙仏尺度试/丨]中_ 1¾笑:標q厂(.NS ) Λ4ί見格（2〗〇x297公釐） (請先閱讀背面^注^^^項再填寫本頁} 訂 409281 A7 _______ B7_一------- 五、發明説明（） 技術減少了約4〇%，因而可期待成本之大幅降低。> 此外，元件面積約爲習用技術的1/2，且可實現更高密 度的集積化，並減小晶片尺寸，而期待更進一步的成本降 低。 因此，乃可形成具有微小的射極與基極面積、大幅減少的 接合容量、較低的電力消耗、以及較優越的高速動作特性 的雙極電晶體。 (請先閲讀背面t注意事項再填寫本頁) 線 本紙张尺度迖圯中( (、NS )八4現格（210X 297公釐）

Claims (1)

1. 本 09281 A8 BS C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1. —種半導體裝置，包含： 一半導體基板； 一基極區域，形成於該基板之表面上； 一多晶矽膜，形成於該基極區域且分割成N型區域與 P型區域； 一 —外部基極層與一射極擴散層，藉由從該多晶矽膜之 雜質擴散進入該基極區域而形成；以及 一多邊形膜，形成於該多晶矽膜之表面，俾能建構一 基極電極與一射極電極。 2. —種半導體裝置之製造方法，包含以下步驟： 於一基極區域移除該氧化膜之一部份，用以形成接觸 用之一開口部； 於該開口部處直接沈積一多晶矽膜； S 令基極區域乾蝕刻該多晶矽膜，用以分割成包含與基 極區域相同導電型態之一雜質區域，以及包含與基極區域 相反導電型態之一雜質區域； 執行加熱以將雜質從該多晶矽膜擴散至該基極區域， 藉以形成一外部基極層與一射極層；以及 將該多晶矽膜之表面形成爲多邊形膜以降低其電阻， 藉以將一多晶矽膜形成爲射極電極與基極電極。 3. —種半導體裝置之製造方法，包含以下步驟： 藉由選擇性之氧化作用，將半導體基板之一部份氧 化，以形成一場區域； 在該半導體基板之一部份，注入一個與半導體基板相 15 --I ' . 1 訂 ^ 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家標牟（CNS ) A4洗格（210父2们公董） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 409281 § ----------------------— '中請專利範圍 反導電型態之雜質，用以形成一集極引出區域； 使用藉由光刻技術所形成之一光阻作爲光罩而注入高 能量之離子，用以形成N并區域與P型元件分離區域； 注入一P型雜質至基板之整體表面’用以形成一基極 區域，並於其表面移除二氧化矽膜之一部份，用以形成一 開口部； 藉由化學氣相沈積(CVD)法，連續地沈積一多晶矽 膜、二氧化矽膜與氮化矽膜，且藉由使用依光刻技術所形 成的光阻圖案作爲光罩而注入離子，並於該多晶矽膜形成 —N型區域與—p型區域； 藉由非等向性蝕刻，將該多晶矽膜分割成爲該N型區 域與該P型區域； 使用光狙作爲光罩，於一基極形成狀況下注入離子； 藉由使用於該基板表面之氮化膜作爲光罩，將該多晶 矽膜之側壁氧化； 在移除該氮化膜之後，藉由濺鍍技術而於基板表面形 成金屬，並加熱之以將多晶矽膜之表面變換成多邊形膜； 於該基板之整體表面形成內層膜；以及 藉由乾蝕刻而於內層膜形成作爲接觸用之開口部，並 與金屬接線連接。 4. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置製造方法，其 中該開口部形成步驟，係用以在基極區域形成一開口部。 5. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置製造方法，其 中該內層膜形成步驟，係藉由化學氣相沈積方法而用以沈 16 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 本紙张尺度適用申國國家標準（CNS ) Α4说格（210Χ2ί>7公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 _4Q9281 os_ 六、申請專利範圍 積未摻雜氧化膜，並連續沈積一個含硼與磷之氧化膜 (BPSG)以形成一內層膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4说格（21 〇 X 297公釐） ---------絮------訂丨—-------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)