TW395032B

TW395032B - Semiconductor device and its manufacturing method

Info

Publication number: TW395032B
Application number: TW087109244A
Authority: TW
Inventors: Yukiharu Akiyama; Tomoaki Shimoishi; Takehiro Onishi; Noritoshi Shimada; Kuniyuki Eguchi
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Microcomputer Syst; Akita Denshi K K
Priority date: 1997-07-11
Filing date: 1998-06-10
Publication date: 2000-06-21
Also published as: KR100603867B1; US20030207557A1; US20020050636A1; JPH1187414A; US6515371B2; US20020047215A1; CN1208252A; US6307269B1; SG67516A1; KR19990013673A; KR100603868B1; US6639323B2; JP2843315B1; CN1295346A

Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 1 ---------— _______. _____B7 五、發明説明（1 ) ~~~ -- 發明之背景本發明係關於一種半導體裝置之製造技術，特別是關於 —種在CSP (晶片尺寸包封體）方面謀求低成本化及密封性提高之半導體裝置及其製造方法。以下説明之技術係當研究、完成本發明之際，爲本發明者所研討過的，其概要如下。作爲謀求薄形及小形化的半導體裝置—例，已知的是晶片尺寸的半導體裝置的CSP，此CSp大多安裝於插入攜帶用電子機器等的印刷電路板上。在此説明CSP的一般構造，係由薄膜配線基板：裝載爲外部端子的突起電極且設置和半導體晶片之電極焊接點 (pad)電氣連接的引線；彈性構造體（elast〇mer):配置於半導體晶片和薄膜配線基板之間且形成和薄膜配線基板大致相同大小，及，岔封部：以密封樹脂密封半導體晶片之電極焊接點和連接於此焊接點的薄膜配線基板之引線構成。.. 此外，作爲比較例，關於爲本發明者所研討過的CSp構造，例如日經BP公司，1997年，4月1日發行，「日經微型裝置1997年4月1日號’ No. 142」44〜53頁所載，特別是在48頁之圖6中介紹第二代型CDP (比較例）。此CSP係具有在主面形成電極焊接點的半導體晶片且在半/導體晶片内侧配置爲外郅端子的突起電握之構造，同時在半導體晶片外侧設置外形環。 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇><297公釐）衣------、玎------J, -,'V (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（2 ) 發明之概述然而，關於前述技術的一般構造的Csp，密封樹脂容易碡出半導體晶片側面，其結果，CSP外形尺寸精度差，有時裝不進插座。即，CSP外形形狀不穩定成爲問題。再者，作爲此問題的對策，減少密封時的密封樹脂量，薄膜配線基板之引線就會露出，因此而密封部的密封性不充分，其結果，在防潮可靠性方面差成爲問題。此外，在前述比較例的CSP方面，以外形環爲獨立構造，則製造成本增加成爲問題。又，在一般構造的CSP方面，形成突起電極之際的焊錫回流時，因彈性構造體中的水分及氣體膨脹而内部壓力變大，其結果，引起破壞密封部等的爆玉米花（popcorn)現象成爲問題。本發明之目的在於提供一種謀求低成本化及密封性提高的晶片尺寸之半導體裝置及其製造方法。此外，本發明t其他目的在於提供一種防止爆玉米花現象之半導體裝置及其製造方法。本發明之前述及其他目的和新穎特徵，由本説明書之記述及附圖當可明白。兹簡單説明在本案所揭示的發明中具代表性者之概要如〇即，本發明之半導體裝置係具有在主面外周部設置連接端子的半導體晶片的晶片尺寸者，具有彈性構造體：使前 (請先閲讀背面之注意再填寫本頁) 裝

、1T -旅本纸張跋顧 A7 B7 五、發明説明（3 ) 請先閱背意事1 項再填* ) I裝頁述連接端子露出而配置於前述半導體晶片主面上；薄膜配線基板：具備基板本體部，該基板本體部設有配線，該配線係一端透過引線和前述連接端子電氣連接且他端和爲外部端子的突起電極電氣連接，同時具備基板突出部：設置使前述連接端子露出的開口部，並且突出前述開口部及前述半導體晶片外側；及，密封部：密封前述半導體晶片之前述連接端子及前述薄膜配線基板之前述引線；一體形成前述薄膜配線基板之前述基板本體部和前述基板突出部。藉此，不形成使基板突出部從基板本體部獨立的構造而以一體形成兩者，所以即使不以高價材料形成基板突出部亦可。其結果，可謀求半導體裝置製造成本的低成本化。經濟部中央榇準局負工消費合作社印製再者，本發明之半導體裝置係具有在主面外周部設置連接端子的半導體晶片的晶片尺寸者，具有彈性構造體：具備彈性體突出部，該彈性體突出部配置於前述半導體晶片主面上.，同時設置使前述連接端子露出的開口部，並且突出前述開口部及前述半導體晶片外侧；薄膜配線基板：具備基板本體部，該基板本體部設有配線，該配線係一端透過引.線和前述連接端子電氣連接且他端和爲外部端子的突起電極電氣連接，同時具備基板突出部：設置使前述連接端子露出的開口部，並且突出前述開口部及前述半導體晶片/外側；及，密封部：密封前述半導體晶片之前述連接端子及前述薄膜配線基板之前述引線；一體形成前述薄膜配線基板之前述基板本體部和前述基板突出邵，並且前述薄 -6- 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公f ) Λ7 B7 五、發明説明（4 ) 膜配線基板和前述彈性構造體的外形形狀形成大致相同大小0 又，本發明之半導體裝置係具有在主面外周部設置連接端子的半導體晶片的晶片尺寸者，具有彈性構造體：具備露出部，該露出部係使前述連接端子露出，配置於前述半導體晶片主面上且露出外侧；薄膜配線基板：具備基板本體部，該基板本體部設有配線，該配線係一端透過引線和前述連接端子電氣連接且他端和爲外部端子的突起電極電氣連接，同時設置使前述連接端子露出的開口部；及，密封部：密封前述半導體晶片之前述連接端子及前述薄膜配線基板之前述引線。經濟部中央標準局負工消費合作社印製 ^-------衣-- 1-~~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外，本發明之半導體裝置之製造方法係具有在主面外周部設置連接端子的半導體晶片的晶片尺寸之半導體裝置者，具有以下製程：準備薄膜配線基板，該薄膜配線基板具備基板本體部：具有配線；同時具備基板突出部：突出配置連接於前述配線的引線的開口部外側，和前述基板本體部一體形成；接合前述薄膜配線基板之前述基板本體部和彈性構造體；使前述半導體晶片之前述連接端子露出前述薄膜配線基板之前述開口部，接合前述半導體晶片之前述主面和前述彈性構造體；電氣連接前述半導體晶片之前述連接端子和與此連接端子對應的前述薄膜配線基板之前述/引線；使用由低二氧化矽材料構成的密封樹脂密封前述半導體晶片之前述連接端子和前述薄膜配線基板之前述引線而形成密封部；使其和前述基板本體部之配線電氣連接 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ：297公釐） Μ 五、發明説明（ 5 B7 ^成突起電極；及，將前述基板突出部和形成於此基板大出郅的前述密封部同時切斷成所希望的外形尺寸。請先I 閱 I 讀J | I 之I 注' I 意 | 事、I 項，I 再壤4 本衣頁訂再者，本發明之半導體裝置《製造方法係具有在主面外周郅設置連接端子的半導體晶片的晶片尺寸之半導體裝置者’具有以下製程：準備薄膜配線基板，該薄膜配線基板具備彈性構造體··與具有配線的基板本體部接合；同時形成開口部：配置連接於前述配線的引線，並且前述基板^ 體部爲前述彈性構造體之支持部所支持於基板框部；使前述半導體晶片之前述連接端子露出前述薄膜配線基板之前述開口部，接合前述半導體晶片之前述主面和前述彈性構造體；電氣連接前述半導體晶片之前述連接端子和與此連接端子對應的前述薄膜配線基板之前述引線；樹脂密封前述半導體晶片之前述連接端子和前述薄膜配線基板之前述引線而形成於封邵；使其和前述基板本體部之配線電氣連接而形成突起電極；及，切斷前述彈性構造體之支持部而使前述基板本體郅從前述基板框部分離，同時使前述彈性換造體之露出部露出。之簡單説明經濟部中央棵準扃員工消费含作社印餐圖1爲透過密封部,顯示根據本發I實施形態丨之半導體装蕙（CSP )構缘一例的平面圖。圖2爲顯不圖1所示之半導.體裝置構造之圖，（a)爲顯示圖/：1之A-A截面的截面圖，（b)爲顯示圖1 截面的截面圖’（c)爲顯示圖1之c-C截·面的截面圖。圖3爲顯示用於圖1所示之半導體裝置之各構件規格一 A7 B7 五、發明説明（6 例的規格說明圖。圖4爲顯―孟圖1所示之丰導體裝夏製程一例的製程圖。圖5—爲顯不_ 4所示之製程各，處理之處理條件-例的處理條件説明圖。圖6 U)、（b)爲顯示用於本發明實族形態ι之半導體装置（CSP)之薄膜配線基板製造方法-例的部分平面圖。圖7 (a)、jb)爲顯示用於本發明實施形態ι之半導體裝置（CSP)之薄膜配線基板製造方法—例的部分平面圖。圖8 (a)、（b)爲顯不用於本發明實施形態】之半導體裝置（CSP )之薄膜配線基板製造方法—例的部分平面圖。圖9局顯π本發明實施形態！之半導體裝置製造岁法一例之圖，（M爲顯示彈性構造體貼面的部分平面圖， (b)爲顯示半導體晶片貼面的部分平面圖。圖ίο爲嫂不本發明實施形態1之半導體裝置（csp)製造方法之切断位置一例的部分平面圖。圖11 ( a)、（ b )爲顯示本發明實施形態1之半導體裝置 (CSP-)製造方法·^引線切斷方法—例的透視圖。圖12(a)、（b)、（c)爲顯示本發明實施形態】之半導體 '裝置（CSP)製造方法之彈性構造體貼面狀態一例的透視圖。圖13 (a)、（b)爲顯示本發明實施形態1之半導體裝置 (GSP )製is·方法之引線..焊接方法—例.的透視圖。圖14爲透過密封部顯示根據本發明實施形態2之半導體裝置（CSP )構造一例的平面圖。 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公趁） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（圖15爲顯示圖14所示之半導體裝置構造之圖，（a)爲顯不圖1 4之A-A截面的截面圖，（b)爲顯示圖14之B-B截面的截面圖，（c)爲顯示圖14之C-C截面的截面圖。圖16爲透過密封部顯示根據本發明實施形態3之半導體裝置（CSP )構造一例的平面圖。圖17爲顯示圖16所示之__半導體裝置薦造之圖，（a)爲顯不圖1 6之A-A截面的截面圖，（b)爲顯示圖16之截面的截面圖，（c)爲顯示圖1 6之C-C截面的截面圖。圖18爲透過密封部顯示根據本發明實施形態4之半導體裝置（C S P )構造一例的平面圖。圖19爲顯示圖18所示之半導體裝置構造之圖，爲顧示圖1 8之A-A截面的截面圖，（b)爲顯示圖！ § ^B_B截通的截面圖’（c)爲顯示圖18之C-C截·面的截面圖。圖2 0爲透過舍封邵顯示根據 '本發明實施形態$之半導體裝、置（CSP )構造一例的平面圖。圖21爲顯示圖20所示之半導體裝置構造之圖，（a)爲顯 π圖20之A-A截面的截面圖，（b)爲顯示圖2〇之B_B截面的截面圖’（c)爲顯示圖2 0之C-C截面的截面圖。圖22爲透過密封邵〜顯—_示...拫...據本.發明實施形..態:.6之半導體裝置（CSP)構造一例的平面圖。圖23爲顯示、圖22所示‘之，半,導體裝I構造之圖，爲顯元圖22之A_A截面的截面圖，（b)爲顯示圖上2之B_B截面的截面圖，（c )爲顯...示圖2 2之C_C截面的截面圖。圖2 4爲透過密封部顯示根據本發明實施形態7之半導體 -10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X25)7公楚） ----------袭------、玎-------: - ^ - (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} A7 A7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 B7 五、發明説明（8 ) 裝置（CSP )構造一例的平面圖。圖25爲顯TF圖24所示之半導體裝置構造之圖，（a)爲顯示圖24之A-A截面的截面圖，（1?)爲顯示圖以之^^截面的截面圖’（c)爲顯示圖24之C-C截面的截面圖，（d)爲圖 2 4的正面圖，（e )爲圖2 4的側面圖。圖2 _6爲顯示圖24所示之半導體裝屢背面侧構造的底面圖。圖2 7爲顯示圖8所示之薄瞑配線基板詳細構造的擴大部分平面圖。圖28爲透過密封邵顯示根據本發明實施形態8之半導許裝置（csp )構造一例的平面圖。 a 圖29爲顯示圖28所示之丰導體裝置構造之圖，（a)爲顯示圖2 8之A-A截面的截面圖，(b )爲顯示圖2 8之截面 .的截面圖，（c)爲顯示圖28之C-C截面的截面圖。圖30爲透過密封部顯示根據本發明實施形態9之半導體裝置（CSP )構造一例的平面圖。，舅3 1爲顯示圖3 0所示之半導_體裝置構造之圖，爲顯示圖3 0之A-A截面.的截面圖’（b )爲顯示圖3 〇之B_B截面的截面圖，（c)爲顯示.圖30之C-C截面的截面圖。圖32爲透過密封部顯示根據本發明實施形態1〇之半導體裝置（CSP)構造一例的平面圖。屬33爲顯示圖'3 2所示之半導體裝置構造之圖，（a)爲顯示圖3 2之A-A截面的截面圖，（b)爲顯示圖32之B-B截面的截面圖，（c)爲顯示圖32之C-C截面的截面圖。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公兹~1 ~ ~~~~- --------Ί------、玎------J ,-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁j ! A7 B7 五、發明説明（9 ) 圖34爲透過密封部顯示根據本發明實施形態、η之半導體裝.置（CSP)構造一例的平面圖。 _圖35爲顯示圖34所示之半導體裝置構造之圖，⑷爲顯示圖34之ΑΑ截面的截面圖，（b)爲顯示圖之截面的截面圖，（c)爲顯示圖34之^(：截面的截面圖。圖36爲透過密封部顯示根據本發明實施形態12之半導體裝置（CSP)構造一例的平面圖。 -圖37爲顯示圖36所示之半導體裝置構造之圖，⑷爲顯孓圓3 6 I A_A截面的截面圖，（b )爲顯示—圖3 6之B_B截面的截面圖，（c)爲顯示圖36iC_c截面的截面圖。圖3 8爲透過密封部顯示根據本發明實施形態丨3之半導體裝置（CSP )構造一例的平面圖。圖39爲顯示圖38所示之半導體裝置構造之圖，（a)爲顯示圖38之A-A截面的截面圖，（b)爲顯示圖38之B_B截面的截面圖，（c)爲顯示圖38之c_c截面的截面圖。圖40 (a)、（b)、（c)爲顯示本發明實施形態i 4之半導體裝置之非連接引線構造一例之圖，（a)爲使非連接引線變形時的截面圖，（b )及（c)爲不使非連接引線變形時 ... ..........— · ---------^ Γ*ν^ 面圖。圖41 (a)、（b)、（C)爲顯示本發明實施形態1$之半導獎裝置使用1層表面配線之薄膜配線基板之構造一例的截= 圖" 圖42 (a)、（b)、（c)爲顯示本發明實施形態。之半導體裝置使用2層配線之薄膜配線基板之構造一例的截面圖。a -12- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨〇><297公趣請閲讀背面之. 注意事: 項再 % 本頁訂經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1 五、發明説明（·!〇 ) 圖4 3 (a)、（b)、（c)、（d)爲顯示本發碉實施形態1 6之澈導奴裳置製造方法之引線前端處理程序一例的擴大部分 '’面圖，（a)爲焊接前，（b)爲焊接時，（c)爲焊接後，（d) 爲密封後。圖44 ( a)、（ b)、（ c.)爲顯示對於圖4 3所示之引線前端處理的比較例之引線.前端處理程序的擴大部分截面圖，（a) 局焊接前，（b)爲焊接時，（c)爲密封後。圖45 (a)、（b)、（c)爲顯示對於圖43所示之引線前端處理=比較例之引線前端處理程序的擴大部分截面圖，局焊接前，（b)爲焊接時，（c)爲密封後。、圖46爲顯示用於本發明實施形態17之半導體裝置、苹丨構U體（elastomer).著色規格—例的彈性構造體規格圖47 (a)〜（h)爲顯示本發明實施形態18之半導體裝置之彈性構造體詳細组成一例的组成概念圖。圖48 (a)〜（e)爲顯示本發明實施形態丨8之半導體裝置之洋性構造體詳細組成—例的概念圖，⑷〜⑷爲3層構造的組成概念圖，（e)爲5層構造的组成概念圖。，、圖49 (a)、（b)爲顯示本發明實施形態丨9之半導體裝置 t彈性構造體骨骼層和黏接層厚度一例的概念圖。圖’50爲顯示本發明實施形態2〇之半導體裝置背造/的底面圖。 -13- Λ7 B7 五 '發明説明（11 面圖，（c)爲將一部分斷裂而顯示的平面圖。. Η να)馬正面、圖52(a)、（b)、（c>.爲顯示圖“所*之半導體裝 :圖，⑷爲顯示圖…八截面的截面圖，㈨爲 :圖U截面的截面圖，⑷爲顯示圖”之。。截面的截圖53 (a)、（b)爲顯示圖52所示之半導體裝置構造的擴大郅分截面圖，（a)爲顯示圖52(1))之13部之圖，（b)爲顯示圖52(c)之E部之圖。 .'、、圖54 ( a)〜（f)爲顯示用於本發明實施形態2 i之半導酽裝置之薄膜配線基板製造方法—例之圖，（a)、（c)、（^爲 4刀f面圖’（b)、⑷、⑴爲顯示各自截面的截面圖。圖55 (a)〜（d)爲顯示用於本發明實施形態2丨之半導體裝置之薄膜配線基板製造方法一例之圖，（a )、（ c )爲部分平面圖，（b)、（d)爲顯示各自a-A截面的截面圖。圖56爲顯示根據本發明實施形態2 i之半導體裝置製造 .方法一例之圖，（a)、（d)爲部分平面圖，（b)、（e)爲顯示各自A-A截面的截面圖，（c)、（f)爲顯示各自B_B截面的截面圖。圖57(a)〜（f)爲顯示根據本發明實施形態21之半導體裝置/製造方法一例之圖，（a)、（d)爲部分平面圖，（b)、（e) 爲縝示各自A-A截面的截面圖，（c)、（f)爲顯示各自B_B 截面的截面圖。 ' -14- ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚 ----------.裝------1T-----\ (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（12 A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製圖58 (a)〜（f)爲顯示根掳士政。^ 、、據本發明實施形態21之半導體裝、置製造方法一例之圖，丨a、 / 、）、（d)爲部分平面圖，（b)、（e) 爲顯示各自A-A截面的截而托石认坤两面圖’（c)、（f)爲顯示各自B-B 截面的截面圖。圖 59(a)、（b)、（c)爲 )'項不根據本發明實施形態22之半導體裝置構造一例之圖，“、Λ w (M (a)馬側面圖，（b)爲平面圖， (C )馬正面圖。圖 60 (a)、（b)、（C)、（η、Λ ηκ (d)馬顯不根據本發明實施形 23t半導體裝置構造—例夕圖 ^ ^ ^ j I圖，（ a)爲底面圖，（b)爲面圖，（c)爲平面圖，（d)爲正面圖。圖61(a)、（b)爲顯示本發明奋始# , 赏月只施形悲2 3之半導體裝左方法之密封完畢時之狀能 ⑻爲底面圖。例〈圖，⑷爲平面圖、^62(小（b)、（C)顯示圖61⑷所示之平面圖各截 ’ U)馬顯不A-A截面的截自圖，（b)爲顯示B_B截的截面圖，（c)爲顯示c-c截面的截面圖。 (a)、（b)、（e)爲顯示根據本發明實施形態η之半 ^體裝置構造方法之切斷完畢時之狀態—例之圖平面圖，（b)爲側面圖，（c)爲底面圖。 “圖Μ爲顯示本發明f施形態23之半導體裝置之排氣狀悲一例的概念圖。 '圖65 (a)〜（e)爲顯示根據本發明.實施形態24之丰導 .置構造一例象圖，（a)爲底面圖，（b)爲側^面圖，(幻爲面圖，（d)爲正面圖，（e)爲顯示（c)tc_c戴面的態側置面面體装平 ----------}裝------訂------.球 . ' ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚）

I 、發明説明（13 鲤濟部中央橾毕局員工消費合作祍印製圖66 增 .（a) (b)、（c)爲顯示根妙士过導體裝置禮衿根據本發明實施形態25之半直耩lg_ —例足圖，（a ) (c)爲底面圖。 -千面圖，（b)爲侧面圖， .圖6 7、十、 /爲顯示本發明實施形態〈密封穿〜25< +導體裝置製造方法町义畢時疋狀態—例的 •圖6S,、, 丨刀十面圖。 (a)'(b)爲顯示圖67户斤+、.，圖，不< 那分平面圖各截面之 .)馬顯7^ A_A截面的截面圖，f Μ ▲翩- ·β T3 # 哉面圖。口（b)局顯不Β-Β截面的 ' 9 (a) ' (b)爲顯示本發明奋製抨+、丄贫户J Λ施形感2 5之半導體费蒂氣绝万法之密封完畢時之狀能亍爷奴衷置 (b)爲卸下半導触θ & 1心―例心圖，（a)爲底面圖，巧P下半導體晶片 <狀態的底面圖。 - 圖::爲顯示本發明實施形態25之半導體例的概念圖》讲爲狀_ 實例説明以下，根據圖面詳細説明本發明之實施形態。 (實施形態1) 圖!爲透過密封部顯示根據本發明實施形態k半導體匕（CSP )構造一例的平面圖，圖2爲顯示圖^ ”置構造之圖，⑷爲顯示圖⑽截面的哉面圖= 馬顯不圖mB截面的截面圖，（c)爲顯示圖玉之匚匚面'的截面圖，圖3爲顯示用於圖i所示之半導體裝置之2 構件規格一例的規格說明圖，圖4爲顯示圖丨所示之=導缸朱_置製私一例的製程圖，圖5爲顯示圖4所示之製程各請it 聞讀背之 «« · >王

I 舎訂 -16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2i〇X297公梦〉經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ΑΊ ________________Β7 . 五、發明説明（14 ) " 一 '~~ 處理之處理條件一例的處理條件説明圖，圖6、圖7及圖8 爲頒π用於本發明實施形態i之半導體裝置（csp )之薄膜配線基板製造方法一例的部分平面圖，圖9爲顯示本發明實施形態1之半導體裝置（CSP)製造方法一例之圖，（3)爲顯示彈性構造體貼面的部分平面圖，（b)爲顯示半導體晶片姑面的邵分平面圖，圖1〇爲顯示本發明實施形態】之半導體裝置（CSP )製造方法之切斷位置一例的部分平面圖，圖11(a)、（b)爲顯示本發明實施形之半導體裝置 (CSP)製造方法之引線切斷方法—例的透視圖，圖 12(a)、（b)、（c)爲顯示本發明實施形態1之半導體裝置 (CSP )製造方法之彈性構造體貼面狀態一例的透視圖，圖 l3(a)、（b)爲顯示本發明實施形態}之半導體裝置（csp) 製造方法之引線焊接方法一例的透视_，圖2 7爲顯示圖8 所示之薄膜配線基板詳細構造的擴大部分平面圖。圖1及圖2所tf之本實施形態1之半導體裝置（cspii)係包封體尺寸近似晶片尺，寸的小型者，具有在形成多數半導體元件的主面1 a和該主面1 a外周部形成電極焊接點工b (連接端子或稱爲焊接區）的半導體晶片1，同時在半導體晶片1内側配置爲外部端子的突起電極2。兹將在晶片周邊形成焊接點且在晶片内側配置突起電極的構造以下稱爲周邊焊接點之扇入（fan-in) CSP。 /此外，CSP11因外部端子爲突起電極之表面安裝型包封體而也是球柵陣列（ball grid array )。兹就前述CSP11之構造加以說明，包含彈性構造體 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準GnS ) A4規格（210X29?公浚) ~~ — --------—衣------、玎------1.4. ' I · ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（15 (elastomer) 3 :使電極焊接點1 b露出而配置於半導體晶片 1之主面la上；薄膜配線基板4:具備基板本體部4 &，該基板本體部4 a設有配線4 d，該配線4 d係一端透過引線4 c 和半導體晶片1之電極焊接點1 b電氣連接且他端和突起電極2電氣連接，同時具備基板突出部4b :設置使電極焊接點1 b露出的開口邵4 e，並且突出開口部4 e及半導體晶片 1外側；及，密封部5 :密封半導體晶片i之電極焊接點lb 及薄膜配線基板4之引線4C ; 一體形成薄膜配線基板4之基板本體部4 a和基板突出部4 b。又，圖1所示之CSP11平面圖係爲了顯示半導體晶片i之屯極焊接點1 b或薄膜配線基板4之引線4 C而透過圖2所示之金封那5顯示的。因此’在圖1所示之CSP11平面圖省略前述密封部5之記載’但在圖1所示之CSP11之薄膜配線基板4之開口部4 e 内本來已形成如圖2所示之密封部5 (以後，關於實施形虑2〜實施形態2 〇亦同樣）。此處’本實施形態1係在長方形半導體晶片1之主面 1 a ’/、在與此主面i a長度方向成直角的方向（以後稱爲短邊万向）對向的兩邊外周部分別設置多數個（此處一側6個）電極焊接點1 b的情況，因此，在半.導體晶片1内側，爲i 2 個外部端子的突起電極2配置成格子狀。 '因此’在薄膜配線基板4上，在與半導體晶片1之主面 1 a的前述短邊方向對向的外周端部對應之處各形成1個長方形開口部4 e。 -18- )Μ規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意t項再填寫本頁)

1 Λ7 五、發明説明（ 16 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製，將半導體晶片1裝在彈性構造體，短邊方向對向所設的多數電極焊接點偏部4e露出T接點對應的位置的薄膜配線基板4之開口本本實施形態1之CSPU之薄膜配線基板4包含基板邻:V·: ·具有配線4d;2個開口部4e;及，基板突出 •大出（伸出）基板本體部“及2個開口部“側周圍所形成。又’將半導體晶片1裝在彈性構造體3上時，層疊配置二板本體部4a、彈性構造體3及半導體晶片丄，薄膜配線基板基板突出部4b成爲在半導體晶片丄外側周圍突出成凸緣狀的狀態。 .再者，基板本體郅4a上設有和配線“電氣連接且裝載突起電極2的1 2個突起烊盤p land) 4f (參照圖8⑷）。此外，彈性構造體3爲支持半導體晶片i的絕緣性彈構件，配置於薄膜配線基板4和半導體晶片i之間。又本只施形悲1 t彈性構造體3具備突出半導體晶片i外側彈性構造„體突出部3b(彈性體突出部），同時〇3]?11組後，彈性構造體3之預定側面3 a (此處係和半導體晶片工長度方向相同方向對向的2個侧面3a)露出外部。即’如圖1或圖2 ( c )所示.，將彈性構造體3貼在薄膜象基板4上時，在彈性構造體3從半導體晶片丄突出外側彈性構造體突出部3b與薄膜配線基板4之基板突出部4b 疊而配置。請閲讀背之注. 意事- 項再寫本頁訂性的合的的重 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公兹） 1 Μ 五、發明説明（π ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製此外’密封部5係以密封樹脂密封半導體晶片1之電極爭接點1 b及連接於此電極焊接點的引線4 c ;半導體晶片1 的則述缸邊方向對向的2個侧面1 c全體；及，半導體晶片 1的長度方向對向的2個侧面1 χ的各自兩端部附近而形成由於在半導體晶片1外側附近配置薄膜配線基板4之基板突出部4b，所以在基板突出部4b和半導體晶片1之間’在去封樹脂跨越（跨接）狀態可形成密封部5。此處’用圖3就用於前述csp 11的各構件規格（材料、大小或厚度等）加以説明。但是，此處所舉的各構件规格爲一例’不一定限於此規格。、首先薄膜配線基板4以聚酿亞胺（p〇iyimide ).樹脂形成成爲其基材之帶，其厚度爲25〜75程度。再者，設於薄膜配、.泉基板4上的配線4 d (包含引線4 c及突起烊盤4 f) 爲厚度18〜25 a m程度的銅箔。又，覆蓋此配線4d的電鍍爲1.5 厚的雙面鍍金或在電極焊接點ib侧和突起電極2 側改變其厚度的鍍金/鎳等。此處，在本實施形態！所用的薄膜配線基板4，如圖2(昀所不，係配線4d爲1層者，並且該配線4(1只形成於成爲基材t帶（圖6 ( a)所示之帶基材4 g)背面的所謂i層背面配者。此外，彈性構造體3係由表裏兩面有黏接層3£的基層 (係骨骼層3d，亦稱爲芯層）構成的3層構造（參照圖47)，就其通用例而言’有圖3所示的規格例①或規格例②等。又，關於規格例①，特願平9_1491〇6號中記載其詳情，而 _ -20- 本紙張尺度適用中國國家摇準（CNS ) A4規格（210 X 297公潑）請閣讀背面之注項再寫本頁訂 A7 A7 經濟、邺中央標準局員工消費合作社印製 --------., B7 五、發明説明（18 ) 關於規格例②，特顧平8_136159號中記载其詳情。者在本·^施形悲1所用的彈性構造體3爲無著色的。因此，本實施形態1之彈性構造體3爲使光透過的大致透明的。但是，彈性構造體3由通氣性或排水性等方面，最好以 ^孔性氣樹脂形成其基層（骨路層3 d)。即，最好使用前述规格例①者，處以^孔性氟樹脂形成的彈性構造體3具有以立體網眼構造體構成的骨路層3 d。 ^ ’前述立體網眼構造體係由以立體糾纏形成纖維狀化合物的不織布所構成。、，外’關於爲形成密封部5的密封材料的密封樹脂有圖 3所不的規格例①或規格例②等。 ..tit ’，劑型液狀樹脂於密封後的固烤(CUre bake)時，洛劑揮發之際，容易發生丨前述規格例①者。洞（ν，。因此，最好使用又’實施形態…洲所用的密封樹 X但延長塗佈時㈣灌噴嘴（未圖示）移動時間而塗佈花要間（例如+導體晶片卜側的6個電極焊接點^進行塗 I ::呈度2加熱密封樹脂等，可使用黏度高的密封树曰，猎此，在基板突出部4b和半導體晶片i之間迅密封樹脂成爲橋接狀態。 B可使則二ti就前述密封樹脂而言，爲了縮小密封固化時因收縮而產生的殘留應力，最好使用含有二氧切的樹：因^ ~7 "—— --______ -21 - 本纸張尺度朝+國國家標準（CNS ) A4規^——----_

Λ7 五、發明説明（19 時使用含有二氧化矽50重量％以上者更佳。此外，突起電極2的材料爲錫/鉛的共晶焊錫、其他* 點焊錫或附有鍍金的鎳等，其直徑爲〇 3〜〇6mm程度二、谷根據本實施形態1之CSP11 (半導體裝置），可的作用效果。 π下即，藉由一體形成薄膜配線基板4之基板本體部“和板突出部4b，使基板突出部4b不成爲從基板本體部 =的構造’所以不用高價材料形成基板突出部〇即可辨其結果，可謀求CSP11 (半導體裝置）製造成本的低化。 4 再者，藉由在薄膜配線基板4上在其開口部4 e外侧設置基板突出部4b，透過開口部4e塗佈前述密封樹脂時，在基板突出部4b和半導體晶片！之間，在使其橋接狀態可形成密封部5 ^ 藉此，可進行穩定的密封，而可提高密封性，其結果，可謀求密封部5的防潮可靠性提高。又’作爲前述密封樹脂，使用含有二氧化矽5 〇重量％以上者’可縮小密封固化時因收縮而產生的殘留應力。其結果，可提高密封部5的可靠性。此外’由於以多孔性氟樹脂形成爲彈性構造體3的基層^ ’並且彈性構造體3之和半導體晶片丨的長度方向相同方向對向的2個側面3 a露出外部，所以可將前述回流時吸濕成分的發生蒸氣放出外部，其結果，可提高耐回流性， -----22- 本紙張尺度it财國國家標準（C&S ) A4規格（210xI97公费） * . f請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁j 、-ix -J·' 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7 五、發明説明（20 ) —~~~ 5寺J用夕孔性氟樹脂之氟具有的排水性，可防止水分進入CSP11内。其結果，可減低CSP11的電氣特性劣化。其/人，將根據本實施形態i tcspll (半導體裝置）製造方法和其製造時得到的作用效果合併加以説明。 δ時，按照圖4所示之製程，並且一面和圖5所示之處理條件對照’—面加以説明。此外圖9、圖10、圖12及圖13所示之彈性構造體3具有開口郅3c ’係説明後述實施形態6或7之csp丨g、1 7製造方法I圖’但關於基本製造方法，本實施形態1也相同，所以在本實施形態1，圖9、圖1 0、圖1 2及圖】3也照樣使用加以説明。首先’準備薄膜配線基板4，該薄膜配線基板4具備基板本體郅4a:具有配線4d，同時具備基板突出部4b•:突出配置連接於配線4 d的引線4 c的開口部4 e外側，和基板本體部4a—體形成。此處，使用圖6〜圖8，就薄膜配線基板4之製造方法加以説明。經濟部中央標準局員工消費合作社印製首先，準備圖6 〇)所示之由聚醯亞胺樹脂構成之帶基材 4g。又，此帶基材4g表裏面塗佈著爲了貼上圖7 (b)所示之銅箔4 h的黏接劑。 /接著’如圖ό (b)所示，在帶基材4 g兩侧部大致等間隔地形成送帶用的基準孔4 i。其後，如圖7 (a)所示，利用沖孔加工形成1 2個突起用 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ΑΊ

開口郡4 j和其兩側2個配線接合用開口部4 e，接著，如圖 7 (b)所示，層疊銅箔4h而貼在帶基材4g上。 .)¾-- * : V -f先聞讀背面之拄意事if再填寫本頁) 再者’如圖8 (a)所示，利用蚀刻加工將銅箔4 h加工成所希望的形狀，藉此形成配線圖案。果’形成銅箔之突起焊盤（bump land) 4f和供電線4 k。又’此供電線4 k於對銅箔4 h施以艘金後，爲了使前述緩金電氣反應’必須連結鄰接的供電線4 k彼此。再者，蝕刻加工前述銅箔4 h而形成配線圖案後，對銅箔4h進行鍍金加工。此時鍍金的規格爲圖3所示蚱配線電錢規格’可以是厚度丨5 A m的鍍金（圖3所示的配線電鍍之①者），可以是金和鎳的差厚電渡（圖3所示的配線電鍍之②者），或者也可以是另外的電鍍。其後，使用圖11 (a)所示之切斷模6之穿通模6 a切斷加工圖8 (a)所示之連結配線引線，藉此，如圖8 (b)所示，分離成各個引線4 c。當時，藉由使用前述穿通模6a之切刀寬度5〇〜2〇〇 # m，較佳是100〜150 程度的小型前述切刀，可將切斷後的經濟部中央標準局員工消費合作社印製引線4 c形狀形成如圖11 (b)所示的射束形狀4 1。再者’藉由使用125 "m程度的小型前述切刀，可將切斷加工引線4 c之處的尺寸形·成125 " m程度，其結果，可縮/短裝載半導體晶片1 (參照圖1 )時的半導體晶片1和基板突出部4 b的距離。藉此’可弄窄形成抵封邵5時的金封區域，而可提高密 -24- 用中國國家標隼（ci^iS ) A4規格（210X297公錄Π --~~~

TF 五、發明説明（22 封性。此外，可縮短半導體晶片】和基板突出部“的前述距離，而可謀求CSP11外形的小型化。藉由前述切斷加工而將各個引線4c形成如圖u (b)所的射束形狀4 1，可準備如圖8 (b)所示的薄膜配線基板4 此處，使用圖8及圖27説明在本實施形態i所用的薄膜配線基板4之詳細構造。如圖27所示，在基板本體邵4 &周圍與其四邊大致而形成4個長孔4q。 ‘ 此長孔4 q係減少使基板本體部4 a切斷分離時的切斷面積而使切斷容易性提高，同時緩和細長帶狀的薄膜配線基板4捲取時或切斷時等發生的變形。此外，在基板本體部4a上下之長孔岣外側設有切斷時進行定位的定位孔4 p (本實施形態1在上側1個在下側2個合計設置3個，但此定位孔4p若設於長孔4q上下兩外側，則其數目不限）。再者’在基板本體部4a上下之長孔4q之各自孔端部設有辨認圖案4 η，該辨認圖案4 n係以和配線圖案相同的銅箔形成。此辨認圖案4η係切斷時等以攝影機推斷薄膜配線基板4 位置之際所辨認者，爲了焊接時等從薄膜配線基板4之相反/侧（未形成前述配線圖案之側）亦可辨認，即爲了從薄膜配線基板4之表裏兩面側可辨認，在長孔4 q内的端部在使其橋接狀態設置。 -25- 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------i衣------1T------竦 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（23 ) ΑΊ B7 經濟部ί蒙f if作社印製 β圖”所示之薄膜配線基板4係料其輸送方向】列橫排地设置多數基板本體部4 a的情況，但也。J以多列（例如2列）橫排地設置基板本體部4 a。. 這種情沉，可提高CSP11的製造效率。其後，進行圖4所示之薄膜配線基板供應2〇和彈性構造體供應2 1 ’進行彈性構造體貼面2 2。 ° 又，彈性構造體3的貼面係根據圖5顯示—例的彈性造體貼面條件，如圖9 (a)所示，接合薄膜配線基板4之基板本體邵4a和彈性構造體3。土藉此，可形成贴上彈性構造體3的薄膜配線基板4。此處，貼上彈性構造體3時在彈性構造體3和基板本_ 部4a兩者之端部的位置關係，如圖12⑷、 = 示，可考慮3種。首先，圖12 (a)爲基板本體部4 a之端部從彈性構造體突出的情況，設其突出量爲p。再者圖12 (b)爲基板本體郅4 a之端部和彈性構造體3 之端部一致的情況’而圖12⑷爲基板本體部4a之端部比彈性構，體3退縮的情況，設其退縮量爲q。一般密封材料（此處爲密封樹脂）塗佈後，在加熱硬化時月封材料中的揮發成分會成爲揮發氣體而產生。當^ ’前述揮發氣體的比重比前述密封材料小，所以產生你前述揮發氣时從前述㈣㈣±部通往外部。然而，超過後述P値預定範園而彈性構造體3之端部比基板本體邵4a之端部在内側（p>遍叫，比此基板本人 3

---------- , 一 >· (諳先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、v=°, I— JH--HI I - I l\...I _ ---------

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.In I I Λ7 B7 五、發明説明（24 體部4 a之端部在内側之深處上部爲基板本體部“之端部心二述^發氣體，因出材料外部，就會積存於前述密封不此通任则迷密南 ,h., 對材科内郅成爲氣泡。此外，此氣泡内邵之前述揮發氣體成分一部料加熱硬化後，因徐徐通過密# 、进封和間）通往外部而釋放氣泡之内壓封材科中的細微間隙（分号此結果，前述氣泡存在之處就會形成於前述密邵成爲孔洞（V〇ids )。材科内此密封材料内部之前述孔洞本來在爲前述密封材填的^域-部分形成未充填空間，所以對半導體裝置的防潮可非性及溫度循環可靠性帶來不良影響。因此，藉由設前述P値爲例如0客！^3〇〇，較佳是〇客 PS100 "m的P値預定範圍，就不會因基板本體部4&而堵住揮發氣體的通路，其結果，可將產生的前述揮發氣體有效地排出前述密封材料外部。 s 藉此’不會在前述密封材料内部形成孔洞。經濟部中央楳準局員工消費合作社印製另一方面，超過後述Q値預定範園而彈性構造體3之端邵比基板本體部4 a之端部在外側（Q > 1 〇〇 # m )，因引線 4 c —部分爲彈性構造體3所固定而於引線4 ^焊接時，不能形成適當的配線形狀。其結果，對於溫度循環可靠性帶來不良影響。 /因此，藉由將對於基板本體部4 a之端部的彈性構造體3 之端部位置設定在例如〇 g q S 1()〇 " m，較佳是〇 s q $ 5〇 " m的Q値預定範園，可進行適當的引線4 c焊接。 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐) Λ7五、發明説明（25 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ^ ^將前述p和前述Q之値設定在前述預定去掉在翁封材料&丨園而 +严接6^ 1，並可得料行引線4c谪田綷接的可靠性高的CSP11構造。碾後而進行晶片供應23 (參照圖4):供應在如圖2⑷所不，王1 a外周部設置電椏焊接點i b的半導f 此，根據圖5所亍乏日工从丄7千泽紅叩片1 ;藉貼面24。. ’、1片貼面條件，進行圖4所示的晶片 :：晶片貼面24如圖1所示，係使半導體晶片工之· -O’ lb露出薄膜配線基板4之開口部4^， : 不，接合半導體晶U之主面la和彈性構造體3。（）所上即，如圖9⑻所示，將半導體晶㈣在彈性構造體3 其後，根據圖5所示之晶片貼面後固化條件，進行^ 所-的彈性構造體固烤25，提高彈性片1的接合強度。干导私卵接著，根據圖5所示之内部引線連接條件，進行圖 :::部引線連接2b。又，就圖5所示之前述内部引線連 f件而言，雖然介紹了條件①的情況和條件②的情況兩種，但前述内部引線連接條件並不限於此。首先，如圖13 (a)所示，使焊接工具7在預定位置下降，，後如圖13 (b)所示，將焊接工具7壓在半導體晶片！之電極"焊接和與此電極焊接點對應的薄膜配線基板*之引線4c上而電氣連接引線4c和電極焊接點ib。又，根據本實施形態！之焊接方法係單點焊接（singie η 閑面項再

I 訂 -28-

I Λ7 五、發明説明（淡） point bonding)。此處，焊接後，隨著焊接工具7將引線4c在電極焊接點 lb正上方進行推上的動作時，若將在引線&錐形前端部產生的應力除以在引線4(;之基板本體部4a端部產生的應力 < 値疋義成彎曲應力比沈，則由以錐形爲特徵的引線 4C之尺寸’以下式表示前述彎曲應力比沈： a - L X (κ - J) / (Μ X K)、（參照圖！ 3 (a)) =此’ A 了前述彎曲應力比Λ成爲1G〜175，最好設計引，，泉4 c之尺寸及形狀。即ίίΐ如圖4所示，進行爲密封材料的密封樹脂供應，即獪封材料供應2 7。二同使用圖3之密封材料规格所示之密封材料（密封樹脂、進仃圖4所不的樹脂密封2 8。 ' 、：時’利用使用未圖示的洗灌喷嘴的涛灌方法，從 :::薄膜配線基板4之開口部4e滴下前述密封樹脂，穷 +導體晶片i之電極焊接點lb和薄膜配線基心之引: :而形成密封部5。又，滴下時間對於—側的：例如爲3 0秒程度^ 半ΐ:!:形態1之cspn方面，由於在基板突出部4b和、導肢卵片1之間，在使其橋接狀態可進行密進行穩定的樹脂密封2 8，其結果，可提古尸以可可;靠性。』知巧始、封部5的防朝接著，根據圖5所示之密封後固化條件，的密封材料固烤29,凝固密封部5。仃04所示張尺度適用中國國家裙準（CNS ) A4規格（210X297公釐 ----------裝-- * : (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j 訂--- 經濟部中央榇準局員工消費合作社印製 ;成----------- I—» H ί ·

I 、發明説明（27 再者’進行電極（ le) 突起用電極規格所示之m參照圖4):供應圖3之之突起用門纟：甩拯材料給基板本體部4a 砭用開口郅4J (參照圖7 (a》。 /、後’根據圖5所示之突為报士吐 ^ ^ , 起私成時回流條件，進行圖4 所不的突起形成31。疋叮口4 此時，將供應前述電極材料给A 口邱4.本1# + 、基板本眼郅4a之突起用開者導人未圖示的回流爐，進行突起形成η。藉此，如圖1及圖2所示，兩鸟、由γ # ^4 私玑連接基板本體部4a之配、、果4 d和突起電極2。又，在本實施形i方面，形成突起電極2時，即使回流吸濕狀態的csm，由於彈性構造體3之預定方向之側面3a (此處係和半導體晶片i的長度方向相同方向對向的2 個側面3a)露出外部，所以也可使回流時的產生蒸氣通過彈性構造體3而發散到外部。其結果，可提高耐回流性。其後，進行作標記32 (參照圖4):附加製品（cspil)之型號等標記。接著’在圖1 0所示之切斷位置8進行圖4所示的切斷 33，取得希望尺寸的各個CSP11。 (實施形態2) 圖14爲透過密封部顯示根據本發明實施形態2之半導體裝/置（CSP )構造一例的平面圖，圖1 5爲顯示圖1 4所示之半導體裝置構造之圖，（a)爲顯示圖14之A-A截面的截面圖，（b)爲顯示圖14之B-B截面的截面圖，（£;)爲顯示圖 -30 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐）請先閲讀背 ίέ 之注_ 意事“ 項· 再 i 訂經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（28 1 4之c-c截面的截面圖。本實施形態2之CSP12 (半導體裝置）和圖1所示之實施形悲' 1之cspii同樣，係周邊焊接點型扇入（fan_in) CSP，肩有和cspii大致相同的構造，但對於實施形態i <cspll的史更處爲在圖4所示的突起形成3 1後的切斷3 3製程，在形成於基板突出部4b的密封部5區域，將基板突出部41?和形成於此基板突出部的密封部5同時切斷加工成所希望的外形尺寸，藉此，CSP12和圖1所示之CSP11相比，可更加謀求小型化。爲了實現此，在圖4所示的樹脂密封2 8製程，作爲密封樹脂，需使用由二氧化矽比率少的低二氧化矽材料構成的密封樹脂。即，將密封樹脂中的二氧化矽（填充物）含有率設定在 0〜50重量％以下，較佳是〇重量％。此處，前述二氧化矽是非常硬質佝又貝但圖4所TF的密封材料固烤29時，也可減低前述密封樹脂的駐留應力。· 又，關於本實施形態2之CSP12之其妯拢、止十从、、并他構造和其他製造方法，和實施形態1之CSP11者同樣，阱 4银所以其重複説明省略。茲就由本實施形態2之CSP12及並劍批、。

八灰&•万法所得到的作用效果加以説明。 F /首先，在形成於基板突出部4 b的宓私 7 *封郅5區域，將某叔突出部4b和密封部5同時切斷加工成所#望的外形尺扳不論基板突出部4b之前述密封樹脂擴展程度(形成於基板 -31 - Μ氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X25*7公趁 ^--;|懲—I (請先閱讀背面之注意^-項再填寫本頁) *1Τ

Id. 1 A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製五、發明説明（29 ) 突出部㈣密封部5大小行外形知斷 CSP12的小型化。斤以了《現再者，密封樹脂中所含的前述二氧化矽比率少，缓和前述密封樹脂凝固後的密封部5硬产，其、=，尸，可斷加工基板突出部4b和密封部5時;用的=金： :，關於由本實施形態2之伽12及其製造方法所得到的八他作用效果，和實施形態1之以？11者同樣，重複説明省略。 # (實施形態3 ) 圖16爲透過密封部顯示根據本發明實施形態3之裝置(cSP)構造一例的平面圖，圖.17爲顯示圖“所示：半導體裝置構造之圖，⑷爲顯示圖16<α_α_Μ@ 圖，、（b)爲顯示圖丨6之Β-Β截面的截面圖，（c)爲顯示 16之C-C截面的截面圖。、本實施形態3之CSP13(半導體裝置）和圖14及圖15所示乙實施形態2之CSP12同樣，係周邊焊接點型扇入（fawl CSP，具有和CSP12大致相同的構造，但對於實施形能之以？12的變更處爲在圖4所示的樹脂密封^製程，J·在實施形態1進行的樹脂密封28配合.，如圖1?⑷所示於半導體晶片1的長度方向對向的2個側面i c也進沪菸封2 8。胃h 又，對於前述半導體晶片1的長度方向對向的2個例面 lc進行樹脂密封28時，進行實施形態丄的密封材料固 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準T^s ) A4規格（27^^ (請先閲讀背面之注意^項再填寫本頁} 訂---- 滅-- II - ----- _

、發明説明（30 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 29後，使CSP13表裏反轉—次。其後，從半導體晶片1背 . 對於半導體晶U的長度方向對反側之面)侧，側面的基板突出部4b塗佈密:樹向：2個：面⑽接近此 28。仰在封树脂，再度進行樹脂密封性在圖4所示的切斷33製程，將基板突出部4b、彈性構k體3之彈性構造體突出部 4, ^ ς π t 丨3 b及形成於此突出部的密封吨5同時切斷加工成所希望的外形尺寸。 ^ 如圖17所示，在本實施形態3之咖3方面， ::導體晶片…個側面lc全部進行樹脂密封2 此在半導體晶片…個全部側面“形成密封部5。 B 又，關於本實施形缔3夕pqoi ->、# 士本e /m、3(CSP13(其他構造和其他製 :法，和實施形態2之CSP12者同樣，所以其重複説明兹就由本實施形態3之CSP13及其製造方法用效果加以説明。于j的根據CSP13，由於以密封樹脂覆蓋半導體晶片工之斗個邵側面1C，相可提高半導體晶以的密潮可靠性）〇尺其結果，可實現小型且可靠性高的cSP13 ^ 又，關於由本實施形態3之CSP13及其製造方法所得的/其他作用效果，和實施形態2之cspi2者同重複説明省略。 7 造省作全防到其 « « (請先閲讀背面之注意事項再填35本頁) 訂 i,^·. 33- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（21〇χ297公釐） A7 A7 B7 五、發明説明（31 ) (實施形態4 ) 圖18爲透過密封部顯示根據本發明實施形態4之半導體裝置（csp)構造一例的平面圖，圖19爲顯示圖18所示之半導體裝置構造之圖，（a)爲顯示圖18之A_ A截面的截面圖，（b)爲顯π圖18之B-B截面的截面圖，（£))爲顯示圖 18之C-C截面的截面圖。、^實施形態4之CSP14 (半導體裝置）和圖10及圖17所示之·貫施形態3之CSPI3同樣，係周邊焊接點型扇入（fan_in) csp，具有和CSP13大致相同的構造，但對於實施形態3之 CSP13的變更處，如圖丨8所示，係彈性構造體3形成和薄膜配線基板4之基板本體部4 a大致相同的大小。即，本實施形態4之CSP14之彈性構造體3沒有實施形態 1〜3所示的彈性構造體突出部3 .b。因此，用和在實施形態3説明的樹脂密封2 8方法同樣的方法進行樹脂密封28時，配合半導體晶片個全部側面1 c爲密封樹脂所覆蓋，彈性構造體3之4個全部側面3 也爲前述密封樹脂所覆蓋。藉此，可形成一體覆蓋半導體晶片j和彈性構造體3之外周全部側面1c、3a的密封部5，並且—體覆蓋前述外周全部側面lc、3a的前述密封部5對於薄膜配線基板4之基板突出部4 b也直接接合。也外，CSP14成爲以下構造：以密封部5、基板本體部 4a及半導體晶片1覆蓋彈性構造體3之全部面。_ 又’關於本實施形態4之CSP14之其他構造及其他製造 -34- 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2ΐ〇χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T a 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（32 方法，和實施形態3之⑽3者同樣，所以其重複略。 ’ 兹就由本實施形態4 tCSP14及其製造方法所得到用效果加以説明。根據CSP14，由於覆蓋彈性構造體3之全部面，所以能得到使彈性構造體3之側面3 a露出時的作用效果，但對此一體覆蓋半導體晶片1和彈性構造體3之外周全部側面 lc、3a而可形成密封部5，並且前述外周全部之前述密封邵5對於薄膜配線基板4之基板突出部4 b也直接接合，所以可更加提鬲半導體晶片1的密封性（防潮可靠性）。又’關於由本實施形態4之CSP14及其製造方法所得到的其他作用效果，和實施形態3之CSP13者同樣，所以其重複説明省略。 (實施形態5 ) 圖20爲透過密封部顯示根據本發明實施形態5之半導體裝置（CSP )構造一例的平面圖，圖2 1爲顯示圖2 〇所示之半導體裝置構造之圖，（a)爲顯示圖20之A-A截面的截面圖，（b)爲顯示圖20之B-B截面的截面圖，（c)爲顯示圖 20之C-C截面、的截面圖。本實施形態5之CSP15 (半導體装置）和圖ls及圖19所示之實施形態4之CSP14同樣，係周邊焊接點型扇入（fan_in) CSP，具有和CSP14大致相同的構造，但對於實施形態4之 CSP14的變更處，如圖2 0所示，係除了使電極焊接點1 b 露出薄膜配線基板4之基板突出部4 b的開口部4 e之外，還 -35- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----------裝— . --.[ (請先调讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部中央標準局員工消费合作社印製五、經濟部中央標準局貝工消費合作社印製發明説明（33 在與半導體晶片1的長度方向由、 ’向的2個側面1 c (參昭圖9 ·( (c))對應I處設置密封用開口部4〇1。（麥“.、圖21 即，在本實施形態4之cSP14之的2個門„ 4 、辱腰配，，泉基板4設置對向開口邠4 e :設於使半'導體31不也丨、不 1 h碎山& 奴θ日片1兩侧 < 電極焊接％路出的位置；及，2個密封用門 a βθ , J用開口部4 m :設於名&化過口郅4 e成直角的方向對向的位置。、藉此，進行圖4所示的樹脂密封睹 4表面側透過此開口部4 e和密封衣丞板樹脂。佈密封日因此，用此洗灌(P〇tting)方法可以密封樹脂覆 Θ日片1之4個側面1 c。子月足、又，關於本實施形態5之CSP15之其他構造及其他製 ^，和實施形態4之CSP14者同樣，所以其重複説^ 兹就由本實施形態5之CSP15及：IL劁i告女、土 γ 用效果加以説明。乍根據CSP15，由於從薄膜配線基板4表 ' 叫明U —万側)透過此開口部4e和密封用開口部4111塗佈密封樹脂而可進疒樹脂密封2 8，所以樹脂密封2 8時，無需使cspi 订而可謀求生產效率提高。 ’ 又，關於由本實施形態5之CSP15及其製造女、土、石法所得到的/其他作用效果，和實施形態4之CSP14者阁掸 _ W U像，所以龙重複説明省略。 ^ -36- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐）

Λ7 --—-------- B7 五、發明説明（34 ) ~~ 一 (實施形態6 ) 圖22爲透過密封部顯示根據本發明實施形態6之半導體裝置（CSP)構造一例的平面圖，圖23爲顯示圖22所示之半導體裝置構造之圖，（a)爲顯.示圖22之八_八截面的截面圖，（b)爲顯不圖221B-B截面的截面圖，（c)爲顯示圖 2 2之C-C截面的截面圖。本實施形態6之CSP16(半導體裝置）和圖14及圖15所示之實施形態2之CSP12同樣，係周邊焊接點型扇入（fan_in) CSP，具有和CSP12大致相同的構造，但對於實施形態2之 CSP12的變更處，如圖2 2所示，係彈性構造體3也有開口郅3 c，該開口邵3 c係使和薄膜配線基板4同樣的半導體晶片1之電極焊接點1 b露出。即，CSP16之彈性構造體3設置使電極焊接點1 b露出的2 個開口部3 c，並且具備突出此開口部3 〇及半導體晶片i外侧的彈性構造體突出部3 b (彈性體突出部）。因此，將彈性構造體3貼在薄膜配線基板4上時，對準各構件之2個開口部4 e和開口部3 c位置而貼上。經濟部中央標準局員工消費合作社印製又，遍及彈性構造體3外周全部設置本實施形態6之彈性構造體突出部3 b。此外，本實施形態6之CSP16之樹脂密封（參照圖4 )和實施形態2之樹脂密封2 8同樣。，當時，在彈性構造體3也在其開口部3 c外侧設置彈性構造體突出部3 b，所以如圖23 (b)所示，開口部3 c外侧周圍之彈性構造體突出部3 b也兼具阻止密封樹脂流動的壩功 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 --一"-一__ B7 五、發明It明（35 ) ' ~~---~~~~~ 能。 /此’在本實施形態6之⑽6方面，進行圖4所示的切时33時，同時切斷加卫薄膜配線基板4之基板突出部4 層璺於此基板突出部的彈性構造體突出部讪而可型化。 . 卜，J、 ?藉由切斷33將薄膜配線基板4和彈性構造體3的外形形狀形成大致相同的大小。此外，在CSP16方面，由於切斷3 3時不切斷加工由樹脂，封28所形成的密封部5，所以可用二氧化矽含有率”重量％以上的前述密封樹脂作爲密封材料的密封樹脂。又，關於本實施形態6之CSP16t其他構造及其他製造方法，和實施形態2之CSP12者同樣，所以其重複説明省略。茲就由本實施形態6之cspi6及其製造方法所得到的作用效果加以説明。根據CSP16 ’利用設於彈性構造體3的彈性構造體突出部3 b可防止樹脂密封2 8時的密封樹脂流出。當時’由於遍及彈性構造體3外周全部設置彈性構造體突出郅3 b ’所以遍及薄膜配線基板4之基板突出部4 b全體可防止前述密封樹脂的流出。藉此’切斷3 3時’不必切斷加工前述密封樹脂，並可条求CSP16外形的小型化。再者，切斷3 3時，由於不必切斷加工前述密封樹脂，所以可用二氧化矽含有率5 〇重量％以上者作爲前述密封 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇χ297公茇） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

,1T 起濟部中央標準局買工消費合作社印製 ΑΊ 五 '發明説明（邪 '—--—«... 樹脂。藉此，可縮小圖4所示之密封材料固烤2 9時的密封樹脂收績率，可減低前述密封樹脂具有的駐留應力。 θ 又，關於由本實施形態6之CSP16及其製造方法所得到的其他作用效果，和實施形態2之CSP12者同樣，所:其重複説明省略。 (實施形態7 ) 面圖圖侧圖24爲透過密封部顯示根據本發明實施形態7之半導體裝置（csp)構造一例的平面圖，圖25爲顯示圖24所示之半導體裝置構造之圖，U)爲顯示圖24之A-A截面的截圖’（b)爲顯示圖24之b_b截面的截面圖，（c)爲顯示 24之C-C截面的截面圖，（d)爲圖24的正面圖，爲 2 4的側面圖，圖2 6爲顯示圖2 4所示之半導體裝置背面構造的底面圖。經濟部中央標準局員工消費合作社印製示 in) 之合性本λ施形悲7之CSPI7 (半導體裝置）和圖μ及圖23所之λ施形悲6之CSP 16同樣’係周邊焊接點型扇入（fan CSP ’具有和CSP16大致相同的構造，但對於實施形態6 CSP16的變更處’如圖μ⑷、⑻、（c)所示，係组 CSP17時’加厚彈性構造體3厚度到以彈性構造體3之彈構造體突出郅3 b包圍半導體晶片1之4個側面1 ^的程度又’在CSP17方面，爲了厚地形成彈性構造體3厚度使/用由多孔性氟樹脂所形成的彈性構造體3。 (彈藉此’在本實施形態7之CSP17方面，如圖25 (c)所示半導體晶片1以彈性構造體3之彈性構造體突出部3 b -39- k紙張尺度it财醜家標準（CNS ) A4規;^71^297公梦五、發明説明（ 37 Μ Β7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 - 40 性體突出部）包圍其外周側仏而被安裝著。 ,:卜’圖26係在CSP17内部顯示配線4(1的酉己置（繞線）。 Α處，就圖25 (C)所示之半導體晶片、之貼加以説明。 w、口疋）万法乳^圖4所示的晶片貼面24時，利用彈性構造體3爲多虱樹脂，對於彈性構造體3壓入半導體晶片丨上〇口 ^時，彈性構造體3爲多孔性氟樹脂，户斤以用比較負何可容易使其凹下。藉此，可比半導體晶片！外周厚度充分弄薄半導體晶片 1正下方之彈性構造體3厚度。其結果，可形成以下構造：將半導f重晶片】安裝成以外周全體之彈性構造體突出部3 b包園其外周側面i。的狀態。八後，透過薄膜配線基板4之開口部4 e及彈性構造體3 之開口部3c塗佈密封樹脂，在半導體晶片1兩端部形成密封部5。此處，在CSP17方面，成爲以下構造：半導體晶片i的長度方向對向的侧面lc中央部附近，如圖25 (c)所示，不進行前述密封樹脂密封，而藉由將半導體晶片i壓入彈性構造體3而安裝，只爲彈性構造體3之彈性構造體突出部 3b所覆蓋。又，關於本實施形態7之CSP17之其他構造及其他製造方法，和實施形態6之CSP16者同樣，所以其重複説明省本紙張尺度適用中國國家標隼（CMS ) A4規格（2ι〇χ297公發 ------II------J. “ : f V (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ7 五、發明説明（38 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製略。茲就由本實施形態7之cspi7及其製造方法用效果加以説明。斤件到的作根據CSP17，由於彈性構造體3爲多孔性氟比半導體晶片1外周厚度充分弄薄半導體晶片'、可彈性構造體3厚度’所以可安裝成以彈性構造體突出包圍半導體晶片1外周之側面i c的狀態。因此，圖4所示的樹脂密封28時，w用此彈性構造體突出邵3 b可防止密封樹脂流出外側，並处 ^ 八、，.°禾，揲需切斷加工岔封樹脂，而可謀求CSP17的小型化。又，關於由本實施形態7之CSP17及其製造方法所得到的其他作用效果，和實施形態6之CSP16者同樣，所以其重複説明省略。. ’ (實施形態8 ) 圖28爲透過密封部顯示根據本發明實施形態8之半導體裝置（CSP )構造一例的平面圖，圖2 9爲顯示圖2 8所示之半導體裝置構造之圖，（a)爲顯‘示圖28之A_A截面的截面圖，（b)爲顯示圖28之B-B截面的截面圖，（(：）爲顯示圖 28之C-C截面的截面圖。本實施形態8之CSP18 (半導體裝置）和圖14所示之實施形態2之CSP 12同樣，係周邊焊接點型扇入（fan-in) CSP，具'有和CSP 12大致相同的構造，但對於實施形態2之CSP 12 的變更處，係在薄膜配線基板4基板突出部4 b之晶片裝載侧之面之開口部4 e周圍設置樹脂密封2 8 (參照圖4 )時阻 -41 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐）

• -I . I (諳先閲讀背面之注意事項再填苑本頁)

Hi I I 1 I I .· '袭------1T----------------------

I A7 B7 五、發明説明（39 經濟部中喪標準局負工消f合作社印裝止始、封樹脂流出的3字型壩構件3 4 〇又’此壩構件3 4例如凝固環氧系塗佈樹脂等而形成此外，CSP18方面，由於切斷33(參昭圖 / 工由樹脂密封28所形成的密封部5二：可用)時：切斷加 2 量％以上的前述密封樹脂作爲密封材料的密: 又，在本實施形態8之CSP18方面，與半導體晶片1的度方向平行的方向對向的2個側面丨c不被密封而'^露出。' 此處，關於本實施形態8之CSP18之其他構造:其他造方法，和實施形態2之CSP12者同樣，所以並省略。〜置複既兹就由本實施形態8之CSP18及其製造方法所得到用效果加以説明。 ' 首先，藉由在薄膜配線基板4之基板突出部4b設置樹岔封2 8時阻止前述密封樹脂流出的壩構件3 4，切斷' 3 時，不必'切斷加工前述密封樹脂，並可謀求cspi8外形小型化。 ^ 再者，切斷3 3時，不必切斷加工前述密封樹脂，所可用二氧化矽含有率50重量％以上者作爲前述密封脂。藉此，可縮小圖4所示之密封材料固烤29時的密封樹脂收/縮率，可減低前述密封樹脂具有的駐留應力。曰又，關於由本實施形態8之CSP18及其製造方法所得到的其他作用效果，和實施形態2之CSP12者同樣，所以其長製明作脂的以樹 --------「袭------，訂------成 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 42- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X29.7公釐）重複説明省略。 (實施形態9 ) 圖30爲透過密封部顯示根據本發明實施形態9之半導體裝置（CSP)構造一例的平面圖，圖3丨爲顯示圖3 〇所示之半導體裝置構造之圖，（&)爲顯示圖3〇之冬八截面的截面圖，（b)爲顯tf圖3〇ιΒ-Β截面的截面圖，（c)爲顯示圖 3 0之C-C截面的截面圖。本實施形態9之CSP19(半導體裝置）和圖28所示之實施形態8之CSP18同樣，係周邊焊接點型扇入（fan_in)csp , 具有和csP18大致相同的構造，但對於實施形態8之以？18 的變更處，係設於薄膜配線基板4之基板突出部4b之晶片裝載側之面的壩構件3 4及基板突出部4b外周全部形成框狀。因此，本實施形態9之CSP19之彈性構造體3係沒有彈性構造體突出部3 b (參照圖2 8 )的形狀。又，由於壩構件3 4遍及基板突出部4b外周全部形成框狀，所以本實施形態9之CSP19係遍及半導體晶片1之4個侧面1 c全部進行樹脂密封2 8。經濟部中央標準局員工消費合作社印製此處’關於本實施形態9之CSP19之其他構造及其他製造方法’和實施形態8之CSP18者同樣，所以其重複説明省略。 /兹就由本實施形態9之CSP19及其製造方法所得到的作用效果加以説明。根據CSP19 ’由於覆蓋彈性構造體3全部之面，所以不 -43- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格U10X297公t ) A7 -_—_ B7 五 '發明説明（41 ) ~~~~----~~ 能得到使彈性構造體3之側面3 a露出時的作用效果，口此一體覆蓋半導體晶片1和彈性構造體3之但對 Μ王W侧雨 1c、3a而可形成密封部5，並且前述外周全部之密封立對於薄腹配線基板4之基板突出.邵4 b也直接接人…、斤'、提高半導體晶片1的密封性（防潮可靠性）。 > 可又，關於由本實施形態9之CSP19及其製造方法所得的其他作用效果，和實施形態8之CSP18者門掸 A 〇可丨。』樣，所以袁重複説明省略。 (實施形態1 0 ) 圖32爲透過密封邵顯示根據本發明實施形態〗〇之半體裝置（CSP)構造一例的平面圖，圖33爲顯示圖”所示之半導體裝置構造之圖，（a)爲顯示圖32之八_八截面的截面圖，（b)爲顯示圖32之B_B截面的截面圖，（〇爲顯示圖 3 2之C-C截面的截面圖。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 f碕先閱讀背面之注意事項再填寫本¥c -、-ϊτ i、線本實施形態1 0之CSP3〇 (半導體裝置）和圖22所示之實施形態6之CSP16同樣，係周邊焊接點型扇入（fan_in) CSP，具有和CSP16大致相同的構造，但對於實施形態6之 CSP16的變更處，如圖3 2所示，係除了使電極焊接點）匕露出薄膜配線基板4之基板突出部4 b和彈性構造體3之彈性構造體突出部3b的開口部46、開口部^之外，還在與半導體晶片1的長度方向對向的2個侧面i C (參照圖33» ) 餘應之處設置密封用開口部4 m、3 f。即，在本實施形態10之CSP40之薄膜配線基板4和彈性構造體3設置對向的2個開口部4 e、3 C :設於使半導體晶 -44- 五、發明説明（ 42 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製片1兩侧之電極焊接點1 b露出的位置；及，2個密封用開口冲4 m、3 f :設於在和此開口部4 e、3 c成直角的方向對向的位置；薄膜配線基板4和彈性構造體3係大致相形狀。，藉此，進行圖4所示的樹脂密·封28時，從薄膜配線基板 4表面側分別透過此開口部4 e、開口部3 c和密封用開口部 4 m、密封用開口部3 f可塗佈密封樹脂。因此，用此澆灌（potting)方法可以密封樹脂覆蓋半晶片1之4個側面1 ^。 & 此外，彈性構造體3具有突出半導體晶片1之4邊外側.，彈性構造體突出部3b，所以遍及半導體晶片it*個侧 1 c全部進行樹脂密封2 8。 ' 又，關於本實施形態1〇iCSP40之其他構造及並他製方法，和實施形態6之CSP16者同樣，所以其重複説明略。 1 兹就由本實施形態1〇iCSP40及其製造方法所得用效果加以説明。 ' 根據csp4〇，由於密封丰壤體具沾，、 ^ 叫、山玎干令印片1炙4個側面i c，所可向半導體晶片1的密封性（防潮可靠性）。再者，由於利用彈性構造體突出部 L 1 J D』防止樹脂麥射 28時的前述密封樹脂流出，所以切 ^ 研j時’不必切斷工/則述密封樹脂，並可謀求(：卯4〇外形的小型化。此外，開口部3C、4e、密封用開口部玎、邵4政4處全部從同—方向可進行密封樹脂塗佈，所二面造省作以加 π 可 3裝------訂------'—線 . : ί (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -45 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（43 提高密封製程的作業性，同時可提高生產效率。又’關於由本實施形態1〇iCSP40及其製造方法所得到的其他作用效果，和實施形態1〇之CSP4〇者同樣，所以其重複説明省略。八 (實施形態1 1 ) 圖34爲透過密封部顯示根據本發明實施形態之半導體裝置（CSP)構造一例的平面圖，圖35爲顯示圖以所示之半導體裝置構造之圖，（a)爲顯示圖34之A_A截面的截面圖，（b)爲顯示圖34之B_B截面的截面圖，（〇爲顯示圖 3 4之C-C截面的截面圖。本實施形態1 1之CSP41 (半導體裝置）和圖32所示之實施形態1 0之CSP40同樣，係周邊焊接點型扇入（fan_m) CSP，具有和CSP40大致相同的構造，但對於實施形態ι〇之CSP40的變更處，如圖3 5所示，係组合csp41時，將彈性構造體3厚度比CSP40之彈性構造體3厚度加厚到以彈性構3之彈性構造體突出邵3b透過密封部5包圍半導體晶片1之4個側面1 c的程度。又.’在CSP41方面，爲了原地形成彈性構造體3厚度，使用由多孔性氟樹脂所形成的彈性構造體3。藉此’在本實施形態11之CSMi方面，如圖乃（c)所示，半導體晶片1透過密封部5以彈性構造體3之彈性構造體/突出邵3 b包圍其外周侧面1 c而被安裝著。此處，就圖35 (c)所示之半導體晶片i之貼面（固定）方法加以説明。 I-------「致------1T------}線 ' * ·, {請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -46 - 五、發明説明（44 ) Λ7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印聚進行圖4所示的晶片貼面2 4味 ^ x 時’利用彈性構造體3爲多性氣树脂，對於彈性構造體上。紅3昼入半導體晶片1般地貼當時，彈性構造體3爲多孔自荇可—σ + * 1王亂树月曰’所以用比較小的貞何可容易使其凹下。藉此，可比半導體晶片1外 1正下女、π以祕1 _ 严1居度无分弄薄半導體晶片 1止下万 <彈性構造體3厚度。其結果，可形成以下構造：將日 ' ret λ 千導眼日曰片1安裝^成以外周全體之彈性構造體突出部3b 賤。圍〃、外周側面1 c的狀其後，透過薄膜配線基板4之開 <開口郅4 e及彈性楹诰靜 =口部3,薄膜配線基板4之密封用開口部_及彈構造體密封用開口部”塗佈密封樹脂。藉此，在基板突出部4b及彈性構造體曰突出部化和體晶片i之間，在使密封部5橋接的狀態可形成半導體片1之主面1 a外周部和4個側面1 〇。版又，關於本實施形態UUSM之其他構造及复他万法，和實施形態10之以!>40者同樣，所以其重複說略。 4 茲就由本實施形態1 i之CSP4!及其开灰把万法所得到的用效果加以説明。裉據CSP4!，由彈性構造體3爲多孔性氟樹脂，並且比半導體晶片1外周之彈性構造體突出部3 b厚度充八半導體晶片1正下方之彈性構造體3厚卢，所 7、弄薄反所以可安襞成 3 性導

HEJ 造省作可薄 :- I! 1 —Hi I ·1 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I I _ · -- .. -, · .裂------—--- 球 -47 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 f明説明（45 以萍性構造體突出部3b包園半導體狀態。广·）疋側面lc6《因此，圖4所示的樹脂密封28時，利用此彈性構可防止密封樹脂流出外側，其結果，無需切斷加於對樹脂，所以可謀求CSP41的小型化。又，關於由本實施形態HiCSPO及其製造方法所得到的其他作用效果，和實施形態J i之以？41者重複説明省略。 m ^ (實施形態1 2 ) 圖3 6爲透過密封部顯示根據本發明實施形態丨2之半導體裝置（csp)構造一例的平面圖，圖37爲顯示圖冗所示 I半導體裝置構造之圖，（£1)爲顯示圖36之冬八截面的截面圖，（b)爲顯示圖36之B_B截面的截面圖，（〇爲顯示圖 36之C-C截面的截面圖。經濟部中央標準局員工消費合作社印製本實施形態12之csp42 (半導體裝置）和圖32所示之實施形態10之CSP40同樣，係周邊焊接點型扇入（fan_m) CSP，具有和CSP40大致相同的構造，但對於實施形態工〇之CSP40的變更處，如圖3 6所示，係在半導體晶片i之主面1 a之4邊外周部設置電極焊接點i b。因此，在薄膜配線基板4和彈性構造體3分別設置4個開口部4e及開口部3c，藉由各.開口部“、3c對應而形成於同'處，在各開口邵4 e、3 c可使半導體晶片i之4邊電極焊接點1 b露出。再者，透過此4個開口部4 e、3 〇塗佈密封樹脂，藉此進 48- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210:^7^·

經濟部中央標準局員工消費合作社印製仃树^ s、封2 8而在前述4個開口部4 e、3 c形成密封部5。、又，關於本實施形態i 2之csp42之其他構造及其他製造万法，和實施形態10之CSP4〇者同樣，所以其重複説明略。兹就由本實施形態i 2 tCsp42及其製造方法所得到的作用效果加以説明。 :根據CSP42，即使半導體晶片1在其主面^之斗邊外周部 "又置甸極焊接點1 b的情況，在薄膜配線基板4和彈性構造體3分別形成4個開口部4e、3c，透過此4個開口部4e、 3 c進仃樹脂密封2 8 ,亦可實現使防潮可靠性提高的小型 CSP42 。土又，關於由本實施形態12之CSP42及其製造方法所得到的其他作用效果，和實施形態1 〇之CSP40者同樣，所以其重複説明省略。 7 (實施形態1 3 ) 圖3 8爲透過密封部顯示根據本發明實施形態丨3之半導體裝置（CSP )構造一例的平面圖’圖3 9爲顯示圖3 8所示 t半導體裝置構造之圖，（a)爲顯示圖3 8之a_a截面的截面圖’（b)爲顯示圖3 8之B-B截面的截面圖，（(；）爲顯示圖 J 8之C-C截面的截面圖。本實施形態I3之CSP43 (半導體裝置）和圖24所示之實洛形態7之CSP17同樣，係周邊焊接點型扇入（fan_in) CSP ’具有和CSP17大致相同的構造，但對於實施形態7之 CSP17的變更處和實施形態i 2之CSP42同樣，圖3 8所示， _______-49- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------------tr------J. . « I ί... (請先閱讀背面之注意事項再填莴本頁) Λ7 五、發明説明（47 經濟部中央標準員 X 消 f 合作社印製係在半導體晶片1之主面丨a之4邊外周部設置電極焊接點 lb ° 因此，在薄膜配線基板4和彈性構造體3分別設置4個開口部4e及開口部3〇，藉由各開口部46、。對應而形成於同處，在各開口 4e、3 c可使半導體晶片邊電極焊接點1 b露出。 —再者，透過此4個開口部4e、3c塗佈密封樹脂，藉此進行樹脂密封28而在前述4個開口部4e、3c形成密封部5。又，關於本實施形態13tCSP43之其他構造及其他製造方法，和實施形態7之CSP17者同樣，所以其重複説明略。兹就由本實施形態i 3之CSP43及其製造方法所得到的用效果力tl以説明。、根據CSP43，即使半導體晶片1在其主面卜之彳邊外周部设置電極焊接點1 b的情況，在薄膜配線基板4和彈性構造體3二分別形成4個開口部4e、3c，亦可實現使防潮可靠。提南的小型CSP43 .。再者’樹脂密封2 8時，4個開口部4 e、3 c之4處全部同一方向可進行密封樹脂塗佈，所以可提高密封製業性，同時可提高生產效率。此外，由於以彈性構造體突出部3b或密封部5密封半體/晶片1之4個側面丨c，所以可提高半導體晶片丄的密 (防潮可靠性）。又，關於由本實施形態13之（：卯43及其製造方法所得省作訂性從作導性 -50- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（2丨〇>< 297公激 1

'發明説明（48 ΝΊ Β7 的其他作用效果，和實施形態7之CSP17者同樣，所以其重複說明省略。 (實施形態1 4 ) 圖40爲顯示本發明實施形態14之半導體裝置之非連接引線構造一例之圖，（a)爲使非連接引線變形時的截面圖’（b )及（c )爲不使非連接引線變形時的截面圖。本實施形態1 4係在實施形態1〜1 3所示之半導體裝置 (csp )方面’説明前述半導體裝置具有非連接引線3 5 (和羊導體0H片1之電極焊接點1 b不進行連接的引線4 c )的情況’就非連接引線3 5的使用目的及其變形有無加以説明。又’所謂非連接引線3 5，係在CSP爲了進行模態切換，即功能切換的，係選擇同一配線圖案之各個引線4 c之連接或非連接而形成合乎目的之配線4 d。因此’關於選擇非連接的引線4 c，即非連接引線3 5，在焊接製程完全不進行焊接工具7 (參照圖1 3 )的連接處理。 ί> 此處，就圖4 0所示之非連接引線3 5，使用在實施形態7 説明的C SP17作爲其代表例而加以説明。但是，關於實施形態7以外的實施形態1〜1 3，當然也可以適用。 /在圖40 (a)所示之CS.P 17方面，使非連接引線3 5向接近半導體晶片1之電極焊接點1 b的方向變形。此係雖然在焊接製程不進行焊接工具7的連接處理，佴 -51 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公楂） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部中央橾準局員工消費合作社印製

五、發明説明（49 要用焊接工具7在不接觸電極焊接點1 b的程度，向下方 (半導體晶片i之主面la方向)壓下引線4c。又，圖40 (b)及（c)是兩者都不使非連接引線3 $變形的情況。圖40 (b)所不< CSP17顯示不使其變形的非連接引線3 5 收容於密封部5内的狀態。此外，圖40 (c)所示之cspi7顯示不使其變形的非連接引線35前端從密封部5突出的狀態，此係密封樹脂凝固時，密封部5表面變成稍微凹下的形狀，因此非連接引線 3 5突出。又，半導體裝置（CSP)具有非連接引線3 5時，考慮密封性，如圖40 (a)所示，最好使非連接引線3 5向半導體晶片 1之主面la方向變形，但不一定要使其變形，也可以如圖 40(b)及（c)所示，不使其變形。關於本實施形態14之半導體裝置（csp)之其他構造，和只施形悲1〜1 3所示之CSP同樣，所以其重複説明省略。又’在本實施形態1 4説明的非連接引線3 5，CSP不—定具有，而是按照CSP功能加以適用。當時，關於實施形態7以外的實施形態1〜13，當然也可以適用。. 此處，就由本實施形態14之半導體裝置？）所作/用效果加以説明。 ' 在CSP方面，不必各製品個別準備配線圖案，而可藉由使用共同圖案選擇引線“的連接/非連接，構成所希^的 ___ - 52 - 本紙張尺度適用* 家標準~( CNS ) A4規格（21()x297公您） — ---- .(請先閩讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 五、發明説明（5〇 ) 經濟部中央榡準局員工消費合作衽印製電路。藉此可使用共用構件，其結果，可降低的製造成〇 :外’前述CSP具有非連接引線35，當時藉由使此非連形j3 5向接近半導體晶片1之電極焊接點i b的方向變夕’樹脂密封後’由於可防士非、击W从 A. , 、J防止非連接引線3 5露出密封部5 外側，所以可提高防潮可靠性。产者冑由使非連接引線3 5向接近半導體晶片1之電極 =lb的方向變形’即使密封部5表面變成稍微凹下的 _ 使W，每3 5確實收容於密封部5内。精此，可減少密封樹脂M _ 叫# i 何舳的限制，可増加能使用的密封樹細檀類。 (實施形態1 5 ) 轉：1 (a) (b) (c)爲顯示在本發明實施形態。之半 to裝置使用1層表面配坤} ^ 衣囬配，.泉疋潯膜配線基板之構造一例的面圖，圖 42 (a)、（b)、& @ I # ()馬頌不在本發明實施形態1 5 於導to裝置使用2層配線々货B结❿从分 ^ 目、果心溥膜配線基板之構造一例的谢圖。此處，實施形態1〜14所干夕主通祕此 „ ^ , 4所717心丰導體裝置（CSP)之薄膜，，泉基板4之配線4 d係所謂的i層b 層円面配線：1層且該配 4d只形成於成爲基材之帶皆而γα址& lU丄啤円面（彈性構造體侧）；相對沁，在本實施形態1 5方面，將.沈濬膜配線基板4爲1層配線4 d只形成於帶表面侧（孪 ,,,, 丨（大起电極侧）的所謂表面配的6況和2層配線的情況吏仗用在a施形，4 1 ( CSP11 ) 導截之截線於且線請 A 閲讀背面之. 注意事.· 項、再 I丨本頁訂衣紙張尺废J¥1由防1胡古扭5ft / (210X297公釐） Λ7五、發明説明（別）經濟部中央標準局員工消費合作社印裝實施形感2 (CSP12)及實施形態7 (CSPI7)説明的半導體裝置作爲其代表例而加以説明。先圖4 1爲薄膜配線基板4係1層表面配線的情沉，其中圖41 (a)爲半導體裝置之外形構造係帶外形者（例如實 =形態1之CSP11)，此外圖41 (b)爲半導體裝置之外形構造係密封外形者（例如實施形態2之CSP12)，再者圖41⑷ 局半導體裝置之外形構造係彈性構造體外形者（例如實施形態7之CSP17)。此處’ 1層表面配線係配線4 d形成薄膜配線基板4之帶 f材4g表面側，並在除了帶基材&上的突起焊盤打（參，…圖27)以外之處形成厚度丨〇〜3 〇 "瓜程度的爲絕緣塗佈的抗焊層4 r。藉由使用此1層表面配線，抗焊層4]：厚度1〇〜3〇 "爪，比車―薄所以可抑制突起電極2之突起焊盤接合部附近的焊錫侵蝕量，藉此可減低突起電極2的安裝高度偏差。此外，圖42爲薄膜配線基板4係2層配線的情況，其中，42 (a)爲半導體裝置之外形構造係帶外形者（例如實施形態1之cspii)，此外圖42⑻爲半導體裝置之外形構造係密封外形者(例如實施形態2之聊12)，再者圖42⑷爲半導體裝置之外形構造係彈性構造體外形者（例如實施形態 7之CSP17) 〇 /此處，2層配線係配線4 d形成於薄膜配線基板*之帶基材4g表裏兩面，並且以通孔4评電氣連接此表裏兩面之= 泉4 d更在除了帶基材4 g表面侧之前述突起详盤4 f以外 — -54- 本紙張尺度劍巾@ 0家標^T^S—) A4規格（2似297公^7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -衣、-° .線 B7 五 '發明説明（52 ) I處形成厚度10〜3〇程度的爲絕緣塗佈的抗焊層4]Γ。又’關於本實施形態15之半導體裝置（CSP )之其他構造’和實施形態1〜1 4所示之CSP同樣，所以其重複説明省略。再者，在本實施形態i 5説明的1層表面配線和2層配線’ CSP不一定具有，也可以是1層背面配線，而關於實施形態1、2及7以外的實施形態〜丨4，當然也可以遍用0 根據本實施形態1 5，藉由使用此2層配線，即使突起電極2數目増加而必須進行複雜配線4 d的繞線時，由於在臀基材4 g表晨兩面透過通孔4 w可形成配線4 d，所以也可因應複雜配線4 d的繞線。其結果，突起電極2數目增加也可實現CSP。 (實施形態i 6 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製圖43爲顯示本實施形態16之半導體裝置製造方法之引線前端處理程序一例的擴大部分截面圖，（a)爲顯示焊接前之圖，（b)爲顯示焊接時之圖，（c)爲顯示焊接後之圖，（d)爲顯示密封後之圖，圖44及圖45爲顯示對於圖 4 3所示之引線前端處理的比較例之引線前端處理程序的擴大邵分截面圖，（a)爲顯示焊接前之圖，（b )爲顯示焊接時之圖，（C)爲顯示密封後之圖。 /本實施形態1 6係在實施形態1〜1 5所示之半導體裝置 (CSP )方面，就烊接時的引線4 c前端處理加以説明。又，本實施形態1 6使用在實施形態7説明的CSP17作爲 -55- 本纸張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐) ~ ~ - 五、發明説明（53 Μ Β7 其代表例而加以說明。首先，圖44所示之比較例，係由於、 …交長，相如_44(b)所示，使焊接工==距離而進杆悝垃，甘仏八/牙夕動（下降） (C)所- / "後，不進行引線“前端處理，而如圖44 、不，進订樹脂密封28(參照圖4)以形成密封部5。後ΐ種情況，由於圖44 (a)所示之距離ρ比較長。所以焊接曼的？丨線4 c前端不剩餘，而如圍44 r κ _ 密封部5内的« 圖⑷心，成爲收容於較：匕圖45所示之比較例’係圖45(a)所示之距離p比進行焊接且：：45、(b)所示’使焊接工具7移動(下降)而 — 其後不進行引線4c前端處理，而如圖45 ( 不，進行前述樹脂密封28以形成密封部5。绝種情況，由於圖45⑷所示之距離ρ比較短，並且如未進行焊接後的引線4 c前端處理，所以如焊接後的引線4 c前端從密封部5突出而成圖圖 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 45 (b)所示 45 (c)所示露出的狀態相對於此，圖43所示之本實施形態16<cspi7，如圖 (b)所不，係使焊接工具7向半導體晶片i之電極焊接點^ 垂直下降，其後進行焊接工具7的加壓動作而電氣連接半導體晶片1之電極焊接點lb和薄膜配線基板4之引線4c 而且，其後如43 (C)所示，使焊接工具7對於半導體晶片文·王面la大致平行且向引線4c前端方向移動動）。即’焊接後，除去焊接工具7的加壓，並且使焊接工 .-Λ. 爲 43 1 b 移具 d- 本紙張尺度適用中國國家標準 -56 (CNS ) A4規格（210x 297公楚）五、發明説明（54 7向引線4 c前端方向預定景 3〇 2〇〇、>工# 、（对如10〜300 " m，較佳是 30〜200 #m)水平移動，其 _ _ 便進仃則述樹脂密封28，如圖 43 (d)所不，形成密封部5。藉此，可縮小幻線4C前端附近的彈起角度。又’進行引線4c前端處理時， η砝/* !·曰4、除去蛉接工具7的加壓，同時使綷接工具7預定量（例如5 1ΛΛ ,( 5 100 "m，較佳是1〇〜6〇上开後，也可以使焊接工且7 A ’ 旦“丨』任八7向刃線4c前端方向前述預定里（例如10〜3 〇〇 a m，較佳是3 〇〇 π 、 0 200 "m)水平移動。此外’關於引線4 C前端虚3街 ^ η 〗杨處理，在圖43 (a)所示之距離 P、長度L、厚度E万面，只在至少距離？對於突出的引線 4\長度L和彈性構造體3厚度£相對地短（例如，較佳疋P S L-E-1 〇〇 " m )時，使煤技丁 m，丄；^ 1史汗接工具7向引線4c前端方向前述敎量（例如1G〜3GG㈣，較佳心〜細㈣水平移動即可，對於圖43⑷所示之距離p、L、_前述條件不週用時’也可以不進行引線4c的前端處理。又，關於引線4c的前端處理，不管圖43⑷所示之距離 P、長度L、厚度E ’當然也可以不特別進行。此處，關於本實施形態16之半導體裝置（csp)之其他構經濟部中央標準局員工消費合作社印製造，和實施形態卜15所示之CSP同樣，所以其重複説明省略。再者’在本實施形態16説明的引線4(^前端處理，在CSp 不/是一定要進行，也可以不特別進行。此外’關於實施形態7以外的實施形態1〜1 5，當然也可以適用。 57 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Μ Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（55 根據本實施形態16，不管半導體晶片！上的電極焊接點 !b位置，即使進行比焊接所需的長度長的幻線心焊接時，關於引線4c連接形狀，亦可防止多餘的引線&前端從半導體晶片1表面（主面la)過度突出上方。藉此，在將引線4c及電極焊接點lb進行樹脂密封“而形成密封邵5後’亦可防止引線4 c前端從密封部$露出外侧，其結果，可提高半導體裝置（csp)的防潮可靠性。 (實施形態1 7 ) ^ 圖46爲顯示用於本實施形態17之半導體裝置（csp)之彈性構造體（elastomer)著色規格一例的彈性構造體規格圖。本實施形態1 7係在實施形態}〜丨6所示之半導體裝置 (CSP)方面，就使用使其著色的彈性構造體3的情況加以説明。即，實施形態1〜1 6之CSP之彈性構造體3係無著色的，係使光透過的大致透明的。相對於此，根據本實施形態17之彈性構造體3 ,如圖46 所示，係使形成於骨骼層3d (參照後述圖47)兩面的黏接層3e含有著色材料的。又，作爲使其著色的彈性構造體3之規格具體例而顯示的是圖4 6所示的著色彈性構造體規格例①或著色彈性構造體規格例②，此處所用的著色材料爲碳。但是，圖4 6所示的著色彈性構造體规格例①及規格例② 係使骨骼層3 d兩面之黏接層3 e含有著色材料，但不限於此，也可以只在任何一方侧之黏接層3 e含有著色材料。 -58 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公潑裝------訂------.、：旅 i , . * /V. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（56 再者’本實施形態1 7之圖4 6.所示之規格例①及規格例② 係使黏接層3 e含有著色材料，但也可以使爲骨骼層3 d的中間層材料含有著色材料，或者也可以使黏接層3e和骨骼層3d兩者含有著色材料。即’構成彈性構造體3的構件中，使至少1個構件含.有著色材料即可。又’圖_4 6所示的規格例①及規格例②係以著色材料爲碳粒子’但前述著色材料不限於此，也可以是其他無機系顏料或有機系染料等。再者，圖4 6所示的规格例①及規格例②係顯示使用黑色之碳作爲著色材料的情況，但不限於此，也可以是紅色、藍色、綠色、桃色、黃色或其他顏色，或者這些中間色。又，關於本實施形態17之半導體裝置（csp)之其他構造，和實施形態1〜6所示之CSP同樣，所以其重複説明省略.。此外，使在本實施形態1 7説明的彈性構造體3含有著色材料’在CSP不是一定要實施，也可以不特別實施。根據本實施形態1 7，藉由使彈性構造體3含有預定量著色材料，不會帶給彈性構造體3之彈性率、^膨脹係^考

耐火性及吸濕性等基本物性影響，而可降低彈性構造體3 之穿透率。 a D 禮此’可得到對半導體晶片1之電路的遮光性。其結果，可遮斷被認爲招致半導體晶片〗錯誤動作的咚外線等，所以可提高CSP之電路動作的穩定性。 -59 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -- \.. * Λ ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 五、發明説明（57 經濟部中央標準局員工消費合作社印製再者’藉由使用後作苠莫备从所希望的逆Μ 、色材料，以少的添加量可得到抑制在最小限制。了將彈性構造體3的基本物.性劣化 3之骨髂恳以▲女# 要層3 e，而不疋彈性構造體著？，層3d含有考色材料，可廉價實現彈性構造體3的 (實施形態1 8 ) 圖47⑷〜㈨爲顯示本發明實施形態"之半導體裝置之 :性，詳細组成一例的組成概念圖，圖48⑷〜⑷爲，'丁發明實施形態i 8之半導體裝置之彈性構造體詳，成—例的概念圖，⑷〜(d)爲3層構造的組成概念圖，（爲5層構造的組成概念圖。本實施形態18係就實施形態卜口所示之半導體裝 (CSP)之彈性構造體3之各構成構件具體材質加以説明。此處，圖4 7及圖48 (a)〜(d)顯示彈性構造體3由3層構成的情沉’圖48 (e)爲彈性構造體3係$層構造的情況。又，5層構造係在骨骼層3 d和其兩外侧（最外側）之黏接層3e之間的各個界面薄地形成其他黏接層，本實施形悲1 8在圖48 (e)顯示5層構造之1個具體例，但在圖4 7及圖48 ’關於在骨路層3d兩面形成薄膜層，而不是塗佈層的彈性構造體3，使用前述5層構造特別有效。 /在將薄膜層形成於外侧上下層的彈性構造體3方面由使用前述5層構造，可更加縮小前述薄膜層（黏接層的剛性。細置，藉 3 e) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -d J.. -60 - 本紙張尺度適用中國國家標準（〇奶）六4规格（210乂297公釐） A7 B7 58 五、發明説明（其結果’作爲彈性構造體3的剛性也變小，所以容易模仿引線4 c，藉此可提高彈性構造體3的密合性。此處’關於彈性構造禮3之各構成構件具體材質，並不眼於圖47及圖48所示之本實施形態18者，而關於層數，也可以是3層或5層以外的多層構造。但疋’骨絡層3 d最好使用由互體網眼構造體所構成的多孔性構件（關於此多孔性構件之詳細構造，請參照實施形態1)。 '、又，關於本實施形態18之半導體裝置（csp)之其他構造，和實施形態1〜17所示之CSP同樣，所以其重複説明省略。 (實施形態1 9 ) 圖49 (a)、（b)爲顯示本發明實施形態1 9之半導體裝置之彈性構造體之骨骼層和黏接層厚度一例的概念圖p " 本實施形態1 9係在實施形態！〜丨8所示之半導體裝置 (CSP )之彈性構造體J方面，就黏接層3 e (參照圖4 7及圖 48)和骨骼層3d之厚度加以説明。此處，圖4 9顯示彈性構造體3由3層構成的情況。經濟部中央標準局員工消費合作社印裝首先，在彈性構造體3方面，比帶基材4§上的配線4(1厚度加厚帶側黏接層3 g厚度（例如成爲12倍以上，較佳是 1.5倍以上）。體而言，例如配線4d厚度18 "瓜時，使帶側黏接層 3g厚度成爲21.6 以上，較佳是27 以上。此外，例如配線4d厚度25 "„^時，使帶側黏接層3§厚 61 - 卜纸張尺度適用申國國家標準（CNS ) M規格（2丨〇><297公尨五、發明説明（59 A7 B7 經濟部中央標準局負工消费合作社印製度成爲3〇jm以上，較佳是3入5 以上。曰圖49(a)爲帶側黏接層3g (薄膜基板侧 ^側黏接層仏係相同厚度的情況，作爲其-例，係兩 2度30…爲中間層的骨赂層“厚度的情:時，例如設配線4#1S"m，則上下黏接層此係帶側黏接層以和晶片側黏接層3h)厚度爲3〇#m且骨路層3d厚度爲100 _，其結果，彈性構造體3全體厚度成爲10 0 "瓜〇此外，圖49 (b)爲比晶片側黏接層3 h厚地形成帶側黏 =3g的情況，作爲其一例，係帶側黏接層&厚度75 乂瓜曰3片侧黏接層3 h厚度爲50 a m，爲中間層的骨骼層3 d 度25 # m的情況。 §時，例如設配線4 d厚度爲〗8 # m，則帶側黏接層4 厚度爲75 v m且晶片側黏接層3 h厚度爲5〇 a m，而骨骼層 3d厚度爲25 ym，其結果，彈性構造體3全體厚度成 150 yu m 〇又’圖4 9所載之各層厚度爲一例，並不限於此。此處’關於本實施形態19之半導體裝置（CSP )之其他造，和實施形態1〜1 8所示之CSP同樣，所以其重複説名略。 /再者’帶側黏接層3 g和晶片侧黏接層3 h之厚度可以同’也可以不同。根據本實施形態1 9，藉由比配線4 d厚度加厚帶側黏接接厚 3 g Λ 爲構明相 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕，裝丁 .14 -62 各紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） Λ7 ___________ B7 五、發明説明（60 ) ~-——~ 層3g厚度（例如成爲丨2倍以上，較佳是15倍以上），可埋入帶基材4g黏接面之配線4d凹凸，其結果，可提高帶側黏接層3 g的密合性。藉此，可實現可靠性高的CSP .。此外，藉由使帶侧黏接層3 g和晶片側黏接層3 h成爲相同厚度，可提高帶基材4g及半導體晶片1的黏接性，同時可製造效率佳的廉價彈性構造體3。再者，藉由比晶片側黏接層3 h厚度厚地形成帶侧黏接層3 g厚度’在所诀定彈性構造體全體厚度條件中，對於因配線4 d造成帶侧黏接層3 g的凹凸，可更加確保最佳的笾合性，其結果，可進行良好的黏接，所以可實現可靠性高的南CSP。 (實施形態2 0 ) . 圖5 0爲顯示本發明實施形態2 〇之半導體裝置背面側構造的底面圖。本實施形態2 0係在實施形慫}〜〗9所示之半導體裝置 (CSP )方面，就薄膜配線基板4之配線4 d寬度加以説明。又’本實施形態2 0使用在實施形態7説明的CSp丨7作爲其代表例而加以説明。圖50所示之CSP17在形成於薄膜配線基板4之配線々d方面，和突起焊盤4 f的連接部4 s之配線寬度比離開此連接部4 s之處的配線4 d之配線寬度寬地形成；並且連接部4 5 之配線寬度隨著離開突起焊盤4 f而逐漸變窄般地形成。即，在從形成於帶基材4 g (參照圖2 7 )的突起焊盤4 f到 -63- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2Ι0χ297公發） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 ,線經濟部中央標準局員工消費合作社印製 .Λ7 ______ _B7 五、發明説明（61 ) 引線4 c的配線4 d方面，和突起焊盤4 f的連接部4 s之配線寬度成爲寬幅形狀：比離開此連接部4s之處的配線4 d之配線寬度寬地形成；並且連接部4 s之配線寬度隨著離開突起焊盤4f而逐漸變窄般地具有錐形而形成。又，在圖50所示之CSP17方面，12個全部連接部4s之配線寬度形成寬幅形狀，同時此寬幅連接部4 s随著離開突起焊盤4 f而逐漸變窄般地形成。此處，關於本實施形態20之半導體裝置（csp)之其他構造，和實施形態1~19所示之CSP同樣，所以其重複説明省略。再者，在本實施形態20説明的寬幅連接部4s，在CSP不是一定要實施，也可以不特別實施。又’形成於前述帶基材4g上的配線4d之中，從連接於配置在引線4 c側最近的突起焊盤4 f的連接部4 s延伸的配線4 d到引線4 c的距離比較短。藉此，負荷施加於引線4 c及配線4 d時，應力容易集中於連接於配置在如述引線4 c侧取近的突起焊盤4 f的連接部4 s。經濟部中央標率局員工消费合作社印製因此’形成寬幅連接邵4s時，最好對於連接於配置在至少引線4 c側最近的突起焊盤4 f的連部4 s形成寬幅連接部 4 s ° /此外，關於實施形態7以外的實施形態1〜1 9，當然也可以適用。根據本實施形態2 0，由於配線4 d和突起焊盤4 f之連接 -64- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐) ' ----- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（62 邵4 s形成寬幅形狀，所以在此連接部4 s難以發生應力集中〇藉此’在溫度循環環境下，即使配線4. d和前述帶基材 4g〃、同因熱收縮、膨脹而變形，也可防止在配線4d和突起焊盤4 f之連接部4 s斷線。 (實施形態2 1 ) 圖51爲顯示根據本發明實施形態21之半導體裝置構造例之圖，（a )爲底面圖，（b )爲側面圖，（c )爲將一部分斷裂而顯示的平面圖，（d)爲正面圖，圖52爲顯示圖51所示之半導體裝置構造之圖，（a)爲顯示圖51之A_ A截面的截面圖，（b)爲顯示51之B-B截面的截面圖，（c)爲顯示圖 51之C-C截面的截面圖，圖53爲顯示圖52所示之半導體裝置構造的擴大部分截面圖，（a)爲顯示圖52 (b)iD部之圖’（b)爲顯不圖52 (c)之E部之圖，圖54爲顯示用於本發明λ施形悲2 1之半導體裝置之薄膜配線基板製造方法一例之圖’（a)、（ b )、（ e )爲部分平面圖，（b )、（ d )、（ f) 爲顯示各自A-A截面的截面圖，圖55爲2示用於本發明實施形態2 1之半導體裝置之薄膜配線基板製造方法一例之圖’ Ο)、（c)爲部分平面圖，（b)、（d)爲顯示各自a-A截面的截面圖，圖56爲顯示根據本發明實施形態21之半導體裝置製造方法一例之圖，（a)、（d)爲部分平面圖， (b)、（e)爲顯示各自A-A截面的截面圖，（c)、（f)爲顯示各自B -B截面的截面圖，圖5 7爲顯示根據本發明實施形態 21之半導體裝置製造方法一例之圖，（a)、（d)爲部分平 -65 - 本纸張尺度適用中國國家^準（CNS ) A4規$( 2丨〇'〆297公楚~~- ~ 、裝------訂------丨瘃 * « V / i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（助）經濟部中央標準局員工消費合作社印製 /圖（b)、（e)爲顯示各自A-A截面的截面圖，（c )、（ f) 爲π各自B-B截面的截面圖，圖58爲顯示根據本發明實 =形態21之半導體裝置製造方法一例之圖，（a)、（d)部刀平面圖’（b)、（e)爲顯示各自a-A截面的截面圖， (c)、（f)爲顯示各自B-B截面的截面圖。本實施形態21之CSP51 (半導體裝置）和圖24所示之實施形悲7心CSP17同樣，係周邊焊接點型扇入（£肋七） CSP，具有CSP17大致相同的構造，但對於實施形態7之 CSP17的變更處，係薄膜配線基板4沒有如圖2 4所示的基板突出部4b和如圖51 (b)所示，彈性構造體3 (參照圖51 (a))具有露出外侧的露出部3 i。即，實施形態1〜20之CSP係至少薄膜配線基板4具有突出半導體晶片1外侧周園之基板突出部41)的構造，相對於此，本實施形態21之CSP51係薄膜配線基板4沒有基板突出部4 b的構造。因此，CSP5 1也沒有設於圖2 4所示之CSP17之彈性構造體3之彈性構造體突出部3 b。此處，就根據本實施形態2 1之CSP51詳細構造加以説明。 CSP51包含彈性構造體3 :具備露出部3i，該露出部3土係使電極焊接點1 b (連接端子）露出，配置於半導體晶片玉之/主面1 a上且露出外側；薄膜配線基板4 :具備基板本體部4 a ’該基板本體郅4 a設有配線4 d，該配線4 d係一端透過引線4 c和電極焊接點1 b電氣連接且他端和突起電極2 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) HH - I · • I I I I · • \裝------II------減-----------1 -66 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ΑΊ ΑΊ

經濟部中央標擎局員工消費合作社印製 (外'Aft子）電氣連接’同時設置使電極焊接點1 b露出的開口郅4 e ;及，密封部5 :底封半導體晶片i之電極焊接點1 b及薄膜配線基板4之引線4 c。又，圖51所示之CSP51裝有20個突起電極2。此外，CSP51如圖51 (b)所示，具有露出長邊侧之2個侧面51a的彈性構造體3 (參照圖51 (a))之露出部3 i，在 CSP51之2個側面51a，4個露出部3i分別露出。又，關於本實施形態21之CSP51之其他構造，和實施形庇7之CSP17者同樣，所以其重複説明省略。兹就根據本實施形態2 i之CSp5丨製造方法加以説明。首先，如圖5 4、圖5 5所示，準備薄膜配線基板4 (參照圖55 (c))’該薄膜配線基板4具備與具有配線4 d之基板本體部4a接合的彈性構造體3，同時形成配置連接於配線4d 之引線4 c的開口部4 e，並且基板本體部4 a爲彈性構造體 3之支持部3 j所支持於基板框部4 t。此處，使用圖54及圖55，就薄膜配線基板4之製造方法加以説明。首先，準備圖54 (a)所示之由聚醯亞胺（p〇lyinide )樹脂構成之帶基材4g〇又，在此帶基材4g表面或背面或表裏兩面塗佈爲了張貼圖54 (c)所示之銅箔4 h的黏接劑。接著，在帶基材4 g兩側部大致等間隔地形成送帶用的基準，孔4 i。其後，利用沖孔加工，如圖54 (a)示，形成2 〇個突起用開口邵4 j、其兩側2個配線接合用開口部4 e及2個切斷用 _______ _67一尺度適用中國國標準（CNS ) A4規格(~7^^"7公於）

Λ7 Λ7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五 '發明説明（65 長孔4q，接著如圖54 (c)、（d)所示，在帶基材4 g上層叠張貼銅羯4 h。再者，如圖54 (e)所示，利用蝕刻加工將銅箔4 h加工成所希望的形狀，藉此形成配線圖案。接著，如圖55 (a)、（b)所示，在帶基材4 g上張貼彈性構造體3。又’在本實施形態2 1所用的彈性構造體3，如圖5 5 (a) 所示，在一侧有4個（兩侧合計8個）細長的支持部3 j ,此支持邵3 j係跨過薄膜配線基板4之長孔4 q而達到基板框部 4 t的長度。但是，支持部3j數目不限於8個，也可以是若干個。此支持部3j數目相當於CSP51之露出部31數目。藉此，在薄膜配線基板4上張貼彈性構造體3時，在薄膜配線基板4之基板本體部4 a上張貼彈性構造體3之本體部，同時使彈性構造體3之8個支持部3j跨過薄膜配線基板4之長孔4 q而貼在基板框部4 t上。其後，切斷圖55 (a)所示之支持基板本體部“之4個吊邵4u，形成基板本體部“爲彈性構造體3之支持部y所支持於基板框部4 t的狀態。即，圖55 (c)所示之薄膜配線基板4以貼在基板本體部 4a上的彈性構造體3支持其基板本體部。唭結果，如圖55 (c)、（d)及圖56 (a)〜⑷所示，可製造貼著彈性構造體3的薄膜配線基板4。其後，使半導體晶片i之電極焊接點丨b (參照圖5丨）露出 f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁，}

11T .丨4 (210X297公釐） A7 B7 五

'發明説明（6Q 薄膜配線基板4之開口部4e，接合半導體晶片i之主面la 和彈性構造體3。即，如圖56 (d)〜（f)所示，將半導體晶片1貼在彈性構造體3上。其後，如圖57 (a)所示，電氣連接半導體晶片電極焊接點lb (參照圖5 υ和與此電極焊接點1}5對應的薄膜配線基板4之引線4 c 〇接著，如圖57(d)〜（f)所示，利用使用密封樹脂的澆灌 (p〇ttlng)方法進行半導體晶片i之前述電極焊接點ib和薄膜配線基板4之引線4c的樹脂密封28 (參照圖4)，藉此形成密封部5。 ^ 訂又，也可以利用轉移塑模（transfer m〇ld)方法進行樹脂密封2 8。其後，供應突起用球材料給基板本體部4 a之突起用開口郅4j，再導入未圖示的回流爐，如圖％ (a)〜⑷所示，進行突起電極2的形成。藉此，電氣連接基板本體部“之配線4d 圖

圖52)和突起電極2。 α 1 A 經濟部中央標準局員X消費合作、社印製 4切斷彈性構造體3之支持部3j^將基板本體部4a 二I - ^Mt分離’ R時由被切斷的支持部3 j所形成的平1構k體3之露出部Si(參照圖58(e))露出。藉此，可製造如圖58⑷〜（f)或圖5 !所示的csp5i。又關I CSP51 (其他製造方法，和實施形態7之cspH 者同樣，所以其重複説明省略。 (210X297公兹） A7 B7 五、發明説明（67 ) 再者，在本實施形態2 1之CSP51方面，當然也可以適用前述實施形態14〜2 0所載之技術。根據本實施形態HtCSPSl及其製造方法，可得到如下的作用效果。即’形成突起電極2之際的焊锡回流時等，即使因彈性構造體3中的水分及氣體膨脹而内部壓力變大的情況，如圖51 (a)所示，也可從彈性構造體3之露出部3 i透過排氣路徑3 6將氣體放出外側（從8處露出部3丨的哪裡都可放出氣體）〇即，利用彈性構造體3之露出部3 i可進行排氣。藉此，可防止破壞密封部5等的爆玉米花（p〇pc〇rn)現發生。其結果，可提高CSP5 1的可靠性。又，關於由本實施形態2 1之CSP51及其製造方法所得到的其他作用效果，和實施形態7之CSP17者同樣，所以其重複説明省略。 ^ (實施形態2 2 ) 圖59爲顯示根據本發明實施形態22之半導體裳置構^ 一例之圖，（a)爲侧面圖，（b)爲平面圖，（c)爲正面圖。本實施形態2 2之CSP52 (半導體裝置）和圖5 i所示之實施形態2 1之CSP51同樣，係周邊焊接點型扇入办化⑷ CSP，具有和CSP51大致相同的構造，但對於實施形萍2玉之CSP5 1的變更處，如圖5 9所示，係彈性構造體3 (來曰尸圖5 1 )侧面全部露出CSP52之側面52a。 70- 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公潑） -f先閑讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T

J 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（68 ) 經濟、邱中央標準局員工消費合作社印製即，在CSP52方面，製造完畢後，如圖59 (a)所示，彈性構造體3側面全體那樣成爲露出部3 土。又，關於本實施形態2 2之CSP52之其他構造及其他製造万法，和實施形態21之CSP51者同樣，所以其重複説明省略。义再者，在本實施形態22tCSP52方面，當然也可以適用前述實施形態1 4〜2 2所載之技術。茲就由本實施形態22之CSP52及其製造方法所得到的作用效果加以説明。根據CSP52，由於彈性構造體3側面全體就那樣成爲出部3 1 ’所以可增加彈性構造體3的露出面積。藉此，可更加提高彈性構造體3之露出部3 果。 < 辨氣其結果’可更加提高CSP52的可靠性。又，關於由本實施形態2 2之CSP52及其製造方⑺ 的其他作用效果，和實施形態2 2之cSP52者同斤知到重複説明省略。 7所以其 (實施形態2 3 ) 圖60爲顯示根據本發明實施形態η之半導體一例I圖，（a)爲底面圖，（b )爲側面圖，（c)爲平面構埕 (d )爲正面圖，圖6 1爲顯示本發明實施形態2 3之丰後^ 置/製造方法之密封完畢時之狀態一例之圖，（Μ二圖，（b)爲底面圖，圖62爲顯示圖61(勾所示之平=平截面之圖’（a)爲顯示A-A截面的截面圖，（b)爲續，_、= 效装面各

-B (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I- I I 1 - -- I ! II V-拉衣!-- _ -71 本纸張尺μ财、玎------ί線---------------- 五、發明説明（69 Λ7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製截面的截面圖，（c)爲顯示c_c截面的截面圖，圖6 π本發明實施形態23之半導體裝置製造方法 = 時之狀態-例之圖，⑷爲平面圖，⑴爲側面圖斷(:畢展面圖，圖64爲顯示本發明實施形態23之半馬排氣狀態一例的概念圖。 s 本實施形態23之CSP53(半導體裝置）和圖51所示之兔施形態21之CSP51同樣，係周邊焊接點型扇入 csp，具有和以？51大致相同的構造，但對於實施形態=1) 之CSP51的變更處，如圖6〇⑷所示，係密封部$只形成於半導體晶片1之兩端部附近，藉此如圖6〇 (b)、（幻所示: 具有相當於彈性構造體3側面全體的露出部3 i和其表裏面外周邵心左右中央附近露出而形成的露出部3i。即，在CSP53方面，樹脂密封28不是在半導體晶片王側面1 C進行，而是只在電極焊接點1 b (參照圖5丨）附進行。 ' 此處，圖61及圖62係在CSP53之製程，顯示樹脂密封 2 8 π畢時心構造，圖6〗（a)爲平面圖，（b )爲從背面側看的底面圖。如圖61 (b)所示，密封部5形成半導體晶片1短邊之側面 1 c和長邊之側面1 c兩端部，未形成於侧面1 c之中央附近’所以成爲彈性構造體3表裏面外周部之左右中央附近露/出的構造。此外’本實施形態2 3之CSP53，如圖6 1所示，將彈性構造體3形狀形成和帶基材4g形狀大致相同。 _____ -72- 本紙張尺度適用中国國家榇準（CNS ) A4規格（210X 297公潑） Λ)^ I------IT------,!^ ^ W ^ ί {請先閲讀背面之注意事项再镇寫本頁〕 1 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Μ Β7 ' ~ ~~—___ _ 五、發明説明（70 ) ' 即，包含薄膜配線基板4之開口部4 e、長孔4 q、吊部 4u及基板框邵4t在内’將彈性構造體3的形狀大致形成薄膜配線基板4的形狀。此外，圖6 3顯示以下狀態；樹脂密封後，在圖6 i所示之薄膜配線基板4之吊部4u和彈性構造體3之吊部3k切斷而將基板本體部4a從基板框部4t分離。又’關於本實施形態2 3之CSP53之其他構造及其他製造方法’和只施形悲2 1之CSP51者同樣，所以其重複説明省略0 再者’在本實施形態23之CSP53方面，當然也可以適用前述實施形態1 4〜2 0所載之技術。兹就由本實施形態23之CSP53及其製造方法所得到的作用效果加以説明。. 根據CSP53，藉由形成使彈性構造體3表裏面外周部之左右中央附近露出的構造，和切斷處之露出部3i —起可拷加彈性構造體3的露出面積，所以透過圖64所示之排氣^ 徑3 6進行排氣時，可更加提高排氣的效果。此外，藉由將彈性構造體3的形狀形成和帶基材的形狀大致相同，在CSP53之製程，可使薄膜配線基板4的強度提高’其結果，減低CSP53的不良品，同時可讓求良率的提高。 /又，關於由本實施形態2 3之CSP53及其製造方法所得到的其他作用效果，和實施形態2 1之CSP5 1者同樣，所以其重複説明省略。 -73- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規袼（210X297公釐） --------「裝------訂------球 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（71 Λ7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (實施形態2 4 ) 圖65爲顯示根據本發明實施形態24之半導體裝置構造一例心圖，（a)爲底面圖，（b)爲側面圖，（c)爲平面圖， (d)馬正面圖，（e)爲顯示（c)tc_c截面的截面圖。本實施形態24之CSP54 (半導體裝置）和圖”所于之余施形態21之以？51同樣，係周邊焊接點型扇入 csp，具有和CSP51大致相同的構造，但對於實施形能的變更處，如圖65⑷、（e)所示，係在薄膜配線基板4设置使彈性構造體3露出的開口孔4 v ,並且如圖6 所示，在開口孔外未設置使彈性構造體3露出：處6。、即，在本實施形態24之CSP54方面，在薄膜配線基板之基板本體部4 a内側設有2個開口孔4 v。藉此，组合CSP54時，透過此開口孔^可使彈性 3露出。因此，利用開口孔4 v可形成彈性構造體3之露出部3 i。又，.在CSP54方面，在開口孔4v以夕卜未設置使彈性構造體3露出之處。、即，如圖65⑷，、⑷、⑷所示，不使半導體晶片！之側面1 c露出而遍及全部側面i c進行樹脂密封2 8。一又，在本實施形態24之CSP54方面，開口;L4v設置處爲薄膜配線基板4之基板本體部4a ,並且csp54组合後，若爲/可露出彈性構造體3之處，則形成在哪裡都可以。此外，關於開口孔4 v設置數目，並不特別限定。又，關於本實施形態24之CSP54之其他構造及其他製造 5 4 體 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) '裝. -5 -74- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（21〇Χ297公楚） 1 万法，和實施形態2 1之CSP51者同樣，所以其重複説明省再者，在本實施形態24之CSP54方面，當然也可以適用前述實施形態I4〜2〇所載之技術。茲就由本實施形態24tCSp54及其製造方法所得到的作用效果加以説明。根據CSP54，藉由將半導體晶片1之側面1 c遍及其全體進行樹脂密封28，可提高半導體晶片1的密封性。其結果，可減低半導體晶片i的不良，同時可提高 CSP54的可靠性。此外’藉由在薄膜配線基板4設置開口孔4 V，將半導體晶片1之側面lc全體進行樹脂密封28時，也可使用此開口孔4 v進行排氣。因此，一面提高半導體晶片1的密封性，一面也可提高自彈性構造體3的排氣效果。 ^ 又，關於本實施形態24之CSP54及其製造方法所得到的其他作用效果，和實施形態2 itCSPH者同樣，所以其重複説明省略。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -3 (實施形態2 5 ) 圖66爲顯示根據本發明實施形態25之半導體裝置構造一例之圖，（a)爲平面圖，（b)爲側面圖，（c)爲底面圖，圖'67爲顯示本發明實施形態25之半導體裝置製造方法之岔封το畢時之狀毖一例的邵分平面圖，圖6 8爲顯示圖6 7 所示之邵分平面圖各截面之圖，（a)爲顯示A_A截面的 -75- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公優）經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（73 ) ~ 面圖’（b )爲顯不B-B截面的截面圖，圖69爲顯示本發明實施形態25之·半導體裝置製造方法之密封完畢時之狀態一例之圖’（a)爲底面圖，（b)爲卸下半導體晶片之狀態的底面圖’圖70爲顯示本發明實施形態25之半導體裝置之排氣狀態一例的概念圖。本實施形岛2 5之CSP55 (半導體裝置），如圖66所示，係在晶片周邊形成焊接點，具有突起電極配置於晶片内側和外側兩方的構造，以下將這種型式的csp稱爲扇入（fan一 in)、扇出（fan-out) CSP。因此，對於實施形態2 J之CSp51 的丈更處’係在半導體晶片1之主面1 &之4邊外周部設置電極焊接點1 b及在薄膜配線基板4方面，在半導體晶片1 内側（基板本體邵4 a )及外側（基板突出部4 b )配置爲外部端子的突起電極2。此處，説明CSP55的結構，包含彈性構造體3 :具備露出邵3 1，琢露出邵3 i係使電極烊接點i b (連接端子）露出而配置於半導體晶片1之主面i a上，並且露出外側，同時具備彈性構造體突出部3 b (彈性體突出部）：突出半導體晶片1周圍外側；薄膜配線基板4 :具備基板本體部4 &，該基板本體部4 a設有配線4 d，該配線4 d係一端透過引線 4c (參照圖5 1)和電極焊點lb電氣連接且他端和突起電極 2電氣連接，同時具備基板突出部4 b :設置使電極焊接點 1 b (參照圖5 1 )露出的開口部4 e且突出開口部4 £及半導體晶片1外侧；及，密封部5 :密封半導體晶片！之電極焊接點lb及薄膜配線基板4之引線4c :薄膜配線基板4和彈性 -76- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) 規格（210X297公潑） --------lxi衣-------、玎------J 線 . f , /ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ΑΊ ΑΊ 經濟部中央榇準局員工消费合作社印製、發明説明（74 構造體3的外形形狀形成大致相同大小，並且在基板本體郅4a及基板突出部4b設置突起電極2。因此，在CSP5 5方面，薄膜配線基板4具有基板本體部 4 a和一體形成於此基板本體部外侧周圍的基板突出部 4 b ’在此基板突出部4 b配置設於半導體晶片1外側的突起電極2。此處，圖67〜圖69係在CSP55之製程，顯示樹脂密封28 完畢時之構造，圖67爲平面圖，圖68爲截面圖，圖69(a) 爲彳之N面側看的底面圖，而圖69 (b)爲使半導體晶片【透過’從背面側看帶基材4 g之圖。又，如圖6 7所示，在薄膜配線基板4方面，利用基板本體部4a之4個角部之吊部4u且透過形成於基板本^部“ 外側周園的4個開口部4 e (參照圖68 (a))連結支持芙板本體部4a和基板突出部4b。再者，在基板突出部4b外周周圍形成切斷時所用的斗個長孔4q，基板突出部4b也爲該4個角部之吊部4u 於基板框部4 t。符又，如圖69⑷所示，本實施形態25之彈性構造體3 和接合圖67所示之薄膜配線基板4之基板本體部4 突出部4b的形狀大致相同的形狀。 ”土因此，在彈性構造體3設置爲吊部3 k 支/持且和基板突出部4b大致相同形狀的彈 α ； ^ 、 Τ丨土傅造體愈山邵3 b ’設置和薄膜配線基板4之4個開口々4 小的4個開口部3c。 e大致相等大 \) 訂-------踩 - : ί.. :'、·、 (請先聞讀背面之注意事碩再填寫本頁) -77- 1 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 — 一五、發明説明（75 i it外，如圖68 (a)所示，對於薄膜配線基板4之4個開口 4 4 e，即只對於半導體晶片i之電極焊接點丨七附近形成密封部5。 ,因此，CSP55也包含是扇入，扇出構造，其組合完畢後’如圖66 (b)、（c)所示，係除了爲彈性構造體3背面之半導體晶片1所覆蓋之處（彈性構造體突出部3 b)以外的地方和全部側面3a露出而成爲露出部3丨的構造。 ^此處，圖66顯示以下狀態：樹脂密封後，在67所示之薄膜配線基板4之基板突出部4b角部之4個吊部4u切斷，將基板本體部4 a和基板突出部4 b從基板框部4 t分離。站又，關於本實施形態25tcsp55之其他構造，和實施形怨2 1心CSP5 1者同樣，所以其重複説明省略。茲就本實施形態25之CSP55製造方法加以説明，首先，準備薄膜配線基板4，.該薄膜配線基板4具備具有配線4d(參照圖51)的基板本體部“和形成於此基板^ 體邵外侧周圍的基板突出部4b，並且接合和合併基板突出部4 b與基板本體部4 a的形狀大致相同形狀的彈性構造 m3同時形成配置連接於配線4 d的引線4 c的開口部 4 e ° 接著，使半導體晶片i之電極焊接點i b (參照圖5丨）露出薄膜配線基板4之開口部4 e，接合半導體晶片j之主面j a 和彈性構造體3。再者’電氣連接半導體晶片丨之電極焊接點1 b和與此電極焊接點對應的薄膜配線基板4之引線4 ^。 [_____ -78- 本紙張尺度朝f酬家標準（CNS ) Μ規格（2!{)><297公 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

I :、後舲半導體晶片1之電極焊接點1 b和薄膜配線基板引線4c進行樹脂密封28而形成密封部$。又圖67、圖68及圖69顯示密封完畢狀態之圖。八後，使其配線4 d電氣連接，而在基板本體部4 a及基板突出部4b形成突起電極2 ^ 再者，切斷圖67所示之基板突出部4b外側角部之4處吊 #4u，將基板本體邵4a及基板突出部〇從基板框部〇分離。此處’圖66 (a)、（b)、（c)顯示切斷完畢狀態之圖。又’關於本實施形態2 5之CSP55之其他製造方法，和實施形悲2 1之CSP5 1者同樣，所以其重複説明省略。再者’在本實施形態21之CSP51方面，當然也可以適用前述實施形態1 4 ~ 2 0所載之技術。兹就由本實施形態2 5之CSP55及其製造方法所得到的作用效果加以説明。根據CSP55，在扇入、扇出構造方面，如圖7 〇所示，在彈性構造體3透過設於此彈性構造體上的吊部3 k (參照圖 69 (b))，藉此也可導入排氣路徑3 6而將氣體放出到外經濟部中央操年局員工消費合作社印製部。藉此’可防止破壞密封邵5等的爆玉米花（p〇pC〇rn)現象發生’其結果，可提高CSP55的可靠性。 /又，關於由本實施形態2 5之CSP55及其製造方法所得到的其他作用效果，和實施形態2 1之CSP51者同樣，所以其重複説明省略。 -79- 本纸張尺度適用中國家標準（CNS ) A4規格（210X297公犮） B7 B7 77 五、發明説明（者：明之實施形態1〜25具體説明了由本發明 ! 2 5 a ’但本發明不限於前述發明之實施形態，备、在不脱離其要旨的範圍内可作各種變更。前述實施形態i〜25方面，圖3所示的各構件規格各圖5心的各處理條件係最佳者之—例，不—定限於圖 3及圖5所示者。此外，在前述實施形態工心方面，係就半導體晶片u 長万形的情況加以説明，但半導體晶片i也可以是正方形。再者，關於設於半導體晶片】上的電極處，若是半導體晶片,之主面la外周部，則不邵，例如也可以設於外周全體。又，關於當時的電極焊接點丨b數目及突起電極2數目，並不限於1 2個或2 0個，也可以是〗2個以下、丨3〜丨9個或 2 0個以上。此外’關於薄膜配線基板4之開口部4 e及彈性構造體3 之開口部3c的形狀，並不限於長方形，若是可露出半導體晶片1之電極焊接點i b的形狀，則也可以是長方形以外的形狀。又，在前述實施形態1〜2 5説明的半導體裝置（Csp )，例如可用於DRAM (動態隨機存取記憶體）、S (同步） DRAM ' S (靜態）RAM、RAMBUS (RAM 匯流排）、快閃記憶體、ASIC (特殊應用積體電路）、CPU (中央處理單元）、閘陣列等，就其應用製品而言，例如模组或卡片 -80- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1装！一''、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製經濟部中央標準局員工消f合作社印製五、發明説明（78 等。但是，當然也可以用於前述模組或卡片以外的製品'

兹簡單説明在本案所揭示之發明中由具代表性者所的效果如下： J (1) 藉由形成半導體裝置（CSP)之薄膜配線基板之基板本體郅和基板突出#，不以基板突出部爲獨立構造，所以不用高價材料形成基板突出部就可以辦到。並可謀料導體裝置製造成本的低成本化。 —果 (2) 藉由在薄膜㈣基板上基板突出部設於其開口部外側，透過前述開口部塗佈密她旨時，在基板突出部和半導體晶片（間，在使其橋接狀態可形成密封部。藉此，可進仃私疋的在封’而可提高密封性，其結*，可謀求部的防潮可靠性提高。 (3) 形成突起電極時，即使回流吸濕狀態的半導體裝置，，彈性構造體〈預足方向之側面也露出外部，所以可使回⑽時的發生瘵氣通過彈性構造體而發散到外部。其結果，可提高耐回流性。、⑷藉由以多孔性氟樹脂形成彈性構造體，丨一面將前述回流時的發生茂齑妨山；；；、丨AI、、 …虱放出到外邵，並且一面以氟具有的排水性防止水分進人半導體裳置内。其結果，可減低半導體裝置的電氣特性劣化。 . < 5 )藉由使彈性構造體含有著色材料，不會帶給彈性構 f體的基本物性影響，而可降低彈性構造體的光透過率。藉此可;^到對於半導體晶片之電路的遮光性，其結果， f請先聞讀背面之注意事項再填¾本頁)

本纸伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（ 2l〇X 297 公釐）五、發明説明（79 可遮斷被認爲招致半導靜θ 千睪虹卵片錯誤動作的紫外線詖巧半導體裝置之電路動作的穩定性。 (6) 藉由在薄膜配線基板上寬幅形成配線和突起焊盤之要郅，可難以發生對於此連接部的應力集中。藉此，在溫度猶環環境下，即使配線和帶基材共同因熱收縮、膨脹而變形，也可防止在配線和突起焊盤之連接部4s斷線。 (7) 藉由在彈性構造體形成露出部，即使回流時等彈性構造體的内部壓力變大的情況，也可從彈性構造體之露出郅將氣體放出外側。藉此，可防止破壞密封部等的爆玉米花（popcorn)現象發生，其結果，可提高半導體裝置的可靠性。所以可 ^--J衣------、玎------_|球 (諳先閱讀背面之注意事項再填35本頁j 經濟部中央梯準局員工消費合作社印製 -82- f紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 〇X 297公t )

Claims

經濟部中央標準局員工消費合作祍印製 A8 B8 C8 -*-—____D3 六、申請專利範圍 *~·~~ ι· 一種半導體裝置，其特徵在於：具有半導體晶片：係在其主面具有多數半導體元件和多數連接端子之半導體晶片’前述多數連接端子配置於前述半導體晶片周邊部；彈性體使前述多數連接端子露出而配置於前述半導體晶片主面上；絕緣性帶：形成於前述彈性體上，並且在配置前述連接端子的區域有開口；多數引線：係形成於前述絕緣性帶表面之多數引線，其—端部連接於前述連接端子，並且其他端部配置於前述彈性體上；多數突起電極··形成於前述多數引線之他端部上；及，树脂體：密封前述半導體晶片之前述連接端子及前述引線之一端部，其中前述絕緣性帶具有第一部分：配置於前述半導體印片内侧；及’第二部分：在自己置前述多數連接端子的如述主導體晶片周邊部附近，從前述半導體晶片突出外側者。 ?.根據申請專利範圍第4項之半導體裝置，其中跨過前述. 絶緣性帶之第一部分和第二部分而形成前述樹脂體。根據申請專利範圍第2項之半導體裝置，其中前述絕緣. 性帶之第二部分作爲防止前述樹脂體流動之壩^而發揮作用。 -83- ___ _____ 本紙張尺度軸中國·辟（CNS)从祕（別x297公笼） --------^裝------訂-----' 線 . : (讀先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Αδ Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 4. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中在前述絕緣性帶之第二部分上有和前述絕緣性帶另體形成之壩構件0 5. 根據申請專利範圍第1項之半.導體裝置，其中前述彈性體具有第一部分：配置於前述半導體晶片内侧；及’第二部分：在配置前述多數連接端子的前述半導體晶片周邊部附近，從前述半導體晶片突出外側，前述彈性體之第二部分配置於絕緣性帶之第二部分上0 6. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中前述彈性體以通氣性材料形成，前述彈性體側面一部分露出外部。 7. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝I、，其中前述絕緣性帶和前述彈性體之处Jil形狀大致相同。 . 8. —種.，半_導...體裝置，其特徵在於：係具有在主面外周部設置連接端子之半導體晶片之半導體裝置，具有彈性構造體：使前述連接端子露出而配置於前述半導體晶片主面上；薄膜配線基板：具備基板本體部，該基板本體部設有配線，該配線係一端透過引_線和前述連接端子電氣連接' 且他端和爲外部端子__的._突起電極電氣連接，同時具備基. 板突出部：設置使前述連接端子露出的開口部，並且突出前述開口部及前述半導體.晶片外侧；及，密封部：密封前述半導體晶片之前述連接端子及前述 -84- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----.— _裝------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 六、申請專利範圍 ABCD 經濟部中央標準局負工消費合作社印製薄膜配線基板之前述幻線， -體形成前述薄膜配線基板之前述基板基板突出部者。丨和則述 9_根據申請專利範圍第8項之半導體裝置，其中在前衆广膜配線基板之前述基板突出部之與前述半導體日曰片^薄對應之處設置密封用開口部。面 10_根據申凊專利範圍第8項之半導體裝置，其中以密士脂形成前述密封部，並且前述密封樹脂係此樹脂=== 的二氧化矽比率50%以下的低二氧化矽材料。。 11. 根據申請專利範圍第8項之半導體裝置，其中在前述薄 .膜配線基板之前述開口部周圍設置阻止樹脂密封時=^ 樹脂流出的壤構件。 ' 12. 根據申請專利範圍第8項之半導體裝置，其中前述彈構造體具備突出前述半導體晶片外侧的彈性體突出部同時前述彈性構造體之預定侧面露出。 13. —種半導體裝置，其特徵在於：係具有在主面外周部汉置連接端子之半導體晶片之半導體裝置，具有彈性構造體：具備彈性體突出部，該彈性體突出部配置於前述半導體晶片主面上，同時設置使前述連接端子露出的開部，並且突出前述開口及前述半導體晶片外側； .薄朦配線基板」具備基板本體部，該基板本體部設π ，配線，該配線係一端透過'引線和前述連接端子電氣連接且他端和—爲外部端子的突起電極電氣連接，同時具備基板突出部：設置使前述連接端子—露出的開口部，並且性設有. 突一}·裝---^----,灯-----線， (請先閎讀背面之注意事嗔再填窝本s') 85- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） [ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍出前述開口部及前述半導體晶片外侧；及V 密封部：密封前述半導體晶片之前述連接端子及前述薄膜配線基板之前述引線，一體形成前述薄膜配線基板之前述基板本體部和前述基板突出部，並且前述薄膜配線基板和前述彈性構造體的外形形狀形成大致相同太小者。 14. 根據申請專利範圍第1 3項之半導體裝置，其中前述半導體晶片以前述彈性構造體之前述彈性體突出部包圍其侧面而被.安裝著。 15. 根據申請專利範圍第1 3項之半導體裝置，其中在前述薄膜配線基板之前述基板突出部之與前述.半導體晶片侧面對應之處設置密封用開口部。 16. —種半導體裝置，其特徵在於：係具有在主面外周部設置連接端子之半導體晶片之半導體裝置，具有彈性構造體：具備露出部，該露出部係使前述連接端子露出，配置於前述半導體晶片主面上且露出外侧；薄膜配線基板.：具備基板本.體部’該基板本體部設有配線，該配線係一端透過引線和前述連接端子電氣連接且他端和爲外部端子的突起電極電氣連接，同時設置使前述連接端子露出的開口部；及，密封部：密封前述半導體晶片之前述連接端子及前述. /薄膜配線板之前述引線者。 17. · —種半導體裝置，其特徵在於：,係具有在主面外周部設置連接端子之半導體晶片之半導體裝置，具有彈性構造 -86 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -訂線 * ! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製六、申請專利範圍體：具備露出部，該露出部係使前述連接端子露出，配 ' .... .+ ' 置於前述半導體晶片主面上且露出外側，同時具備彈性體突出部，該彈性體突出部突出前述半導體晶片周圍外側；薄膜配線基板：具備基板本體部，該基板本體部設有配線，該配線係一端透過引線和前述連接端子電氣連接且他端和爲外部端子的突起電極電氣連接，同時具備基板突出部：設置使前述連接端子露出的開口部，並且突出前述開口部及前述半導體晶片外側；及密封部：密封前述半導體晶片之前述連接端子及前述薄膜配線基板之前述引線，前述薄膜配線基板和前述彈性構造體的\外形形狀形成大致相同大小，並且在_.前述基板本.體部及前述基板突出部設置前述突起電極者。 18.根據申請專利範圍第1 0項之半導體裝置-，其中在前述薄膜配線基板設置使前述、彈性橡造體、露出的開口孔。议根據申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中在前述引線有和前述半導體晶片之前述連接端子不進行連接的非連接.引線，並且此非連接引線向接近前述連接端子接近的方向變形。 20.根據申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中以表裏兩, 囁有黏接層的多孔性氟樹脂形成前述彈性構造體。 21〜根據申請專利範園第2 0項之半導體裝置，其中前述彈性構造體具有由立體網眼構造體所構成的骨骼層。 -87- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----;l:lL— 裝------訂-----線 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ____ D8 六、申請專ϋϊ—^ ' ~~ 22_ '根據申請專利範圍第丨3項之半導體裝置，其中使前述彈性構造體之一方前述黏接層或兩方前述黏接層含有著色材料。 \ί 23.根據申請專利範園第1 3項之半導體裝置，其中在前述彈性構造體，比晶片側黏接層厚地形成薄膜基板侧黏接層。 24根據申請專利範圍第i項之半導體裝置，其中形成於前述薄膜配線基板之配線之和—突起焊盤之連接部之配線寬度.比離開此連接部之處之配線之配線寬度寬地形成，並且前述連接部之配線寬度隨著雜開前述突起得盤而逐漸變有般地形成。 25· —種半導體裝置之製造方法，其特徵在於：係县有在主面外周部設置連接端子之半導體晶片之半導體装置之製造方法，具有，準備薄膜配線基板，該薄膜配線基板具備基板本體 2 :、具有配線；同時具備基蘇突出部：突出配置連接‘ 可述配線的引線的開口部外側，和前述基板本體部一體形成的製程； & 接合前述薄膜配線基板之前述基板本體部和體的製程；構使-則述半導體晶片之前述連接端子露出前述薄膜配線嚷板之前述開口部，接合.前述半導體晶片之前述主面和. 冒述彈性構造體的製程； .電氣連接前述半導體晶片之前述連接端子和與此連接 ,m-裝------ 訂-----'線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -88- 六、申請專利範圍端子對應的前述薄膜配線基板之前述引線的製程；使用由二氧化矽含有率50%以下的低二氧化矽材料構成的密封樹脂密封前述半導體晶片之前述連接端子和如述薄膜配線基板之前述引線而.形成密封部的製程；使其和前述基板本體部之配線電-氣連接而形成突起電極的製程；及，將前述基板突出部和形成於此基板突出部的前述密封部同時切斷成所希望的外形尺寸的製程:。 26. 根據申請專利範圍第2 5項之半導體.裝置之製造方法」其中電氣連接前述半導體晶片之前-述速接端子和與此連接端子對應的前述薄膜配線基板之前述乱線差，進行焊接工具的加壓動作而連接前述半導體晶片之前述連接端于和前述薄膜配線基板之前述引線後，使前述焊接工具對於前述半導體晶片之前述主面大致平行且向前述引線之前端方向移動。 27. —種半導體裝置之製造方法，其特歡在於：係具有在主 ' 面外周部設置連接端子之半導體晶片之半導體裝置之製造方法，具有經濟部中央摞準局員工消費合作社印製 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本瓦) 準備薄膜配線基板，該薄膜配線基板具備彈性構造體：與具有配線的基板本體部接合；同時形成開口部：配置連接於前述配線的引線，並且前述基板本體部爲前. 哒彈性構造體之支持部所支持於基板框部的製程；使半導體晶片之前述連接端子露出前述薄膜配線基板之前述開口部，接合前述半導體晶片之前述主面和前述 -89- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製六、申請專利範圍彈性構造體的製程；電氣連接前述半導體晶片之前述連接端子和與此連接端子對應的前述薄膜配線基板之前述引線的製程；將前述半導體晶片之前述速接端子和前述薄膜配線基板之前述引線進行樹脂密封而形成密封部的製程；使其和前述基板本體部之配線—電.氣連接i形成突起電極的製程；及，切斷前述彈性構造體之-支持部而使前述__基板、本體部從前述基板框部分離，同時使前述彈性構造體之露出部露出的製程者。 28. —種半導體裝置之製造方法，其特徵在於卜係具有在_主面外周部設置連接端子之半導體晶片之晶、片尺寸之半導體裝置之製造方法，具有準備薄膜配線基板，該薄膜配線基板具備具有配線之. 基板本體部和形成於此基板本體部外侧周圍之基板突出. 部，並且接合和合併前述基板突出部與前述基板本體部的形狀大致相同形狀的彈性構造體，同時形成配置連接於前述配線的引線的開口部的製程；使前述半導體晶片之前述連接端子露出前述薄膜配線基板之前述開口部，接合前述半導體晶片之前述主_面和' 前述彈性構造體的製程； . 電氣連接前述半導體晶片之前述連接端.子和與此連接' 端子對應的前述薄膜配線基板之前述引線的製程； -將前述半導體晶片之前述連接端子和前述薄膜配線基 -90- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----;---ί 裝------、11------線 ~°i (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) ABCD Γ、申請專利範圍 :板之前述引線進行樹脂密封而形成密封部的製程；， .使其和前述配_線電氣速接人在前述基板.本體部及前述基板突出部形成突起電極的製程；及，使前述基板本體部及前述基板突出部從基板框部分離的製程者。 29.根據申請專利範園第1 8項之半導_體裝置之製造方法，_ 其中使用密封樹脂進行密封面。時，密封、前述半導體晶片侧 --------,私衣------ΪΤ------.it (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）