TW392202B - Vacuum processing apparatus - Google Patents

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TW392202B
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transfer chamber
chamber
valve
vacuum
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TW087106252A
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Shigeru Ishizawa
Yoshiaki Sasaki
Keisuke Kondo
Tetsuo Yoshida
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Tokyo Electron Ltd
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Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（丨） 發明背暑： 本發明偽有關於一種真空處理裝置，傜包括有單一艏 或多數個真空室，例如一真空處理室及/或一匣室，以及 至少一値共用轉移室。 在一半導體裝置的製程中，習慣上會使用一所謂"群 集式糸統"的多室型處理裝置，包括有安排在中心的一共 用轉移室、及安排在該共用轉移室周圍之不同的臭空處理 室及至少一値匣室；在這種類型的装置中，置放在位於該 匣室的一匣體中之例如一半導髏晶圓的一被處理的標的物 ,偽藉由例如設置在該共用轉移室内的一轉移臂轉移到該 共用轉移室内，然後，該晶圓被該轉移習轉移到一預定的 真空處理室内，接著，該晶圓偽依序地被該轉移臂轉移到 不同的真空處理室内，以對該晶圓施加例如一蝕刻處理、 一濺鍍處理及一化學氣相沉積處理，最後，該晶圓在接受 這些處理之後，再次被該轉移臂經由該共用轉移室轉移回 到該匣室内；需要註明的是，—氣體供應条統及一排氣条 統傜連接到包括在該持別的處理裝置中的每一傾這些共用 轉移室、不同的真空處理室及匣室，使其能夠適當地控制 每一這些室的内部壓力。 讓我們描述該共用轉移室之内部壓力的提升機構，包 括例如在從一第一真空處理室（第一處理室）將一晶圓經 由該共用轉移室轉移到一第二真空處理室（第二處理室） 中，在該共用轉移室内的氣體被替換的情況；在第一步驟 中，一介於該第一真空處理室與該共用轉移室之間的一第 -04- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ·!丨一^-----I裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7___ 五、發明説明（> ) 一閘閥開啓，並且該晶圓藉由設置在該共用轉移室内的轉 移臂從該第一真空處理室轉移到該共用轉移室内，然後， 該第一閘閥關閉，並且該晶圓被該轉移臂朝箸介於該第二 真空處理室與該轉移室之間且關閉箸的第二閘閥轉移，同 時，當連接該共用轉移室之一氣髏排放糸统的一排氣機構 蓮轉時，連接一氣體供應条統之一開/闋閥及一流量率控 制閥像關閉，結果該共用轉移室被排氣直到一預定的内部 壓力值，例如到達一個壓力，其中出現在該共用轉移室内 部及對該晶圓有不利影響的種種氣髏能夠被排放到外界。 再者，連接該共用轉移室的該開/闋閥被打開以供應 一例如淨化氣體之預定氣體到該共用轉移室内，直到該第 二閘閥打開為止；又，該流量率控制閥的開啓程度被控制 於增加該共用轉移室的内部壓力到達實質上相等於或高於 該第二真空處理室的内部壓力，接著把該共用轉移室的内 部壓力維持在上述的壓力，然後該第二閘閥打開，並且該 晶圖被該轉移臂移轉到該第二真空處理室内，當然該共用 轉移室實質上被保持在防止反應氣體、粒子等等出現在該 共用轉移室内部之所需條件下。 為了要增加生産量，必需要藉由增加該共用轉移室内 的壓力提升速率來缔短該晶圓轉移的循環，然而，在以上 所逑構造之傳統的条統中，在該開/關閥打開的同時，該 氣體供應到該共用轉移室中的速率自然受到限制，結果造 成該共用轉移室之内部壓力的提升速率難以有效地增加； .所以，為了要縮短用以提升該共用轉移室内部壓力所需的 -05- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） VI—^-----' 1f------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 A7. B7 五、發明説明（今） 時間，改善到該共用轉移室内之氣體供應糸統是重要的， 並且可因此而改善生産量。 發明：> 摘要： 本發明之目的，偽提供一種真空處理裝置，能夠立刻 將包括在該真空處理室内之一轉移室的内部壓力在一預定 的目標時間内升高到一預定的目標壓力，不會産生問題， 例如不會使粒子飛起。 根據本發明的第一態樣，偽提供一種真空處理装置， 包括有： 至少一轉移室，係充滿氣體以具有一目標壓力範圍的 上限； 一氣體供應条統，偽連接一氣體供應源以將該氣體供 應到該轉移室内； 一氣體排放条統，偽用於從該轉移室内釋放氣體； 至少二個真空室，偽包括有一第一真空室及一第二真 空室並旦連接該轉移室； 至少二艏閘閥，係介於該轉移室及該等真空室之間， 並包括有第一閘閥傜選擇性地讓該轉移室與該第一真空室 彼此連通，及一第二閘閥傺選擇性地讓該轉移室與該第二 真空室彼此連通； 一轉移機構，偽用於把所要處理的標的物從該第一真 空室經過該第一閛閥轉移到該轉移室，並且把該標的物從 該轉移室經過該第二閘閥轉移到到該第二真空室； 者 -06- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） vl_-------- 裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（士） 包括在該氣體供應条統内之一開/鬨閥，用以選擇性 的把該氣髏從該氣體供應源供應到該轉移室内，在該開/ 關閥的上游定義有一氣體裝填空間，以在該開/關閥關閉 時，容許具有依據一目標壓力的上限設定體積及壓力的氣 體儲存在該氣匾装填空間内；及 多數控制裝置，用以開啓該開/關閥，把儲存在該氣 體裝填空間内的氣體供應到該轉移室内，以將該轉移室的 内部壓力増加到該目標壓力的上限。 在上述構造之真空處理室中，該開/關閥被該等控制 裝置打開，以容許儲存在該氣體裝填空間中之預定氣體在 一短時間内供應到該轉移室中，使該轉移室的内部壓力能 夠在一短時間内升高到一預定的目標壓力；應註明的是， 即始是在例如於該轉移室内之標的物的轉移期間内替換該 轉移室内之氣體的狀況中，該轉移室的内部壓力也能夠迅 速地被提升，所以不會對該標的物的轉移産生不利的影罌 ,使生産量獲得改善；另外需要註明的是，即使該擦的物 從例如具有相對低内部壓力之第一真空室經由例如該轉移 室轉移到具有相對高内部壓力之第二真空室時，該轉移室 的内部壓力能夠在該標的物轉移的期間内立刻被提升到實 質上等於或高於該第二處理室的内部壓力。 在本發明的真空處理裝置中，最好在該氣體供應源與 該開/關閥之間設置一流量率控制閥，用以控制從該氣體 供應源供應到該轉移室内之氣體的流量率，在這種態樣中 ,該氣體裝填空間傺定義在該流量率控制閥與該開/關閥 -07- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） --^------ 裝------訂------.^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印裝 A7 B7 i、發明説明（<) 之間，這種待別的構造能夠防止該轉移室升高到目標壓力 範圍上限之内部壓力産生變化，直到該第二閘閥被打開為 止。 又，其敍述到該氣體供應条統偽被安排在該氣髏供應 源與該開/闋閥之間·並且具有一定義為該氣體裝埴空間 之一部分的氣體裝填室，該特別的氣體裝填室可變換容積 或是可用S—値具有不同容積的氣體裝填室來替換，使得 該氣體裝填空間的容積能夠被控制，而易於順應具有不同 範圍值之目標壓力的上限。 再者，最好在本發明之真空處理室中包括有一加熱器 或保溫裝置，例如一電熱器，裝設在該氣體供應条統中用 以將儲存在該氣體裝填空間内之氣髏溫度維持在定值，因 為儲存在該氣髏裝镇空間内之氣髏溫度被維持在定值，所 以能夠防止儲存在該氣體裝填空間内之氣體改變其流量率 及防止液化，接著使該轉移室之内部壓力能夠很精確度的 提升到該目標壓力範圍的上限。 根據本發明的第二態樣，傜提供一種真空處理裝置， 包括有： 至少一轉移室，偽充滿氣體以具有一第一目標壓力範 圍的上限，或具有一第二目標壓力範圍的上限； 一氣體供應条統，傺連接一氣體供應源以將該氣體供 應到該轉移室内； 一氣體排放糸统，傜用於從該轉移室内釋放氣髏； 至少三個真空室，傜包括有一第一真空室、一第二真 -0 8 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝- 、11 經濟部中央標準局負工消費合作社印装 A7 ___B7_ 五、發明説明（b ) 空室及一第三真空室，都連接到該轉移室； 至少三_閘閥，像介於該轉移室及該等真空室之間， 並包括有一第一閛閥係選擇性地讓該轉移室與該第一真空 室彼此連通，一第二閘閥係選擇性地讓該轉移室與該第二 真空室彼此連通，及一第三閘閥係選擇性地讓該轉移室與 該第三真空室彼此連通； 一轉移機構，係用於把所要處理的標的物從該第一真 空室經過該第一閘閥轉移到該轉移室，用於把該標的物從 該轉移室經過該第二閘閥轉移到到該第二真空室，並且用 於把該檫的物從該苐二真空室經過該轉移室轉移到該第三 真空室； 該氣體供應条統包括有多數鮪包括有第一及第二分技 供應条統的分技供應条統，每一値分技供應糸統包括有一 開閥，用以選擇性的把該氣體從該氣體供應源供應到 該轉移室内，一氣體裝填空間傜定義在該開/關閥的上游 ，以在該開/關閥關閉時，容許具有依據一目標壓力範圍 上限設定體積及壓力的氣醱儲存在該氣鼷裝填空間内；及 多數控制裝置，當該標的物從該第一真空室轉移到該 轉移室的時候，用於開啓包括在該第一分歧条統内之該開 /顔閥，把儲存在定義於該第一分技条統上游之該氣體裝 镇空間内的氣體供應到該轉移室内，以將該轉移室的内部 壓力增加到該第一目標壓力的上限，以及當該標的物從該 第二真空室轉移到該轉移室的時候，用於開啓包括在該第 二分技条統内之該開/關閥，把儲存在定義於該第二分枝 -09- 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 一 T；-------"-裝------訂-------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梯準局員工消費合作社印製 A7 ' __B7 __ 五、發明説明（7 ) 糸統上游之該氣體裝填空間内的氣體供應到該轉移室内， 以將該轉移室的内部壓力增加到該第二目標壓力的上限。 在第二實施例的真空處理裝置中，該轉移室的内部壓 力能夠増加到一目標壓力範圍的上限，很容易地配合一所 需真空室的内部壓力，即使是在該真空處理裝置包括有許 多値彼此之内部壓力都不相同之真空室的情況中。 再者，根據本發明的第三態樣，傜提供一種真空處理 裝置，包括有： 一轉移室，傜充滿氣體以具有一目標壓力範圍的上限 氣體供應条統，偽包括一氣體裝填空間，用以儲存依 據該目標壓力範圍上限設定體積及壓力的氣醴，並且用於 把儲存在該氣體裝填空間内的氣髏立即供應到該轉移室内 ί 一氣體排放条統，偽用於從該轉移室内釋放氣體，以 把該轉移室的内部壓力降低到等於該目標壓力範圍下限的 程度；及 一真空室，偽能夠選擇地與該轉移室連通，並且具有 符合該目檫壓力範圍上限的内部壓力， 在該氣體裝填空間内的壓力Ρ*傜由該公式來表示： pa={Vt(P-Pt)}/V* 其中Vi是該轉移室的容積，P是在該轉移室内之目 標壓力範圍的上限，Pt是在該轉移室内之目標朦力範圍的 '下限，及Va是該氣體裝填空間的容積。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 丨：--："-------裝------訂------瘃 /' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 A7 _____B7_ 五、發明説明（s) 該第三實施例的真空處理装置能夠設定該氣體裝填空 間内的壓力，以容許在短時間内使該轉移室之内部壓力提 升到該目標壓力範圍的上限。 本發明另外的目的及優點將更進一步地在以下敘述， 並且部份將從該敘述中明白，或是可以藉由發明的實例來 了解到；藉由在上文中所持別指出的手段及組合，可以明 解及得知本發明的目的及優點。 教貓圓示的簏菫銳明： 如附圖所示，傜結合及構成說明書的一部分，説明本 發明現有的較佳實施例，並且與以上的一般描敘及以下較 佳實施例的詳細描敘，一起解釋本發明之技術手段。 第1圖偽表示本發明第一實施例之真空處理装置的示 意圖； 第2圖偽表示包括在第1画所示之真空處理裝置中之 氣體供應条統及氣髏排出糸統的示意圖； 第3圖傷用於敘述本發明第一實施例之真空處理裝置 的圖表； 第4圖傜表示包括在本發明第二實施例之真空處理裝 置中之氣體供應条統的示意圖；及 第5圖傺表示用於本發明之氣體供應条統之更詳細的 示意圔。 發明的_细描沭： -1卜 ^氏浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） T：--Γ"-----" 1裝------訂------旅 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本買) 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 A7 B7 i、發明説明（今） 讓我們敘述一餹依據本發明一些具體實施的群集多室 型真空處理裝置，並參閲附画所示；在以下的敘述中，該 裝置中具有實質上相同功能及構造之構件，都以相同之參 考圖號標示，以避免重複敘序。 首先，第1至3圖偽共同地表示本發明第一實施例之 裝置，特別是，第1圖傜表示這脑實施例的一餹真空處理 裝置100 ,如圔中所示，多數個真空室，例如這艏實施例 中的五個真空室，係包括有三個真空處理室104a、104b、 104c及二鍤真空匣室106a、106b,圍繞設在一共用轉移室 102的周圍；在該共用轉移室102與該等真空處理室104a 至104c之間及該共用轉移室102與該等真空匣室106a、10 6 b之間偽設有能夠彼此獨立地被控制於開啓或關閉之閛閥 Gl、G2、G3、G4、G5;這些真空室能夠選擇地與該共用轉 移室10 2相通。 在該等真空處理室lQ4a至lG4c中，於例如一半導體晶 圖W之該標的物上偽成功地實施了預定的處理，換而言之 ，這些真空處理是偽由例如一蝕刻裝置、一濺鍍裝置及一 化學氣相沉積裝置所組成，這些真空處理室是為密封地構 建成；如第2圖中所示之氣體供應条統101a、101b、101c 的一端俗連接對應的氣體供應源，另一端係連接該等真空 處理室104a至l(Hc,並且如第2圖所示，包括有例如輪機 分子泵或真空泵ll〇a、110b、110c之排氣機構係分別連接 該等真空處理室l〇4a至104c，所以每一個真空處理室104a •至104 c都能夠被獨立地適當控制到具有所需求的内部壓力 -12- 本紙張尺度適闲中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) --Ί------ Ϊ裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
*1T 經濟部中央梯準局員工消費合作社印製 A7 B7 --------—--—--- 五、發明説明（π ) 〇 每一値真空匣室106a、106b也是製成密封的，並且建 構成能夠罩框住一可同時容纳如25片晶圓的匣體108，在 該等真空匣室1Q6a及106b之匣體轉送口的一側分別設有閘 閥G6及G7,該等匣室106a、106b分別連接有氣體供應条统 103a、103b,又，這些匣室106a、106b分別連接有排氣機 構111a、111b,所以，在該等閛閬G4、G6或G5、G7被關閉 時，該等匣室106a、106b的内部壓力都能夠被適當地控制 到所需要的程度。 罩框在該共用轉移室102内，偽密封地架構有一晶圓 轉移機構，例如包括有一多關節臂之轉移臂112，該轉移 • 臂112能把該晶圓W從五脑真空室104a至104c、106a、10 6b之任一傾真空室中轉移到該共用轉移室102中，並且從 該共用轉移室102中再轉移到任何一痼所需要的真空室中 ,該轉移機構的驅動機構及控制機構在這値技術領域中偽 為熟知的技藝，因此在此就省略其敘述。 在該共用轉移室102中之氣髏供應条統及排氣条統偽 詳細地表示在第2圓中，特別是，一氣體供應管線114像 連接於該共用轉移室102 ,如圖所示，在本發明中指定有 一開/關閥116、一氣體裝填室或氣體充填室U8 ,為了 此種情形，該氣髏供應管線114設有一流量宠控制閥120 及一調整器122 ;該氣體供應管線114形成為一具有例如 1/4英吋直徑的管線，並旦把該氣髏裝填室118連接到一 艏能夠藉由上述構件將譬如氬氣的惰性氣髏以1.5kg/cn2 -13- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS )八4^格（210X297公釐） 丨：一-Ί-----； 1裝------訂------旅 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（u ) 的壓力供應給該氣醱供應管線114之氣體供應源124 ;該 氣臛裝填室118傜由一截面積明顯大於該管線114之密封 室所組成，並且密封地與該管線114相通，較佳的是，該 氣髏装填室偽為可分離地結合該管線114 ,並且可以替換 另一舾具有隨意内部容積的氣體裝填室，或者是，例如在 該氣體裝填室之内也可以結合一個分隔板，使該分隔板能 在該氣髏裝镇室之内移動，以隨意地設定該氣體装填室的 有效内部容積；一排氣管126偽連接於一緬由例如一輪機 分子泵所組成之排氣機構128 ,也連接於該共用轉移室10 2 〇 一能夠連鑲測量該共用轉移室102内部壓力的壓力感 測器130係連接於共用轉移室102 ,再者，一控制器132 傺連接於每一傾轉移臂112、開/闋閥116、流量率控制 閥12 0及壓力感測器13 0 ,俥使該控制器13 2能依據該共 用轉移室102的内部壓力來控制該開/關閥116及該流量 率控制閥120之開啓/關閉與開啓的程度。 該氣體裝填室118的内部壓力，傺等於位在該流量率 控制閥120與該開/關閥116間之氣體供應通道的内部壓 力，例如管線114及該氣體裝填室118的内部壓力，偽由 一諝整器122的設定、構造等等所決定，俥使得在調整或 改變該氣體裝镇室之内部壓力的情形下，改變該調整器12 2的設定或是更換該調整器122 ;附帶說明，在第2圖中 省略了該真空處理裝置1Q0之該等匣室l〇6a、106b等等， •然而不用多說，表示於第2圖中之裝置100與表示在第1 _ 1 4 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） T-；--^-----；-裝------訂-------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7__ 五、發明説明（、>〇 圖中之裝置1Q0的構造是實質上相等的。 假設該晶圓W經過該共用轉移室1〇2從第一真空處理 室104a轉移到第二真空處理室l〇4b,在這種情況中，如下 所述的，該轉移室1Q2的内部壓力偽被控制在替換該轉移 室102内的氣體；在第一步驟中，該第一閘閥G1打開，以 允許該轉移臂112把在第一真空處理室l〇4a中已經施加過 一預定處理的該晶圓W轉移到共用轉移室内，在這屆步驟 中，從該氣體供應124供應一預定量的惰性氣髏到該共用 轉移室102内，同時，該共用轉移室1〇2被該排氣機構12 8抽氣抽到一預定的真空度，接著該共用轉移室1〇2的内 部壓力被保持在與第一真空處理室lQ4a之内部壓力實質上 相等之壓力，例如13.3Pa,又，即使該真空處理室l〇4a被 一排氣機構110a排氣，因為該流量率控制閥120的開啓程 度偽持缠地被控制器132所控制，所以該共用轉移室1〇2 的内部壓力能保持在一所需程度的定值，即使是該流量率 控制閥没有連接該控制器132 ,該共用轉移室102的内部 壓力也能夠保持在一所需要的程度上，更加明確地說，基 於一艏具有預定規格的流量控制閥，該共用轉移室102的 内部壓力也能夠保持在一値所需要的程度，在這®情況中 ，該流量率控制閥的開啓程度偽依實際經驗地控制在容許 該共用轉移室的内部壓力被保持在一所需的程度.又，該 流量率控制閥的開啓度在處理步驟中傺固定在預定的開啓 度上。 在下一步驟中，該第一閘閥G1關閉，同時，該轉移臂 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210乂297公釐） --：------^ 1裝------訂-------旅 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（ο) 112被一驅動機構（圖未示）操作將被該轉移臂 112夾持住的晶圓W水平地移動到接近第二閛閥G2的區域 上，在該晶圓W於該共同轉移室102内轉移的時候，所有 的閘閥G1到G5都闋閉，在該共同轉移室102内的氣體被置 換，更明確地說，根據該轉移臂112的操作，一控制訊號 從該控制器132傳送到該開/關閥116 ,例如一偵测器（ 圖未示）偵测到該轉移臂112通過一個預定的點，並且提 供一偵測訊號給控制器132以引發控制器132傳送控制訊 號給開/闋閥116使該關/關閥116關閉，在這痼步驟中 ，該排氣機構128偽設定使該共同轉移室102排氣，不論 該開/關閥116及該流量率控制閥120是否可能為開啓或 關閉，接著該共同轉移室102的内部壓力降低到例如0.5 Pa或更低，使共同轉移室102内的氣體能夠充份地釋放到 外面去，結果，可以在共同轉移室102内把在真空處理室 1 〇4a内完成處理時所産生之對該晶圓W有不利影鑾的物質 如H20及1^以及在轉移臂112操作時所産生之粒子移除， 需註明的是，當該開/關閥116保持關閉時，惰性氣體傺 裝填到該氣體裝填空間内。 然後，一値表示該共用轉移室102之内部壓力已經降 低到如以上所述之Q.5Pa的訊號，從該壓力感測器130傳 送到該控制器132 ,如此，從該控制器132傳送一預定的 作動訊號到該開/關閥116，使該開/關閥116打開，接 箸裝填在包括有該氣體裝填室118及在閥116與120之間 的部份管線114之該氣體装镇空間内之預定量的惰性氣體 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -I-----^ 1裝------訂------滅 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（μ ) ，立即供_到該共同轉移室102内，自然地，該共用轉移 室102的内部壓力就升高到等於或大於該第二真空處理室 10 4 b之内部壓力的大小，例如該共用轉移室10 2的内部壓 力立卽升高到13.3Pa。 這個實施例之真空處理裝置傺建溝在該共同轉移室1〇 2的内部壓力在壓力大小設定到一低的程度之後才可操作 ，最好是66. 7Pa或是更低，在這種低壓力下，即使是留在 共同轉移室10 2内的粒子，如上述在立卽供應惰性氣體到 該共用轉移室内時也不會使這些受到重力的粒子飛起來， 讓該晶圓不會受到不利的影饗；最好裝設一値如第5圖所 示之由譬如鋁網所形成的擴散構件300覆蓋住面對共同轉 移室102之氣髏供應管線114的開口端上，在此種情況中 ，經過該氣體供應管線114所供應的惰性氣體能藉由該擴 散構件3 0 0均勻地擴散進入該共用轉移室102内，以防止 即使是在面對共同轉移室102之氣體供應管線114開口端 附近的粒子飛起來。 在這個實施例之真空處理裝置中，適當地設定裝缜在 該氣體裝填空間内之惰性氣體的壓力是恨重要的，更明確 的說，該壓力及容積之間的關像由公式（1)所限定： P=(PiV,+P3V,)/V ...... (1) 其中： P表示在該開/關閥116打開後，該共用轉移室102 内的壓力，例如之前所述的13.3Pa;
Pi表示在該共用轉移室室102排氣之後，在該共用轉 -17- 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 「一 ^ 1裝 訂 V-...V、 、、、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡隼局員工消費合作社印製 A7 _Β7_— 五、發明説明（θ ) 移室102内的壓力，例如之前所述的〇.5Pa;
Vi表示該共用轉移室102内的容積，例如7.Ox 1(Γ a»®3 ；
v2表示該氣體裝填空間的容積，例如3.εχ 103πιπ=* ; 卩，表示在裝填惰性氣體之步驟中，該氣體裝填空間内 的踺力；及 Vi +Va = V 從公式（1)，該氣體裝填空間内的壓力p3偽為： P3=(PV-P,V,)/V3 ...... (2) 該氣體裝填空間内的容積“如以上所給的是3 . 6 X 103 >»aa ,偽遠小於該共用轉移室102的容積Vd.OxilTM3 ，換而言之，ν,αν,，導出以下所述的公式（3):
VzVt+Va% Vi .......(3) 從公式（2)及（3): p2 = {yt (p-p,)}/v3 .....(4) 假如以上所給的明確數據代入公式（4),在裝填惰性 氣體之步驟中，該氣體裝填空間内的壓力p2是2.48X105 Pa,在這個實施例中，該壓力Pa^藉由該調整器122來設 定；更加明確地説，在改變該壓力卩2值時，必需要用另一 個不同規格的調整器來替換該調整器122。 如以上所述，在上述構造之真空處理裝置中，藉由在 氣體裝填空間内充填惰性氣體使該氣體裝填空間内的壓力 變成2.48xiO*Pa ,能夠使該共同轉移室102的内部壓力 •迅速地升高到13.3 Pa,應註明的是，在設定好裝填於上述 -18- 本纸張尺度適用中國國家標準（〇灿）八4規/格（210'乂297公釐） 1-'"―-I-----i------，訂------^ (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 S___B7 ___ 五、發明説明（6 ) 氣體裝填室118内之惰性氣體的壓力時，當該惰性氣體從 氣體裝瑱室118供應時，不予考盧從該共同轉移室102内 釋放到外界的氣體，這是因為經由上述之氣釀釋放所造成 的效果對於該共用轉移室102内之壓力傜小到可以忽略的 ;又，當該開/闊閥116打開的時候，伴隨著該流量率控 制閥120的開啓，從該氣體供應源124所供應的惰性氣體 也不予考慮，這也是因為其對於該共用轉移室102之内部 壓力所形成的效果也是小到可以忽略的；再者，如以上所 例舉之壓力及容積的值，只是用於明確的解釋上述的該等 公式，所以並不是限制這個實施例的所有技術範醻，顯然 ,不難了解到這痼實施例的技術觀念能夠適用公式（1)來 實行對該真空處理裝置的構建。 在該共同轉移室102的内部壓力已迅速地升高到13 . 3 Pa之後，該流量率控制閥120的開啓程度傑依據從該壓力 感測器130所提供的資料來調整，但是另一方面將該開/ 關閥116保持在開啓狀態，以使該共同轉移室1G2的内部 壓力維持在13.3Pa;同時或接著在該共同轉移室内之壓力 升高到13 . 3Pa之後，該第二閘閥G2開啓，並且該轉移臂11 2葆被操作到將夾持在轉移臂112上的晶圓W移送到該第 二真空處理室l〇4b内，在此情況中，即始該第二真空處理 室10 4b被該排氣裝置110b排氣，藉由控制該流量率控制閥 120的開啓程度，使該共用轉移室1〇2的内部壓力該維持 在定值，例如保持在13. 3Pa;然後，該第二閘閥G2關閉， •以對在該第二臭空處理室l(Hb内的晶圓W施加一預定的處 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X 297公釐） -：------- 裝------訂------旅 (請先閱讀背面之注意事項再填寫表頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 A7 ____B7__ 五、發明説明（Λ7 ) 理。 這傾實施例之真空處理裝置偽建構成如以上所述的在 該共用轉移室102内實施氣體的置換，在轉移該晶圓W的 其他的步驟中，藉由該共用轉移室102從該第二真空處理 室104b轉移到該第三真空處理室104c,從該第三真空處理 室104c轉移到該匣室106a或106b内之匣體108，以及從該 匣髏108轉移到第一真空處理室104a ;然而，應註明的是 ，對該晶圓W施加一預定處理中，例如在該第二真空處理 室中，幾乎沒有産生對晶圓W有不利影饗的物質時，在該 共用轉移室1G2内的氣體就不需要被置換掉。 第3圖偽表示包括在第1及2圖中所示之真空處理裝 置100内之共用轉移室102内部壓力與時間的變化圖表， 第3圖係涵蓋了如本發明第一實施例中於該氣體供應管線 114定義出一氣體裝填空間的狀況以及另一痼在傳統裝置 中没有定義一氣體裝填空間的狀況，在第3圖的圖表中， 在該共用轉移室10 2内之壓力（Pa)偽被繪於縱座檫上， 該時間（秒）偽被繪於播座標上。 在這個試驗中，該共用轉移室102所要升高之内部壓 力的目標壓力值傜設定在13.3Pa,另一方面，在升高壓力 之前的壓力，例如在該開/關閥116開啓之前，該共用轉 移室102的内部壓力傜設定在0.5Pa，該共用轉移室102 的内部容積係設定在7.〇χ 以及一氬氣偽以1.5 kg/cm2 (G. 14Pa)的壓力從該氣體供應源124供給到該氣體 •供應管線114 ;再者，該氣髏裝填室118偽連接在該氣髏 -20- 本紙法尺度適用f國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
Jli^ 1 裝 訂^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 _ 五、發明説明（β ) 供應管線114上，該氣體裝埴室118的内部容積傜設定在 3.6xl09n!!D3 ,應予註明的是如該氣體供應管線114所使 用的管髏具有1/4英时的内部直徑；又，在該氣體裝填室 118與該流量率控制閥12Q之間的距離以及該氣體裝填室 118與該開/關閥116之間的距離傜分別設定在2Qcin,在 裝填氬氣的步驟中，該氣體裝填空間的内部壓力偽設定在 2.48XlOsPa ;另一方面，在該氣髏供應管線114中沒有 定義該氣體裝填空間之處，只是單獨地移除該氣體裝填室 118 ,使該開/關閥116藉由該氣體供應管線114直接連 接到該流量率控制閥120 ;在如上所述之條件下，該共用 轉移室1 0 2的内部壓力傺由該壓力感測器1 3 0做連續的量 測。 當該開/關閥116關閉時，該共用轉移室102的内部 壓力偽藉由該排氣裝置來完成排氣以保持在約〇.5Pa ,然 後，如第3圖所示該開/鼷閥11&在時間為0秒時開啓， 以將氬氣供給到該共用轉移室102内，藉由該氬氣的供應 ，在該共用轉移室102的内部壓力提升到約13.3Pa的目標 壓力之後，藉由控制該流量率控制閥120的開啓程度，把 該共用轉移室102的内部壓力維持在約13.3Pa。 如第3圖所示，如本發明第一實施例中於該氣髏供應 管線114裝設有氣體裝填室113的狀況中，在該開/關閥 116打開之後約0.2秒，該共用轉移室102的内部壓力就 升高到約13.3Pa;另一方面，在該氣體供應管線114沒有 •裝設氣髏装填室118的狀況中，該共用轉移室1D2的内部 -21- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X'297公釐） ~ 馨 Ml n ^ f 裝 i I ^—訂 或 ί V. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（11) 壓力約花費4 . 0秒才缓慢地升高到約13 . 3Pa。 從第3圖中所示的試驗數據可顯而易見的，包括有該 氣體装填室118之裝置1〇〇能夠縮短該共用轉移室102之 内部壓力到達目標壓力所需要的時間，大約是傳統裝置所 需時間的1/20,結果顯示，如以上關於該第一實施例所述 在該共用轉移室102之内轉移晶圚W的期間，要置換該共 用轉移室102内部之氣體時，顯著地縮短了置換氣體所需 的時間，換而言之，該晶圖W必需要保持在該共用轉移室 102内的時間偽顯著地縮短了，因此顯著地改善了生産量 0 讓我們參考第1及2圖來描述本發明的第二實施例. 假設該晶圓W從該第二真空處理室l〇4b轉移到該第三真空 處理室104c,該第三真空處理室1G4C的内部壓力高於該第 二真空處理室104b的内部壓力，本發明之真空處理裝置能 夠建構成讓該共用轉移室102的内部壓力升高到如以下所 述的目標壓力；明確地說，在該第二真空處理室l〇4b内完 成處理之後，如第1及2圖所示的該閘閥G2被開啓，並且 操作如第1_中所示的該轉移臂112把該晶圓W從該第二 真空處理室l〇4b内轉移到該共用轉移室102内，在這個步 驟中，該開/關閥116及顯示於第2圖中之設於排氣管12 6上的閥126a傜保持關閉，又，該共用轉移室102的内部 壓力簧質上設定與該第二真空處理室l〇4b之内部壓力相等 〇 在下一値步驟中，闋閉該第二閘閥G2,並且操作該轉 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --:1-----^ 1裝------訂------旅 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7 ' 五、發明説明（>υ ) 移臂11 2將晶圓W朝第三閛閥G3移轉，在此同時，依據該 轉移臂112的操作，從該控制器132傳送一作動訊號給該 開/關閥116 ,以開啓該開/關閥116，該真空處理装置 偽建構成在該開/關閥116開啓後，讓該共用轉移室102 的内部壓力立卽實質上相等於該第三真空處理室104c之内 部壓力，又，藉由該排氣機構128的蓮作以及藉由接收從 控制器132發出之電訊號來控制該流量率控制閥120的開 啓程度，使該共用轉移室102的内部壓力能夠實質上維持 在定值。 然後，開啓該第三閘閥G3 ,並且操作該轉移臂11 2把 該晶圚W移轉到該第三真空處理室l〇4c内，在這値步驟中 ,即使是在例如設於該排氣管12S之閥126a打開使該共用 轉移室102排氣時，亦能藉由該控制器132控制該流量率 控制閥12 0的開啓程度，將該共用轉移室1 0 2的内部壓力 維持在所需要的定值；同樣地，即使是該第三真空處理室 l〇4c被該排氣機構11QC排氣時，該共用轉移室1Q2的内部 壓力也雒持在所需要的定值；在該晶圓W移轉到該第三真 空處理室104c之後，關閉該第三閑閥G3,並且在該第三真 空處理室104c内對該晶圓W施加一預定的處理；附帶地， 該第二實施例之裝置在構造上偽與本發明第一實施例之真 空處理裝置100相等。 讓我們參考第4圖來描述本發明之第三實施例，該第 三實施例之裝置的持擻傜在於該氣體供應条統，如圖所示 •，該氣體供應管線114配置於該共用轉移室102與該調整 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） T：--：------^ <裝------訂------' % (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五 '發明説明（>1 ) 器122之間的部份傷分技為三個通路2QQa、20Qb及200c, 開 / 闋閥 2 0 2 a、2 02 b、2 0 2 c、氣體裝填室 2 04a、2 04 b、20 4c、及流量率控制閥2Q6a、2Q6b、2Q6c傺分別裝設在這些 分支通路200a、200b、200 c上，由圖中可明顯的看到，這 些開/關閥係裝設在該共用轉移室102的一側，另一方面 ，該等流量率控制閥偽裝設在該調整器122的一側，所以 ，該等氣體裝填室係配置在這些開/關閥與這些流量率控 制閥之間。 每一個開/藺閥2Q2a至20 2 c以及流量率控制閥2 06a至 傜分別獨立地連接到該控制器132 ,使該控制器132 能獨立控制這些閥的開/關或是開啓程度；應註明的是， 除了該等氣體装镇室2Q4a至2G4C之外，該等氣體供應通路 2 0 0 a至2 0 0 c彼此的结構是相等的，同樣地，該等開/關閥 2 0 2a至2 0 2 c彼此的結構是相等的，再者，該等流量率控制 閥206a至20 6c彼此的結構也是相等的；附帶地說明，也可 以建構該等流量率控制閥206a至206c,使得該第二閥206b 的流量率控制能力略大於該第一閥2Q6a的流量率控制能力 ，以及使該第三閥2Q6c的流量率控制能力略大於該第二閥 206b的流量率控制能力；如以上所述，在該第三實施例中 ，該氣體供應管線114配置於該共用轉移室1Q2與該調整 器122之間的部份係分割成三屆分技通路200a至2Q0c,至 於其他的關傺，該第三賁施例之真空處理裝置的構造則與 前述關於在第1及2圖所示之第一及第二實施例之真空處 理裝置100之溝造相等。 _ 2 4 τ 本&張尺度適用中ί國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A 一-Ί--------裝------訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -A7 B7 五、發明説明（>>* ) 在該第三實施例之裝置中，該共同轉移室1Q2的内部 壓力也能夠容易地升高到目標壓力，特別是，該第三實施 例之裝置係建構成在例如該等真空處理室104 a至104 c及該 等匣室10 6a及106 b之内部壓力彼此不同之狀況時能夠産生 顯著的效果；明確地說，即使是在例如於該共同轉移室10 2内移轉該晶圓W時實施氣體置換的狀況中，在例如該第 一真空處理室104a、該第二真空處理室104b、該第三真空 處理室104c、及該等匣室106a或106b之内部壓力偽依所述 之次序逐漸升高之條件下，該共同轉移室102内的氣髏能 夠在短時間内被置換掉。 假設該等氣體裝填室2Q4a、2Q4b、2Q4c的構造偽容許 該共用轉移室102升高的内部壓力等於該等真空處理室10 4b、104c或是該等匣室106a或lQ6b的内部壓力；在晶圓W 從該第一真空處理室104a移轉到該第二真空處理室104b内 的期間，在此狀況中為了要升高該共用轉移室102的内部 壓力，該第一開/闘閥2 0 2 a接收到由該控制器132所提供 的一作動訊號而單獨開啓，以容許裝镇在該氣體裝填室20 4a内的惰性氣體立即供應到該共用轉移室102内，在這個 步驟中，該第一流量率控制閥2D6a偽由該控制器132來控 制，以將該共用轉移室102的内部壓力雒持在一所需要的 定值。 類似地，當該晶圓W從該第二真空處理室104 b移轉到 該第三真空處理室104c時，該第二開/關閥2 0 2 b傜單獨被 該控制器132開啓；再者，當該晶圓W從該第三真空處理 -25- 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） P H I— n i 裝— I — — II 訂 一旅 /Γ,' . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作杜印製 A7 B7 i、發明説明（) 室104c移轉到該等匣室106a或106b時，該第三開/關閥20 2c偽單獨被打開；所以，即使是該晶圓W所要移轉進去之 該等真空處理室的全部或者部份，彼此具有不同的内部壓 力，在每一次該晶圓W要移轉，需要在該共用轉移室1〇2 内置換氣體的狀況中，該共用轉移室1 〇 2的内部壓力都能 夠在相當短的時間内升高到配合該晶圓W要移轉進去之真 空處理室所需要的壓力。 暫時儲存在該氣體裝填空間内之惰性氣體的溫度變化 ,沒有在上述任何一個實施例中提及，這只是簡單地因為 這種真空處理裝置傜通常使用在室溫之下，因此，在以上 的描述中就忽略了溫度的需求；為了防止該氣體流量率的 精確度降低或是防止該氣體被溫度的變化壓縮而産生液化 ，需要控制該氣體供應条統内的氣體溫度，如第5圖中所 例舉。 如圖中所示，一具有1/4英吋内部直徑的管線301構 成該氣髏供應管線114，一網狀的擴散元件3 00偽設置在 該管線301上面對該共用轉移室102的一端，該管線301 的另外一端係連接該氣鼷供應源，應注意該管線301之外 璟表面介於該共用轉移室102與該流量率控制閥120之間 的區域以及該氣體裝填室118的外環表面傜完全被一電熱 器302所覆蓋，該電熱器3 0 2的型式可以是整個區域都由 加熱區域所構成或是部份區域構成加熱源及其他區域由一 熱傳導材料所形成；一溫度絨測器305偽設置於該電熱器 -302上，用以偵测溫度並且提供一表示偵测溫度的電訊號 -2 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） τ.:--：-：------ 裝------訂------戒 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _____B7_ 五、發明説明（ >十） 給一溫度控制器3 04 ;再者，一動力源306偽連接該電熱 器302 ,該動力源3 0 6的操作偽由該溫度感測器3 0 4所控 制。 在該氣體供應管線114上述之構造中，由該管線301 之一部份及該氣體裝填室118所定義出之氣體裝填空間内 之氣體偽被該電熱器302加熱，以容許該氣體的溫度維持 在定值，所以，能夠有效地防止該氣體流率之精確度被降 低；又，能夠有效地防止該氣體被液化。 本發明並不限制於上述參考附圖所述之較佳實施例， 在如申請專利範圍所界定之本發明的技術範圍内，以種種 不同的修改來達成，對於熟悉此技藝之人仕並不難，當然 ，這些修改都應該被認為是羼於本發明之技術範圍内。 例如，在上述之第一到第三實施例中，該控制器傜依 據該轉移臂的操作來傳送一作動訊號給該開/關閥，以打 開該開/關閥；然而，或者該開/關閥可以建構成在該閘 閥的開/關之後被打開一預定的時間，而忽略良轉移臂的 操作；為了要反應該裝置其他構件的移動來開啓該開/闊 閥，也可以設置種種不同的絨測器，例如一编碼器及一光 學感測器，用於檢測該装置之各構件的移動及動作，例如 該轉移臂，在這種狀態中，該開/關閥偽反應來自於任何 這些感測器所發出的作動訊號；或者是，也可以在一預定 的程式中設定發出該作動訊號的時間，來取代反應該裝置 之其他構件的移動以提供作動訊號。 在之前所述的第三實施例中，該氣體供應管線傜分技 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） Τ：-------- 裝------訂------、:^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（d ) 為三値分技的通路及在每一艢分技通路上分別設有一開/ 關閥、一氣體装填室及一流量率控制閥；或者是，該氣體 供應管線也可以被分技為二痼分技的通路，並且在每一分 枝通路上分別設置一開/闊閥、一氣體装填室及一流量率 控制閥，以配合提升該晶圓轉移室内部壓力的需求；再者 ,也可以把多數値獨立的氣體供應通路分別連接到該共用 轉移室，在這種情況中，在每一條這些獨立的氣體供應通 路上都要設置一開/闋閥、一氣髏裝填室、一流量率控制 閥及一調整器，並且一氣體供應源傜連接每一條獨立的氣 體供應通路。 再者，在每一個上述的第一到第三實施例中，該開/ 關閥及該流量率控制閥偽分別設置在該氣體供應管線或分 技之氣體通路上之該氣髏裝填室的下游及上游；然而，本 發明並不局限在該特別的構造内，更明確的說，就本發明 而言，只要至少一個裝設在該轉移室與該氣體供應源之間 的閥裝置以及一値定義在該獨特之閥装置上游的氣體裝填 空間，本發明就能夠運作；再者，在上述的每一痼實施例 中，該氣體裝填空間偽定義為包括有位於二値閥裝置之間 的氣體供應管線的區域以及連接該氣體供應管線並且具有 大於氣護供應管線截面的氣匾裝填室，然而，應該註明的 是，假如位於二痼二艏閥裝置之間的氣體供應管線藉由增 加該氣體供應管線之待定部位的長度或内徑而允許有足夠 大的容積時，也可以將該氣體裝填室忽略掉。 在每一舾上述的第一到第三實施例中，從該氣體裝镇 _ 2 8 _ 本紙張尺度通用;國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐) t ; --.-----Ί------ 裝------、ST-------^ v.:\ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 ______B7_ 五、發明説明（a ) 空間供應到該共用轉移室内之惰性氣體的壓力偽由每一艏 氣體裝琪空間及該共用轉移室之内部容積及内部壓力所決 定，然而，本發明並非僅局限於該種待別的構造，更明確 的說，除了上述内部容積及内部壓力之外，在該共用轉移 室及該氣體裝填空間内部的氣體溫度也能夠被加入考盧於 決定從該氣體裝填空間供應到該共用轉移室的惰性氣體壓 力。 在上述的每一痼第一到第三實施例中，二儲匣室及三 値真空處理室偽連接到單一値共用轉移室，然而，本發明 並非僅局限於該種特別的構造，更明確的説，本發明的技 術觀念可以讓該真空處理裝置使用於包括至少一轉移室及 至少一真空處理室；再者，本發明的技術觀念可以用於讓 形成在一密封容器之某一腔室内的内部壓力提升到一預定 目壓力的情況中。 再者，在上述的每一個實施例中傜使用一半導體晶圓 作為一被處理的標的物，然而，不難了解到其他的樣的物 例如一液晶顯示裝置的玻璃基質也可以當作在一真空處理 室内被處理的標的物在本發明之真空處理裝置内處理；再 者，不難了解到包括在本發明之裝置内的真空室並不需要 限制於一種排氣到高真空度的腔室，換而言之，一種排放 到低真空度的腔室也能夠用於本發明中作為排氣的腔室。 在本發明中，一閥裝置傺裝設在連接於一晶圓轉移室 之氣體供應条統中，並且在該閥裝置的上游定義出一氣體 装填空間，所以儲存在該氣體裝填室中具有預定壓力、髏 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） r I ^ ^ I ^ ·裝 訂 旅 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明説明（>7 ) 積及溫度的氣體，只要簡單地打開該閥裝置就能夠立即被 供應到該晶圓轉移室内，结果，就能夠顯箸地縮短將該晶 圓轉移室之内部壓力提升到一預定目標壓力所需要的時間 ;再者，因為不僅是裝填在該氣體裝填室内的氣體可以設 定於符合該目標壓力，也可以符合該目標時間，所以該轉 移室的内部壓力能夠在該目檫時間内提升到目標壓力。 應該註明的是，本發明之裝置包括有所需要的多數個 条統，每一個条統包括有一氣體裝填室以及在該氣體裝填 室上游及下游的閥裝置，一具有預定壓力、體積及溫度的 氣體能夠裝填在每一値糸統中，所以其可以依據該晶圓轉 移室所設定的目標壓力從該等複數個条統之中選擇一個適 當的条統，結果，其可以對該轉移室供應一所需條件的氣 髏，使能夠在相當短的時間内將該轉移室的内部壓力提升 到目標壓力；再者，因為包括有該氣體裝《室内的条統不 僅是可以選擇於符合該目標壓力，也可以符合該目標時間 ，所以該轉移室的内部壓力能夠在該目標時間内提升到目 標壓力；再進一步地，因為這些条統能夠藉由該等設在氣 體装填室上游及下游的閥裝置來切換選擇，具有所需條件 的氣證能夠容易地且成功地供應到該轉移室内。 應該再註明的是，因為該目標時間能夠依據該轉移臂 的移動來決定，所以該轉移室的内部壓力可簡單地藉由例 如該轉移臂的蓮作來提升；再者，在該轉移室内的目標壓 力偽設定在6S.7Pa或是更低，所以，即使在該轉移室的内 部出現粒子，該轉移室的内部壓力能夠在不造成該等粒子 -3 0- 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） J——-I----政------tr------彳 ,ί (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 · B7_ 五、發明説明（>S ) 飛起的情況下提升；再進一步地，當該轉移室的内部壓力 已經到逹一預定壓力的時間時，用於壓力控制之一定量的 氣髏能夠供應到該轉移室内，使該轉移室的内部壓力在一 所需的壓力提升操作之後仍能保持定值。 對於熟悉該技藝之人仕將會想到另外的優點及修改· 所以本發明範圍較大的態樣傺不限制在此所表示及所敘述 之特定的細節及所掲露的實施例中，當然，在本發明之申 請專利範及相等者所定義之廣泛的發明觀念之精神與範躊 内，所做之不同的修改，都應該包含在本發明内。 圖號對睜耒： 1〇〇 真空處理裝置 101a、101b、101c 氣體供應条統 102 轉移室 10 3a、103b 氣體供應糸統 104a, 104b, 104c 真空處理室 106a、106b 真空匣室 108 匣體 W 半導體晶圓
Gl、G2、G3、G4、G5 閛閥 GS、G7 閘閥 110a、110b、110c 真空泵、排氣機構 111a、111b 排氣機構 112 轉移臂 -31- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —Μ— ΓI " τ 裝 訂 |旅 /·... (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7 五、發明説明（Η) 114 氣體供應管線 116 開/關閥 118 氣體裝填室 120 流量率控制閥 122 調整器 124 氣體供應源 126 排氣管 126a 閥 128 排氣機構 130 壓力感測器 132 控制器 200a、 200b、 2 0 0 c 通路 202a、 202b、 2 0 2 c 開/關閥 204a, 204b, 2 04 c 氣體裝填室 206a% 206b, 2 06 c 流量率控制閥 300 擴散構件 301 管線 302 電熱器 304 溫度控制器 305 溫度感測器 306 動力源 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -32- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

  1. 經濟部t央梂準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種真空處理装置，偽包括有： 至少一轉移室，傷充谋氣髏以具有一目標壓力範圍 的上限； 一氣體供應条統，偽連接一氣髏供應源以將該氣體 供應到該轉移室内； 一氣體排放条統，傜用於從該轉移室内釋放氣體； 至少二艏真空室，係包括有一第一真空室及一第二 真空室並且連接該轉移室； 至少二値閘閥，偽介於該轉移室及該等真空室之間 ，並包括有第一閘閥偽選擇性地讓該轉移室與該第一真 空室彼此連通，及一第二閘閥傺選擇性地讓該轉移室與 該第二真空室彼此連通； 一轉移機構，傺用於把所要處理的標的物從該第一 真空室經過該第一閛閥轉移到該轉移室，並且把該標的 物從該轉移室經過該第二閘閥轉移到到該第二真空室； 該氣體供應条統包括有一開/關閥，用以選擇性的 把該氣髏從該氣體供應源供應到該轉移室内，並且在該 開/關閥的上游定義有一氣體装填空間，以在該開/關 閥關閉時，容許具有依據一目標壓力的上限設定體積及 壓力的氣體儲存在該氣體裝填空間内；及 多數控制裝置，用以開啓該開/關閥，把儲存在該 氣髏裝填空間内的氣醴供應到該轉移室内，以將該轉移 室的内部壓力增加到該目標壓力的上限。 2. 如申請專利範圍第1項所述之真空處理裝置，其中該氣 -33- 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（2丨OX2S»7公嫠） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 經濟部中央標準局男工消費合作社印策 A8 B$ C8 D8 六、申請專利範圍 體供應糸統包括有一流量率控制閥，用以控制從該氣體 供應源供應到該轉移室内之氣髏的流量率，該流量率控 制閥傜介於該氣體供應源及該開/關閥之間，並且該氣 體裝填空間偽定義在該流量率控制閥與該開/關閥之間 〇 3. 如申請專利範圍第2項所述之真空處理裝置，其中該氣 體供應条統包括有一氣體装填室，偽介於該氣體供應源 與該開/關閥之間，該氣體裝填室構成該氣體装填空間 的一部份。 4. 如申請專利範圍第1項所述之真空處理裝置，其中當該 標的物傜藉由該轉移機構從該第一真空室轉移到該轉移 室的時候以及當該第一及第二閛閥被關閉的時候，該等 控制装置偽容許該開/關閥闢閉。 5. 如申請專利範圍第1項所述之真空處理装置，其中當該 第一及第二閘閥及該開/闘閥關閉的時候以及當該轉移 室於該標的物已經被轉移進入後藉由該氣證排放条統排 氣到該目標壓力範圍之下限的時候，該等控制裝置傜容 許該開/關閥開啓，以把該轉移室的内部壓力提升到一 目標壓力範圍的上限。 S.如申請專利範圍第5項所述之真空處理裝置，其中更包 括有用於保持該轉移室之内部壓力在該目標壓力範圍之 上限直到該第二閘閥開啓之裝置。 7.如申請專利範圍第6項所逑之真空處理裝置，其中當該 第二閘閥關閉時，該目標壓力之上限係等於或高於該第 -34- 本紙張適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再4·寫本頁) -1^1 HI nn mL 、· /·.« 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 二真空室之内部壓力。 8. 如申請專利範圍第7項所述之真空處理裝置，其中該目 瘭壓力的上限偽為66.7Pa或更低。 9. 如申請專利範圍第5項所述之真空處理裝置，更包括有 一壓力感測器，用以偵測該轉移室的内部壓力已經低至 該目標壓力範圍的下限，該感測器提供一表示偵測該目 標壓力範圍之下限的電訊號給該等控制裝置，以允許該 等控制裝置開啓該開/關閥。 10. 如申請專利範圍第1項所述之真空處理裝置，更包括 有用以將儲存在該氣體裝填空間内之氣體之溫度維持在 定值之装置。 11. 一種真空處理裝置，傜包括有： 至少一轉移室，偽充滿氣體以具有一第一目標壓力 範圍的上限，或具有一第二目標壓力範圍的上限； 一氣體供應糸統，傜連接一氣體供應源以將該氣體 供應到該轉移室内； 一氣體排放条統，係用於從該轉移室内釋放氣體； 至少三値真空室，傷包括有一第一真空室、一第二 真空室及一第三真空室，都連接到該轉移室； 至少三値閘閥，傜介於該轉移室及該等真空室之間 ，並包括有一第一閘閥偽選擇性地讓該轉移室與該第一 真空室彼此連通，一第二閘閥係選擇性地讓該轉移室與 該第二真空室彼此連通，及一第三閘閥偽選擇性地讓該 轉移室與該第三真空室彼此連通； -35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再资寫本頁) 裝_ 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 一轉移機構，傺用於把所要處理的標的物從該第一 真空室經過該第一閛閥轉移到該轉移室，用於把該標的 物從該轉移室經過該第二閘閥轉移到到該第二真空室， 並且用於把該檫的物從該第二真空室經過該轉移室轉移 到該第三真空室； 該氣體供應条統包括有多數艏包栝有第一及第二分 歧供應条統的分技供應条統，每一値分技供應条統包括 有一開/關閥，用以選擇性的把該氣髏從該氣體供應源 供應到該轉移室内，一氣髏装填空間偽定義在該開/關 閥的上游，以在該開/闋閥關閉時，容許具有依據一目 標壓力範圍上限設定體積及壓力的氣體儲存在該氣體裝 瑱空間内；及 多數控制裝置，當該標的物從該第一真空室轉移到 該轉移室的時候，用於開啓包括在該第一分歧条統内之 該開/關閥，把儲存在定義於該第一分技糸統上游之該 氣體裝填空間内的氣體供應到該轉移室内，以將該轉移 室的内部壓力增加到該第一目標壓力的上限，以及當該 標的物從該第二真空室轉移到該轉移室的時候，甩於開 啓包括在該第二分技条統内之該開/關閥，把儲存在定 義於該第二分技条统上游之該氣體装填空間内的氣體供 應到該轉移室内，以將該轉移室的内部壓力增加到該第 二目標壓力的上限。 12.如申請專利範圍第11項所述之真空處理装置，其中該 氣髏供應条統包括有一安排在該分技供應糸統與該氣體 -38- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) n^i 1 n- 1 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 々、申請專利範圍 供應源之間的調整器、以及一介於該分技供糸統與該 轉移室之間的共用管線。 13. 如申請專利範圍第11項所述之真空處理裝置，其中該 第一目檫壓力的上限傺不同於該第二目標壓力的上限。 14. 如申請專利範圍第11項所述之真空處理裝置，其中每 一個該第一及第二分技供應条統偽包括有一流量率控制 閥，用以控制從該氣體供應源供應到該轉移室内之氣體 的流量率，該流量率控制閥傜介於該氣髏供應源及該開 /顏閥之間，該氣髏装填空間係定義在該流量率控制閥 與該開/關閥之間，並且包括於該第一及第二分技条統 内的該等流量率控制閥偽單獨地被控制。 15. —種真空處理裝置，涤包括有： 一轉移室，傜充滿氣髏以具有一目標壓力範圍的上 限； 氣髏供應条統，偽包括一氣體裝填空間，用以儲存 依據該目標壓力範圍上限設定體積及壓力的氣體，並且 用於把儲存在該氣體裝填空間内的氣體立即供應到該轉 移室内； 一氣體排放条統，傺用於從該轉移室内釋放氣體， 以把該轉移室的内部壓力降低到等於該目標壓力範圍下 限的程度；及 一真空室，傺能夠遘擇地與該轉移室連通，並且具 有符合該目標壓力範圍上限的内部壓力， 在該氣體裝填空間内的壓力Ρ»傺由該公式來表示： -3 7- 本‘張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) t,— f 5------ —裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 392202 申請專利範圍 pa = {Vi (p-pt)}/ya 其中v,是該轉移室的容積，p是在該轉移室内之目 標壓力範圍的上限，Pi是在該轉移室内之目標壓力範圍 的下限，及va是該氣體裝填空間的容積。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 33- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐）
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Families Citing this family (211)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3676983B2 (ja) * 2000-03-29 2005-07-27 株式会社日立国際電気 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置
US6887337B2 (en) * 2000-09-19 2005-05-03 Xactix, Inc. Apparatus for etching semiconductor samples and a source for providing a gas by sublimation thereto
WO2002052617A1 (de) 2000-12-23 2002-07-04 Aixtron Ag Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung von halbleitersubstraten
JP4763922B2 (ja) * 2001-06-25 2011-08-31 株式会社神戸製鋼所 成膜装置及び成膜装置での汚染防止方法
JP2003031639A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Canon Inc 基板処理装置、基板の搬送方法及び露光装置
JP2003045947A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc 基板処理装置及び露光装置
US7521089B2 (en) * 2002-06-13 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling the movement of CVD reaction byproduct gases to adjacent process chambers
JP4204840B2 (ja) 2002-10-08 2009-01-07 株式会社日立国際電気 基板処埋装置
JP4816790B2 (ja) * 2003-06-02 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
JP4450664B2 (ja) * 2003-06-02 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
US20050284572A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Heating system for load-lock chamber
FR2883934B1 (fr) * 2005-04-05 2010-08-20 Cit Alcatel Pompage rapide d'enceinte avec limitation d'energie
JP5568729B2 (ja) * 2005-09-06 2014-08-13 国立大学法人東北大学 成膜装置および成膜方法
JP4688764B2 (ja) * 2006-09-19 2011-05-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の載置台除電方法
US20080163817A1 (en) * 2007-01-04 2008-07-10 Oc Oerlikon Balzers Ag Apparatus for gas handling in vacuum processes
JP4825689B2 (ja) * 2007-01-12 2011-11-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP2009176982A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板処理方法
JP2011114319A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Dan Takuma:Kk 気体置換装置および気体置換方法
CN101958231A (zh) * 2010-05-06 2011-01-26 东莞宏威数码机械有限公司 气体环境缓冲装置
EP2444993A1 (en) * 2010-10-21 2012-04-25 Applied Materials, Inc. Load lock chamber, substrate processing system and method for venting
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102299886B1 (ko) * 2014-11-03 2021-09-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) * 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) * 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP6960278B2 (ja) * 2017-08-31 2021-11-05 東京エレクトロン株式会社 流量測定システムを検査する方法
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
CN108396294B (zh) * 2018-01-26 2021-12-10 中国科学院物理研究所 一种薄膜沉积系统及控制方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03234345A (ja) 1990-02-08 1991-10-18 Hitachi Metals Ltd 加圧付加鋳造装置
JPH05218176A (ja) * 1992-02-07 1993-08-27 Tokyo Electron Tohoku Kk 熱処理方法及び被処理体の移載方法
JPH0676951B2 (ja) 1992-06-26 1994-09-28 財団法人鉄道総合技術研究所 圧力変化装置
DE4236324C1 (zh) * 1992-10-28 1993-09-02 Schott Glaswerke, 55122 Mainz, De
JP3234345B2 (ja) 1993-04-08 2001-12-04 三洋電機株式会社 飲料供給装置
JP3270852B2 (ja) * 1995-04-20 2002-04-02 東京エレクトロン株式会社 圧力調整装置及びこれを用いた部屋の連通方法
KR0183912B1 (ko) * 1996-08-08 1999-05-01 김광호 다중 반응 챔버에 연결된 펌핑 설비 및 이를 사용하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10303279A (ja) 1998-11-13
US6328864B1 (en) 2001-12-11
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KR100471519B1 (ko) 2005-04-14

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