TW202309481A - 基板處理系統及基板處理方法 - Google Patents
基板處理系統及基板處理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202309481A TW202309481A TW111126278A TW111126278A TW202309481A TW 202309481 A TW202309481 A TW 202309481A TW 111126278 A TW111126278 A TW 111126278A TW 111126278 A TW111126278 A TW 111126278A TW 202309481 A TW202309481 A TW 202309481A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- gas
- measuring device
- mentioned
- exhaust
- valve
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/05—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects
- G01F1/34—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by measuring pressure or differential pressure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/05—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects
- G01F1/34—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by measuring pressure or differential pressure
- G01F1/50—Correcting or compensating means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F15/00—Details of, or accessories for, apparatus of groups G01F1/00 - G01F13/00 insofar as such details or appliances are not adapted to particular types of such apparatus
- G01F15/005—Valves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F15/00—Details of, or accessories for, apparatus of groups G01F1/00 - G01F13/00 insofar as such details or appliances are not adapted to particular types of such apparatus
- G01F15/02—Compensating or correcting for variations in pressure, density or temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F15/00—Details of, or accessories for, apparatus of groups G01F1/00 - G01F13/00 insofar as such details or appliances are not adapted to particular types of such apparatus
- G01F15/18—Supports or connecting means for meters
- G01F15/185—Connecting means, e.g. bypass conduits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本發明之課題在於縮短基板處理系統中使用流量測定裝置進行之氣體流量測定所需之時間。
本發明係一種基板處理系統,其具備包含複數個腔室之腔室群、包含複數個氣體箱之氣體箱群、流量測定裝置及排氣裝置,上述流量測定裝置包含測定器及測定配管,上述測定配管包含:複數個分支管,其等與上述複數個氣體箱之各者連接;主管,其與上述複數個分支管之各者及上述測定器連接;及分支管閥,其設置於上述複數個分支管;上述測定器包含一個以上之壓力感測器、溫度感測器、測定器初級閥及測定器次級閥。
Description
本發明係關於一種基板處理系統及基板處理方法。
於專利文獻1中,揭示了一種使用流量測定系統求出基板處理系統中之氣體之流量之方法。根據專利文獻1中記載之方法,包括如下步驟:基於流量測定系統中設置之氣體流路之容積、壓力及溫度執行運算,藉此求出從一流量控制器輸出之氣體之流量。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2019-120617號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明之技術係縮短基板處理系統中使用流量測定裝置進行之氣體流量測定所需之時間。
[解決問題之技術手段]
本發明之一態樣係一種基板處理系統,其具備:腔室群,其包含用以於所需之處理氣體中對基板進行處理之複數個腔室;氣體箱群,其包含將上述處理氣體供給至上述複數個腔室之各者之複數個氣體箱;流量測定裝置,其測定從上述氣體箱群供給之上述處理氣體之流量;及排氣裝置,其與上述腔室群及上述流量測定裝置連接;上述流量測定裝置包含測定器、及與上述氣體箱群及上述測定器連接且供上述處理氣體流通之測定配管,上述測定配管包含:複數個分支管,其等與上述複數個氣體箱之各者連接;主管,其與上述複數個分支管之各者及上述測定器連接;及分支管閥,其設置於上述複數個分支管;上述測定器包含:一個以上之壓力感測器,其以對該測定器之內部壓力進行測定之方式構成;溫度感測器,其以對該測定器之內部溫度進行測定之方式構成;測定器初級閥,其設置於該測定器中與上述測定配管連接之側之端部;及測定器次級閥,其設置於該測定器中與上述排氣裝置連接之側之端部。
[發明之效果]
藉由本發明,縮短基板處理系統中使用流量測定裝置進行之氣體流量測定所需之時間。
於半導體元件之製造過程中,在所需之氣體氛圍下對半導體基板(以下稱為「晶圓」)進行成膜處理、清洗處理、其他電漿處理等各種氣體處理。該等氣體處理例如在具備能夠將內部控制為減壓氣氛之真空處理室(以下,有時稱為「腔室」)之晶圓處理系統中進行。於該晶圓處理系統中,為了適當地對晶圓進行各種氣體處理,重要的是精密地控制供給至真空處理室內之氣體之流量。
專利文獻1中記載之流量測定裝置係用於進行該晶圓處理系統中之氣體流量之測定之系統。關於專利文獻1中記載之流量測定裝置,藉由控制對設置於該流量測定裝置中之氣體流路的氣體之供給、排出,而基於該氣體流路之容積、壓力、溫度及一流量控制器之測定值來求出氣體之流量。
然,於設計基板處理系統時,就使用者之需求或基板處理之效率化等觀點而言,要求於一個晶圓處理系統中搭載更多之腔室。然而,如此搭載之腔室之數量增加時,若藉由專利文獻1中記載之方法進行氣體流量測定,則氣體流路之數量根據腔室之數量相應地增加,導致流量測定裝置中之氣體之封入容積增大,並且封入氣體之配管長度亦變長,因此有流量測定耗費時間之虞。
為了縮短該流量測定所需之時間,例如減小一個流量測定裝置中之氣體之封入容積,為此可考慮搭載2個以上流量測定裝置。然而,於如此僅增加流量測定裝置之數量之情形時,除了設置該流量測定裝置所需之成本增加以外,還會出現各個流量測定裝置之間之流量測定誤差(系統間差異)。因此,專利文獻1中記載之使用流量測定裝置之氣體流量測定方法中,尤其是增加一個晶圓處理系統中設置之腔室之數量之情形時之測定時間有改善之餘地。
本發明之技術係鑒於上述情況而完成者,其係縮短基板處理系統中使用流量測定裝置進行之氣體流量測定所需之時間。以下,參照圖式對作為一實施方式之基板處理系統之晶圓處理系統進行說明。再者,於本說明書及圖式中,對具有實質上相同之功能構成之要素標註相同之符號,藉此省略重複之說明。
<晶圓處理系統>
對本實施方式之晶圓處理系統1進行說明。圖1係表示本實施方式之晶圓處理系統1之構成之概略的俯視圖。於晶圓處理系統1中,對作為基板之晶圓W進行例如成膜處理、清洗處理、其他電漿處理等所需之氣體處理。
如圖1所示,晶圓處理系統1具有將大氣部10及減壓部11經由裝載閉鎖模組20、21一體地連接而成之構成。大氣部10具備於大氣壓氣氛下對晶圓W進行所需之處理之大氣模組。減壓部11具備於減壓氣氛下對晶圓W進行所需之處理之減壓模組。
裝載閉鎖模組20、21以分別經由閘閥22、23連結大氣部10之後述裝載器模組(loader module)30與減壓部11之後述轉移模組50之方式設置。裝載閉鎖模組20、21以暫時保持晶圓W之方式構成。又,裝載閉鎖模組20、21以能夠將內部切換為大氣壓氣氛及減壓氣氛(真空狀態)之方式構成。
大氣部10具有具備後述晶圓搬送機構40之裝載器模組30、及供載置能夠保管複數個晶圓W之晶圓搬送盒31之負載埠32。再者,裝載器模組30中可鄰接地設置調節晶圓W之水平方向之朝向的對準器模組(未圖示)及儲存複數個晶圓W之儲存模組(未圖示)等。
裝載器模組30之內部包含矩形之殼體,殼體之內部維持為大氣壓氣氛。於構成裝載器模組30之殼體之長邊之一側面並排設置有複數個、例如5個負載埠32。於構成裝載器模組30之殼體之長邊之另一側面並排設置有裝載閉鎖模組20、21。
於裝載器模組30之內部設置有搬送晶圓W之晶圓搬送機構40。晶圓搬送機構40具有:搬送臂41,其保持晶圓W並移動;旋轉台42,其支持搬送臂41並使其能夠旋轉;及旋轉載置台43,其搭載有旋轉台42。又,於裝載器模組30之內部設置有沿裝載器模組30之長度方向延伸之導軌44。旋轉載置台43設置於導軌44上,晶圓搬送機構40構成為能夠沿導軌44移動。
減壓部11具有:轉移模組50,其於內部搬送晶圓W;及腔室60,其對由轉移模組50搬送之晶圓W進行所需之處理。轉移模組50及腔室60之內部分別維持為減壓氣氛。再者,於本實施方式中,對於一個轉移模組50,連接有複數個、例如6個腔室60。於本說明書中,將連接於上述一個轉移模組50之複數個、例如6個腔室60之一個群稱為一個腔室群62。再者,一個腔室群62中之腔室60之數量及配置並不限定於本實施方式,可任意地設定。
腔室60分別經由閘閥64而與轉移模組50鄰接地設置。於腔室60中,根據晶圓處理之目的,進行例如成膜處理、清洗處理、其他電漿處理等任意氣體處理。
轉移模組50之內部包含矩形之殼體,如上所述與裝載閉鎖模組20、21連接。轉移模組50將搬入裝載閉鎖模組20中之晶圓W搬送至一腔室60中,實施所需之處理後,經由裝載閉鎖模組21搬出至大氣部10。
轉移模組50之內部設置有搬送晶圓W之晶圓搬送機構70。晶圓搬送機構70具有:搬送臂71,其保持晶圓W並移動;旋轉台72,其支持搬送臂71使之能夠旋轉;及旋轉載置台73,其搭載有旋轉台72。又,於轉移模組50之內部設置有沿轉移模組50之長度方向延伸之導軌74。旋轉載置台73設置於導軌74上,晶圓搬送機構70構成為能夠沿導軌74移動。
並且,於轉移模組50中,利用搬送臂71接收保持於裝載閉鎖模組20之晶圓W,並搬送至任意腔室60中。又,由搬送臂71保持在腔室60中實施了所需之處理之晶圓W,並搬出至裝載閉鎖模組21。
又,於減壓部11中設置有:氣體箱80,其向腔室60供給氣體,且具有複數個,例如於本實施方式中與各腔室60對應地為6個;及主氣體單元90,其收容有控制對各個氣體箱80(腔室60)之氣體供給之氣體控制單元。各個氣體箱80與對應之腔室60之間由可供處理氣體流通之連接配管82連接。
再者,於本實施方式中,將連接於上述6個腔室60之各者且供給處理氣體之6個氣體箱80統稱為一個氣體箱群110。再者,一個氣體箱群110中之氣體箱80之數量及配置並不限定於本實施方式,可任意地設定。各個氣體箱80進而連接於流量測定裝置120。具體而言,各個氣體箱80連接於作為流量測定裝置120之後述測定配管172。
以上晶圓處理系統1中設置有控制部122。控制部122例如為具備CPU(Central Processing Unit,中央處理單元)或記憶體等之電腦,具有程式儲存部(未圖示)。於程式儲存部中儲存有控制晶圓處理系統1中之對晶圓W之氣體處理之程式。又,於程式儲存部中進而儲存有控制後述處理氣體之供給動作之程式。再者,上述程式亦可記錄於電腦可讀之記憶媒體H中,從該記憶媒體H安裝至控制部122中。
於上述晶圓處理系統1中,為了測定從氣體箱80供給之處理氣體之流量,而連接有流量測定裝置120。流量測定裝置120提供於使用增量法測定處理氣體之流量時所利用之處理氣體之流路及各種感測器。以下,使用圖2對本實施方式之晶圓處理系統1中之流量測定裝置120進行說明。
圖2係表示構成本實施方式之晶圓處理系統1中之處理氣體之流路的配管系統之模式圖。再者,於本說明書中,「配管」構成為能夠使處理氣體於內部流通。於向各個「配管」中供給處理氣體之情形時,可於該「配管」之內部形成處理氣體之「流路」。又,於晶圓處理系統1之任一構成要素與任一「配管」、或2個以上之「配管」彼此連接之情形時,於其等之內部形成連續之「流路」。
於本實施方式中,處理氣體被供給至晶圓處理流路A或測定流路B中之任一流路,上述晶圓處理流路A係將處理氣體從各氣體箱80供給至對應之腔室60中,並在供於晶圓W之處理後,由排氣裝置130排出,上述測定流路B係將處理氣體從各氣體箱80供給至流量測定裝置120,並於測定流量後由排氣裝置130排出。關於晶圓處理流路A及測定流路B,將於下文進行說明。
於主氣體單元90中設置有用以將1種或1種以上之氣體供給至各個氣體箱80之氣體源140及流量控制部141。於一實施方式中,主氣體單元90構成為將1種或1種以上之氣體從各自對應之氣體源經由各自對應之流量控制部141供給至氣體箱80中。各流量控制部141例如可包含質量流量控制器或壓力控制式流量控制器。再者,於以下說明中,將從主氣體單元90供給之包含1種或1種以上之氣體之混合氣體稱為用於腔室60中之氣體處理、或藉由流量測定裝置120對流量進行測定之「處理氣體」。
氣體箱80包含複數個流量控制器142、及連接該等而形成流路之配管。
於本實施方式中,氣體箱80內之配管系統以如下方式構成。以上述氣體源140側為最上游,於氣體源140連接有上游側配管144,於該上游側配管144連接有複數個流量控制器142,該流量控制器142於本實施方式中例如設置有4個,於流量控制器142之下游側連接有下游側配管146,於下游側配管146之下游連接有腔室60及流量測定裝置120。再者,關於氣體箱80,「上游側」係指處理氣體之供給路徑上游側(氣體源140側),「下游側」係指處理氣體之供給路徑下游側(腔室60、流量測定裝置120側)。再者,於圖2中僅圖示出上述6個氣體箱80中之2個氣體箱,省略其餘4個之圖示。
流量控制器142於上游側設置有流量控制器初級閥150,流量控制器142經由該流量控制器初級閥150連接於上游側配管144。又,流量控制器於下游側設置有流量控制器次級閥152,流量控制器142經由該流量控制器次級閥152連接於下游側配管146。
再者,氣體箱80中之流量控制器142之數量及配置並不限定於本實施方式,可任意地設定。各個流量控制器142可為質量流量控制器或壓力控制式流量控制器142。又,氣體源140之數量及配置並不限定於本實施方式,可任意地設定。氣體源140可設置於主氣體單元90之內部或外部中之任一者。
下游側配管146包含與上述連接配管82連接之連接配管154。再者,連接配管82包含第一輸出閥156。又,下游側配管146包含與流量測定裝置120連接之連接配管160、及設置於該連接配管160之第二輸出閥162。
於本實施方式之氣體箱80中,於從複數個流量控制器142中之一個流量控制器142供給處理氣體之情形時,當在晶圓處理流路A中向腔室供給處理氣體時,藉由打開第一輸出閥156並且關閉第二輸出閥162,處理氣體通過連接配管154供給至腔室內。相反地,當在測定流路B中向流量測定裝置120供給處理氣體時,藉由打開第二輸出閥162並且關閉第一輸出閥156,處理氣體通過連接配管160供給至流量測定裝置120。
本實施方式之流量測定裝置120包含測定器170、及於上游側連接於上述氣體箱群110並且於下游側連接於上述測定器170之測定配管172。
上述測定配管172包含:複數個分支管174,其等於上游側連接於氣體箱80之各者中之第二輸出閥162;分支管閥176,其設置於該複數個分支管174;及主管178,其於上游側連接於該複數個分支管174之各者,且於下游側連接於測定器170。再者,關於流量測定裝置120,「上游側」係指處理氣體之供給路徑上游側(氣體箱80側),「下游側」係指處理氣體之供給路徑下游側(排氣裝置130側)。
分支管174只要於每個氣體箱80設置1個即可。由於本實施方式中設置有6個氣體箱80,故共設置6個分支管174即可。又,關於分支管閥176,亦只要於每個分支管174設置1個即可。於圖2中,對於未圖示之其他4個氣體箱80,亦同樣地連接分支管174,並且省略該等4個分支管174之一部分圖示。但是,分支管174及分支管閥176之數量及配置並不限定於本實施方式,可任意地設定。例如於變更氣體箱80之數量之情形時,只要相應地變更分支管174之數量即可。又,於在上述氣體箱之下游側配管146設置複數個流量測定裝置120側之配管及第二輸出閥162之情形時,可相應地變更連接於各氣體箱之分支管174之數量。
於本實施方式中,對一個氣體箱群110設置一個主管178。由於晶圓處理系統1具有一個氣體箱群110,故設置1個主管178即可。但是,主管178之數量及配置並不限定於本實施方式,可任意地設定。
測定器170於上游側經由測定器初級閥180連接於上述主管178,於下游側經由測定器次級閥182連接於後述校準系統190。該測定器170包含:壓力感測器184、186,其等以對測定器170之內部壓力進行測定之方式構成,具有一個以上,於本實施方式中為2個;及溫度感測器188,其以對該測定器170之內部溫度進行測定之方式構成。
於本實施方式中,測定器170以於內部形成流路而使處理氣體能夠流通之方式構成。因此,設置有上述壓力感測器及溫度感測器之該測定器170之內部係位於測定器初級閥180與測定器次級閥182之間的區域,且指形成處理氣體之流路之測定器170本身之內部空間。但是,測定器170之構成並不限定於本實施方式,可任意地設定。例如作為測定器170,可採用以如下方式構成之任意測定器170:具備能夠將處理氣體之流通打開或關閉之上游側之閥及下游側之閥、以及構成隔於其等之間之處理氣體之流路的內部空間,且能夠對構成處理氣體之流路之該內部空間之容積、壓力及溫度進行測定。
於本實施方式中,於流量測定裝置120之下游設置有校準系統190。校準系統190包含基準器配管192、基準器194及基準器閥196。基準器配管192於上游與測定器次級閥182連接,於下游側與排氣裝置130連接。於基準器配管192設置有分支通路192a,基準器194經由基準器閥196連接於該分支通路192a。
排氣裝置130以於晶圓處理流路A及測定流路B之下游排出處理氣體之方式構成。於本實施方式中,設置有排氣配管200及排氣配管202,該排氣配管200連接於各腔室60之下游側,排氣配管202經由排氣裝置閥201連接於測定器170之下游側、在本實施方式中為基準器配管192之下游側。於排氣配管200連接有排氣機構,於本實施方式中為真空泵203。排氣配管202具有複數個排氣分支管202a。排氣配管200及排氣分支管202a以與連接於各自之上游之氣體箱80對應之方式設置。於該等排氣配管200及排氣分支管202a上設置有閥204及閥206,藉由控制該等閥之開閉,可以將從各自對應之氣體箱80供給之處理氣體個別地排出之方式進行控制。再者,於圖2中,省略圖示之腔室60亦同樣地於下游側與排氣配管200連接,省略該等排氣配管200之一部分圖示。
此處,對晶圓處理流路A及測定流路B進行說明。於以如上方式構成之晶圓處理系統1中,晶圓處理流路A係指從氣體源140供給之處理氣體於各氣體箱80之上游側配管144、流量控制器142、下游側配管146、連接配管82、腔室60及排氣配管200之內部流動而形成流路時之處理氣體之流路。測定流路B係指從氣體源140供給之處理氣體於各氣體箱80之上游側配管144、流量控制器142、下游側配管146、測定配管172、測定器170、校準系統190及排氣配管202之內部流動而形成流路時之處理氣體之流路。
於一實施方式中,當從一氣體箱80在晶圓處理流路A中將處理氣體供給至一腔室60時,構成為將連接於該腔室之下游之一排氣配管200之閥打開,處理氣體經由該一排氣配管200排出。於該情形時,當從上述一氣體箱80在測定流路B中將處理氣體供給至流量測定裝置120時,構成為將連接於上述一排氣配管200之一排氣分支管202a之閥打開,處理氣體經由該一排氣分支管202a及上述一排氣配管200排出。因此,從一氣體箱供給之處理氣體於晶圓處理流路A及測定流路B之任一者中,均可從合流後之上述一排氣配管200排出。合流後之上述一排氣配管200上連接有除害裝置208,將排出之處理氣體進行除害。
以上,對各種例示性實施方式進行了說明,但並不受上述例示性實施方式限定,可進行各種追加、省略、替換及變更。又,可組合不同之實施方式中之要素而形成其他實施方式。
本實施方式之晶圓處理系統1以如上方式構成。其次,使用圖3及圖4對作為晶圓處理系統1中之晶圓處理方法之使用流量測定裝置120測定氣體之流量之方法進行說明。
圖3係表示求出一實施方式之氣體之流量之流程圖。為了求出晶圓處理系統1中之氣體之流量,使用流量測定裝置120執行圖3所示之方法MT。晶圓處理系統1可使用上述及圖1、2所記載者。再者,於方法MT中,測定從上述晶圓處理系統之6個氣體箱中之一氣體箱中的一流量控制器142輸出之處理氣體之流量。以下,於簡稱為氣體箱之情形時,係指供於測定之上述一氣體箱,於簡稱為流量控制器142之情形時,係指供於測定之上述一流量控制器142。又,於簡稱為分支管174、及分支管閥176之情形時,係指連接於上述一氣體箱之分支管174、及設置於該分支管174上之分支管閥176。但是,於從氣體箱群110中之除上述一氣體箱以外之其他氣體箱供給處理氣體之情形時亦可採用相同之方法MT。
方法MT包含步驟ST1~步驟ST16。於一實施方式中,方法MT除了包含步驟ST1~步驟ST16以外,可進而包含步驟STA。於一實施方式中,方法MT可進而包含步驟STB。步驟STA係使用校準系統190對流量測定裝置120中之測定器170之壓力感測器及溫度感測器進行校準之步驟,亦可使用專利文獻1中記載之步驟STA。又,步驟STB係使用校準系統190對測定器170之容量V
3之可靠性進行驗證之步驟,亦可使用專利文獻1中記載之步驟STB。
圖4係關於圖3所示之方法之時序圖。於圖4之時序圖中,橫軸表示時間,縱軸表示測定器170中之壓力之測定值、流量控制器次級閥152之開閉狀態、測定器初級閥180之開閉狀態、測定器次級閥182之開閉狀態、及排氣裝置閥201之開閉狀態。
於方法MT之步驟ST1中,形成晶圓處理系統之所有閥均關閉之第0狀態。於本實施方式中,所有閥係指複數個氣體箱中之複數個流量控制器初級閥150、複數個流量控制器次級閥152、第一輸出閥156、第二輸出閥162、流量測定裝置120中之複數個分支管閥176、測定器初級閥180、測定器次級閥182、基準器閥196、排氣裝置閥201、閥204及閥206。
於方法MT之步驟ST2中,從第1狀態,首先打開流量控制器次級閥152、氣體箱80之第二輸出閥162、分支管閥176、測定器初級閥180、測定器次級閥182、排氣裝置130閥、及排氣管閥。然後,利用排氣裝置130將氣體箱中之下游側配管146、測定配管172、測定器170、及基準器配管192進行抽真空。
藉由上述步驟ST1及步驟ST2,本實施方式中之測定配管172中,與除供於測定之上述一氣體箱以外之其他氣體箱連接之分支管174中之分支管閥176關閉,與供於測定之上述一氣體箱連接之分支管174中之分支管閥176打開。因此,測定配管172包括如下3個區域:與供於測定之上述一氣體箱80連接之分支管174、主管178、及與除上述一氣體箱80以外之其他氣體箱80連接之分支管174中之較分支管閥176更靠下游側之該分支管174。換言之,該測定配管172包括從所有分支管174加上主管178之區域中,除去與除上述一氣體箱80以外之其他氣體箱80連接之分支管174中之分支管閥176之上游側之該分支管174所得之區域。於上述步驟ST1、及以下之步驟ST2~步驟ST16中,測定配管172係指測定配管172之包含上述區域之部分。
於後續步驟ST3中,打開流量控制器初級閥150,開始從流量控制器142供給氣體。於後續步驟ST4中,關閉流量控制器次級閥152及測定器次級閥182。藉由執行步驟ST4,而形成如下第2狀態,即,從氣體箱80之流量控制器142輸出之氣體被封入流量控制器次級閥152與測定器次級閥182之間,即氣體箱80之下游側配管146、測定配管172、及測定器170中。
於後續步驟ST5中,利用壓力感測器184及/或壓力感測器186獲取測定器170內之壓力之測定值P
11。測定值P
11亦可為利用壓力感測器184獲取之測定值與利用壓力感測器186獲取之測定值之平均值。再者,於步驟ST5中,當利用壓力感測器184及/或壓力感測器186獲取之測定值穩定時,可獲取測定值P
11。於利用壓力感測器184及/或壓力感測器186獲取之測定值之變動量為特定值以下之情形時,判斷為穩定。
於後續步驟ST6中,打開流量控制器次級閥152與測定器次級閥182。於後續步驟ST7中,增加氣體箱之下游側配管、測定配管172、及測定器170中之壓力。具體而言,於步驟ST7中,關閉測定器次級閥182。即,於步驟ST7中,形成從氣體箱之流量控制器142向氣體箱之下游側配管、測定配管172、及測定器170中供給氣體,並且關閉測定器次級閥182之第3狀態。於該第3狀態下,氣體箱80之下游側配管146、測定配管172、及測定器170中之壓力上升。
於後續步驟ST8中,從第3狀態,藉由關閉流量控制器次級閥152,而形成第4狀態。
於後續步驟ST9中,利用壓力感測器184及/或壓力感測器186獲取第4狀態下測定器170內之壓力之測定值P
12,利用溫度感測器188獲取第4狀態下測定器170內之溫度之測定值T
12。測定值P
12亦可為利用壓力感測器184獲取之測定值與利用壓力感測器186獲取之測定值之平均值。再者,於步驟ST9中,可於利用壓力感測器184及/或壓力感測器186獲取之測定值穩定,並且利用溫度感測器188獲取之測定值穩定時,獲取測定值P
12及測定值T
12。於該情形時,當利用壓力感測器184及/或壓力感測器186獲取之測定值之變動量為特定值以下時,判斷為該測定值穩定。又,當利用溫度感測器188獲取之測定值之變動量為特定值以下時,判斷為該測定值穩定。
於後續步驟ST10中,關閉測定器初級閥180及排氣裝置閥201。於後續步驟ST11中,關閉測定器次級閥182。藉由步驟ST10及步驟ST11,關閉測定器初級閥180,打開測定器次級閥182,藉此形成第5狀態。於第5狀態下,至少排出第4狀態下之測定器170內之一部分氣體。於一實施方式之第5狀態下,測定器170內之一部分氣體排出至基準器配管192。於另一實施方式之第5狀態下,測定器170內之氣體可經由基準器配管192完全排出。
於後續步驟ST12中,從第5狀態,藉由關閉測定器次級閥182,而形成第6狀態。於一實施方式中,可藉由在步驟ST12中排出測定器170內之一部分氣體而形成第6狀態,使第6狀態下之測定器170內之壓力變得高於抽真空後之測定器170內之壓力。於該情形時,藉由排出於第4狀態下封入測定器170內之氣體之一部分,即不完全排出,而形成第6狀態。因此,縮短從第4狀態至形成第6狀態所需之時長。於一實施方式中,亦可於ST12後追加打開排氣裝置閥201之步驟ST12a,藉由反覆進行步驟ST11~步驟ST12a,降低測定器170內之壓力。
於後續步驟ST13中,利用壓力感測器184及/或壓力感測器186獲取第6狀態下測定器170內之壓力之測定值P
13。測定值P
13亦可為利用壓力感測器184獲取之測定值與利用壓力感測器186獲取之測定值之平均值。再者,於步驟ST13中,當利用壓力感測器184及/或壓力感測器186獲取之測定值穩定時,可獲取測定值P
13。當利用壓力感測器184及/或壓力感測器186獲取之測定值之變動量為特定值以下時,判斷為穩定。
於後續步驟ST14中,從第6狀態,藉由打開測定器初級閥180,而形成第7狀態。於後續步驟ST15中,利用壓力感測器184及/或壓力感測器186獲取第7狀態下測定器170內之壓力之測定值P
14。測定值P
14亦可為利用壓力感測器184獲取之測定值與利用壓力感測器186獲取之測定值之平均值。再者,於步驟ST15中,當利用壓力感測器184及/或壓力感測器186獲取之測定值穩定時,可獲取測定值P
14。當利用壓力感測器184及/或壓力感測器186獲取之測定值之變動量為特定值以下時,判斷為穩定。
於後續步驟ST16中,求出流量Q。流量Q係於第2狀態下從氣體箱之流量控制器142輸出之氣體之流量。於步驟ST16中,為了求出流量Q,執行以下式(1)之運算。
Q=(P
12-P
11)/Δt×(1/R)×(V/T) …(1)
(1)式中,Δt為步驟ST7之執行期間之時長,R為氣體常數,
(V/T)包含{V
3/T
12×(P
12-P
13)/(P
12-P
14)}。
於一實施方式中,步驟ST16之具體運算係下述(1a)式之運算。
Q=(P
12-P
11)/Δt×(1/R)×{Vst/Tst+V
3/T
12×(P
12-P
13)/(P
12-P
14)} …(1a)
(1a)式中,Vst係氣體箱80之流量控制器142之未圖示之阻尼孔構件與流量控制器次級閥152之閥體之間之流路的容積,為預先規定之設計值。Tst為氣體箱之流量控制器142之阻尼孔構件與流量控制器次級閥152之閥體之間之流路內之溫度,係利用流量控制器142之溫度感測器獲取。再者,Tst可為於第4狀態下獲取之溫度。再者,(1a)式中,亦可省略(Vst/Tst)。
於方法MT中,於測定器次級閥182關閉之狀態下,將來自一氣體箱之一流量控制器142之氣體供給至氣體箱之下游側配管146、測定配管172及測定器170,藉此使壓力上升。藉由將該壓力上升之速度、即壓力之上升速度用於(1)式,可求出從流量控制器142輸出之氣體之流量。於(1)式中,V/T本來應包含(V
E/T
E)與(V
3/T
12)之和。即,(1)式之運算本來應為以下(1b)式。
Q=(P
12-P
11)/Δt×(1/R)×(Vst/Tst+V
E/T
E+V
3/T
12) …(1b)
其中,VE係氣體箱之下游側配管之容積與測定配管172之容積之和,TE係第4狀態下氣體箱之下游側配管及測定配管172中之溫度。
此處,根據波以耳-查爾斯定律(Boyle-Charle's law),以下式(4)成立。
P
12×V
E/T
E+P
13×V
3/T
12=P
14×V
E/T
E+P
14×V
3/T
12…(4)
根據(4)式,(V
E/T
E)與(V
3/T
12)之和係如下述(5)式所示般表示。
V
E/T
E+V3/T
12=V
3/T
12+V
3/T
12×(P
14-P
13)/(P
12-P
14)
=V
3/T
12×(P
12-P
13)/(P
12-P
14) …(5)
因此,(1)式中,可使用{V
3/T
12×(P
12-P
13)/(P
12-P
14)}代替(V
E/T
E)與(V
3/T
12)之和。
再者,可針對氣體箱80之所有流量控制器142求出流量Q。又,亦可對複數個氣體箱80之全部依序執行方法MT。
再者,於方法MT中,在執行步驟ST1~ST16時,可以在打開一氣體箱80中之第二輸出閥162時將其他氣體箱80中之第二輸出閥162關閉之方式構成硬連鎖(hard interlock)。上述硬連鎖亦可進而以在打開一氣體箱80中之第二輸出閥162時將一氣體箱80及其他氣體箱80中之第一輸出閥156關閉之方式構成。
關於本實施方式中之測定配管172,於步驟ST1~步驟ST16中,將與除供於測定之上述一氣體箱以外之其他氣體箱連接之分支管174中之分支管閥176關閉,將與供於測定之上述一氣體箱連接之分支管174中之分支管閥176打開。因此,於步驟ST1~步驟ST16中,測定配管172包括如下3個區域:與供於測定之上述一氣體箱連接之分支管174、主管178、及與除上述一氣體箱以外之其他氣體箱連接之分支管174中之較分支管閥176更靠下游側之該分支管174。換言之,該測定配管172包括從所有分支管174加上主管178之區域中,除去與除上述一氣體箱以外之其他氣體箱連接之分支管174中之分支管閥176之上游側之該分支管174所得之區域。
因此,上述測定配管172之區域之容積構成為小於未設置分支管閥176之情形時之測定配管172之容積。藉此,可提高步驟ST1~步驟ST16中需要對測定配管172排出及填充處理氣體之步驟中的流量測定裝置120內之壓力變化之回應性。具體而言,可縮短步驟ST2中之抽真空所需之時間、用於在步驟ST4中形成第2狀態之步驟ST3中之氣體供給及壓力穩定化所需之時間、步驟ST7中之第3狀態下壓力上升及壓力穩定化所需之時間等。
於上述實施方式中,藉由於所有分支管174上設置分支管閥176,實現了上述步驟ST1~步驟ST16中需要對測定配管172排出及填充處理氣體之步驟之回應性之提高,但藉由另一實施方式亦可實現上述回應性之提高。
關於上述另一實施方式,如圖5所示,可為具有複數個腔室群、及與該複數個腔室群對應之複數個氣體箱群之晶圓處理系統。以下,使用圖5、圖6對該另一實施方式之晶圓處理系統300、及晶圓處理方法進行說明。再者,於上述另一實施方式中,對與圖1~圖4所示之上述一實施方式之晶圓處理系統300實質上相同之構成要素標註相同之符號,藉此省略重複之說明。
圖5係上述另一實施方式之晶圓處理系統300之構成之一例。於上述另一實施方式中,晶圓處理系統300具有:前轉移模組302;前腔室群304,其包含與該前轉移模組302連接之複數個腔室60,於本實施方式中包含6個腔室60;前氣體箱群306,其與該前腔室群304對應;後轉移模組310;後腔室群312,其包含與該後轉移模組310連接之複數個腔室60,於本實施方式中包含8個腔室60;及後氣體箱群314,其與該後腔室群312對應。
前轉移模組302與上述一實施方式中之轉移模組50同樣地,於內部包含矩形之殼體,並且與裝載閉鎖模組20、21連接。前轉移模組302將搬入裝載閉鎖模組20中之晶圓W搬送至一腔室60中,實施所需之處理後,經由裝載閉鎖模組21搬出至大氣部10。
後轉移模組310係與上述一實施方式中之轉移模組50不同,不與裝載閉鎖模組20、21連接,取而代之地設置有通路模組(pass module)320,在該通路模組320處與前轉移模組302連接。前轉移模組302與後轉移模組310以能夠經由通路模組320進行晶圓W之交接之方式構成。
前氣體箱群306及後氣體箱群314均連接於一流量測定裝置120。以下,使用圖6對本實施方式之晶圓處理系統300中之流量測定裝置120進行說明。
圖6係表示構成上述另一實施方式之晶圓處理系統300中之處理氣體之流路的配管系統之模式圖。
於上述另一實施方式之晶圓處理系統300中,為了測定從前氣體箱群306或後氣體箱群314內之一氣體箱80供給之處理氣體之流量,而連接有流量測定裝置120。
上述另一實施方式中之流量測定裝置120包含:測定器170;前測定配管330,其於上游側連接於上述前氣體箱群306;後測定配管332,其於上游側連接於上述後氣體箱群314;以及合流配管334,其於上游側連接於上述前測定配管330及上述後測定配管332,於下游側連接於上述測定器170。
上述前測定配管330包含複數個前分支管340及前主管342,該前分支管340之各者與前氣體箱群306之氣體箱80之各者連接。又,上述後測定配管332包含複數個後分支管344及後主管346,該後分支管344之各者與後氣體箱群314之氣體箱之各者連接。
上述前主管342及上述後主管346分別具有前主管閥350及後主管閥352。
排氣裝置130以於晶圓處理流路A及測定流路B之下游排出處理氣體之方式構成。於本實施方式中,設置有連接於各腔室60之下游側之排氣配管200、及連接於基準器配管192之下游側之前排氣配管360、後排氣配管362,並且於其等設置有排氣機構,於本實施方式中該排氣機構為真空泵203。排氣配管200、前排氣配管360及後排氣配管362係與連接於各自之上游之氣體箱80對應地設置。於該等排氣配管200、前排氣配管360、後排氣配管362上設置有閥,藉由控制該等閥之開閉,可以將從各對應之氣體箱80供給之處理氣體個別地排出之方式進行控制。
具體而言,前排氣配管360包含於上游側連接於基準器配管192之前排氣主管364、及連接於該前排氣主管364之複數個前排氣分支管366。該複數個前排氣分支管366分別具備閥206。並且,上述複數個前排氣分支管366分別以在連接於腔室60之下游之排氣配管200處合流之方式構成。後排氣配管362分別包含在上游側連接於基準器配管192之後排氣主管368、及連接於該後排氣主管368之複數個後排氣分支管370。該複數個後排氣分支管370分別具備閥206。並且,上述複數個後排氣分支管370分別以在連接於腔室60之下游之排氣配管200處合流之方式構成。
此處,對上述另一實施方式中之晶圓處理流路A及測定流路B進行說明。於如上所述構成之晶圓處理系統300中,晶圓處理流路A係指從氣體源140供給之處理氣體於前氣體箱群306或後氣體箱群314中之各氣體箱80之上游側配管144、流量控制器142、下游側配管146、連接配管82、腔室60及排氣配管200之內部流動時之處理氣體之流路。測定流路B係指從氣體源140供給之處理氣體於前氣體箱群306之各氣體箱80之上游側配管144、流量控制器142、下游側配管146、前測定配管330、測定器170、校準系統190、前排氣配管360及排氣配管200之內部流動時,或從氣體源140供給之處理氣體於後氣體箱群314之各氣體箱80之上游側配管144、流量控制器142、下游側配管146、後測定配管332、測定器170、校準系統190、後排氣配管362及排氣配管200之內部流動時之處理氣體之流路。
於上述另一實施方式中,當從前氣體箱群306或後氣體箱群314中之一氣體箱80在晶圓處理流路A中將處理氣體供給至一腔室60內時,以將連接於該腔室60之下游之一排氣配管200中之閥打開,並經由該一排氣配管200排出處理氣體之方式構成。於該情形時,當從上述一氣體箱80在測定流路B中將處理氣體供給至流量測定裝置120時,以如下方式構成:將連接於流量測定裝置120之下游之前排氣配管360或後排氣配管362之與上述一排氣配管200連接之一前排氣分支管366或後排氣分支管370中之閥206打開,並經由該一前排氣分支管366或後排氣分支管370及上述一排氣配管200排出處理氣體。因此,從一氣體箱80供給之處理氣體於晶圓處理流路A及測定流路B之任一者中均從合流後之一排氣配管200排出。
於本實施方式中,於前排氣主管364及後排氣主管368中分別設置有前排氣主管閥372及後排氣主管閥374。當從前氣體箱群306中之一氣體箱80在測定流路B中將處理氣體供給至流量測定裝置120時,可以將前排氣主管閥372打開,將後排氣主管閥374關閉之方式構成。相反地,當從後氣體箱群314中之一氣體箱80在測定流路B中將處理氣體供給至流量測定裝置120時,可以將後排氣主管閥374打開,將前排氣主管閥372關閉之方式構成。
上述另一實施方式之晶圓處理系統300如上所述般構成。接下來,對作為晶圓處理系統300之晶圓處理方法之使用流量測定裝置120測定氣體之流量之方法MT進行說明。
為了求出晶圓處理系統300中之氣體之流量,使用流量測定裝置120執行方法MT。晶圓處理系統300可使用上述及圖5、6中記載者。再者,於方法MT中,測定從上述晶圓處理系統300之前氣體箱群306中之6個氣體箱80中之一氣體箱80中的一流量控制器142輸出之處理氣體之流量。以下,於簡稱為氣體箱80之情形時,係指上述一氣體箱80,於簡稱為流量控制器142之情形時,係指上述一流量控制器142。但是,於從前氣體箱群306中之除上述一氣體箱80以外之其他氣體箱80供給處理氣體之情形時、或從後氣體箱群314中之8個氣體箱80中之一氣體箱80供給處理氣體之情形時,亦可採用相同之方法MT。
方法MT包含步驟ST1~步驟ST16。於一實施方式中,方法MT除了包含步驟ST1~步驟ST16以外,可進而包含步驟STA。於一實施方式中,方法MT可進而包含步驟STB。步驟STA係使用校準系統對流量控制系統中之測定器170之壓力感測器184、186及溫度感測器188進行校準之步驟,亦可使用專利文獻1中記載之步驟STA。又,步驟STB係使用校準系統對測定器170之容量V
3之可靠性進行驗證之步驟,亦可使用專利文獻1中記載之步驟STB。
於方法MT之步驟ST1中,形成晶圓處理系統300之以下閥關閉之第1狀態。於本實施方式中,上述關閉之閥係前氣體箱群306中之複數個氣體箱80之複數個流量控制器初級閥150、複數個流量控制器次級閥152、第一輸出閥156、第二輸出閥162、流量測定裝置120中之前主管閥350、後主管閥352、測定器初級閥180、測定器次級閥182、基準器閥、排氣裝置閥201、前排氣主管閥372、後排氣主管閥374、閥204及閥206。
於方法MT之步驟ST2中,從第1狀態,首先打開流量控制器次級閥152、氣體箱80之第二輸出閥162、前主管閥350、測定器初級閥180、測定器次級閥182、排氣裝置閥201、前排氣主管閥372及閥206。然後,利用排氣裝置130將氣體箱80中之下游側配管146、測定配管172、測定器170、及基準器配管192進行抽真空。
藉由上述步驟ST1及步驟ST2,於本實施方式中之測定配管172中,與包含供於測定之上述一氣體箱80之前氣體箱群306連接之前測定配管330之前主管閥350打開,與不包含上述一氣體箱80之後氣體箱群314連接之後測定配管332之後主管閥352關閉。因此,測定配管172包括如下3個區域:與供於測定之上述一氣體箱80連接之前測定配管330、合流配管334、及與後氣體箱群314連接之後測定配管332之較後主管閥352更靠下游側之該後主管346。換言之,該測定配管172包括從前測定配管330、後測定配管332及合流配管334之合計區域中,除去後測定配管332中之較後主管閥352更靠上游側之該後測定配管332之區域所得之區域。於步驟ST1~步驟ST16中,測定配管172係指包含上述區域之測定配管172之部分。
關於步驟ST3~步驟ST16,由於與作為使用上述一實施方式之晶圓處理系統300之晶圓處理方法的測定氣體之流量之方法MT中之步驟ST3~步驟ST16相同,故省略說明。
關於上述另一實施例中之測定配管172,於步驟ST1~步驟ST16中,與包含供於測定之上述一氣體箱80之前氣體箱群306連接之前測定配管330之前主管閥350打開,與不包含上述一氣體箱80之後氣體箱群314連接之後測定配管332之後主管閥352關閉。因此,測定配管172包括如下3個區域:與供於測定之上述一氣體箱80連接之前測定配管330、合流配管334、及與後氣體箱群314連接之後測定配管332之較後主管閥352更靠下游側之該後主管346。換言之,該測定配管172包括從前測定配管330、後測定配管332及合流配管334之合計區域中,除去後測定配管332中之較後主管閥352更靠上游側之該後測定配管332之區域所得之區域。
因此,上述測定配管172之區域之容積構成為小於未設置前主管閥350及後主管閥352之情形時之測定配管172之容積。藉此,可提高步驟ST1~步驟ST16中需要對測定配管172排出及填充處理氣體之步驟中流量測定裝置120內之壓力變化之回應性。具體而言,可縮短步驟ST2中之抽真空所需之時間、用於在步驟ST4中形成第2狀態之步驟ST3中之氣體供給及壓力穩定化所需之時間、於步驟ST7中之第3狀態下壓力上升及壓力穩定化所需之時間等。
再者,於方法MT中,可針對氣體箱80之所有流量控制器142求出流量Q。又,亦可對複數個氣體箱80之全部依序執行方法MT。又,亦可對後氣體箱群314中之所有氣體箱依序執行方法MT。
應認為本次揭示之實施方式於所有方面均為例示,而非限制性者。上述實施方式可於不脫離所附申請專利範圍及其主旨之情況下以各種方式進行省略、替換、變更。
1:晶圓處理系統
10:大氣部
11:減壓部
20:裝載閉鎖模組
21:裝載閉鎖模組
22:閘閥
23:閘閥
30:裝載器模組
31:晶圓搬送盒
32:負載埠
40:晶圓搬送機構
41:搬送臂
42:旋轉台
43:旋轉載置台
44:導軌
50:轉移模組
60:腔室
62:腔室群
64:閘閥
70:晶圓搬送機構
71:搬送臂
72:旋轉台
73:旋轉載置台
74:導軌
80:氣體箱
82:連接配管
90:主氣體單元
110:氣體箱群
120:流量測定裝置
122:控制部
130:排氣裝置
140:氣體源
141:流量控制部
142:流量控制器
144:上游側配管
146:下游側配管
150:流量控制器初級閥
152:流量控制器次級閥
154:連接配管
156:第一輸出閥
160:連接配管
162:第二輸出閥
170:測定器
172:測定配管
174:分支管
176:分支管閥
178:主管
180:測定器初級閥
182:測定器次級閥
184:壓力感測器
186:壓力感測器
188:溫度感測器
190:校準系統
192:基準器配管
192a:分支通路
194:基準器
196:基準器閥
200:排氣配管
201:排氣裝置閥
202:排氣配管
202a:排氣分支管
203:真空泵
204:閥
206:閥
208:除害裝置
300:晶圓處理系統
302:前轉移模組
304:前腔室群
306:前氣體箱群
310:後轉移模組
312:後腔室群
314:後氣體箱群
320:通路模組
330:前測定配管
332:後測定配管
334:合流配管
340:前分支管
342:前主管
344:後分支管
346:後主管
350:前主管閥
352:後主管閥
360:前排氣配管
362:後排氣配管
364:前排氣主管
366:前排氣分支管
368:後排氣主管
370:後排氣分支管
372:前排氣主管閥
374:後排氣主管閥
H:記憶媒體
W:晶圓
圖1係表示本實施方式之晶圓處理系統之構成之概略的俯視圖。
圖2係表示構成本實施方式之晶圓處理系統中之處理氣體之流路的配管系統之模式圖。
圖3係表示本實施方式之氣體流量之測定方法之流程圖。
圖4係表示本實施方式之氣體流量之測定方法中之閥開閉之時點的說明圖。
圖5係表示另一實施方式之晶圓處理系統之構成之概略的俯視圖。
圖6係表示構成另一實施方式之晶圓處理系統中之處理氣體之流路的配管系統之模式圖。
60:腔室
80:氣體箱
82:連接配管
90:主氣體單元
130:排氣裝置
140:氣體源
141:流量控制部
142:流量控制器
144:上游側配管
146:下游側配管
150:流量控制器初級閥
152:流量控制器次級閥
154:連接配管
156:第一輸出閥
160:連接配管
162:第二輸出閥
170:測定器
172:測定配管
174:分支管
176:分支管閥
178:主管
180:測定器初級閥
182:測定器次級閥
184:壓力感測器
186:壓力感測器
188:溫度感測器
190:校準系統
192:基準器配管
192a:分支通路
194:基準器
196:基準器閥
200:排氣配管
201:排氣裝置閥
202:排氣配管
202a:排氣分支管
203:真空泵
204:閥
206:閥
208:除害裝置
Claims (7)
- 一種基板處理系統,其具備: 腔室群,其包含用以於所需之處理氣體中對基板進行處理之複數個腔室; 氣體箱群,其包含將上述處理氣體供給至上述複數個腔室之各者之複數個氣體箱; 流量測定裝置,其測定從上述氣體箱群供給之上述處理氣體之流量;及 排氣裝置,其與上述腔室群及上述流量測定裝置連接; 上述流量測定裝置包含測定器、及與上述氣體箱群及上述測定器連接且供上述處理氣體流通之測定配管, 上述測定配管包含:複數個分支管,其等與上述複數個氣體箱之各者連接;主管,其與上述複數個分支管之各者及上述測定器連接;及分支管閥,其設置於上述複數個分支管; 上述測定器包含:一個以上之壓力感測器,其以對該測定器之內部壓力進行測定之方式構成;溫度感測器,其以對該測定器之內部溫度進行測定之方式構成;測定器初級閥,其設置於該測定器中與上述測定配管連接之側之端部;及測定器次級閥,其設置於該測定器中與上述排氣裝置連接之側之端部。
- 如請求項1之基板處理系統,其中上述腔室群、上述氣體箱群及上述測定配管分別設置有複數個,複數個上述測定配管包含設置於上述主管之主管閥。
- 如請求項2之基板處理系統,其中上述排氣裝置包含:與上述腔室連接且具備閥之排氣配管、及與上述流量測定裝置連接且與上述複數個氣體箱群對應之複數個排氣配管, 上述複數個排氣配管包含:具備閥之排氣主管、及與該排氣主管連接且具備閥之複數個排氣分支管, 連接於上述腔室之上述排氣配管與上述排氣分支管合流。
- 如請求項1至3中任一項之基板處理系統,其進而具備控制部,該控制部以如下方式控制上述氣體箱群,即,於上述氣體箱群中,當從一個氣體箱輸出上述處理氣體時,不從其他氣體箱輸出上述處理氣體。
- 一種基板處理系統,其具備: 複數個腔室群,其等包含用以於所需之處理氣體中對基板進行處理之複數個腔室; 複數個氣體箱群,其等包含將上述處理氣體供給至上述複數個腔室之各者之複數個氣體箱; 流量測定裝置,其測定從上述複數個氣體箱群中之一個氣體箱群供給之上述處理氣體之流量;及 排氣裝置,其與上述腔室群及上述流量測定裝置連接; 上述流量測定裝置包含測定器、及與上述複數個氣體箱群之各者及上述測定器連接且供上述處理氣體流通之複數個測定配管, 一個上述測定配管包含:複數個分支管,其等與對應之一個上述氣體箱群之上述複數個氣體箱之各者連接;主管,其與上述複數個分支管之各者及上述測定器連接;及主管閥,其設置於上述主管; 上述測定器包含:一個以上之壓力感測器,其以對該測定器之內部壓力進行測定之方式構成;溫度感測器,其以對該測定器之內部溫度進行測定之方式構成;測定器初級閥,其設置於該測定器中與上述測定配管連接之側之端部;及測定器次級閥,其設置於該測定器中與上述排氣裝置連接之側之端部。
- 一種基板處理方法,其係基板處理系統之基板處理方法, 上述基板處理系統具備: 腔室群,其包含用以於所需之處理氣體中對基板進行處理之複數個腔室; 氣體箱群,其包含將上述處理氣體供給至上述複數個腔室之各者之複數個氣體箱; 流量測定裝置,其測定從上述氣體箱群供給之上述處理氣體之流量;及 排氣裝置,其與上述腔室群及上述流量測定裝置連接; 上述流量測定裝置包含測定器、及與上述氣體箱群及上述測定器連接且供上述處理氣體流通之測定配管, 上述測定配管包含:複數個分支管,其與上述複數個氣體箱之各者連接;主管,其與上述複數個分支管之各者及上述測定器連接;及分支管閥,其設置於上述複數個分支管; 上述測定器包含:一個以上之壓力感測器,其以對該測定器之內部壓力進行測定之方式構成;溫度感測器,其以對該測定器之內部溫度進行測定之方式構成;測定器初級閥,其設置於該測定器中與上述測定配管連接之側之端部;及測定器次級閥,其設置於該測定器中與上述排氣裝置連接之側之端部; 上述方法包括如下步驟: 形成除了供給要測定流量之處理氣體之一氣體箱以外,將與其他氣體箱連接之上述分支管中之上述分支管閥關閉之狀態;及 於上述狀態下,測定從供給要測定流量之處理氣體之上述一氣體箱供給之上述處理氣體之流量。
- 一種基板處理方法,其係基板處理系統之基板處理方法, 上述基板處理系統具備: 複數個腔室群,其等包含用以於所需之處理氣體中對基板進行處理之複數個腔室; 複數個氣體箱群,其等包含將上述處理氣體供給至上述複數個腔室之各者之複數個氣體箱; 流量測定裝置,其測定從上述複數個氣體箱群中之一個氣體箱群供給之上述處理氣體之流量;及 排氣裝置,其與上述腔室群及上述流量測定裝置連接; 上述流量測定裝置包含測定器、及與上述複數個氣體箱群之各者及上述測定器連接且供上述處理氣體流通之複數個測定配管, 一個上述測定配管包含:複數個分支管,其等與對應之一個上述氣體箱群之上述複數個氣體箱之各者連接;主管,其與上述複數個分支管之各者及上述測定器連接;及主管閥,其設置於上述主管; 上述測定器包含:一個以上之壓力感測器,其以對該測定器之內部壓力進行測定之方式構成;溫度感測器,其以對該測定器之內部溫度進行測定之方式構成;測定器初級閥,其設置於該測定器中與上述測定配管連接之側之端部;測定器次級閥,其設置於該測定器中與上述排氣裝置連接之側之端部; 上述排氣裝置包含:與上述腔室連接且具備閥之排氣配管、及與上述流量測定裝置連接且與上述複數個氣體箱群對應之複數個排氣配管, 上述複數個排氣配管包含具備閥之排氣主管、及與該排氣主管連接且具備閥之複數個排氣分支管,且設置為連接於上述腔室之上述排氣配管與上述排氣分支管合流, 上述方法包括如下步驟: 形成除了包含供給要測定流量之處理氣體之一氣體箱的一氣體箱群以外,將與其他氣體箱群連接之上述測定配管之上述主管閥關閉之狀態;及 於上述狀態下,測定從供給要測定流量之處理氣體之上述一氣體箱供給之上述處理氣體之流量。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021122385A JP2023018337A (ja) | 2021-07-27 | 2021-07-27 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
JP2021-122385 | 2021-07-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202309481A true TW202309481A (zh) | 2023-03-01 |
Family
ID=85038622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111126278A TW202309481A (zh) | 2021-07-27 | 2022-07-13 | 基板處理系統及基板處理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230034399A1 (zh) |
JP (1) | JP2023018337A (zh) |
KR (1) | KR20230017148A (zh) |
CN (1) | CN115692249A (zh) |
TW (1) | TW202309481A (zh) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6956014B2 (ja) | 2018-01-09 | 2021-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスの流量を求める方法 |
-
2021
- 2021-07-27 JP JP2021122385A patent/JP2023018337A/ja active Pending
-
2022
- 2022-07-13 TW TW111126278A patent/TW202309481A/zh unknown
- 2022-07-20 CN CN202210856574.3A patent/CN115692249A/zh active Pending
- 2022-07-26 KR KR1020220092326A patent/KR20230017148A/ko unknown
- 2022-07-26 US US17/873,374 patent/US20230034399A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023018337A (ja) | 2023-02-08 |
KR20230017148A (ko) | 2023-02-03 |
US20230034399A1 (en) | 2023-02-02 |
CN115692249A (zh) | 2023-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101860614B1 (ko) | 리크 판정 방법, 기판 처리 장치 및 비일시적 기억 매체 | |
JP6108643B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び異常処理プログラム | |
US9228685B2 (en) | Load lock device | |
US20100022093A1 (en) | Vacuum processing apparatus, method of operating same and storage medium | |
US5879461A (en) | Metered gas control in a substrate processing apparatus | |
US20070119393A1 (en) | Vacuum processing system | |
US11367642B2 (en) | Substrate processing apparatus and purging method | |
US9748124B2 (en) | Vacuum processing apparatus and operating method thereof | |
KR102203557B1 (ko) | 배기 시스템 및 이것을 사용한 기판 처리 장치 | |
JP2019062091A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
KR102225988B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 부품의 관리 방법, 기판 처리 장치 및 기판 처리 프로그램 | |
JP7149144B2 (ja) | 真空処理装置及び真空処理装置の制御方法 | |
TW202309481A (zh) | 基板處理系統及基板處理方法 | |
KR20180083804A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2010177357A (ja) | 真空処理装置および真空処理方法 | |
JP2023009666A (ja) | 基板処理システム及び基板処理方法 | |
KR20220078481A (ko) | 성막 장치 및 성막 방법 | |
JP2023009648A (ja) | 基板処理システム及び配管系の決定方法 | |
JP7507065B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JP5042686B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2024079046A (ja) | 基板処理システム及び基板処理方法 | |
JP2023006646A (ja) | 基板処理システム及び基板処理方法 | |
JP2022076382A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JPH11186355A (ja) | ロードロック機構、基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2010283211A (ja) | プラズマ処理装置 |