TW392173B

TW392173B - Method for controlling non volatile semiconductor memory

Info

Publication number: TW392173B
Application number: TW87113055A
Authority: TW
Inventors: Makoto Yatabe; Kazuya Kawamoto; Takeaki Sato; Yoshiyuki Tanaka
Original assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1997-08-08
Filing date: 1998-08-07
Publication date: 2000-06-01
Also published as: KR100365385B1; US8230156B2; US20050007865A1; CA2245271C; US20050005059A1; US6845438B1; US20100023680A1; JPH11110283A; JP4079506B2; KR19990023469A; EP0896280A2; CA2245271A1; EP1533703A3; US20100138606A1; US7054991B2; US20080059695A1; KR20020075310A; KR100438012B1; EP0896280A3; EP1533703A2

Description

Λ7 Λ7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 --- 五、發明説明（1 ) 發明之領域: 本發明與一種非揮發性半導體記憶系統之控制方法有關，尤其使用於控制非揮發性半導體記憶卡。發明之背景: 近年來將如第1圖所示瞬時記憶卡做爲數位靜止照相機或PDA等攜帶信息機器之記憶媒體受到注目。瞬時記憶體使用所謂N AND型瞬時記憶體之瞬時記憶體在市面販賣。記憶卡係如第1圖所示在士芝塑膠封裝！設微小凹形，其凹處埋進具有22個銷之平面電極之瞬時記憶體2。本瞬時芎憶卡係藉專用之連接器以電連接於主系統以輸出入資料。因此等記憶卡係藉連接器收送信號，故記憶卡之各接頭與連接器接頭接觸不完全時誤動作之可能性增大。故先前即研咒確認記憶卡之各接頭與信息處理機器之連接器接頭是否確實接觸之方法》 ' 尤其用先前之記憶卡之控制系統因記憶卡之各接頭與連接器對應之接頭係同時連接/切斷，故插入/拔出時有時將發生連接/切斷之定時之微小偏差。故例如在供給電源狀態下.若指令閃鎖啓動信號等揸制信號不定時’將取進無意之寫入或消除指令等而有破壞資料之可能，對記憶卡與連接益之插拔控制需細心注意。瞬時記憶體以16’M位元之NAND型瞬時記憶體爲例，如第2圖所示、瞬時記憶體係分割爲5丨 (WW時之最小單位。1區更分== 頁。1頁即寫入及讀出义基本單位。丨頁由264字元構成， _~ 4 - 本紙张尺度朝中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公兹—)〜----- ^-- (請先閲讀背面之：炎意事項再填{Ϊ5本頁) 訂線 Λ7 B7 五、發明説明（其中256字元使用於使用者資料區域（資料部）、其餘8個字元（冗餘部）使用於錯誤訂正符號及管理信息等之存儲（冗餘部）。針對此、個人電腦側資料係由第3圖所示邏輯區管理。邏輯區（LBA : Logical Bl〇ck Address)設定爲 5〇〇個 ’ 1個邏輯區相當於連續8區段（Sector)。即邏輯區〇意指邏輯區段0〜7。通常因資料係以區段（5 1 2字元）單位管理，故本記憶卡亦以512字元單位之資料管理爲基本將物理區2頁爲成對記憶邏輯區1區段分之資料。以第4圖表示資料之具體存儲方法。未使用之正常區係資料部、冗餘部均設定爲” p· F h ”。以下説明各字元之含意。Data Area-Ι存儲512字元中、前半之0〜255字元之資料。Data Area-2存儲512字元中、後半之256〜511字元之資料。user Data Area之資料係開放给使用者、使用方法任由使用者使用。Da.ta Status Area表示資料正常否。通常爲”FFh”惟寫入不正常之資料時设定爲”〇〇h” 。：Block Status Area表示區良或不良。通常爲”FFh”惟不良區時設定爲” 〇〇h”（初期不良區）、F 0 h ’’（後發不良區）。2位元以上，，〇 ”時判斷爲不良區 3又、本資料在同’一區内均寫入同値。Block Address Area-1表示區之邏輯位址信息。又、因構成丨邏輯區之8 區/又相當於5〗2物理區中1物理區，故本資料在同一區内均馬入同値。同樣、Block Address Area-2係寫入與本纸法尺度通用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐 J----------姑衣I- Γ碕先閑讀背面之：1£意事碩再填寫本頁j ---1T- u m HI -- In . 經濟部中央標孪局員工消费合作社印製經濟部中央標準局員工消费合作社印製 Λ7 '〜一. R7 五、發明説明（3 ) "^CBjock Address Areal 同内容。 Area-1 係偶數頁 t C* C資料（256字兀）之3字元ECC编碼。 Area-2係奇數頁資料（25 6字元）之3字元ecc編碼。 64M位元之NAND型瞬時記憶體爲例，如第5圖所示、瞬時記憶體係分割爲1〇 2 4個物理記憶區。此區即爲消除時之最小單位。1區更分割爲16頁。1頁即寫入及讀出之基本單位。1頁由528字元構成，其中512字元使用於使用者資料區域（資料部）、其餘丨6個字元（冗餘部）使用於錯誤訂正符號及管理信息等之存儲（冗餘部）。邏輯區係如第6 圖所示、設定爲1 〇〇〇個而1個邏輯區係相當於連續1 6區段。即邏輯區0意指邏輯區段0〜15。以第7圖表示64M位元 NAND型瞬時記憶體之資料存儲方法。此種記憶卡之控制因採用所謂在更新資料時將更新資料寫入已消除區域而消除原資料存在之區域之追加寫入方式 ’故對應某邏輯區之資料存在之物理區並非固定而經常移 • 動記憶體内。故如第8圖所示、物理區之冗餘部記憶表示自己保持對應何邏輯區之資料之邏輯區位址信息。茲如第 4 圖及第 7 圖中 Block Address Area-Ι 及 Block Address Area-2相當於對應之邏輯區位址。故通常供给電源時搜索全物理區之邏輯區位址信息存儲區域’在系統R Α Μ上製作邏輯區與物理區之變換表》因製作一次表後參考該表立即可判斷對應邏輯區之物理區，故供給電源時實施1次全區之搜索動作。當然、更新資料、對應之物理區之位置變化時記憶系統實施邏輯地址/物 -—_ ____- 6 - 本紙張尺度適用中關家標準（CNS) Α4規格（2數297公幻 --^-------^------II------.^ - - (請先閱讀背面之达意事項再填寫本頁) Α7 Β7 五、發明説明（4 ) 理地址變換表之更新作業以備次—存取。 f隹先如之記憶系統有邏輯地址/物理地址變換表所需 RAM區域龐大之第1個問題。以下詳述其内容。以第9圖表示先前之16M位元NAND型瞬時記憶體之邏輯地址/物理地址變換表。如上述、1邏輯區分之資料、即連續8區段分之資料存在於瞬時記憶體中之512區中之任一物理區。欲從512物理區選擇】個區需9位元。考量軟體之便利性使偏移仍指示物理區以構成表時，對1邏輯區需2 子元、計1 K B之R A Μ區域。例如、存儲邏輯區5之信息之物理區之地址係存儲在從表前頭偏移第5字（1〇字元）。如此、先前所用之方法有需要邏輯地址/物理地址變換表之RAM區域極大之問題。通常慣用之通用cpu之内藏 RAM—般裝置約1KB之RAM »故先前僅邏輯地址/物理地址變換表即需使用1 KB，僅内藏ram無法構成系統，以具有外附R A Μ爲系統做條件，成爲價昂之一大要因。第10圖係64 Μ位元N AND型瞬時記憶體之邏輯地址/物理地址之變換表。此時、1邏輯區分之資料、即連續16區段分之資料存在於瞬時記憶體中之丨〇24區中之任—物理區。因欲從1 024物理區選擇1個區需丨〇位元，故合計需 2KB之RAM區域。因此、與16M位元NAND型瞬時記憶體同樣需龐大之RXM區域。此問題在瞬時記憶體之容量愈大愈深刻。例如、至1 G 位元時代因區數爲8192個，故需16KB之RAM容量。又、έ己憶容量更增加時即產生無法在瞬時記憶體之物理 -7 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) Α4規格（210X29*7公釐） _ ^ 裝-- < - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -** 線經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B? 、發明説明（經濟部中央標準局員工消费合作社印裝區之冗餘部存儲邏輯位址之第2問題。第7圖所示ΐ6κ位元 NAND型瞬時記情體心物里區几餘邵之BlockAddress A⑴存儲：表示自己保持對應何邏輯區資料之邏輯區位止L心第1 1圖係各物理區冗餘部之Block Address =ea之構造。第11圖中偶數頁之第262位元及奇數頁之弟25 9位凡之:^❿之仏^及偶數頁之第㈤位元及奇數/、之第260位元之如之以立元成爲y，，固定値。故可存儲之區位址之最大値係以!AG〜ΒΑι。表示之2〇47。

Mix元之NAND^}瞬時記憶體因物理區存在4〇96個，故只要不變更BlGek Address Area之記述方法即無法存儲位址。爲了使先前之瞬時記憶體與冗餘部有不同之控制方法，/、要王電腦不準備2種程式即無法控制廣範圍容量之瞬時記憶體而發生壓迫主系統之程式存儲區域容量之問題。其次、簡單説明瞬時記憶體之寫入、消除。瞬時記憶體之寫入概以頁早位貫施。64 Μ位元NAND型EEPR0M係 1頁5 2 8字元。又消除係以區單位實施。64 Μ位元nand 型EEPR0M係以16頁構成1個區。如此nand EEPR0M 有不同之寫入與消除單位。故無法僅消除某頁更新資料。以個人電腦使用瞬時記憶卡時一般以D 〇 s支配下之驅動 (Drive)處理》第h圖係先前之D〇s格式參數（F〇rmat parmeter)。第12圖（a)係群集（cluster)尺寸4KB之情形’弟12圖（b)表示群集尺寸8KB之情形。群集即DOS之文件管理之取小單位，即使文件尺寸極小亦佔有1個群集本紙張尺度適用中國國家標準'(CNS ) Λ4現格（210X297公釐） — II 裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ 7 '^^ _____Β7 五、發明説明（6 ) 一 " 分之容量。文件尺寸大時、以眾多個群集鏈（Chain)管理，將其管理信息存儲在FAT(File AUocati〇n TaMe)。群集尺寸及FAT之管理方法等係於所謂自舉區段（B〇〇t 3 6(^〇〇之區段内管理。1個裝置以眾多個驅動管理時、將其信息存儲在主（M a s t e r)自舉區段。文件之窝入係由 0S以群集單位發行寫入命令。第12圖（a)表示群集尺寸4KB之情形。在邏輯區段〇配置主自舉區段、邏輯區段16配置自舉區段、邏輯區段 17〜22配置FAT、邏輯區段23〜28配置FAT之複印、邏輯區段29〜44配置索引、邏輯區段45以下配置文件資料區域。第12圖（b)表示群集尺寸8KB之情形。在邏輯區段〇配置主自舉區段、邏輯區段16配置自舉區段、邏輯區段 17〜19配置FAT、邏輯區段20〜22配置FAT之副本、邏輯區段23〜38配置索引（Directory)、邏輯區段39以下配置文件資料區域。 •首先用第1 3圖以群集尺寸4KB爲例説明先前之重寫順序。因群集尺寸爲4KB故從0S發行連續8區段分之寫入指令。此時發生對邏輯區段45〜52(群集A)之寫入（資料更新 )0 1) 尋找已消除新區域，自原區將邏輯區段32〜44複印在新區域NAND Block C。 2) 將邏輯區段45~47之新資料寫入NAND Block C。 3) 消除原區 NAND Block A。 4 )邏輯地址/物理地址變換表之更新。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公楚） --^-------------1T------i • - (請先閲讀背面之注悬事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 _______B? 五 '發明説明（7 ) ~~ 〜 5) 尋找已消除新區域，將邏輯區段48〜52之新資料寫入新區域NAND Block D。 6) 將原區NAND Block B之邏輯區段53〜63之資科複印在新區域NAND Block D。 7 )消除原區 N AND B1 〇 ck A。 8)邏輯地址/物理地址變換表之更新。故實施從外部看8區段之重寫時’實際設備即實施邏輯區段32〜63之合計32區^32頁）之寫入動作，及對 NAND Block A、NAND Block B之合計2區之消除動作。 * 其次、用第14圖説明對群集B之寫入順序。此時發生對邏輯區段53〜60(群集B)之寫入（資料更新）。〇尋找已消除新區域，自原區NAND Block B將邏輯區段48〜5 2複印在新區域NAND Block C。 2) 將邏輯區段53〜6〇之新資料窝入新區域NANd B 1 〇 c k C。 3) 自原區NAND Block B將邏輯區段61〜63複印在新區域NAND Block C » 4) 消除原區 NAND Block B。 5 )邏輯地址/物理地址變換表之更新。故實施從外部看’8區段之重寫時，實際設備即實施邏輯區段48〜03之合計16區段（16頁）之寫入動作，及對 N A N D B 1 〇 c k B之1區之消除動作。其次、用第15圖以群集尺寸8KB爲例説明先前之寫入本紙張尺度i用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公t ) —''''''" s— (請先閲讀背面之注，意事項再填寫本頁} -裝* 訂經濟部中央標準局員工消f合作社印繁 Λ7 _________ B? 五、發明説明（8 ) — ^ ^ 順序。因群集尺寸爲8KB故從0S發行連續16區段分之寫入指令。此時發生對邏輯區段39〜5 4(群集A)之寫入（資科更新）。 1 )尋找已消除新區域，自原區NAND Block A將邏輯區段32〜38複印在新區域NANDBl〇ckC。 2) 將邏輯區段39〜47之新資料窝入新區域NANd B1 〇 c k C。 3) 消除原區 NAND Block A。 4 )邏輯地址/物理地址變換表之更新。 5) 尋找已消除新區域，將邏輯區段4 8〜54之新資料寫入新區域NAND Block D。 6) 將原區NAND Block B之邏輯區段55〜63之資料複印在新區域NAND Block D。 7) 消除原區 NAND BlockB» 8 )邏輯地址/物理地址變換表之更新。故實施從外部看16區段之重寫時，，實際設備即實施區段 32〜63之合計32區段（32頁）之寫入動作，及對 Block A、NAND Block B之合計2區之消除動作。將上述群集爲4KB與8KB之情形以窝入同8KB資料之，形假定比較時，4KB分割爲2次寫入處理合計發生“區段之窝入及3區分乏消除動作。而群集尺寸爲8Κβ時集中馬1次寫入處理合計發生3 2區段之寫入及2區分之消除動作。 ‘、如此先前之記憶系統因與從外部看更新之區段數比較， ------- ~ 11 - 本纸張尺度剌中國國家標PTnS〉A俄格（2丨GX297公楚）~ ----- ί靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· .丁 _ -55 線經濟部中央標準局員工消费合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（9 ) 實際設備上實施之窝入動作及消除動作遙比多，故有從外部所看重寫速度慢之第2問題。其次、説明先如之記憶系統之實施文件消除指令時之動作》通常DOS之文件系統在實施文件消除指令時在索引做文件無效之旨意之標記，在FAT(FUe AU()Catif)n

Table)上開放該文件佔有之記憶區域。故文件本體之資料部分未消除而殘留在瞬時記憶體上。以第1 6圖表示消除指令執行時之管理區域與資^區域之關係。第16圖中例如實施管理區域File-Ι及File-4之消除指令時，開放FUe_ 1及File-4標記del .mark。此時資料區域中未消除以卜-】及 F i 1 e - 4。因此、在其後實施寫入指令，對前述開放區域寫入新文件之資料部分時，先需瞬時記憶體之消除動作。故寫入文件時必須附帶瞬時記憶體之消除動作而有劣化寫入文件速度之第3個問題。如第4圖所示、ECC Area-Ι係偶數頁資料（256字元）之3字元ECC譯碼。ECC Area-2係奇數頁資料（256字元 )之3字元E C C譯碼。此ECC(Error Correction Code)指訂正錯誤用符號。系統利用矸正錯誤用符號判定讀出資料錯誤否，有錯誤時即可s丁正錯誤。所需訂正錯誤能力有賴於瞬時記憶體本身之信賴性、例如記憶體之單元構造。瞬時記憶體有眾多資料1己憶方法，茲就此等瞬時記憶體使用於例如數位型辟相機或P D A等系統時之訂正錯誤加以研究3 12 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ 297公釐）

丨丨丨^------裝------訂------線 (請先閲讀背面之注，意事項再填寫本J A7五 B7 、發明説明（10 ) &濟部中央標準局員工消费合作社印製例如、第1瞬時記憶卡係如第丨7圖所示保持回應記憶單元之閥値之，’0，，與，，厂，之2値，使每1頁（256字元^〜有1 位元訂正錯誤用符號。又、第2瞬時記憶卡係如第18圖所不保持回應記憶單元之閥値之，，〇〇 ” 、” 〇丨，，、，，丨〇，，、 11”之4値（2位元分），因〗個記憶體損壞時可能2位元分 =資料損壞，故使每1頁（256字元）具有2位元訂正錯誤用符號。關於1位元訂正錯誤用與2位元訂正錯誤用符號之形成、及錯誤之檢測、訂正之算法不同。先前之系統（例如數位型照相機、或pD 圖所示僅裝置1種訂正錯誤算法，因此'產生二閲讀上迷弟1及第2任一万之瞬時記憶卡之第4個問題，成瞬時記憶體在市場上之通用性β _ 發明之概述： [發明欲解決之課題] 本發明之第1實旅例有關之發明係提供增進插入/拔出記憶卡時動作之穩定性之記憶系總之控制方法。又、第2、第5、第6實施例有關之發明係有鑑於上述第 1問題’ λ目的在提供：減低邏輯地址/物理地址變換表所需RAM之容量、僅以通用cpu之内裝⑽控制瞬時記憶體之万法，因此無需先前必需之外附ram、而可實現大幅降價。 · 又、第3實施例有關之發明係有鑑於上述第2問题，並目的在提供·使物理區中⑽上之文件f理基本單位之群隹段落不跨越祕單位之區之方法，以實現資料之高速寫入Γ -13 111.------裝------訂------炎 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（u 的= 發明係有㈣上述第3問題，其目時消除該資科區：：：；令時解放物理區,管理區域，同、實現其後執行寫入指令時處理速廣疋高。更又帛7實施例有關之發明係有鑑於上述第4問題，其目的在提供：可古姓，#, 八支持2値/多値等2種瞬時記憶卡之任一或眾多瞬時記憶體之系統。 [解決課題之方法] 爲達成上述目的’本發明之第1實施例有關之發明提供 ‘日本特開平8-90969號公報及特願平8-2025 09號揭示 1依序連接在記憶卡（記憶媒體）接頭之連接器接頭之以下第1〜第9 s己憶系統之控制方法。第1提供用依序連接於上述記憶卡（記憶媒體）接頭之連接器接頭，將前述記憶媒體插入前述連接器時、在前述記憶媒體之電源接頭及前述資料輸出入接頭連接於連接器對應之接頭前、將前述記憶媒體之Gn D接頭及控制接頭連接於Μ述連接器對應之接頭之記憶系統之控制方法。第2提供依序連接於上述記憶卡（記憶媒體）接頭之連接器接頭，將前述記憶媒體自前述連接器拔出時、在前述記憶媒體之GN D接頭及控制接頭連接於前述連接器對應之接頭前、將前述記檍媒體之電源接頭及前述資料輸出入接頭自前述連接器對應之接頭切斷之記憶系統之控制方法。第>3提供弟1及第2 f己憶系統之控制方法中、前述控制接頭爲指令閂鎖啓動信號之記憶系統之控制方法。 -14 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨〇><297公釐） ' , 裝訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 Λ7 B? 五、發明説明（l2) ~~~ 第4提供用依序連接於上述記憶卡（記憶媒體）接頭之連接器接頭，將前述記憶媒體插入前述連接器時、在前述記憶媒體之電源接頭及資料輸出入接頭連接於前述連接器對應之接頭前、將前述記憶媒體之GND接頭及第丨控制接頭連接於前述連接器對應之接頭，將前述資料輸出入接頭連接於前述連接器對應之接頭前、將前述第2控制接頭連接於前述連接器對應之接頭之記憶系統之控制方法。第5提供用依序連接於上記憶卡（記憶媒體）接頭之連接器接頭，將前述記憶媒體自前述連接器拔出時、在將前述第2控制接頭自前述連接器對應之接頭切斷前、將前述資料輸出入接頭自前述連接器對應之接頭切斷，在前述記憶媒體之G N D接頭及第1控制接頭自前述連接器對應之接頭切斷前、將前述記憶媒體之電源接頭及前述資料輸出入接頭自則述連接器對應之接頭切斷之記憶系統之控制方法。第6提供用依序連接於上述記憶卡（記憶媒體）接頭之連接器接頭，將前述記憶媒體插入前述連接器時、在前述記憶媒體之電源接頭及前述資料輸出入接頭連接於前述連接器對應之接頭前、將前述記憶媒體之GND接頭及第丨控制接頭連接於前述連接器對應之接頭，將前述記憶媒體之資料輸出入接頭連接於前述連接器對應之接頭前、將前述記憶媒體之第2控制無頭連接於前述連接器對應之接頭，將則述圮憶媒體足全邵接頭插入後、將前述插拔檢測用接頭連接於前述連接器對應之接頭之記憶系統之控制方法。第7提供用依序連接於上述記憶卡（記憶媒體）接頭之本紙乐尺度適用令國國家標準（CNS ) A4規格⑺〇χ297公费） -丨— 1. 裝訂------線 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) B7 五、發明説明（13 ) 接器接頭，將前述記憶媒體自前述連接器拔出時、在前述 "己憶媒體疋資料輸出入接頭自前述連接器對應之接頭切斷 m知兩述記憶媒體之插拔檢測用接頭自前述連接器對應 4接頭切斷，將前述記憶媒體之電源接頭及第2控制接頭自則述連接器對應之接頭切斷前、將前述記憶媒體之資料輸出入接頭自前述連接器對應之接頭切斷，將前述記憶媒體之GND接頭及第1控制接頭自前述連接器對應之接頭切斷前、將前述記憶媒體之電源接頭自前述連接器對應之接頭切斷之記憶系統之控制方，第§ k ί、第7 ^己憶系統之控制方法中、前述記憶媒體之插拔檢測用接頭自前述連接器對應之接頭切斷、至前述記憶媒體疋電源接頭自前述連接器對應之接頭切斷之間前述記憶媒體芫成寫入或消除動作之重設之記憶系統之控制方法。第9提供第4至第8記憶系統之控制方法中、傳遞給前述第1控制接頭之信號爲取進指令用之信號，而傳遞給前述第2控制.接頭之信號爲將資料輸出接頭非活化之信號之記憶系統之控制方法。經濟部中央標準局員工消費合作社印裝其次、爲達成上述目的，本發明之第2實施例有關之發明提供：包含系統管理之邏輯區，及由眾多記憶單元構成、記憶對應前述邏輯區之資料之物理區，及含在前述物理區中、δ己憶則述對應之邏輯區位址之冗餘部，及至少2以上之前述物理區構成之物理區範圍（Area)，製作：管理前述邏輯區與前述物理區範圍之對應關係之邏輯地址/物理地址變換表之記憶系統之控制方法。本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X 297公f ) Λ7 B7 五、發明説明（Μ ) 又、it供上述s己憶系統之控制方法中、記憶體存取時、參考前述邏輯地址/物理地址變換表讀出對應前述邏輯區之物理區範圍之位址，讀出記憶在構成前述物理區範圍之至少2以上之物理區之前述冗餘部對應之邏輯區之位址，以選擇與前述邏輯區對應之物理區之記憶系統之控制方法。更提供在供給電源時、製作前述邏輯地址/物理地址變換表之記憶系統之控制方法。又、爲達成上述目的，本f明之第3實施例有關之發明提供：高速重窝資料_之機構、即本發明之具有記憶系統管理灸文件、及至少1以上之前述文件之眾多區，將前述文件前頭與前述區之前頭部一致配置在前述區内爲特徵之憶系統之控制方法。更提供前述區係消除時之最小單位爲特徵之記憶系统之控制方法。、又、爲達成上述目的，本發明之第4實施例有關之發明提供：包含系統管理之文件，及記憶前述文件内容之資料區域’及記憶前述文件與資料區域之對應關係、之管理區域，在消除前述文件時、標記對應前述管理區域之資料區域 ^區^旨冑，消除對應之前述資料區域之記憶系統之 k制万法。又、提供將資料高速寫人消除範圍之第 :即本發明之包含系統管理之文件，及記憶容之資料區域，及記憶前述文件與資料區域之對管理區域，在消除前述文件時、標記對應理區域之資料區域爲空區域之旨意，依輸人記憶系統之信表纸張尺度適财目( CNS ) A4im ( 2I0X29^i I丨Ί 裝訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 17 - 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 Λ7 ----------B7 五、發明説明（Β) 述管理區域内容消㈣應之資料區域之記”統之控制方法。更爲達成上述目的，本發明之第5實施例有關之發明提種非揮發性切體記憶·系統之控制方法，其中：將 ,元陣列分割爲眾多個物理區，將此系統管理之前述邏輯區對應之信息記憶在前述各物理區，當將管理前述邏輯區與前f物理區之對應關係之表保持在前述系統之RAM上時，前述邏輯區與前述物理之對應關係中、回應主電腦〈存取僅將所需區域之對應關係逐次製作在前述系統内之 R A Μ 上。更爲達成上述目的，本發明之第6實施例有關之發明提供·種非揮發性半導體記憶系統之控制方法，其中將非揮發性半導體記憶體之單元陣列分割爲眾多個物理區，將此系統管理之ϋ輯區對應之信息記憶在前述各物理區，當將管理上述物理區與上述邏輯位址之對應關係之位址變換表製作在此系統之RAM上時·，分別集合至少丨個以上物理區以構成眾多區域，將所定上述邏輯區位址範圍之資料护制存錯在所定上述區域内，對上述非揮發性半導體記憶體存取時、醚而要製作存儲該上述邏輯區位址之資料之對應上述區域之上述位址變換表。又 '提供一種非揮發性半導體記憶系統之㈣’方法，即將非揮發性半導體記憶體之單元陣列分割爲眾多個物理區，將此系統管理之前述邏輯區對應t信息記憶在前述各物理區之記憶區域，將管理前述邏輯區與瞬時記憶體之物理區之對應關係之表形成在此系 I I.^1T------:.il (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (CNS ) A規格（2ΐ〇'χ 297公楚〉 A7 B7 五、發明説明（！6 .) 、·无< RAM上之控制方法，其中：將〗個或眾多個前述物理區構成之區域確保在前述瞬時記憶體之單元陣列上，在每次s己憶體存取時就存取對象之前述區域搜索構成該區域之物理區之記憶區域、將管理邏輯區與物理區之對應關係之則述表製作在系統之R A Μ上，由使用該表即可選擇對應邏輯區之物理區。更爲達成上述目的，本發明之第7實施例有關之發明提供：一種非揮發性半導體記$系統之控制方法，即可將數種圮憶裝置裝卸調換於本體之非揮發性半導體記憶系統之桉制方法，其中回應裝在前述本體之前述記憶裝置、選擇前本體具有之數種錯誤訂正機構中所對應者以訂正錯誤。實施形態：以下説明本發明之記憶系統之控制方法有關之具體實施例〇弟20圖表示本瞬時記憶卡，第21圖記載該卡之平面電極中各銷之信號名稱。第22圖表示控制使用本瞬時記憶卡之有關之主流程 (Main fi〇w)，以下説明各行程之動作。經濟部中央標準局員工消費合作社印策以下説明步驟A之插入檢測。如發明之背景所述’正常插人連接器爲開始處理記憶卡之先決條件。因以，;Γ、完全插人狀態存取域卡時有可能？丨起物理上或資料上破壞之故。故本發明之記憶系統之控制流程具有檢測記憶卡是否正常插入之機構。其機構 · 氣者菩。％

---- J (請先閱讀背面之注.意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適财ϋ國準（CNS )八4規格（210x297公釐) — A7ΓΤ： Β7 發明説明（π ) 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製例如、有將檢測用開關設於連接器，並將開關設在將詞憶卡保持在正常接觸位置錢將檢_料給1 统之位置 (例如連接器之最内部）。又、非檢測插入而爲了保證記憶卡保持在正常位置，貪如亦有在記憶卡插人π設蓋，以關閉蓋將記憶卡推進定拉置之方法等。又、用以電檢測記憶卡插入之機構亦可。其次、就步驟B之電源電壓檢測詳述如下。本記憶卡雖有5V電源電壓及3.3 ¥電源電壓者，惟將 5V電屋施加於3·3 v電源電壓動作之記憶卡時可能發生電壓破壞等問題。爲避免此問題系統檢測電源電壓。檢測方法可考慮以外觀判斷之方法及以電判斷之方法。 —第23圖表示以外觀判斷之方法例。如第23圖⑷所示 )V者係在上端左側設缺口、並如第门圖㈨所示…者係在上端右侧設缺口。由此容易以目視辨別電源電壓。弟24圖表示以電檢測電源電壓之方法例。.兹使用檢測電源«。例mv者係、如第24圖（&)所示將17销以電爲净動⑺。ating)狀態，3以者係如第24圖㈨所于和銷於記憶卡表面與VCC線短路。在系統側藉電阻將 17銷扭下(PU11 down)至VSS。在系統側將VC。3V供給12銷及22銷。在，此階段不將5V供給電源電壓接頭。在系統側監控丨7銷之水平’若爲'”水平時辨別爲5 V者、若f’H”水平則辨別爲3.3¥者。依此辨別結果將正規電源電壓施加於電源電壓接頭。％本纸張尺度適财關21' ο X 29^il I Ί. 装-- (請先閱讀背面之注.意事項再填寫本頁) f1T- a! II .........!-1 - I I . B? B? 18 五、發明説明（于^又者由修改連接器亦能以電劣錢測。例如以第25圖肩機構之用系統例。5 v專用系統亦可使用附缺口檢測又^時5V者之記憶卡同時防止背面插入。二= 者雖背面插入，惟可防止電接觸。第25圖 =了解説明予以簡化，惟實際上考慮如下。將5v電源給轉器之系統時’在記憶卡接頭與連接器接頭接，利用缺口之誤插入防止機構需發揮功能。例如可考慮機構位於連接器，近邊，誤插入時使其不發第26圖表示3.3V專用系統例/3 3V專用系統使用附缺口測機構之連接器。此時33v者同時防止背面插入。又、關於5V者雖背面插入，惟可防止電接觸。第”圖表示5V及3.3V兼用系統例。兼用系統當然因 5V者及3.3V者均可插入系統，故有考量5ν電源不致施加 ° #在插人記憶卡時不可輸出5V電源3以電檢測屯源甩壓控制5 V不施加於設備至明確爲5 v者。第3説明步驟c之容量檢測。經濟部中央標準局員工消費合作社印製瞬時記憶卡有不同眾多種記憶容量或界面規格。將記憶 :插入系統時辨別設備之製造庭家編碼及設備編碼等，假定外之編碼時不接丈新之存取。又讀出製造廠家編碼及設備編碼時供给正規乏電源電壓。第4説明步驟D之物理格式之確認。記憶卡形成記憶資料用物理格式，將記憶卡插入系統時確認其物理格式，若形成支持外之格式時不致破壞資料予 -21 - 五、發明説明（l9 Λ7 B7 "' --- 經濟部中央標準局員工消费合作社印製以排出。又、插入未知之物理格式者時因理格式時對瞬時記憶想之先天性及後天性之不== 有不充全之危險性故需注意。例如就16M位元之财_刑卿時記憶體爲例加以研究’瞬時記憶體分割爲512個物理區’將物理格式之形式及卡之屬性信息等窝入前頭區。因剩餘區做爲資料區域使用，故由辨別前頭區之資料以可支持之物理格式形成否亦可。第5之步驟E之邏輯格式係j 了可將記憶卡以D〇s上之設備存取而f施。並需確認^支持記憶卡之邏輯格式。使DOS之群集段洛與NAND瞬時記憶體之物理區之段落一致即可更高速之動作a 士第步驟各動作表示系統之記憶體存取動作，即項出、寫入、消除動作之意。第7之步驟G之拔出檢測與前述插入檢測同樣，並執行拔出檢測。拔出檢測時記憶系統完成其動作。其次，於上述記憶卡控制流程中，特開平8_9〇969號公報及特願平8 - 2 0 2 5 0 9號揭示有電性檢測記憶卡插拔之方法。以下説明採用與記憶卡（記憶媒體）之端子成序列連接之連接器端子之記憶系統控制方法。首先，參照圖28，説明於採用此連接器之記憶體系統中 ’檢測έ己憶卡之插入/拔去之方法。將連接器1銷及1 0銷端子接於v s s，將連接器丨丨銷端子拉上VCC位準。當記憶卡n銷端子未接觸連接器端子時，連接器端子之電位位準藉由拉上電阻而成爲，,Η ,,位準。請先閲讀背 ιέ I 事項再填 *裝訂線 -22 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨0χ297公梦) Λ7 B? 經濟部中央標準局員工消f合作社印製五、發明説明（2〇 ) 記憶卡之1 1銷與連接器端子接觸及透過i銷與丨0銷而被接於V S S ’故遷移成” L 位準。是以，便能藉著1 1銷之連接器端子之電位遷至” L _，而電性偵檢插入，且從"l，，移至 "H "而電性檢測拔去。爲了使用丨丨銷而電性偵檢插入，前題要件是要能保證1 1銷與連接器端子接觸時，丨丨銷以外 <端子也要接觸連接器端子。又，爲了能滿足系統之要求规格’只要調整拉上電阻之値即可。其次’以下詳細説明於採用上述連接器之記憶體系統中，控制記憶卡插拔時之方法。本實施例以更實際之活線插拔爲例説明。活線插拔即將電源供給連接器狀態下以插拔記憶卡。爲防止記憶體之誤動作或電破壞需注意如下述3 以電源供給狀態、控制信號（/ C E、/ w E、C L E等）及 I / 〇銷爲不定狀態時，有取進無意之寫入或消除指令等之可能性。又以電源供給狀態、成/CE =，，L”、/RE =，，L”時，汉備即成資料輸出狀態。此時系統側亦同樣成資料輸出狀& ’而在資料匯流排（D a t a b u s)引起衝突，可能對設備有不良影響。又一般CMOS設備有電源電壓以上電位施加於I/O銷時，流進電流而有引起閂鎖超載現象（Lakh-up)之可能性。以下、舉實例説明上述注意事項之回避方法例。例如關於連接器接頭之接觸及脱離設順序，由依序接觸、脱離即可實，現活線插拔a例如下述4階段順序對系統側限制事項少，並適於P c卡轉接器等之使用。連接器之接觸順序及系統側之限制事項如下表。十 '氏張尺度適用中國國家梯华（CNS ) A4規格（別幻97公疫） 1-----------^------1T------線. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B：7 五、發明説明（【表1】 [表1] 21 "1 一系統側設定條件接觸順接觸銷第一階段 VSS(1,10\ CLE, ALE.AVP 未對記憶體存取時，各控制信號(/CE./WE./RE. CLE.ALE 等)保持非活性狀態第二階段 VCC./CE./RE.AVE. 第三階段 _第一、二、三階段以上之銷第四階段 _ 11銷 _ 經濟部中央標準局員工消费合作社印¾ 此時、在第一階段由於接觸v S S接頭以確定晶片之接地 K平並由於將C L £接頭固定於” l ”水平（非活性狀態），依以下順序回避因噪音等投入錯誤指令誤消除設備等問題。在第二階段由於/CE接頭固定於” η”水平（非活性狀態）致〃又備之輸出銷成Η1 - z狀悲，不管系統側之匯流排控制狀態回避匯流排上之資料衝突。在第三階段由於在第二階段 VCC達到所定水平，故可回避電流藉輸出銷從匯流排線上流進等問題。在第四階段最後接觸丨丨銷。丨丨銷係如前述可做爲插拔檢測接頭。除上述4階段順序之活線插拔外亦可以2階段順序之活線插拔。此時、連接器之接觸順序及系統側之限制事項如 ^ 丨 ' -24 本紙悵尺度適用中國國家標準（ CNS ) Λ现格（210Χ 297公垃）丨I 裝----^---訂------線 (锖先閱讀背面之注谂事項再¾寫本頁) A7 B7 五、發明説明（22【表2】[表2] 連接為接觸順序接觸順接觸銷第一階段 VSS(1，10)，CLE，ALE./WP 第二階段在第一階段接觸以外之銷未對記憶體存取時、各控制系統側設定條件經濟部中央標準局員工消费合作社印裝此時、在第一階段由於接觸v S S接頭以確定晶片之接地水平’並由於將C L E接頭固定於” L ”水平（非活性狀態），依以下順序回避因噪音等投入錯誤指令誤消除設備等問題。在第二階段對VCC、/CE、I/O銷等事實上不可能完全同時接觸’或許接觸定時發生意外之偏移惟若在系統側將 I / 0匯流排保持在H i - z，即可回避匯流排上資料之衝突、流進電流等。又、對PC卡型轉接器亦可適用上述4階段順序用·連接器。一般P C卡之卡檢測銷已定_ c D 1、- C D 2之2銷而在系統側以吸合兩銷狀態檢測P C卡之插拔。如第2 9圖所示使用記憶卡之1 1銷之情形爲例説明p C卡轉接器之-c D 1銷及-C D 2銷之信號產生方法=> 以下説明此時之個人電腦之標準順序。僅P C卡轉4器插入個人電腦時，個人電腦判斷均未插入任何卡。插入記憶卡時、4階段順序連接器最初接觸V S S ( 1、I 〇銷）。在此階段自個人電腦供給g r d水平。進行依序連接、至全邵销均連接後，最後連接1 1销。在此 25 μ氏乐凡度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨〇><297公犮） I Ί. .^------ΐτ------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 Λ7 ___________B7 五、發明説明（23 ) 階段:CD1及_CD2之水平降至” L”，個人電腦側確認插入卡、進至起始化（InitlaIize)處理，從個人電腦側投入電源® 其次:説明向記憶卡存取中拔出時之處理。因此種行爲基本上爲禁止事項，故當然考慮具有以存取燈等告知使用者在存取中之機構。惟㈣除㈣或寫人動作中若誤拔記憶卡時可能破壞存取中之區以外資料^故以下順序可保護選擇中之區以外資料。以下，階段插拔順序之連接器爲例説明。 _ — 拔出時以上述接觸順序相反之順序使其脱離。首先使用 Η銷檢測記憶卡之拔出。其次使窝入保護信號/wp爲啓動，將消除或寫人動作重設。消除模式時重設所需時間爲最多1.5秒以下。爲正常執行重設動作，需將電源供給記憶卡而内部邏輯正常動作。使用4階段脱離順序時，在vcc 銷f離階段前完成重設動作，更在第3階段之1/〇銷等脱離前芫成重設動作較爲理想。又、2階段脱離順序亦可與前述2階段插入順序相反之順序予以脱離。，更前述4階段接觸/脱離順序之同時執行第3階段及第4階段之3階段接觸/順序對保護活線插拔時之資料亦有效。如.以上所述依本·發明之記憶系統之控制方法，在記憶卡插拔檢測時可提高記憶卡插入/拔出時動作之穩定性，更可保護活線插拔時之資料。其次、詳細説明本發明之第2實施例。本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） —I. ^------1T------ (請先閱讀背面之注意事項再填荈本頁) 經濟部中央標隼局貝工消费合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（24 ) 本實施例係與削減邏輯地址/物理地址變換表所需R A M 區域容量之瞬時記憶卡有關。首先、重複本發明之記憶系統之物理區構造與邏輯區之關伸。本發明之記憶系統之物理區構造及物理區内之資料構造與發明之領域項説明相同，如第2圖及第4圖所示。以下用第4圖説明本發明之記憶系統之物理區内各字元之意義。

Data Area-Ι係以5 12字，資料中前半之〇〜25 5字元存儲資料。Data Area-2係以512字元資料中後半之 256〜551字元存儲資料。User Data Area之資料係開放给使用者、使用方法任由使用者使用。Data Status Area表示資料正常否。通常爲”FFh”惟寫入不正常之資料時设定爲”00h” 。：Block Status Area表示區良或不良。通常爲” FFh”惟不良區時設定爲”〇〇h”（初期不良區）、” F 0 h ’’（後發不良區）。2位元以上，’ 〇 ”時判斷爲不良區。又、本資料在同一區内均寫入同値。_BI〇ck Address Area-1表示區之邏輯位址信息。又、因構成1邏輯區之8 區段相當於5 1 2物理區中1物理區，故本資料在同—區内均寫入同値。同樣、Block Address Area-2係寫入與 Block Address Area-1同内容。ECC 係偶數頁資料（25 6字元）之3·字元ECC編碼。ecc Area_2係奇數頁資料（256字元）之3字元ECC編碼。茲就E C C加以説明。本實施例係對2 5 6字元（2 〇 4 8位元 )單位之資料產生ECC符號3爲了使其具有丨位元訂正之功本纸張尺度適用申國國家標準（CNS )A4規格（2丨0x29?公兹） I丨-1------^------1T------Λ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（《 A 7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製能’對256字元使用22位元之ECC資料。256字元係如第 3 0圖所示、排列於資料。即第1(字元）Byte之輸入之（位元）bitO成爲2048bit之第 lbit(位址；〇〇〇〇〇〇〇〇 ooq，第256Byte之輸入之bit7成爲2048bit之第2048bit(位 Ah ； 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 ) 〇 E C C编碼（線奇偶性（p a r丨t y ) (L p )及行奇偶性（c 〇丨u m Parity)(CP))係做爲滿足第y圖所示條件之1〇24位元之奇數奇偶性算出。一— 行奇偶性-CP0〜CP5係以1字元（8位元）每次輸入資料時丁以更新》以軟體產生ECC符號時可考慮預先在系統内 R Ο Μ上持有對1字元之輸入（2 5 6通）之行奇偶性計算結果依此方法典需位元單位之演算，可大幅縮短計算時間。又亦可考慮在供給電源時一齊計算對丨字元之輸入（256通仃奇偶性計算結果，保持在RAM上之方法。雖與前案比較無需R Ο Μ惟需R Α μ區域代替。第3 2圖係本發明心第2實施例有關之瞬時記憶卡之投入電源時之控制流程圖。以下依流程加以說明。 (步驟S1)將記憶卡插入連接器，檢測電源電壓。 (步躁s2)讀出記憶卡之ID编碼讀取記憶容量。 (步驟S3)若讀“統未支持之iD編碼則予排出。 (步驟S4)確認物理格式3 _物理地址前頭區之作自， (步驟S5)若爲系統未支持之格式則予拼出ϋ (步驟S6)製作邏輯地址/物理地址變換表，並以次一寫請先閱讀背之注意事項再填本頁裝訂線本紙張尺度適财s s家料（CNS) 經濟部中央標準局員工消费合作社印掣 Μ Β7 五、發明説明（26) 入動作選擇寫入用之已消除區域。第3 3圖係上述步驟S 6所示投入電源時製作之邏輯位址 /物理位址變換表之製作流程圖。 (步驟S1)將放入邏輯位址/物理位址變換表之ram區域重設。 (步驟S2)將使用於記憶次一資料寫入之已消除區之表區域。 (步驟S 3 )從物理區之1開始搜索。 (步驟S4)讀出區之冗餘部。

I (步驟S5)依所定區域資料判斷該區是否爲正常區。若爲不良區時無需繼續下列之處理，移至次一區之搜索。 (步驟S 6)判斷已消除之範圍如何。 (步驟S 7)若爲已消除區則做爲次一窝入時使用之候補存儲在表上。 (步骤S 8 )条'非已消除範圍則抽出邏輯位址信息區域3 此時、校對奇偶性確認妥當性。 . (步驟S9)依上述内容製作邏輯地址/物理地址變換表3 (步驟S10)物理區號碼之計算完成。 (步驟S11)搜索512區後即完成。第3 4圖係此流程製作之邏輯地址與物理地址變換表。第 34圖所示物理區範，園（Physicai Bi〇ck Area)係指連續2 個物理區集合體之意。例如、物理區範圍〇表示物理區〇及物理區1。本表係對1個邏輯區分配1個物理區範圍。例如、對邏輯區0分配物理區範圍5時，即物理區之丨〇或Η記本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I — I.------种衣------，1Τ------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 輕濟部中央榡準局員工消费合作社印製 Λ7 ___ B? _ ____ .________ 五、發明説明（27 ) 憶實際邏輯區0之資料。故實際存取時有檢索表示物理區之10及11之冗餘部與邏輯位址關連之資料區域，判斷何方眞正存儲邏輯區〇之資料。但、由於僅讀極有限之區域即可’故幾乎對記憶體存取性能無影響。此時、物理區範圍全部有256個（512/2)存在，可由8位元資料記述。考量軟體之便利性使偏移（〇ffset)仍指物理區以構成表時，對1區需i字元、計0·5ΚΒ之HAM區域。例如、存儲邏輯區5之信息之物理區範圍之地址係存儲在自表前頭偏移第5字元。 _ — 該0.5KB之RAM容量爲先前所需1KB之RAM容量之一半通用之CPU通常具有約1KB之R A Μ區域，惟依本實袍例所得0 · 5 Κ Β之R A Μ區域之削減佔極大之角色。即不設招致價昂之外附RAM而使用依本實施例所得 0.5 K B之空區域即可構成系統而可降低價格。又、不限於上述實施形態，以4物理區做爲物理區範圍 •亦可，設定更大之區數亦無妨。 · 第3 5圖係本實施例有關之瞬時記憶卡之讀出時之動作流程圖。以下依流程加以説明。 (步骤S 1 )從主電腦接受執行讀出之前頭區段位址及轉. 送區段數。 (步驟S2)驗證讀出範圍是否妥當。 (步驟S3)將區段變換爲邏輯區。因16 Μ位元者爲1區8 區段構造故即以8除。 (步驟S 4 )參考邏輯地址/物理地址變換表以得該邏輯區本纸張尺度適用中ίϋ家裙準（cNs ) &規格（210Χ2^^7 I!------^---^----II------ (請先閲讀背面之注，意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（28 存在之物理區範圍。 (步驟S5)查在區範圍之2個物理區之邏輯位址信息區域，查出何者存儲主電腦指定之邏輯區之資料。 (步驟S6)從特定之物理區讀出1區段分資料。例如區段號碼爲〇時’閲讀物理區前頭2頁之資料，例如區段號碼爲 7時，閲讀物理區最後2頁之資科。i個物理區中依序排列 8個區段之資料。 (步驟S7)對⑶出之資料實^錯誤之檢驗，確認無錯誤。 (步驟S8)檢測錯誤後判‘'訂正否。 (步驟S9)檢測錯誤、且可訂正時訂正資料。 (步驟S 10)讀出主電腦要求之區段數後即告完成。 (步驟S11)判斷次_讀出區段是否超過物理區之境界。例如、自區段7移至8時因資料存在於各不同之物理區，故再度重新參考邏輯地址/物理地址變換表。 (步驟S12)在同一區内繼續讀出時計算完成讀出之頁。 (步驟S1 3)移至別區.時計算完成邏輯區，並重設頁之計算。 ' 其次、説明本實施例之寫入時之動作。基本上寫入之處理可大概分爲下列3個部分。例如、以重窝邏輯區& 3之情形爲例説明。雖僅更新區段3惟因區段 0至7之8區段分之·資料存在於同一區上，故需對！區之處理。第1、關於邏輯區段〇、丨及2因無更新資料，故邏輯區段0、1及2之資料從原存儲之邏輯區複印至重新寫入之物本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（21〇X 297公疫） Ί-：裝-- (請先閲讀背面之注意事項鼻填寫本頁)

,1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製經濟部中央標率局員工消f合作社印製 Λ7 ____________B7 五、發明説明（29 ) 理區。第2、因更新邏輯區段3故無需複印原資料，而將主電腦供給之資料寫入新窝入區。第3、因邏輯區段4〜7無更新資料，故邏輯區段4〜7之資料從原存儲之物理區複印至重新寫入之物理區。如上述、對1個區複印/更新資料寫入/複印爲基本動作。當然、寫入如區段0〜7之情形時因】區段分全部資料更新故無需複印動作至爲明顯二以下所示流程圖之流程主要判斷即將寫入之區段爲更新料、或複印動作而進行。第3 6圖係本實施例有關之瞬時記憶卡之寫進時之動作流程圖。以下依流程加以説明。 (步驟S 1)從王電腦接受執行資料更新之前頭區段地址及轉送區段數。 I (步驟S2)變換爲邏輯區號碼，參考邏輯地址/物理地址欠換表=與碩出動作同樣從邏輯區範圍之2個區選擇眞正之物理區·。即自此選擇之區吸上應複印之資料。 (步驟S3)從物理區前頭開始處理。 (步驟S4)判斷區前半之複印動作或資料之更新。 (步驟S5)若爲複印則自原區讀出資料，寫入新區。 (步驟S6)移至次—區段之處理。奴（步驟S7)若於（，步驟S4)判斷爲更新區域’即依從主電腦接受之更新資料寫入3 (步4tS8)移至次一區段之處理。 (步驟S9)確認是否窝入主電腦要求之區段本紙張尺度 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 A7 B7 五、發明説明（30 (步驟S10)若於（步驟S9)判斷爲要求數之寫入完成時，即判斷是否爲區之境界。若有未寫入之區域則移至區後半之複印動作。若爲區之境界即無需再執行複印動作。 (步骤S11)從原區讀出資料寫入新區。 (步驟S 12)移至次一區段之處理。 (步驟S13)若於（步骤84)未％成寫入主電腦要求之區段數時更需再寫入，惟若爲區境界則移至對次—物理區之處理。 (步骤S14)其次在移至區處理或處理終了前，依執行窝入之結果執行邏輯地址/物理地址變換表之更新，更消除原資料存在之物理區，登錄爲次一處理之新窝入區域之候補區域。 (步驟S15)移至次一區之處理。噙以上所述、依本實施例之記憶系統之控制方法可實現 RAM區域之大幅削減。此乃因先前之記憶卡系統之邏輯地址/物理地址變換表所需RAM容量大，僅通用CPU内藏之R A Μ典.法構成系統而以需設外附r a μ爲條件，惟本發明之》己隐卡系統則用減低邏輯地址/物理地址變換表所需 RAM容量，控制僅可控制通用cpu之内藏ram之瞬時記隐m之方法之故β因此、不再需要先前所需之外附ram ’而可達成大幅降憒。其次、詳細説明本發明之第3實施例。本a她例係與以〇〇 s格式之型式使用時，使資料重寫動作南速化之瞬時記憶卡有關。 _____________ _ 33 - ( cns ) μ^7·21〇χ297^ ) -- {請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁) 裝- 訂五、發明説明（31 A7 B7 第37圖係本實施例之DOS格式之參數》第37圖（a)表示群集尺寸4KB之情形，第37圖（b)表示群集尺寸8KB之情形。群集尺寸爲4KB時、分別在邏輯區段〇有主自舉區段、邏輯區段19有自舉區段、邏輯區段20〜25有FAT、邏輯區段26〜3 1有FAT之影印、邏輯區段32〜47有索引、邏輯區段48以下有文件資料區域配置。群集尺寸爲時、分別在邏輯區段0有主自舉區段、邏輯區段25有自舉區段、邏輯區段26〜28有FAT、邏輯區段29〜31有FAT之影印、邏輯區段32〜47有索引、邏輯區段48以下有文件資料區域配置。如此、群集尺寸爲4KB及8KB時均設定參數以避免群集段落跨越物理區之段落。以上可由調整DOS格式參數中配置自舉區段處達成。又、用第3 8圖以群集尺寸4KB之情形爲例説明寫入順序。因群集尺寸爲4KB故自OS發出連續8區段分之寫入命令。此時發生對邏輯區段48〜55(群集A)之窝入（資料更新 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·

*1T 部中 A il -T 消 1V 合竹 1 ) 尋找已消除新區域，將至邏輯區段4 8 ~ 5 5之新資料寫入新區域NANDBlockC。 2 ) 將邏輯區段56〜63之原資料複印於新區域NAND B 1 〇 c k C。 3)消除原區 NANDBlockB。 4 ) 邏輯地址/物理地址變換表之更新。故實施從外部看8區段之重寫時，實際設備即實施邏輯區段48〜63之合計16區段（16頁）之寫入動作、及對本紙张尺度適州中围國家標準（CNS ) Α4規格（2ΐ〇χ297公釐〉線五、發明説明（32 A7 B7 fey,部 tJAi!-^';:J.、m 消於"竹^y

NAND Block B之1區之消除動作。其次、用第39圖又説明對群集B之寫入順序。此時發生對邏輯區段5 6〜63 (群集B)之窝入（資料更新）。1) 尋找已消除新區域，將至邏輯區段48〜55之原資料複印於新區域NAND Block C。2) 將邏輯區段56〜63之新資料寫入新區域NAND B 1 〇 ck C。 3) 消除原區 NAND Block B。4 )邏輯地址/物理地址變換表之更新。故實施從外部看8區段之重寫時’，實際設備即實施邏輯區段48〜6〇之合計W區段（16頁）之寫入動作、及對 NAND Block B之1區之消除動作。其次、用第40圖以群集尺寸8KB之情形爲例説明寫入順序。因群集尺寸爲8KB故自〇S發出連續16區段分之寫入命令=> 此時發生對邏輯區段48〜63(群集A)之寫入（資料更新）。 1) 尋找已消除新區域，將至邏輯區段48〜63之新資料寫入新區域NAND Block C。2) 消除原區 NAND Block B。 3 ) 邏輯地址/物理地址變換表之更新。故實施從外部看16區段之重寫時，實際設備即實施邏輯區段48〜63之合計16區段（16頁）之寫入動作、及對 NAND Block B之1區之消除動作。知上述群集爲4KB者與8KB之情形與假設寫入同8KB

請先閲讀背之2 I 意 I 事3 II I弇裝本tf I 訂線 35 - 本紙张尺度適/1] t國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Α7 Β7 五、發明説明（33 ) 之資料之情形比較，則群集爲4KB者發生將處理分割爲2 次寫入合計3 2區段之寫入及2區分之消除動作。而群集爲 8KB者發生將處理集中爲i次寫入合計16區段之寫入及1 區分之消除動作。與第12〜第15圖所示先前之記憶系統之重寫速度比較時，群集爲4KB者可由更新8KB資料發生48區段之寫入及3 區分之消除動作變成3 2區段之窝入及2區分之消除動作，即在時間上縮短2/3。而群集^8ΚΒ者可由更新8Kb資料發生32區段之寫入及2區分之消除動作成爲16區段之寫入及1區分之消除動作，即在時間上縮短丨/ 2。如此、由於DOS之文件管理單位之群集段落不跨越瞬時記憶體之物理區之境界，故可達成重寫速度之高速化。又、著眼於群集之尺寸時群集爲4KB者更新8KB資料發生32區段之寫入及2區分之消除動作，而而群集爲8kb者成爲16區段之窝入及丨區分之消除動作，即在時間上縮短 1/2。即由於使群集之尺寸與瞬時記憶體之物理區之尺寸相同，即可更高速之寫入。當然、群集之尺寸爲瞬時記憶體之物理區之尺寸之整數倍時亦可得同樣效果。其次、詳細説明本發明之第4實施例。本男施例係與提鬲消除後之寫入指令執行時之處理速度之瞬時記憶卡有關’。本貫施例之瞬時記憶卡系統與通常D 〇 5之文件系統之文件消除不同，在索引上標記該文件無效之意旨、不僅在 FAT(Flle Allocation Table)上開放該文件佔有之記憶 ^訂鍊--d-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) B7 B7 ------- 五、發明説明（34) 122 1仕w吁把惇體上消文件消除命令時、實施對門广牛本…科部分。即名第群集區域之消除動作。弟除指令執行時之管係，1圖中、例如執行…一之 /放管理區域一及―記del.二;: 除在資料區域記憶File_l及FlIe_4之區域。故由於其次新文件寫入命令發成，故可即時窝入而接… 選擇心群集已消除完因消哈比寫入Lir件-寫入速度。-般瞬時記憶體提=::費時，本實施例達成之文件窝入速度之之效果最顯現之條件由上述第3實施例可知在使鮮木尺寸與瞬時記憶體之區尺寸一致之情形木尺寸比瞬時記憶體之區尺寸小時，處理煩雜外加上亦: 格：僅消除一部分區之狀態。群集尺寸與瞬時記（區尺寸—致時單純消除區即可開放群集。當然 •集之尺寸爲物理區尺寸之整數倍時亦可得同樣效f 好浐.部 ti!;4T.^'而；；：；J合啊7)卬 y 又、本實施例在不改變其主旨範圍可做各種擴張3例如、本實施例係在文件消除時執行資料區域之該群動作，惟消除動作之執行時間並不受此限制。例如、在_ 仃格式動作時執行全群集之消除動作亦可。當然在記憶^ 出貨時以已消除資料區域之群集狀態出貨即可。通常在s 憶卡出貨時實施記憶卡之出貨試驗。不僅在此測試終了S 由索引及FAT之重寫使其成爲無文件狀態，且如本實施例執行資料區域之消除動作，即可在最後交給使用者手上= 本紙狀料( CNS ) ( 210X297^t ) B7 五、發明説明（35 無：使用者另做措施而可期待高速之文件寫入。更：=慮以數位式照相機等使用 Μ等之重寫若同時^^像又件消除之動作時，不僅，則在其後之影像寫區域之消除 =照及動畫等。此時、若群二 =除容易。又數位式照相機等在供給電源時不需要之文件部分亦可ϋ 哼自動錯 FAT等更新消除文件之 / :人電腦上單純以 =。又其時機不僅在供給電源時且無論又、本發明在電腦系統上等使用本法達成寫入之高速化。犯以同樣万依本實施例因可減少重寫資科時發生次數，故一般使用阳制击合a也 j防及馬入記憶體壽命之重窝次數之瞬時記憶體時亦有延長如以上所述、依本實施例之記憶系統之控制方法 Η 部中 II 率乂 0 ,τ ；/ί η 卬之群集之段落不跨越瞬時記憶體之物理e(境界而可減少重寫資料時發生之消除及寫，故可使重寫速度高速化。更使用一般限制重記憶體時亦可延錢憶體壽命。 ’、數疋_ 其次、詳細説明本發明之第5實施例3

本實施例係與削減邏輯地址/物理地址變換區域容量之瞬時記憶卡有關。而RAM 38 本紙張尺度ϋ/种酬家縣 ( CNS ) Μ規格（hQx297公楚 A7 、^ ________B7 _ 五、發明説明（36 ) ~~~~〜〜本實施例係在製作邏輯地址/物理地址變換表時將主泰腦之存取分類爲2種。例如、案例i係在邏輯區5 〇〇個内、將前半之250個邏輯區爲存取狀態，·而案例2係在邏輯區 5 0 〇個内、將後半之2 5 0個邏輯區爲存取狀態。案例丨係在邏輯地址/物理地址變換表保持前半250區分之表，而案例 2係在邏輯地址/物理地址變換表保持後半2 5 〇區分之表。第42圖（a)表示案例1之表，第42圖（1))表示案例2之表。若在某瞬間、表上存在邏輯區前半250個分之表時，若主電腦之存取範圍爲邏輯區之後半〇〜249，則可使用既有之表檢索邏輯區-物理區之對應。同樣若在某瞬間、表上存在邏輯區後丰250個分之表時 ’若主電腦之存取範園爲邏輯區之後半25〇〜499，則可使用既有之表檢索邏輯區-物理區之對應3 其次、若在某瞬間、表上存在邏輯區前半250個分之表時’若主電腦之存取範圍爲邏輯區之後半2 5 〇〜4 9 9，則無法使用既有之表檢索邏輯區-物理區之對應。故此時重作相當於邏輯區後半2 5 0個分之邏輯地址/物理地址變換表。此需再度參考瞬時記憶體之全區域3 同樣、若在某瞬間、表上存在邏輯區後半2 5 〇個分之表時’若主電腦之存取範圍爲邏輯區之前半〇〜249，則無法使用既有之表檢索•邏輯區-物理區之對應。故此時重作相當於邏輯區前半2 5 0個分之邏輯地址/物理地址變換表。此需再度參考瞬時記憶體3 如此、：¾相當於主電腦存取之區域之邏輯地址/物理地本紙張尺度適州中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ί讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁j •裝-

、1T A7 B7 :Λ\ 部中 k il ill 竹 -40 - 五、發明説明（37 ) 址變換表不在R A Μ上則再度參考瞬時記憶體之全區域，重作所需邏輯地址/物理地址變換表。以第43圖表示此時之邏輯地址/物理地址變換表製作之流程圖。 (步驟SO)確認有無存取之初需要之邏輯地址/物理地址雙換表，若需要則移至製作表程序。 (步驟S1)重設邏輯地址/物理地址變換表所需ram區域。 (步驟S 2 )從物理區前頭開始搜索。‘ (步骤S3)讀出區之冗餘部。 (步嗓S4)依所定區域之資料判斷該區是否爲正常區。若爲不良區則無需後續處理，移至次一區之搜索。 (步躁S 5 )判斷是否爲已消除之範圍。 (步骑S 6)若爲已消除之範圍，則做爲次—寫入時使用之候補區存儲於表上。 ·(步驟S 7)若非已消除之範圍，則抽出邏輯位址信息區域0 (步樣S8)依上述内容製作邏輯地址/物理地址變換表。 (步驟S 9)物理區號碼計算完成。搜索全區後完成。必要時以上述動作製作邏輯地址/物理地址變換表。又本發明並不受上述實施例之限制。在不超出主旨範圍内可做各種變更。例如本實施例將瞬時記憶體分割爲前丰、後半兩部分，本紙ί表尺度適W屮囤國家標準（cNS ) A4規格（2丨0x297公兹） ""-I i^衣訂線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（38 惟分割數不限於2而得分割爲任意數。又本實施例將瞬時記憶體分割爲前半、後半相〜，發明並不受此限制。如此分割數及大小均具有自：户惟本分割爲3個以上之區域時，無需經常僅保持i個表度: 考慮將本瞬時記憶卡做爲D〇S之設備㈣影像文件等/如形。通常設備前頭存在文件之管理區域、即主自舉區^隋分段（Partitlon)自舉區段、文件分配:（^、 allocaUon tabIe)(FAT):―，引區域。上述文件管理1 J 域在每次更新或存取文件時頻繁存取之區域。此時相當該文件管理區域之㈣爲丨個區域，並將其他文件存儲= 分割爲2。又經常保持相當文件管理區域之邏輯地址/物理地址變換表亦彳。在將文件寫入邏輯位址後半部分之動作時，因無需交互頻繁重製文件管理區域及邏輯位址後半之表，故可防止性能劣化。以上僅述及文件管理區域，惟經常將表保持於文件管理區域以上之區域亦可得同樣效果。如以上所述、因依本實施例並非將邏輯區與物理區對應關係之王部經常保持在r A Μ上’而回應主電腦之存取僅將必要區域之對應關係逐次製作在系統内ram上，故與將全區域之對應關係經常保持在RAM上之情形比較，可減低系統最低限度必要之R A Μ區域，可將原先不可能之僅以通用C P U之内’藏R A Μ控制記憶體變爲可能，可大幅削減具有外附R A Μ之先前案例之價格。其次、詳細説明本發明之第6實施例》本實施例與削減邏輯地址/物理地址變換表所需R A Μ區 -41 本紙張尺度適用中S國家樣率（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -Ί---------裝—— f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 .線 A7 B7 五、發明説明（39 域之容量之瞬時記憶卡有關。本實施例將瞬時記憶體之物理區位址分割爲眾多邏輯區域（以下稱地帶（Zone))。此時分配各地帶之物理區數、即每一地帶之容量爲均等或不均等均可。又地帶數爲1個或多數個均可。又偶數個或奇數個均可。第44圖係將16M位元NAND型瞬時記憶體分割爲2個同谷量之地帶之物理區構造與邏輯位址與物理位址之關係圖。主電腦控制該瞬時記憶體時所需物理區數定爲5 〇〇個，並取邏輯區位址〇〜499之値。物理區冗餘部存儲表示本身保持對應何邏輯區之資料之邏輯區位址信息，而本實施例之邏輯區位址係每地帶從0開始以串聯附與。故地帶1分配邏輯區位址0〜249，而各邏輯區對應於物理區位址〇〜255 之256個物理區之任何1個。又將邏輯區位址〇〜249中之任何1個存儲在物理區冗餘部3又地帶2分配邏輯區位址 250〜499，而各邏輯區對應於物理區位址256〜511之256 個物理區之任何1個。又將邏輯區位址〇〜2 4 9中之任何1個存儲在物理區冗餘部。更新資料時追加寫入之方式在含更新對象之邏輯區位址之地帶内進行，有對應某邏輯區之資料存在之物理區並不固定而經常在各地帶内移動。本貫施例通常在供給電源時，搜索存儲在地帶内全物理區冗餘邵之邏輯區位址信息，在系統r A Μ上製作邏輯區及物理區之變換表，惟可製作在r A Μ上任何地帶。通常在D Ο S管理下使用該瞬時記憶體時因將管理信息之f a τ -42 - 本纸张尺度適用中®國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公楚） . 丨，I n^私 I —II ^ i : I — I n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 朽7;"部中失"^而，-:^丁_消於-?:;;::.^卬^:?: . A7 —____________ B7 五 '發贼明U〇 ) 〜 '或索引區域等置於最初地帶，故將表製作在前頭地帶有 1好之效率。又製作在RAM上之表不限於丨地帶，祗要 RAM容量許可則製作眾多區之分量亦可。以下説明主電腦對存取需求之變換表之製作過程。設定包含物理區位址256〜5 11之區域，稱爲地帶i。又設定包。物理區位址〇〜2 5 5之區域，稱爲地帶2。主電腦記憶現在製作在RAM上之變換表究屬何地帶者。以下説明在RAM上製作地^丨之變換表，對邏辑區位址 I28有存取需求時之順序。―― (1) 因求邏輯區位址128_25〇 X (n_n <25〇之η時n=1 ，可知需要地帶1之變換表。 (2) 因RAM上之變換表爲地帶丨，故不製作表。 (3) 因變換表上予位址取0〜249値，故從主電腦要求之邏輯區位址128求變換表上應參考之位址。由128_25〇>< (1 -1 ) - 1 2 8 ’對於對應變換表上之位址丨2 8之物理區位址 -存取即可3 . (4) 發生重寫時更新變換表以備次一存取。其次、説明在RAM上製作地帶1之變換表，對邏輯區位址324有存取需求時之順序如下。 (1 )因求邏輯區位址324-250 X (n-1) <250之η時n = 2 ，可知需要地帶2乏變換表》 (2)因RAM上之變換表爲地帶1，故搜索包含在地帶2 之物理區位址2 5 6〜5 1 1之冗餘部之邏輯區位址信息，在 RAM上製作地帶2之變換表。 __- 43 - 尺度述用 '丨’國國家標準（CNS ) A4規格（210X^^^ !—-;-------奸衣------，玎------ά (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 A7 _____ B7 五、發明説明（41 ) (3) 因變換表上之位址取〇〜249値，故從主電腦要求之邏輯區位址324求變換表上應參考之位址。由3 24_25\^ (2-1) = 74，對於對應變換表上之位址74之物理區位址存取即可。 (4) 發生重寫時更新變換表以備次一存取。如上述、由於回應存取之邏輯區製作變換表，即可比先前容易縮小RAM區域。在RAM上製作地帶2之表時亦能以同樣過程容易對目的位址存取。製作邏輯地址/物理地址€&表時，‘RAM上製作邏輯區及物理區之變換表，惟因此時知道製作之地帶號碼故變換表上之物理區位址取〇〜25 5之値即可a實際上對物理區存取時，由於將256 X地帶號碼加於變換表上之物理區做局OFFSET，即容易獲得應輸入瞬時記憶體之新物理區位址。用16M位元NAND型瞬時記憶體時，先前之控制方法爲表不物理區位址需9位元，從軟體之便利性佔用2字元。本實施例係如第4 5圖所示，爲表示物理區位址有8位元即可，即1字元即可。故先前需1K字元之RAM容量可節省一半0因物理區位址增加時，當然邏輯地址/物理地址變換表之谷里亦隨著增加，故本實施例之效果隨瞬時記憶體容量愈大本實施例之致果亦有愈大之貢獻。又、依本實施例能以第Η圖所示可存儲於物理區冗餘部 ^區位址範園（Block Address Area)之區位址可控制大容量之瞬時記憶系統。即以可存儲於上述冗餘部之區位址 ---------------~ 44 本紙張尺度適用中國@家標準（CNS )八视格（21()χ 297公yy 1^ I 裝訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填舄本頁) A7 '^__________B7_ 、發明説明（42 ) 範圍之區位址値之物理區構成〗個地帶予以分割，即可對應大容量之邏輯位址。第46圖表示將16M位元NAND型瞬時記憶體分割爲4個容量均等之地帶之物理區之構造圖。主電腦控制瞬時記憶體時所需邏輯區數定爲500個並取邏輯區位址0〜499之値。物理區冗餘部存儲表示本身保持對應何邏輯區之資料之邏輯區位址信息，而本實施例之邏輯區位址係每地帶從〇開始以串聯附與。對應此等邏輯區么址之物理區位址如下述。地帶1分配邏輯區位址〇〜1 2 4 ’而各邏輯區對應於物理區位址0〜127之128個物理區之任何1個。地帶2分配邏輯區位址丨2 5〜2 4 9，而各邏輯區對應於物理區位址1 2 8〜2 5 5之1 2 8個物理區之任何1個。地分配邏輯區位址126〜374，而各邏輯區對應於物理區位址2 5 6〜3 8 3之12 8個物理區之任何【個。地帶4分配邏輯區位址3 84〜499，而各邏輯區對應於物理區位址 • 3 8 4〜5 1 1之1 2 8個物理區之任何1個3 更新資料時追加寫入之方式僅在有發生要求寫入之邏輯區位址存在之地帶内進行，存儲對應某邏輯區位址之資料之物理區位址並不固定而經常在地帶内移動。各物理區冗餘邵存儲·表示本身保持對應何邏輯區之資料之邏輯區位址信息。，如上述、各地帶分配1 2 5個邏輯區，又分配1 2 8個物理區。如以上、將物理區分割爲4個地帶亦具有與分割爲2個地帶時同樣效果。 -45 - 本紙張尺度適州中闼國家樣準（CNS ) Α4規格（210x297公釐） -------¢------IT-------ά. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} :部-&-Air£f';:Ju 5ί 合卬 y A7 ____________B7__ 五、發明説明（43 ) 其次、以上述將物理區分割爲4個地帶之情形爲例説明本實施例之冗餘動作。在説明本實施例之前先以1 6 Μ位元N A N D型瞬時記憶體爲例説明不分割地帶之先前之瞬時記憶體之冗餘動作。如第2圖所示、1 6M位元N AND型瞬時記憶體具有5 1 2個物理區’惟從主電腦所看之邏輯區則規定爲5 〇〇個。又由於爲了存儲容易構成PC卡ATA界面之信息採用！區追加寫入方式故需要1區。故控制本瞬時記憶體時需5 〇 2個區，因此16M位元NAND型瞬時記憶體容許！〇個以下之不良區存在。惟瞬時記憶體有重窝次數上限存在，使用時有發生不良區之情形，爲了充分確保記憶區域需具有發生不良時做爲置換用足可寫入、消除之有效區。又具有1〇個以上不良區之瞬時記憶體因出貨時之容量不充足故無法出貨，故亦發生降低產品成品率之問題。

•因此、多確保有效區數以備使用中發生不良區，並爲了提向出貨時之產品成品率，16M位元NANDS 除-個本體區外設多數冗餘區。該冗餘區在餘電路用硬體調換512個本體區中發生之不良區。使用冗餘黾路時知几餘區分配在不良區之位址。用硬體調換後選擇不良區存在之位址時即選擇調換之冗餘區。兹因冗餘區並非無限故出貨時未能調換之不良區以先天性不良區處理。又、使用者使用中發生之不良區以後天性不良區處理。琢先天性不良區及後天性不良區由上述有效區予以救濟3 --—___________~ 46 ~_ 本紙張尺度述用十關家標準（CNS ) A4& ( 210X297公楚)~~~~--—- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. ,ιτ A7 _______B7__ 五、發明説明（44 ) 通常、調換本體區與冗餘區時使用冗餘電路以硬體調換 ’惟如第4 7圖所示、由於調換作業之便利性從區位址小之不良區依序連續，或從區位址大之不良區依序連續調換。故凋換區後從區位址小之一方、或從區位址大之一方可連續窝入、消除之區存在。如此、先前之瞬時記憶體之控制方法係如上述對5丨2個物理區有邏輯區500個，由於爲了存儲容易構成pc卡 ΑΤΑ界面之信息採用1區追加寫入方式故需要空區域】區 ’故祗要合計有5 02個可重i之區即可控制。故先前之控制方法係對5 12個物理區容許1〇個不良區。其次、説明本實施例之冗餘（Redundancy)動作。就地帶Ϊ而言’由於爲了存儲容易構成PC卡ΑΤΑ界面之信息採用1區追加寫入方式故需要空區域1區。故對125個邏輯區需要127個可重寫之物理區。地帶内允許之不能重寫之不良區爲1個。就地帶2〜4而言，因追加寫入用空區需多！區故品要126個可重寫之物理區，地帶内允許之不能重寫之不良區爲2個。以下、爲了容易説明，設對丨〜4地帶允許之不良區數分別爲1個》故對先前之控制方法允許之不良區數之規格極爲嚴格。假設第46圖所示1 6Μ位元N AND型瞬時記憶體之例如區位址2、5、129.、131、132、3 8 5、3 89 等7區爲不良區，而此瞬時記憶體具有4個冗餘區。如第46圖所示、使用冗餘電路如先前從區位址小之不良區依序與冗餘區置換時’置換後之_不良區成爲物理區位址丨32、385、389之3 本紙張尺度適州中囤國家標率（CNS ) A4規格（210x297公釐） Ί-,--Γ-------餐------1T-------線 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7B7 五、發明説明（45 個區’將此等做爲先天性區，將先天性不良區之標識記在該區之冗餘部。茲因先前之控制方法允許1〇個以下之先天性不良區，故在控制該瞬時記憶體上並無特別之問題。但若以分割地帶控制爲前提時，因地帶4有物理區位址385 、j89之2個不良區存在致無法控制，本產品即無法出貨〇如此、本實施例之瞬時記憶體有不良區時，將本體不良區與冗餘區之碉換與先前之^時記憶體同樣僅從調換作業之便利上’從區位址小之區依序連續、或從區位址大之不良區依序連續調換，即無法確保必要之良區，發生益法使用地帶之可能性增高。 *'' 因此、本實施例在瞬時記憶體分割地帶控制時，調換存在各地帶之不良區與冗餘區使全部地帶充滿有效區數。第48圖係職冗餘區丨吏每地㈣在之不良區不超過各地帶允許之不良區數時之物理區之狀態圖。第48圖之瞬時記憶體亦與·第4 6圖所示者同樣，具有區位〜 5、 129、 131、132、385、389等7個不良區及4個冗 w几餘區。可知· 以先前之3周換方法無法出貨者即能以良品出 .„ 貝°以下説明调換順序之一例。 (1 )搜索地帶1〜地帶4 ’求以下變數値。 •抽出不良物理位址。 Z(n)B A(m) 0=1〜4、m=I〜各地帶内之 ,小良區數） .求母地帶之不良區數3 Z (π ) B N (n=l 〜4) -48 - 私紙張尺度述州中囤國家標準（CNS ) A4規格（210X297公f ) Ί,—----------批衣------II------線 (請先閱讀背面之注意事項再•填寫本頁) ------ 五、發明説明（46 A7 B7 --------- Μ 部屮吹 ίί J i κ. 卬 m Z⑷BN之n=卜4中、即使僅i個使用全部冗餘屋，若有無法无滿有效區數者則不實施調換而結束作業。 (3) 從Z(n)BA之n=l〜4中抽出最大値之n。 (4) 就（3)抽出之η 就Z(n)BA(n〇 (m=1〜地帶内之不反區數）中存错區位址信息之最小或最大將適合存儲在z(n)BA(m: 之物理區位址之區與冗餘區調換。 > (5) Z(n)BN= Z(n)BN-l (6) 就（3)選擇之m —一刪除Z ( n ) B A ( m )之區位址信息。 (7) 重複（3)〜（6)。用盡冗餘區則移至（9)之處理。 (8) 若Ζ(η)ΒΝ (η=1〜4)相等則就最小或最大η之地帶重複（3)〜（7)。 (9 )檢查Ζ(Π)ΒΝ (η=1〜4)若有超過規格存在則做爲不良品。 (1 0)結束當然、本體區與冗餘區之調換有多種順序。本實施例以分割爲4個地帶者爲例説明，惟亦可考慮將地帶分割爲2個或奇數之案例。又亦可考慮不同分割地帶之容量（區數）者。無論何者、本實施例在調換本體區與冗餘區時，使調換作業後存在各地帶乏不良區個數不超過各地帶允許之不良區數，監視各地帶存在之不良區數，與冗餘區調換，祗要不超出本實施例主旨之範圍内得有不同之調換順序^ 如以上所述依實施例與使用邏輯區與瞬時記憶體之物理 -49 - 才..緣尺度適用十囚國家標率（CNS ) A4規格（2似撕公釐 (請先閲讀背面之注意事項每填寫本頁) •裝. -20 線 A7 B7 好#部中呔^.if^^n.ti/i於合杉五、發明説明（47 區馬1對1對應之表者比較，因以存取對象之地帶單位製作表，故y減低表所需RAM區域，將先前不可能僅以通用 CPU内藏（rAm控制記憶體變爲可能，可大幅削減具有卜附R A Μ之先則之案例之價格，尤其對物理區數多之非揮發f生半導體€憶體之控制有很大之效果。又、以物理區冗餘部之區位址範圍（Bl〇ck Address Area)所決定之位元數即可對應大容量之邏輯位址。 =、依本實施例將多數物理—區分配於邏輯之多數地帶，在每地帶製作邏輯區與物理-區-之變換表，實施記憶存取之控制方法 < 系統所使用之瞬時記憶體在調換本體之不良區與冗餘區時，先前從位址小(大)之—方連續調換，而本發明因使調換作業後存在各地帶之不良區個數不超過各地帶允片之不良區數，監視各地帶存在之不良區數進行調換，故可減少因具有不能使用地帶而無法出貨之產品、提高產品成品率。其次、詳細説明本發明之第7實施例3 本實施例係與均支持2値/多値等任一型式之瞬時記憶卡有關。 " 第49圖係將本實施例適用於PC卡轉接器之圖。瞬時記憶卡1 〇 1 A係如第1 7圖所示對應2値者，而瞬時記憶卡 1B係如第18圖所示對應4値者。PC卡轉接器1〇2將瞬時記憶卡1 0 1 A及1 0 1 B之資料轉送给個人電腦。p c卡轉接器1 02具有PC卡槽溝用68銷之連接器及瞬時記憶卡用連接器。内部具有控制瞬時記憶卡及與P C卡槽溝取得雪 _ 50 _ 本紙张尺度追州屮园國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I--：-------裝------1T------線 (請先閲讀背面之注意事項再填巧本頁} A7 B7 五、發明説明（48 ) 界面用之控制器丨〇3、乙制焱内邯之CPU用振盪器丨04 •友衝斋用RAM105等。控制器有關之2種訂正钭⑽h 鬥裒有與本發明直接〜 4决用電路、ECC電路1及ECC電路2。罘5〇圖表不供給電源時之控制例。 (步驟S1)檢驗電源電壓本^憶卡有5V電源電壓及3 3 Μ源電壓之製品，將 5/电源施加於3·3 乂電源電壓動作之記憶卡時，有發生電餐破壞等問題之可能性。爲避免此問題、系統檢測電源電壓。 (步驟S2、3)檢驗1〇 . 瞬時記憶卡有多種記憶容量或界面規格不同者。將記憶卡插入系統時辨別設備之廠家編碼及設備編碼，若爲想定外編碼時即不做新之存取。又讀出廠家編碼及設備编碼等時應供給正規之電源電壓。

(步驟S4〜8)檢驗ECC 茲檢驗ECC之方式。 . 以下、説明認識E C C方式之方法之一例。第1個方法有與上述步驟S 2、3同樣以設備編碼辨別之方法。例如、同容量之瞬時記憶體依記憶體構造改變設備编碼即可。第5 1圖係本實施例之1 6 μ位元瞬時記憶體之資料部及冗餘部之構造圖。•與第4圖所示先前者不同處爲將冗餘部之使用者資料範圍（User Data Area)分配於ECC標就範圍（Flag Area)及ECC範圍-3。如第51圖所示、存错 E C C之符號之區域定有E C C範圍-1至3之3個區域。用第 51 本纸張尺度適用中國國家標隼（CMS ) A4規格（210X 297公釐） — II —裝------訂------線 (請先閲讀背面之注_意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印袈 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（49 52圖况明上述3個區域之使用方法。茲在ecc標誌範園字元中記憶有關ECC方式之信息。例如、ECC方式i之標誌資料定爲” AAh”、ECC方式2者定爲，，55h”。丁〜依ECC万式1之瞬時記憶卡者Ecc範圍_丨存入偶數頁資料（256字疋）义3字元Ecc編碼，EC(：範圍_2存入奇數頁資料（256字兀）之3字元Ecc編碼，E(：c範圍_3爲空白。 ECC範園-1及2分別可訂正256字元之資料内2位元之錯誤。依ECC方式2之瞬時記憶卡卞Ecc範圍」、Ecc範圍_2 、ECC範圍-3分散記憶對512字元之ECC符號。此時可訂正5 I2字元之資料内2位元之錯誤乂第49圖之PC卡轉接器102内之控制器ι〇3在瞬時記憶卡插入轉接器時瀆出ECC標誌範圍，辨別方式。第49圖中、選擇分別對應ECC方式1及£(：(：方式2之符號產生、及錯誤檢測電路。控制器中之c p U控制主電腦與緩衝器用RAM與瞬時記憶體間之資料之流動。又第“圖中之E C C %路並我硬體之必要性，當然亦可以軟體產生全部ECC符號等》又本發明並不受上述實施例之限制s在不超出本發明之主旨範圍可做各種變更3 上述實施例假定有2種ECC方式存在，惟並不限於2種方式。亦可設定3種以上之ECC方式。又、ECC方式之選擇亦含不使用£匚匚之選擇。在信賴性極高之瞬時記憶卡、或聲音領域等之資料無需特別高信賴性之領域等，E C C並非必需。此時、若上述E c c標誌本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ΙΊ 裝------訂-------線—_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本ί )

經濟部中央標準局員工消費合作社印製範圍内容爲”FFh，，則亦可定義爲未使用ECC。又上述只施例在每個瞬時記憶體定義ECC方式明並不受此限制。例如、貧以Ins #又早位、或區單位等任意單位轉換E C C方式亦可。此眭 ,„„ 此時、非早純在供给電源時辨別 ECC方式而在每;欠對前述所定單位存取時轉換ECC方式斯可。又例如、亦可假定將ECC方式i讀出之資料變換爲方式2再存儲之動作。又上述實施例以PC卡轉接器爲例説明，惟本實施例不限於PC卡轉接器。例如、g位式照相機或PDA、文字處理機、錄骨機等各種機器亦可同樣加以討論3如此使用本實施例即能以1個系統使用範圍極廣之瞬時記憶卡。如以上所述、依本實施例因能以〗個系統處理訂正錯誤算法不同之多數瞬時記憶卡，故可大爲提高通用性。 [發明之效果] 依本發明因對電子機器插入/拔出記憶媒體時以一定順序使兩者各種銷接觸或脱離故能提高動作之穩定性確實保護資料。更依本發明因以變換表變換邏輯位址與物理位址時，將少數個物理區分配於1個邏輯區，故可減低表所需之R A Μ 區域。更依本發明因使群集之段落不跨越消除單位之區，故可減少重寫資料時發生之消除次數及寫入次數。更依本發明因執行消除指令時開放物理區之管理區域同時亦消除其資料區域，故可提高其後執行寫入指令時之處本錄尺度適财_家標準（CNS) A4規格（21(5><297公# ) II------裝------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本f)

-IT 線 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（理速度。更依本發明因僅逐次製作邏輯區與物理區之對應關係中必要區域之對應關係，故可減低最低限度必要之r A Μ區更依本發明因將不良區調換爲冗餘區時，使各邏輯地帶在調換後存在各地帶之不良區數不超過所定値，故可提高產品之成品率。更依本發明因回應使用記憶^某體之種類選擇訂正錯誤算法’故可使用各種記憶媒體^高通用性。遏式之簡單説明：第1圖係記憶卡外觀圖。第2圖係瞬時記憶體之物理區構造圖。第3圖係個人電腦之資料圖。第4圖係瞬時記憶體之資料存儲方法圖。第5圖係瞬時記憶體之物理區構造圖。第6圖係瞬時記憶體之物理區構造圖。第7圖係瞬時記憶體之資料存儲方法圖。第8圖係先前例之邏輯.物理區變換表圖。第9圖係先前之記憶系統之邏輯位址及物理位址之變表構造圖。又第1 〇圖係64M位元N AND型瞬時記憶系統之邏輯位及物理位址之變換表構造圖。第1 1圖係瞬時記憶體之區位址之資料配置圖。第12圖係先前之D〇S格式之參數圖3 址 : -------染-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j 、-° 每--- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） —一 B7 五、發明説明（52 ) 第13圖係先前之重寫順序圖。第14圖係先前之重寫順序圖3 第I5圖係先前之重寫順序圖。第16圖係先前之消除指令之關係圖。彳時〈管理區域及資料區趙第17圖係瞬時記憶體之存错資科例圖。第18圖係瞬時記憶體之存儲資料例圖。第1 9圖係先前之系統圖。 f20圖係：發明之記憶系i所用記憶卡外觀圖。弟21圖係第20圖之卡各接頭之信號名圖。第22圖！用本發明之記憶系流程圖J万法^己憶系… ί23^^、卡之電源電壓與外觀之關係圖。第24 憶卡〈電源電壓與之電檢測方法圖。第2 5膚1m 5V專用連接器外觀圖。第26圖係3.3V專用連接器外觀圖。第27圖係5V及3.3V專用連接器外觀圖，經濟部中央標準局員工消費合作社印製第2 8圖係記憶卡之插拔檢測方法圖3 第29圖係記憶卡對應PC卡轉接器時之插拔檢測方法圖。第3 0圖係本發明之記憶系統之e C C資料構造圖。第3 1圖係本發明*之記憶系統之算出EC C編碼用之條件圖》第3 2圖係本發明之記憶系統之供給電源時之控制流程圖。 -55 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（53 ) 第J 3圖係本發明之記憶系統之邏輯位址/物理位址變換表製作流程圖。第3 4圖係本發明之記憶系統之邏輯位址與物理位址變換表構造圖。. 第35圖係本發明之記憶系統之讀出時流程圖。第36圖係本發明之記憶系統之寫進時流程圖。第37圖係本發明之DOS格式之參數圖。第3 8圖係本發明之重寫順序圖。第3 9圖係本發明之重窝順序圖。第4 0圖係本發明之重寫順序圖。‘ 第4 1圖發明之消除指令執行時之管理區域及資料區域之關係_$ 第4 本實施例之邏輯區.物理區變換表例圖。第43圖丨依本實施例之邏輯區_物理區變換表製作例圖。第4 4圖奋實施例之邏輯.物理區變換表圖。 .第4 5圖係實施例之物理區位置表現方法圖。第4 6圖係説明先前之調換不良區與冗餘區時之實施例圖。第47圖係說明調換不良區與冗餘區時之先前例圖。第48圖係説明以地帶分割爲前提調換不良區與冗餘區時之實施例圖。第49圖係本發明.之pc卡轉接器之構造圖。第5〇圖係將瞬時記憶卡插入Pc卡轉接器時之流程圖。

第5 1圖係本發明之第7實施例有關之瞬時記憶體之D Ο S 格式之參數圖3 本紙張尺度適用中國國家轉（⑽）以規似別讀） — I. 攀------、1T------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（54 ) 第5 2圖係E C C符號區域之使用方法圖。圖號說明· 1 . · ·塑膠封裝 2 . · ·瞬時記憶體

1 0 1 ...瞬時記憶卡 102 ·.· PC卡轉接器 1 〇 3 ·..控制器 1 0 4 . . ·振盘器 105 · · · RAM - --------裝------訂-------線一' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）

Claims

A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製申請專利範圍 L種記憶系統之控制方法，即使用藉連接器 (n e C10 r)插入弘子機器附加記憶功能之記憶媒體之記憶系统，其特徵爲：則迷ί己憶媒體包含GND接頭、電源接頭、控制接頭及資料輸出入接頭，月述連接益具有依序（Sequential)連接記憶媒體各接頭之功能，將則述記憶媒體插入前述_連接器時、在前述記憶媒體 ::屯源接頭及如述貝料輸出入接頭連接於連接器對應之接頭前、將前述記憶媒體之GND接頭及控制接頭連接於前述連接器對應之接頭。 2. -種m統之㈣方法，即使用藉連接器插入電子機器附加記憶功能之記憶媒體之記憶系統，其中：前述記憶媒體包含GND接頭、電源接頭、控制接頭及資料輸出入接頭，月ί述連接器具有依序（.Sequential)切斷前述記憶媒體各接頭之功能， “ 將前述記憶媒體自連接器拔出時、在前述記憶媒體之 GND接頭及控制接頭自前述連接器對應之接頭切斷前、將前述記憶媒體之電源接頭及前述資料輸出入接頭自前述連接器對應之接頭切斷。 3. 如申請專利範圍第〗項之記憶系統之控制方法，其中傳遞給前述控制接頭之信號爲指令閂鎖啓動（Command latch enable)信號。 -58 - (請先閲讀背面之注意事項*填寫本頁) •裝. ,ιτ 良纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4g ( 21〇><297公着）申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4.如申請專利範圍第2項之記憶系統之控制方法，其中傳遞给前述控制接頭之信號爲指令閃鎖啓動信號。 5 Γ種m统之控制方法，即使用藉連接器插入電子機器附加記憶功能之記憶媒體之記憶系統，其中： —前述記憶媒體包含GND接頭、電源接頭、第】控制接領、第2控制接頭及資料輸出入接頭，可述連接器具有依序連接記憶媒體各接頭之功能，將則述記憶媒體插入前述^連接器時、在前述記憶媒體之電源接頭及資料輸出入接 1 員連接於前述連接器對應= 接頭前、將前述記憶媒體之GND接頭及第1控制接頭連接於前述連接器對應之接頭，，將則迷資料輸出入接頭連接於前述連接器對應之接頭則、將1Γ述第2控制接頭連接於前述連接器對應之接頭。 6.種s己憶系統之控制方法，即使用藉連接器插入電子機益附加記憶功能之記憶媒體之記憶系統，其中：則述記憶媒體包含GND接頭、電源接頭、第】控制接頭、第2控制接頭及資料輸出入接頭，則述連接器具有依序連接前述記憶媒體各接頭之功能，將前述記憶媒體自前述連接器拔出時、在將前述第2 控制接頭自前述連接器對應之接頭切斷前、將前述資料輸出入接頭自前述連接器對應之接頭切斷，在前述記憶媒體之GND接頭及第1控制接頭自前述連接益對應之接頭切斷前、將前述記憶媒體之電源接頭及劢述資料輸出入接頭自前述連接器對應之接頭切斷。 (請先閲讀背面之注意事項#'填寫本頁) -¾------11------ 線---------- '! - I .... I I- « · 59 - 度適用中關家榡準（CNS ) A4· ( 2丨GX297公釐 1 i HI A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局負工消費合作社印製申請專利範圍 .種記憶系統之控制方法，即使用藉連接器插入電子機器附加記憶功能之記憶媒體之記憶系統，其中：韵述記憶媒體包含G N D接頭、電源接頭、第1控制接頭、第2控制接頭、資料輸出入接頭及插拔檢測用接頭，前述連接器具有依序連接前述記憶媒體各接頭之功能 9 將丽述記憶媒體插入前述連接器時、在前述記憶媒體 <電源接頭及前述資料輸出入接頭連接於前述連接器對應<接頭前、將前述記憶媒體之GND接頭及第1控制接頭連接於前述連接器對應之接頭；，知如述s己憶媒體之資料輸出入接頭連接於前述連接器對應心接頭前、將前述記憶媒體之第2控制接頭連接於前述連接器對應之接頭，將則述圮憶媒體之全部接頭插入後、將前述插拔檢測用接頭連接於前述連接器對應之接頭。 8·種έ己憶系統 < 控制方法，即使用藉連接器插入電子機器附加記憶功能之記憶媒體之記憶系統，其中：酌述记憶媒體包含G N D接頭、電源接頭、第i控制接颈、第2控制接頭、資料輸出入接頭及插拔檢測用接頭，則述連接器具有依序與前述記憶媒體各接頭切斷之功么匕月& ， · ⑯將则述圮憶媒體自前述連接器拔出時、在前述記憶媒 =〜貝料輸出入接頭自前述連接器對應之接頭切斷前、于4述》己隐媒之插拔檢測用接頭自前述連接器對應之 JJIJ.------裝------訂------線 (請先聞讀背面之汰意事項#·填寫本頁)

y\ 、申請專利範圍 A8 Βδ C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製接頭切斷，將前述記憶媒體之電源接頭及第2控制接頭自前述連接器對應之接頭切斷前、將前述記憶媒體之資料輸出入接頭自前述連接器對應之接頭切斷，將前述記憶媒體之GND接頭及第丨控制接頭自前述連接器對應之接頭切斷前、將前述記憶媒體之電源接頭^ 前述連接器對應之接頭切斷。 9如申請專利範圍第8項之記憶系統之控制方法，其中：前述記憶媒體之插拔檢測用— 接頭自前述連接器對應之接頭切斷、至前述記憶媒體之電源接頭自前述連接器對廡之接頭切斷之时述記憶媒體完成窝入或消除動作之: 設。夏 10. 如申請專利範圍第5項之記憶系統之控制方法，其傳遞給前述第1控制接頭之信號爲取進指令用之疒=. 而傳遞給前述第2控制接頭之信號爲將資料輸：：：活化之信號。. 牧崎非 11. 如申請專利範圍第6項之記憶系統之控制方法傳遞給前述第1控制接頭之信號爲取進指令用、二而傳遞給前述第2控制接頭之信號爲號活化之信號。任#非 12. 如申請專利範圍第7項之記憶系統利万法，農中. 傳遞給前述第1控制接頭之信號爲取 ". 疋日+用之彳士库而傳遞给前述第2控制接頭之信號爲將 D π，活化之信號。 ’针輸出接頭非 61 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） I ! 裝-- (請先間讀背面之)£.意事項·再填寫本頁〕 -訂· 線 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製申請專利範圍 13·如申請專利範圍第8項之記憶系統之控制方法，其中：傳遞给前述第1控制接頭之信號爲取進指令用之尸號而傳遞給前述第2控制接頭之信號爲將資料輸出^非活化之信號。 14·-種記憶系統之控制方法，即包含：系統管理之邏輯區，及由眾多記憶單元構成、記憶對應前述邏輯區之資料之物理區，及含在前述物理區中、記前述對應之邏輯區位址之冗餘部，及 ‘ 至少2以上之前述物理區構成之物理區範圍，製作：管理前述邏輯區與前述物理區範圍之對應關係之邏輯地址/物理地址變換表。 15·如申請專利範圍第1 4項之記憶系統之控制方法，其中：記憶體存取時、參考前述邏輯地址/物理地址變換表讀出對應前述邏輯區之物理區範圍之位址，讀出記憶在構成别述物理區範圍之至少2以上之物理區之前述冗餘部對應之邏輯區之位址，以選擇與前述邏輯區對應之物理區。 16_如申凊專利範圍第丨4項之記憶系統之控制方法，其中：在供给電源時、製作前述邏輯地址/物理地址變換表。 17· 一種記憶系統之控制方法，即將第1所定單位管理之文件記憶於分割爲第2所定單位之記憶區域之半導體記憶裝置，其中 -62 - 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)从祕（21GX297公董） ----------^------tr------^ (_先閲讀背面之由意事項•再填寫本育) 六圍範專請中 ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製使前述第1所定單位境界配置在前述第2所定單位境界上加以控制。 18亡申請專利範圍第17项之記憶系統之控制方法耵述第2所定單位爲消除單位。 19. 種§己憶系統之控制方法，即包含：系統管理之文_件，及記憶前述文件内容之資料區域，及記憶前述文件與資料區域— 之對應_之管理區域，在消除前述文件時、標Λ應前述管理區域之資料區域爲空區域之旨意，消除對應之前述資料區域3 20. 一種記憶系統之控制方法，即包含：系統管理之文件，及記憶前述文件内容之資料區域，及記憶前述文件與資料區域之對應關係之管理區域， .在消除前述文件時、標記對應前述管理區域之資料區域爲空區域之旨意，·依輸人記憶系統之信號檢測前述管理區域内容消除對應之資料區域。 21. —種非揮發性半導體記憶系統之控制方法，其中：將單凡陣列分割爲眾多個物理區，將此系統管理之前述邏輯區對應之息記憶在前述各物理區，當將管理前述蓮輯區與前述物理區之對應關係之表保持在前述系統之R A Μ上時，前述邏輯區與前述物理區之對應關係中、回應主電腦 I存取僅將所需區域之對應關係逐次製作在前述系統内本紙張尺度適财關家標準（CNS ) Α4· ( 210X297公瘦） J —J 裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項•再填寫本頁) 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局負工消費合作社印製

之RAM上》 22. 一種非揮發性半導體記憶系統之_方法，其中：將單心車列分割爲眾多個物理區，將此系㈣理之前述邏輯區對應之信息έ己憶在前述各物理區，當將管理前料輯區與前述物理區之制關係之表保持在前述系統之R A Μ上時，不將前述邏輯區與前述物理區之對應關係之全部經常保持在前述RAM上、回應f電腦之存取僅將所需區域足對應關係逐次製作在系統内之前述RAM上。 23. 如申請專利範圍第2丨項之記憶系統之控制方法，其中：構成前述物理區之非揮發性半導體記憶體係瞬時記憶體。 24. 如申請專利範圍第22項之記憶系統之控制方法，其中：構成前述物理區之非揮發性半導體記憶體係瞬時記憶體。 25 一種非揮發性半導體記憶系統之控制方法，其中：將非揮發性半導體記憶體之單元陣列分割爲眾多個物理區，將此系統管理之邏輯區對應之信息記憶在前述各物區’當將管理上述物理區與上述邏輯位址之對應關係位址變換表製作在此系統之RAM上時，分別集合至少I個以上物理區以構成眾多區域，將所定上述邏輯區位址範圍之資料控制存錯在所定述區域内，對上述非揮發性半導體記憶體存取時、隨要製作存儲該上述邏輯區位址之資料之對應上述區域上述位址變換表。 26.—種非揮發性半導體記憶系統之控制方法，即將非揮發 -64 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ΙΊ^ — τ------裝-- (請先閲讀背面之Vi.意事項•再填寫本頁) ,ιτ 理之線上需之 . - II · I -I - — . 經·濟部中央標準局負工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍性半導體記憶體之單元陣列分割爲眾多個物理區，將此系統管理之前述邏輯區對應之信息記憶在前述各物理區之記憶區域，將管理前述邏輯區與瞬時記憶體之物理區之對應關係之表形成在此系統之R A Μ上之控制方法，其中：將1個或眾多個前述物理區構成之區域確保在前述瞬時記憶體之單元陣列上，在每次記憶體存取時就存取對象之前述區域、搜索構成該區域之物理區之記憶區域、將管理邏輯區與物理區之對應關係之前述表製作在系統之RAM上，由使用該i即可選擇對應邏輯區之物理區。 ; 27.如申清專利範圍第25項之非揮發性半導體記憶系統之控制方法，其中：具有可將含缺陷單元之不良物理區選擇與冗餘物理區調換之功能，管理前述調換作業使對各前述區域、不良物理區數爲所定個數以下。 28·如申請專利範圍第2 6項之非揮發性半導體記憶系統之控制^法’其中：具有可將含缺陷單元之不良物理區選擇與冗餘物理區調換之功能，管理前述調換述區域 '不良物理隨爲所定個數以下。 29 —種非揮發性半導體記憶系統之控制方法，即可將數種 2裝置裝卸調換於本體之非揮發性半導體記憶系社 ^ 万法，其中回應裝在前述本二& 噴抵义；』k尽疋刖述i己憶裝置、、則本體具有之數種錯誤訂^ ^ ^ ^ 錯誤。艰構中所對應者以訂正衣紙張尺度適用中國 J — r------裝------訂------·線 (請先閲讀背面之·¾意事項-i-*填寫本頁) -65 -