JP4643315B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の第1実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の一構成例を示すブロック図である。本例は、不揮発性半導体記憶装置として、NAND型フラッシュメモリを例示するが、この発明は、NAND型フラッシュメモリに限って適用されるものはない。
入力された論理ブロックアドレスに対し、これに対応した物理ブロックを選択する。これは上述の通りである。
入力されたアドレスを物理ブロックアドレスとしてとらえ、入力されたアドレスに従った物理ブロックを選択する。
物理ブロックをアクセスするのではなく、入力された論理ブロックアドレスを内部データ保持部にデータとして書き込む。
00: データブロック
01: スペアブロック
11: バッドブロック
とする。
ブロックステータスレジスタ32の値が“00”のデータブロックについては、論理アドレスレジスタ31の値として論理ブロックアドレスが保持される。
マッピングテーブルが確定していないパワーオン時や、テスト時には、論理アドレスではなく物理アドレスでアクセスしたい場合がある。そこで、ブロックデコーダ3は、従来のブロックデコーダと同じ物理アドレスデコーダ35を備える。各物理ブロックに対応したアドレスが入力されるとPHYSiが“H”となる。そして、物理アクセスモード時、選択信号Selectに従って、マルチプレクサ34がPHYSiを選択する。
マッピングテーブルはダイナミックなテーブルである。メモリが書き込み/消去を繰り返すたびに、物理ブロック1〜物理ブロック5に対応する論理ブロックアドレスは変化する。そこで、テーブルデータ、つまりレジスタ31、32の値を更新する必要が生じる。
図5は、この発明の第2実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置が有するブロックデコーダの一構成例を示すブロック図である。
本例のブロックデコーダ3´は、信号IGNOREを“H”レベルとすると、論理和回路(OR)37の出力は、排他的論理和回路33-1の出力に関係なく、“H”レベルに固定される。このため、排他的論理和回路(EXOR)33-1による論理ブロックアドレス一致/不一致判定、及び排他的論理和回路(EXOR)33-2によるブロックステータス一致/不一致判定のうち、論理ブロックアドレス一致/不一致判定が無視される。即ち、論理和回路37は、排他的論理和回路33-1の出力に関係なく、この排他的論理和回路33-1の出力を無効とする。
この状態は、ブロックデコーダ3´を、例えば、第1実施形態において説明した論理アクセスモードのように使用したいときに設定される。
次に、この発明の実施形態に係る半導体集積回路装置を利用したアプリケーション例のいくつかを、第3実施形態として説明する。
Claims (5)
- メモリセルが接続されたワード線を含む複数のブロックと、
前記ワード線を選択するロウデコーダと、
前記ブロックを選択するブロックデコーダと、を備え、
前記ブロックデコーダは、前記複数のブロックに対応する論理ブロックアドレスを保持する論理アドレスレジスタ、及びブロックステータスを保持するブロックステータスレジスタを含み、入力されたブロックアドレス、及び入力されたブロックステータスの双方が、保持された論理ブロックアドレス、及び保持されたブロックステータスに一致するブロックを選択することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記ブロックデコーダは、物理アドレスデコーダを、さらに備え、
前記ブロックデコーダは、
論理アクセスモード時において、入力されたブロックアドレスが、前記保持された論理ブロックアドレスに一致するブロックを選択し、
物理アクセスモード時において、入力されたブロックアドレスを前記物理アドレスデコーダによってデコードし、デコード結果に従って、ブロックを選択することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記保持された論理ブロックアドレス、及び前記保持されたブロックステータスを更新するとき、
入力されたブロックアドレスを前記物理アドレスデコーダによってデコードし、デコード結果に従って、更新すべきブロックに対応した前記論理アドレスレジスタ、及び前記ブロックステータスレジスタを選択することを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路装置。 - 前記ブロックデコーダは、
入力されたブロックアドレスと前記保持された論理ブロックアドレスとの一致/不一致を検出する第1の一致/不一致検出回路と、
入力されたブロックステータスと前記保持されたブロックステータスとの一致/不一致を検出する第2の一致/不一致検出回路と、
前記第1の一致/不一致検出回路の出力を無効とする回路とを、さらに備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3いずれか一項に記載の半導体集積回路装置。 - メモリセルが接続されたワード線を含む複数のブロックと、
前記ワード線を選択するロウデコーダと、
前記ブロックを選択するブロックデコーダと、を備え、
前記ブロックデコーダは、入力されたブロックアドレスを、実メモリ空間の物理アドレスに変換する変換テーブルを含み、
前記変換テーブルは、前記複数のブロックに対応する論理ブロックアドレス及びブロックステータスを保持し、
前記ブロックデコーダは入力されたブロックアドレス、及び入力されたブロックステータスの双方が、保持された論理ブロックアドレス、及び保持されたブロックステータスに一致するブロックを選択することを特徴とする半導体集積回路装置。
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