JP2008300010A - メモリシステム及び不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
メモリシステム及び不揮発性半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008300010A JP2008300010A JP2007147605A JP2007147605A JP2008300010A JP 2008300010 A JP2008300010 A JP 2008300010A JP 2007147605 A JP2007147605 A JP 2007147605A JP 2007147605 A JP2007147605 A JP 2007147605A JP 2008300010 A JP2008300010 A JP 2008300010A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- semiconductor memory
- memory device
- nonvolatile semiconductor
- bus width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】不揮発性半導体記憶装置内のメモリセルに接続されるバスのバス幅を、コントローラから動作モードに応じて動的に切り替えることを可能にして、データ処理性能を向上し消費電流を低減するメモリシステム。
【解決手段】メモリシステムは、ページ単位でデータの書き込み及び読み出しが行われる複数のメモリセルと、前記メモリセルに接続されるバスと、を含む不揮発性半導体記憶装置と、外部のホスト装置からデータの書き込み要求及び読み出し要求を受け付けて、前記不揮発性半導体記憶装置に対するデータの書き込み動作及び読み出し動作を制御する制御部と、を具備し、前記制御部は、動作モードに応じて前記不揮発性半導体記憶装置内の前記バスのバス幅を切り替えるバス幅切り替え制御を行う。
【選択図】図2
【解決手段】メモリシステムは、ページ単位でデータの書き込み及び読み出しが行われる複数のメモリセルと、前記メモリセルに接続されるバスと、を含む不揮発性半導体記憶装置と、外部のホスト装置からデータの書き込み要求及び読み出し要求を受け付けて、前記不揮発性半導体記憶装置に対するデータの書き込み動作及び読み出し動作を制御する制御部と、を具備し、前記制御部は、動作モードに応じて前記不揮発性半導体記憶装置内の前記バスのバス幅を切り替えるバス幅切り替え制御を行う。
【選択図】図2
Description
本発明は、ページ単位でデータの書き込み及び読み出しを行うメモリシステム及び不揮発性半導体記憶装置に関する。
NAND型フラッシュメモリ等の不揮発性半導体記憶装置を搭載したメモリカードは、パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、携帯電話機等の携帯型電子機器(以下、ホスト装置という)に多く利用されている。
メモリカードとしては、ホスト装置との間でコマンドやデータを授受するコントローラと、NAND型フラッシュメモリ等の不揮発性半導体記憶装置と、を搭載したものがある。不揮発性半導体記憶装置内には、ページ単位でデータの読み出し/書き込みを行う複数のメモリセルが含まれている。
上記メモリカードでは、コントローラと不揮発性半導体記憶装置の間は、例えば、8ビットや16ビットのバス幅のI/Oバスで接続されている。このメモリカードでは、コントローラから不揮発性半導体記憶装置にアクセスする際のバス幅は固定であり、動作モードに応じて動的にバス幅を切り替えることはできない。
また、不揮発性半導体記憶装置では、製造コストの低減要求と、大容量化やアクセス速度向上等の高性能化の要求に応えるため、プロセスの微細化が進んでいる。このプロセスの微細化に伴って、不揮発性半導体記憶装置内で処理されるデータの信頼性を維持するため、ECC(Error Correcting Code )訂正能力の向上が必要となり、コントローラの回路規模が増大し、コントローラの消費電流が増加する傾向にある。
また、上記メモリカードでは、例えば、不揮発性半導体記憶装置に対してデータの上書きが発生した場合に、元のデータを別のブロックに引っ越す必要がある。このデータ引越しの際に、ページ単位でデータを他のブロックにコピーするページコピーモードを使用すると、データの上書きに関する処理性能が向上する反面、一定期間内に書き込みと読み出しが発生するため、メモリカード全体の平均消費電流が増大する。
また、特許文献1に記載された半導体集積回路では、8ビットのバス幅でアクセスする書き込みモードで16ビットのデータを書き込む場合に、書き込みコマンドライトサイクルを1回に短縮する技術が開示されている。しかし、アクセスするバス幅を動作モードに応じて動的に切り替える技術は開示されていない。
特開2001−202787号公報
本発明は、不揮発性半導体記憶装置内のメモリセルに接続されるバスのバス幅を、コントローラから動作モードに応じて動的に切り替えることを可能にして、データ処理性能を向上し消費電流を低減することが可能なメモリシステム及び不揮発性半導体記憶装置を提供することにある。
本発明の一実施形態に係るメモリシステムは、ページ単位でデータの書き込み及び読み出しが行われる複数のメモリセルと、前記メモリセルに接続されるバスと、を含む不揮発性半導体記憶装置と、外部のホスト装置からデータの書き込み要求及び読み出し要求を受け付けて、前記不揮発性半導体記憶装置に対するデータの書き込み動作及び読み出し動作を制御する制御部と、を具備し、前記制御部は、動作モードに応じて前記不揮発性半導体記憶装置内の前記バスのバス幅を切り替えるバス幅切り替え制御を行うことを特徴としている。
本発明の一実施形態によれば、不揮発性半導体記憶装置内のメモリセルに接続されるバスのバス幅を、コントローラから動作モードに応じて動的に切り替えることを可能にして、データ処理性能を向上し消費電流を低減するメモリシステム及び不揮発性半導体記憶装置を提供することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図1は、本発明のメモリシステムを適用した一実施形態に係るメモリカードの概略構成を示す図である。図1に示すようにメモリカード1は、コントローラ2及び不揮発性半導体記憶装置3を有する。コントローラ2は、CPU4、ROM5及びRAM6を有する。不揮発性半導体記憶装置3は、データキャッシュ7、ページバッファ8及びメモリセル21を有する。ここでは、不揮発性半導体記憶装置3の例としてNAND型フラッシュメモリを挙げて説明するが、不揮発性半導体記憶装置3はNAND型フラッシュメモリに限らず、例えば、NOR型フラッシュメモリ等でもよい。
コントローラ2は、ホスト装置30と接続される。コントローラ2は、ホスト装置30との間でコマンド、信号やデータを授受し、不揮発性半導体記憶装置1に対するデータ書き込み、データ読み出し、及び消去の各動作を制御するコマンドを生成する。ROM5は、データ書き込み、データ読み出し、及び消去の各動作を制御する制御プログラムを格納する。CPU4は、ホスト装置30からコマンド及びデータを受け付けて動作を開始し、ROM5に格納された制御プログラムをRAM6に展開し、制御プログラムに基づいて不揮発性半導体記憶装置3に対するデータ書き込み、データ読み出し、及び消去の各動作を制御するコマンドを生成する。また、CPU4は、ホスト装置30からのデータの読み出し要求コマンド及び書き込み要求コマンドを受け付けた時に、不揮発性半導体記憶装置3内のデータ読み出し/書き込み先を指示するコマンド及びアドレスシーケンスを生成して不揮発性半導体記憶装置3に出力する。RAM6は、ホスト装置30からのデータ読み出し/書き込み要求が短時間に重なった場合など、有効データを一時的に保持する。また、RAM6は、不揮発性半導体記憶装置3内で割り当てられるブロック単位の物理アドレス毎にデータの記憶状態(記憶済み、消去済み等)を管理する管理テーブル(図示せず)を格納する。不揮発性半導体記憶装置3は、CPU4から入力されるコマンドを受け付けて、不揮発性半導体記憶装置3に対するデータ読み出し動作、データ書き込み動作、及びデータ消去動作を実行する。
データキャッシュ7は、メモリセル21に対して読み出し/書き込みするページ単位のデータを一時的に記憶する記憶容量(例えば、2048+64=2112Byte)を有する。
ページバッファ8は、メモリセル21に対して読み出し/書き込みするページ単位のデータを一時的に記憶する記憶容量(例えば、2048+64=2112Byte)を有する。
メモリセル21は、マトリクス状に配列された複数のメモリセルから構成され、ページ単位(例えば、2048+64=2112Byte)でデータの書き込み及び読み出しが行われ、データの消去がブロック単位(例えば、64ページ)で行われる。
図2は、本発明の一実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置3の機能ブロック構成を示す図である。図2に示すように不揮発性半導体記憶装置3は、I/Oコントロール回路12、ロジックコントロール回路13、ステータスレジスタ14、アドレスレジスタ15、コマンドレジスタ16、制御回路17、電圧発生回路18、ロウデコーダ19、ロウアドレスバッファ20、メモリセル21、センスアンプ回路22、データレジスタ23、カラムデコーダ24、及びカラムバッファ25を備える。
I/Oコントロール回路12は、データ読み出し時又はデータ書き込み時に、外部入出力端子I/O1〜I/O16とデータレジスタ23との間でデータを授受する。また、I/Oコントロール回路12は、データ読み出し時又はデータ書き込み時に、外部入出力端子I/O1〜I/O16から入力されるアドレスデータをアドレスレジスタ15に出力する。また、I/Oコントロール回路12は、外部入出力端子I/O1〜I/O16から供給されるコマンドをコマンドレジスタ16に出力する。また、I/Oコントロール回路12は、ステータスレジスタ14から入力されるステータスデータ(チップ内部の種々の状態を外部に知らせるためのデータ)を外部入出力端子I/O1〜I/O16を介して外部のコントローラ2(図2)に出力する。
ロジックコントロール回路13は、外部から入力されるチップイネーブル信号CE、ライトイネーブル信号WE、リードイネーブル信号RE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、コマンドラッチイネーブル信号CLE、ライトプロテクト信号WP等の外部制御信号を制御回路7に出力する。
ステータスレジスタ14は、チップ内部の種々の状態を外部に知らせるためのものであって、チップがレディ/ビジー状態のいずれにあるかを示すデータを保持するレディ/ビジーレジスタ、書き込みのパス/フェイルを示すデータを保持する書き込みステータスレジスタ、誤書き込み状態の有無(誤書き込みベリファイのパス/フェイル)を示すデータを保持する誤書き込みステータスレジスタ、過書き込み状態の有無(過書き込みベリファイのパス/フェイル)を示すデータを保持する過書き込みステータスレジスタなどを有する。
アドレスレジスタ15は、I/Oコントロール回路12から入力されるアドレスデータをデコードして、ロウアドレスをロウアドレスバッファ20に出力し、カラムアドレスをカラムバッファ25に出力する。
コマンドレジスタ16は、I/Oコントロール回路12から入力されるコマンドを制御回路17に出力する。
制御回路17は、コマンドレジスタ16から入力されるコマンドをデコードして電圧発生回路18に出力する。また、制御回路17は、動作モードに応じてロジックコントロール回路13から入力される外部制御信号及びコマンドレジスタ16から入力されるコマンドに基づいて、データ書き込み、データ書き込み及びデータ消去のシーケンス制御を行う。また、制御回路17は、後述するデータ引越し及びデータ書き込みの各動作を制御する際に、メモリセル21にアクセスするI/Oバス幅を切り替えるI/Oバス幅切り替え制御を行う。制御回路17は、I/Oバス幅切り替え制御に対応するバス幅設定情報を記憶するためのI/Oバス幅レジスタ17aを有する。
電圧発生回路18は、動作モードに応じて種々の高電圧Vpp(書き込み電圧Vpgm、ベリファイ電圧Vr、書き込みパス電圧Vpass、読み出し電圧Vread等)を発生する回路である。この電圧発生回路18は、制御回路17により制御される。
ロウデコーダ19は、ロウアドレスバッファ20に記憶されたロウアドレス(ページアドレス)に基づいて、メモリセル21のワード線選択とワード線の駆動を行うワード線駆動回路を含む。
ロウアドレスバッファ20は、アドレスレジスタ15から入力されるロウアドレスを記憶する。
メモリセル21は、複数のNANDセルユニット(図示せず)を配列して構成される。各NANDセルユニットは、複数個の電気的に書き換え可能な不揮発性メモリセルと、その両端をそれぞれビット線とソース線に接続するための選択ゲートトランジスタを有する。メモリセルの制御ゲートは、それぞれ異なるワード線に接続される。選択ゲートトランジスタのゲートは、ワード線と並行する選択ゲート線に接続される。ワード線を共有するNANDセルユニットの集合は、データ消去の単位となるブロックを構成する。
センスアンプ回路22は、データ読み出し時、ロウデコーダ19及びカラムデコーダ24により選択された不揮発性メモリセルに記憶されたデータを読み出してデータレジスタ23に出力する。
データレジスタ23は、I/Oコントロール回路12との間を、8ビット又は16ビットのバス幅に切り替えて利用可能なI/Oバス26により接続されている。データレジスタ23は、データ読み出し時、センスアンプ回路22により読み出されたデータを、I/Oコントロール回路12を介して入出力端子I/O1〜I/O16に出力する。また、データレジスタ23は、データ書き込み時、外部コントローラ2から入出力端子I/O1〜I/O16及びI/Oコントロール回路12を介してロードされる書き込みデータを、センスアンプ回路22に出力する。
カラムデコーダ24は、カラムバッファ25に記憶されたカラムアドレスに基づいて、メモリセル21のビット線選択を行う。カラムバッファ25は、アドレスレジスタ15から入力されるカラムアドレスを記憶する。
I/Oバス26は、I/Oコントロール回路12とデータレジスタ23間を接続するバスであり、そのバス幅を8ビット又は16ビットに切り替えて利用可能である。このI/Oバス26におけるバス幅の設定は、上記制御回路17により行われる。
図3は、図1のメモリカード1が封入されたパッケージ40のピン配置を示す図である。図3において、パッケージ40は、その左右両側部に24ピンずつのピンが配置され、それぞれピン番号1〜48が設定されている。ピン番号6はグランドGND入力ピン、ピン番号7はレディ信号RY/ビジー信号BYを出力するピン、ピン番号8はリードイネーブル信号REを入力するピン、ピン番号9はチップイネーブル信号CEを入力するピン、ピン番号16はコマンドラッチイネーブル信号CLEを入力するピン、ピン番号17はアドレスラッチイネーブル信号ALEを入力するピン、ピン番号18はライトイネーブル信号WEを入力するピン、ピン番号19はライトプロテクト信号WPを入力するピン、ピン番号26〜33,40〜47はアドレス・データ・コマンドを入出力するI/Oポート1〜16ピン、ピン番号12,37は電源Vccピン、ピン番号13,25はグランドVssピン、である。その他のピン番号は未使用NCピンである。なお、図3に示した各ピン名称のうち、図2に示した不揮発性半導体記憶装置1内の同一名称の信号(I/O1〜I/O16,CE,WE,RE,ALE,CLE,WP,RY/BY)は、コントローラ2を介して不揮発性半導体記憶装置3に入出力される信号である。
(バス幅固定時のデータ引越し動作例)
本実施形態に係るメモリカード1内で、コントローラ2から不揮発性半導体記憶装置3にアクセスする際のバス幅を8ビットに固定して行うデータ引越し動作例について、図4を参照して説明する。図4は、データ引越し動作からデータ書き込み動作へと続く例を示した図である。なお、本実施形態に係るメモリカード1では、電源ON時に、コントローラ2から不揮発性半導体記憶装置3に対してI/Oバス幅を8ビットに設定するバス幅設定情報が設定される。不揮発性半導体記憶装置3は、コントローラ2から入力されたバス幅設定情報を制御回路17内のI/Oバス幅レジスタ17aに記憶し、制御回路17によりI/Oコントロール回路12とデータレジスタ23間のI/Oバス26を8ビットに設定する。
本実施形態に係るメモリカード1内で、コントローラ2から不揮発性半導体記憶装置3にアクセスする際のバス幅を8ビットに固定して行うデータ引越し動作例について、図4を参照して説明する。図4は、データ引越し動作からデータ書き込み動作へと続く例を示した図である。なお、本実施形態に係るメモリカード1では、電源ON時に、コントローラ2から不揮発性半導体記憶装置3に対してI/Oバス幅を8ビットに設定するバス幅設定情報が設定される。不揮発性半導体記憶装置3は、コントローラ2から入力されたバス幅設定情報を制御回路17内のI/Oバス幅レジスタ17aに記憶し、制御回路17によりI/Oコントロール回路12とデータレジスタ23間のI/Oバス26を8ビットに設定する。
図4において、(a)はデータ引越し動作及びデータキャッシュ動作に係るコマンド、アドレス及びデータの一例を示す図、(b)は不揮発性半導体記憶装置3内のデータアクセスに係るバス幅を示す図、(c)はデータ引越し動作時及びデータキャッシュ動作時に不揮発性半導体記憶装置3内で消費される消費電流イメージを示す図である。
図4では、コントローラ2がホスト装置30からデータ書込要求コマンドを受け付けて、不揮発性半導体記憶装置3に対してデータ上書き動作を行う場合を示す。データ上書き動作を行う場合、NANDセルユニットではデータの上書きが不可であるため、メモリセル21に割当て済みのブロックに記憶済みのデータを、メモリセル21内に新たに割り当てる別ブロックに引っ越す必要がある。データ引越し動作として、「Page Copy」モードを使用した例が図4である。
図4(a)において、コントローラ2内のCPU4は、ホスト装置30からデータ書込要求コマンドとデータを受け付けると、上記RAM6内に格納された管理テーブルを参照して、当該データが不揮発性半導体記憶装置3内に記憶済みか否かを確認する。この場合、CPU4は、当該データが不揮発性半導体記憶装置3内に記憶済みであることを確認し、同一データの上書きであることを認識して、「Page Copy」モードを使用したデータ引越し動作を開始する。
まず、CPU4は、図4(a)に示すコマンド「A1」、アドレス「Add.In」及びコマンド「A2」を生成して不揮発性半導体記憶装置3に出力する。コマンド「A1」はデータ読み出し先のアドレスを指示するコマンド、「Add.In」はメモリセル21内のデータ読み出し先のアドレスシーケンス(ページアドレス)、コマンド「A2」はデータ読み出し開始を指示するコマンドである。
不揮発性半導体記憶装置3は、上記コマンド「A1」、アドレス「Add.In」及びコマンド「A2」を受け付けると、メモリセル21内の該当アドレス(ページアドレス)からページ単位データを読み出す。具体的には、メモリセル21から読み出されたページ単位データは、図1のページバッファ8を介してデータキャッシュ7に読み出される。この不揮発性半導体記憶装置3により読み出されたページ単位データを、図4(a)では「Data Out」として示す。データキャッシュ7に読み出されたページ単位データは、CPU4においてECC(Error Correcting Code)処理が行われ、エラー訂正処理が行われる。
次に、CPU4は、図4(a)に示すコマンド「A3」、アドレス「Add.In」、データ「Data In」及びコマンド「A4」を生成して不揮発性半導体記憶装置3に出力する。コマンド「A3」はコピー先アドレスを指示するコマンド、「Add.In」はメモリセル21内のデータ上書き先及びコピー先のアドレスシーケンス(上書き先カラムアドレス及びコピー先ページアドレスを含む)、「Data In」はエラー訂正処理された実データ、コマンド「A4」はオートプログラムを指示するコマンドである。
不揮発性半導体記憶装置3は、上記コマンド「A3」、アドレス「Add.In」、データ「Data In」及びコマンド「A4」を受け付けると、メモリセル21内の該当カラムアドレスにエラー訂正された実データを上書きする。具体的には、先にデータキャッシュ7に読み出したページ単位データのうち、エラー訂正処理された実データのみが、上書き先カラムアドレスで指示されたカラムアドレスに上書きされる。この上書きされたページ単位データはページバッファ8を介してメモリセル21内の引越し先のページアドレスに書き込まれる。
また、上記ページ単位データのデータ書込動作期間中は、不揮発性半導体記憶装置3からコントローラ2に対してビジー信号BY(図示せず)が出力される。更に、不揮発性半導体記憶装置3は、このページ単位データのデータ書込動作期間中に、ビジー信号BYをレディ信号RYに切り替える。
次に、CPU4は、上記ビジー信号BYがレディ信号RYに切り替えられると、図4に示す「Cache Programming」モードを使用した次ページのデータキャッシュ動作を開始する。CPU4は、図4(a)に示すコマンド「A5」、アドレス「Add.In」、データ「Data In」及びコマンド「A6」を生成して不揮発性半導体記憶装置3に出力する。コマンド「A5」はデータキャッシュ先のアドレスを指示するコマンド、アドレス「Add.In」はメモリセル21内のデータ書込先のアドレスシーケンス(ページアドレス)、データ「Data In」は次ページのページ単位の実データ、コマンド「A6」はキャッシュ動作のオートプログラムを指示するコマンドである。
不揮発性半導体記憶装置3は、上記コマンド「A5」、アドレス「Add.In」、データ「Data In」及びコマンド「A6」を受け付けると、次ページのページ単位の実データをデータキャッシュ21に記憶する。なお、この時、不揮発性半導体記憶装置3では、上記データ引越動作に伴うページ単位データのメモリセル21への書込動作は継続中である。
したがって、上記「Page Copy」モードを使用したデータ引越し動作では、エラー訂正処理した実データを不揮発性半導体記憶装置3内でデータ上書き処理する際に、データ書込を指示するコマンドを省略できる。なお、上記データ上書き処理では、CPU4内でエラー訂正処理されたデータを上書きする場合を示したが、ECC処理においてデータのエラー訂正が不要である場合は、データ上書き処理は不要になる。また、上記「Cache Programming」モードを使用したデータキャッシュ動作では、不揮発性半導体記憶装置3においてページ単位データの書込動作中に、次ページのページ単位データをキャッシュ可能であるため、ページ単位データの書込動作を効率良く行うことができる。
上記データ引越し動作及びデータキャッシュ動作においては、図4(b)に示すように、I/Oコントロール回路12とデータレジスタ23の間を接続するI/Oバス26のバス幅は、8ビット(x8アクセス)に固定されている。この場合、上記不揮発性半導体記憶装置3内のデータ引越動作及びデータキャッシュ動作において、不揮発性半導体記憶装置3内で消費される消費電流のイメージは、図4(c)に示すようになる。
次に、図4と同様のデータ引越し動作及びデータキャッシュ動作を、I/Oバス26のバス幅を16ビットに固定して実行した例を図5に示す。図5において、(a)はデータ引越し動作及びデータキャッシュ動作に係るコマンド、アドレス及びデータの一例を示す図、(b)は不揮発性半導体記憶装置3内のデータアクセスに係るバス幅を示す図、(c)はデータ引越し動作時及びデータキャッシュ動作時に不揮発性半導体記憶装置3内で消費される消費電流イメージを示す図である。なお、図5に示すデータ引越し動作及びデータキャッシュ動作については、上記図4と同様であるため説明を省略する。
図4(c)及び図5(c)に示した各動作の消費電流イメージを比較すると、I/Oバス26のバス幅を8ビットに固定した場合は、データ引越し動作時、消費電流を抑えることができる反面、データキャッシュ動作時のシステム性能が低下する。また、I/Oバス26のバス幅を16ビットに固定した場合は、データキャッシュ動作時のシステム性能が向上する反面、データ引越し動作時の消費電流が増加する。
以上のように、不揮発性半導体記憶装置3内でI/Oバス26のバス幅を固定とした例として、8ビットの場合と16ビットの場合を示したが、何れのビット幅の設定においてもシステム性能の向上と消費電流の低下を両立するには至っていない。以下、不揮発性半導体記憶装置3の動作状態に応じてI/Oバス26のバス幅を切り替えて、システム性能の向上と消費電流の低下を両立する例を説明する。
(バス幅切り替え時のデータ引越し動作例)
次に、本実施形態に係るメモリカード1内で、不揮発性半導体記憶装置3の動作状態に応じてI/Oバス26のバス幅を切り替える引越し動作及びデータキャッシュ動作の例を図6に示す。図6において、(a)はデータ引越し動作、I/Oバス幅切り替え動作及びデータキャッシュ動作に係るコマンド、アドレス及びデータの一例を示す図、(b)は不揮発性半導体記憶装置3内のデータアクセスに係るバス幅を示す図、(c)はデータ引越し動作時及びデータキャッシュ動作時に不揮発性半導体記憶装置3内で消費される消費電流イメージを示す図である。なお、図6に示すデータ引越し動作及びデータキャッシュ動作については、上記図4と同様であるため説明を省略する。
次に、本実施形態に係るメモリカード1内で、不揮発性半導体記憶装置3の動作状態に応じてI/Oバス26のバス幅を切り替える引越し動作及びデータキャッシュ動作の例を図6に示す。図6において、(a)はデータ引越し動作、I/Oバス幅切り替え動作及びデータキャッシュ動作に係るコマンド、アドレス及びデータの一例を示す図、(b)は不揮発性半導体記憶装置3内のデータアクセスに係るバス幅を示す図、(c)はデータ引越し動作時及びデータキャッシュ動作時に不揮発性半導体記憶装置3内で消費される消費電流イメージを示す図である。なお、図6に示すデータ引越し動作及びデータキャッシュ動作については、上記図4と同様であるため説明を省略する。
図6(a)において、上記「Page Copy」モードを使用したデータ引越動作を実行する前に、不揮発性半導体記憶装置3内の制御回路17のI/Oバス幅レジスタ17aには、コントローラ2により8ビットのバス幅を設定するバス幅設定情報が記憶される。このため、制御回路17によりI/Oコントロール回路12とデータレジスタ23間のI/Oバス26は8ビットに設定された状態(図6(b)参照)で、上記「Page Copy」モードを使用したデータ引越動作が実行される。
次に、コントローラ2は、上記「Page Copy」モードを使用したデータ引越動作を実行したことを前提として、不揮発性半導体記憶装置3内のI/Oバス26のバス幅の設定を8ビットから16ビットに切り替えるI/Oバス幅切り替え動作を開始する。
CPU4は、I/Oバス26のバス幅の設定を8ビットから16ビットに切り替えるため、図6(a)に示すコマンド「AA」、アドレス「Add.In」及びデータ「Data In」を生成して不揮発性半導体記憶装置3に出力する。コマンド「AA」はバス幅切り替えを指示するコマンド、アドレス「Add.In」はI/Oバス幅レジスタ17aを指示するアドレス、データ「Data In」は16ビットのバス幅を設定するバス幅設定情報である。
不揮発性半導体記憶装置3は、上記コマンド「AA」、アドレス「Add.In」及びデータ「Data In」を受け付けると、16ビットのバス幅を設定するバス幅設定情報を制御回路17内のI/Oバス幅レジスタ17aに記憶するとともに、制御回路17によりI/Oバス26のバス幅設定を8ビットから16ビットに切り替える(図6(b)参照)。
以上のI/Oバス幅切り替え動作により不揮発性半導体記憶装置3内のI/Oバス26のバス幅は16ビットに設定された状態(図6(b)参照)で、以後、上記「Cache Programming」モードを使用したデータキャッシュ動作が実行される。この場合、上記不揮発性半導体記憶装置3内のデータ引越動作及びデータキャッシュ動作において、不揮発性半導体記憶装置3内で消費される消費電流のイメージは、図6(c)に示すようになる。
次に、図4(c)及び図5(c)に示した各動作の消費電流イメージと、図6(c)に示した各動作の消費電流イメージを比較する。図6に示したように、データ引越動作時はI/Oバス26のバス幅を8ビットとすることにより、図4(c)に示した消費電流イメージと同様に、消費電流を抑えることができる。また、データキャッシュ動作時はI/Oバス26のバス幅を16ビットに切り替えることにより、図5(c)に示した消費電流イメージと同様に、システム性能を向上させることができる。すなわち、不揮発性半導体記憶装置3の動作状態に応じてI/Oバス26のバス幅を切り替えることにより、システム性能の向上と消費電流の低下を両立させることが可能になる。
したがって、不揮発性半導体記憶装置内のメモリセルに接続されるバスのバス幅を、コントローラから動作モードに応じて動的に切り替えることを可能にして、データ処理性能を向上し消費電流を低減するメモリシステム及び不揮発性半導体記憶装置を提供することが可能になる。
なお、上記実施形態では、本発明のメモリシステムをメモリカードに適用した場合を示したが、これに限るものではない。本発明のメモリシステムは、例えば、上記メモリカードと同様の構成がプリント基板に実装される製品等にも適用可能であり、その実装形態を限定するものではない。
1 メモリカード
2 コントローラ
3 不揮発性半導体記憶装置
4 CPU
5 ROM
6 RAM
7 データキャッシュ
8 ページバッファ
12 I/Oコントロール回路
13 ロジックコントロール回路
14 ステータスレジスタ
15 アドレスレジスタ
16 コマンドレジスタ
17 制御回路
17a I/Oバス幅レジスタ
18 電圧発生回路
19 ロウデコーダ
20 ロウアドレスバッファ
21 メモリセル
22 センスアンプ回路
23 データレジスタ
24 カラムデコーダ
25 カラムバッファ
26 I/Oバス
2 コントローラ
3 不揮発性半導体記憶装置
4 CPU
5 ROM
6 RAM
7 データキャッシュ
8 ページバッファ
12 I/Oコントロール回路
13 ロジックコントロール回路
14 ステータスレジスタ
15 アドレスレジスタ
16 コマンドレジスタ
17 制御回路
17a I/Oバス幅レジスタ
18 電圧発生回路
19 ロウデコーダ
20 ロウアドレスバッファ
21 メモリセル
22 センスアンプ回路
23 データレジスタ
24 カラムデコーダ
25 カラムバッファ
26 I/Oバス
Claims (5)
- ページ単位でデータの書き込み及び読み出しが行われる複数のメモリセルと、前記メモリセルに接続されるバスと、を含む不揮発性半導体記憶装置と、
外部のホスト装置からデータの書き込み要求及び読み出し要求を受け付けて、前記不揮発性半導体記憶装置に対するデータの書き込み動作及び読み出し動作を制御する制御部と、を具備し、
前記制御部は、動作モードに応じて前記不揮発性半導体記憶装置内の前記バスのバス幅を切り替えるバス幅切り替え制御を行うことを特徴とするメモリシステム。 - 前記制御部は、前記バス幅切り替え制御を行う際にバス幅切り替えコマンドを生成して前記不揮発性半導体記憶装置に出力し、
前記不揮発性半導体記憶装置は、前記バス幅切り替えコマンドを受け付けると前記バスのバス幅を切り替えること、
を特徴とする請求項1記載のメモリシステム。 - 前記制御部は、前記バス幅切り替えコマンドとともに前記バス幅を設定するバス幅設定情報を生成して前記不揮発性半導体記憶装置に出力し、
前記不揮発性半導体記憶装置は、前記バス幅切り替えコマンドとともに前記バス幅設定情報を受け付けると前記バスのバス幅を切り替えること、
を特徴とする請求項2記載のメモリシステム。 - 前記不揮発性半導体記憶装置は、前記バス幅設定情報を記憶する記憶部を具備すること、
を特徴とする請求項3記載のメモリシステム。 - 外部の制御部とバスを介して接続され、ページ単位でデータの書き込み及び読み出しが行われる複数のメモリセルと、
動作モードに応じて前記制御部から入力されるバス幅切り替えコマンドに応じて、前記バスのバス幅を切り替える制御回路と、
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007147605A JP2008300010A (ja) | 2007-06-04 | 2007-06-04 | メモリシステム及び不揮発性半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007147605A JP2008300010A (ja) | 2007-06-04 | 2007-06-04 | メモリシステム及び不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008300010A true JP2008300010A (ja) | 2008-12-11 |
Family
ID=40173365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007147605A Pending JP2008300010A (ja) | 2007-06-04 | 2007-06-04 | メモリシステム及び不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008300010A (ja) |
-
2007
- 2007-06-04 JP JP2007147605A patent/JP2008300010A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107871521B (zh) | 半导体存储装置、快闪存储器及其连续读出方法 | |
TWI391936B (zh) | 記憶體裝置架構以及操作 | |
US8320200B2 (en) | Semiconductor storage device and method of reading data therefrom | |
KR100626393B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 멀티-페이지 카피백 방법 | |
JP5016841B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US20030117846A1 (en) | Semiconductor memory system with a data copying function and a data copy method for the same | |
JP2008112285A (ja) | 不揮発性メモリシステム | |
US11727992B2 (en) | Semiconductor memory device | |
JP4034971B2 (ja) | メモリコントローラおよびメモリシステム装置 | |
JP4254932B2 (ja) | メモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム | |
WO2006067839A1 (ja) | 記憶装置及びコントローラ | |
US20100329027A1 (en) | Nonvolatile memory device and method of operating the same | |
JP4177292B2 (ja) | メモリンコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 | |
JP2005292925A (ja) | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法 | |
JP2008300010A (ja) | メモリシステム及び不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2009043110A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR20030038320A (ko) | 반도체 메모리 | |
US8886989B2 (en) | Memory device | |
JP4304167B2 (ja) | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 | |
JP2004273117A (ja) | 複合化フラッシュメモリを搭載した半導体装置及び携帯用機器 | |
JP2008009945A (ja) | メモリシステム | |
JP4561110B2 (ja) | メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法 | |
JP4282410B2 (ja) | フラッシュメモリの制御回路、並びに、この制御回路を備えるメモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム | |
JP4366283B2 (ja) | メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム | |
JP2006040170A (ja) | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 |