TW383429B - Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration in the bulk and a good DZ layer - Google Patents

Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration in the bulk and a good DZ layer Download PDF

Info

Publication number
TW383429B
TW383429B TW086112288A TW86112288A TW383429B TW 383429 B TW383429 B TW 383429B TW 086112288 A TW086112288 A TW 086112288A TW 86112288 A TW86112288 A TW 86112288A TW 383429 B TW383429 B TW 383429B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
temperature
wafer
bmd
layer
concentration
Prior art date
Application number
TW086112288A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenro Hayashi
Jun Yoshikawa
Katsuhiro Chaki
Hiroyuki Saito
Ryuji Takeda
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP07709395A external-priority patent/JP3172389B2/ja
Priority claimed from JP08452495A external-priority patent/JP3172390B2/ja
Priority claimed from JP18325095A external-priority patent/JP3171308B2/ja
Application filed by Toshiba Ceramics Co filed Critical Toshiba Ceramics Co
Application granted granted Critical
Publication of TW383429B publication Critical patent/TW383429B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C30B15/206—Controlling or regulating the thermal history of growing the ingot
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
    • H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
    • H01L21/3225—Thermally inducing defects using oxygen present in the silicon body for intrinsic gettering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 s A 7 l _ B7 v 五、發明説明（1 ) 發明之背景 1. 發明之領域 本發明係關於半導體裝置用之矽晶圓及其製法。本發明 亦關於VLSI等半導體裝置所用之高品質矽晶圓。 2. 相關技藝之説明 矽晶圓係自單一結晶矽錠切割、。矽單晶可藉Czochralski法 而製造，其中材料聚矽置於石英玻璃（Si〇2)之坩堝，在藉加 熱而溶化時，拉出珍單晶並且藉由使用籽晶而生長。 一般而言，氧溶於Czochralski法製造之梦單晶。其乃由於 I ' 氧自石英坩堝溶入熔融矽液體之現象。在拉出單晶後之冷 卻步驟，造成具有由固化溫度（1,420°C )至室溫之溫度歷史（ 冷卻歷史），使得在各溫度其中形成缺陷。 許多型式之缺陷中，爲在500-450°C之溫度降低製程，尺 寸爲0.6-0.9 nm之超..4、氡1積（embryo)。在熱處理製程，如裝 '置形成製程，單晶之拉出後，embryo變成沈積晶核並且，生 長成氫沈積（BMD)。BMD在晶圓表面層（其變成裝置活性層） •之沈積爲不希望的，因爲如此造成生成裝置之失敗（例如， 漏電）。 另一方面·，發生於晶圓内部之BMD爲有用之缺陷，因爲 其捕獲被污染之金屬。其稱爲固有聚集（IG)效應。
”HI晶圓”（商標）爲其中在裝置形成製程前，BMD正面地 引入晶圓内部之南品質晶圓。更特別地’ BMD層形成於内 部，而且表面藉由在1，100-1，300°C之氫氣氣氛處理鏡面抛光 、切割晶圓0.1至數小時，而與DZ(剥蝕區）層一起形成。DZ -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） —---------裝-- * (請先閱讀背面之注意事項\^寫本買) 訂 —線 i _ A7 B7 五、發明説明（ 層表示其中不小於20 nm之氧沈積之濃度不高於103公分_3之 無缺陷層。 將變成沈積晶核之embryo(超小氧沈積）之濃度與尺寸，強 烈地視單晶之拉出時之熱應用歷史及熔融矽液體之狀態而 定。因此，BMD之濃度與尺寸，其在氫氣處理自embryo晶 核生長，視以上之條件而大爲改變，生成梦晶圓產物之品. 質之變化。 然而，技術上非常難以嚴格地制單晶拉出條件。因此 ，視爲難以藉由正確地控制自embryo晶核生長之BMD之濃 度與尺寸，而改良矽晶圓之品質。 以下之測量通常取爲自變成裝置活性層之層排除BMD : 造成表面層之氧向外擴散，並且使晶圓在氫、氬等之惰氣 氣氛接受高温熱處_理，而自其散逸；及藉由在氫氣氣氛降 低矽烷型氣體，而在晶圓表面形成取向附生層。通常，這 些熱處理在高達之_^度進行，因爲氧在矽 晶之擴散速度非常低。 然而，在高於1，000°C之溫度，矽晶趨於塑性地變形。因 此，在高溫熱處理時，在晶圓平面大於特定程度之溫度差 可造成塑性變形，生長滑動缺陷。例如，當晶圓之平均溫 度爲1，200°C時，可發生滑動缺陷，即使晶圓之中央對周園 溫度差小至數度。 一般而言，對直徑小於150毫米（6英吋）之晶圓之熱處理 使用水平爐，而對150毫米之晶圓及不小於200毫米（8英吋） 之晶圓的熱處理使用垂直爐。在這些爐，使用金屬加熱器 5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 請 先 閣 讀 背 之 注 意 事 項 裝 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 ε Α7 , Λ __‘ _Β7_ 五、發明説明（3 ) 以加熱爐之全部内部空間。 請 閱 讀 背 Λ 之 注 意 事 項 D 5裝 頁 另一方面，在高於數百度攝氏之高溫處理僅持續短時間 之製程，使用單一型（晶圓接晶圓型）裝置爲方便皀的，其 以燈等正確地控制單晶圓之溫度，並且減少爐内部之熱容 量，而以高速率增加及降低溫度。 晶圓溫度降低或特別是增加時，晶圓平面之溫度差最大 。一種防止滑動缺陷之加熱方法爲以低至幾乎維持平衡狀 態之速率增加溫度。雖然此缓慢溫度增加方法適於供應許 多晶圓之大型爐，因爲增加之製程時間，其無法提供比特 定程度高之生產力。 訂 另一方面，雖然單一型裝置可藉由在晶圓平面藉由對單 晶圓供應最適量之熱，以最適化溫度分佈，而防止滑動缺 陷，因爲處理少量之晶圓，其無法充份地改良生產力。 一般而言，如上所述，BMD藉由造成表面層之氧向外擴 散，並且使晶圓在氫、氬等之惰氣氣氛接受高溫熱處理， 而自其散逸，及藉由在氳氣氣氛降低矽烷型氣體，而在晶 圓表面形成取向附生層，而自變成裝置活性層之層去除。 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 特別是在用於如VLSI之半導體裝置之高品質晶圓之情形 ，如果晶圓.被即使是非常少量之金屬雜質，或甚至存在於 變成活性層之晶圓層（表面層至lOy m之深度）之少量細微 缺陷污染，裝置特徵與可靠度降低。因此，對於以上之習 知方法，難以以高產率製造高度積體裝置用之高品質晶圓 爲了解決此問題，本申請人已提議製造高品質矽晶圓用 6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2Ι0Χ297公釐） A7 B7 五、發明説明（ 之許多方法，這些方法基於固有聚集（IG)法（參見曰本未審 查專利公告Hei. 6-295912與Hei. 6-295913及日本專利申請案 Hei. 6-229765與 Hei. 6-229766)。 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 填 窝 本 頁 IG法可藉由使晶圓接受袞熱處理以向外擴散氧，而形成 在變成裝置活性層之層僅具有少量缺陷之D Z層。此外，在 IG法，整體產生之BMD可造成矽基質之變形，而謗發而次 移位與堆疊錯誤，其可獲得金屬雜質。 在本申請人提議之方法，實行前階段熱處理以引發錠之 熱履歷，及供應寬氧濃度範圍之晶圓。因Λ：，前階段·熱處 理意圖均勻化BMD之濃度與尺寸》然而，實務上、在變成 裝置活性層之層難以完全向外擴散細微沈積。另一方面， 這些方法具有增加數量之熱處理步驟之缺點，其增加成本 9 詳細考量現在由伴隨高品質晶圓製造之技術問題而產，生 。藉由在100%還原氣體或100%惰氣實行上述之高溫熱處理 ，晶圓表面與DZ層一起形成，而且整體地形成BMD層，两 提供特定程度之IG效果。 經濟部中央標準局員工消费合作社印装 熱處理方法包括溫度增加製程、溫度保持製程、及溫度 降低製程。.例如，自室溫至l，000eC之溫度增加速率爲10°C / 分鐘，及自l，000eC至1，200°C爲3°C/分鐘。溫度保持於1，200 °C超過1小時，然後以3°C/分鐘之速率自丨，200。。降低至800°C。 在溫度增加製程，溫度增加速率設定爲非常低，以防止 滑動移位，及由於爐相關限制。在此逐漸之溫度增加， BMD整體生長，而且氧之向外擴散發生於表面層，而降低 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（ A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 在此之氧濃度。達到保持溫度後，在表面層加速氧之向外 擴散及生成之BMD消失。整體上，氧在晶圓擴散而且BMD 收縮，但是其並未消失，因爲氧之量並未降低太多。 在温度降低製程，由於其低速率，理論上BMD應生長， 即使在表面層。然而，實務上，由於氧之量因向外擴散而 降低，BMD並未生長而允許D Z層之形成。另一方面，BMD 進一步整體沈積及生長。 依照本發明之實驗，在以上之熱處理方法，熱處理後之 BMD濃度視晶圓之起始氧濃度而定。如圖6之星號"# ”所示 ，：BMD濃度隨起始氧濃度增加而增加。 如由圖6所見，在具有超過1.6X 1018原子/公分3之起始氧 濃度之晶圓之情形，超過1(?19公分之BMD藉以上熱處理而 形成。具有如此多BMD之晶圓在金屬雜質聚集效應優異。 但是BMD在變成裝置活性層之層與其鄰近之存在，.在裝置 特徵爲不利的。此外，過量之BMD降低晶圓之機械強度。 在最後之晶圓，高度積體記憶裝置，使變成活性層之層 比在裝置形成製程引入之聚集金屬雜質更接近無缺陷層（橫 向意義）更重要。如此，即使具有接近無缺陷層與低BMD濃 度之晶圓之需求，上述方法仍難以以低成本製造此晶圓。 發明之概要 關於此技藝之以上問題，本發明之目的爲藉由調整BMD 濃度而製造品質穩定之矽晶圓。. 本發明之另一目的爲有效率地以低成本製造一種矽晶圓 ，其具有DZ層（無缺陷層）且實質上不含滑動缺陷（slip defect)。 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（C.NS ) A4規格（210X297公釐） 請 先 閲 讀 背 Sr 之 注 意 事 項 裝 訂 線 A7 B7 五、發明説明（6 本發明之另一目的爲製造在變成裝置活性層之層具有低 的整體BMD濃度與高程度無缺陷之高品質矽晶圓，即使由 具有高氧濃度之晶圓開始。 依照本發明之第一狀態，提供矽晶圓之製法，包含以下 步驟： 引發由單晶矽錠製遠之晶圓之熱履歷，而控制超小氧沈 積之濃度；及 造成再沈積晶核生長同時控制之。. 依照本發明之第二狀態，提供矽晶圓之製法，包含以下 步驟： 將由早晶珍鍵製造之晶圓安置於爐.内； 以15至1,000°C/分鐘之第一速率，增加晶圓溫度至800°C至 1，000°C之範圍；及 以第二、低速率，增加晶圓溫度至l，〇〇〇°C至1，300°C之範 圍；及 保持晶圓溫度於l，l〇〇°C至1，300°C之範圍，不小於5分鐘。 依照本發明之第三狀態，.提供矽晶圓之製法，包含以下 步驟： ^ 製備具有1.4-1.8X 1018原子/公分3之空隙氧濃度之矽晶圓； 將珍晶圓安置於爐内； 以包括氫與惰氣至少之一之氣氛充填爐； 以15至100°C /分鐘之第一速率，增加晶圓溫度至室溫至 900°C之範園，及以1至15°C/分鐘之第二速率至900°C至保持 溫度之範園；及 保持晶圓溫度於保持溫度1分鐘至48小時，其在1,100°C至 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 裝 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（7 A7 B7 1，300°C之範圍。 圖式之簡要説明 圖1爲顯示依照本發明第一具體實施例之製法之溫度圖表 圖 圖2爲略示本發明第一具體實施屬製造之.矽晶圓之横切面 9 圖3爲顯示滑動居生—之條件-範.圍_之圖表； 圖4爲顯示依照本發明第二具體.實施例之農法之/溫度屬表 請 先 閲 讀 背 之 注 意 事 項 α5裝 頁 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 圖5爲顯示依照本發明第三具體、實施例之製法與習知製法 之溫度圖表；及 圖6專顯示起始氧濃度與BMD濃度間.之關.係之圖。 較佳具體實施例之説明 具體實施例1 依照此具體實施例之矽晶圓製法使用藉由切割單晶矽錠 而得之晶圓，並且包括控制超小氧沈積（embryo)濃度之熱 履歷引發步驟，及造成沈積晶核再度生長同時控制之經控 制晶核生長步驟。使用這些步驟，亦控制embryo之尺寸。 其中氧沈.積（BMD)濃度已調整至106至1010公分_3之BMD濃 度調整層，藉熱履歷引發步驟與經控制晶核生長步驟而形 成於各晶圓之内側。氧沈積濃度之更佳範圍爲107至109公 分·3。如果氧沈積濃度低於106公分_3，IG效應不足，而如果 氧沈積濃度高於ίοig公分_3，因爲其不足之機械強度而易在 晶圓發生滑動。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 訂 線 五、發明説明（8 ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 希望藉由切割單晶矽錠而製造之晶圓之空隙氧濃度〇丨爲 1.2-1.8 X 1018原子/公分3。空隙氧濃度在此範圍之外之處， 即使使用熱履歷引發步驟與經控制晶核生長步驟，亦難以 足夠地增加BMD濃度，即，得到足夠程度之IG效應。 熱履歷引發步驟爲其中晶圓在較佳爲包括氫、氦、與氬 至少之一之氣氛加熱，同時溫度以15-1，000°C分鐘之速率， 增加至700°C至1，000°C之範圍之熱處理步驟。如果溫度增加 速率在此範圍之外，無法確定完全引發embryo之濃度與尺 寸，即，保留一些變化。即，熱履歷無法藉由使embryo在 溶解狀態而引發。 經控制晶核生長步驟爲在較佳爲包括氫、氦、與氬至少 之一之氣氛實行之熱處理步驟，其中溫度在850°C至980°C 之範圍保持固定0.5-60分鐘。以以上之方式，於經控制晶核 生長步驟藉由造成沈積晶核再度生長，同時控制之，而得 到BMD之穩定沈積。 熱履歷引發步驟與經控制晶核生長步驟後，可在包括氫 、氦、與氬至少之一之氣氛，實行其中晶圓加熱同時溫度 以0.5-5°C /分鐘之速率增加至1,000°C至1,300°C之範圍之熱處 理，及其中·溫度在1,100°C至1,300°C之範圍保持固定不小於 5分鐘之熱處理。如此造成BMD在各晶圓内部之穩定沈積（ 生長），及使晶圓表面與DZ層一起形成。 DZ層表示無缺陷層，其中不小於20 nm之氧沈積（BMD)之 濃度不高於1〇3公分-3。希望DZ層以至少3 # m之厚度由晶圓 表面形成。如果DZ層比3ym薄，可發生如在裝置形成步 11 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 先 閲 讀 背 之 注 意 項 责 裝 訂 五、發明説明（9 A7 B7 驟漏電之失敗，使高品質矽晶圓之製造失效。 圖！顯示此具體實施例之熱處理步躁之溫度應用時間表。 在圖1，"溫度增加速率·！"與"保持溫度十（"保持時間_ 各對應熱履歷引發步驟與經控制晶核生長步聲。在對應"溫 度增加速率_2"與"處理溫度-3"("處理時間_3")之步“骤: BMD在各晶圓之内侧穩定地沈積（生長），而且晶圓表面與 DZ層一起形成。 圖2爲略示地顯示此具體實施例製造之矽晶圓之切面圖。 矽晶圓11包括内部BMD濃度調整層13與£)2層12。中間層（ 未示）通常形成於層12與13之間。 石夕SB圓_«際上依照此具體實施例之方法與習知方法而製 造，並且彼此比較這些晶圓。 首先’單晶砍錠藉由在許多不同條件下拉出，並且切成 晶圓。表1顯示所測氧濃度値之結果。 這些晶圓在表2所示之處理條件下接受熱處理。對各條件 製備5個晶圓，且一起熱處理。在習知方法，在增加溫度中 間之85 0-980°C並未實行保持步驟。 熱處理後’生成之珍晶圓接受BMD濃度測量，其結果示 於表3。. 請 先 聞 讀 背 之 注 意 I α 裝 頁 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21 Οχ 297公釐） A7 B7 五、發明説明（1Q表1
拉出條件 氧濃度〇i (原子/ c m 3) A 1.35X 1018 B 1.35 X 1018 C 1.55X 1018 D 1.55X 1018 E 1.60X 1018 F 1.60X 101S 請 先 閲 讀 背 Φ 之 注 意事 項 裝 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（ 11 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Μ j-» H-* UD CD cn Ln OJ K3 H· 條件號碼1 Η2-50% Ar-50% _ He-100% Ar-100% H?-100% H.广! 0 0 % H? -10 0 % Hz-100% r〇 1 〇 〇 ctf> rv> 1 1—* o o h2-ioo% i H2-100% I H2-100% H2 —100% H2-100% Hp 10 0 % H^·" 10 0 % Μ 渐.. \ 7 00 700 700 7 00 7 00 7 00 700 7 00 700 7 00 700 | .700 700 700 800 7 00 二蓉 n y 一i辟 to NO to to to to o ro ro to to to U) to to 〇'§- 3^ 一 1 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 980 850 900 . 900 900 900 保持溫度' (°c) ro to to N3 fO to to CTv H-* to ro NJ 〇 to K) o 福:持-)丨月間 (min) (Ο to CO to ro OJ to fO CO to to fO to ro 增加速率-2 (°C/min) 1,200 1,200 1,200 1,200 1,200 1, 250 .1,100 1,200 1,200 . 1,200 1,200 i 1,200 1,200 1,200 ..1,200 1,200 處理溫度-3 . ·- '(°C) σ\ cn 180 σ\ cn CT\ cn cr\ cr» CTl CTi cn σ\ cn 處理期間-3 (hr) 請 先 聞 讀 背 面 之 注 意 事 項 訂 線 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（12 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ CO 7^ σ ?3 .Ln π cn »T3 Ln 2 办 Lo SJ 70 Η- nd to hd Μ 1 實驗號碑 σ η 〇 ra ra σ 〇 Ο Ο m > CD > Ϊ晶圓. .16C無保持） 16(無保持） cn ΟΊ 14(無#持). 14(無保持): l·-* j-* 丨7(無保持） 7(無保持） *〇 •-J 1(無保持). 1(無保持)| Η 條件號碼- 270 .Ί. Π 0 vi3 Ο CO Ln 570 7 90 1 570 530 —一10。 i 100 , Ό <_Π -ο C3 CO ο 二 cn •A·· A 一.+ ^ td s ^ · ^ 〇 150 Ο 二 ό CD 250 ' 250 510 500 100 Ln Ln -Ο ο Ό Ln ΙΟ ο Μ Ο 二 ο Ln 〇 5> ^cd 390 220 VO CA CD yjD 1100 1050 1 500 ί 590 . 250 1 165 CO ·«〇 ί： 二 fO h-» 最小BMD濃度 (xl0G cm'3) ν〇· 〇 VO V£) UD VO UD UD U3 ο νο VO DZ厚度 (μπι) :習知 習知 本發明 _本發明 ’習知 本發明 1本發明 1 ，習知 習知 I.本發明 ι 1本發明 ι 習知 習知 本發明 I本發明 > ^#------線 -^ t (請先聞讀背面之注意事項|^,^本買)· -15- ‘紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX297公釐） 五、發明説明（ 13 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 如由表3所見到，在習知熱處理，即使在切刻鍵時使用具 有相同氧濃度之晶圓，BMD濃度變化超過5 0 %，而且在極 端之情形超過數倍。 相對地，在此具體實施例之熱處理，使用具有相同氧濃 度之晶圓，BMD濃度僅變化小於1 5 %。依照此具體實施例 ，在最差之情形，氧濃度之變化可低至40 %。 預期此具體實施例使BMD大致均勻地分布於晶圓之内部 ，即，此具體實施例可在相同之晶圓使BMD濃度之變化非 常小。 依照此具體實施例，晶圓内部之BMD濃度藉熱履歷引發 步驟與經控制晶核生長步驟而調整。因此，製造呈現優異 I G效應及品質穩定之矽晶圓爲可能的。 具體實施例2 圖3爲顯示在矽晶圓存在溫度差異之情形，滑動缺陷之發 生條件範圍之圖表，其中水平軸表示晶圓之平均溫度。曲 線上之圖表部份爲滑動發生範圍。本發明人已發現，晶圖 之溫度分布在滑動發生範園時，滑動以高可能性發生。 如由圖3所見到，溫度超過1，000°C時，滑動缺陷之發生可 能性急劇地增加，即，滑動缺陷變爲明顯，即使晶圓具有 小的溫度差異。因此，在高於1，000°C之溫度，需要夠嚴格 地管理晶圓溫度。 關於滑動缺陷發生之以上本性，此具體實施例使用以下 之熱處理，以在矽晶圓變成裝置活性層之層形成無缺陷層 (DZ層）。實行起始溫度增加步驟，其中溫度以15-100°C /分 16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 請 先 閱 讀 背 δ 之 注 意 事 項 〇 寫 本 頁 裝 線 五、發明説明（ 14 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 鐘之速率，增加至800°C至1,000°C之範圍，然後實行缓和溫 度增加步驟，其中溫度以低速率增加至1，000°C至1，300°C之 範圍，及最後實行溫度保持步驟，其中溫度在1,100°C至 1,300°C之範圍保持固定不小於5分鐘。 較佳爲，在緩和溫度增加，溫度增加速率爲0.5 - 1 0 °C /分 鐘。甚至較佳爲，在此步驟，溫度增加速率爲1-5 °C/分鐘 〇 如果溫度增加速率低於0.5 °C，熱處理發生長時間，使製 造成本變成不當地高。如果高於1 〇°C /分鐘，晶圓之溫度差 異變成太大，而無法正面地防止滑動缺陷之發生。 如果起始溫度增加步驟以低於15°C/分鐘之速率實行，可 在晶圓内部造成結晶缺陷之細微晶核（embryo)生長而增強 BMD之產生，無法形成良好之無缺陷層。因爲給予晶圓之 大熱應力，高於l〇〇°C/分鐘之溫度增加速率並不實際。 至於溫度保持步驟，如果保持溫度低於l，〇〇〇°C，向外氧 擴散之效率太低，而無法形成良好之無缺陷層。如果高於 1，300°C，BMD在晶圓内部過度地生長，而降低其機械強度 〇 較佳爲，·以上之熱處理在包括氫、氦、與氬至少之一之 氣氛實行。 藉由實行以上之熱處理，晶圓表面與無缺陷層（DZ層）一 起形成，其不薄於3ym而且其中氧沈積濃度（BMD)不高於 103公分_3。如果DZ層薄於3" m，因爲如在裝置形成步驟之 漏電之問題而無法得到南品質晶圓。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 先 閲 讀 背 Λ 之 注 意 事 項 裝 訂 線 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（15 ) DZ層厚度之上限設定於約30 y m，因爲如果DZ層比約30 A m厚，在晶圓内部形成之BMD層之DZ層發生如聚集效應 降低之問題。 以上之熱處理可在矽晶圓内部形成BMD層。BMD層爲含 氧沈積並且呈現固有聚集（IG)效應之層。爲了形成此BMD 層，希望藉由切割單晶矽錠而得之晶圓具有1.2-1.8x 1018原 子/公分3之間隙氧濃度〇i。 圖4顯示依照此具體實施例之熱處理步驟之實例。在圖4 ，由爐輸入溫度T1°C至1，000°C之溫度增加步驟以”溫度增加 速率-Γ表示，由1，000°C至1，200°C之溫度增加步驟以、溫度 增加速率_2”表示，及這些溫度增加步驟後實行之溫度保持 步驟以”熱處理"表示。 矽晶圓實際上藉此具體實施例之方法而製造。至於比較 例，矽晶圓亦藉由改變部份之熱處理條件而製造。. 首先，具有1.3 X 1018、1.5 X 1018與1.7X 1018原子/公分3之 平均氧含量之矽晶圓（各以W-A、W-B與W-C表示）藉由在不 同拉出條件下拉出單晶矽錠及切割這些錠而形成。 這些晶圓接受表4所示之熱處理，其中HT01-HT10爲比較 例，及HT11-HT38爲此具體實施例之實例。 HT01-HT05爲其中溫度增加速率保持固定於2-30°C/分鐘之 範圍之比較例。HT06與HT07爲其中晶圓輸入後之溫度增加 速率-1設定於30°C /分鐘，而且以後之溫度增加速率-2降低 至20至15°C/分鐘之比較例。HT08爲其中處理氣氛爲氬而非 氫之比較例。HT09與HT10爲其中溫度增加速率-1增加至40 (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) .裝·
、1T 線 -18- 本紙張;適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（16 ) 或50°C/分鐘之比較例。 HT11-HT13爲其中爐輸入溫度各設定於600°C、700°C與800 °C之具體實施例之實例。HT14-HT18爲與HT12相同，除了 溫度增加速率-2各設定於0.5、1、5、10與15°C/分鐘之具體 實施例之實例。HT19-HT22爲與HT12相同，除了溫度增加 速率_1各設定於20、50、60與8〇°C/分鐘之具體實施例之實 例。HT23-HT26爲與HT12相同，除了 ”處理溫度”各設定於 1,100°C、1，150°C、1，250°C與 1，290°C 之具體實施例之實例。 HT27與HT28爲與HT12相同，除了處理氣氛各爲氬與氦而非 氫之比較例。HT29-HT33爲其中熱處理在氫、氬、與氦之2-成份或3-成份氣體氣氛進行之比較例。 ----------聋-- (請先聞讀背面之注意事項U寫本頁) -6 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -19- 本紙張^度適用中國國家標準（(：阳〉人4規格（210\：297公釐） A7 B7 17 五、發明説明（ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 HT01 ΗΤ02 ΗΤ03 ΗΤ0 4 ΗΤ05 ΗΤ06 ΗΤ0 7 ΗΤ08 ΗΤ0 9 ΗΤ10 ΗΤ11 ΗΤ12 ΗΤ13 ΗΤ14 ΗΤ15 ΗΤ16 ΗΤ17 ΗΤ18 ΗΤ19： ΗΤ20 ΗΤ21 ΗΤ22 3/免碼 1 1 1 1 1 » 1 XXXXXXXXXXXO： pororororOrorororoporoiO p〇 J-Jrsjisipopofoforo 1 1 — i 1 i __I_ Μ 绛... 1 *»0 -Ο Ό -*J Ό -O CO -O O'» 〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇.〇〇 oooooooooooo oooooooooo oooooooooo 门兑 Ν—^ • . ♦ CDCnLniOU)UJU>U)L〇U>U)U) oooooooooooo Ln^OJUJOJ.-. j-^iOUJ 00000 ^0 o o 增加速率-1 (°C/min) OOOOOOOOOOOO oooooooooooo oooooooooooo • . *»-*1—*1—"l·-* *··、、》>·、·《·*»····»«·· oooooooooo oooooooooo oooooooooo 速率改變 溫度 (°C) LnLnLnuij^^uii-· - to to to LT> UiLnOlOlO^^O. oo . 增加速率 (°C/min) rvJtOfOtOtOiONJlO fO to oooooooooooo oooooooooooo >—*h-*»—•l·-1!—*»—·ΜΗ-*ί— ·»*»·«····«»*··、、···*>* fOtONJfOCOtOlONJtOiO oooooooooo oooooooooo 處理温度 (°C) O^O^O'kCTiCnC^CrvCriCnCAO'iCr» oooooooooooo 1 O^CTtO^CTiCACriCnCr^CriO^ oooooooooo 處理期間, "(min) 本發明 比較例 〇«\« pr 20 請 先 閱 讀 背 Φ 之 注 意 事 項 α 寫 本 頁 裝 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） B7 五、發明説明（18 ) n: a: tc d: X U) OJ U> OJ co ό cr> cn 办 k a a κ d: a d： U) U> UJ uj nj nj nj nj nj nj sj uj ί〇 I-* o voco-ocr>Ln^〇j
择 M
OfV3r〇iN>fS> (T)Hr' -—— ·'-- -.-- :xx>tc^ φ 二 hi 二 M 二 H 1 ^〇〇s〇s〇s°s, dP cfP^ dP^ cfP^ dP 二,·«—^* ·»—«· >«_-»* 、 _μ+ + + + + CD v_-* φ r^ ro rsj ro ro pi
<1 Ό Ό ·«0 *»J -«J ««J 〇 〇 〇 〇 OOOOOOO 〇 〇 〇 〇 OOOOOOO o· 1¾i3 ^ 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項
〇J ϋϋ L〇 OJ ca O O O O O OJ 〇J LO 〇J L〇 U> Co o o o o o o o U) LJ CO OJ o o o o ^ aii. i Ο Ο Ο Ο 〇 Ο Ο Ο Ο 〇 Ο Ο Ο Ο 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇〇〇〇〇〇〇 〇 〇 〇〇〇〇〇〇〇 〇 〇 〇〇〇〇〇〇〇 fO fO NJ ΙΟ N3 ίΟ ιο to to to ίΟ fO fO to NJ ho ο 3 Η'· 口 η to to NJ ro to o o o o o o o o ·〇 o N> NO to NJ o o o o o o o o to to K3 to is_> l·-* Ο Ο O ud lh cn o o o o o o 〇 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 0\ CT\ CTN CTtCTiO^O'iCTiO'lCn o o o o ooooooo 5'1Ϊ3 -21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（19 ) 晶圓W-A、W-B與W-C之實驗結果各示於表5-7。如由表5-7 所見到，即使晶圓之氧濃度改變，DZ層厚度及滑動之發生 程度幾乎無變化。此外，在任何實例，DZ層不薄於3 " m。 即使爐輸入溫度在600°C至8009C間改變時，仍未發生滑動 (HT11-HT13)。 即使溫度增加速率-1(至l，〇〇〇°C)高達30°C/分鐘時，仍藉由 降低以後之溫度增加速率-2而防止滑動缺陷之發生（HT14-HT18)。 此外，即使溫度增加速率-1(至l，〇〇〇°C)由20°C/分鐘增加至 80°C /分鐘時，無滑動缺陷之發生或僅稍微發生滑動缺陷 (HT19-HT22)。 在表5-7，"滑動規模"依照JIS H0609-1994，”由於選擇性蚀 刻所造成矽之結晶‘缺陷之觀察方法"。特別地，”小"表示滑 動僅在觀察之晶圓之一個位置發生，而且滑動數量不大於 1 0。"中"表示滑動僅在一個位置發生，而且滑動數量不大 於10，或滑動在複數位置發生，而且滑動之總量不大於50 。π大"表示滑動在複數位置發生，而且滑動之總量超過50。 •'處理溫度"在1,100°C至1，290°C間改變時，DZ層隨溫度增 加而變厚。.雖然更易隨溫度增加而發生滑動，其规模非常 小（HT23-HT26)。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項U寫本頁) 即使使用氦或氬氣氛，或其中氫與氦及/或氬混合之氣氛 ，DZ層以如僅包括氫之氣氛之相同方式而形，而且未發生 滑動（HT27-HT33)。 π處理時間''由5增加至240分鐘時，僅增加DZ層厚度而無 滑動之發生（ΗΤ34-ΗΤ3 8)。 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）
A
7 B 五、發明説明（20 ) 表5 經濟部中央標準局員工消費合"'社印製 晶圓型式 條件 DZ層厚度（y m) 滑動規模 W-A ΗΤΟΙ 9 大 ΗΤ02 9 大 ΗΤ03 9 中 ΗΤ04 10 小 ΗΤ05 10 無 ΗΤ06 9 大 ΗΤ07 9 中 ΗΤ08 9 中 ΗΤ09 9 中 ΗΤ 1 0 9 大 W-A ΗΤ 1 1 10 無 ΗΤ 1 2 10 無 ΗΤ 1 3 10 無 ΗΤ 1 4 12 無 ΗΤ 1 5 11 無 ΗΤ 1 6 10 無 ΗΤ 1 7 10 無 ΗΤ 1 8 9 小 ΗΤ 1 9 10 無 ΗΤ20 10 無 ΗΤ2 1 10 小 ΗΤ22 10 小 ΗΤ23 6 無 ΗΤ24 8 無 ΗΤ25 18 無 ΗΤ26 27 小 ΗΤ27 9 ΗΤ28 9 無 ΗΤ29 9 無 ΗΤ3 0 10 無 ΗΤ3 1 1 0 ΗΤ3 2 10 ΗΤ3 3 10 ΗΤ3 4 3 ΗΤ3 5 5 ΗΤ3 6 7 ΗΤ3 7 15 A . ΗΤ3 8 . 2 1 無 I---------裝-- t (請先閲讀背面之注意事項寫本頁)
*1T —線 © -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（21 ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表6 晶圓型式 條件 DZ層厚度〇 m) 滑動規模 W-B HT0 1 9 大 ΗΤ02 9 大 ΗΤ03 9 ^中 ΗΤ04 9 無 ΗΤ05 10 無 ΗΤ06 9 大 ΗΤ07 9 中 ΗΤ08 9 中 ΗΤ0 9 9 中 ΗΤ 1 0 9 大 W-B ΗΤ 1 1 10 無 ΗΤ 1 2 10 無 ΗΤ 1 3 10 無 ΗΤ 1 4 11 無 ΗΤ 1 5 10 無 ΗΤ 1 6 10 無 ΗΤ 1 7 10 無 ΗΤ 1 8 9 無 ΗΤ 1 9 10 無 ΗΤ20 1 0 無 ΗΤ2 1 10 無 ΗΤ22 10 小 ΗΤ23 6 無 ΗΤ24 8 無 ΗΤ25 18 小 ΗΤ26 26 小 ΗΤ27 9 無 ΗΤ28 9 無 ΗΤ29 9 無 ΗΤ30 10 無 ΗΤ3 1 10 ΗΤ3 2 10 ΗΤ3 3 10 ΗΤ3 4 3 ΗΤ3 5 5 ΗΤ3 6 7 A ΗΤ3 7 15 ΗΤ3 8 2 1 無 ----------裝— (請先閔讀背面之注意事項^:寫本頁) 訂 —線 -24- 本纸張Λ度適用中國國家標準（CNS ) Α4ϋ格（210X297公釐）
A
7 B 五、發明説明（22 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表7 晶圓型式 條件 DZ層厚度〇 m) 滑動规模 W-C ΗΤΟΙ 8 大 ΗΤ02 9 中 ΗΤ03 9 中 ΗΤ04 9 無 ΗΤ05 10 無 ΗΤ06 9 大 ΗΤ07 9 小 ΗΤ08 9 小 ΗΤ09 8 中 ΗΤ 1 0 8 大 W-C ΗΤ 1 1 9 無 ΗΤ 1 2 9 無 ΗΤ 1 3 9 無 ΗΤ 1 4 10 無 ΗΤ 1 5 10 無 〇 ΗΤ 1 6 9 無 ΗΤ 1 7 9 無 ΗΤ 1 8 9 無 ΗΤ 1 9 10 無 ΗΤ20 1 0 無 ΗΤ2 1 9 無 ΗΤ22 9 小 ΗΤ23 5 無 ΗΤ24 7 無 ΗΤ25 1 7 小 ΗΤ26 25 小 ΗΤ27 9 無 ΗΤ2 8 9 無 ΗΤ29 9 無 ΗΤ3 0 10 無 ΗΤ3 1 10 無 ΗΤ3 2 10 無 ΗΤ3 3 10 ΗΤ3 4 3 ΗΤ3 5 5 ΗΤ3 6 7 ΗΤ3 7 14 ΗΤ3 8 19 無 (請先閲讀背面之注意事項飞j寫本頁) -裝. ,ιτ —線 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 毛 A7 、 1 _ _ B7 五、發明説明（23 ) 如由以上之實驗所明顯可知，此具體實施例可有效及以 低成本製造高品質矽晶圓，其表面與厚度超過3 m之DZ層 一起形成，而且實質上無滑動缺陷。 應注意，此具體實施例可應用於已藉F Z (浮動區）法製 造，並且具有相當小氧含量之梦晶圓。亦在此情形.，此 具體實施例可藉由形成DZ層同時進一步降低表面層之氧 濃度，而修改晶圓表面。 具體實施例3 應注意，此具體實施例出現之氧濃度値爲依照舊ASTM之 轉換係數者。 首先爲BMD在熱處理晶圓之一般行爲之説明。依照古典 晶核形成理論，BMD生長或收縮，使得超飽和氧連接或自 作爲均質晶核之氧群去除。不論BMD生長或收縮/消失均視 有關之時間點時之臨界晶核半徑而定。臨界晶核.半徑藉 BMD之尺寸、溫度、與氧濃度而決定。臨界晶核半徑在較 高溫度較大。晶圓保持於特定溫度之處，在此溫度大於此 臨界晶核半徑之BMD持續生長’而小於此臨界晶核半挺之 BMD收縮/消失。 藉由應用.以上之知識於晶圓製造，本發明人已發現，適 於高度積體裝置製造之晶圓可藉由適當地控制BMD行爲而 製造，而完成本發明之此狀態。 此具體實施例特徵爲，具有1.4-1.8x 1018原子/公分3之間 隙氧濃度〇i之矽晶圓接受溫度保持步驟，其在包括至少氫 與惰氣之氣氛，於l，l〇〇°C至1，300°C間之溫度實行1分鐘至48 26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2ΙΟΧ：297公釐） 請 先 閲 讀 背 之 注 意 事 Η 窝 本 頁 裝 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（24 ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 小時，而且室溫至900°C之範圍之溫度增加速率設定於15-100°C /分鐘，及900°C至保持溫度之範圍之溫度增加速率設 定於1-15°C /分鐘。 至於溫度保持步驟，如果保持溫度低於1，100°C，無法使 BMD濃度變低。如果其超過1，300°C，無法確定製造裝置之 安全性與可靠性。 如果溫度保持步驟之時間短於1分鐘，無法使BMD濃度低 到足以確定本發明之意圖效果。即使溫度保持步驟持續超 過4 8小時，無法到附加之效果。 至於溫度增加步驟（室溫至9 0 0 °C )，積由設定溫定增加速 率於不小於1 5 °C /分鐘，臨界晶核半徑之有效增加速率可高 於BMD之有效生長速率。結果，臨-界晶.梭丰.在太於汰部份 杂在、ΒΜΕ»之^_徑，d而。然而，由於溫度增加速率 相當高而且溫度增加速率僅持續短期間，在此步驟完全消 失之BMD數量不大（在特定條件下幾乎無BMD消失）。大到足 以被偵檢之BMD數量自然降低一些程度。 較佳爲，室溫至900°C之範圍之溫度增加速率設定爲不低 於20°C /分鐘。甚至較佳爲以上之溫度增加速率設定爲不低 於30°C/分鐘。藉由使用此高溫度增加速率，可進一步降低 大（或可偵檢）BMD濃度。 在900 °C至保持溫度之範圍，如果溫度增加速率超過15 °C/分鐘，BMD濃度變低，使得聚焦效果變爲不足，而且易 於發生滑動，其在裝置形成步驟造成問題。如果溫度增加 速率低於1 °C /分鐘，BMD濃度變成太高而無法確定本發明 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 先 閲 讀 背 之 注 意 事 項 寫 本 頁 裝 訂 A7 B7 五、發明説明（25 ) 之意圖效果。生成之晶圓對高度積體裝置之形成不穩定。 較佳爲，室溫至900°C之範圍之溫度增加速率設定爲5-10 °C /分鐘。在此情形，可增強本發明之上述優點。 請 閱 讀 背 Φ 之 注 意 事 -項 參考圖5，實線a表示此具體實施例之熱處理方法之實例 .，而虛線b表示習知熱處理方法之實例。 藉由實行以上之熱處理，此具體實施例可形成不薄於10 A m(如由表面測量），而且直彳呈不小於20 nm之BMD濃度不 超過103公分-3之DZ層，及具有1 X 103公分_3至指數（9.21 X 10 _18x 〇i+3.224)公分之氧沈積濃度之整體部份。此矽晶圓對 應圖6之圖表之區域A+B+C。 較佳爲，BMD濃度爲1 X 103公分_3至1 X 108公分_3與指數 (9.210 X 10 _18x 〇i +3.224)公分·3(圖6之區域A + B)之較小者 。甚至較佳爲，BMD濃度不高於指數（5.757 X 10_18 X 0丨 +3.224)公分-3(圖6之區域A)。 具有以上範圍内之BMD濃度之晶圓呈現聚焦功能。此外 ，優異之DZ層（無缺陷層）形成於變成裝置活性層之表面層 ’並且確定足夠之機械強度。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 較佳爲，實質上無BMD存在於表面DZ層。以以上之方式 指定DZ層之BMD濃度範圍之原因爲，目前可得測量裝置之 最小可偵檢BMD尺寸爲20 nm，而且稱具有高於103公分·3之 BMD濃度之狀態爲”無缺陷”並不適當；即，此晶圓負面地 影響其上所形成裝置之特徵。 現在爲依照此具體實施例之實例1-5及比較例卜4之説明 。用於實例1 - 5及比較例1 - 4之晶圓爲自Czochralski法製造 -28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（26 ) 之梦鍵切割，並且接受一般鏡面抛光者。晶圓爲N-型，並 且具有（100)之表面定向及1-1,000 · Ω公分之電阻率。起始 間隙氧濃度〇i爲1.4-1.74 X 1018原子/公分3。使用其中改良隔 熱並且增加熱源產生之熱量之垂直熱處理爐。 實例1 .上述之晶圓中，具有1.7 X 1018原子/公分3之濃度q之晶圓 在loo%氫氣氛接受17〇ο°ς之熱處理（保持步驟）ι小時。700 °C至900°C間之溫度增加速率設定於i〇°C /分鐘，及900°C至 1，200°C間爲10°C/分鐘。溫度降低速率設定於3°C/分鐘。 實例2 具有1.61X 1018原子/公分3之0丨之晶圓以如實例1之相同方 法接受I處理。 實例3 具有1.5 lx 1018原子/公分3之0丨之晶圓以如實例1之相同方 法接受熱處理。 實例4 在如實例1之相同條件下進行熱處理，除了 700°C至1，000 °C間之溫度增加速率設定於2〇°C (倉着：，及1，000°C至l，2〇0°C 間爲1Λ C. /分鐘。 實例5 具有1.43 X 1018原子/公分3之〇i之晶圓以如實例1之相同方 法接.受熱處理。 比車交例1 上述之晶圓中，具有1.7 X 1018原子/公分3之濃度0彳之晶圓 29- 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 裝 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 , A7 , 1 B7五、發明説明（27 ) 在100%氫氣氛接受1,200°C之熱處理（保持步驟）1小時。700 °C至1，000°C間及1，000°C至1，200°C間之溫度增加速率均ώ变 於1Q°C/分鐘。溫度降低速率設定於3°C/分鐘。 比較例2 具有1.61 X 1018原子/公分3之q之晶圓以如比較例1之相同 方法接受熱處理。 比較例3 具有1.51 X 1018原子/公分3之q之晶圓以如比較例1之相同 方法接受熱處理。 比車交伤4 具有1.43 X 1018原子/公分3之〇i之晶圓以如比較例1之相‘同 方法接受熱處理。 藉紅外線斷層照相測量發生於已接受實例1-5及比較例1-4 之熱處理之各晶圓（（110)橫切面）之BMD濃度。使甩之紅外 線斷層照相方法之最小可偵檢BMD尺寸爲20 nm。BMD濃度 之4貞檢限制視測量區域而定。在有關之測量，測量區域爲 包括4 a m X 200 y m之晶圓’表面積，並且具有185 a m之深度 之長方形平行管狀區域。在此情形，BMD濃度之偵檢限制 爲6.8 X 106公分_3。在這些條件下，關於由表面開始偵檢時 ，本發明定義之QZ層厚度（不小放2〇 nm之濃垮不超過 103公合_3之層）對;古典領珐：!：先及檢度。 測量結果及熱處理條件示於表8與9。圖6爲顯示起初氧 濃度與BMD濃度間之關係之圖表。表中之”DZ層厚度"表示 ，由表面開始偵檢時，不小於20 nm之BMD首先被偵檢到之 (請先閲讀背面之注意事項/'1.〆寫本頁) -裝·
’1T -線 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（28 ) A7 B7 深度（DZ層不含不小於20 nm之BMD)。 如由圖6之表8與9所見到，此具體實施例可形成良好之 DZ層，即使使用具有高起始氧濃度0丨之晶圓。此外，可降 低整體部份之BMD濃度。 即，此具體實施例可形成不薄於10 A m(如由晶圓表面所 測量）之DZ層（無缺陷層），而且其中直徑不小於20 nm之BMD 濃度不超過1〇3公分-3，並且具有1 X 1〇3公分-3至指數（9.21 X 10_18x 〇i+3.224)公分_3之氧沈積濃度之整體部份。 因此，依照此具體實施例，變成裝置活性層之層可視爲 無缺陷，並且可降低在此層附近之BMD濃度，使得其可以 高產率製造具有優異特徵之裝置。 相對地，在此具體實施例範圍外之條件接受熱處理之比 較例1-4之晶圓，對於較高之起始氧濃度，BMD濃度較高 。雖然即使在比較例1 -4亦形成DZ層，BMD以高濃度而形 成於晶圓内部，其表示大量之BMD存在於DZ層附近。存在 於變成裝置活性層之晶圓表面層附近之大量BMD可能退化 裝置特徵。此外，晶圓之機械強度降低。 請 先 閲 讀 背 之 注 意 事 項 v ) 寫 本 頁 裝 訂 _ 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（29 ) A7 B7 表8 Ex. 1 Ex. 2 Ex. 3 Ex. 4 Ex.5 圖6之標記 0 0 0 0 0 0; (X 1018原子/cm3) 1.70 1.61 1.51 1.70 1.43 氣氛 100%氫氣 處理溫度 處理期間 UhM 增加速率 (°C/min) M. 3£ 3Ώ. 2£L -SO 降低速率 (°C /min) 3 3 3 3 3 DZ層厚度〇m) 80 130 70 150 整體BMD濃度 (xcaS^cm-3) 1.7 1.7 1.7 1.7 --LJ- 請先閱讀背面之注意事項，14寫本頁 裝. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表9 Comp. Ex. 1 Comp. Ex. 2 Comp. Ex. 3 Comp. Ex. 4 圖6之標記 • 參 • • c^(x 1018 原子/cm3) 1.70 1.61 1.51 1.43 氣氛 100%氫氣 處理溫度 1,200°C 處理期間 1小時 增加速率 (°C/min) 10 10 10 10 降低速率. (°C/min) 3 3 3 3 DZ層厚度（；u m) JLOl .1Ώ 整體BMD濃度 (x^S>cm-3) αία Λ0 依照此具體實施例，即使使用具有高起始氧濃度之晶圓 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 訂 —線 & A7 B7 五、發明説明（30 ) ，可形成良好之無缺陷表面層，而且可使整體部份之BMD 濃度變低。因此，以高產率製造高度積體裝置用之高品質 矽晶圓爲可能的。 此外，藉由使用依照此具體實施例製造之矽晶圓，可以 高產率製造具有優異特徵之高度積體裝置。 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 讀裝_本衣 頁 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -33 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐）

Claims (1)

  1. 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1. 一種矽晶圓之製法，包含以下之#驟： 製備具有1018原子/佥分3之空隙氧濃度之矽晶 圓； .將矽晶:圓安置於爐内又 以包括氤與惰氣至少之二之象產^充填壚； 在案溫赳900°C之範圍内以15至100°C /分鐘之第一速姿 增知晶，.溫度，並在_到保邊H之範圍内以J至15 °Q /分鐘之第二途率增加晶圓溫度；及 侍持晶圓溫_复於1，10CTC J ：U30Q°C_^範圍内之保持溫度 1分鐘48J、時。 2..根據申請專利範圍第1項之製法，其中第-速^爲20至 100°C/分鐘。 3. 根據申請專利範圍第1項之製法，其中參> 篆專爲3〇至 100 C. /分鐘。 4. 根據申請專利範圍第1項之製法，其中第二%.爲5至10 C /分鐘。 5. 一種玫爽圓，包含无聲赴uil而且其中直輕ϋ'·.發20 nm之^氣沈積ϋ度不毒遇丄0§公分·3，並且具有H I -3 I沪，X 免.沿金i爷之氧..您獍之整 霞J1L#的無^陷·層，其中〇i爲間隙氧濃度，該矽晶圓藉 由根據申請專利範圍第1項之製法而製成者。 請 先 聞 面 之 注 意 事\β f 裝 訂 線 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）
TW086112288A 1995-03-09 1996-04-06 Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration in the bulk and a good DZ layer TW383429B (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07709395A JP3172389B2 (ja) 1995-03-09 1995-03-09 シリコンウエーハの製造方法
JP08452495A JP3172390B2 (ja) 1995-03-17 1995-03-17 シリコンウエーハ及びその製造方法
JP18325095A JP3171308B2 (ja) 1995-06-28 1995-06-28 シリコンウエーハ及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW383429B true TW383429B (en) 2000-03-01

Family

ID=27302335

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW086112289A TW379388B (en) 1995-03-09 1996-04-06 Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration in the bulk and a good DZ layer
TW086112288A TW383429B (en) 1995-03-09 1996-04-06 Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration in the bulk and a good DZ layer
TW085104000A TW337031B (en) 1995-03-09 1996-04-06 Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration in the bulk and a good DZ layer

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW086112289A TW379388B (en) 1995-03-09 1996-04-06 Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration in the bulk and a good DZ layer

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW085104000A TW337031B (en) 1995-03-09 1996-04-06 Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration in the bulk and a good DZ layer

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5788763A (zh)
KR (1) KR100226374B1 (zh)
CA (1) CA2171375C (zh)
DE (1) DE19609107B4 (zh)
TW (3) TW379388B (zh)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2973960B2 (ja) * 1997-01-29 1999-11-08 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5994761A (en) * 1997-02-26 1999-11-30 Memc Electronic Materials Spa Ideal oxygen precipitating silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor
DE69806369T2 (de) * 1997-04-09 2003-07-10 Memc Electronic Materials, Inc. Silicium mit niedriger fehlerdichte und idealem sauerstoffniederschlag
DE19740763C2 (de) * 1997-09-16 2001-06-07 Forschungszentrum Juelich Gmbh Hebelarm für ein Rasterkraftmikroskop
JP3346249B2 (ja) * 1997-10-30 2002-11-18 信越半導体株式会社 シリコンウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハ
DE19821933C1 (de) * 1998-05-15 1999-11-11 Disetronic Licensing Ag Vorrichtung zur Verabreichung eines injizierbaren Produkts
JP3204309B2 (ja) * 1998-07-09 2001-09-04 日本電気株式会社 重金属汚染のモニタ方法
US6828690B1 (en) 1998-08-05 2004-12-07 Memc Electronic Materials, Inc. Non-uniform minority carrier lifetime distributions in high performance silicon power devices
US6336968B1 (en) 1998-09-02 2002-01-08 Memc Electronic Materials, Inc. Non-oxygen precipitating czochralski silicon wafers
CN1181522C (zh) 1998-09-02 2004-12-22 Memc电子材料有限公司 具有改进的内部收气的热退火单晶硅片及其热处理工艺
WO2000013211A2 (en) 1998-09-02 2000-03-09 Memc Electronic Materials, Inc. Silicon on insulator structure from low defect density single crystal silicon
CN1155064C (zh) 1998-09-02 2004-06-23 Memc电子材料有限公司 制备理想析氧硅晶片的工艺
JP4875800B2 (ja) 1998-10-14 2012-02-15 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 単結晶シリコンウエハの製造方法
JP2000154070A (ja) * 1998-11-16 2000-06-06 Suminoe Textile Co Ltd セラミックス三次元構造体及びその製造方法
JP3719021B2 (ja) * 1998-12-04 2005-11-24 信越半導体株式会社 シリコンウエーハの製造方法およびシリコンウエーハ
US6284384B1 (en) 1998-12-09 2001-09-04 Memc Electronic Materials, Inc. Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering
US20030051656A1 (en) 1999-06-14 2003-03-20 Charles Chiun-Chieh Yang Method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering
US6635587B1 (en) 1999-09-23 2003-10-21 Memc Electronic Materials, Inc. Method for producing czochralski silicon free of agglomerated self-interstitial defects
JP2002009081A (ja) * 2000-06-26 2002-01-11 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
CN1441961A (zh) * 2000-06-30 2003-09-10 Memc电子材料有限公司 形成具有洁净区的硅片的方法和装置
US6599815B1 (en) 2000-06-30 2003-07-29 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for forming a silicon wafer with a denuded zone
US6339016B1 (en) 2000-06-30 2002-01-15 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for forming an epitaxial silicon wafer with a denuded zone
US6663708B1 (en) * 2000-09-22 2003-12-16 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Silicon wafer, and manufacturing method and heat treatment method of the same
DE10066099B4 (de) * 2000-09-25 2008-11-20 Mitsubishi Materials Silicon Corp. Wärmebehandlungsverfahren für einen Siliciumwafer
KR100372097B1 (ko) * 2000-12-26 2003-02-14 주식회사 실트론 웨이퍼의 열처리 방법
JP2004537161A (ja) * 2001-04-11 2004-12-09 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 高抵抗率ｃｚシリコンにおけるサーマルドナー生成の制御
TW541581B (en) * 2001-04-20 2003-07-11 Memc Electronic Materials Method for the preparation of a semiconductor substrate with a non-uniform distribution of stabilized oxygen precipitates
WO2003003441A1 (fr) * 2001-06-28 2003-01-09 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procede de production de plaquette recuite et plaquette recuite ainsi obtenue
KR100881511B1 (ko) * 2001-07-10 2009-02-05 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 실리콘웨이퍼의 제조방법, 실리콘 에피텍셜 웨이퍼의제조방법 및 실리콘 에피텍셜 웨이퍼
JP4633977B2 (ja) * 2001-08-30 2011-02-16 信越半導体株式会社 アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ
KR100423752B1 (ko) * 2001-11-12 2004-03-22 주식회사 실트론 실리콘 반도체 웨이퍼 및 그 제조 방법
KR20030052464A (ko) * 2001-12-21 2003-06-27 주식회사 실트론 실리콘 웨이퍼의 고온 열처리 방법
JP2004006615A (ja) * 2002-04-26 2004-01-08 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 高抵抗シリコンウエーハ及びその製造方法
KR100481476B1 (ko) * 2002-11-19 2005-04-07 주식회사 실트론 어닐 웨이퍼 및 그 제조 방법
US7098148B2 (en) * 2003-06-10 2006-08-29 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Method for heat treating a semiconductor wafer
FR2856194B1 (fr) * 2003-06-10 2005-08-26 Soitec Silicon On Insulator Procede perfectionne de recuit de stabilisation
US6955718B2 (en) * 2003-07-08 2005-10-18 Memc Electronic Materials, Inc. Process for preparing a stabilized ideal oxygen precipitating silicon wafer
KR100573473B1 (ko) * 2004-05-10 2006-04-24 주식회사 실트론 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법
JP2005333090A (ja) * 2004-05-21 2005-12-02 Sumco Corp Ｐ型シリコンウェーハおよびその熱処理方法
KR101111436B1 (ko) 2004-09-13 2012-02-15 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 Ｓｏｉ 웨이퍼의 제조 방법 및 ｓｏｉ 웨이퍼
ATE384336T1 (de) * 2004-10-19 2008-02-15 Soitec Silicon On Insulator Verfahren zur herstellung einer verspannten silizium-schicht auf einem substrat und zwischenprodukt
US7485928B2 (en) * 2005-11-09 2009-02-03 Memc Electronic Materials, Inc. Arsenic and phosphorus doped silicon wafer substrates having intrinsic gettering
TW200818327A (en) * 2006-09-29 2008-04-16 Sumco Techxiv Corp Silicon wafer heat treatment method
KR100818842B1 (ko) 2006-12-27 2008-04-01 주식회사 실트론 웨이퍼의 열처리시 슬립을 방지할 수 있는 웨이퍼 지지 핀및 웨이퍼의 열처리 방법
KR101313326B1 (ko) * 2006-12-29 2013-09-27 에스케이하이닉스 주식회사 후속 열처리에 의해 산소 침전물로 되는 유핵의 분포가제어된 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법
US20090004426A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Memc Electronic Materials, Inc. Suppression of Oxygen Precipitation in Heavily Doped Single Crystal Silicon Substrates
US20090004458A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Memc Electronic Materials, Inc. Diffusion Control in Heavily Doped Substrates
US9945048B2 (en) * 2012-06-15 2018-04-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structure and method
US8932945B2 (en) 2012-07-09 2015-01-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer alignment system and method
DE102017219255A1 (de) * 2017-10-26 2019-05-02 Siltronic Ag Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium
JP7014694B2 (ja) * 2018-10-15 2022-02-01 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 シリコンウェーハの熱処理方法
CN110012006B (zh) * 2019-04-01 2021-03-02 中国民航大学 一种针对cubic的低速率拒绝服务攻击方法
CN114280078B (zh) * 2021-12-23 2024-04-16 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 单晶硅体内bmd的批量评价方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4597804A (en) * 1981-03-11 1986-07-01 Fujitsu Limited Methods of forming denuded zone in wafer by intrinsic gettering and forming bipolar transistor therein
JPS60133734A (ja) * 1983-12-21 1985-07-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US4749660A (en) * 1986-11-26 1988-06-07 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Method of making an article comprising a buried SiO2 layer
JPH02250226A (ja) * 1989-03-24 1990-10-08 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk ねじ付電気接点の製造方法
JPH03159849A (ja) * 1989-11-20 1991-07-09 Nissan Motor Co Ltd スキッド防止ブレーキ装置
IT1242014B (it) * 1990-11-15 1994-02-02 Memc Electronic Materials Procedimento per il trattamento di fette di silicio per ottenere in esse profili di precipitazione controllati per la produzione di componenti elettronici.
JPH06229765A (ja) * 1993-02-05 1994-08-19 Aisin Seiki Co Ltd 角速度センサ
JPH06229766A (ja) * 1993-02-05 1994-08-19 Aisin Seiki Co Ltd 角速度センサの振動子
JP3022045B2 (ja) * 1993-04-09 2000-03-15 東芝セラミックス株式会社 シリコンウエハの製造方法及びシリコンウエハ
JP3022044B2 (ja) * 1993-04-09 2000-03-15 東芝セラミックス株式会社 シリコンウエハの製造方法およびシリコンウエハ
JPH06296912A (ja) * 1993-04-20 1994-10-25 Masuda Clean Tec Kk 自動車整備兼車体下回り塗装用ブース
JPH0786289A (ja) * 1993-07-22 1995-03-31 Toshiba Corp 半導体シリコンウェハおよびその製造方法
JP3294722B2 (ja) * 1994-09-26 2002-06-24 東芝セラミックス株式会社 シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ
JP3294723B2 (ja) * 1994-09-26 2002-06-24 東芝セラミックス株式会社 シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
US5593494A (en) * 1995-03-14 1997-01-14 Memc Electronic Materials, Inc. Precision controlled precipitation of oxygen in silicon

Also Published As

Publication number Publication date
CA2171375A1 (en) 1996-09-10
DE19609107B4 (de) 2006-07-27
US5788763A (en) 1998-08-04
TW379388B (en) 2000-01-11
DE19609107A1 (de) 1996-09-12
KR960034481A (ko) 1996-10-22
CA2171375C (en) 2001-01-23
KR100226374B1 (ko) 1999-10-15
TW337031B (en) 1998-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW383429B (en) Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration in the bulk and a good DZ layer
TW541625B (en) Method for preparing nitrogen-doped annealed wafer
TW201017766A (en) Manufacturing method for silicon wafer
TW565897B (en) Production method for anneal wafer
JP5542383B2 (ja) シリコンウェーハの熱処理方法
TW559956B (en) Production method for anneal wafer
US7311775B2 (en) Method for heat-treating silicon wafer and silicon wafer
TWI680512B (zh) 矽晶圓之研磨方法、矽晶圓之製造方法及矽晶圓
JPH06295912A (ja) シリコンウエハの製造方法およびシリコンウエハ
JP2005060168A (ja) ウエーハの製造方法
JP2013163597A (ja) シリコンウェーハの製造方法
JP3172389B2 (ja) シリコンウエーハの製造方法
JP2002198375A (ja) 半導体ウェーハの熱処理方法及びその方法で製造された半導体ウェーハ
JP5350623B2 (ja) シリコンウエハの熱処理方法
JP2011029578A (ja) シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハ
TW515008B (en) Manufacturing method of silicon wafer
TWI623018B (zh) 矽晶圓的製造方法
JP3956271B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法
JP5906006B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法
JPH06295913A (ja) シリコンウエハの製造方法及びシリコンウエハ
JP2009164155A (ja) シリコンウエハの製造方法
JPH08250506A (ja) シリコンエピタキシャルウエーハ及びその製造方法
JP3479001B2 (ja) シリコンウエハの製造方法
JP3171308B2 (ja) シリコンウエーハ及びその製造方法
JP2004172564A (ja) アニールウェーハ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent