JP2002009081A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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Korei Yamada
田 浩 玲 山
Osamu Fujii
井 修 藤
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Toshiba Corp
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    • H01L21/3225—Thermally inducing defects using oxygen present in the silicon body for intrinsic gettering

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＲＦ特性に優れた高抵抗基板を用いて、スッ
プに起因した不良の発生を防止し、歩留まりを向上させ
ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 基板中の格子間酸素濃度（［Ｏi］）が
８Ｅ１７ｃｍ-3以下、酸素析出物密度（［ＢＭＤ］）が
１Ｅ８ｃｍ-3以上、基板比抵抗が５００Ω・ｃｍ以上で
ある基板を用い、デバイスプロセス中の熱処理工程を１
０００℃換算で２５時間以内とすることにより、基板の
低抵抗化を抑制しつつ、スリップ等の結晶欠陥の発生が
防止される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関するものであり、特に高周波信号を用い
る装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波信号を用いるＲＦ（Radio Freque
ncy）通信用デバイスでは、高周波信号のエネルギ損失
を抑制し、ＧＨｚ帯においてもＱ値の高いスパイラルイ
ンダクタを形成するために、支持基板としてＣｚ法によ
り結晶引き上げを行った高抵抗基板（比抵抗ρ≧１００
０Ω・ｃｍ）を用いたＳＯＩ（Silicon On Insulator）
ウェーハを使用する場合が多く、これにより高周波特性
が改善される。
【０００３】しかし、半導体基板中の酸素濃度が高い
と、基板に回路を形成するデバイスプロセス中で行われ
る熱処理により、酸素ドナーが発生して基板の比抵抗が
低下する。このため、格子間酸素濃度（以下、［Ｏi］
と称する）が低い（［Ｏi］≦８Ｅ１７ｃｍ-3）基板を
用いる必要がある。
【０００４】酸素濃度を低くする方法としては、（１）
ＭＣＺ法で結晶引き上げを行う方法、あるいは（２）
［Ｏi］が高い（［Ｏi］≧１３Ｅ１７ｃｍ-3）基板に熱
処理を行い、酸素析出による微小欠陥（Bulk Micro Def
ect、以下ＢＭＤという）を形成し、固溶酸素濃度を低
減させる方法がある。
【０００５】ところが、上記（１）の方法による基板を
用いてＲＦデバイスを作成すると、固溶酸素による転位
のピンニング効果が低下するため、デバイスプロセス中
の熱処理において、スリップが発生するという問題があ
った。これは、４点支持ボート等で半導体基板を支持し
て熱処理を行っている最中に、基板におけるボートの接
触箇所にクラック等が発生するという現象である。
【０００６】また、上記（２）の方法による基板を用い
てＲＦデバイスを作成すると、ＢＭＤから再溶解した酸
素による転位のピンニング効果により、熱処理時におい
てボート接触箇所にスリップが発生することは抑制でき
る。しかし、デバイスプロセス中の熱ストレスによっ
て、基板の全面にスリップが入るという問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来は
［Ｏi］が低い高抵抗基板において、スリップを有効に
防止することができず、スリップに起因した不良により
歩留まりの低下を招いていた。
【０００８】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、ＲＦ特性に優れた高抵抗基板であって、スリップに
起因した不良の発生を防止し、歩留まりを向上させるこ
とが可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
基板中の［Ｏi］が８Ｅ１７ｃｍ-3以下、［ＢＭＤ］が
１Ｅ８ｃｍ-3以上、比抵抗が５００Ω・ｃｍ以上である
半導体基板を用いて回路が形成されていることを特徴と
する。
【００１０】本発明の半導体装置の製造方法は、［Ｏ
i］が８Ｅ１７ｃｍ-3以下、［ＢＭＤ］が１Ｅ８ｃｍ-3
以上、及び比抵抗が５００Ω・ｃｍ以上の半導体基板を
用い、回路を形成するためのデバイスプロセス中の熱工
程を、１０００℃換算で２５時間以内とする点に特徴が
ある。
【００１１】また本発明の半導体装置の製造方法は、
［Ｏi］が８Ｅ１７ｃｍ-3以下、及び比抵抗が５００Ω
・ｃｍ以上の半導体基板に対し、５００〜７００℃で５
時間以内熱処理を行って、［ＢＭＤ］を１Ｅ８ｃｍ-3以
上とするステップと、この半導体基板を用いて回路を形
成するステップであって、回路形成時の熱処理を１００
０℃換算で２５時間以内とすることを特徴とする。
【００１２】あるいは本発明の半導体装置の製造方法
は、結晶引き上げ時に、Ｎ2を１Ｅ１３ｃｍ-3以上ドー
プすることにより［ＢＭＤ］を１Ｅ８ｃｍ-3以上とし
た、［Ｏi］が８Ｅ１７ｃｍ-3以下で比抵抗が５００Ω
・ｃｍ以上の半導体基板を得るステップと、この半導体
基板を用いて回路を形成するステップであって、回路形
成時の熱処理を１０００℃換算で２５時間以内とするス
テップとを備えることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】上述したように、高抵抗基板にお
いて、基板比抵抗を下げないようにしつつ［Ｏi］を低
下させた場合、熱処理時にボート接触箇所においてスリ
ップが発生したり、熱ストレスが原因となって基板全面
にスリップが発生するという問題があった。
【００１４】その対策としては、ＢＭＤを所定数以上形
成するという手法がある。図２に、ＢＭＤの密度（以
下、［ＢＭＤ］と称する）とスリップ長との関係を示
す。この図２より明らかなように、［ＢＭＤ］を１Ｅ８
ｃｍ-3以上形成することで、スリップを有効に防止でき
ることがわかる。
【００１５】［Ｏｉ］が８Ｅ１７ｃｍ-3以下である［Ｏ
i］の低い基板では酸素析出は起り難い。しかし、例え
ば５００〜７００℃の低温熱処理を行ったり、Ｎ2を導
入することで酸素析出を加速して、ＢＭＤを形成するこ
とが可能である。
【００１６】ところで、ＢＭＤを高密度に形成すると、
機械強度（上降伏応力；σ）が劣化し、デバイスプロセ
ス中においてスリップが多発する場合がある。
【００１７】図３に、機械強度のＢＭＤに対する依存性
を示す。ここで、一点鎖線Ｌ１で示された曲線は、［Ｏ
i］が１４Ｅ１７ｃｍ-3、点線Ｌ２は［Ｏi］が１０Ｅ１
７ｃｍ-3、実線Ｌ３は［Ｏi］が８Ｅ１７ｃｍ-3である
ときの［ＢＭＤ］と機械強度との関係を示している。
【００１８】この図３から明らかなように、ＢＭＤが増
加するに従って機械強度が低下するが、［Ｏi］が高い
場合程その低下現象が顕著であり、［Ｏi］が低い場合
には大幅な機械強度の低下は起こらない。
【００１９】また、図４に、機械強度の熱処理時間に対
する依存性を示す。ここで、点線Ｌ１１で示された曲線
は、［Ｏi］が１４Ｅ１７ｃｍ-3、実線Ｌ１２は［Ｏi］
が８Ｅ１７ｃｍ-3における熱処理時間と機械強度との関
係を示す。
【００２０】この図４より、熱処理時間が長くなるにつ
れて、機械強度は低下していくことがわかる。また、
［Ｏi］が高い程機械強度の低下がより顕著であり、
［Ｏi］が低い場合はあまり低下しない。図４に基づ
き、デバイスプロセス中の熱処理時間を１０００℃換算
で２５時間以内とすることで、機械強度の劣化の防止が
可能であるとする。
【００２１】以上の考察に基づき、本発明の実施の形態
では、図１に示されたように、［Ｏｉ］が低く（［Ｏ
i］≦８Ｅ１７ｃｍ-3）、高抵抗（ρ≧５００Ω・ｃ
ｍ）の基板を用意し（ステップＳ１００）、この基板に
低温熱処理（５００〜７００℃）を５時間以内行ってＢ
ＭＤを所定数以上（［ＢＭＤ］≧１Ｅ８ｃｍ-3）形成し
（ステップＳ１０２）する。
【００２２】ただし、デバイスプロセス中の熱処理行程
で、ＢＭＤが成長しすぎて機械強度が低下しないように
するため、デバイスプロセス中の熱工程を１０００℃換
算で２５時間以内（ステップＳ１０４）とする。
【００２３】ここで、ＢＭＤの形成には、低温熱処理に
限らず、Ｎ2の導入を用いてもよい。
【００２４】１０００℃での熱処理時間（ｔ）への換算
には、（[Ｏi］−[Ｏi］E）*（Ｄ・ｔ）＝一定の関係を
用いた。
【００２５】但し、[Ｏi］は熱処理前における基板に含
まれる酸素濃度、[Ｏi］Eは酸素の過飽和度、Ｄは拡散
係数とする。
【００２６】以下に、上記実施の形態に基づいて作成し
た実施例１及び２、従来の技術に相当する比較例１及び
２について、それぞれ説明する。
【００２７】（１）実施例１ ＭＣＺ法を用いて、基板比抵抗ρが５ｋΩ・ｃｍ、［Ｏ
i]が６Ｅ１７atoms・cm-3であるミラーウェーハを試作
し、６００℃で６時間、低温熱処理を行い、５Ｅ８ｃｍ
-3のＢＭＤを形成した。
【００２８】このミラーウェーハを支持基板とし、貼り
合わせ法を用いて、シリコン酸化膜の厚さ（ｔsi）が
０．２μｍ、埋め込み酸化膜の厚さ（ｔBOX）が０．２
μｍの薄膜ＳＯＩウェーハを試作した。
【００２９】このＳＯＩウェーハに、ＲＦ ＢiＣＭＯ
ＳプロセスでＲＦ通信用デバイスを試作した。ここで、
ＲＦ通信用デバイスにおけるＢiＣＭＯＳプロセス中の
熱工程は、１０００℃に換算して１５時間とした。
【００３０】このようなＲＦデバイスを試作したウェー
ハの機械強度を３点曲げで評価したところ、１０００℃
において１１ＭＰａであった。
【００３１】（２）実施例２ 上記実施例１とＢＭＤの形成方法が異なり、結晶引き上
げ時にｌＥ１４ｃｍ-3のＮ2をドープすることによりＢ
ＭＤを形成した。他の点は実施例１と同様であり、説明
を省略する。
【００３２】（３）比較例１ 上記実施例１、２と異なり、ＢＭＤの形成のための低温
熱処理を行わなかった。他の点は実施例１及び２と同様
であり、説明を省略する。
【００３３】（４）比較例２ 上記実施例１において、ＲＦ通信用デバイスにおけるＢ
iＣＭＯＳプロセス中の熱工程を、１０００℃換算で４
０時間行った。他の点は、実施例１及び２と同様であり
説明を省略する。この比較例２に従い、ＲＦ通信用デバ
イスを試作したウェーハの機械強度を測定したところ、
８ＭＰａであった。
【００３４】上記実施例１及び２、比較例１及び２のウ
ェーハに対して、ＲＦ特性、歩留まり率、及び結晶欠陥
（スリップ）の発生を調べたところ、図５に示されるよ
うな結果が得られた。
【００３５】実施例１及び２、比較例１及び２におい
て、いずれもＲＦ特性は良好であった。
【００３６】実施例１及び２はいずれも結晶欠陥が発生
せず、歩留まり比も比較例１より２割高かった。
【００３７】比較例１では、ボート接触箇所において、
結晶欠陥が発生した。比較例２では、全面に結晶欠陥が
発生し、デバイスの作成が不能で装置として完成するに
至らなかった。
【００３８】このように、実施例１及び２の結果から、
上記実施の形態によれば、ボート接触箇所も含めて結晶
欠陥の発生を防止することができ、歩留まり比が向上す
ることがわかった。
【００３９】即ち、ＢＭＤを１Ｅ８ｃｍ-3以上析出させ
ることで、ボート接触箇所を含めたスリップの発生を抑
制することができ、デバイス不良を防止し歩留まりの向
上に寄与することが確認された。ここで、［Ｏi］が低
い基板でＢＭＤを析出させる方法としては、実施例１の
ように低温熱処理を５時間以上行う方法を用いてもよ
く、実施例２のようにＮ2をドープする方法、あるいは
Ｃをドープする方法を用いてよい。
【００４０】上述した実施の形態は一例であって、本発
明を限定するものではない。例えば、上記実施の形態で
はＳＯＩウェーハを用いている。しかし、ＳＯＩウェー
ハに限らず、５００Ω・ｃｍ以上の高抵抗のバルクウェ
ーハを用いてもよい。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置は、基板中の［Ｏi］が８Ｅ１７ｃｍ-3以下、［ＢＭ
Ｄ］が１Ｅ８ｃｍ-3以上、比抵抗が５００Ω・ｃｍ以上
である基板に回路を形成することで、良好なＲＦ特性を
確保しつつ、結晶欠陥の発生を防止して製造歩留まりを
向上させることが可能である。このような半導体装置
は、本発明の製造方法により得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態による半導体装置の製造
方法の手順を示したフローチャート。
【図２】ＢＭＤとスリップ長との関係を示したグラフ。
【図３】ＢＭＤと機械強度との関係を示したグラフ。
【図４】熱処理時間と機械強度との関係を示したグラ
フ。
【図５】実施例１及び２と比較例１及び２のＲＦ特性、
歩留まり比、結晶欠陥の発生の有無を示した説明図。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板上に回路が形成された半導体装
    置において、 前記半導体基板は、基板中の格子間酸素濃度（以下、
    ［Ｏi］と称する）が８Ｅ１７ｃｍ-3以下、微小欠陥密
    度（以下、［ＢＭＤ］と称する）が１Ｅ８ｃｍ-3以上、
    比抵抗が５００Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする半
    導体装置。
  2. 【請求項２】半導体基板を用いて回路を形成し、半導体
    装置を製造する方法において、 ［Ｏi］が８Ｅ１７ｃｍ-3以下、［ＢＭＤ］が１Ｅ８ｃ
    ｍ-3以上、及び比抵抗が５００Ω・ｃｍ以上の半導体基
    板を用い、前記回路を形成するためのデバイスプロセス
    中の熱工程を、１０００℃換算で２５時間以内とするこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】半導体基板を用いて回路を形成し、半導体
    装置を製造する方法において、 ［Ｏi］が８Ｅ１７ｃｍ-3以下、及び比抵抗が５００Ω
    ・ｃｍ以上の半導体基板に対し、５００〜７００℃で５
    時間以内熱処理を行って、［ＢＭＤ］を１Ｅ８ｃｍ-3以
    上とするステップと、 前記熱処理を施した前記半導体基板を用いて前記回路を
    形成するステップであって、回路形成時の熱処理を１０
    ００℃換算で２５時間以内とするステップと、を備える
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】半導体基板を用いて回路を形成し、半導体
    装置を製造する方法において、 結晶引き上げ時に、Ｎ2を１Ｅ１３ｃｍ-3以上ドープす
    ることにより［ＢＭＤ］を１Ｅ８ｃｍ-3以上とした、
    ［Ｏi］が８Ｅ１７ｃｍ-3以下で比抵抗が５００Ω・ｃ
    ｍ以上の半導体基板を得るステップと、 前記半導体基板を用いて前記回路を形成するステップで
    あって、回路形成時の熱処理を１０００℃換算で２５時
    間以内とするステップと、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004111722A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Toshiba Corp 半導体装置
WO2006030699A1 (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Ｓｏｉウェーハの製造方法及びｓｏｉウェーハ
JP2006080461A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd Ｓｏｉウェーハの製造方法及びｓｏｉウェーハ
JP2006086305A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Shin Etsu Handotai Co Ltd Ｓｏｉウェーハの製造方法
US7683430B2 (en) 2005-12-19 2010-03-23 Innovative Silicon Isi Sa Electrically floating body memory cell and array, and method of operating or controlling same
US7732816B2 (en) 2001-06-18 2010-06-08 Innovative Silicon Isi Sa Semiconductor device
US7733693B2 (en) 2003-05-13 2010-06-08 Innovative Silicon Isi Sa Semiconductor memory device and method of operating same
US7736959B2 (en) 2003-07-22 2010-06-15 Innovative Silicon Isi Sa Integrated circuit device, and method of fabricating same
US7933142B2 (en) 2006-05-02 2011-04-26 Micron Technology, Inc. Semiconductor memory cell and array using punch-through to program and read same
US7940559B2 (en) 2006-04-07 2011-05-10 Micron Technology, Inc. Memory array having a programmable word length, and method of operating same
US7947543B2 (en) 2008-09-25 2011-05-24 Micron Technology, Inc. Recessed gate silicon-on-insulator floating body device with self-aligned lateral isolation
US7957206B2 (en) 2008-04-04 2011-06-07 Micron Technology, Inc. Read circuitry for an integrated circuit having memory cells and/or a memory cell array, and method of operating same
US7969779B2 (en) 2006-07-11 2011-06-28 Micron Technology, Inc. Integrated circuit including memory array having a segmented bit line architecture and method of controlling and/or operating same
US8014195B2 (en) 2008-02-06 2011-09-06 Micron Technology, Inc. Single transistor memory cell
US8064274B2 (en) 2007-05-30 2011-11-22 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having voltage generation circuitry for memory cell array, and method of operating and/or controlling same
US8069377B2 (en) 2006-06-26 2011-11-29 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having memory array including ECC and column redundancy and method of operating the same
US8085594B2 (en) 2007-06-01 2011-12-27 Micron Technology, Inc. Reading technique for memory cell with electrically floating body transistor
US8139418B2 (en) 2009-04-27 2012-03-20 Micron Technology, Inc. Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device
US8174881B2 (en) 2009-11-24 2012-05-08 Micron Technology, Inc. Techniques for reducing disturbance in a semiconductor device
US8189376B2 (en) 2008-02-08 2012-05-29 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having memory cells including gate material having high work function, and method of manufacturing same
US8194487B2 (en) 2007-09-17 2012-06-05 Micron Technology, Inc. Refreshing data of memory cells with electrically floating body transistors
US8199595B2 (en) 2009-09-04 2012-06-12 Micron Technology, Inc. Techniques for sensing a semiconductor memory device
US8213226B2 (en) 2008-12-05 2012-07-03 Micron Technology, Inc. Vertical transistor memory cell and array
US8223574B2 (en) 2008-11-05 2012-07-17 Micron Technology, Inc. Techniques for block refreshing a semiconductor memory device
US8252404B2 (en) 2003-11-13 2012-08-28 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation High resistivity silicon wafers
US8264041B2 (en) 2007-01-26 2012-09-11 Micron Technology, Inc. Semiconductor device with electrically floating body
US8310893B2 (en) 2009-12-16 2012-11-13 Micron Technology, Inc. Techniques for reducing impact of array disturbs in a semiconductor memory device
US8315099B2 (en) 2009-07-27 2012-11-20 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device
US8315083B2 (en) 2008-10-02 2012-11-20 Micron Technology Inc. Techniques for reducing a voltage swing
US8319294B2 (en) 2009-02-18 2012-11-27 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a source line plane
US8349662B2 (en) 2007-12-11 2013-01-08 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having memory cell array, and method of manufacturing same
US8369177B2 (en) 2010-03-05 2013-02-05 Micron Technology, Inc. Techniques for reading from and/or writing to a semiconductor memory device
US8411513B2 (en) 2010-03-04 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device having hierarchical bit lines
US8411524B2 (en) 2010-05-06 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Techniques for refreshing a semiconductor memory device
US8416636B2 (en) 2010-02-12 2013-04-09 Micron Technology, Inc. Techniques for controlling a semiconductor memory device
US8498157B2 (en) 2009-05-22 2013-07-30 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device
US8508994B2 (en) 2009-04-30 2013-08-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor device with floating gate and electrically floating body
US8518774B2 (en) 2007-03-29 2013-08-27 Micron Technology, Inc. Manufacturing process for zero-capacitor random access memory circuits
US8531878B2 (en) 2011-05-17 2013-09-10 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device
US8537610B2 (en) 2009-07-10 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device
US8536628B2 (en) 2007-11-29 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having memory cell array including barriers, and method of manufacturing same
US8547738B2 (en) 2010-03-15 2013-10-01 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device
US8576631B2 (en) 2010-03-04 2013-11-05 Micron Technology, Inc. Techniques for sensing a semiconductor memory device
US8710566B2 (en) 2009-03-04 2014-04-29 Micron Technology, Inc. Techniques for forming a contact to a buried diffusion layer in a semiconductor memory device
US8748959B2 (en) 2009-03-31 2014-06-10 Micron Technology, Inc. Semiconductor memory device
US8773933B2 (en) 2012-03-16 2014-07-08 Micron Technology, Inc. Techniques for accessing memory cells
US8873283B2 (en) 2005-09-07 2014-10-28 Micron Technology, Inc. Memory cell and memory cell array having an electrically floating body transistor, and methods of operating same
US9559216B2 (en) 2011-06-06 2017-01-31 Micron Technology, Inc. Semiconductor memory device and method for biasing same

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1357603A3 (en) 2002-04-18 2004-01-14 Innovative Silicon SA Semiconductor device
EP1355316B1 (en) 2002-04-18 2007-02-21 Innovative Silicon SA Data storage device and refreshing method for use with such device
FR2838865B1 (fr) 2002-04-23 2005-10-14 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat avec couche utile sur support de resistivite elevee
JP2004006615A (ja) * 2002-04-26 2004-01-08 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 高抵抗シリコンウエーハ及びその製造方法
US6912150B2 (en) 2003-05-13 2005-06-28 Lionel Portman Reference current generator, and method of programming, adjusting and/or operating same
JP4617751B2 (ja) * 2004-07-22 2011-01-26 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコンウェーハおよびその製造方法
US7476939B2 (en) 2004-11-04 2009-01-13 Innovative Silicon Isi Sa Memory cell having an electrically floating body transistor and programming technique therefor
US7251164B2 (en) 2004-11-10 2007-07-31 Innovative Silicon S.A. Circuitry for and method of improving statistical distribution of integrated circuits
US7301838B2 (en) 2004-12-13 2007-11-27 Innovative Silicon S.A. Sense amplifier circuitry and architecture to write data into and/or read from memory cells
US7355916B2 (en) 2005-09-19 2008-04-08 Innovative Silicon S.A. Method and circuitry to generate a reference current for reading a memory cell, and device implementing same
KR100876604B1 (ko) * 2007-07-13 2008-12-31 (주)페타리 반도체 소자 및 그 제조 방법
US7924630B2 (en) 2008-10-15 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Techniques for simultaneously driving a plurality of source lines
FR3119929B1 (fr) * 2021-02-15 2023-11-03 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d’une structure adaptee pour les applications radiofrequences, et substrat support pour ladite structure

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09190954A (ja) * 1996-01-10 1997-07-22 Sumitomo Sitix Corp 半導体基板およびその製造方法
JP2000044389A (ja) * 1998-05-22 2000-02-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd エピタキシャルシリコン単結晶ウエ―ハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエ―ハ

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4459159A (en) * 1982-09-29 1984-07-10 Mara William C O Method for making semi-insulating substrate by post-process heating of oxygenated and doped silicon
US4545849A (en) * 1983-03-03 1985-10-08 Motorola Inc. Method for control of oxygen in silicon crystals
JP3011982B2 (ja) * 1990-09-14 2000-02-21 コマツ電子金属株式会社 半導体装置の製造方法
JP2635450B2 (ja) * 1991-03-26 1997-07-30 信越半導体株式会社 中性子照射用原料ｃｚシリコン単結晶
US6008110A (en) * 1994-07-21 1999-12-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor substrate and method of manufacturing same
JP2874834B2 (ja) * 1994-07-29 1999-03-24 三菱マテリアル株式会社 シリコンウェーハのイントリンシックゲッタリング処理法
US5788763A (en) * 1995-03-09 1998-08-04 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration
JPH10223641A (ja) * 1996-12-03 1998-08-21 Sumitomo Sitix Corp 半導体シリコンエピタキシャルウェーハ及び半導体デバイスの製造方法
JPH10303208A (ja) * 1997-04-30 1998-11-13 Toshiba Corp 半導体基板およびその製造方法
TW589415B (en) * 1998-03-09 2004-06-01 Shinetsu Handotai Kk Method for producing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer
TW505709B (en) * 1998-05-22 2002-10-11 Shinetsu Handotai Kk A method for producing an epitaxial silicon single crystal wafer and the epitaxial silicon single crystal wafer
JP2000269225A (ja) 1999-03-12 2000-09-29 Toshiba Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09190954A (ja) * 1996-01-10 1997-07-22 Sumitomo Sitix Corp 半導体基板およびその製造方法
JP2000044389A (ja) * 1998-05-22 2000-02-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd エピタキシャルシリコン単結晶ウエ―ハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエ―ハ

Cited By (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7732816B2 (en) 2001-06-18 2010-06-08 Innovative Silicon Isi Sa Semiconductor device
JP2004111722A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Toshiba Corp 半導体装置
US7733693B2 (en) 2003-05-13 2010-06-08 Innovative Silicon Isi Sa Semiconductor memory device and method of operating same
US7736959B2 (en) 2003-07-22 2010-06-15 Innovative Silicon Isi Sa Integrated circuit device, and method of fabricating same
US8252404B2 (en) 2003-11-13 2012-08-28 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation High resistivity silicon wafers
WO2006030699A1 (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Ｓｏｉウェーハの製造方法及びｓｏｉウェーハ
JP2006080461A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd Ｓｏｉウェーハの製造方法及びｓｏｉウェーハ
US7902042B2 (en) 2004-09-13 2011-03-08 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of manufacturing SOI wafer and thus-manufactured SOI wafer
JP2006086305A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Shin Etsu Handotai Co Ltd Ｓｏｉウェーハの製造方法
JP4696510B2 (ja) * 2004-09-15 2011-06-08 信越半導体株式会社 Ｓｏｉウェーハの製造方法
US8873283B2 (en) 2005-09-07 2014-10-28 Micron Technology, Inc. Memory cell and memory cell array having an electrically floating body transistor, and methods of operating same
US11031069B2 (en) 2005-09-07 2021-06-08 Ovonyx Memory Technology, Llc Memory cell and memory cell array having an electrically floating body transistor, and methods of operating same
US10418091B2 (en) 2005-09-07 2019-09-17 Ovonyx Memory Technology, Llc Memory cell and memory cell array having an electrically floating body transistor, and methods of operating same
US7683430B2 (en) 2005-12-19 2010-03-23 Innovative Silicon Isi Sa Electrically floating body memory cell and array, and method of operating or controlling same
US8134867B2 (en) 2006-04-07 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Memory array having a programmable word length, and method of operating same
US7940559B2 (en) 2006-04-07 2011-05-10 Micron Technology, Inc. Memory array having a programmable word length, and method of operating same
US7933142B2 (en) 2006-05-02 2011-04-26 Micron Technology, Inc. Semiconductor memory cell and array using punch-through to program and read same
US8295078B2 (en) 2006-05-02 2012-10-23 Micron Technology, Inc. Semiconductor memory cell and array using punch-through to program and read same
US8069377B2 (en) 2006-06-26 2011-11-29 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having memory array including ECC and column redundancy and method of operating the same
US8402326B2 (en) 2006-06-26 2013-03-19 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having memory array including ECC and column redundancy and method of operating same
US7969779B2 (en) 2006-07-11 2011-06-28 Micron Technology, Inc. Integrated circuit including memory array having a segmented bit line architecture and method of controlling and/or operating same
US8395937B2 (en) 2006-07-11 2013-03-12 Micron Technology, Inc. Integrated circuit including memory array having a segmented bit line architecture and method of controlling and/or operating same
US8492209B2 (en) 2007-01-26 2013-07-23 Micron Technology, Inc. Semiconductor device with electrically floating body
US8796770B2 (en) 2007-01-26 2014-08-05 Micron Technology, Inc. Semiconductor device with electrically floating body
US8264041B2 (en) 2007-01-26 2012-09-11 Micron Technology, Inc. Semiconductor device with electrically floating body
US8518774B2 (en) 2007-03-29 2013-08-27 Micron Technology, Inc. Manufacturing process for zero-capacitor random access memory circuits
US9276000B2 (en) 2007-03-29 2016-03-01 Micron Technology, Inc. Manufacturing process for zero-capacitor random access memory circuits
US8064274B2 (en) 2007-05-30 2011-11-22 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having voltage generation circuitry for memory cell array, and method of operating and/or controlling same
US8659956B2 (en) 2007-05-30 2014-02-25 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having voltage generation circuitry for memory cell array, and method of operating and/or controlling same
US9257155B2 (en) 2007-05-30 2016-02-09 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having voltage generation circuitry for memory cell array, and method of operating and/or controlling same
US8659948B2 (en) 2007-06-01 2014-02-25 Micron Technology, Inc. Techniques for reading a memory cell with electrically floating body transistor
US8085594B2 (en) 2007-06-01 2011-12-27 Micron Technology, Inc. Reading technique for memory cell with electrically floating body transistor
US8194487B2 (en) 2007-09-17 2012-06-05 Micron Technology, Inc. Refreshing data of memory cells with electrically floating body transistors
US8797819B2 (en) 2007-09-17 2014-08-05 Micron Technology, Inc. Refreshing data of memory cells with electrically floating body transistors
US8446794B2 (en) 2007-09-17 2013-05-21 Micron Technology, Inc. Refreshing data of memory cells with electrically floating body transistors
US11081486B2 (en) 2007-11-29 2021-08-03 Ovonyx Memory Technology, Llc Integrated circuit having memory cell array including barriers, and method of manufacturing same
US10304837B2 (en) 2007-11-29 2019-05-28 Ovonyx Memory Technology, Llc Integrated circuit having memory cell array including barriers, and method of manufacturing same
US8536628B2 (en) 2007-11-29 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having memory cell array including barriers, and method of manufacturing same
US8349662B2 (en) 2007-12-11 2013-01-08 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having memory cell array, and method of manufacturing same
US9019788B2 (en) 2008-01-24 2015-04-28 Micron Technology, Inc. Techniques for accessing memory cells
US8014195B2 (en) 2008-02-06 2011-09-06 Micron Technology, Inc. Single transistor memory cell
US8325515B2 (en) 2008-02-06 2012-12-04 Micron Technology, Inc. Integrated circuit device
US8189376B2 (en) 2008-02-08 2012-05-29 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having memory cells including gate material having high work function, and method of manufacturing same
US8274849B2 (en) 2008-04-04 2012-09-25 Micron Technology, Inc. Read circuitry for an integrated circuit having memory cells and/or a memory cell array, and method of operating same
US7957206B2 (en) 2008-04-04 2011-06-07 Micron Technology, Inc. Read circuitry for an integrated circuit having memory cells and/or a memory cell array, and method of operating same
US8790968B2 (en) 2008-09-25 2014-07-29 Micron Technology, Inc. Recessed gate silicon-on-insulator floating body device with self-aligned lateral isolation
US9553186B2 (en) 2008-09-25 2017-01-24 Micron Technology, Inc. Recessed gate silicon-on-insulator floating body device with self-aligned lateral isolation
US7947543B2 (en) 2008-09-25 2011-05-24 Micron Technology, Inc. Recessed gate silicon-on-insulator floating body device with self-aligned lateral isolation
US8315083B2 (en) 2008-10-02 2012-11-20 Micron Technology Inc. Techniques for reducing a voltage swing
US8223574B2 (en) 2008-11-05 2012-07-17 Micron Technology, Inc. Techniques for block refreshing a semiconductor memory device
US8213226B2 (en) 2008-12-05 2012-07-03 Micron Technology, Inc. Vertical transistor memory cell and array
US8319294B2 (en) 2009-02-18 2012-11-27 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a source line plane
US9064730B2 (en) 2009-03-04 2015-06-23 Micron Technology, Inc. Techniques for forming a contact to a buried diffusion layer in a semiconductor memory device
US8710566B2 (en) 2009-03-04 2014-04-29 Micron Technology, Inc. Techniques for forming a contact to a buried diffusion layer in a semiconductor memory device
US8748959B2 (en) 2009-03-31 2014-06-10 Micron Technology, Inc. Semiconductor memory device
US9093311B2 (en) 2009-03-31 2015-07-28 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device
US8351266B2 (en) 2009-04-27 2013-01-08 Micron Technology, Inc. Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device
US8861247B2 (en) 2009-04-27 2014-10-14 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device
US8508970B2 (en) 2009-04-27 2013-08-13 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device
US8400811B2 (en) 2009-04-27 2013-03-19 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device having ganged carrier injection lines
US8139418B2 (en) 2009-04-27 2012-03-20 Micron Technology, Inc. Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device
US9425190B2 (en) 2009-04-27 2016-08-23 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device
US8508994B2 (en) 2009-04-30 2013-08-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor device with floating gate and electrically floating body
US9240496B2 (en) 2009-04-30 2016-01-19 Micron Technology, Inc. Semiconductor device with floating gate and electrically floating body
US8792276B2 (en) 2009-04-30 2014-07-29 Micron Technology, Inc. Semiconductor device with floating gate and electrically floating body
US8498157B2 (en) 2009-05-22 2013-07-30 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device
US8982633B2 (en) 2009-05-22 2015-03-17 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device
US8817534B2 (en) 2009-07-10 2014-08-26 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device
US8537610B2 (en) 2009-07-10 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device
US9331083B2 (en) 2009-07-10 2016-05-03 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device
US8587996B2 (en) 2009-07-27 2013-11-19 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device
US8315099B2 (en) 2009-07-27 2012-11-20 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device
US8947965B2 (en) 2009-07-27 2015-02-03 Micron Technology Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device
US9076543B2 (en) 2009-07-27 2015-07-07 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device
US8964461B2 (en) 2009-07-27 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device
US9679612B2 (en) 2009-07-27 2017-06-13 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device
US8199595B2 (en) 2009-09-04 2012-06-12 Micron Technology, Inc. Techniques for sensing a semiconductor memory device
US9812179B2 (en) 2009-11-24 2017-11-07 Ovonyx Memory Technology, Llc Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device
US8760906B2 (en) 2009-11-24 2014-06-24 Micron Technology, Inc. Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device
US8699289B2 (en) 2009-11-24 2014-04-15 Micron Technology, Inc. Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device
US8174881B2 (en) 2009-11-24 2012-05-08 Micron Technology, Inc. Techniques for reducing disturbance in a semiconductor device
US8310893B2 (en) 2009-12-16 2012-11-13 Micron Technology, Inc. Techniques for reducing impact of array disturbs in a semiconductor memory device
US8416636B2 (en) 2010-02-12 2013-04-09 Micron Technology, Inc. Techniques for controlling a semiconductor memory device
US8411513B2 (en) 2010-03-04 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device having hierarchical bit lines
US8576631B2 (en) 2010-03-04 2013-11-05 Micron Technology, Inc. Techniques for sensing a semiconductor memory device
US8964479B2 (en) 2010-03-04 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Techniques for sensing a semiconductor memory device
US8369177B2 (en) 2010-03-05 2013-02-05 Micron Technology, Inc. Techniques for reading from and/or writing to a semiconductor memory device
US8547738B2 (en) 2010-03-15 2013-10-01 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device
US9524971B2 (en) 2010-03-15 2016-12-20 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device
US9019759B2 (en) 2010-03-15 2015-04-28 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device
US8411524B2 (en) 2010-05-06 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Techniques for refreshing a semiconductor memory device
US9142264B2 (en) 2010-05-06 2015-09-22 Micron Technology, Inc. Techniques for refreshing a semiconductor memory device
US8630126B2 (en) 2010-05-06 2014-01-14 Micron Technology, Inc. Techniques for refreshing a semiconductor memory device
US8531878B2 (en) 2011-05-17 2013-09-10 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device
US9263133B2 (en) 2011-05-17 2016-02-16 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device
US9559216B2 (en) 2011-06-06 2017-01-31 Micron Technology, Inc. Semiconductor memory device and method for biasing same
US8773933B2 (en) 2012-03-16 2014-07-08 Micron Technology, Inc. Techniques for accessing memory cells

Also Published As

Publication number Publication date
EP1168428A3 (en) 2005-06-15
US20010055859A1 (en) 2001-12-27
US6414373B2 (en) 2002-07-02
EP1168428A2 (en) 2002-01-02

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Publication Publication Date Title
JP2002009081A (ja) 半導体装置及びその製造方法
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