KR960034481A - 실리콘웨이퍼 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

열히스토리 초기화단계에서, 수소, 헬륨 및 아르곤의 적어도 하나를 포함하는 분위기에서 열처리가 수행되며 한편 온도는 15~1.000℃/min의 비율로 700℃ 내지 1.000℃의 범위에서 상승한다. 제어된 핵성장단계에서, 열처리는 상기 분위기에서 수행되며 한편 온도는 0.5~60분 동안 850℃ 내지 980℃의 범위에서 일정하게 유지된다.

Description

실리콘웨이퍼 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (17)

  1. 실리콘웨이의 제조방법에 있어서, 단일 크리스탈 실리콘 잉곳으로부터 생산된 웨이퍼의 열히스토리를 초기화시키고, 이것에 의해 초미세 산소침전물 농도를 제어하며, 재-침전핵을 성장시킴과 아울러 이들을 제어하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 열히스토리 초기화단계는 웨이퍼가 수소, 헬륨 및 아르곤의 적어도 하나를 포함하는 분위기에서 가열되는 한편, 웨이퍼온도가 15℃/min 보다 낫지 않은 비율로 700℃ 내지 1,000℃의 범위내에서 상승하는 열처리단계인 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 침전핵을 성장시키는 단계는 수소, 헬륨 및 아르곤의 적어도 하나를 포함하는 분위기에서 수행된 열처리단계이며, 웨이퍼온도는 0.5 내지 60 분동안 850℃ 내지 980℃의 범위에서 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 단일 크리스탈 실리콘 잉곳으로부터 생산된 웨이퍼는 1.2~1.8×1018atoms/㎤의 틈새산소농도를 가지는 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 침전액을 성장시키는 단계이후에; 수소, 헬륨 및 아르곤의 적어도 하나를 포함하는 분위기에서 웨이퍼가 가열되는 한편 웨이퍼온도는 0.5내지 5℃/min의 비율로 1,000℃내지 1,3000℃의 범위내에서 증대되는 열처리단계를 구비하여, 수소, 헬륨 및 아르곤의 적어도 하나를 포함하는 분위기에서 수행되고, 웨이퍼온도가 적어도 5분동안 1,100℃ 내지 1,300℃의 범위내에서 일정하게 유지되는 열처리단계를 구비하며, 이것에 의해 웨이퍼의 표면이 직경이 20nm보다 더 큰 산소침전물의 농도가 겨우 103㎝-3인 비-결함층에 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 제조방법.
  6. 산소침전물의 농도가 106내지 1010㎝-3의 범위에 있는 산소침전물 농도조정층을 그의 내측에 구비하는 실리콘웨이퍼에 있어서, 단일 크리스탈 실리콘 잉곳으로부터 생산된 웨이퍼의 열히스토리를 초기화시키고, 이것에 의해 초미세 산소침전물의 농도를 제어하며, 재-침전핵을 성장시킴과 아울러 이들을 제어하는 단계를 구비하는 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼.
  7. 제6항에 있어서, 3㎛보다 더 얇지 않은 비-결함 표면층을 구비하며, 여기서 직경이 20nm보다 작지 않은 산소침전물의 농도가 103㎝-3또는 그 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼.
  8. 실리콘웨이퍼의 제조방법에 있어서, 단일 크리스탈 실리콘 잉곳으로부터 생산된 웨이퍼를 로 안에 배치하며, 15내지 1,000℃/min의 제1비율로 800℃ 내지 1,000℃의 범위에서 웨이퍼 온도를 상승시키며, 제2의 낮은 비율로 1,000℃내지 1,300℃의 범위에서 웨이퍼온도를 상승시키며, 적어도 5분동안 1,100℃내지 1,300℃의 범위에서 웨이퍼온도를 일정하게 유지시키는 단계들을 구비함을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 제2비율은 0.5~10℃/min인 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 제2비율은 1~5℃/min인 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 웨이퍼온도상승단계와 웨이퍼온도 유지단계는 수소, 헬륨 및 아르곤의 적어도 하나를 포함하는 분위기에서 수행됨을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 제조방법.
  12. 3㎛보다 더 얇지 않은 비-결함층을 구비하며, 직경이 20nm보다 더 작지 않은 산소침전물의 농도가 103㎝-3또는 그 이하인 실리콘웨이퍼에 있어서, 단일 크리스탈 실리콘 잉것으로부터 생산된 웨이퍼를 로 안에 배치하며, 15 내지 1,000℃/min의 제1비율로 800℃ 내지 1,000℃의 범위에서 웨이퍼 온도를 상승시키며, 제2의 낮은 비율로 1,000℃ 내지 1,300℃의 범위에서 웨이퍼온도를 상승시키며, 적어도 5분동안 1,100℃ 내지 1,300℃의 범위에서 웨이퍼온도를 일정하게 유지시키는 단계들을 구비하는 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼.
  13. 실리콘웨이퍼의 제조방법에 있어서, 1.4~1.8×1018atoms/㎤의 틈새산소농도를 갖는 실리콘웨이퍼를 준비하며, 실리콘웨이퍼를 로 내에 배치하며, 로를 수소 및 불활성가스의 적어도 하나를 포함하는 분위기로 충전하며, 실온 내지 900℃의 범위에서 15내지 100℃/min의 제1비율로 그리고 900℃ 내지 유지온도의 범위에서 1 내지 15℃/min의 제2비율로 웨이퍼온도를 상승시키며, 1분 내지 48시간동안 1,100℃ 내지 1,300℃의 범위에 있는 유지온도에서 웨이퍼온도를 유지시키는 단계들을 구비함을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 제1비율은 20 내지 100℃/min인 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 제1비율은 30 내지 100℃/min인 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 제조방법.
  16. 제13항에 있어서, 제2비율은 5 내지 10℃/min인 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼의 제조방법.
  17. 10㎛보다 더 얇지 않은 비-결함 표면층을 구비하며 직경이 20nm보다 더 작지 않은 산소침전물의 농도가 103㎝-3또는 그 이하이고, 벌크부분은 1× 103㎝-3내지 exp(9.21×10-18×Oi+3.224)㎝-3의 산소침전물농도를 가지며 여기서 Oi는 틈새산소농도를 가리키는 실리콘웨이퍼에 있어서 1.4~1.8×1018atoms/cm3의 틈새산소농도를 갖는 실리콘웨이퍼를 준비하며, 실리콘웨이퍼를 로 내에 배치하며, 로를 수소 및 불활성가스의 적어도 하나를 포함하는 분위기로 충전하며, 실온 내지 900℃의 범위에서 15내지 100℃/min의 제1비율로 그리고 900℃내지 유지온도의 범위에서 1 내지 15℃/min의 제2비율로 웨이퍼온도를 상승시키며, 1분 내지 48시간 동안 1,100℃내지 1300℃의 범위에 있는 유지온도에서 웨이퍼온도를 유지시키는 단계들을 구비하는 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 실리콘웨이퍼.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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