JPH04152518A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04152518A JPH04152518A JP2277101A JP27710190A JPH04152518A JP H04152518 A JPH04152518 A JP H04152518A JP 2277101 A JP2277101 A JP 2277101A JP 27710190 A JP27710190 A JP 27710190A JP H04152518 A JPH04152518 A JP H04152518A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
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- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
- H01L21/2686—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation using incoherent radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造方法に関するもので、特に
インコヒーレント光の照射によって基板の急速加熱を行
う方法（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａ
ｌｉｎｇ、以下ＲＴＡと略記する。）に使用されるもの
である。
インコヒーレント光の照射によって基板の急速加熱を行
う方法（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａ
ｌｉｎｇ、以下ＲＴＡと略記する。）に使用されるもの
である。
（従来の技術）
従来、半導体装置を製造する過程において、ＲＴＡが使
用されることがよくある。半導体装置の製造に際し、Ｒ
ＴＡを用いることの利点は、第１に、急速加熱、急速冷
却が行われるために秒単位の精度で短時間熱処理が可能
であること、及び第２に、加熱炉に対し半導体基板の■
し入れが室温に近い低温で行えるため加熱中の雰囲気制
御が厳密に行えることに要約することができる。特に、
後者の利点が顕著に現れる例として、窒素等の不活性ガ
ス雰囲気中において熱処理を行う際の残留酸素濃度の問
題を挙げることができる。つまり、通常の電気炉による
熱処理では、加熱すべき半導体基板の出し入れ時のいわ
ゆる外気の巻き込みのために、例えば本来起こるべきで
ない同基板の酸化が問題となる場合がある。かかる問題
に対してＲＴＡは特に有効である。即ち、ＲＴＡは、残
留酸素濃度が極めて低い純粋に近い条件の不活性ガス雰
囲気中において熱処理を行うことが可能である。なお、
ＲＴＡによる熱処理において、残留酸素濃度の低さは、
従来、ごく単純に雰囲気制御上の利点と見なされていた
。
用されることがよくある。半導体装置の製造に際し、Ｒ
ＴＡを用いることの利点は、第１に、急速加熱、急速冷
却が行われるために秒単位の精度で短時間熱処理が可能
であること、及び第２に、加熱炉に対し半導体基板の■
し入れが室温に近い低温で行えるため加熱中の雰囲気制
御が厳密に行えることに要約することができる。特に、
後者の利点が顕著に現れる例として、窒素等の不活性ガ
ス雰囲気中において熱処理を行う際の残留酸素濃度の問
題を挙げることができる。つまり、通常の電気炉による
熱処理では、加熱すべき半導体基板の出し入れ時のいわ
ゆる外気の巻き込みのために、例えば本来起こるべきで
ない同基板の酸化が問題となる場合がある。かかる問題
に対してＲＴＡは特に有効である。即ち、ＲＴＡは、残
留酸素濃度が極めて低い純粋に近い条件の不活性ガス雰
囲気中において熱処理を行うことが可能である。なお、
ＲＴＡによる熱処理において、残留酸素濃度の低さは、
従来、ごく単純に雰囲気制御上の利点と見なされていた
。
ところで、ＲＴＡの重要な応用の中には、高濃度に不純
物を含んだ半導体基板を窒素等の不活性ガス雰囲気中で
熱処理する必要のある場合、例えばイオン注入層の活性
化や拡散層中の結晶欠陥の除去等が含まれている。かか
る場合、ＲＴＡは、上述したように、半導体基板を酸化
することなく熱処理することが可能である。
物を含んだ半導体基板を窒素等の不活性ガス雰囲気中で
熱処理する必要のある場合、例えばイオン注入層の活性
化や拡散層中の結晶欠陥の除去等が含まれている。かか
る場合、ＲＴＡは、上述したように、半導体基板を酸化
することなく熱処理することが可能である。
しかしながら、実際の半導体装置の製造工程において、
基板を露出させた状態での加熱にはややデリケートな問
題が生じる。第２図は、窒素雰囲気中において、不純物
としてヒ素（Ａｓ）を含む基板をＲＴＡによって熱処理
した後の同基板面内におけるシート抵抗値の分布を示し
たものである。つまり、同図に示されるように、ＲＴＡ
による熱処理後のシート抵抗値には、基板面内において
不均一が生じるという欠点がある。なお、このシート抵
抗値の不均一性は、基板を露出させた状態で熱処理を行
う隙に特徴的に現れるものであり、熱処理時の温度の不
均一から生じるものでないことが知られている。また、
窒素雰囲気中、１１００℃以上の高温による熱処理では
、高濃度の不純物の有無によらず、基板表面に明らかな
表面荒れを起こすことが知られている。つまり、このよ
うなシート抵抗値の不均一や表面荒れ（以下、総称して
「基板表面の損傷」という。）は、半導体装置の製造工
程における均一性や再現性に対して悪影響を及ぼすとい
う欠点がある。
基板を露出させた状態での加熱にはややデリケートな問
題が生じる。第２図は、窒素雰囲気中において、不純物
としてヒ素（Ａｓ）を含む基板をＲＴＡによって熱処理
した後の同基板面内におけるシート抵抗値の分布を示し
たものである。つまり、同図に示されるように、ＲＴＡ
による熱処理後のシート抵抗値には、基板面内において
不均一が生じるという欠点がある。なお、このシート抵
抗値の不均一性は、基板を露出させた状態で熱処理を行
う隙に特徴的に現れるものであり、熱処理時の温度の不
均一から生じるものでないことが知られている。また、
窒素雰囲気中、１１００℃以上の高温による熱処理では
、高濃度の不純物の有無によらず、基板表面に明らかな
表面荒れを起こすことが知られている。つまり、このよ
うなシート抵抗値の不均一や表面荒れ（以下、総称して
「基板表面の損傷」という。）は、半導体装置の製造工
程における均一性や再現性に対して悪影響を及ぼすとい
う欠点がある。
（発明が解決しようとする課題）
このように、従来は、基板表面が露出した状態の半導体
基板の不活性ガス雰囲気中における熱処理をＲＴＡを用
いて行う場合に、条件によっては、同基板表面の損傷と
いう問題が生じる欠点があった。
基板の不活性ガス雰囲気中における熱処理をＲＴＡを用
いて行う場合に、条件によっては、同基板表面の損傷と
いう問題が生じる欠点があった。
本発明は、上記欠点を解決すべくなされたものであり、
従来のＲＴＡ装置に大きな変更を加えることなく、基板
表面が露出した状態の半導体基板の不活性ガス雰囲気中
における熱処理を、当該基板表面の損傷なしに行えるこ
とが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
従来のＲＴＡ装置に大きな変更を加えることなく、基板
表面が露出した状態の半導体基板の不活性ガス雰囲気中
における熱処理を、当該基板表面の損傷なしに行えるこ
とが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造
方法は、一主表面の少なくとも一部分が露出している半
導体基板を、不活性ガス雰囲気中においてインコヒーレ
ント光の照射により加熱する際に、前記不活性ガス雰囲
気中に微量の酸素ガスを意図的に添加するというもので
ある。
方法は、一主表面の少なくとも一部分が露出している半
導体基板を、不活性ガス雰囲気中においてインコヒーレ
ント光の照射により加熱する際に、前記不活性ガス雰囲
気中に微量の酸素ガスを意図的に添加するというもので
ある。
また、前記不活性ガス雰囲気が、窒素ガス、アルゴンガ
ス又はこれらの混合気体から構成される、ほぼ大気圧に
等しい雰囲気であり、前記酸素ガスの濃度が、前記不活
性ガス流量に対してｌ。
ス又はこれらの混合気体から構成される、ほぼ大気圧に
等しい雰囲気であり、前記酸素ガスの濃度が、前記不活
性ガス流量に対してｌ。
ｐｐｍから１ｏｏｏｐｐｒｎの間にあるのがよい。
さらに、前記半導体基板が露出した一部分における当該
基板表面の不純物濃度は、１，０×１０１９ｃｍり以上
である。
基板表面の不純物濃度は、１，０×１０１９ｃｍり以上
である。
（作用）
このような方法によれば、一主表面の少なくとも一部分
が露出している半導体基板について、ＲＴＡを行う際に
、不活性ガス雰囲気中に微量の酸素ガスを意図的に添加
している。このため、当該基板表面の損傷なしにＲＴＡ
を行うことが可能となり、半導体装置の製造工程におけ
る均一性や再現性に対して悪影響を及ぼすということも
なくなる。
が露出している半導体基板について、ＲＴＡを行う際に
、不活性ガス雰囲気中に微量の酸素ガスを意図的に添加
している。このため、当該基板表面の損傷なしにＲＴＡ
を行うことが可能となり、半導体装置の製造工程におけ
る均一性や再現性に対して悪影響を及ぼすということも
なくなる。
また、前記不活性ガス雰囲気が、窒素ガス、アルゴンガ
ス又はこれらの混合気体から構成される、ほぼ大気圧に
等しい雰囲気であり、前記酸素ガスの濃度が、前記不活
性ガス流量に対して１０ｐｐｍから１１０００ｐｐの間
にあるのが最も効果的である。
ス又はこれらの混合気体から構成される、ほぼ大気圧に
等しい雰囲気であり、前記酸素ガスの濃度が、前記不活
性ガス流量に対して１０ｐｐｍから１１０００ｐｐの間
にあるのが最も効果的である。
さらに、前記半導体基板が実質的に露出した一部分にお
ける当該基板表面の不純物濃度が、１．０ＸＩＯ”ｃｍ
−３以上であれば、さらに効果的である。
ける当該基板表面の不純物濃度が、１．０ＸＩＯ”ｃｍ
−３以上であれば、さらに効果的である。
（実施例）
以下、本発明の一実施例について詳細に説明する。
従来技術において説明した基板表面の損傷は、その分布
状況から見て基本的に同一現象から生じるものであると
考えられている。即ち、その直接の原因は、基板中のヒ
素（Ａｓ）原子又は基板を構成するシリコン（Ｓｉ）原
子自体の外方向拡散である。さらに遡れば、大気中に置
かれた半導体基板表面に普通に存在するいわゆる自然酸
化膜が不活性雰囲気中の加熱によって失われてしまうこ
とにより、外方向拡散に対する障壁がな（なってしまう
ことが主な原因となっている。
状況から見て基本的に同一現象から生じるものであると
考えられている。即ち、その直接の原因は、基板中のヒ
素（Ａｓ）原子又は基板を構成するシリコン（Ｓｉ）原
子自体の外方向拡散である。さらに遡れば、大気中に置
かれた半導体基板表面に普通に存在するいわゆる自然酸
化膜が不活性雰囲気中の加熱によって失われてしまうこ
とにより、外方向拡散に対する障壁がな（なってしまう
ことが主な原因となっている。
このような現象が生じる範囲は、ＲＴＡを使用する際の
典型的な条件である１０００℃程度の熱処理温度に対し
て、不活性ガス雰囲気中の酸素濃度が大気圧に対しｌｐ
ｐｍ程度又はそれ以下となった場合であることがわかっ
ている。具体的に、上記現象が生じるメカニズムを説明
すると、十分低い酸素濃度に対しては、 通常の熱酸化反応 Ｓｉ＋Ｏ７−５ｉＯ□ の代りに、 で示される反応が、平衡状態の決定に対して支配的とな
る。このため、蒸気圧が比較的高いＳｉＯ□は、容易に
気化し、基板表面上から離脱していく。
典型的な条件である１０００℃程度の熱処理温度に対し
て、不活性ガス雰囲気中の酸素濃度が大気圧に対しｌｐ
ｐｍ程度又はそれ以下となった場合であることがわかっ
ている。具体的に、上記現象が生じるメカニズムを説明
すると、十分低い酸素濃度に対しては、 通常の熱酸化反応 Ｓｉ＋Ｏ７−５ｉＯ□ の代りに、 で示される反応が、平衡状態の決定に対して支配的とな
る。このため、蒸気圧が比較的高いＳｉＯ□は、容易に
気化し、基板表面上から離脱していく。
つまり、ＲＴＡでは、通常の電気炉による熱処理に比べ
て厳密な雰囲気制御が可能となる反面、上記現象が顕在
化してくるということができる。
て厳密な雰囲気制御が可能となる反面、上記現象が顕在
化してくるということができる。
そこで、本発明では、窒素等の不活性ガス雰囲気中にお
いて、表面が露出した状態の半導体基板をＲＴＡによっ
て熱処理する場合に、当該不活性ガス雰囲気中に微量の
酸素を意図的に添加することとしている。ここで、本発
明が必要としている適切な酸素濃度は、次の二つの条件
を同時に満足するものである。
いて、表面が露出した状態の半導体基板をＲＴＡによっ
て熱処理する場合に、当該不活性ガス雰囲気中に微量の
酸素を意図的に添加することとしている。ここで、本発
明が必要としている適切な酸素濃度は、次の二つの条件
を同時に満足するものである。
第１の条件としては、基板表面の酸化膜（自然酸化膜を
含む）が安定に存在できる程度に十分な高い濃度である
こと、及び 第２に条件としては、基板表面上に不必要に厚い酸化膜
が成長しない程度に十分な低い濃度であることである。
含む）が安定に存在できる程度に十分な高い濃度である
こと、及び 第２に条件としては、基板表面上に不必要に厚い酸化膜
が成長しない程度に十分な低い濃度であることである。
上記二つの条件のうち、前者の条件を満たす酸素濃度は
、既に上述したように、大気圧に対してｌｐｐｍ程度又
はそれ以上であること、さらに工程上生じる種々のバラ
ツキを考慮すれば１０ｐｐｍ程度又はそれ以上であるこ
とが必要と考えられる。一方、後者の条件を満たす酸素
濃度を考える場合には、当該条件をさらに次に示すよう
に、具体的に言い換えることが必要である。
、既に上述したように、大気圧に対してｌｐｐｍ程度又
はそれ以上であること、さらに工程上生じる種々のバラ
ツキを考慮すれば１０ｐｐｍ程度又はそれ以上であるこ
とが必要と考えられる。一方、後者の条件を満たす酸素
濃度を考える場合には、当該条件をさらに次に示すよう
に、具体的に言い換えることが必要である。
つまり、新たな第２の条件としては、ＲＴＡの典型的な
条件である９００〜１２００℃、１分程度又はそれ以下
の熱処理に対して、基板上に成長する酸化膜厚が、不純
物濃度等の基板条件によらず５０人程度又はそれ以下で
あることである。
条件である９００〜１２００℃、１分程度又はそれ以下
の熱処理に対して、基板上に成長する酸化膜厚が、不純
物濃度等の基板条件によらず５０人程度又はそれ以下で
あることである。
上記新たな第２の条件を満足する酸素濃度は、大気圧に
対して１１０００ｐｐ程度又はそれ以下であることが実
験的に確かめられている。
対して１１０００ｐｐ程度又はそれ以下であることが実
験的に確かめられている。
ところで、上記二つの条件を満たす酸素濃度を得るため
に、外気からの残留酸素を当てにするのは、制御性もな
い上、雰囲気の汚染という観点からも好ましいことでは
ない。即ち、上記二つの条件を満たす酸素濃度を得るた
めの手段としては、マス拳フローｅコントローラ（以下
、ＭＦＣ）で制御することが好ましい。つまり、ＲＴＡ
に用いるプロセスガスの流量は、通常１１０５ｊ７程度
であるから、酸素ガスの流量を１０１０５ｅ以下とすれ
ば、１１０００ｐｐ以下という条件を満足することがで
きる。なお、ＭＦＣで精度よく制御できる流量は、ｌｓ
ｅｃｍ以上であるから、ＭＦＣにより上記二つの条件を
満たす酸素濃度を実現することは十分に可能である。
に、外気からの残留酸素を当てにするのは、制御性もな
い上、雰囲気の汚染という観点からも好ましいことでは
ない。即ち、上記二つの条件を満たす酸素濃度を得るた
めの手段としては、マス拳フローｅコントローラ（以下
、ＭＦＣ）で制御することが好ましい。つまり、ＲＴＡ
に用いるプロセスガスの流量は、通常１１０５ｊ７程度
であるから、酸素ガスの流量を１０１０５ｅ以下とすれ
ば、１１０００ｐｐ以下という条件を満足することがで
きる。なお、ＭＦＣで精度よく制御できる流量は、ｌｓ
ｅｃｍ以上であるから、ＭＦＣにより上記二つの条件を
満たす酸素濃度を実現することは十分に可能である。
従って、従来のＲＴＡ装置に大きな変更を加えることな
く、基板表面が露出した状態の半導体基板の不活性ガス
雰囲気中における熱処理を、当該基板表面の損傷なしに
行うことが可能となる。
く、基板表面が露出した状態の半導体基板の不活性ガス
雰囲気中における熱処理を、当該基板表面の損傷なしに
行うことが可能となる。
第１図は、不活性ガス雰囲気中の酸素濃度を１１００ｐ
ｐ程度に制御し、ＲＴＡを行った後の半導体基板面内の
シート抵抗値の分布を示すものであり、前記第３図に対
応するものである。
ｐ程度に制御し、ＲＴＡを行った後の半導体基板面内の
シート抵抗値の分布を示すものであり、前記第３図に対
応するものである。
同図からも明らかなように、シート抵抗値のバラツキは
、従来に比較して改善されており、酸素濃度を制御した
効果が十分に現れていることがわかる。
、従来に比較して改善されており、酸素濃度を制御した
効果が十分に現れていることがわかる。
また、第２図は、酸素濃度をパラメータとして、基板表
面の損傷の有無を総合的に示すものである。ここで、酸
素濃度１１００ｐｐ又は１１０００ｐｐは、それぞれ不
活性ガス（例えば窒素ガス、アルゴンガス等）流ｍ１Ｏ
ｓ、ｌ）ｍに対して酸素濃度流量をｌｓｃｃｍ又は１．
Ｏｓ ｃ ｃ ｍにＭＦＣにより制御した場合である
。また、酸素濃度０２なしは、酸素濃度の制御を行わな
い場合（従来例と同様の場合と考えて良い）である。即
ち、正確な酸素濃度は不明であるが、少なくともｉｐｐ
ｍ程度又はそれ以下と考えられる場合である。
面の損傷の有無を総合的に示すものである。ここで、酸
素濃度１１００ｐｐ又は１１０００ｐｐは、それぞれ不
活性ガス（例えば窒素ガス、アルゴンガス等）流ｍ１Ｏ
ｓ、ｌ）ｍに対して酸素濃度流量をｌｓｃｃｍ又は１．
Ｏｓ ｃ ｃ ｍにＭＦＣにより制御した場合である
。また、酸素濃度０２なしは、酸素濃度の制御を行わな
い場合（従来例と同様の場合と考えて良い）である。即
ち、正確な酸素濃度は不明であるが、少なくともｉｐｐ
ｍ程度又はそれ以下と考えられる場合である。
即ち、不活性ガス雰囲気中に微量の酸素を意図的に添加
してＲＴＡを行うことによって、基板表面の損傷を有効
に防止することができる。
してＲＴＡを行うことによって、基板表面の損傷を有効
に防止することができる。
なお、添加する酸素濃度は、１０ｐｐｍ以上１１０００
ｐｐ以下の範囲内であるのが最も効果的である。また、
上記熱処理条件下で基板上に形成される酸化膜厚は、測
定誤差の範囲内で熱処理前とほとんど差がなく、よって
余分な酸化膜を成長させないという意味においても十分
に条件を満足している。
ｐｐ以下の範囲内であるのが最も効果的である。また、
上記熱処理条件下で基板上に形成される酸化膜厚は、測
定誤差の範囲内で熱処理前とほとんど差がなく、よって
余分な酸化膜を成長させないという意味においても十分
に条件を満足している。
ところで、本発明の製造方法によって、表面が露出した
状態の半導体基板（実際には、その表面に自然酸化膜が
形成されている。）を窒素雰囲気中で安全に副作用なく
熱処理することが可能となる。その結果、イオン注入後
の結晶欠陥を回復させる場合等にＲＴＡを用いることが
可能になる。
状態の半導体基板（実際には、その表面に自然酸化膜が
形成されている。）を窒素雰囲気中で安全に副作用なく
熱処理することが可能となる。その結果、イオン注入後
の結晶欠陥を回復させる場合等にＲＴＡを用いることが
可能になる。
なお、一般的にイオン注入により形成される領域の不純
物濃度は、１．０ＸＩＯ”ｃｍ〜３以上となる。つまり
、半導体装置の製造過程において、短時間の熱処理を本
質的に必要とする多くの工程が実現可能となる。
物濃度は、１．０ＸＩＯ”ｃｍ〜３以上となる。つまり
、半導体装置の製造過程において、短時間の熱処理を本
質的に必要とする多くの工程が実現可能となる。
［発明の効果］
以上、説明したように、本発明の半導体装置の製造方法
によれば、次のような効果を奏する。
によれば、次のような効果を奏する。
一主表面の少なくとも一部分が露出している、即ちその
一部分がいわゆる自然酸化膜のみに覆われている状態の
半導体基板について、ＲＴＡを行う際に、不活性ガス雰
囲気中に微量の酸素ガスを意図的に添加している。この
ため、基板表面の酸化膜が安定に存在できる程度に、又
、基板表面上に不必要に厚い酸化膜が成長しない程度に
ＲＴＡを行うことかり能となる。つまり、当該基板表面
の損傷なしにＲＴＡを行うことができ、半導体装置の製
造工程における均一性や再現性に対する悪影響をなくす
ことができる。
一部分がいわゆる自然酸化膜のみに覆われている状態の
半導体基板について、ＲＴＡを行う際に、不活性ガス雰
囲気中に微量の酸素ガスを意図的に添加している。この
ため、基板表面の酸化膜が安定に存在できる程度に、又
、基板表面上に不必要に厚い酸化膜が成長しない程度に
ＲＴＡを行うことかり能となる。つまり、当該基板表面
の損傷なしにＲＴＡを行うことができ、半導体装置の製
造工程における均一性や再現性に対する悪影響をなくす
ことができる。
第１図は微量の酸素を意図的に添加してＲＴＡを行った
後の半導体基板表面内におけるシート抵抗値の分布を示
す図、第２図は酸素濃度をパラメータとして基板表面の
損傷の有無を総合的に示す図、第３図は実質的に酸素を
含まない不活性ガス雰囲気中においてＲＴＡを行った後
の半導体基板表面内におけるシート抵抗値の分布を示す
図である。
後の半導体基板表面内におけるシート抵抗値の分布を示
す図、第２図は酸素濃度をパラメータとして基板表面の
損傷の有無を総合的に示す図、第３図は実質的に酸素を
含まない不活性ガス雰囲気中においてＲＴＡを行った後
の半導体基板表面内におけるシート抵抗値の分布を示す
図である。
Claims (3)
- （１）一主表面の少なくとも一部分が露出している半導
体基板を、不活性ガス雰囲気中においてインコヒーレン
ト光の照射により加熱する際に、前記不活性ガス雰囲気
中に微量の酸素ガスを意図的に添加することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - （２）前記不活性ガス雰囲気は、窒素ガス、アルゴンガ
ス又はこれらの混合気体から構成される、ほぼ大気圧に
等しい雰囲気であって、かつ添加する酸素ガスの濃度は
、前記不活性ガス流量に対して１０ｐｐｍから１０００
ｐｐｍの間にあることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置の製造方法。 - （３）前記半導体基板が露出した一部分における当該基
板表面の不純物濃度が、１．０×１００＾１＾９ｃｍ＾
−＾３以上であることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2277101A JPH04152518A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 半導体装置の製造方法 |
| KR1019910017794A KR940007587B1 (ko) | 1990-10-16 | 1991-10-10 | 반도체장치의 제조방법 |
| US07/775,837 US5279973A (en) | 1990-10-16 | 1991-10-15 | Rapid thermal annealing for semiconductor substrate by using incoherent light |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2277101A JPH04152518A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04152518A true JPH04152518A (ja) | 1992-05-26 |
Family
ID=17578794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2277101A Pending JPH04152518A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5279973A (ja) |
| JP (1) | JPH04152518A (ja) |
| KR (1) | KR940007587B1 (ja) |
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