TW202405466A - 基板檢查裝置及基板檢查方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種基板檢查裝置以及基板檢查方法。基板檢查裝置(1)是對形成有相互鄰接並相向的配線(P1)、配線(P2)的基板(100)進行檢查的基板檢查裝置，具備：第一探針(Pr)，用於接觸配線(P1)的一端部；第二探針(Pr)，用於接觸配線(P2)的一端部；電容測定部(31)，經由第一探針(Pr)及第二探針(Pr)，而將配線(P1)與配線(P2)之間的靜電電容作為線間電容(Cx)來測定；以及第一判定部(22)，根據線間電容(Cx)來判定配線(P1)、配線(P2)中的至少一個配線的狀態。

Description

基板檢查裝置及基板檢查方法
本發明是有關於一種對基板進行檢查的基板檢查裝置及基板檢查方法。
從前以來，已知有如下的技術：使檢查對象的電路基板密接在上表面黏貼有絕緣膜的平板狀的電極的所述絕緣膜上，以測定形成在電路基板上表面的焊盤（land）與電極之間的靜電電容，並對所測定的靜電電容與從良品基板獲得的檢查用基準數據進行比較，由此檢查電路基板上表面的焊盤與電路基板下表面的焊盤之間的導通狀態（例如，參照日本專利公開公報特開2001-13192號公報）。
但是，在所述技術中，形成在電路基板上表面的配線圖案與電極，相隔了將電路基板的厚度與絕緣膜的厚度相加所得的厚度而相對向，因此，配線圖案與電極的距離變長。配線圖案和電極之間產生的靜電電容與配線圖案和電極的距離成反比，因此，若配線圖案與電極的距離變長，則配線圖案與電極之間產生的靜電電容減少。
因此，形成在電路基板上表面的配線圖案與電極之間產生的靜電電容，變得比形成在電路基板下表面的配線圖案與電極之間產生的靜電電容小。其結果是，與對於形成在電路基板下表面的配線圖案的檢查精度相比，對於形成在電路基板上表面的配線圖案的檢查精度會下降。
本發明的目的在於，提供一種基板檢查裝置及基板檢查方法，可減少由配線圖案的位置所引起的檢查精度的變化。
本發明的基板檢查裝置是對形成有相互鄰接並相向的第一配線與第二配線的基板進行檢查的基板檢查裝置，具備：第一探針，用於接觸所述第一配線的一端部；第二探針，用於接觸所述第二配線的一端部；電容測定部，經由所述第一探針及所述第二探針，而將所述第一配線與所述第二配線之間的靜電電容作為線間電容來測定；以及第一判定部，根據所述線間電容，來判定所述第一配線與所述第二配線中的至少一個的配線的狀態。
另外，本發明的基板檢查方法是對形成有相互鄰接並相向的第一配線與第二配線的基板進行檢查的基板檢查方法，包括：（a）使第一探針接觸所述第一配線的一端部的工序；（b）使第二探針接觸所述第二配線的一端部的工序；（c）經由所述第一探針及所述第二探針，而將所述第一配線與所述第二配線之間的靜電電容作為線間電容來測定的工序；以及（d）根據所述線間電容，來判定所述第一配線與所述第二配線中的至少一個的配線的狀態的工序。
根據這些結構，測定相互鄰接並相向的第一配線與第二配線之間的線間電容，並根據所述線間電容來判定配線的狀態。在此情況下，不存在如背景技術般，在基板上表面的配線與基板下表面的配線中靜電電容變化的情況，因此，可減少由配線圖案的位置所引起的檢查精度的變化。
另外，優選的是，當所述線間電容大於作為事先設定的範圍的上限值的線間上限值時，所述第一判定部判定所述第一配線與所述第二配線中的至少一個的配線的線寬為粗。
根據此結構，在第一配線與第二配線中的至少一個配線的粗度脫離事先設定的範圍而變粗的情況下，可判定線寬為粗。
另外，優選的是，當所述線間電容小於作為事先設定的範圍的下限值的線間下限值時，所述第一判定部判定所述第一配線與所述第二配線中的至少一個的配線的線寬為細或為斷線不良。
根據此結構，在第一配線與第二配線中的至少一個配線的粗度，變得比事先設定的範圍細的情況或已斷線的情況下，可判定線寬為細或為斷線不良。
另外，優選的是，當所述線間電容小於作為事先設定的範圍的下限值的線間下限值、且大於事先設定為比所述線間下限值小的值的線間辨別值時，所述第一判定部判定所述第一配線與所述第二配線中的至少一個的配線的線寬為細，當所述線間電容小於所述線間辨別值時，所述第一判定部判定所述第一配線與所述第二配線中的至少一個的配線為斷線不良。
根據此結構，可針對第一配線與第二配線中的至少一個配線，判定線寬為細或為斷線不良。
另外，優選的是，進而具備：第一斷線位置推斷部，根據所述線間電容來推斷斷線的位置。
根據此結構，在第一配線與第二配線中的至少一個配線已斷線的情況下，可推斷其斷線位置。
另外，優選的是，所述第一斷線位置推斷部根據所述線間電容與事先設定的線間基準電容的比，來推斷斷線的位置。
根據此結構，可根據線間電容與線間基準電容的比來推斷斷線的位置，因此容易推斷斷線的位置。
另外，優選的是，所述電容測定部進而將以覆蓋所述基板的一側的面的方式相向配置的導體板與所述第一配線之間的靜電電容作為配線電容來測定，且所述基板檢查裝置進而具備：第二判定部，根據所述配線電容來判定所述第一配線的狀態。
另外，優選的是，進而包括：（e）將以覆蓋所述基板的一側的面的方式相向配置的導體板與所述第一配線之間的靜電電容作為配線電容來測定的工序；以及（f）根據所述配線電容來判定所述第一配線的狀態的工序。
根據這些結構，測定導體板與第一配線之間的配線電容，並根據配線電容來判定第一配線的好壞，因此可判定第一配線的好壞。
另外，優選的是，當所述配線電容大於作為事先設定的範圍的上限值的配線上限值時，所述第二判定部判定所述第一配線的線寬為粗。
根據此結構，在第一配線的粗度變得比事先設定的範圍粗的情況下，可判定第一配線的線寬為粗。
另外，優選的是，當所述配線電容小於作為事先設定的範圍的下限值的配線下限值時，所述第二判定部判定所述第一配線的線寬為細或為斷線不良。
根據此結構，在第一配線的粗度變細的情況或已斷線的情況下，可判定第一配線的線寬為細或為斷線不良。
另外，優選的是，當所述配線電容小於作為事先設定的範圍的下限值的配線下限值、且大於事先設定為比所述配線下限值小的值的配線辨別值時，所述第二判定部判定所述第一配線的線寬為細，當所述配線電容小於所述配線辨別值時，所述第二判定部判定所述第一配線為斷線不良。
根據此結構，可針對第一配線，判定其為線寬細或斷線不良中的任一個。
另外，優選的是，進而具備：第三判定部，根據所述第一判定部的判定結果與所述第二判定部的判定結果，判定產生了由所述第一判定部所判定的狀態的配線。
根據此結構，可根據第一判定部的判定結果與第二判定部的判定結果，判定在第一配線及第二配線中的哪一個配線中產生了不良。
另外，優選的是，進而具備：第二斷線位置推斷部，根據所述配線電容來推斷斷線的位置。
根據此結構，在第一配線已斷線的情況下可推斷其斷線位置。
另外，優選的是，進而具備：存儲部，事先存儲將所述第一配線的斷線位置與對應於此斷線位置的所述配線電容建立對應的斷線電容信息，且所述第二斷線位置推斷部根據所述配線電容與所述斷線電容信息，來推斷斷線的位置。
根據此結構，通過斷線電容信息來取得與由電容測定部所測定的配線電容建立了對應的斷線位置，由此可推斷斷線的位置，因此容易推斷斷線的位置。
另外，優選的是，進而具備：第三探針，用於接觸所述導體板，且所述導體板經由絕緣層而附著在所述基板的另一側的面上。
根據此結構，所述導體板作為所述基板的一部分而附著，因此容易使導體板與第一配線之間的距離穩定。其結果是，容易提升配線電容的測定精度並提升好壞判定的精度。
另外，優選的是，所述基板是不具有核心層的無核基板，且所述導體板是支撐所述基板的配線層的載體。
另外，優選的是，進而包括：（1）將所述導體板用作載體，將所述導體板、絕緣層、所述第一配線及所述第二配線按此順序層疊，來形成基板的工序；以及（2）從所述基板去除所述導體板的工序；且在執行所述工序（1）之後、並在執行所述工序（2）之前，執行所述工序（e）。
根據這些結構，在無核基板的製造過程中，可對去除載體前的製造途中的基板進行檢查。
此種結構的基板檢查裝置及基板檢查方法，可減少由配線圖案的位置所引起的檢查精度的變化。
以下，根據圖式對本發明的實施方式進行說明。另外，在各圖中標注同一個符號的結構表示同一個結構，並省略其說明。圖1是概略性地表示使用本發明的一實施方式的基板檢查方法的基板檢查裝置的結構的概念圖。圖1中所示的基板檢查裝置1是用以檢查形成在作為檢查對象物的一例的基板100上的電路圖案的裝置。
基板100例如可為以下的各種基板：半導體封裝用的封裝基板或膜載體（film carrier）、印刷配線基板、玻璃環氧基板、柔性基板、陶瓷多層配線基板、液晶顯示器或電致發光（Electro-Luminescence，EL）顯示器等的顯示器用的電極板、觸控面板用等的透明導電板、半導體晶圓（wafer）或半導體晶片或晶片尺寸封裝（Chip Size Package，CSP）等的半導體基板。在基板100上形成有配線圖案、焊墊（pad）、焊盤、焊料凸塊（solder bump）、及端子等的檢查點。
圖1中所示的基板檢查裝置1具有框體11。在框體11的內部空間中，主要設置有：基板固定裝置12、檢查部3U、檢查部3L、及控制部2。在框體11的外壁面等上，安裝有顯示部5（報告部）。基板固定裝置12以將成為檢查對象的基板100固定在規定的位置的方式構成。
檢查部3U位於固定在基板固定裝置12的基板100的上方。檢查部3L位於固定在基板固定裝置12上的基板100的下方。檢查部3U及檢查部3L具備電極板9，所述電極板9形成有用於與探針Pr進行電性連接的電極。在檢查部3U及檢查部3L的各電極板9上，安裝有用於檢查形成在基板100上的電路圖案的檢查夾具4U、檢查夾具4L。在檢查夾具4U、檢查夾具4L上安裝有多個探針Pr。另外，檢查部3U及檢查部3L具備：後述的電容測定部31、後述的掃描器部34、及用於在框體11內適宜移動的檢查部移動機構15。掃描器部34對電容測定部31與各探針Pr的連接關係進行切換。
檢查部3U、檢查部3L彼此相同地構成。以下，將檢查部3U、檢查部3L總稱為檢查部3。檢查夾具4U、檢查夾具4L彼此相同地構成。以下，將檢查夾具4U、檢查夾具4L總稱為檢查夾具4。
圖2是概念性地表示圖1中所示的控制部2的結構的一例的方塊圖。控制部2例如使用微電腦來構成，所述微電腦具備：執行規定的邏輯運算的中央處理器（Central Processing Unit，CPU）、暫時地存儲數據的隨機存取記憶體（Random Access Memory，RAM）、事先存儲規定的控制程式等的非揮發性的記憶裝置、及它們的周邊電路等。所述記憶裝置也可以用作存儲部27。
控制部2例如通過執行所述控制程式，而作為檢查控制部21、第一判定部22、第一斷線位置推斷部23、第二判定部24、第二斷線位置推斷部25、及第三判定部26發揮功能。
例如，以實驗方式測定如下的值，並事先存儲在存儲部27中：作為相互鄰接的一對正常的配線P間的靜電電容的線間基準電容Cx_ref；考慮線間基準電容Cx_ref的偏差或測定誤差等所決定的正常的範圍的、作為上限值的線間上限值Cx_lim_U及作為下限值的線間下限值Cx_lim_L；以及作為辨別線寬細的不良與斷線的閾值的、事先設定為比線間下限值Cx_lim_L小的值的線間辨別值Cx_lim_LL。另外，線間上限值Cx_lim_U與線間下限值Cx_lim_L也可以是相同的值，例如，也可以將線間基準電容Cx_ref直接用作線間上限值Cx_lim_U及線間下限值Cx_lim_L。
另外，例如實際使用線寬正常的基板與線寬已變細的基板以實驗方式測定如下的值，並事先存儲在存儲部27中：作為正常的一根配線P與載體101之間的靜電電容的配線基準電容Cz_ref；考慮配線基準電容Cz_ref的偏差或測定誤差等所決定的正常的範圍的、作為上限值的配線上限值Cz_lim_U及作為下限值的配線下限值Cz_lim_L；以及作為辨別線寬細的不良與斷線的閾值的、事先設定為比配線下限值Cz_lim_L小的值的配線辨別值Cz_lim_LL。另外，配線上限值Cz_lim_U與配線下限值Cz_lim_L也可以是相同的值，例如，也可以將配線基準電容Cz_ref直接用作配線上限值Cz_lim_U及配線下限值Cz_lim_L。
線間基準電容Cx_ref、線間上限值Cx_lim_U、線間下限值Cx_lim_L、線間辨別值Cx_lim_LL、配線基準電容Cz_ref、配線上限值Cz_lim_U、配線下限值Cz_lim_L、配線辨別值Cz_lim_LL，是根據配線P的長度、寬度、間隔、層疊配線層106的厚度、預浸料102（prepreg）的厚度等而變化，作為一例，線間基準電容Cx_ref為100 fF左右，配線基準電容Cz_ref為900 fF左右，配線辨別值Cz_lim_LL為600 fF左右。
進而，例如以實驗方式測定將配線P的斷線位置與對應於此斷線位置的配線電容Cz建立了對應的斷線電容信息，並事先存儲在存儲部27中。
顯示部5例如為液晶顯示裝置或EL（ElectroLuminescence）顯示裝置等的顯示裝置。顯示部5對應於來自控制部2的控制信號，而顯示基板的檢查結果等。
檢查控制部21使檢查部3U、檢查部3L適宜移動，並使檢查夾具4U、檢查夾具4L的各探針Pr接觸固定在基板固定裝置12上的基板100的各檢查點，且利用後述的掃描器部34使對應於檢查對象的檢查點的探針Pr與後述的電容測定部31連接。
圖3是用以說明成為檢查對象的基板100的製造方法的一例的說明圖。在圖3中，利用在厚度方向上切斷基板100所得的剖面圖，來表示基板100的製造過程。基板100是在作為不存在核心層的所謂的無核基板（coreless）的基板100a的製造過程中，剝離支撐體用的載體101之前的基板。換句話說，基板100是在作為最終製品的基板100a上附著有載體101的狀態的基板。作為此種無核基板的製造方法，可使用各種方法，作為一例，例如可使用國際專利公開公報WO2015/122258中記載的製造方法。另外，在國際專利公開公報WO2015/122258的圖1中僅圖示了基本的工序，例如省略了將層間連接的通孔（via）的形成工序、或形成用於將零件連接在基板表面上的焊墊的工序、或將零件安裝在基板上的工序等。
無核基板由於不具備核心層，因此缺乏剛性，在無核基板的製造工序中容易破損。因此，已知有如下的無核基板的製造方法：將用於在製造工序中支撐配線層的板狀的載體用作支撐體，在載體上形成配線層後，將載體剝離。
在圖3中所示的無核基板的製造方法中，首先，將片狀的預浸料102貼合在片狀的載體101上（工序K1）。作為載體101，例如可使用：銅、銅合金、鋁、鋁合金、不銹鋼、鈦、鈦合金等各種導電性的箔狀的金屬板。載體101並不限定於一層，也可以將一種或多種材料層疊來形成。
預浸料102包含：環氧樹脂等的樹脂材料、或玻璃纖維等的絕緣材料。載體101相當於導體板的一例，預浸料102相當於絕緣層的一例。另外，未必限定於將載體101與預浸料102層疊的例子。也可以形成材質與預浸料不同的絕緣層，來代替預浸料102。
繼而，將用於形成配線的銅箔103黏貼在預浸料102的與載體101相反側的表面上（工序K2）。繼而，對銅箔103進行蝕刻來形成多個配線P（工序K3）。多個配線P大致平行地延伸設置。繼而，以覆蓋多個配線P的方式，形成包含與預浸料102相同的絕緣材料的預浸料104（工序K4）。通過工序K2～工序K4的配線層形成工序，而形成配線P由絕緣材料覆蓋的第一層的配線層105。
繼而，針對配線層105的與預浸料102相反側的表面，重複與工序K2～工序K4相同的配線層形成工序，由此形成第二層的配線層105（工序K5）。如此層疊多個配線層105，而形成層疊配線層106。由此，形成層疊有載體101、預浸料102、及層疊配線層106的基板100。
在圖3中，省略了將配線P在層間連接的通孔等的連接部的形成工序、或在基板100a的最外層（圖3中為上表面與下表面）使配線P的一部分露出而形成連接了零件等的焊墊等的工序的記載等。另外，在基板100a的最外面，覆蓋了配線P來防止配線P露出的層並不限定於預浸料，也可以是抗蝕劑（resist）等的片材或塗佈層。另外，配線層105的層疊數並不限定於兩層，也可以是一層，也可以是三層以上。
工序K1～工序K5相當於工序（1）的一例。例如，將通過此工序K5所形成的基板100安裝在基板固定裝置12上，利用基板檢查裝置1執行檢查。而且，對檢查結果為良好的基板100，執行以下的載體去除工序（工序K6）。在載體去除工序（工序K6）中，從基板100上剝離載體101或進行蝕刻，由此去除載體101，製成作為最終的完成品的基板100a。
如此，在工序K5之後、工序K6之前，執行包含載體101的基板100的檢查，對檢查結果為良好的基板100執行工序K6，對檢查結果為不良的基板100不執行工序K6，由此，與對基板100a執行檢查的情況相比，可減少基板的製造工作量。
另外，也可以在執行了包含載體101的基板100的檢查之後、通過工序K6來去除載體101之前，將積體電路（Integrated Circuit，IC）等的零件安裝在基板100上。另外，在工序K6中，也可以不僅去除載體101，也去除預浸料102。
圖4是概念性地表示圖1中所示的基板檢查裝置1的結構的說明圖。圖4表示在基板檢查裝置1上安裝有檢查對象的基板100的狀態。圖4中所示的基板檢查裝置1具備：電容測定部31、掃描器部34、及多個探針Pr。電容測定部31具備：交流電壓源32、電流檢測部33、及端子T1、端子T2。在圖4中省略了控制部2的記載。
在基板100上，形成有相互大致平行地延長的多個配線P。以下，對作為各配線P中的兩根的配線P1（第一配線）與配線P2（第二配線）進行說明，其他配線P3、P4與配線P1、配線P2同樣地構成，因此，省略其說明。配線P1、配線P2具有：第一部分L11、第一部分L21，形成在基板100的圖4中的上表面（另一側的面）上；焊墊Pd12、焊墊Pd22及第二部分L12、第二部分L22，形成在圖4中的層疊配線層106的下表面（基板100的一側的面側）上；以及貫穿配線L13、貫穿配線L23，貫穿層疊配線層106並將第一部分L11、第一部分L21與第二部分L12、第二部分L22相接。
配線P1的第一部分L11的一端部被加寬而作為焊墊Pd11，配線P1的第二部分L12的一端部被加寬而作為焊墊Pd12，配線P2的第一部分L21的一端部被加寬而作為焊墊Pd21，配線P2的第二部分L22的一端部被加寬而作為焊墊Pd22。第一部分L11的另一端部與第二部分L12的另一端部通過貫穿配線L13來連接，第一部分L21的另一端部與第二部分L22的另一端部通過貫穿配線L23來連接。
檢查夾具4U的探針Pr分別接觸了包含焊墊Pd11、焊墊Pd21的基板100的圖4中的上表面上所形成的各焊墊。檢查夾具4L的探針Pr接觸了成為基板100的圖4中的下表面的載體101。在此情況下，接觸焊墊Pd11的探針Pr相當於第一探針，接觸焊墊Pd21的探針Pr相當於第二探針，接觸載體101的探針Pr相當於第三探針。
交流電壓源32是輸出交流頻率f的規定的電壓V的交流電源電路。交流電壓源32的一側的輸出端子經由端子T1而與掃描器部34連接，交流電壓源32的另一側的輸出端子經由電流檢測部33與端子T2而與掃描器部34連接。
電流檢測部33例如為使用分流電阻（shunt resistor）、霍爾元件、類比數位轉換器等所構成的交流電流計。電流檢測部33檢測從交流電壓源32中輸出的電流I，即在作為配線P1、配線P2間的靜電電容的線間電容Cx中流動的電流Ix，或在作為配線P1與載體101之間的靜電電容的配線電容Cz中流動的電流Iz。電壓V及電流I可以是有效值，也可以是峰值。
在頻率f的電壓V被施加至靜電電容中時電流I已流動的情況下，靜電電容C通過下述的式（1）來求出。 靜電電容C＝I /（V×2πf）・・・（1）
在此情況下，由於V及2πf已知，因此，只要可獲得電流I，便知道靜電電容C。因此，電容測定部31可測定靜電電容C。另外，檢查控制部21可根據由電流檢測部33所檢測到的電流I並基於式（1）來算出靜電電容C，也可以將電流I直接用作表示靜電電容C的信息。以下，將檢查控制部21根據由電流檢測部33所檢測到的電流I來算出靜電電容C的情況包含在內，記載為電容測定部31測定靜電電容C。
掃描器部34例如使用電晶體等的多個開關元件來構成。掃描器部34對應於來自檢查控制部21的控制信號，使端子T1、端子T2分別與檢查夾具4U、檢查夾具4L的多個探針Pr中的任一個導通連接。在圖4中，對掃描器部34的說明進行簡化，僅記載與接觸配線P1、配線P2及載體101的探針Pr和電容測定部31的連接相關的開關元件SW1、開關元件SW2、開關元件SW3，省略了其他開關元件等的記載。
檢查控制部21從多個配線P之中，選擇成為檢查對象的兩根配線P1、P2。而且，檢查控制部21通過掃描器部34，使端子T1經由開關元件SW1而與接觸了配線P1的探針Pr連接。另外，檢查控制部21通過掃描器部34，使端子T2經由開關元件SW2而與接觸了配線P2的探針Pr連接，並使端子T2經由開關元件SW3而與接觸了載體101的探針Pr連接。
檢查控制部21控制開關元件SW1、開關元件SW2、開關元件SW3的接通（ON）、斷開（OFF），通過電容測定部31來測定線間電容Cx及配線電容Cz。第一判定部22根據線間電容Cx，判定配線P1、配線P2的狀態，例如線寬粗、線寬細、斷線、良好、不良等的狀態。第一斷線位置推斷部23根據線間電容Cx，推斷配線P1、配線P2的斷線位置。第二判定部24根據配線電容Cz，判定配線P1的狀態，例如線寬粗、線寬細、斷線、良好、不良等的狀態。第二斷線位置推斷部25根據配線電容Cz，推斷配線P1的斷線的位置。第三判定部26根據第一判定部22的判定結果與第二判定部24的判定結果，判定配線P1、配線P2之中產生了由第一判定部22所判定的狀態的配線。
通過將如基板100般的層疊配線層106、預浸料102、及載體101成為一體的基板作為檢查對象，配線P1與載體101的距離不變，因此，配線電容Cz穩定。其結果是，根據配線電容Cz的第二判定部24的判定精度提升，根據第一判定部22與第二判定部24的判定結果的第三判定部26的判定精度提升。
另外，並不限定於進行具備載體101的基板100的檢查的例子。圖5是表示圖4中所示的基板檢查裝置1的另一例的概念性的說明圖。圖5中所示的基板檢查裝置1a與基板檢查裝置1的不同點是：在基板固定裝置12上具備導體板16。導體板16經由開關元件SW3而與端子T2連接。導體板16大致水平地配設，將導體板16的上表面設為平坦的載置面。在導體板16的上表面上可載置檢查對象的基板100a。基板檢查裝置1a在其他方面與基板檢查裝置1同樣地構成。
而且，也可以使預浸料102位在導體板16側，來將在工序K6中去除了載體101的基板100a載置在導體板16上，並通過基板檢查裝置1a來執行與基板檢查裝置1相同的檢查。根據基板檢查裝置1a，電容測定部31將配線P1與導體板16之間的靜電電容作為配線電容Cz來測定。
另外，也可以將不具備預浸料102及載體101，而僅包含層疊配線層106的基板作為檢查對象。圖6是表示圖5中所示的基板檢查裝置1a的另一例的概念性的說明圖。圖6中所示的基板檢查裝置1b與基板檢查裝置1a的不同點是：在導體板16的上表面上層疊有絕緣板17。基板檢查裝置1b在其他方面與基板檢查裝置1a同樣地構成。
根據基板檢查裝置1b，即便是在基板表面上不具備絕緣層的基板，也可以作為檢查對象。
繼而，對如所述般構成的基板檢查裝置1的動作進行說明。圖7～圖10是表示基板檢查裝置1的動作的一例的流程圖。另外，關於基板檢查裝置1a、基板檢查裝置1b的動作，除了使用導體板16來代替載體101這一點以外，兩者是相同的。
首先，檢查控制部21例如通過省略圖示的搬送機構，來將檢查對象的基板100安裝在基板固定裝置12上，並通過檢查部移動機構15來使檢查夾具4U、檢查夾具4L的探針Pr接觸基板100的各檢查點及載體101（步驟S1，工序（a）、工序（b））。
繼而，檢查控制部21從基板100的多個配線P之中，選擇相互鄰接的兩根配線P1、P2作為第一配線、第二配線（步驟S2）。以下，如圖4所示，開關元件SW1設置在接觸作為配線P1（第一配線）的一端部的焊墊Pd11的探針Pr與端子T1之間，開關元件SW2設置在接觸作為配線P2（第二配線）的一端部的焊墊Pd21的探針Pr與端子T2之間，開關元件SW3設置在接觸載體101的探針Pr與端子T2之間，以此來進行說明。
繼而，檢查控制部21將開關元件SW1、開關元件SW2接通，將開關元件SW3斷開。由此，檢查控制部21通過電容測定部31，來測定配線P1與配線P2之間的線間電容Cx（步驟S3）。
繼而，第一判定部22對線間電容Cx與線間上限值Cx_lim_U進行比較（步驟S4）。而且，在線間電容Cx大於線間上限值Cx_lim_U的情況（步驟S4中的是（YES））下，第一判定部22判定配線P1、配線P2的至少一個為線寬粗的不良（步驟S5）。
線間電容Cx與配線P1和配線P2的相向距離（間隔）成反比。因此，在線間電容Cx大於作為正常的線間電容Cx的上限值的線間上限值Cx_lim_U的情況下，可認為：配線P1、配線P2的至少一個已變得比正常的線寬粗，由此，配線P1與配線P2的相向距離已變窄。因此，在線間電容Cx大於線間上限值Cx_lim_U的情況（步驟S4中的是（YES））下，第一判定部22判定配線P1、配線P2的至少一個為線寬粗的不良（步驟S5），並將此判定結果作為根據線間電容Cx的判定結果，例如顯示在顯示部5（報告部）中等來向使用者報告，然後過渡至步驟S21。
在此情況下，在第一部分L11、第一部分L21與第二部分L12、第二部分L22中，不論在哪一部分中線寬已變粗時，對於線間電容Cx的影響均相同，因此，可減少由產生了配線圖案的不良的位置所引起的檢查精度的變化。
根據步驟S5，無法辨別在配線P1、配線P2的哪一個中線寬變粗。因此，在步驟S21以後，執行根據配線電容Cz的檢查。
在步驟S21中，檢查控制部21將開關元件SW1、開關元件SW3接通，將開關元件SW2斷開。由此，檢查控制部21通過電容測定部31，來測定配線P1與載體101之間的配線電容Cz（步驟S21）。
繼而，第二判定部24對配線電容Cz與配線上限值Cz_lim_U進行比較（步驟S22）。而且，在配線電容Cz大於配線上限值Cz_lim_U的情況（步驟S22中的是（YES））下，第二判定部24判定配線P1為在第二部分L12中線寬粗的不良（步驟S23），並將此判定結果作為根據配線電容Cz的判定結果，例如顯示在顯示部5（報告部）中等來向使用者報告。
配線電容Cz與配線P1的面積成正比，與載體101和配線P1的相向距離成反比。因此，在配線電容Cz已變得比配線上限值Cz_lim_U大的情況下，可認為：配線P1的面積已變得比正常的配線的面積大，即配線P1已變粗。
另外，如圖4所示，在焊墊Pd11與載體101之間產生靜電電容Cp1，在第一部分L11與載體101之間產生靜電電容Cz1，在第二部分L12與載體101之間產生靜電電容Cz2，在焊墊Pd12與載體101之間產生靜電電容Cp2。因此，變成：配線電容Cz＝Cp1＋Cz1＋Cz2＋Cp2。
但是，形成在層疊配線層106的下表面的第二部分L12及焊墊Pd12與載體101的相向距離變成預浸料102的厚度，因此以極近的距離相向，靜電電容Cz2、靜電電容Cp2變成比較大的值。相對於此，形成在層疊配線層106的上表面的焊墊Pd11及第一部分L11與載體101的相向距離變成預浸料102的厚度與層疊配線層106的厚度的合計，相向距離變長。其結果是，靜電電容Cp1、靜電電容Cz1變成比靜電電容Cz2、靜電電容Cp2小的值，根據層疊配線層106的厚度，靜電電容Cp1、靜電電容Cz1變成相對於靜電電容Cz2、靜電電容Cp2小至可無視的程度的值。
因此，即便當在第一部分L11中線寬已變粗時，配線電容Cz的增大也不超過偏差的程度，因此配線電容Cz不超過配線上限值Cz_lim_U的可能性高。因此，在配線電容Cz大於配線上限值Cz_lim_U的情況（步驟S22中的是（YES））下，第二判定部24判定配線P1為在第二部分L12中線寬粗的不良（步驟S23）。
另外，步驟S23中的判定結果，不一定必須將不良部位確定為第二部分L12，也可以是配線P1為線寬粗的不良這一判定結果。
繼而，第三判定部26根據步驟S5中的第一判定部22的判定結果、及步驟S23中的第二判定部24的判定結果，由於任一個判定結果均在配線P1為線寬粗的不良這一點上相同，因此判定配線P1為線寬粗的不良（步驟S24），並將此判定結果作為根據線間電容Cx與配線電容Cz的判定結果，例如顯示在顯示部5（報告部）中等來向使用者報告，而結束處理。
第一判定部22的判定結果無法確定是配線P1、配線P2的哪一個的不良，第二判定部24的判定結果難以檢測第一部分L11中的不良，因此判定精度低。但是，第三判定部26根據第一判定部22的判定結果與第二判定部24的判定結果，基於其相同點而判定配線P1為線寬粗的不良，因此可提升在配線P1中產生了線寬粗的不良的判定精度。
另一方面，在步驟S22中，在配線電容Cz為配線上限值Cz_lim_U以下的情況（步驟S22中的否（NO））下，第二判定部24判定配線P1的第二部分L12並非線寬粗的不良（步驟S25）。
繼而，第三判定部26根據步驟S5中的第一判定部22的判定結果、及步驟S25中的第二判定部24的判定結果，判定配線P2為線寬粗的不良或配線P1為在第一部分L11中線寬粗的不良（步驟S26），並將此判定結果作為根據線間電容Cx與配線電容Cz的判定結果，例如顯示在顯示部5（報告部）中等來向使用者報告，而結束處理。
在此情況下，第三判定部26也可以根據第一判定部22的判定結果與第二判定部24的判定結果，在可能的範圍內，向使用者詳細地報告不良的產生狀況，因此使用者的便利性提升。
另一方面，返回至圖7，在步驟S4中，在線間電容Cx為線間上限值Cx_lim_U以下的情況（步驟S4中的否（NO））下，第一判定部22對線間電容Cx與線間下限值Cx_lim_L進行比較（步驟S6）。而且，在線間電容Cx為線間下限值Cx_lim_L以上的情況（步驟S6中的否（NO））下，線間電容Cx在作為正常的靜電電容範圍的線間下限值Cx_lim_L以上、線間上限值Cx_lim_U以下的範圍內，因此第一判定部22判定配線P1、配線P2為良好（正常）（步驟S7），並將此判定結果例如顯示在顯示部5中等來向使用者報告，而結束處理。
在此情況下，在第一部分L11、第一部分L21與第二部分L12、第二部分L22中，配線P1、配線P2的間隔大致相同，因此，對於第一部分L11、第一部分L21與第二部分L12、第二部分L22的任一個，均能夠以相同程度的檢查精度進行檢查。因此，可減少由產生了配線圖案的不良的位置所引起的檢查精度的變化。
另一方面，在步驟S6中，在線間電容Cx未滿線間下限值Cx_lim_L的情況（步驟S6中的是（YES））下，第一判定部22判定在配線P1、配線P2的至少一個中產生了線寬細的不良或斷線不良（步驟S8），並將此判定結果作為根據線間電容Cx的判定結果，例如顯示在顯示部5中等來向使用者報告。
在線間電容Cx已變得比線間下限值Cx_lim_L小的情況下，作為其原因，可認為：由於配線P1、配線P2的至少一個已變得比正常的線寬細，因此，配線P1與配線P2的相向距離已擴大。或者，作為其原因，可認為：配線P1、配線P2中的至少一個已斷線。因此，在線間電容Cx未滿線間下限值Cx_lim_L的情況（步驟S6中的是（YES））下，第一判定部22可判定在配線P1、配線P2的至少一個中產生了線寬細的不良或斷線不良。
繼而，第一判定部22對線間電容Cx與線間辨別值Cx_lim_LL進行比較（步驟S9）。而且，在線間電容Cx大於線間辨別值Cx_lim_LL的情況（步驟S9中的是（YES））下，第一判定部22判定配線P1、配線P2中的至少一個為線寬細的不良（步驟S10），在線間電容Cx為線間辨別值Cx_lim_LL以下的情況（步驟S9中的否（NO））下，第一判定部22判定在配線P1、配線P2中的至少一個中產生了斷線不良（步驟S11）。
在基板配線的製造中，通常幾乎不會產生如線寬變成1/2或變成1/3般的大的變動。即便在產生了線寬的不良的情況下，相對於正常的粗度的差異通常微小，在不良時作為線間電容Cx出現的靜電電容的變化量例如也變成1 fF～10 fF左右的微小的變化量。
相對於此，在產生了斷線的情況下，若在配線P1、配線P2的中央位置上產生斷線，則線間電容Cx變成1/2，若在從配線P1、配線P2的焊墊Pd11、焊墊Pd21起1/4的位置上產生斷線，則線間電容Cx變成1/4。因此，若將線間辨別值Cx_lim_LL設為從線間下限值Cx_lim_L減去在線寬已變細時產生的程度的微小的靜電電容所得的值，則可認為：在線間電容Cx大於線間辨別值Cx_lim_LL的情況（步驟S9中的是（YES））下，產生了線寬變細的不良的可能性高，在線間電容Cx為線間辨別值Cx_lim_LL以下的情況（步驟S9中的否（NO））下，產生了斷線的可能性高。
因此，第一判定部22可根據線間辨別值Cx_lim_LL，以某種程度的高準確性，辨別線寬細的不良與斷線不良。
在步驟S10中，第一判定部22將內容為配線P1、配線P2中的至少一個為線寬細的不良的判定結果作為根據線間電容Cx的判定結果，例如顯示在顯示部5中等來向使用者報告，然後過渡至步驟S30。在步驟S11中，第一判定部22將內容為在配線P1、配線P2中的至少一個中產生了斷線不良的判定結果作為根據線間電容Cx的判定結果，例如顯示在顯示部5中等來向使用者報告，然後過渡至步驟S12。
在步驟S10中，無法辨別在配線P1、配線P2的哪一個中線寬變細。因此，在步驟S30以後，執行根據配線電容Cz的檢查。
在步驟S30中，與步驟S21同樣地，檢查控制部21將開關元件SW1、開關元件SW3接通，將開關元件SW2斷開，通過電容測定部31來測定配線P1與載體101之間的配線電容Cz（步驟S30）。
繼而，第二判定部24對配線電容Cz與配線下限值Cz_lim_L進行比較（步驟S31）。而且，在配線電容Cz小於配線下限值Cz_lim_L的情況（步驟S31中的是（YES））下，第二判定部24判定配線P1為斷線不良或在第二部分L12中線寬細的不良（步驟S32），並將此判定結果作為根據配線電容Cz的判定結果，例如顯示在顯示部5中等來向使用者報告。
配線電容Cz與配線P1的面積成正比，與載體101和配線P1的相向距離成反比。因此，在配線電容Cz已變得比配線下限值Cz_lim_L小的情況下，可認為：配線P1的面積已變得比正常的配線的面積小，即配線P1已變細、或已斷線。
但是，如上所述，靜電電容Cp1、靜電電容Cz1變成比靜電電容Cz2、靜電電容Cp2小的值，根據層疊配線層106的厚度，靜電電容Cp1、靜電電容Cz1變成相對於靜電電容Cz2、靜電電容Cp2小至可無視的程度的值。因此，即便當在第一部分L11中線寬已變細時，配線電容Cz的減少也不超過偏差的程度，因此，配線電容Cz不低於配線下限值Cz_lim_L的可能性高。因此，在配線電容Cz小於配線下限值Cz_lim_L的情況（步驟S31中的是（YES））下，第二判定部24判定配線P1為斷線不良或在第二部分L12中線寬細的不良（步驟S32）。
另外，步驟S32中的判定結果，不一定必須將不良部位確定為第二部分L12，也可以是配線P1為線寬細的不良或斷線不良這一判定結果。
繼而，第二判定部24對配線電容Cz與配線辨別值Cz_lim_LL進行比較（步驟S33）。而且，在配線電容Cz大於配線辨別值Cz_lim_LL的情況（步驟S33中的是（YES））下，第二判定部24判定配線P1為在第二部分L12中線寬細的不良（步驟S34）。
如上所述，即便在產生了線寬的不良的情況下，相對於正常的粗度的線寬的差異通常微小，在不良時作為配線電容Cz出現的靜電電容的變化量例如也變成1fF～10fF左右的微小的變化量。
相對於此，通過將配線辨別值Cz_lim_LL適當地設定成從配線下限值Cz_lim_L減去在線寬已變細時產生的程度的微小的靜電電容所得的值，如圖11的圖表G2所示，在配線P1的全長的大部分的位置上，產生了斷線時的配線電容Cz低於配線辨別值Cz_lim_LL。因此，若將配線辨別值Cz_lim_LL設為從配線下限值Cz_lim_L減去在線寬已變細時產生的程度的微小的靜電電容所得的值，則可認為：在配線電容Cz大於配線辨別值Cz_lim_LL的情況（步驟S33中的是（YES））下，產生了線寬變細的不良的可能性高，在配線電容Cz為配線辨別值Cz_lim_LL以下的情況（步驟S33中的否（NO））下，產生了斷線的可能性高。
因此，第二判定部24可根據配線辨別值Cz_lim_LL，以某種程度的高準確性，辨別線寬細的不良與斷線不良。
尤其，當在第二部分L12的前端設置有焊墊Pd12時，焊墊Pd12的線寬比第二部分L12大，每單位長度的靜電電容比第二部分L12大。因此，即便當在配線P1的終端部附近，即第二部分L12與焊墊Pd12的連接部分產生了斷線時，也從線間電容Cx減少比較大的靜電電容Cp2。因此，若將配線辨別值Cz_lim_LL設為從配線下限值Cz_lim_L減去靜電電容Cp2所得的值，則容易辨別線寬細的不良與斷線不良。
另外，步驟S34中的判定結果，不一定必須將不良部位確定為第二部分L12，也可以是配線P1為線寬細的不良這一判定結果。
繼而，第三判定部26根據步驟S10中的第一判定部22的判定結果、及步驟S34中的第二判定部24的判定結果，由於任一個判定結果均在配線P1為線寬細的不良這一點上相同，因此，判定配線P1為線寬細的不良（步驟S35），並將此判定結果作為根據線間電容Cx與配線電容Cz的判定結果，例如顯示在顯示部5（報告部）中等來向使用者報告，而結束處理。
第一判定部22的判定結果無法確定是配線P1、配線P2的哪一個的不良，第二判定部24的判定結果難以檢測第一部分L11中的不良，因此判定精度低。但是，第三判定部26根據第一判定部22的判定結果與第二判定部24的判定結果，基於其相同點而判定配線P1為線寬細的不良，因此可提升在配線P1中產生了線寬細的不良的判定精度。
另一方面，在步驟S33中，在配線電容Cz為配線辨別值Cz_lim_LL以下的情況（步驟S33中的否（NO））下，可認為產生了斷線，但在後述的步驟S11、步驟S12、步驟S40～步驟S46中對斷線進行判斷，因此第二判定部24結束此處理。
在步驟S31中，在配線電容Cz為配線下限值Cz_lim_L以上的情況（步驟S31中的否（NO））下，第二判定部24判定配線P1並非斷線不良，且並非在第二部分L12中線寬細的不良（步驟S36）。
繼而，第三判定部26根據步驟S10中的第一判定部22的判定結果、及步驟S36中的第二判定部24的判定結果，由於配線P1、配線P2中的至少一個為線寬細的不良，且配線P1並非在第二部分L12中線寬細的不良，因此，判定配線P1為在第一部分L11中線寬細的不良、或配線P2為線寬細的不良（步驟S37）。而且，第三判定部26將此判定結果作為根據線間電容Cx與配線電容Cz的判定結果，例如顯示在顯示部5（報告部）中等來向使用者報告，而結束處理。
另一方面，在步驟S11中，通過第一判定部22來判定在配線P1、配線P2中的至少一個中產生了斷線不良後，第一斷線位置推斷部23根據線間電容Cx與線間基準電容Cx_ref的比，來推斷斷線位置Posx（步驟S12）。
圖11是表示配線P已斷線時的斷線位置與在此位置上斷線時，由電容測定部31所測定的線間電容Cx及配線電容Cz的關係的圖。圖表G1表示線間電容Cx與斷線位置的關係，圖表G2表示配線電容Cz與斷線位置的關係。
圖表G1、圖表G2的橫軸以從配線P的一端部（起點）起的長度來表示配線P的斷線位置。在配線P1的例子中，探針Pr所接觸的焊墊Pd11的前端變成“起點”，焊墊Pd12的前端變成“終點”，將第二部分L12與焊墊Pd12的連接點的位置表述成“焊墊”。圖表G1的縱軸表示線間電容Cx，圖表G2的縱軸表示配線電容Cz。
另外，在圖表G2的起點附近位置上，因焊墊Pd11的靜電電容Cp1的影響，實際上存在圖表變得不連續的區域，但為了使說明變得簡單而省略其記載。
線間電容Cx是在相互大致平行的一對配線P間產生的靜電電容。若將第一部分L11、第一部分L21的線間電容設為Cx1，將第二部分L12、第二部分L22的線間電容設為Cx2，貫穿配線L13、貫穿配線L23的線間電容因微小而無視，則線間電容Cx大致變成Cx1＋Cx2。而且，第一部分L11、第一部分L21的間隔與第二部分L12、第二部分L22的間隔大致相等。因此，隨著斷線位置從起點離開，線間電容Cx大致線性地增加。因此，可根據無斷線時的線間基準電容Cx_ref與由電容測定部31所測定的線間電容Cx的比，推斷配線P的斷線位置。
具體而言，在將配線P1、配線P2的全長設為La，並以從起點起的長度來表示斷線位置Posx的情況下，第一斷線位置推斷部23可根據下述的式（2）來算出斷線位置Posx。 斷線位置Posx＝La×Cx / Cx_ref・・・（2）
另外，第一斷線位置推斷部23並不限定於根據線間基準電容Cx_ref與線間電容Cx的比，來推斷配線P的斷線位置Posx的例子。例如，也可以將表示圖表G1中所示的斷線位置與線間電容Cx的對應關係的查找表（look-uptable）事先存儲在存儲部27中，第一斷線位置推斷部23通過參照此查找表，來推斷斷線位置Posx。
第一斷線位置推斷部23將以所述方式推斷的斷線位置Posx，例如顯示在顯示部5中等來向使用者報告，然後過渡至步驟S40。
在步驟S11中，無法辨別在配線P1、配線P2的哪一個中已斷線。因此，在步驟S40以後，執行根據配線電容Cz的檢查。
在步驟S40中，與步驟S21同樣地，檢查控制部21將開關元件SW1、開關元件SW3接通，將開關元件SW2斷開，通過電容測定部31來測定配線P1與載體101之間的配線電容Cz（步驟S40）。
繼而，第二判定部24對配線電容Cz與配線辨別值Cz_lim_LL進行比較（步驟S41）。而且，在配線電容Cz為配線辨別值Cz_lim_LL以下的情況（步驟S41中的是（YES））下，第二判定部24判定配線P1為斷線不良（步驟S42），並將此判定結果作為根據配線電容Cz的判定結果，例如顯示在顯示部5中等來向使用者報告。
繼而，第二斷線位置推斷部25根據配線電容Cz與斷線電容信息來推斷斷線位置Posz（步驟S43），並將其推斷結果作為根據配線電容Cz的斷線位置推斷結果，例如顯示在顯示部5中等來向使用者報告。
如上所述，靜電電容Cp1、靜電電容Cz1變成比靜電電容Cz2、靜電電容Cp2小的值。因此，配線電容Cz和配線P的斷線位置的關係，與圖表G1的線間電容Cx不同，不變成線性的關係。
如圖11的圖表G2所示，當配線P在第一部分中已斷線時，相對於其斷線位置的配線電容Cz的變化微小，難以根據配線電容Cz來推斷斷線位置或位置精度變低。另一方面，當配線P在第二部分中已斷線時，相對於其斷線位置的配線電容Cz的變化變得比第一部分大，比較容易根據配線電容Cz來推斷斷線位置，位置精度也變高。
但是，如圖表G2所示，配線電容Cz和配線P的斷線位置的關係，與圖表G1的線間電容Cx不同，不變成線性的關係。因此，例如，將表示圖表G2中所示的斷線位置與配線電容Cz的對應關係的查找表，作為斷線電容信息而事先存儲在存儲部27中，第二斷線位置推斷部25通過參照此查找表來推斷斷線位置Posz。
另外，第二斷線位置推斷部25未必限定於根據斷線電容信息來推斷斷線位置Posz的例子。例如，在層疊配線層106非常薄的情況等，配線電容Cz與配線P的斷線位置的關係變成線性地接近的關係的情況下，與第一斷線位置推斷部23同樣地，第二斷線位置推斷部25也可以根據配線電容Cz與配線基準電容Cz_ref的比，來推斷斷線位置Posz。
繼而，第三判定部26根據步驟S11中的第一判定部22的判定結果、及步驟S42中的第二判定部24的判定結果，由於任一個判定結果均在配線P1為斷線不良這一點上相同，因此，判定配線P1為斷線不良（步驟S44），並將此判定結果作為根據線間電容Cx與配線電容Cz的判定結果，例如顯示在顯示部5（報告部）中等來向使用者報告，而結束處理。
第一判定部22的判定結果無法確定是配線P1、配線P2的哪一個的不良，第二判定部24的判定結果難以檢測第一部分L11中的不良，因此判定精度低。但是，第三判定部26根據第一判定部22的判定結果與第二判定部24的判定結果，基於其相同點而判定配線P1為斷線不良，因此可提升在配線P1中產生了斷線不良的判定精度。
另一方面，在步驟S41中，在配線電容Cz超過配線辨別值Cz_lim_LL的情況（步驟S41中的否（NO））下，第二判定部24判定配線P1並非斷線不良（步驟S45）。
繼而，在步驟S11中的第一判定部22的判定結果中，配線P1、配線P2的至少一個被判定為斷線不良，在步驟S45中的第二判定部24的判定結果中，配線P1被判定為並非斷線不良，因此，第三判定部26根據所述兩個判定結果，判定配線P2為斷線不良（步驟S46）。而且，第三判定部26將此判定結果作為根據線間電容Cx與配線電容Cz的判定結果，例如顯示在顯示部5（報告部）中等來向使用者報告，而結束處理。
另外，基板檢查裝置1也可以在結束所述處理後，將處理過渡至步驟S2，依次選擇尚未得到檢查的配線P作為新的配線P1、配線P2，並重複以後的處理，由此執行基板100的所有配線P的檢查。
以上，根據步驟S1～步驟S46，可判定配線P的線寬粗的不良、線寬細的不良、斷線、及斷線位置。進而，與背景技術相比，可減少由配線圖案的位置所引起的檢查精度的變化。
另外，也可以不具備第二斷線位置推斷部25，而不執行步驟S43。但是，通過獲得步驟S12中的根據線間電容Cx的斷線位置Posx的推斷結果、及步驟S43中的根據配線電容Cz的斷線位置Posz的推斷結果，使用者可更準確地掌握配線P的斷線位置。
另外，也可以不具備第一斷線位置推斷部23，而不執行步驟S12。但是，通過在步驟S12中推斷斷線位置Posx，可將此斷線位置Posx的信息反饋至基板100的製造步驟中等，而有助於基板100的品質提升。
另外，也可以設為不具備第三判定部26，而不執行步驟S24、步驟S26、步驟S35、步驟S37、步驟S44、步驟S46的結構。但是，通過具備第三判定部26，並執行步驟S24、步驟S26、步驟S35、步驟S37、步驟S44、步驟S46，可獲得與不良部位相關的更詳細的信息，其結果是，使用者的便利性提升。
另外，第二判定部24也可以不執行步驟S33、步驟S34，第三判定部26根據步驟S10中的第一判定部22的判定結果、及步驟S32中的第二判定部24的判定結果，由於任一個判定結果均在配線P1為線寬細的不良這一點上相同，因此，判定配線P1為線寬細的不良（步驟S35）。
另外，也可以不執行步驟S21～步驟S26，也可以不執行步驟S30～步驟S37，也可以不執行步驟S40～步驟S46。即便在不執行這些處理的任一個或所有這些處理的情況下，根據步驟S1～步驟S12，也可以判定配線P1、配線P2的至少一個的線寬粗的不良、線寬細的不良、及斷線。
另外，第一判定部22也可以不執行步驟S9～步驟S11。即便不執行步驟S9～步驟S11，根據步驟S4～步驟S8，也可以知道配線P1、配線P2的至少一個為不良。
另外，未必限定於從多個探針Pr中選擇第一探針、第二探針、第三探針的例子。第一探針、第二探針、第三探針例如也可以是移動式的所謂的飛針（flying probe）。
在所述實施方式中，將線寬粗的配線、及線寬細的配線判定為不良，但並不限定於此。線寬粗的配線未必是不良，線寬細的配線未必是不良。因此，也可以不判定配線的不良，而僅判定為配線的線寬粗或細。
1、1a、1b:基板檢查裝置 2:控制部 3、3U、3L:檢查部 4、4U、4L:檢查夾具 5:顯示部 9:電極板 11:框體 12:基板固定裝置 15:檢查部移動機構 16:導體板 17:絕緣板 21:檢查控制部 22:第一判定部 23:第一斷線位置推斷部 24:第二判定部 25:第二斷線位置推斷部 26:第三判定部 27:存儲部 31:電容測定部 32:交流電壓源 33:電流檢測部 34:掃描器部 100、100a:基板 101:載體（導體板） 102:預浸料（絕緣層） 103:銅箔 104:預浸料 105:配線層 106:層疊配線層（基板） C、Cp1、Cz1、Cz2、Cp2:靜電電容 Cx、Cx1、Cx2:線間電容 Cx_lim_L:線間下限值 Cx_lim_LL線間辨別值 Cx_lim_U:線間上限值 Cx_ref:線間基準電容 Cz:配線電容 Cz_lim_L:配線下限值 Cz_lim_LL:配線辨別值 Cz_lim_U:配線上限值 Cz_ref:配線基準電容 Cp1、Cz1、Cz2、Cp2:靜電電容 f:頻率 G1、G2:圖表 I、Ix、Iz:電流 K1～K6:工序 L11、L21:第一部分 L12、L22:第二部分 L13、L23:貫穿配線 P:配線 P1:配線（第一配線） P2:配線（第二配線） P3、P4:配線 Pd11、Pd21、Pd12、Pd22:焊墊 Posx、Posz:斷線位置 Pr:探針 SW1、SW2、SW3:開關元件 T1、T2:端子 V:電壓 S1～S12、S21～S22、S30～S37、S40～S46:步驟
圖1是概略性地表示使用本發明的一實施方式的基板檢查方法的基板檢查裝置的結構的概念圖。 圖2是概念性地表示圖1中所示的控制部的結構的一例的方塊圖。 圖3是用以說明成為檢查對象的基板的製造方法的一例的說明圖。 圖4是概念性地表示圖1中所示的基板檢查裝置的結構的說明圖。 圖5是表示圖4中所示的基板檢查裝置的另一例的概念性的說明圖。 圖6是表示圖5中所示的基板檢查裝置的另一例的概念性的說明圖。 圖7是表示圖4、圖5、圖6中所示的基板檢查裝置的動作的一例的流程圖。 圖8是表示圖4、圖5、圖6中所示的基板檢查裝置的動作的一例的流程圖。 圖9是表示圖4、圖5、圖6中所示的基板檢查裝置的動作的一例的流程圖。 圖10是表示圖4、圖5、圖6中所示的基板檢查裝置的動作的一例的流程圖。 圖11是表示配線已斷線時的斷線位置與在此位置上斷線時，由電容測定部所測定的線間電容及配線電容的關係的圖。
1:基板檢查裝置
31:電容測定部
32:交流電壓源
33:電流檢測部
34:掃描器部
100:基板
101:載體(導體板)
102:預浸料(絕緣層)
106:層疊配線層(基板)
Cp1、Cz1、Cz2、Cp2:靜電電容
Cx1、Cx2:線間電容
L11、L21:第一部分
L12、L22:第二部分
L13、L23:貫穿配線
P1:配線(第一配線)
P2:配線(第二配線)
P3、P4:配線
Pd11、Pd21、Pd12、Pd22:焊墊
Pr:探針
SW1、SW2、SW3:開關元件
T1、T2:端子

Claims (6)

  1. 一種基板檢查裝置，對形成有相互鄰接並相向的第一配線與第二配線的基板進行檢查，所述基板檢查裝置的特徵在於包括： 第一探針，用於接觸所述第一配線的一端部； 第二探針，用於接觸所述第二配線的一端部； 電容測定部，經由所述第一探針及所述第二探針，而將所述第一配線與所述第二配線之間的靜電電容作為線間電容來測定；以及 第一判定部，根據所述線間電容，來判定所述第一配線與所述第二配線中的至少一個的配線的狀態，其中， 當所述線間電容小於作為事先設定的範圍的下限值的線間下限值、且大於事先設定為比所述線間下限值小的值的線間辨別值時，所述第一判定部判定所述第一配線與所述第二配線中的至少一個的配線的線寬為細，且 當所述線間電容小於所述線間辨別值時，所述第一判定部判定所述第一配線與所述第二配線中的至少一個的配線為斷線不良。
  2. 如請求項1所述的基板檢查裝置，更包括： 第一斷線位置推斷部，根據所述線間電容來推斷斷線的位置。
  3. 如請求項2所述的基板檢查裝置，其中， 所述第一斷線位置推斷部根據所述線間電容與事先設定的線間基準電容的比，來推斷斷線的位置。
  4. 一種基板檢查方法，對形成有相互鄰接並相向的第一配線與第二配線的基板進行檢查，所述基板檢查方法的特徵在於包括： （a）使第一探針接觸所述第一配線的一端部的工序； （b）使第二探針接觸所述第二配線的一端部的工序； （c）經由所述第一探針及所述第二探針，而將所述第一配線與所述第二配線之間的靜電電容作為線間電容來測定的工序； 以及 （d）根據所述線間電容，來判定所述第一配線與所述第二配線中的至少一個的配線的狀態的工序， 其中，所述（d）工序為： 當所述線間電容小於作為事先設定的範圍的下限值的線間下限值、且大於事先設定為比所述線間下限值小的值的線間辨別值時，判定所述第一配線與所述第二配線中的至少一個的配線的線寬為細，且 當所述線間電容小於所述線間辨別值時，判定所述第一配線與所述第二配線中的至少一個的配線為斷線不良。
  5. 如請求項4所述的基板檢查方法，更包括： （e）將以覆蓋所述基板的一側的面的方式相向配置的導體板與所述第一配線之間的靜電電容作為配線電容來測定的工序；以及 （f）根據所述配線電容來判定所述第一配線的狀態的工序。
  6. 如請求項5所述的基板檢查方法，更包括： （1）將所述導體板用作載體，將所述導體板、絕緣層、所述第一配線及所述第二配線按此順序層疊，來形成基板的工序；以及 （2）從所述基板去除所述導體板的工序；且 在執行所述工序（1）之後、並在執行所述工序（2）之前，執行所述工序（e）。
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