JP2010243256A - 基板検査方法及び基板検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 製造工程を経ることによる配線の幅、厚みや電気抵抗率のばらつきが生じた場合でも、正確に配線の検査を実施することができる基板検査装置と基板検査方法の提供。
【解決手段】 検査対象となる基板に形成される配線の良否を判定する基板検査方法であって、基板に予め設定される幅の相違する２つの基準配線に電流を供給して、夫々の電圧を測定し、電流値と電圧値を基に、２つの基準配線の厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を夫々算出し、厚み情報又は電気抵抗率情報を基に、検査対象の配線の良否を判定することを特徴とする基板検査方法を特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、基板検査方法及び基板検査装置に関し、より詳しくは、製造工程を経ることによる配線の幅、厚みや電気抵抗率のばらつきが生じる場合や、検査時の温度による配線の導体部の抵抗値のばらつきが生じる場合また、ディッシュダウンのような不良箇所を有する配線を検査対象として検査を実行しようとする場合に、このようなばらつきの影響を受けることなく、配線の良否を確実に検査することのできる基板検査方法及び基板検査装置に関する。

尚、本発明は、プリント配線基板に限らず、例えば、フレキシブル基板、多層配線基板、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ用の電極板、及び半導体パッケージ用のパッケージ基板やフィルムキャリアなど種々の基板や半導体ウェハなどに形成される電気的配線の検査に適用でき、本明細書では、それら種々の検査基板を総称して「基板」という。

基板上に形成される配線は、この基板に載置されるICや半導体部品又はその他の電子部品に電気信号を送受信するために用いられる。このような配線は、近年の電子部品の微細化に伴って、より微細に且つ複雑に形成されるようになるとともにより低抵抗に形成されている。

このように基板の配線の微細化が進むにつれ、その配線の良／不良（良否）を検査する精度の高さが要求されている。

配線の微細化が進めば進むほど、配線自体の抵抗値が小さいものとなり、僅かな誤差や精度の悪さにより、配線の抵抗値の良否を正確に検査できない問題がある。

このような基板には複数の配線が設けられており、基板の配線は設計段階でその長さが決定されて製造されており、設計段階において配線の抵抗値が決定されることになる。

しかしながら、実際に製造工程を経て配線が製造されると、配線の幅・厚み・電気抵抗率などに設計値からのずれが生じる。

このように設計段階で配線の抵抗値が計算されていても、実際に製造工程を経ると、製造工程での導体部の幅やその厚みなどのばらつきから、所望する抵抗値からずれが生じてしまい、良好状態に作成された配線であっても、設計値からずれが生じてしまうことになっていた。例えば、所望する配線の抵抗値（設計段階で設定される抵抗値）が500mΩに設定されている際に、実際に製造工程を経て製造された配線の抵抗値が440mΩであった場合に、良好状態の抵抗値の判定閾値を±10％に設定（良好状態範囲：450〜550mΩ）されていると、この配線は不良状態の配線として、判定されていた。

このため、例え、良好な状態に形成された配線（基板）であっても、不良状態の配線（基板）として処理されていた。

上記の如く、製造工程による配線の抵抗値にばらつきが生じる際には、設計段階により設定される基準値（500mΩ）として設定されていたとしても、この設計基準値（500mΩ）を基に判定値（閾値）として判定検査（450〜550mΩを良品として判定する検査）を実施すると、良好配線であったとしても、不良状態として検出してしまうことがあった。

このような基板に設けられる配線の抵抗値のばらつきは、ロットによるばらつきもあるが、同一ロットであってもばらつきがあり、同一大判基板から複数の小片基板に切り分けた場合であっても、各小片基板の配線の抵抗値にばらつきが生じる。

このような原因の一つとして、基板に設けられる配線（導体部）は、エッチングなどの工程を経て形成されるが、この工程を経る場合には、導体部の厚みや幅の不均衡が生じて、配線の断面積にばらつきが生じる。このため、配線が良好に形成された場合であっても、配線の抵抗値にばらつきが発生することになる。

また、基板の配線の不良の一つであるディッシュダウン（不断線不良）が存在する。例えば、図７で示される如き配線には、基板の第３層に不良Ｆが形成されている。このような不良Ｆが存在する場合には、良好状態の抵抗値と相違する抵抗値が測定されるが、大きな抵抗値の誤差が生じるわけではないので、基準値の設定によって、良好状態として判定してしまう場合があった。

このような不断線の不良状態を検出するために、特許文献１の技術では、一定の時間枠の設定された電流パルスを検査対象となる配線に供給し、その配線から検出される電流波形の変化を観測することにより、不良状態を検出する技術が開示されている。

また、このような不良状態を検出するために、特許文献２の技術では、二つの交流信号と一つの直流信号を検査対象となる配線に供給し、これらの信号から算出される相対的位相差を検出することにより、不良状態を検出する技術が開示されている。

また、配線の導体部は導電性の金属物質により形成されるため、基板の温度により導体部の電気抵抗率が変動する。このため、配線が微細に形成されることになればなるほど、検査時の温度による導体部の抵抗値（電気抵抗率）の変動の影響を強く受けることになる。

特開昭61−230062号公報 特開平2−173582号公報

しかしながら、これら特許文献１や２に記載される技術では、検査対象となる配線に対して、時間枠を設定したり、複数の電流を供給したりして検査を実施する必要があるため、複数の配線を検査して、大量の基板の検査を実施する場合には、処理時間が冗長してしまう問題点を有していた。

また、近年の如き基板の微細化が進み、配線の抵抗値が極めて小さく設定される場合には、高い精度が要求されるため、僅かな抵抗値の変動による基板の良不良状態を検出することができる能力が必要であった。

本発明は、このような実情に鑑みてなされたもので、製造工程を経ることによる配線の幅、厚みや電気抵抗率のばらつきが生じる場合や、検査時の温度による配線の導体部の抵抗値のばらつきが生じる場合、また、ディッシュダウンのような不良箇所を有する配線を検査対象として検査を実行しようとする場合に、このようなばらつきの影響を受けることなく、配線の良否を確実に検査することのできる基板検査方法及び基板検査装置を提供する。

請求項１記載の発明は、検査対象となる基板に形成される配線の良否を判定する基板検査方法であって、前記基板に予め設定される幅の相違する２つの基準配線に電流を供給して、夫々の電圧を測定し、前記電流値と前記電圧値を基に、前記２つの基準配線の厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を夫々算出し、前記厚み情報又は前記電気抵抗率情報を基に、検査対象の配線の良否を判定することを特徴とする基板検査方法を提供する。

請求項２記載の発明は、前記２つの基準配線は、前記基板の同一層に形成される配線が設定されており、前記基準配線から算出される前記厚み情報及び／又は前記電気抵抗率情報を基に、該基準配線が形成される基板の層の良否を判定することを特徴とする請求項１記載の基板検査方法を提供する。

請求項３記載の発明は、前記厚み情報及び／又は前記電気低効率情報から、検査対象の配線の良否を判定するための基準抵抗値を算出し、前記検査対象の配線に電流を供給して該配線の電圧を測定し、該配線の抵抗値を算出し、前記基準抵抗値を基に、前記算出された抵抗値から検査対象の配線の良否の判定を実施することを特徴とする請求項１記載の基板検査方法を提供する。

請求項４記載の発明は、所定の検査点が設定される配線が複数形成される基板の該配線を検査する基板検査装置において、検査対象となる配線の所定の検査点間に、測定用の電流を供給する供給手段と、前記電流供給手段により電流が供給された前記検査点間の電圧を測定する測定手段と、前記測定手段による電圧情報と前記供給手段による電流情報を基に検査点間の抵抗値を算出する算出手段と、前記検査点間の基準となる基準抵抗値情報を記憶する記憶手段と、前記算出手段により算出される抵抗値情報と、前記基準抵抗値情報を比較して、検査対象の検査点間の配線の良好・不良状態を判定する判定手段と、検査対象となる配線毎に前記基準抵抗値情報を作成する基準算出手段を有し、前記基準算出手段は、検査対象の基板に予め設定される幅の相違する２つの基準配線に、前記供給手段に電流を供給させ、前記測定手段に電圧を測定させるよう促し、前記電流値と前記電圧値から前記基準配線の導体部の厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を算出し、前記厚み情報及び／又は電気抵抗率情報から前記基準抵抗値情報を算出することを特徴とする基板検査装置を提供する。

請求項５記載の発明は、所定の検査点が設定される配線が複数形成される基板の該配線を検査する基板検査装置において、検査対象となる配線の所定の検査点間に、測定用の電流を供給する供給手段と、前記電流供給手段により電流が供給された前記検査点間の電圧を測定する測定手段と、検査対象の基板に予め設定される幅の相違する２つの基準配線に、前記供給手段に電流を供給させるとともに前記測定手段に電圧を測定させるよう促し、前記電流値と前記電圧値から前記基準配線の導体部の厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を算出する基準算出手段と、前記算出された厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を基に、前記基準配線の形成される基板の層の良否を判定する判定手段を特徴とする基板検査装置を提供する。

請求項６記載の発明は、前記基準算出手段は、前記検査対象の基板の同一層に形成されるとともに幅の相違する２つの導体部に電流を供給する基準電流供給手段と、前記基準電流供給手段により電流が供給された際の前記２つの導体部の電圧を夫々測定する基準電圧測定手段と、前記基準電流供給手段による基準電流情報と、前記基準電圧測定手段による基準電圧情報とから、前記導体部の幅情報と厚み情報と電気抵抗率を計算する基準計算手段を有することを特徴とする請求項４又は５記載の基板検査装置を提供する。

請求項７記載の発明は、前記基準算出手段は、幅の相違する２つの導体部の夫々の予め設定される長さ情報を用いることを特徴とする請求項４乃至６いずれかに記載の基板検査装置を提供する。

請求項８記載の発明は、前記基準電流供給手段は、電流を供給するための一対の電流端子を備え、前記基準電圧測定手段は、前記一対の電流端子間の電流による電圧を直列的に測定する２組の電圧端子を備えていることを特徴とする請求項４乃至７いずれかに記載の基板検査装置を提供する。

請求項９記載の発明は、前記基板検査装置は、前記基準算出手段が算出する厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を記憶するための記憶手段を備え、前記記憶手段に記憶される前記厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を、基板の製造状況を把握するために統計的に処理する処理手段を備えていることを特徴とする請求項４乃至８いずれかに記載の基板検査装置を提供する。

請求項１０記載の発明は、前記処理手段は、前記記憶手段に記憶される前記厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を基に、今後の変動を予測算出することができることを特徴とする請求項９の基板検査装置を提供する。

請求項１１記載の発明は、前記基準配線から算出される厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を記憶し、複数の厚み情報及び／又は電気抵抗率情報から、これら情報の変化又は推移を予測し、この予測から基板の製造プロセスの管理を実施する請求項１に記載される基板検査方法を提供する。

これらの発明を提供することによって、上記課題を悉く解決する。

請求項１記載の発明によれば、基板に形成される基準配線を基にして、この基準配線の厚み情報と電気抵抗率情報を算出して、基板の良否を確実に判定することができる。

請求項２記載の発明によれば、２つの基準配線が基板の同一層に形成される配線を利用して、厚み情報と電気抵抗率情報を算出することになるので、この基準配線が形成される基板の層における配線の導体部の状態を確認することができるので、製造工程で不良が作りこまれていれば、迅速にこの不良を発見することができる。

請求項３記載の発明によれば、厚み情報及び電気伝導率情報から検査点間の配線の抵抗値を製造プロセスに応じた基準抵抗値を設定することができる。このため、基板の層に応じる導体部の抵抗値から配線の抵抗値を算出することができ、極めて正確な検査を実施することができるようになる。

請求項１１記載の発明によれば、算出される厚み情報や電気伝導率情報を蓄積し、これら蓄積された情報を統計的に分析して、基板を製造するプロセス管理を実施することができるようになる。このため、これら情報の変化率や変動推移により製造プロセスの修繕、見直しを実施することができる。

請求項４記載の発明によれば、予め設定される幅の相違する２つの基準配線から基板に形成される配線の導体部の厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を算出し、これらの情報を基にして検査対象となる配線の基準抵抗値を算出する基板検査装置を提供することができる。このため、基板の製造工程による基準抵抗値を算出することができることから、製造工程を経ることによる配線の幅、厚みや電気抵抗率のばらつきが生じる場合や、検査時の温度による配線の導体部の抵抗値のばらつきが生じる場合また、ディッシュダウンのような不良箇所を有する配線を検査対象として検査を実行しようとする場合に、このようなばらつきの影響を受けることなく、配線の良否を確実に検査することのできる基板検査装置を提供することができる。

請求項５記載の発明によれば、予め設定される幅の相違する２つの基準配線から基板に形成される配線の導体部の厚み情報や電気抵抗率情報を得ることができるので、これらの情報から基板の導体部の良否を判定する基板検査装置を提供することができる。このため、製造工程を経ることによる基板の良不良を検査することができるようになる。

請求項６記載の発明によれば、基準配線が同一層に形成されることになるため、基板の各層の配線の形成状態を検査することができる。

請求項７記載の発明に幅情報に予め設定される長さ情報を利用することで、効率良く各情報を算出することができる。

請求項８記載の発明によれば、基準電流供給手段と基準電圧測定手段を用いることにより、基板から効率良く測定を実施することができる。

請求項９記載の発明によれば、基板検査装置に厚み情報と電気抵抗率情報を記憶することができるので、基板の厚み情報や電気抵抗率情報を時系列的に又は基板の層毎に管理することができるようになり、基板の製造過程の管理を行うことができるようになる。

請求項１０記載の発明によれば、算出される厚み情報や電気伝導率情報を蓄積し、これら蓄積された情報を統計的に分析して、基板を製造するプロセス管理を実施することができるようになる。このため、これら情報の変化率や変動推移により製造プロセスの修繕、見直しを実施することができる。

本基板検査装置の概略構成図である。 サンプル部の一実施形態を示す斜視図である。 サンプル部の測定を実行する実施形態を示しており、（ａ）は概略断面図を示し、（ｂ）は（ａ）の図からサンプル部を抜き出して示した平面模式図である。 検査対象となる基板に設けられる配線（導体部）の一実施形態を示す断面図であり、検査点間Ｔとして、検査点Ｔ１と検査点Ｔ２が示されている。 基板にサンプル部を設ける場合を示す実施形態を示し、（ａ）は基板の周縁部にサンプル部が設けられた場合、（ｂ）は数個片の基板に複数のサンプル部が設けられた場合、（ｃ）は基板が複数設けられるシート判にサンプル部が設けられる場合を示している。 本基板検査方法を示すフローチャートである。 本発明により検出することができる基板の不良状態を示す一実施形態の断面図である。

本発明を実施するための最良の形態を説明する。

図１は、本発明にかかる基板検査装置の概略構成図である。

本発明にかかる基板検査装置１は、
供給手段２、測定手段３、記憶手段４、算出手段５、判定手段６、切替手段７、第一端子８、第二端子９、基準算出手段１０、表示手段０１を有している。

また、この基板検査装置１は、基板ＣＢに形成される複数の配線Ｗ上に設定される検査点に圧接するためにプローブ（コンタクトプローブ）ＣＰが用いられている。このプローブＣＰにより、所定検査点に対して所定電位を与えたり、所定検査点から電気的特性を検出したりすることができる。

尚、図１では、検査対象となる基板は表示されていないが、このプローブＣＰが基板上に設定される配線上の検査点に対して、夫々接触されることになる。また、これら配線に対して夫々プローブＣＰが一本ずつ示されているが、配線に設定される検査点の数や位置は限定されるものではなく、配線の数や位置に応じて設定され、配線の導通検査が行われる場合には、少なくとも一つの配線に二本のプローブＣＰが接触する必要があり、これらのプローブ間の抵抗値が算出されることで、配線の良不良の判定が実施されることになる。この図１で示される基板検査装置１では、四端子測定法を用いて配線間の抵抗値を算出することができるように、第一端子８と第二端子９が設けられているが、二端子測定法を用いて配線間の抵抗値を算出することもできる。

供給手段２は、検査対象の配線（配線上に設定される検査点と配線上に設定される検査点の間（検査点間））に、検査を行うための電流を与える。この供給手段２は、例えば、可変電圧源や電流コントロールを用いることができ、導通検査を行うため所定電位を与える電圧を適宜に調整して、電流を供給する。

尚、この供給手段２は、検査点間に0〜500Ｖ程度の大きさの電圧を与えることができるように設定される。

測定手段３は、供給手段２が電流を供給する検査点間の電位差（電圧）を検出する。この測定手段３は、例えば、電圧計を用いるこができるが特に限定されるものではなく、検査点間の電圧を検出することができれば構わない。

なお、この測定手段３は、検査点間の電圧を検出することができるので、供給手段２が印加する検査点間の電圧を管理することもできる。

この図１の基板検査装置の概略構成では、供給手段２が検査点間に所定の電位を供給した場合の検査点間での電気的特性を検出するための電流検出手段２１が配置されている。この電流検出手段２１は、検査点間の電気的特性（電流値）を検出することができる。この電流検出手段２１は、電流供給手段２が所定電位を与えた場合の検査点間の電流の大きさを検出し、供給手段２が供給する電流の大きさを制御することもできる。例えば、検出手段２１は電流計を用いることができ、検査点間に流れる電流値を検出することができる。

記憶手段４は、基板の検査を実施するための情報が格納されており、検査点間に印加される電流値の情報（電流情報）、検出される電圧の電圧値の情報（電圧情報）、各検査点の座標情報や検査順序などが格納されている。

この電圧情報は、検査点間に測定用の電流を供給した場合の検査点間の電圧値であり、測定手段３が測定することになる。

例えば、検査対象となる基板に配線上に検査点Ａと検査点Ｂが設定され、記憶手段４には、検査点Ａと検査点Ｂの座標情報や配線（検査点Ａと検査点Ｂの検査点間の抵抗値）などの情報が格納されることになる。

この記憶手段４に記憶される各情報は、予め設定されるものに関しては、検査を実施する者が適宜設定される。

算出手段５は、供給手段２が検査点間へ電流を供給する電流情報と、測定手段３がこの検査点間から測定して得られる電圧情報とを基に、検査点間の抵抗値である抵抗情報を算出する。

この算出手段５が行う具体的な算出方法は、電圧情報（＝Ｖ）を電流情報（＝Ｉ）で除することにより、抵抗情報（＝Ｒ）が算出されることになる。

この算出手段５が算出される抵抗情報（抵抗値）は、算出された検査点間の情報と合わせて記憶手段４に格納される。

基準算出手段１０は、検査対象となる基板の配線の導体部の幅情報、厚み情報、導体部の電気抵抗率情報を基に、基準抵抗値情報を算出する。

この基準算出手段１０が行う厚み情報などの算出方法は、基板上に予め設定される所定の検査点間に、供給手段２により電流を供給し、測定手段３により電圧を測定することにより基準抵抗値情報を算出する。

この基準算出手段１０は、検査対象の基板の同一層に形成されるとともに幅の相違する２つの導体部に電流を供給する基準電流供給手段（図示せず）と、この基準電流供給手段により電流が供給された際の２つの導体部の電圧を夫々測定する基準電圧測定手段（図示せず）と、この基準電流供給手段による基準電流情報と、この基準電圧測定手段による基準電圧情報とから、導体部の厚み情報と電気抵抗率を計算する基準計算手段を有している。

この基準電流供給手段が実行する動作は、供給手段２と後述する選出手段と切替手段を用いることにより実行することができる。具体的には、選出手段と切替手段により電流を供給するための少なくとも２つの検査点が選出されて、供給手段２によりこの検査点間に電流が供給される。このとき、基準電流供給手段が供給する電流情報は記憶手段へ送信される。

基準電圧測定手段が実行する動作は、測定手段３と選出手段と切替手段を用いることにより実行することができる。具体的には、選出手段と切替手段により電圧を測定するための２つの検査点が選出されて、測定手段３によりこの検査点間の電圧が測定される。このとき、基準電圧測定手段が測定した電圧情報は記憶手段へ送信される。

基準計算手段は、基準電流供給手段による電流情報と基準電圧測定手段による電圧情報を基に、導体部の幅情報、厚み情報と電気抵抗率を計算する。具体的には、後述するような式１〜式１３などの関係式を記憶手段に格納し、これらの関係式と基準電流情報と基準電圧情報を基に、導体部の幅情報、厚み情報と電気抵抗率を算出することになる。

上記の如き基準算出手段１０が算出を実施する所定の検査点間とは、基板上に予め幅（幅方向の長さ）の相違する検査点間（第一検査点間と第二検査点間）が設定される。

これら第一検査点間と第二検査点間は、検査対象の基板と対応して設けられることが好ましく、基板中の同一層に形成されることがより好ましい。第一検査点間と第二検査点間が、基板中の同一層に形成されることにより、基板に形成される層毎の厚み情報と電気抵抗率情報を算出することができる。

この第一検査点間と第二検査点間は、上記の如く、所定の長さを有するように形成される幅の相違する２つの導体部を利用することができるが、例えば、図２の如き凸形状に形成された導体部のように、第一検査点間と第二検査点間が直列接続される導体部を利用することができる。

図２で示される第一検査点間と第二検査点間（サンプル部Ｓ）では、左向きの凸形状に形成されており、第一検査点間Ｒ１と第二検査点間Ｒ２と連結して形成されている。

この第一検査点間Ｒ１は長さＬ１に形成され、第二検査点間Ｒ２は長さＬ２に形成されている。また、第一検査点間Ｒ１は、幅Ｗ１の長さに形成され、第二検査点間Ｒ２は、幅Ｗ２の長さに形成されている。なお、このサンプル部Ｓは、厚み情報ｄに形成され、電気抵抗率情報ρに形成されている。

このサンプル部Ｓは、基板の各層に形成することにより、各層の厚み情報ｄと電気抵抗率ρを算出する。

このサンプル部Ｓを設定することにより、幅情報Ｗ、厚み情報ｄと電気抵抗率ρが求められる方法の一例を説明する。

基板の各層には、このサンプル部Ｓが形成されるが、基板の各層においてその製造過程の影響を受けて、導体部の厚み情報ｄ、電気抵抗率ρ幅Ｗや長さＬが影響され、その抵抗値が設計値よりも変動することになる。

例えば、第一検査点間ｓＲ１は、幅ｓＷ１、長さｓＬ１、厚みｓｄ、電気抵抗率ｓρに形成されることになり、第二検査点間ｓＲ２は、幅ｓＷ２、長さｓＬ２、厚みｓｄ、電気抵抗率ｓρに形成されることになる。

このサンプル部Ｓが、図３で示される如く、第一検査点間Ｒ１と第二検査点間Ｒ２に電流を供給して、各検査点間の電圧を測定する。

この図３で示される場合では、サンプル部Ｓの両端に電流を供給するためのプローブＣＰが配置されており、第一検査点間Ｒ１の電圧を測定手段３１で、第二検査点間Ｒ２の電圧を測定手段３２により測定する。

このように配置することにより、サンプル部Ｓには、6本のプローブを配置することにより、厚み情報と電気抵抗率情報を算出することができる。

図３で示される基板では、第一検査点間Ｒ１と第二検査点間Ｒ２の抵抗値を算出するために、スルーホールを設けることにより第２層に形成されるサンプル部Ｓに電流を供給し、電圧を測定する。

図３で示されるように、サンプル部Ｓの第一検査点間Ｒ１と第二検査点間Ｒ２へ、供給手段２により電流を供給し、各電圧を測定手段３１，３２に測定することで以下の関係式が得られることになる。

なお、関係式で示される記号は、第一検査点間Ｒ１に関する設計値として、抵抗値ｓＲ１、幅ｓＷ１、長さｓＬ１、厚みｓｄ、電気抵抗率ｓρ、第二検査点間Ｒ２に関する設計値として、抵抗値ｓＲ２、幅ｓＷ２、長さｓＬ２、厚みｓｄ、電気抵抗率ｓρが示されており、また、第一検査点間Ｒ１の測定値として、抵抗値ｍＲ１、幅ｍＷ１、長さｍＬ１、厚みｍｄ、電気抵抗率ｍρ、第二検査点間Ｒ２に関する測定値として、抵抗値ｍＲ２、幅ｍＷ２、長さｍＬ２、厚みｍｄ、電気抵抗率ｍρが示される。

下記の数式１で示される如き抵抗値は、導体の電気抵抗率ρ、導体の断面積Ｓと長さＬで表される。このため、第一検査点間Ｒ１は、その設計値と測定値から数式２と数式３で夫々示され、第二検査点間Ｒ２は、その設計値と測定値とが数式４と数式５で夫々示されている。

ここで、第一検査点間Ｒ１の抵抗値は、設計値と測定値ともに同じ値であることが好ましいが、基板の製造工程による配線のばらつきにより、必ずしも設計値と測定値が同じ値になるとは限らず、このばらつきの理由となる配線の厚みｍｄや電気抵抗率ｍρなどを算出することによって、サンプル部Ｓが形成される層（基板の層）の配線状態を知ることができるようになり、各層に応じた配線の抵抗値状態を想定して、より精度の高い配線の検査を実施することができる。

第一検査点間Ｒ１と第二検査点間Ｒ２の夫々の設計値における抵抗値は、数式２と数式４から数式６で示される関係を有している。

この数式６の関係から、数式７の関係式を得ることができる。数式７に示される関係式から、数式７を整理することにより、数式８で示される関係を得ることができる。

ここで、第一検査点間Ｒ１と第二検査点間Ｒ２の長さＬ１，Ｌ２を同じ長さに設計しておくと、Ｌ１＝Ｌ２（ｓＬ１＝ｓＬ２）の関係が成り立つので、数式９で示される関係が得られることになる。

また、第一検査点間Ｒ１と第二検査点間Ｒ２の測定値における抵抗値に関しても、設計値と同様に算出していくと、数式１０の関係式が得られる。

この数式１０で示される関係式でも、第一検査点間Ｒ１の長さｍＬ１と、第二検査点間Ｒ２の長さｍＬ２の長さは、設計値と略等しいとすることができるため、第一検査点間Ｒ１の長さｍＬ１と第二検査点間Ｒ２の長さｍＬ２は等しいとすることができる（ｍＬ１＝ｍＬ２）。これは、第一検査点間の長さＬと実際の長さｍＬは、十分長い距離を有して形成されるため、製造工程によるばらつきを近似的に等しいと判断することができる。このため、数式１０は、下記に示される数式１１の如き結果が得られる。

ここで、抵抗値ｓＲ１と抵抗値ｓＲ２は設計値であり、抵抗値ｍＲ１と抵抗値ｍＲ２は測定値でありため、これらの値を数式９と数式１１に入力する。また、数式９と数式１１を比較した場合には、これらの関係式が設計値と測定値による関係式であることから、数式１２と数式１３の如き設計値に対するずれ量（ΔＷ）が生じていることになる。なお、このずれ量は、製造工程を経ることによって生じる配線の幅のずれである。

このため、設計による抵抗値（ｓＲ）、測定による抵抗値（ｍＲ）と、数式９、数式１１、数式１２と数式１３の関係式から、ずれ量ΔＷを算出することができる。このずれ量ΔＷが算出できると、第一検査点間Ｒ１の測定幅ｍＷ１と第二検査点間Ｒ２の測定幅ｍＷ２を求めることができる。

これらの値が決定されると、数式３と数式５を利用して、測定時の厚みｍｄと電気抵抗率ｍρを算出することができる。

このように、幅の相違する配線からなるサンプル部Ｓを用いることにより、サンプル部Ｓが設けられる基板の層の配線状態を把握することができ、製造工程における配線状況を知ることができ、設計段階における配線から製造工程を経た場合の実際の（検査時の）配線へのばらつきを把握することができる。

このため、製造工程を経ることにより配線が設計値よりばらついた場合であっても、適宜にその基板の層に適合した配線の抵抗値の補正を実施することができる。

上記の如く、サンプル部Ｓから基板に形成される配線の厚み情報、配線の導体部の電気抵抗率情報が算出される具体的な処理方法は、実際の基板の検査を実施する前に、予め検査対象となる基板の抵抗値情報を入力して、記憶手段４に格納しておく。また、記憶手段４には、サンプル部Ｓからの得られる測定情報（供給手段２が供給する電流値情報と、測定手段３が測定する２つの電圧値情報）から、第一検査点間の抵抗値ｍＲ１と第二検査点間の抵抗値ｍＲ２を算出することができるようにプログラムを格納しておく。

また、第一検査点間の抵抗値ｍＲ１と第二検査点間の抵抗値ｍＲ２が算出されると、記憶手段４に格納される設計値である第一及び第二検査点間の抵抗値を利用して、上記の如き関係式を利用して、配線の厚み情報ｍｄと電気抵抗率情報ｍρが算出されるようにプログラムが実行されるよう格納しておく。

このように基板の各層にサンプル部Ｓを設けることにより、基板の各層に設けられる配線の導体部の製造工程のばらつきを把握することができ、検査対象となる配線の正確な抵抗値を算出することができる。

例えば、図４で示される基板に設けられる配線Ｔ（端部Ｔ１から端部Ｔ２）の導通検査を実施する場合には、この検査対象の配線Ｔの良否の判定を行うための閾値の算出を実施する。具体的には、図４で示される配線Ｔは、第１層と第２層を接続するスルーホール接続部ＴＨ１と、第２層と第３層を接続するスルーホール接続部ＴＨ２と、第３層と第４層を接続するスルーホール接続部ＴＨ３の３つのスルーホール接続部と、第２層の導体部Ｃ１と、第３層の導体部Ｃ２から形成されている。このため、この配線Ｔを検査するためには、３つのスルーホール接続部の抵抗値と第２層の導体部Ｃ１の抵抗値と第３層の導体部Ｃ２の抵抗値を加算した抵抗値が、配線の抵抗値として良否判定を実施するための閾値を設定することができる。

図４で示される配線Ｔの検査を実施するための抵抗値を求める場合には、第２層の導体部Ｃ１の抵抗値を求めるために、第２層に形成される導体部（配線）の厚み情報と電気導電率情報と幅情報と長さ情報から、その抵抗値を算出する。また、同様に、第３層の導体部Ｃ２の抵抗値を求めるために、第３層に形成される導体部（配線）の厚み情報と電気導電率情報と幅情報と長さ情報から、その抵抗値を算出する。

第２層の導体部Ｃ１の抵抗値は、長さ情報ｌ１、厚み情報ｄ１、電気伝導率情報ρ１、幅情報（図示せず）を基に算出される。第３層の導体部Ｃ２の抵抗値は、長さ情報ｌ２、厚み情報ｄ２、電気伝導率情報ρ２、幅情報（図示せず）を基に算出される。

なお、長さ情報は予め設計値を用いて、配線Ｔの抵抗値を算出するために、記憶手段４に格納しておくこともでき、厚み情報、電気伝導率情報や幅情報は、上記の算出工程を経た後に記憶手段４に格納して、配線Ｔの抵抗値を算出する場合に利用することができるように設定しておく。

配線Ｔの抵抗値を算出した後には、この抵抗値を基準とした閾値を設定することにより、この配線Ｔの良否判定を実施することができるようになる。なお、この閾値は、例えば、測定された抵抗値が、上記算出された抵抗値（閾値）の±５％以内の誤差範囲であれば、良好状態として判定し、その範囲内に測定の抵抗値がない場合には、不良状態として判定することができる。

これらの配線の抵抗値の閾値の算出は、基板の各層の幅情報、厚み情報や電気抵抗率が算出された後に、検査対象となる配線毎に、その配線毎の形状から各層の情報を基にして算出される。算出された配線毎の抵抗値は記憶手段４に格納され、この閾値が実際の配線が検査対象となる場合の閾値として利用されることになる。

なお、この閾値を算出するために、基準算出手段１０には上記の如き処理が実行されるように、記憶手段４に格納される情報を適宜使用して、所望する計算を実行するように設定される。なお、この基準算出手段１０が算出した検査対象となる配線の閾値は、記憶手段４に格納され、算出手段５が算出する検査対象となる配線の抵抗値と、判定手段６により比較されることになる。

判定手段６は、基準算出手段１０が算出した閾値（基準抵抗値情報）を受け取り、供給手段２が供給する電流情報及び測定手段３が測定する電圧情報を利用して、検査点間の抵抗値を算出する。そして、判定手段６は、算出手段５による算出した抵抗値と、記憶手段４に格納される検査点間の基準抵抗値情報を比較して、測定した検査点間の抵抗値が基準の抵抗値に対しての良否判定を実行する。

この判定手段６は、基板上に設定されている検査対象となる全ての配線の良否の判定を実行することになる。

なお、この判定手段６が基板ＣＢの全ての配線に対して良好状態・不良状態の判定を行った後には、後述する表示手段０１にその結果が表示される。なお、この表示手段０１が実行する表示には、不良状態が発見された配線の箇所や、不良具合（良好状態との差）を表示することが好ましい。

選出手段１２は、基板ＣＢの複数の配線から検査点間となる配線を設定するために、基板ＣＢ上に設定される二点の検査点を選出して、検査点間を特定する。この選出手段１２が検査点間を特定することにより、順次、検査が行われる検査点間が選出され、全ての検査点間の検査が実行される。なお、この選出手段１２は、２つの検査点を検査点間として選出し、全ての配線の抵抗値測定が完了するまで、検査点（検査点間）が選出され続ける。

この選出手段１２が行う検査対象の配線の選出方法は、予め記憶手段４に検査対象となる検査点間の順番が設定され、この順番に従って検査点間が選出される方法を例示することができる。この選出方法は特に限定されるものではなく、検査対象となる検査点が順序良く選出される方法であれば特に限定されない。

この選出手段１２が行う具体的な配線の選出は、後述する切替手段７を用いることにより実施される。例えば、切替手段７の各スイッチ素子ＳＷのON/OFF制御を行うことにより、検査対象となる二つの検査点が選出され、検査点間が設定されることになる。

本基板検査装置１では、検査対象となる検査点間に定電流を供給することができるように、一方の検査点側に上流側電源供給端子８１が電気的に接続され、他方の検査点側に下流側電源供給端子８２が電気的に接続されることになる。また、検査点間の電圧を測定するため、一方の検査点側に上流側電圧検出端子９１が電気的に接続され、他方の検査点側に下流側電源供給端子９２が電気的に接続されることになる。

例えば、基板ＣＢの配線に検査点Ａと検査点Ｂが設定されており、この検査点間ＡＢの抵抗値Ｒｘを検査対象として、四端子測定により検査する場合には以下の如き検査が実行される。

検査点Ａに２つのコンタクトプローブが当接され、検査点Ｂにも２つのコンタクトプローブが当接される。

この場合、検査点Ａに当接される一方のコンタクトプローブには、スイッチ素子ＳＷ１がONされて、供給手段２の上流側と接続される上流側電源供給端子８１と電気的に接続される。また、他方のコンタクトプローブには、スイッチ素子ＳＷ３がONされて、測定手段３の上流側と接続される上流側電圧検出端子９１と電気的に接続される。

また、検査点Ｂに当接される一方のコンタクトプローブには、スイッチ素子ＳＷ４がONされて、測定手段３の下流側と接続される下流側電圧検出端子９２と電気的に接続される。他方のコンタクトプローブには、スイッチ素子ＳＷ２がONされて、供給手段２の下流側と接続される下流側電源供給端子８２と電気的に接続されている。

このようにスイッチ素子をON又はOFF制御することにより、検査点Ａと検査点Ｂによる検査点間の抵抗値Ｒｘを測定することができるようになる。

なお、上記説明でのスイッチのON/OFF動作は特に限定されるものではなく、上流側と下流側は入れ替えることができるとともに、測定方法として、四端子測定法を利用して抵抗値Ｒｘを測定する方法を説明したが、二端子測定法を用いることもできる。

切替手段７は、各コンタクトプローブに導通接続される複数のスイッチ素子ＳＷから構成されている。この切替手段７は、選出手段１２からの動作信号により、ON/OFFの動作が制御される。このため、この切替手段７のスイッチング動作により、検査対象となる検査点間（配線）の選択を行うことができる。

電源供給端子８は、検査対象間の電圧を供給するために、各配線上の検査点とコンタクトプローブＣＰを介して接続される。

この電源供給端子８は、電流供給手段２の上流側（正極側）と配線を接続する上流側電源供給端子８１と、電流供給手段２の下流側（負極側）又は電流検出手段２１と検査点とを接続する下流側電源供給端子８２を有している。

図１で示される如く、この電源供給端子８の上流側電源供給端子８１及び下流側電源供給端子８２は、保護抵抗Ｒを介して配線Ｗに対して設けられている。

これらの上流側電源供給端子８１と下流側電源供給端子８２は、夫々に切替手段７のスイッチ素子ＳＷを有しており、この切替手段７のスイッチ素子ＳＷのON/OFF動作により、接続状態／未接続状態が設定されることになる。

この保護抵抗Ｒは、静電気放電（electro-static discharge）保護用の抵抗として利用される。

電圧検出端子９は、検査点間の電気的特性を検出するための電圧を検出するために、各配線の検査点とコンタクトプローブＣＰを介して接続される。

この電圧検出端子９は、測定手段３の上流側（正極側）と配線の検査点を接続する上流側電圧検出端子９１と、測定手段３の下流側（負極側）と配線の検査点を接続する下流側電圧検出端子９２を有してなる。

図２で示される如く、この電圧検出端子９の上流側電圧検出端子９１及び下流側電圧検出端子９２は、保護抵抗Ｒを介して配線の検査点に対して設けられている。

これらの上流側電圧検出端子９１と下流側電圧検出端子９２は、電源供給端子８と同様、夫々に切替手段７のスイッチ素子ＳＷを有しており、この切替手段７のスイッチ素子ＳＷのON/OFF動作により、接続状態／未接続状態が設定されることになる。

電源供給端子８と電圧検出端子９は、図１で示される如く、配線Ｗの検査点に導通接触する一本のコンタクトプローブＣＰに対して、4つの端子が配置されることになるとともに、各端子のON/OFF制御を行う4つのスイッチ素子ＳＷが備えられることが好ましい。

尚、図１では、上流側電源供給端子８１の動作を制御するスイッチ素子を符号ＳＷ１とし、上流側電圧検出端子９１の動作を制御するスイッチ素子を符号ＳＷ３とし、下流側電源供給端子８２の動作を制御するスイッチ素子を符号ＳＷ２とし、下流側電圧検出端子９２の動作を制御するスイッチ素子を符号ＳＷ４として示している。

表示手段０１は検査結果を表示する。この表示手段０１が表示する検査の表示方法は、例えば、検査を行った基板に対して「良品」又は「不良品」を表示するように機能させることができる。また、検査対象となる配線毎に、「良好」や「不良」を表示するように機能させてもよい。

以上が本発明に係る基板検査装置１の構成の説明である。

基板ＣＢに設けられるサンプル部Ｓについて説明する。

このサンプル部Ｓは、上記の説明や図２や図３で示される如く、基板の各層に設けられることにより、基板の各層の配線（導体部）の状態を知ることができるが、このサンプル部Ｓが設けられる場所は、特に限定されるものではなく、基板の本来の機能を阻害しない場所に形成される。

例えば、図５に示される３つの実施形態（ａ）乃至（ｃ）では、四層構造からなる基板にサンプル部を設ける場合の例を示している。図５（ａ）の実施形態では、サンプル部が基板の周縁部に形成されている。この図５（ａ）の実施形態では、基板ＣＢの周縁部に各層に対応するサンプル部が形成されており、サンプル部Ｓ１は第１層、サンプル部Ｓ２は基板内部の第２層、サンプル部Ｓ３は基板内部の第３層、サンプル部Ｓ４は基板の第４層（裏側面）に対応して形成されている。

図５（ｂ）で示される実施形態では、サンプル部Ｓが数個片の基板ＣＢが合わさった基板と基板の間に形成されている。この図５（ｂ）の実施例では、四個片の基板からなるシート体の基板の間の空間に４つのサンプル部Ｓが形成されている。この実施形態の場合も、基板の第１層乃至第４層に夫々応じるサンプル部Ｓ１、Ｓ２，Ｓ３、Ｓ４が夫々形成されている。なお、このシート体の周縁部にこれらのサンプル部を設けても良い。

図５（ｃ）で示される実施形態では、サンプル部Ｓが複数の基板（図では縦6個・横6個の36個）を有するシート判の周縁部に形成されている。このように基板ＣＢがシート判から切り離される前のシート判の周縁部に形成されることもできる。このような場合、図示しないが、同一層のサンプル部Ｓが複数形成され、サンプル部Ｓと基板ＣＢの距離に応じて、検査対象の基板に適宜好適なサンプル部Ｓが選択され、そのサンプル部が利用されるように設定されることで、より精度を向上させて検査を実施することもできる。

次に本発明にかかる基板検査装置の動作について説明する。

図６は、本発明にかかる基板検査装置の動作についてのフローチャートを示す。

まず、基板検査装置１の記憶手段４に検査を実行するために、検査対象となる基板の情報を入力する。このとき、検査対象となる検査点の位置情報や、検査順序となる検査点間の情報や、サンプル部Ｓ（幅の相違する検査点間）の設計情報や基板上に設定される検査点間の設計情報などが入力される。なお、検査対象となる基板の検査点間に印加される電流の電流情報や、基板の種類などの情報も記憶手段４に記憶される（Ｓ１）。

次に、基板検査装置１に上記の如き検査を実施するために必要な情報が格納されると、基板検査装置１に検査対象となる基板ＣＢが載置される。この基板ＣＢが所定の位置に載置されると所定の検査位置に搬送される。所定の検査位置に搬送された基板ＣＢは、例えば、その表裏面側から多針状の基板検査用治具（複数のコンタクトプローブを備える検査治具）が、各検査点にコンタクトプローブが夫々当接して、この基板を挟持するように配置され、検査の実行準備がなされる（Ｓ２）。

基板ＣＢに基板検査用治具のコンタクトプローブが当接されると、検査対象となる検査点間の配線（導体部）の基準抵抗値情報を得るため、基板の各層に形成される導体部の幅情報、厚み情報と電気抵抗率情報を算出する（Ｓ３）。

具体的には、基板の各層に形成されるサンプル部Ｓに電流を供給し、幅の相違する検査点間の電圧を測定する。これらの電流情報と電圧情報と、サンプル部Ｓの設計情報から、このサンプル部Ｓが設けられる導体部の厚み情報、幅情報や電気伝導率情報が算出される。これらの情報は、基板の各層から夫々算出され、これらの情報が算出されると、記憶手段４に格納される。

基板検査装置は、基板の各層の導体部の導体部の厚み情報、幅情報や電気伝導率情報が算出されると、検査対象の検査点間の基準抵抗値を算出する（Ｓ４）。

基板検査装置が、導体部の厚み情報、幅情報や電気伝導率情報を得ると、検査点間の導体部の情報を利用して、各検査点間の抵抗値を算出し、この算出された抵抗値を対応する検査点間の基準抵抗値情報として、記憶手段に格納する。

基板検査装置が、検査点間の基準抵抗値を算出すると、記憶手段４に格納される検査点間の順番に従い、選出手段１３が検査対象の検査点間を形成する検査点を選出する。

このとき、選出手段１３は、複数設定されている検査点から、最初に検査する検査点間を設定するように検査点が選出されることになる。

例えば、両端部に検査点Ａと検査点Ｂが設定される検査対象となる配線を導通検査する場合には、検査点Ａに当接する２つのコンタクトプローブＣＰが選出されるとともに、一方のコンタクトプローブＣＰには供給手段２の上流側に接続されるようにスイッチ素子ＳＷ１がONとなるように、また、他方のコンタクトプローブＣＰが測定手段３の上流側に接続されるようにスイッチ素子ＳＷ３がONとなるように、スイッチ素子が制御される。

また、検査点Ｂに当接する２つのコンタクトプローブＣＰが選出されるとともに、一方のコンタクトプローブＣＰには供給手段２の下流側に接続されるようにスイッチ素子ＳＷ２がONとなるように、また、他方のコンタクトプローブＣＰが測定手段３の下流側に接続されるようにスイッチ素子ＳＷ４がONとなるように、スイッチ素子が制御される。

上記の如きスイッチ素子が制御されることにより、検査点Ａと検査点Ｂとの検査点間が検査対象として設定され、供給手段２によりこの検査点間に電流が供給され、この検査点間の電圧が測定手段により測定される（Ｓ５）。

なお、基板検査装置１が検査を実行するために、供給手段２が検査点間に所定の電力を供給するための電流を供給する。この電流は、上流側電源供給端子８１と検査点Ａを介して検査点間へ流れ、更に、検査点Ｂと下流側電源供給端子８２を介するループで供給される。供給手段２が供給する電流情報は、予め又は供給された場合に、電流情報として記憶手段４へ送信される。

また、検査点Ａと検査点Ｂとの電圧を測定するために、測定手段３の上流側に導通接触されるコンタクトプローブＣＰと、測定手段３の下流側に導通接触されるコンタクトプローブＣＰにより、その電位差が測定されることになる。測定手段３は、測定した測定結果を電圧情報として、算出手段５へ送信する。

これらの電流情報と電圧情報は、記憶手段４に送信されるとともに、算出手段５によりこれらの情報から検査点間の抵抗値Ｒｘが算出される（Ｓ６）。

算出手段５が算出した抵抗値情報は、記憶手段４に送信される。

算出手段５が抵抗値情報を算出すると、判定手段６は、検査点間の基準抵抗値情報と算出された抵抗値情報を比較することにより、検査点間の判定を実施する（Ｓ７）。

具体的には、算出された基準抵抗値情報から、検査点間の良好状態と判定するための閾値を設定する。この閾値は、例えば、基準抵抗値の±５％の範囲であれば良好状態とし、この範囲に算出された抵抗値情報が存在しない場合には、不良状態と判定することにする。

このようにして、検査点間の抵抗値の判定を実施する。

上記の如き検査点間の抵抗値が算出される又は該検査点間の判定が実施されると、選出手段１３は、記憶手段４から次の検査点間を選出する（Ｓ８）。

次の検査点間の判定を実施する場合にも、上記のステップ５からステップ７が繰り返し実施され、抵抗値の判定が実施され、夫々の結果が記憶手段４に格納される。

なお、全ての検査点間の検査が実行され、全ての検査点間の抵抗値が良好状態であれば、表示手段０１は「良品」と表示する。また、不良状態の検査点間（配線）が発見された場合には、「不良品」と表示させるとともに、その位置情報をも表示させる。

このように検査対象となる基板の各層に応じた導体部の状況に応じて、検査点間の基準抵抗値を算出することができるので、図７に示される如き基板の第３層にディッシュダウン（半断線）Ｆが生じるような導体部の不良を有した配線であっても、確実に検出することができる。

なお、図７の場合の検査方法では、検査点Ｔ１と検査点Ｔ２の間に形成される配線Ｔについて検査が実施される。この場合、配線Ｗの基準抵抗値を求めるために、導体部Ｃ１と導体部Ｃ２、スルーホール部ＴＨ１乃至ＴＨ３までの抵抗値が算出される。この値が基準抵抗値情報として基板検査装置に記憶され、この値が配線の良否を判定するための基準値となるため、第３層にディッシュダウンのような不良箇所Ｆが形成されていた場合であっても、その不良箇所Ｆによる抵抗値の変動を判定することができるようになる。

以上が本基板検査装置の動作の説明である。

本基板検査装置が算出する導体部の厚み情報、幅情報や電気伝導率情報は、上記動作例では、基板に形成されるサンプル部Ｓから算出して、これらの情報を得る構成を有しているが、予め基板の各層の情報として、基板検査装置に入力することによって利用することもできる。

上記の説明では、厚み情報や電気抵抗率情報を基に、基板の配線を検査するための基準抵抗値を求めて検査を実施する方法を説明したが、この厚み情報や電気抵抗率情報を基に、基板の良不良を検査することもできる。

例えば、特に基板の同一層に２つの基準配線が設定されている場合には、これらの基準配線から算出された厚み情報や電気抵抗率情報などは、基板のある一層（基準配線の形成される層）の配線の導体部の形成状態を示していることになるので、これらの情報からこの基板の層の形成状態を検査することもできる。

より具体的には、算出された基板一層の厚み情報が、予め設定される厚みの閾値内にないときには、例え、導通不良や短絡不良が存在しない場合であっても、基板を不良として判定することができる。これは、配線の導体部の厚みが所定の厚みを有して形成されていない場合には、この基板を不良基板として取り扱うことができる。

このように基板の各層の導体部の厚み情報や電気抵抗率情報を算出して、これらの値を基に基板の配線の良不良（良否）状態を検査することができる。基板の配線が複数層に亘って形成される配線では、各層の導体部の形成状態が確実に把握することができるので、従来一の層で導体部の細り（厚みが不十分な箇所）が存在しても配線の全体的な抵抗値でしか判定できなかった不良を、各層での不良を検出することができる。

また、基板の導体部の厚み情報や電気抵抗率情報を記憶手段に記憶しておくことにより、各基板の製造工程によるプロセス管理や、基板の各層の製造工程によるプロセス管理を行うことができる。例えば、記憶される厚み情報や電気抵抗率情報の変化率が大きく算出された場合には、基板検査装置に設けられるディスプレイなどの表示手段上で、その旨表示するように設定する。このように設定されることによって、製造プロセスでの変化を検出することができるようになる。

また、基板のロット毎に厚み情報や電気抵抗率情報を上記の如き統計的に管理することにより、基板を製造する製造ラインのプロセス管理やメンテナンス管理を実施することもできる。例えば、基板検査装置が厚み情報や電気抵抗率情報を記憶手段に記憶し、一定時間経過後や基板を所定数検査した検査後に、厚み情報などの時間的変化を処理手段がこれらの処理情報を表示することにより、製造プロセスでの変化を確認することができたり、今後の変化を予測し、製造プロセスのメンテナンス（修繕）を実施したりすることで不良の製造を未然に防止することができる。

１・・・・基板検査装置
２・・・・供給手段
３・・・・測定手段
４・・・・記憶手段
５・・・・算出手段
６・・・・判定手段
１０・・・基準算出手段
Ｆ・・・・不良箇所

Claims (11)

1. 検査対象となる基板に形成される配線の良否を判定する基板検査方法であって、
   前記基板に予め設定される幅の相違する２つの基準配線に電流を供給して、夫々の電圧を測定し、
   前記電流値と前記電圧値を基に、前記２つの基準配線の厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を夫々算出し、
   前記厚み情報又は前記電気抵抗率情報を基に、検査対象の配線の良否を判定することを特徴とする基板検査方法。
2. 前記２つの基準配線は、前記基板の同一層に形成される配線が設定されており、
   前記基準配線から算出される前記厚み情報及び／又は前記電気抵抗率情報を基に、該基準配線が形成される基板の層の良否を判定することを特徴とする請求項１記載の基板検査方法。
3. 前記厚み情報及び／又は前記電気低効率情報から、検査対象の配線の良否を判定するための基準抵抗値を算出し、
   前記検査対象の配線に電流を供給して該配線の電圧を測定し、該配線の抵抗値を算出し、
   前記基準抵抗値を基に、前記算出された抵抗値から検査対象の配線の良否の判定を実施することを特徴とする請求項１記載の基板検査方法。
4. 所定の検査点が設定される配線が複数形成される基板の該配線を検査する基板検査装置において、
   検査対象となる配線の所定の検査点間に、測定用の電流を供給する供給手段と、
   前記電流供給手段により電流が供給された前記検査点間の電圧を測定する測定手段と、
   前記測定手段による電圧情報と前記供給手段による電流情報を基に検査点間の抵抗値を算出する算出手段と、
   前記検査点間の基準となる基準抵抗値情報を記憶する記憶手段と、
   前記算出手段により算出される抵抗値情報と、前記基準抵抗値情報を比較して、検査対象の検査点間の配線の良好・不良状態を判定する判定手段と、
   検査対象となる配線毎に前記基準抵抗値情報を作成する基準算出手段を有し、
   前記基準算出手段は、
   検査対象の基板に予め設定される幅の相違する２つの基準配線に、前記供給手段に電流を供給させ、前記測定手段に電圧を測定させるよう促し、
   前記電流値と前記電圧値から前記基準配線の導体部の厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を算出し、
   前記厚み情報及び／又は電気抵抗率情報から前記基準抵抗値情報を算出することを特徴とする基板検査装置。
5. 所定の検査点が設定される配線が複数形成される基板の該配線を検査する基板検査装置において、
   検査対象となる配線の所定の検査点間に、測定用の電流を供給する供給手段と、
   前記電流供給手段により電流が供給された前記検査点間の電圧を測定する測定手段と、
   検査対象の基板に予め設定される幅の相違する２つの基準配線に、前記供給手段に電流を供給させるとともに前記測定手段に電圧を測定させるよう促し、前記電流値と前記電圧値から前記基準配線の導体部の厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を算出する基準算出手段と、
   前記算出された厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を基に、前記基準配線の形成される基板の層の良否を判定する判定手段を特徴とする基板検査装置。
6. 前記基準算出手段は、
   前記検査対象の基板の同一層に形成されるとともに幅の相違する２つの導体部に電流を供給する基準電流供給手段と、
   前記基準電流供給手段により電流が供給された際の前記２つの導体部の電圧を夫々測定する基準電圧測定手段と、
   前記基準電流供給手段による基準電流情報と、前記基準電圧測定手段による基準電圧情報とから、前記導体部の幅情報と厚み情報と電気抵抗率を計算する基準計算手段を有することを特徴とする請求項４又は５記載の基板検査装置。
7. 前記基準算出手段は、幅の相違する２つの導体部の夫々の予め設定される長さ情報を用いることを特徴とする請求項４乃至６いずれかに記載の基板検査装置。
8. 前記基準電流供給手段は、電流を供給するための一対の電流端子を備え、
   前記基準電圧測定手段は、前記一対の電流端子間の電流による電圧を直列的に測定する２組の電圧端子を備えていることを特徴とする請求項４乃至７いずれかに記載の基板検査装置。
9. 前記基板検査装置は、
   前記基準算出手段が算出する厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を記憶するための記憶手段を備え、
   前記記憶手段に記憶される前記厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を、基板の製造状況を把握するために統計的に処理する処理手段を備えていることを特徴とする請求項４乃至８いずれかに記載の基板検査装置。
10. 前記処理手段は、前記記憶手段に記憶される前記厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を基に、今後の変動を予測算出することができることを特徴とする請求項９の基板検査装置。
11. 前記基準配線から算出される厚み情報及び／又は電気抵抗率情報を記憶し、
    複数の厚み情報及び／又は電気抵抗率情報から、これら情報の変化又は推移を予測し、
    この予測から基板の製造プロセスの管理を実施する請求項１に記載される基板検査方法。

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