JP6780859B2 - 基板検査装置、及び基板検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板を検査する基板検査装置、及び基板検査方法に関する。

従来より、上面に絶縁フィルムが貼付された平板状の電極の、その絶縁フィルムの上に検査対象の回路基板を密着させ、回路基板上面に形成されたランドと電極との間の静電容量を測定し、その測定された静電容量と、良品基板から得られた検査用基準データとを比較することにより、回路基板上面のランドと回路基板下面のランドとの間の導通状態を検査する技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。

特開２００１−１３１９２号公報

しかしながら、上述の技術では、回路基板上面に形成された配線パターンと電極とが、回路基板の厚みと絶縁フィルムの厚みとを合わせた厚み分、離間して対向するため、配線パターンと電極の距離が長くなってしまう。配線パターンと電極との間に生じる静電容量は、配線パターンと電極の距離に反比例するから、配線パターンと電極の距離が長くなると、配線パターンと電極との間に生じる静電容量が減少する。

そのため、回路基板上面に形成された配線パターンと電極との間に生じる静電容量は、回路基板下面に形成された配線パターンと電極との間に生じる静電容量よりも小さくなる。その結果、回路基板上面に形成された配線パターンに対する検査精度が、回路基板下面に形成された配線パターンに対する検査精度よりも低下する。

本発明の目的は、配線パターンの位置による検査精度の変化を低減することができる基板検査装置、及び基板検査方法を提供することである。

本発明に係る基板検査装置は、互いに隣接して対向する第一配線と第二配線とが形成された基板を検査する基板検査装置であって、前記第一配線の一端部に接触するための第一プローブと、前記第二配線の一端部に接触するための第二プローブと、前記第一プローブ及び前記第二プローブを介して前記第一配線と前記第二配線との間の静電容量を線間容量として測定する容量測定部と、前記線間容量に基づいて前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の状態を判定する第一判定部とを備える。

また、本発明に係る基板検査方法は、互いに隣接して対向する第一配線と第二配線とが形成された基板を検査する基板検査方法であって、（ａ）前記第一配線の一端部に第一プローブを接触させる工程と、（ｂ）前記第二配線の一端部に第二プローブを接触させる工程と、（ｃ）前記第一プローブ及び前記第二プローブを介して前記第一配線と前記第二配線との間の静電容量を線間容量として測定する工程と、（ｄ）前記線間容量に基づいて前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の状態を判定する工程とを含む。

これらの構成によれば、互いに隣接して対向する第一配線と第二配線との間の線間容量が測定され、その線間容量に基づいて配線の状態が判定される。この場合、背景技術のように基板上面の配線と基板下面の配線とで静電容量が変化することがないので、配線パターンの位置による検査精度の変化を低減することができる。

また、前記第一判定部は、前記線間容量が予め設定された範囲の上限値である線間上限値より大きいとき、前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の線幅が太いと判定することが好ましい。

この構成によれば、第一配線と第二配線とのうち少なくとも一方の配線の太さが予め設定された範囲から外れて太くなっている場合に、線幅が太いと判定することができる。

また、前記第一判定部は、前記線間容量が予め設定された範囲の下限値である線間下限値より小さいとき、前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の、線幅が細いかあるいは断線不良であると判定することが好ましい。

この構成によれば、第一配線と第二配線とのうち少なくとも一方の配線の太さが予め設定された範囲よりも細くなっている場合又は断線している場合に、線幅が細いかあるいは断線不良であると判定することができる。

また、前記第一判定部は、前記線間容量が予め設定された範囲の下限値である線間下限値より小さく、かつ前記線間下限値よりも小さい値に予め設定された線間判別値よりも大きいとき、前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の線幅が細いと判定し、前記線間容量が、前記線間判別値よりも小さいとき、前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線が断線不良であると判定することが好ましい。

この構成によれば、第一配線と第二配線とのうち少なくとも一方の配線について、線幅が細いか、あるいは断線不良であるかを判定することができる。

また、前記線間容量に基づき断線の位置を推定する第一断線位置推定部をさらに備えることが好ましい。

この構成によれば、第一配線と第二配線とのうち少なくとも一方の配線が断線している場合にその断線位置を推定することができる。

また、前記第一断線位置推定部は、前記線間容量と予め設定された線間基準容量との比に基づき断線の位置を推定することが好ましい。

この構成によれば、線間容量と線間基準容量との比に基づき断線の位置を推定することができるので、断線の位置を推定することが容易である。

また、前記容量測定部は、さらに、前記基板の一方の面を覆うように対向配置された導体板と、前記第一配線との間の静電容量を配線容量として測定し、前記基板検査装置は、前記配線容量に基づいて前記第一配線の状態を判定する第二判定部をさらに備えることが好ましい。

また、（ｅ）前記基板の一方の面を覆うように対向配置された導体板と、前記第一配線との間の静電容量を配線容量として測定する工程と、（ｆ）前記配線容量に基づいて前記第一配線の状態を判定する工程とをさらに含むことが好ましい。

これらの構成によれば、導体板と第一配線との間の配線容量が測定され、配線容量に基づいて第一配線の良否が判定されるので、第一配線についての良否を判定することが可能となる。

また、前記第二判定部は、前記配線容量が予め設定された範囲の上限値である配線上限値より大きいとき、前記第一配線の線幅が太いと判定することが好ましい。

この構成によれば、第一配線の太さが予め設定された範囲よりも太くなっている場合に、第一配線は線幅が太いと判定することができる。

また、前記第二判定部は、前記配線容量が予め設定された範囲の下限値である配線下限値より小さいとき、前記第一配線の、線幅が細いかあるいは断線不良であると判定することが好ましい。

この構成によれば、第一配線の太さが細くなっている場合又は断線している場合に、第一配線は線幅が細いかあるいは断線不良であると判定することができる。

また、前記第二判定部は、前記配線容量が予め設定された範囲の下限値である配線下限値より小さく、かつ前記配線下限値よりも小さい値に予め設定された配線判別値よりも大きいとき、前記第一配線の線幅が細いと判定し、前記配線容量が前記配線判別値よりも小さいとき、前記第一配線が断線不良であると判定することが好ましい。

この構成によれば、第一配線について、線幅が細いかあるいは断線不良のうちいずれであるかを判定することができる。

また、前記第一判定部による判定結果と、前記第二判定部による判定結果とに基づいて、前記第一判定部によって判定された状態が生じている配線を判定する第三判定部をさらに備えることが好ましい。

この構成によれば、第一判定部による判定結果と、第二判定部による判定結果とに基づいて、第一及び第二配線のうちいずれの配線で不良が生じているかを判定することができる。

また、前記配線容量に基づき断線の位置を推定する第二断線位置推定部をさらに備えることが好ましい。

この構成によれば、第一配線が断線している場合にその断線位置を推定することができる。

また、前記第一配線の断線位置と、当該断線位置に対応する前記配線容量とを対応付ける断線容量情報を予め記憶する記憶部をさらに備え、前記第二断線位置推定部は、前記配線容量と前記断線容量情報とに基づき断線の位置を推定することが好ましい。

この構成によれば、断線容量情報によって、容量測定部によって測定された配線容量と対応付けられている断線位置を取得することによって断線の位置を推定することができるので、断線の位置を推定することが容易である。

また、前記導体板に接触するための第三プローブをさらに備え、前記導体板は、前記基板の他方の面に絶縁層を介して付着されていることが好ましい。

この構成によれば、前記導体板は、前記基板の一部として付着しているので、導体板と第一配線との間の距離を安定させることが容易となる。その結果、配線容量の測定精度を向上させて良否判定の精度を向上することが容易となる。

また、前記基板はコア層を有さないコアレス基板であり、前記導体板は、前記基板の配線層を支持するキャリアであることが好ましい。

また、（１）前記導体板をキャリアとして用い、前記導体板と、絶縁層と、前記第一配線と前記第二配線とをこの順に積層して基板を形成する工程と、（２）前記基板から前記導体板を除去する工程とをさらに含み、前記工程（１）の実行後であって、かつ前記工程（２）の実行前に前記工程（ｅ）を実行することが好ましい。

これらの構成によれば、コアレス基板の製造過程において、キャリアを除去する前の製造途中の基板を検査することが可能となる。

このような構成の基板検査装置、及び基板検査方法は、配線パターンの位置による検査精度の変化を低減することができる。

本発明の一実施形態に係る基板検査方法を用いる基板検査装置の構成を概略的に示す概念図である。 図１に示す制御部の構成の一例を概念的に示すブロック図である。 検査対象となる基板の製造方法の一例を説明するための説明図である。 図１に示す基板検査装置の構成を概念的に示す説明図である。 図４に示す基板検査装置の別の一例を示す概念的な説明図である。 図５に示す基板検査装置の別の一例を示す概念的な説明図である。 図４，図５，図６に示す基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。 図４，図５，図６に示す基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。 図４，図５，図６に示す基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。 図４，図５，図６に示す基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。 配線が断線していた場合の断線位置と、その位置で断線していた場合に容量測定部によって測定される線間容量及び配線容量との関係を示すグラフである。

以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板検査方法を用いる基板検査装置の構成を概略的に示す概念図である。図１に示す基板検査装置１は、検査対象物の一例である基板１００に形成された回路パターンを検査するための装置である。

基板１００は、例えば半導体パッケージ用のパッケージ基板やフィルムキャリア、プリント配線基板、ガラスエポキシ基板、フレキシブル基板、セラミック多層配線基板、液晶ディスプレイやＥＬ（Electro-Luminescence）ディスプレイ等のディスプレイ用の電極板、タッチパネル用等の透明導電板、半導体ウェハや半導体チップやCSP(Chip size package)等の半導体基板等々種々の基板であってもよい。基板１００には、配線パターン、パッド、ランド、半田バンプ、及び端子等の検査点が形成されている。

図１に示す基板検査装置１は、筐体１１を有している。筐体１１の内部空間には、基板固定装置１２と、検査部３Ｕと、検査部３Ｌと、制御部２とが主に設けられ、筐体１１の外壁面等に表示部５（報知部）が取り付けられている。基板固定装置１２は、検査対象となる基板１００を所定の位置に固定するように構成されている。

検査部３Ｕは、基板固定装置１２に固定された基板１００の上方に位置する。検査部３Ｌは、基板固定装置１２に固定された基板１００の下方に位置する。検査部３Ｕ及び検査部３Ｌは、プローブＰｒに対して電気的に接続されるための電極が形成された電極板９を備えている。検査部３Ｕ及び検査部３Ｌの各電極板９には、基板１００に形成された回路パターンを検査するための検査治具４Ｕ，４Ｌが取り付けられている。検査治具４Ｕ，４Ｌには、複数のプローブＰｒが取り付けられている。また、検査部３Ｕ及び検査部３Ｌは、後述する容量測定部３１と、後述するスキャナ部３４と、筐体１１内で適宜移動するための検査部移動機構１５とを備えている。スキャナ部３４は、容量測定部３１と各プローブＰｒとの接続関係を切り替える。

検査部３Ｕ，３Ｌは、互いに同様に構成されている。以下、検査部３Ｕ，３Ｌを総称して検査部３と称する。検査治具４Ｕ，４Ｌは、互いに同様に構成されている。以下、検査治具４Ｕ，４Ｌを総称して検査治具４と称する。

図２は、図１に示す制御部２の構成の一例を概念的に示すブロック図である。制御部２は、例えば、所定の論理演算を実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）、データを一時的に記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）、所定の制御プログラム等を予め記憶する不揮発性の記憶装置、及びこれらの周辺回路等を備えたマイクロコンピュータを用いて構成されている。上述の記憶装置は、記憶部２７としても用いられる。

制御部２は、例えば上述の制御プログラムを実行することによって、検査制御部２１、第一判定部２２、第一断線位置推定部２３、第二判定部２４、第二断線位置推定部２５、及び第三判定部２６として機能する。

記憶部２７には、互いに隣接する一対の正常な配線Ｐ間の静電容量である線間基準容量Ｃｘ_ｒｅｆと、線間基準容量Ｃｘ_ｒｅｆのばらつきや測定誤差等を考慮して定められた正常な範囲の、上限値である線間上限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｕ及び下限値である線間下限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｌと、線幅が細い不良と断線とを判別する閾値として線間下限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｌよりも小さな値に予め設定された線間判別値Ｃｘ_ｌｉｍ_ＬＬとが、例えば実験的に測定されて、予め記憶されている。なお、線間上限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｕと線間下限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｌとは、同じ値であってもよく、例えば線間基準容量Ｃｘ_ｒｅｆをそのまま線間上限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｕ及び線間下限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｌとして用いてもよい。

また、記憶部２７には、正常な一本の配線Ｐとキャリア１０１との間の静電容量である配線基準容量Ｃｚ_ｒｅｆと、配線基準容量Ｃｚ_ｒｅｆのばらつきや測定誤差等を考慮して定められた正常な範囲の、上限値である配線上限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｕ及び下限値である配線下限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｌと、線幅が細い不良と断線とを判別する閾値として配線下限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｌよりも小さな値に予め設定された配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬとが、例えば実際に正常な線幅の基板と線幅が細くなった基板とを用いて実験的に測定されて、予め記憶されている。なお、配線上限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｕと配線下限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｌとは、同じ値であってもよく、例えば配線基準容量Ｃｚ_ｒｅｆをそのまま配線上限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｕ及び配線下限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｌとして用いてもよい。

線間基準容量Ｃｘ_ｒｅｆ、線間上限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｕ、線間下限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｌ、線間判別値Ｃｘ_ｌｉｍ_ＬＬ、配線基準容量Ｃｚ_ｒｅｆ、配線上限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｕ、配線下限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｌ、配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬは、配線Ｐの長さ、幅、間隔、積層配線層１０６の厚さ、プリプレグ１０２の厚さ等によって変化するが、一例として、線間基準容量Ｃｘ_ｒｅｆは１００ｆＦ程度、配線基準容量Ｃｚ_ｒｅｆは９００ｆＦ程度、配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬは６００ｆＦ程度である。

さらに、記憶部２７には、配線Ｐの断線位置と、当該断線位置に対応する配線容量Ｃｚとを対応付けた断線容量情報が、例えば実験的に測定されて、予め記憶されている。

表示部５は、例えば液晶表示装置やＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等の表示装置である。表示部５は、制御部２からの制御信号に応じて、基板の検査結果等を表示する。

検査制御部２１は、検査部３Ｕ，３Ｌを適宜移動させ、基板固定装置１２に固定された基板１００の各検査点に検査治具４Ｕ，４Ｌの各プローブＰｒを接触させ、検査対象の検査点に対応するプローブＰｒを後述のスキャナ部３４によって後述する容量測定部３１に接続させる。

図３は、検査対象となる基板１００の製造方法の一例を説明するための説明図である。図３では、基板１００の製造過程を、基板１００を厚さ方向に切断した断面図によって示している。基板１００は、コア層が存在しない、いわゆるコアレス基板である基板１００ａの製造過程において、支持体用のキャリア１０１を剥離する前の基板である。言い換えると、基板１００は、最終製品である基板１００ａに、キャリア１０１が付着された状態の基板である。このようなコアレス基板の製造方法としては種々の方法を用いることができ、一例として例えばＷＯ２０１５／１２２２５８に記載の製造方法を用いることができる。なお、ＷＯ２０１５／１２２２５８の図１では基本的な工程のみが図示されており、例えば層間を接続するバイヤの形成工程や基板表面に部品を接続するためのパットを形成する工程、あるいは基板に部品を実装する工程等は省略されている。

コアレス基板は、コア層を備えていないため、剛性に乏しく、その製造工程で破損しやすい。そのため、製造工程で配線層を支持するための板状のキャリアを支持体として用い、キャリア上に配線層を形成した後にキャリアを剥離するコアレス基板の製造方法が知られている。

図３に示すコアレス基板の製造方法では、まず、シート状のキャリア１０１にシート状のプリプレグ１０２を貼り合わせる（工程Ｋ１）。キャリア１０１としては、例えば銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼、チタン、チタン合金等、種々の導電性の箔状の金属板が用いられる。キャリア１０１は、一層に限られず、一種又は複数種の材料が積層されて形成されていてもよい。

プリプレグ１０２は、エポキシ等の樹脂材料や、ガラス繊維等の絶縁材料から構成されている。キャリア１０１は導体板の一例に相当し、プリプレグ１０２は絶縁層の一例に相当している。なお、必ずしもキャリア１０１とプリプレグ１０２とが積層される例に限らない。プリプレグ１０２の代わりに、プリプレグとは異なる材質の絶縁層が形成されていてもよい。

次に、プリプレグ１０２の、キャリア１０１とは反対側の表面に、配線形成のための銅箔１０３を貼付する（工程Ｋ２）。次に、銅箔１０３をエッチングして複数の配線Ｐを形成する（工程Ｋ３）。複数の配線Ｐは、略平行に延設されている。次に、複数の配線Ｐを覆うように、プリプレグ１０２と同様の絶縁材料からなるプリプレグ１０４を、複数の配線Ｐを覆うように形成する（工程Ｋ４）。工程Ｋ２〜Ｋ４の配線層形成工程により、配線Ｐが絶縁材料で覆われた一層目の配線層１０５が形成される。

次に、配線層１０５の、プリプレグ１０２とは反対側の表面に対して、工程Ｋ２〜Ｋ４と同様の配線層形成工程を繰り返すことによって、二層目の配線層１０５が形成される（工程Ｋ５）。このように複数の配線層１０５が積層されて、積層配線層１０６が形成される。これにより、キャリア１０１、プリプレグ１０２、及び積層配線層１０６が積層された基板１００が形成される。

図３では、配線Ｐを層間で接続するバイヤ等の接続部の形成工程や、基板１００ａの最外層（図３では上面と下面）において、配線Ｐの一部を露出させて部品等が接続されるパッド等を形成する工程の記載等を省略している。なお、基板１００ａの最外面において、配線Ｐを覆って露出から防ぐ層はプリプレグに限られず、レジスト等のシートやコーティング層であってもよい。また、配線層１０５の積層数は二層に限らず、一層であってもよく、三層以上であってもよい。

工程Ｋ１〜Ｋ５は、工程（１）の一例に相当している。例えば、この工程Ｋ５により形成された基板１００を基板固定装置１２に取り付けて、基板検査装置１による検査を実行する。そして、検査結果が良好であった基板１００に対して、次のキャリア除去工程（工程Ｋ６）を実行する。キャリア除去工程（工程Ｋ６）では、基板１００からキャリア１０１を剥離したりエッチングしたりすることによって除去し、最終的な完成品として基板１００ａを作成する。

このように、工程Ｋ５の後、工程Ｋ６の前に、キャリア１０１を含む基板１００の検査を実行し、検査結果が良好であった基板１００について工程Ｋ６を実行し、検査結果が不良であった基板１００については工程Ｋ６を実行しないようにすることで、基板１００ａに対して検査を実行する場合と比べて、基板の製造工数を低減することが可能になる。

なお、キャリア１０１を含む基板１００の検査の実行後、工程Ｋ６でキャリア１０１を除去する前に、基板１００にＩＣ（Integrated Circuit）等の部品を実装してもよい。また、工程Ｋ６において、キャリア１０１のみならず、プリプレグ１０２も除去してもよい。

図４は、図１に示す基板検査装置１の構成を概念的に示す説明図である。図４は、基板検査装置１に検査対象の基板１００が取り付けられた状態を示している。図４に示す基板検査装置１は、容量測定部３１と、スキャナ部３４と、複数のプローブＰｒとを備えている。容量測定部３１は、交流電圧源３２と、電流検出部３３と、端子Ｔ１，Ｔ２とを備えている。図４では、制御部２の記載を省略している。

基板１００には、互いに略平行に延びる複数の配線Ｐが形成されている。以下、各配線Ｐのうちの二本、配線Ｐ１（第一配線）と配線Ｐ２（第二配線）とについて説明し、他の配線については配線Ｐ１，Ｐ２と同様に構成されているのでその説明を省略する。配線Ｐ１，Ｐ２は、基板１００の図４における上面（他方の面）に形成された、第一部分Ｌ１１，Ｌ２１と、図４における積層配線層１０６の下面（基板１００の一方の面側）に形成された、パッドＰｄ１２，Ｐｄ２２及び第二部分Ｌ１２，Ｌ２２と、積層配線層１０６を貫通して第一部分Ｌ１１，Ｌ２１と第二部分Ｌ１２，Ｌ２２とを繋ぐ貫通配線Ｌ１３，Ｌ２３とを有している。

配線Ｐ１の第一部分Ｌ１１の一端部が拡幅されてパッドＰｄ１１とされ、配線Ｐ１の第二部分Ｌ１２の一端部が拡幅されてパッドＰｄ１２とされ、配線Ｐ２の第一部分Ｌ２１の一端部が拡幅されてパッドＰｄ２１とされ、配線Ｐ２の第二部分Ｌ２２の一端部が拡幅されてパッドＰｄ２２とされている。第一部分Ｌ１１の他端部と第二部分Ｌ１２の他端部とが貫通配線Ｌ１３によって接続され、第一部分Ｌ２１の他端部と第二部分Ｌ２２の他端部とが貫通配線Ｌ２３によって接続されている。

パッドＰｄ１１，Ｐｄ２１を含む基板１００の図４における上面に形成された各パッドには、それぞれ検査治具４ＵのプローブＰｒが接触している。基板１００の図４における下面となるキャリア１０１には、検査治具４ＬのプローブＰｒが接触している。この場合、パッドＰｄ１１に接触しているプローブＰｒが第一プローブに相当し、パッドＰｄ２１に接触しているプローブＰｒが第二プローブに相当し、キャリア１０１に接触しているプローブＰｒが第三プローブに相当している。

交流電圧源３２は、交流周波数ｆの所定の電圧Ｖを出力する交流電源回路である。交流電圧源３２の一方の出力端子は端子Ｔ１を介してスキャナ部３４に接続され、交流電圧源３２の他方の出力端子は電流検出部３３と端子Ｔ２とを介してスキャナ部３４に接続されている。

電流検出部３３は、例えばシャント抵抗、ホール素子、アナログデジタルコンバータ等を用いて構成された交流電流計である。電流検出部３３は、交流電圧源３２から出力された電流Ｉ、すなわち配線Ｐ１，Ｐ２間の静電容量である線間容量Ｃｘに流れた電流Ｉｘ、又は配線Ｐ１とキャリア１０１との間の静電容量である配線容量Ｃｚに流れた電流Ｉｚを検出する。電圧Ｖ及び電流Ｉは、実効値であってもよく、ピーク値であってもよい。

周波数ｆの電圧Ｖが静電容量に印加されたときに電流Ｉが流れた場合、静電容量Ｃは、下記の式（１）で与えられる。
静電容量Ｃ＝Ｉ／（Ｖ×２πｆ） ・・・（１）

この場合、Ｖおよび２πｆは既知であるから、電流Ｉが得られれば静電容量Ｃが判る。従って、容量測定部３１は、静電容量Ｃを測定することができる。なお、検査制御部２１は、電流検出部３３で検出された電流Ｉから式（１）に基づき静電容量Ｃを算出してもよく、電流Ｉをそのまま静電容量Ｃを表す情報として用いてもよい。以下、容量測定部３１で測定された電流Ｉから検査制御部２１が静電容量Ｃを算出する場合を含めて、容量測定部３１が静電容量Ｃを測定する、と記載する。

スキャナ部３４は、例えばトランジスタ等の複数のスイッチング素子を用いて構成されている。スキャナ部３４は、検査制御部２１からの制御信号に応じて、端子Ｔ１，Ｔ２を、それぞれ、検査治具４Ｕ，４Ｌの複数のプローブＰｒのうちいずれかに導通接続させる。図４では、スキャナ部３４の説明を簡素化し、配線Ｐ１，Ｐ２及びキャリア１０１に接触しているプローブＰｒと、容量測定部３１との接続に関わるスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３のみを記載し、他のスイッチング素子等についてはその記載を省略している。

検査制御部２１は、複数の配線Ｐのうちから、検査対象となる二本の配線Ｐ１，Ｐ２を選択する。そして、検査制御部２１は、スキャナ部３４によって、端子Ｔ１を、スイッチング素子ＳＷ１を介して配線Ｐ１に接触するプローブＰｒと接続させる。また、検査制御部２１は、スキャナ部３４によって、端子Ｔ２を、スイッチング素子ＳＷ２を介して配線Ｐ２に接触するプローブＰｒと接続させ、スイッチング素子ＳＷ３を介してキャリア１０１に接触するプローブＰｒと接続させる。

検査制御部２１は、スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３のオン、オフを制御して、容量測定部３１によって、線間容量Ｃｘ及び配線容量Ｃｚを測定させる。第一判定部２２は、線間容量Ｃｘに基づいて、配線Ｐ１，Ｐ２の状態、例えば、線幅が太い、細い、断線、良、不良等の状態を判定する。第一断線位置推定部２３は、線間容量Ｃｘに基づいて配線Ｐ１，Ｐ２の断線位置を推定する。第二判定部２４は、配線容量Ｃｚに基づいて、配線Ｐ１の状態、例えば、線幅が太い、細い、断線、良、不良等の状態を判定する。第二断線位置推定部２５は、配線容量Ｃｚに基づき配線Ｐ１の断線の位置を推定する。第三判定部２６は、第一判定部２２による判定結果と、第二判定部２４による判定結果とに基づいて、配線Ｐ１，Ｐ２のうち、第一判定部２２によって判定された状態が生じている配線を判定する。

基板１００のように、積層配線層１０６、プリプレグ１０２、及びキャリア１０１が一体となった基板を検査対象とすることにより、配線Ｐ１とキャリア１０１との距離が不変となるので配線容量Ｃｚが安定する。その結果、配線容量Ｃｚに基づく第二判定部２４の判定精度が向上し、第一判定部２２と第二判定部２４の判定結果に基づく第三判定部２６の判定精度が向上する。

なお、キャリア１０１を備えた基板１００の検査を行う例に限らない。図５は、図４に示す基板検査装置１の別の一例を示す概念的な説明図である。図５に示す基板検査装置１ａは、基板検査装置１とは、基板固定装置１２に導体板１６を備えている点でことなる。導体板１６は、スイッチング素子ＳＷ３を介して端子Ｔ２と接続されている。導体板１６は略水平に配設され、その上面は平坦な載置面とされている。導体板１６の上面に、検査対象の基板１００ａを載置可能にされている。基板検査装置１ａは、その他の点では基板検査装置１と同様に構成されている。

そして、工程Ｋ６においてキャリア１０１が除去された基板１００ａを、プリプレグ１０２を導体板１６側にして導体板１６の上に載置して、基板検査装置１ａによって基板検査装置１と同様の検査を実行してもよい。基板検査装置１ａによれば、容量測定部３１は、配線Ｐ１と導体板１６との間の静電容量を配線容量Ｃｚとして測定する。

また、プリプレグ１０２及びキャリア１０１を備えず、積層配線層１０６のみからなる基板を検査対象としてもよい。図６は、図５に示す基板検査装置１ａの別の一例を示す概念的な説明図である。図６に示す基板検査装置１ｂは、基板検査装置１ａとは、導体板１６の上面に、絶縁板１７が積層されている点でことなる。基板検査装置１ｂは、その他の点では基板検査装置１ａと同様に構成されている。

基板検査装置１ｂによれば、基板表面に絶縁層を備えていない基板であっても検査対象とすることができる。

次に、上述のように構成された基板検査装置１の動作について説明する。図７〜図１０は、基板検査装置１の動作の一例を示すフローチャートである。なお、基板検査装置１ａ，１ｂの動作についても、キャリア１０１の代わりに導体板１６が用いられる点を除いて同様である。

まず、検査制御部２１は、例えば図略の搬送機構により検査対象の基板１００を基板固定装置１２に取り付けさせ、検査部移動機構１５によって検査治具４Ｕ，４ＬのプローブＰｒを基板１００の各検査点及びキャリア１０１に接触させる（ステップＳ１、工程（ａ）（ｂ））。

次に、検査制御部２１は、基板１００の複数の配線Ｐの中から、互いに隣接する二本の配線Ｐ１，Ｐ２を第一、第二配線として選択する（ステップＳ２）。以下、図４に示すように、スイッチング素子ＳＷ１が配線Ｐ１（第一配線）の一端部であるパッドＰｄ１１に接触するプローブＰｒと端子Ｔ１との間に設けられ、スイッチング素子ＳＷ２が配線Ｐ２（第二配線）の一端部であるパッドＰｄ２１に接触するプローブＰｒと端子Ｔ２との間に設けられ、スイッチング素子ＳＷ３がキャリア１０１に接触するプローブＰｒと端子Ｔ２との間に設けられているものとして説明する。

次に、検査制御部２１は、スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２をオン、スイッチング素子ＳＷ３をオフする。これにより、検査制御部２１は、容量測定部３１によって、配線Ｐ１と配線Ｐ２との間の線間容量Ｃｘを測定させる（ステップＳ３）。

次に、第一判定部２２は、線間容量Ｃｘと線間上限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｕとを比較する（ステップＳ４）。そして、線間容量Ｃｘが線間上限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｕより大きい場合（ステップＳ４でＹＥＳ）、第一判定部２２は、配線Ｐ１，Ｐ２の少なくとも一方は線幅が太い不良であると判定する（ステップＳ５）。

線間容量Ｃｘは、配線Ｐ１と配線Ｐ２の対向距離（間隔）に反比例する。従って、線間容量Ｃｘが正常な線間容量Ｃｘの上限値である線間上限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｕより大きい場合、配線Ｐ１，Ｐ２の少なくとも一方が、正常な線幅より太くなったことで配線Ｐ１と配線Ｐ２の対向距離が狭くなったと考えられる。そこで、第一判定部２２は、線間容量Ｃｘが線間上限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｕより大きい場合（ステップＳ４でＹＥＳ）、配線Ｐ１，Ｐ２の少なくとも一方は線幅が太い不良であると判定し（ステップＳ５）、その判定結果を、線間容量Ｃｘに基づく判定結果として例えば表示部５（報知部）に表示させるなどしてユーザに報知し、ステップＳ２１へ移行する。

この場合、第一部分Ｌ１１，Ｌ２１と第二部分Ｌ１２，Ｌ２２とで、いずれで線幅が太くなった場合でも、線間容量Ｃｘに対する影響は同様であるから、配線パターンの不良が生じた位置による検査精度の変化を低減することができる。

ステップＳ５によれば、配線Ｐ１，Ｐ２のどちらで線幅が太くなっているのかを判別することができない。そこで、ステップＳ２１以降、配線容量Ｃｚに基づく検査を実行する。

ステップＳ２１において、検査制御部２１は、スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ３をオン、スイッチング素子ＳＷ２をオフする。これにより、検査制御部２１は、容量測定部３１によって、配線Ｐ１とキャリア１０１との間の配線容量Ｃｚを測定させる（ステップＳ２１）。

次に、第二判定部２４は、配線容量Ｃｚと配線上限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｕとを比較する（ステップＳ２２）。そして、配線容量Ｃｚが配線上限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｕより大きい場合（ステップＳ２２でＹＥＳ）、第二判定部２４は、配線Ｐ１は第二部分Ｌ１２で線幅が太い不良であると判定し（ステップＳ２３）、その判定結果を、配線容量Ｃｚに基づく判定結果として例えば表示部５（報知部）に表示させるなどしてユーザに報知する。

配線容量Ｃｚは、配線Ｐ１の面積に比例し、キャリア１０１と配線Ｐ１との対向距離に反比例する。従って、配線容量Ｃｚが配線上限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｕより大きくなった場合、配線Ｐ１の面積が正常な配線の面積より大きくなった、すなわち配線Ｐ１が太くなったと考えられる。

また、図４に示すように、パッドＰｄ１１とキャリア１０１との間には静電容量Ｃｐ１、第一部分Ｌ１１とキャリア１０１との間には静電容量Ｃｚ１、第二部分Ｌ１２とキャリア１０１との間には静電容量Ｃｚ２、パッドＰｄ１２とキャリア１０１との間には静電容量Ｃｐ２が生じる。従って、配線容量Ｃｚ＝Ｃｐ１＋Ｃｚ１＋Ｃｚ２＋Ｃｐ２となる。

しかしながら、積層配線層１０６の下面に形成された第二部分Ｌ１２及びパッドＰｄ１２は、キャリア１０１との対向距離がプリプレグ１０２の厚さとなるので極めて近い距離で対向し、静電容量Ｃｚ２，Ｃｐ２が比較的大きな値になる。これに対し、積層配線層１０６の上面に形成されたパッドＰｄ１１及び第一部分Ｌ１１は、キャリア１０１との対向距離がプリプレグ１０２の厚さと積層配線層１０６の厚さの合計となり、対向距離が長くなる。その結果、静電容量Ｃｐ１，Ｃｚ１は静電容量Ｃｚ２，Ｃｐ２より小さな値になり、積層配線層１０６の厚さ次第では、静電容量Ｃｐ１，Ｃｚ１は静電容量Ｃｚ２，Ｃｐ２に対して無視できるほど小さな値となる。

そのため、第一部分Ｌ１１で線幅が太くなった場合であっても、配線容量Ｃｚの増大はばらつきの程度を超えず、従って配線容量Ｃｚは、配線上限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｕを超えない可能性が高い。そこで、配線容量Ｃｚが配線上限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｕより大きい場合（ステップＳ２２でＹＥＳ）、第二判定部２４は、配線Ｐ１は第二部分Ｌ１２で線幅が太い不良であると判定する（ステップＳ２３）。

なお、ステップＳ２３における判定結果は、必ずしも不良箇所を第二部分Ｌ１２と特定する必要はなく、配線Ｐ１は線幅が太い不良であるという判定結果であってもよい。

次に、第三判定部２６は、ステップＳ５における第一判定部２２による判定結果と、ステップＳ２３における第二判定部２４の判定結果に基づいて、いずれの判定結果も配線Ｐ１は線幅が太い不良である点で共通していることから、配線Ｐ１は線幅が太い不良であると判定し（ステップＳ２４）、その判定結果を、線間容量Ｃｘと配線容量Ｃｚに基づく判定結果として例えば表示部５（報知部）に表示させるなどしてユーザに報知し、処理を終了する。

第一判定部２２による判定結果は配線Ｐ１，Ｐ２のいずれの不良かを特定できず、第二判定部２４による判定結果は第一部分Ｌ１１での不良を検出困難であるために判定精度が低い。しかしながら、第三判定部２６は、第一判定部２２による判定結果と第二判定部２４の判定結果から、その共通点に基づき配線Ｐ１は線幅が太い不良であると判定するので、配線Ｐ１に線幅が太い不良が生じていることの判定精度を向上することができる。

一方、ステップＳ２２で、配線容量Ｃｚが配線上限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｕ以下の場合（ステップＳ２２でＮＯ）、第二判定部２４は、配線Ｐ１の第二部分Ｌ１２は線幅が太い不良ではないと判定する（ステップＳ２５）。

次に、第三判定部２６は、ステップＳ５における第一判定部２２による判定結果と、ステップＳ２５における第二判定部２４の判定結果に基づいて、配線Ｐ２が線幅が太い不良又は配線Ｐ１が第一部分Ｌ１１で線幅が太い不良であると判定し（ステップＳ２６）、その判定結果を、線間容量Ｃｘと配線容量Ｃｚに基づく判定結果として例えば表示部５（報知部）に表示させるなどしてユーザに報知し、処理を終了する。

この場合であっても、第三判定部２６は、第一判定部２２による判定結果と第二判定部２４の判定結果から、不良の発生状況について、可能な範囲で詳しくユーザに報知することができるので、ユーザの利便性が向上する。

一方、図７に戻って、ステップＳ４において、線間容量Ｃｘが線間上限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｕ以下の場合（ステップＳ４でＮＯ）、第一判定部２２は、線間容量Ｃｘと線間下限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｌとを比較する（ステップＳ６）。そして、線間容量Ｃｘが線間下限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｌ以上の場合（ステップＳ６でＮＯ）、線間容量Ｃｘは、正常な静電容量範囲である線間下限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｌ以上、線間上限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｕ以下の範囲内であるから、第一判定部２２は、配線Ｐ１，Ｐ２は良好（正常）であると判定し（ステップＳ７）、その判定結果を例えば表示部５に表示させるなどしてユーザに報知し、処理を終了する。

この場合、第一部分Ｌ１１，Ｌ２１と第二部分Ｌ１２，Ｌ２２とで、配線Ｐ１，Ｐ２の間隔は略同一であるから、第一部分Ｌ１１，Ｌ２１と第二部分Ｌ１２，Ｌ２２のいずれに対しても、同程度の検査精度で検査することができる。従って、配線パターンの不良が生じた位置による検査精度の変化を低減することができる。

一方、ステップＳ６において、線間容量Ｃｘが線間下限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｌに満たない場合（ステップＳ６でＹＥＳ）、第一判定部２２は、配線Ｐ１，Ｐ２の少なくとも一方において、線幅が細い不良又は断線不良が生じていると判定し（ステップＳ８）、その判定結果を、線間容量Ｃｘに基づく判定結果として例えば表示部５に表示させるなどしてユーザに報知する。

線間容量Ｃｘが線間下限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｌより小さくなった場合、その原因として、配線Ｐ１，Ｐ２の少なくとも一方が正常な線幅より細くなったために配線Ｐ１と配線Ｐ２の対向距離が拡がったことが考えられる。あるいは、その原因として、配線Ｐ１，Ｐ２のうち少なくとも一方が断線していることが考えられる。そこで、第一判定部２２は、線間容量Ｃｘが線間下限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｌに満たない場合（ステップＳ６でＹＥＳ）、第一判定部２２は、配線Ｐ１，Ｐ２の少なくとも一方において、線幅が細い不良又は断線不良が生じていると判定することができる。

次に、第一判定部２２は、線間容量Ｃｘと線間判別値Ｃｘ_ｌｉｍ_ＬＬとを比較する（ステップＳ９）。そして、線間容量Ｃｘが線間判別値Ｃｘ_ｌｉｍ_ＬＬより大きい場合（ステップＳ９でＹＥＳ）、第一判定部２２は、配線Ｐ１，Ｐ２のうち少なくとも一方は線幅が細い不良であると判定し（ステップＳ１０）、線間容量Ｃｘが線間判別値Ｃｘ_ｌｉｍ_ＬＬ以下の場合（ステップＳ９でＮＯ）、第一判定部２２は、配線Ｐ１，Ｐ２のうち少なくとも一方で断線不良が生じていると判定する（ステップＳ１１）。

基板配線の製造において、一般的には、線幅が１／２になったり１／３になったりするような、大きな変動が生じることは、ほとんどない。線幅の不良が生じた場合であっても、正常な太さに対する差異は、通常わずかであり、不良時に線間容量Ｃｘとして現れる静電容量の変化量も、例えば１ｆＦ〜１０ｆＦ程度の微小な変化量となる。

それに対し、断線が生じた場合、配線Ｐ１，Ｐ２の中央位置で断線が生じれば線間容量Ｃｘは１／２となり、配線Ｐ１，Ｐ２のパッドＰｄ１１，Ｐｄ２１から１／４の位置で断線が生じれば線間容量Ｃｘは１／４となる。従って、線間判別値Ｃｘ_ｌｉｍ_ＬＬを、線幅が細くなった場合に生じる程度の微小な静電容量を線間下限値Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｌから減算した値とすれば、線間容量Ｃｘが線間判別値Ｃｘ_ｌｉｍ_ＬＬより大きい場合（ステップＳ９でＹＥＳ）、線幅が細くなっている不良が生じている可能性が高く、線間容量Ｃｘが線間判別値Ｃｘ_ｌｉｍ_ＬＬ以下の場合（ステップＳ９でＮＯ）、断線が生じている可能性が高いと考えられる。

従って、第一判定部２２は、線間判別値Ｃｘ_ｌｉｍ_ＬＬに基づいて、線幅の細い不良と断線不良とを、ある程度高い確実性で判別することが可能となる。

ステップＳ１０において、第一判定部２２は、配線Ｐ１，Ｐ２のうち少なくとも一方は線幅が細い不良である旨の判定結果を線間容量Ｃｘに基づく判定結果として例えば表示部５に表示させるなどしてユーザに報知し、ステップＳ３０へ移行する。ステップＳ１１において、第一判定部２２は、配線Ｐ１，Ｐ２のうち少なくとも一方で断線不良が生じている旨の判定結果を線間容量Ｃｘに基づく判定結果として例えば表示部５に表示させるなどしてユーザに報知し、ステップＳ１２へ移行する。

ステップＳ１０では、配線Ｐ１，Ｐ２のどちらで線幅が細くなっているのかを判別することができない。そこで、ステップＳ３０以降、配線容量Ｃｚに基づく検査を実行する。

ステップＳ３０において、検査制御部２１は、ステップＳ２１と同様にスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ３をオン、スイッチング素子ＳＷ２をオフし、容量測定部３１によって配線Ｐ１とキャリア１０１との間の配線容量Ｃｚを測定させる（ステップＳ３０）。

次に、第二判定部２４は、配線容量Ｃｚと配線下限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｌとを比較する（ステップＳ３１）。そして、配線容量Ｃｚが配線下限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｌより小さい場合（ステップＳ３１でＹＥＳ）、第二判定部２４は、配線Ｐ１は断線不良又は第二部分Ｌ１２において線幅が細い不良であると判定し（ステップＳ３２）、その判定結果を、配線容量Ｃｚに基づく判定結果として例えば表示部５に表示させるなどしてユーザに報知する。

配線容量Ｃｚは、配線Ｐ１の面積に比例し、キャリア１０１と配線Ｐ１との対向距離に反比例する。従って、配線容量Ｃｚが配線下限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｌより小さくなった場合、配線Ｐ１の面積が正常な配線の面積より小さくなった、すなわち配線Ｐ１が細くなったか、あるいは断線していると考えられる。

しかしながら、上述したように、静電容量Ｃｐ１，Ｃｚ１は静電容量Ｃｚ２，Ｃｐ２より小さな値になり、積層配線層１０６の厚さ次第では、静電容量Ｃｐ１，Ｃｚ１は静電容量Ｃｚ２，Ｃｐ２に対して無視できるほど小さな値となる。そのため、第一部分Ｌ１１で線幅が細くなった場合であっても、配線容量Ｃｚの減少はばらつきの程度を超えず、従って配線容量Ｃｚは、配線下限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｌを下回らない可能性が高い。そこで、配線容量Ｃｚが配線下限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｌより小さい場合（ステップＳ３１でＹＥＳ）、第二判定部２４は、配線Ｐ１は断線不良又は第二部分Ｌ１２において線幅が細い不良であると判定する（ステップＳ３２）。

なお、ステップＳ３２における判定結果は、必ずしも不良箇所を第二部分Ｌ１２と特定する必要はなく、配線Ｐ１は線幅が細い不良又は断線不良であるという判定結果であってもよい。

次に、第二判定部２４は、配線容量Ｃｚと配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬとを比較する（ステップＳ３３）。そして、配線容量Ｃｚが配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬより大きい場合（ステップＳ３３でＹＥＳ）、第二判定部２４は、配線Ｐ１が第二部分Ｌ１２で線幅が細い不良であると判定する（ステップＳ３４）。

上述したように、線幅の不良が生じた場合であっても、正常な太さに対する線幅の差異は、通常わずかであり、不良時に配線容量Ｃｚとして現れる静電容量の変化量も、例えば１ｆＦ〜１０ｆＦ程度の微小な変化量となる。

それに対し、配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬを、線幅が細くなった場合に生じる程度の微小な静電容量を配線下限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｌから減算した値に適切に設定することにより、図１１のグラフＧ２に示すように、配線Ｐ１の全長の大部分の位置で、断線が生じた場合の配線容量Ｃｚは配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬを下回ることになる。従って、配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬを、線幅が細くなった場合に生じる程度の微小な静電容量を配線下限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｌから減算した値とすれば、配線容量Ｃｚが配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬより大きい場合（ステップＳ３３でＹＥＳ）、線幅が細くなっている不良が生じている可能性が高く、配線容量Ｃｚが配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬ以下の場合（ステップＳ３３でＮＯ）、断線が生じている可能性が高いと考えられる。

従って、第二判定部２４は、配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬに基づいて、線幅の細い不良と断線不良とを、ある程度高い確実性で判別することが可能となる。

特に、第二部分Ｌ１２の先端にパッドＰｄ１２が設けられている場合、パッドＰｄ１２は第二部分Ｌ１２より線幅が大きく、単位長さ当たりの静電容量が第二部分Ｌ１２よりも大きい。そのため、配線Ｐ１の終端部近傍、すなわち第二部分Ｌ１２とパッドＰｄ１２との接続部分で断線が生じた場合であっても、線間容量Ｃｘから比較的大きな静電容量Ｃｐ２が減少する。従って、配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬを、配線下限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｌから静電容量Ｃｐ２を減算した値とすれば、線幅の細い不良と断線不良とを判別することが容易となる。

なお、ステップＳ３４における判定結果は、必ずしも不良箇所を第二部分Ｌ１２と特定する必要はなく、配線Ｐ１は線幅が細い不良であるという判定結果であってもよい。

次に、第三判定部２６は、ステップＳ１０における第一判定部２２による判定結果と、ステップＳ３４における第二判定部２４の判定結果に基づいて、いずれの判定結果も配線Ｐ１は線幅が細い不良である点で共通していることから、配線Ｐ１は線幅が細い不良であると判定し（ステップＳ３５）、その判定結果を、線間容量Ｃｘと配線容量Ｃｚとに基づく判定結果として例えば表示部５（報知部）に表示させるなどしてユーザに報知し、処理を終了する。

第一判定部２２による判定結果は配線Ｐ１，Ｐ２のいずれの不良かを特定できず、第二判定部２４による判定結果は第一部分Ｌ１１での不良を検出困難であるために判定精度が低い。しかしながら、第三判定部２６は、第一判定部２２による判定結果と第二判定部２４の判定結果から、その共通点に基づき配線Ｐ１は線幅が細い不良であると判定するので、配線Ｐ１に線幅が細い不良が生じていることの判定精度を向上することができる。

一方、ステップＳ３３で配線容量Ｃｚが配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬ以下の場合（ステップＳ３３でＮＯ）、断線が生じていると考えられるが、断線については後述するステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ４０〜Ｓ４６で判断するので、第二判定部２４は、その処理を終了する。

ステップＳ３１において、配線容量Ｃｚが配線下限値Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｌ以上の場合（ステップＳ３１でＮＯ）、第二判定部２４は、配線Ｐ１は、断線不良ではなく、かつ第二部分Ｌ１２において線幅が細い不良ではないと判定する（ステップＳ３６）。

次に、第三判定部２６は、ステップＳ１０における第一判定部２２による判定結果と、ステップＳ３６における第二判定部２４の判定結果に基づいて、配線Ｐ１，Ｐ２のうち少なくとも一方は線幅が細い不良であって、かつ配線Ｐ１は第二部分Ｌ１２において線幅が細い不良ではないのであるから、配線Ｐ１が第一部分Ｌ１１で線幅の細い不良であるか、あるいは配線Ｐ２が線幅の細い不良であると判定する（ステップＳ３７）。そして、第三判定部２６は、その判定結果を、線間容量Ｃｘと配線容量Ｃｚに基づく判定結果として例えば表示部５（報知部）に表示させるなどしてユーザに報知し、処理を終了する。

一方、ステップＳ１１において、第一判定部２２によって、配線Ｐ１，Ｐ２のうち少なくとも一方で断線不良が生じていると判定された後、第一断線位置推定部２３は、線間容量Ｃｘと線間基準容量Ｃｘ_ｒｅｆとの比に基づき断線位置Ｐｏｓｘを推定する（ステップＳ１２）。

図１１は、配線Ｐが断線していた場合の断線位置と、その位置で断線していた場合に容量測定部３１によって測定される線間容量Ｃｘ及び配線容量Ｃｚとの関係を示すグラフである。グラフＧ１は線間容量Ｃｘと断線位置との関係を示し、グラフＧ２は配線容量Ｃｚと断線位置との関係を示している。

グラフＧ１，Ｇ２の横軸は配線Ｐの断線位置を、配線Ｐの一端部（始点）からの長さで示している。配線Ｐ１の例では、プローブＰｒが接触するパッドＰｄ１１の先端が「始点」となり、パッドＰｄ１２の先端が「終点」となり、第二部分Ｌ１２とパッドＰｄ１２との接続点の位置を「パッド」と表記している。グラフＧ１の縦軸は線間容量Ｃｘを示し、グラフＧ２の縦軸は配線容量Ｃｚを示している。

なお、グラフＧ２の始点近傍位置では、パッドＰｄ１１の静電容量Ｃｐ１の影響により、実際にはグラフが不連続になる領域があるが、説明を簡単にするためその記載を省略している。

線間容量Ｃｘは、互いに略平行な一対の配線Ｐ間で生じる静電容量である。第一部分Ｌ１１，Ｌ２１の線間容量をＣｘ１、第二部分Ｌ１２，Ｌ２２の線間容量をＣｘ２とし、貫通配線Ｌ１３，Ｌ２３の線間容量は微小であるため無視すると、線間容量Ｃｘは、略、Ｃｘ１＋Ｃｘ２となる。そして、第一部分Ｌ１１，Ｌ２１の間隔と、第二部分Ｌ１２，Ｌ２２の間隔とは略等しい。そのため、線間容量Ｃｘは、断線位置が始点から離れるにつれて、略直線的に増加する。従って、断線がない場合の線間基準容量Ｃｘ_ｒｅｆと、容量測定部３１によって測定された線間容量Ｃｘとの比に基づいて、配線Ｐの断線位置を推定することができる。

具体的には、第一断線位置推定部２３は、配線Ｐ１，Ｐ２の全長をＬａとし、断線位置Ｐｏｓｘを始点からの長さで表した場合、断線位置Ｐｏｓｘを下記の式（２）に基づき算出することができる。
断線位置Ｐｏｓｘ＝Ｌａ×Ｃｘ／Ｃｘ_ｒｅｆ ・・・（２）

なお、第一断線位置推定部２３は、線間基準容量Ｃｘ_ｒｅｆと、線間容量Ｃｘとの比に基づいて配線Ｐの断線位置Ｐｏｓｘを推定する例に限らない。例えば、グラフＧ１に示す断線位置と線間容量Ｃｘとの対応関係を示すルックアップテーブルを予め記憶部２７に記憶しておき、第一断線位置推定部２３は、そのルックアップテーブルを参照することによって、断線位置Ｐｏｓｘを推定するようにしてもよい。

第一断線位置推定部２３は、上述のようにして推定された断線位置Ｐｏｓｘを、例えば表示部５に表示させるなどしてユーザに報知し、ステップＳ４０へ移行する。

ステップＳ１１では、配線Ｐ１，Ｐ２のどちらで断線しているのかを判別することができない。そこで、ステップＳ４０以降、配線容量Ｃｚに基づく検査を実行する。

ステップＳ４０において、検査制御部２１は、ステップＳ２１と同様にスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ３をオン、スイッチング素子ＳＷ２をオフし、容量測定部３１によって配線Ｐ１とキャリア１０１との間の配線容量Ｃｚを測定させる（ステップＳ４０）。

次に、第二判定部２４は、配線容量Ｃｚと配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬとを比較する（ステップＳ４１）。そして、配線容量Ｃｚが配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬ以下の場合（ステップＳ４１でＹＥＳ）、第二判定部２４は、配線Ｐ１は断線不良であると判定し（ステップＳ４２）、その判定結果を、配線容量Ｃｚに基づく判定結果として例えば表示部５に表示させるなどしてユーザに報知する。

次に、第二断線位置推定部２５は、配線容量Ｃｚと断線容量情報とに基づき断線位置Ｐｏｓｚを推定し（ステップＳ４３）、その推定結果を、配線容量Ｃｚに基づく断線位置推定結果として例えば表示部５に表示させるなどしてユーザに報知する。

上述したように、静電容量Ｃｐ１，Ｃｚ１は静電容量Ｃｚ２，Ｃｐ２より小さな値になる。そのため、配線容量Ｃｚと配線Ｐの断線位置との関係は、グラフＧ１の線間容量Ｃｘとは異なり、直線的な関係にはならない。

図１１のグラフＧ２に示すように、配線Ｐが第一部分で断線した場合には、その断線位置に対する配線容量Ｃｚの変化はわずかであり、配線容量Ｃｚに基づき断線位置を推定することは困難あるいは位置精度が低くなる。一方、配線Ｐが第二部分で断線した場合には、その断線位置に対する配線容量Ｃｚの変化は第一部分に比べて大きくなり、配線容量Ｃｚに基づき断線位置を推定することが比較的容易であり、位置精度も高くなる。

しかしながら、グラフＧ２に示すように、配線容量Ｃｚと配線Ｐの断線位置との関係は、グラフＧ１の線間容量Ｃｘとは異なり、直線的な関係にはならない。そこで、例えば、グラフＧ２に示す断線位置と配線容量Ｃｚとの対応関係を示すルックアップテーブルを、予め断線容量情報として記憶部２７に記憶しておき、第二断線位置推定部２５は、そのルックアップテーブルを参照することによって、断線位置Ｐｏｓｚを推定する。

なお、第二断線位置推定部２５は、必ずしも断線容量情報に基づき断線位置Ｐｏｓｚを推定する例に限らない。例えば、積層配線層１０６が非常に薄い場合等、配線容量Ｃｚと配線Ｐの断線位置との関係が直線的に近い関係となる場合には、第二断線位置推定部２５は、第一断線位置推定部２３と同様、配線容量Ｃｚと配線基準容量Ｃｚ_ｒｅｆとの比に基づき断線位置Ｐｏｓｚを推定してもよい。

次に、第三判定部２６は、ステップＳ１１における第一判定部２２による判定結果と、ステップＳ４２における第二判定部２４の判定結果とに基づいて、いずれの判定結果も配線Ｐ１が断線不良である点で共通していることから、配線Ｐ１は断線不良であると判定し（ステップＳ４４）、その判定結果を、線間容量Ｃｘと配線容量Ｃｚとに基づく判定結果として例えば表示部５（報知部）に表示させるなどしてユーザに報知し、処理を終了する。

第一判定部２２による判定結果は配線Ｐ１，Ｐ２のいずれの不良かを特定できず、第二判定部２４による判定結果は第一部分Ｌ１１での不良を検出困難であるために判定精度が低い。しかしながら、第三判定部２６は、第一判定部２２による判定結果と第二判定部２４の判定結果から、その共通点に基づき配線Ｐ１は断線不良であると判定するので、配線Ｐ１に断線不良が生じていることの判定精度を向上することができる。

一方、ステップＳ４１で、配線容量Ｃｚが配線判別値Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬを超える場合（ステップＳ４１でＮＯ）、第二判定部２４は、配線Ｐ１は断線不良ではないと判定する（ステップＳ４５）。

次に、ステップＳ１１における第一判定部２２による判定結果では配線Ｐ１，Ｐ２の少なくとも一方が断線不良とされ、ステップＳ４５における第二判定部２４の判定結果では、配線Ｐ１は断線不良ではないとされているので、第三判定部２６は、この二つの判定結果に基づいて、配線Ｐ２が断線不良であると判定する（ステップＳ４６）。そして、第三判定部２６は、その判定結果を、線間容量Ｃｘと配線容量Ｃｚに基づく判定結果として例えば表示部５（報知部）に表示させるなどしてユーザに報知し、処理を終了する。

なお、基板検査装置１は、上記処理の終了後、ステップＳ２に処理を移行し、まだ検査されていない配線Ｐを新たな配線Ｐ１，Ｐ２として順次選択し、以降の処理を繰り返すことによって、基板１００のすべての配線Ｐの検査を実行するようにしてもよい。

以上、ステップＳ１〜Ｓ４６によれば、配線Ｐの線幅が太い不良、線幅が細い不良、断線、及び断線位置を判定することが可能となる。さらに、背景技術と比べて配線パターンの位置による検査精度の変化を低減することができる。

なお、第二断線位置推定部２５を備えず、ステップＳ４３は実行しなくてもよい。しかしながら、ステップＳ１２における線間容量Ｃｘに基づく断線位置Ｐｏｓｘの推定結果と、ステップＳ４３における配線容量Ｃｚに基づく断線位置Ｐｏｓｚの推定結果とが得られることによって、ユーザがより適格に配線Ｐの断線位置を把握することが可能になる。

また、第一断線位置推定部２３を備えず、ステップＳ１２は実行しなくてもよい。しかしながら、ステップＳ１２において断線位置Ｐｏｓｘを推定することにより、その断線位置Ｐｏｓｘの情報を基板１００の製造工程にフィートバックするなどして基板１００の品質向上に役立てることが可能となる。

また、第三判定部２６を備えず、ステップＳ２４，Ｓ２６，Ｓ３５，Ｓ３７，Ｓ４４，Ｓ４６を実行しない構成としてもよい。しかしながら、第三判定部２６を備え、ステップＳ２４，Ｓ２６，Ｓ３５，Ｓ３７，Ｓ４４，Ｓ４６を実行することにより、不良箇所に関するより詳細な情報が得られる結果、ユーザの利便性が向上する。

また、第二判定部２４はステップＳ３３，Ｓ３４を実行せず、第三判定部２６は、ステップＳ１０における第一判定部２２による判定結果と、ステップＳ３２における第二判定部２４の判定結果に基づいて、いずれの判定結果も配線Ｐ１は線幅が細い不良である点で共通していることから、配線Ｐ１は線幅が細い不良であると判定（ステップＳ３５）してもよい。

また、ステップＳ２１〜Ｓ２６を実行しなくてもよく、ステップＳ３０〜Ｓ３７を実行しなくてもよく、ステップＳ４０〜Ｓ４６を実行しなくてもよい。これらの処理のいずれか又はすべてを実行しない場合であっても、ステップＳ１〜Ｓ１２によれば、配線Ｐ１，Ｐ２の少なくとも一方の、線幅が太い不良、線幅が細い不良、及び断線を判定することができる。

また、第一判定部２２は、ステップＳ９〜Ｓ１１を実行しなくてもよい。ステップＳ９〜Ｓ１１を実行しなくても、ステップＳ４〜Ｓ８によれば、配線Ｐ１，Ｐ２の少なくとも一方が不良であることが判る。

また、必ずしも複数のプローブＰｒの中から第一、第二、第三プローブを選択する例に限らない。第一、第二、第三プローブは、例えば移動式の、いわゆるフライングプローブであってもよい。

上記実施形態では、線幅が太い配線、及び線幅が細い配線を不良と判定したが、この限りでない。線幅が太い配線は必ずしも不良ではなく、線幅が細い配線は必ずしも不良ではない。よって、配線の不良を判定することなく、単に、配線の線幅が太い或いは細いと判定してもよい。

１，１ａ，１ｂ 基板検査装置
２ 制御部
３，３Ｕ，３Ｌ 検査部
４，４Ｕ，４Ｌ 検査治具
５ 表示部
９ 電極板
１１ 筐体
１２ 基板固定装置
１５ 検査部移動機構
１６ 導体板
１７ 絶縁板
２１ 検査制御部
２２ 第一判定部
２３ 第一断線位置推定部
２４ 第二判定部
２５ 第二断線位置推定部
２６ 第三判定部
２７ 記憶部
３１ 容量測定部
３２ 交流電圧源
３３ 電流検出部
３４ スキャナ部
１００，１００ａ 基板
１０１ キャリア（導体板）
１０２ プリプレグ（絶縁層）
１０３ 銅箔
１０４ プリプレグ
１０５ 配線層
１０６ 積層配線層（基板）
Ｃ，Ｃｐ１，Ｃｚ１，Ｃｚ２，Ｃｐ２ 静電容量
Ｃｘ，Ｃｘ１，Ｃｘ２ 線間容量
Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｌ 線間下限値
Ｃｘ_ｌｉｍ_ＬＬ 線間判別値
Ｃｘ_ｌｉｍ_Ｕ 線間上限値
Ｃｘ_ｒｅｆ 線間基準容量
Ｃｚ 配線容量
Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｌ 配線下限値
Ｃｚ_ｌｉｍ_ＬＬ 配線判別値
Ｃｚ_ｌｉｍ_Ｕ 配線上限値
Ｃｚ_ｒｅｆ 配線基準容量
Ｃｐ１，Ｃｚ１，Ｃｚ２，Ｃｐ２ 静電容量
ｆ 周波数
Ｉ，Ｉｘ，Ｉｚ 電流
Ｋ１〜Ｋ６ 工程
Ｌ１１，Ｌ２１ 第一部分
Ｌ１２，Ｌ２２ 第二部分
Ｌ１３，Ｌ２３ 貫通配線
Ｐ 配線
Ｐ１ 配線（第一配線）
Ｐ２ 配線（第二配線）
Ｐｄ１１，Ｐｄ２１，Ｐｄ１２，Ｐｄ２２ パッド
Ｐｏｓｘ，Ｐｏｓｚ 断線位置
Ｐｒ プローブ
ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３ スイッチング素子
Ｔ１，Ｔ２ 端子
Ｖ 電圧

Claims (18)

1. 互いに隣接して対向する第一配線と第二配線とが形成された基板を検査する基板検査装置であって、
   前記第一配線の一端部に接触するための第一プローブと、
   前記第二配線の一端部に接触するための第二プローブと、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブを介して前記第一配線と前記第二配線との間の静電容量を線間容量として測定する容量測定部と、
   前記線間容量に基づいて前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の状態を判定する第一判定部とを備え、
   前記第一判定部は、前記線間容量が予め設定された範囲の上限値である線間上限値より大きいとき、前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の線幅が太いと判定する基板検査装置。
2. 前記第一判定部は、前記線間容量が予め設定された範囲の下限値である線間下限値より小さいとき、前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の、線幅が細いかあるいは断線不良であると判定する請求項１に記載の基板検査装置。
3. 互いに隣接して対向する第一配線と第二配線とが形成された基板を検査する基板検査装置であって、
   前記第一配線の一端部に接触するための第一プローブと、
   前記第二配線の一端部に接触するための第二プローブと、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブを介して前記第一配線と前記第二配線との間の静電容量を線間容量として測定する容量測定部と、
   前記線間容量に基づいて前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の状態を判定する第一判定部とを備え、
   前記第一判定部は、
   前記線間容量が予め設定された範囲の下限値である線間下限値より小さく、かつ前記線間下限値よりも小さい値に予め設定された線間判別値よりも大きいとき、前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の線幅が細いと判定し、
   前記線間容量が、前記線間判別値よりも小さいとき、前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線が断線不良であると判定する基板検査装置。
4. 前記線間容量に基づき断線の位置を推定する第一断線位置推定部をさらに備える請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板検査装置。
5. 前記第一断線位置推定部は、前記線間容量と予め設定された線間基準容量との比に基づき断線の位置を推定する請求項４に記載の基板検査装置。
6. 互いに隣接して対向する第一配線と第二配線とが形成された基板を検査する基板検査装置であって、
   前記第一配線の一端部に接触するための第一プローブと、
   前記第二配線の一端部に接触するための第二プローブと、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブを介して前記第一配線と前記第二配線との間の静電容量を線間容量として測定する容量測定部と、
   前記線間容量に基づいて前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の状態を判定する第一判定部とを備え、
   前記容量測定部は、さらに、前記基板の一方の面を覆うように対向配置された導体板と、前記第一配線との間の静電容量を配線容量として測定し、
   前記基板検査装置は、前記配線容量に基づいて前記第一配線の状態を判定する第二判定部をさらに備え、
   前記第二判定部は、前記配線容量が予め設定された範囲の上限値である配線上限値より大きいとき、前記第一配線の線幅が太いと判定する基板検査装置。
7. 前記第二判定部は、前記配線容量が予め設定された範囲の下限値である配線下限値より小さいとき、前記第一配線の、線幅が細いかあるいは断線不良であると判定する請求項６に記載の基板検査装置。
8. 互いに隣接して対向する第一配線と第二配線とが形成された基板を検査する基板検査装置であって、
   前記第一配線の一端部に接触するための第一プローブと、
   前記第二配線の一端部に接触するための第二プローブと、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブを介して前記第一配線と前記第二配線との間の静電容量を線間容量として測定する容量測定部と、
   前記線間容量に基づいて前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の状態を判定する第一判定部とを備え、
   前記容量測定部は、さらに、前記基板の一方の面を覆うように対向配置された導体板と、前記第一配線との間の静電容量を配線容量として測定し、
   前記基板検査装置は、前記配線容量に基づいて前記第一配線の状態を判定する第二判定部をさらに備え、
   前記第二判定部は、
   前記配線容量が予め設定された範囲の下限値である配線下限値より小さく、かつ前記配線下限値よりも小さい値に予め設定された配線判別値よりも大きいとき、前記第一配線の線幅が細いと判定し、
   前記配線容量が前記配線判別値よりも小さいとき、前記第一配線が断線不良であると判定する基板検査装置。
9. 互いに隣接して対向する第一配線と第二配線とが形成された基板を検査する基板検査装置であって、
   前記第一配線の一端部に接触するための第一プローブと、
   前記第二配線の一端部に接触するための第二プローブと、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブを介して前記第一配線と前記第二配線との間の静電容量を線間容量として測定する容量測定部と、
   前記線間容量に基づいて前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の状態を判定する第一判定部とを備え、
   前記容量測定部は、さらに、前記基板の一方の面を覆うように対向配置された導体板と、前記第一配線との間の静電容量を配線容量として測定し、
   前記基板検査装置は、
   前記配線容量に基づいて前記第一配線の状態を判定する第二判定部と、
   前記第一判定部による判定結果と、前記第二判定部による判定結果とに基づいて、前記第一判定部によって判定された状態が生じている配線を判定する第三判定部とをさらに備える基板検査装置。
10. 互いに隣接して対向する第一配線と第二配線とが形成された基板を検査する基板検査装置であって、
    前記第一配線の一端部に接触するための第一プローブと、
    前記第二配線の一端部に接触するための第二プローブと、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブを介して前記第一配線と前記第二配線との間の静電容量を線間容量として測定する容量測定部と、
    前記線間容量に基づいて前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の状態を判定する第一判定部とを備え、
    前記容量測定部は、さらに、前記基板の一方の面を覆うように対向配置された導体板と、前記第一配線との間の静電容量を配線容量として測定し、
    前記基板検査装置は、
    前記配線容量に基づいて前記第一配線の状態を判定する第二判定部と、
    前記配線容量に基づき断線の位置を推定する第二断線位置推定部と、
    前記第一配線の断線位置と、当該断線位置に対応する前記配線容量とを対応付ける断線容量情報を予め記憶する記憶部とをさらに備え、
    前記第二断線位置推定部は、前記配線容量と前記断線容量情報とに基づき断線の位置を推定する基板検査装置。
11. 互いに隣接して対向する第一配線と第二配線とが形成された基板を検査する基板検査装置であって、
    前記第一配線の一端部に接触するための第一プローブと、
    前記第二配線の一端部に接触するための第二プローブと、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブを介して前記第一配線と前記第二配線との間の静電容量を線間容量として測定する容量測定部と、
    前記線間容量に基づいて前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の状態を判定する第一判定部とを備え、
    前記容量測定部は、さらに、前記基板の一方の面を覆うように対向配置された導体板と、前記第一配線との間の静電容量を配線容量として測定し、
    前記基板検査装置は、
    前記配線容量に基づいて前記第一配線の状態を判定する第二判定部と、
    前記導体板に接触するための第三プローブとをさらに備え、
    前記導体板は、前記基板の他方の面に絶縁層を介して付着されている基板検査装置。
12. 互いに隣接して対向する第一配線と第二配線とが形成された基板を検査する基板検査方法であって、
    （ａ）前記第一配線の一端部に第一プローブを接触させる工程と、
    （ｂ）前記第二配線の一端部に第二プローブを接触させる工程と、
    （ｃ）前記第一プローブ及び前記第二プローブを介して前記第一配線と前記第二配線との間の静電容量を線間容量として測定する工程と、
    （ｄ）前記線間容量に基づいて前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の状態を判定する工程とを含み、
    前記（ｄ）工程は、前記線間容量が予め設定された範囲の上限値である線間上限値より大きいとき、前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の線幅が太いと判定する基板検査方法。
13. 互いに隣接して対向する第一配線と第二配線とが形成された基板を検査する基板検査方法であって、
    （ａ）前記第一配線の一端部に第一プローブを接触させる工程と、
    （ｂ）前記第二配線の一端部に第二プローブを接触させる工程と、
    （ｃ）前記第一プローブ及び前記第二プローブを介して前記第一配線と前記第二配線との間の静電容量を線間容量として測定する工程と、
    （ｄ）前記線間容量に基づいて前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の状態を判定する工程とを含み、
    前記（ｄ）工程は、
    前記線間容量が予め設定された範囲の下限値である線間下限値より小さく、かつ前記線間下限値よりも小さい値に予め設定された線間判別値よりも大きいとき、前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の線幅が細いと判定し、
    前記線間容量が、前記線間判別値よりも小さいとき、前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線が断線不良であると判定する基板検査方法。
14. 互いに隣接して対向する第一配線と第二配線とが形成された基板を検査する基板検査方法であって、
    （ａ）前記第一配線の一端部に第一プローブを接触させる工程と、
    （ｂ）前記第二配線の一端部に第二プローブを接触させる工程と、
    （ｃ）前記第一プローブ及び前記第二プローブを介して前記第一配線と前記第二配線との間の静電容量を線間容量として測定する工程と、
    （ｄ）前記線間容量に基づいて前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の状態を判定する工程と、
    （ｅ）前記基板の一方の面を覆うように対向配置された導体板と、前記第一配線との間の静電容量を配線容量として測定する工程と、
    （ｆ）前記配線容量に基づいて前記第一配線の状態を判定する工程とを含み、
    前記（ｆ）工程は、前記配線容量が予め設定された範囲の上限値である配線上限値より大きいとき、前記第一配線の線幅が太いと判定する基板検査方法。
15. 互いに隣接して対向する第一配線と第二配線とが形成された基板を検査する基板検査方法であって、
    （ａ）前記第一配線の一端部に第一プローブを接触させる工程と、
    （ｂ）前記第二配線の一端部に第二プローブを接触させる工程と、
    （ｃ）前記第一プローブ及び前記第二プローブを介して前記第一配線と前記第二配線との間の静電容量を線間容量として測定する工程と、
    （ｄ）前記線間容量に基づいて前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の状態を判定する工程と、
    （ｅ）前記基板の一方の面を覆うように対向配置された導体板と、前記第一配線との間の静電容量を配線容量として測定する工程と、
    （ｆ）前記配線容量に基づいて前記第一配線の状態を判定する工程とを含み、
    前記（ｆ）工程は、
    前記配線容量が予め設定された範囲の下限値である配線下限値より小さく、かつ前記配線下限値よりも小さい値に予め設定された配線判別値よりも大きいとき、前記第一配線の線幅が細いと判定し、
    前記配線容量が前記配線判別値よりも小さいとき、前記第一配線が断線不良であると判定する基板検査方法。
16. 互いに隣接して対向する第一配線と第二配線とが形成された基板を検査する基板検査方法であって、
    （ａ）前記第一配線の一端部に第一プローブを接触させる工程と、
    （ｂ）前記第二配線の一端部に第二プローブを接触させる工程と、
    （ｃ）前記第一プローブ及び前記第二プローブを介して前記第一配線と前記第二配線との間の静電容量を線間容量として測定する工程と、
    （ｄ）前記線間容量に基づいて前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の状態を判定する工程と、
    （ｅ）前記基板の一方の面を覆うように対向配置された導体板と、前記第一配線との間の静電容量を配線容量として測定する工程と、
    （ｆ）前記配線容量に基づいて前記第一配線の状態を判定する工程と、
    （ｇ）前記（ｄ）工程による判定結果と、前記（ｆ）工程による判定結果とに基づいて、前記（ｄ）工程によって判定された状態が生じている配線を判定する工程とを含む基板検査方法。
17. 互いに隣接して対向する第一配線と第二配線とが形成された基板を検査する基板検査方法であって、
    （ａ）前記第一配線の一端部に第一プローブを接触させる工程と、
    （ｂ）前記第二配線の一端部に第二プローブを接触させる工程と、
    （ｃ）前記第一プローブ及び前記第二プローブを介して前記第一配線と前記第二配線との間の静電容量を線間容量として測定する工程と、
    （ｄ）前記線間容量に基づいて前記第一配線と前記第二配線とのうち少なくとも一方の配線の状態を判定する工程と、
    （ｅ）前記基板の一方の面を覆うように対向配置された導体板と、前記第一配線との間の静電容量を配線容量として測定する工程と、
    （ｆ）前記配線容量に基づいて前記第一配線の状態を判定する工程と、
    （ｈ）前記配線容量に基づき断線の位置を推定する工程と、
    （ｉ）前記第一配線の断線位置と、当該断線位置に対応する前記配線容量とを対応付ける断線容量情報を予め記憶する工程とを含み、
    前記（ｈ）工程は、前記配線容量と前記断線容量情報とに基づき断線の位置を推定する基板検査方法。
18. （１）前記導体板をキャリアとして用い、前記導体板と、絶縁層と、前記第一配線と前記第二配線とをこの順に積層して基板を形成する工程と、
    （２）前記基板から前記導体板を除去する工程とをさらに含み、
    前記工程（１）の実行後であって、かつ前記工程（２）の実行前に前記工程（ｅ）を実行する請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の基板検査方法。

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