JP4410033B2 - 静電容量測定方法、回路基板検査方法、静電容量測定装置および回路基板検査装置 - Google Patents

Description

本発明は、回路基板に形成された一対の導体パターン間の静電容量を測定する静電容量測定方法および静電容量測定装置、その測定した静電容量に基づいて導体パターンの良否を検査する回路基板検査方法および回路基板検査装置に関するものである。

この種の回路基板検査装置として、出願人は、検査対象の回路基板に形成された一対の導体パターンに一対の検査用プローブをそれぞれ接触させて両導体パターン間の静電容量を測定する回路基板検査装置を特開２００２−１４１３４号公報に開示している。この回路基板検査装置は、表面に絶縁フィルムが貼付された平板状の基準電極を有する電極部と、接触型の一対の検査用プローブと、両検査用プローブ間の静電容量を測定する測定部とを備えている。この場合、測定部は、両検査用プローブ間に検査用交流信号を供給すると共に両検査用プローブ間を流れる検査用交流電流の電流値および電流位相を測定して、供給した検査用交流電圧の電圧値と、測定した電流値と、供給した検査用交流信号の電圧位相および測定した電流位相間の位相差とに基づいて、両導体パターン間の静電容量を測定する。電極部は、回路基板が載置されて、各種の検査（導体パターンおよび基準電極間の静電容量測定など）の際に検査用交流信号を供給する基準電極としても機能する。

この回路基板検査装置では、同公報中の図４（ａ）に示すように、検査対象の回路基板が電極部上に載置された状態において、回路基板上の例えば隣接する一対の導体パターンの各端点に一対の検査用プローブがそれぞれ接触させられる。次いで、測定部が、両検査用プローブ間の静電容量を測定する。この際に、両導体パターン間の静電容量Ｃａ（同公報中における値Ｃ１）と、一方の導体パターンおよび基準電極間の間の静電容量Ｃｂ（同公報中における値Ｃ２）と、他方の導体パターンおよび基準電極の間の静電容量Ｃｃ（同公報中における値Ｃ３）とを合成した静電容量（Ｃａ＋Ｃｂ・Ｃｃ／（Ｃｂ＋Ｃｃ））が測定される。

一方、図４に示す回路基板Ｐでは、一対の導体パターン２１，２２がその表面に形成されると共に、ある程度の広い面積を有する例えば電源パターンやグランドパターンなどの導体パターン２３が両導体パターン２１，２２と厚み方向において重なり合うようにして内層に形成されている。このような回路基板Ｐについて、同公報に開示された回路基板検査装置を用いて、導体パターン２１，２２にそれぞれ検査用プローブを接触させて両導体パターン２１，２２間の静電容量を測定したときには、導体パターン２１，２２間の静電容量Ｃ１と、導体パターン２１および導体パターン２３間の静電容量Ｃ２と、導体パターン２２および導体パターン２３間の静電容量Ｃ３とを合成した静電容量（Ｃ１＋Ｃ２・Ｃ３／（Ｃ２＋Ｃ３））が測定される。この場合、静電容量Ｃ１のみの測定を目的とするときには、静電容量Ｃ２，Ｃ３の影響による静電容量の測定誤差（Ｃ２・Ｃ３／（Ｃ２＋Ｃ３））が発生する。

この静電容量による測定誤差を発生させることなく静電容量Ｃ１のみを高い精度で測定可能な装置として、出願人は、図５に示す回路基板検査装置１０１を開発している。この回路基板検査装置１０１は、表面に絶縁フィルム２ａが貼付された平板状の基準電極２ｂを有する電極部２と、接触型の検査用プローブ４，５と、静電容量を測定する測定部６とを備えている。この場合、測定部６は、検査用交流信号を供給する交流信号源１１と、検査用プローブ５を流れる交流電流の電流値および電流位相を測定する電流測定器１２と、静電容量を演算する演算部１３と、交流信号源１１および電流測定器１２の接続部位を導体パターン２３に接続する検査用プローブ１０２とを備えている。交流信号源１１は、検査用プローブ４，５間に検査用交流信号を供給する。演算部１３は、検査用交流信号の電圧値、測定した電流値、並びに検査用交流信号の電圧位相および測定した電流位相の位相差に基づいて静電容量を演算する。

この回路基板検査装置１０１では、図５に示すように、図外の検査用プローブ移動機構が検査用プローブ４，５，１０２を導体パターン２１，２２，２３にそれぞれ接触させ、その状態において、交流信号源１１が検査用交流信号を供給する。この場合、回路基板検査装置１０１の測定系は、図６に示す等価回路で表される。この等価回路に表されるように、検査用プローブ４および検査用プローブ５にそれぞれハイレベル電圧およびローレベル電圧が印加されているときには、交流信号源１１の一方の出力部から導体パターン２１，２２間の容量（静電容量Ｃ１）および電流測定器１２を介して他方の出力部に電流Ｉ１が流れ、交流信号源１１の一方の出力部から導体パターン２１，２３間の容量（静電容量Ｃ２）および検査用プローブ１０２を介して他方の出力部に電流Ｉ２が流れる。この際に、電流Ｉ２が電流測定器１２を流れないため、電流測定器１２は、静電容量Ｃ２（電流Ｉ２）の存在に影響されることなく、導体パターン２１，２２間の容量（静電容量Ｃ１）を介して流れる電流にのみ基づく測定値を測定する。したがって、演算部１３は、導体パターン２１，２２間の静電容量Ｃ１を高い精度で演算する。
特開２００２−１４１３４号公報（第３−４頁、図４）

ところが、上記した回路基板検査装置１０１には、以下の改善すべき課題がある。すなわち、この回路基板検査装置１０１では、導体パターン２１，２２間の静電容量を高い精度で測定するために、測定に用いる検査用プローブ４，５とは別個に、検査用プローブ１０２を必要とする。したがって、この回路基板検査装置には、２本の検査用プローブで検査している回路基板検査装置と比較して、装置の製造コストが高騰しているため、製造コストを低減すべきとの改善すべき課題がある。また、３本の検査用プローブ４，５，１０２を移動させて導体パターン２１〜２３に接触させるため、２本の検査用プローブを移動させて導体パターン２１，２２に接触させる構成と比較して、検査用プローブの移動時間に起因して測定時間が長引くため、これを改善するのが好ましい。

本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、測定時間を短縮すると共に測定用装置のコストを低減しつつ高精度で静電容量を測定し得る静電容量測定方法および静電容量測定装置を提供することを主目的とする。また、正確な基板検査を行いつつ検査用装置のコストを低減し、しかも検査時間を短縮し得る回路基板検査方法および回路基板検査装置を提供することを他の主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の静電容量測定方法は、第１および第２の導体パターンと当該両導体パターンに対して厚み方向において重なり合う位置に形成された第３の導体パターンとを有する回路基板の当該第１および第２の導体パターンの間の静電容量を測定する静電容量測定方法であって、一方および他方の出力部から第１および第２のプローブに交流信号を出力する交流信号源の当該他方の出力部と電流パラメータを測定する電流パラメータ測定部との接続点に接続されると共にその表面に絶縁層を備えた基準電極に前記回路基板を載置し、かつ前記電流パラメータ測定部を前記第２のプローブおよび前記他方の出力部の間に配置した状態において、当該第１および第２の導体パターン間に当該両プローブを介して当該交流信号を供給し、前記第１のプローブおよび前記基準電極の間を流れる前記交流信号の電流パラメータを含めずに前記第２のプローブおよび前記他方の出力部の間を流れる前記交流信号の電流パラメータを測定し、前記交流信号の電圧パラメータおよび前記測定した電流パラメータに基づいて前記静電容量を測定する。

また、請求項２記載の回路基板検査方法は、前記第１および第２の導体パターンに前記交流信号を供給可能な位置に前記両プローブを移動して、請求項１記載の静電容量測定方法に従って前記静電容量を測定し、当該測定した静電容量と基準値とを比較して前記第１および第２の導体パターンの良否を検査する。

また、請求項３記載の静電容量測定装置は、第１および第２の導体パターンと当該両導体パターンに対して厚み方向において重なり合う位置に形成された第３の導体パターンとを有する回路基板の当該第１および第２の導体パターンの間の静電容量を測定する静電容量測定装置であって、一方および他方の出力部から第１および第２のプローブに交流信号を出力する交流信号源と、その表面に絶縁層を備えた基準電極と、前記第２のプローブおよび前記他方の出力部の間に配置されて、前記基準電極に載置した前記回路基板の前記第１および第２の導体パターン間に前記両プローブを介して前記交流信号を供給した状態において、前記第１のプローブおよび当該基準電極の間を流れる前記交流信号の電流パラメータを含めずに当該第２のプローブおよび前記他方の出力部の間を流れる前記交流信号の電流パラメータを測定する電流パラメータ測定部と、前記交流信号の電圧パラメータおよび前記測定した電流パラメータに基づいて前記静電容量を演算する演算部とを備え、前記基準電極は、前記他方の出力部と前記電流パラメータ測定部との接続点に接続されている。

また、請求項４記載の回路基板検査装置は、請求項３記載の静電容量測定装置と、前記第１および第２の導体パターンに前記交流信号を供給可能な位置に前記両プローブを移動させる移動機構と、前記静電容量測定装置によって測定された前記静電容量と基準値とを比較して前記第１および第２の導体パターンの良否を検査する検査部とを備えている。

請求項１記載の静電容量測定方法および請求項３記載の静電容量測定装置によれば、交流信号源の他方の出力部と基準電極とを接続して交流電流の電流経路を形成したことにより、基準電極に入力した交流電流が電流パラメータ測定部に入力することなく交流信号源に戻るため、第３の導体パターンに起因して電流パラメータ測定部を流れる交流電流を極めて僅かな電流値に抑えることができる結果、測定誤差を殆ど生じさせることなく第１および第２の導体パターン間の静電容量を高い精度で測定することができる。また、３本のプローブを用いる測定と比較して、２本のプローブを用いて測定できるため、静電容量測定装置の製造コストを十分に低減することができる結果、測定のコストを十分に低減することができる。

また、請求項２記載の回路基板検査方法および請求項４記載の回路基板検査装置によれば、上記の静電容量測定方法に従って静電容量を測定し、測定した静電容量と基準値とを比較して第１および第２の導体パターンの良否を検査することにより、高い精度で測定した静電容量で検査を実施するため、正確に基板検査を行うことができる。また、３本のプローブを用いる測定と比較して、２本のプローブを備えた簡易な構成の安価な装置を用いることができる結果、検査コストを十分に低減することができる。また、３本のプローブを移動させる測定と比較して、移動させるプローブの数が少ないため、移動時間を十分に短縮することができる結果、検査時間を十分に短縮することができる。

以下、本発明に係る静電容量測定方法、回路基板検査方法、静電容量測定装置および回路基板検査装置の最良の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、回路基板検査装置１の構成について、図１を参照して説明する。なお、回路基板検査装置１０１の構成要素と同一の機能を有するものについては、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

図１に示すように、回路基板検査装置１は、電極部２、移動機構３ａ，３ｂ、検査用プローブ４（本発明における第１のプローブ）、検査用プローブ５（本発明における第２のプローブ）、測定部６、制御部７、ＲＡＭ８およびＲＯＭ９を備えて構成されている。この場合、電極部２は、表面に絶縁フィルム２ａ（本発明における絶縁層）が貼付された平板状の基準電極２ｂを備えて、検査対象の回路基板Ｐを載置可能に構成されている。また、基準電極２ｂは、測定部６の交流信号源１１における電流測定器１２に接続される側の出力部（本発明における他方の出力部に相当する）に接続されると共にグランド電位に接地されている。移動機構３ａ，３ｂは、プローブ固定具４ａ，５ａを介して検査用プローブ４，５が取り付けられた状態で電極部２の上方に配設されている。測定部６は、予め規定された電圧値の検査用交流信号（本発明における交流信号）を供給する交流信号源１１と、検査用プローブ５を流れる交流電流の電流値および電流位相（本発明における電流パラメータ）を測定する電流測定器１２（本発明における電流パラメータ測定部）と、演算部１３とを備えている。この場合、演算部１３は、検査用交流信号の電圧値、測定した電流値、並びに検査用交流信号の電圧位相および測定した電流位相の位相差に基づいて、つまり電圧パラメータ（検査用交流信号の電圧値および電圧位相）と電流パラメータ（検査用交流信号の電流値および電流位相）に基づいて静電容量を演算する。なお、検査用交流信号の電圧位相と電流位相との位相差については、電流測定器１２がその位相差を直接測定してもよいし、演算部が交流信号源１１から出力される検査用交流信号の電圧位相に対して電流測定器１２によって測定された電流位相の位相差を算出してもよい。制御部７は、測定部６によって測定された静電容量などの測定値に基づく回路基板Ｐに対する検査処理や、移動機構３ａ，３ｂに対する駆動制御などを実行する。ＲＡＭ８は、良品回路基板から予め吸収した検査用基準データ（本発明における基準値）、および制御部７の演算結果などを一時的に記憶する。ＲＯＭ９は、制御部７の動作プログラムを記憶する。なお、電極部２、検査用プローブ４，５および測定部６が本発明に係る静電容量測定装置に相当する。

一方、図２に示すように、検査対象の回路基板Ｐには、導体パターン２１〜２３を初めとする数多くの導体パターンが形成されている。この場合、導体パターン２３（本発明における第３の導体パターン）は、例えば電源パターンやグランドパターンなどの広い面積を有するパターンであって、回路基板Ｐの表面（回路基板Ｐにおける一面の一例）に形成された導体パターン２１，２２（本発明における第１および第２の導体パターン）に対向するようにして内層に形成されている。この回路基板Ｐでは、電極部２の上に載置されたときには、同図に示すように、導体パターン２１，２２の間、導体パターン２１，２３の間、導体パターン２２，２３の間、並びに導体パターン２３および基準電極２ｂの間に、静電容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４がそれぞれ形成される。

次に、回路基板検査装置１によって導体パターン２１，２２間の静電容量を測定する測定原理について説明する。

この回路基板検査装置１では、図２に示すように、交流信号源１１が、検査用プローブ４，５間に検査用交流信号を供給する。この状態では、電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４が、導体パターン２１，２２の間の静電容量Ｃ１、導体パターン２１，２３の間の静電容量Ｃ２、導体パターン２３，２２の間の静電容量Ｃ３、並びに導体パターン２３および基準電極２ｂの間の静電容量Ｃ４をそれぞれ流れる。この場合、検査用プローブ４を流れる電流は、電流Ｉ１および電流Ｉ２に分流される。さらに、電流Ｉ２は、電流Ｉ３および電流Ｉ４に分流される。また、電流Ｉ１，Ｉ３は導体パターン２２、検査用プローブ５および電流測定器１２を経由して交流信号源１１に戻る経路を流れる。一方、電流Ｉ４は、基準電極２ｂを経由して交流信号源１１に戻る経路を流れる。したがって、この測定系は、図３に示す等価回路で表される。この等価回路に示すように、電流測定器１２は、電流Ｉ１，Ｉ３の合成電流の電流値および電流位相を測定する。この場合、静電容量Ｃ１を測定するためには、電流Ｉ１のみを測定する必要があるため、この電流Ｉ３は、静電容量Ｃ１を測定する際に測定誤差（誤差静電容量Ｃｅ）を発生させる誤差電流となる。

この電流Ｉ３に起因する誤差静電容量Ｃｅは、以下のようにして求められる。まず、電流Ｉ２は、下記の式で表される。
Ｉ２＝Ｖ／Ｚ
＝Ｖ／（（Ｃ２＋Ｃ３＋Ｃ４）／（ｊω・Ｃ２・（Ｃ３＋Ｃ４）））
＝ｊω・Ｃ２・（Ｃ３＋Ｃ４）・Ｖ／（Ｃ２＋Ｃ３＋Ｃ４）
なお、上式および以下の式において、Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は、静電容量Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４の容量値を意味し、Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４は、電流Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４の電流値を意味し、Ｖは、交流信号源１１から出力される検査用交流信号の電圧を意味し、Ｚは、Ｃ２、Ｃ３およびＣ４の合成インピーダンスを意味する。
また、次の式が成立する。
Ｉ２＝Ｉ３＋Ｉ４
このため、電流Ｉ３は、静電容量Ｃ３のインピーダンスと静電容量Ｃ４のインピーダンスとの比で分流される。したがって、電流Ｉ３の電流値は、次の式で表される。
Ｉ３＝Ｉ２・（１／（ｊω・Ｃ４））／（（１／（ｊω・Ｃ３））＋（１／（ｊω・Ｃ４）））
＝ｊω・Ｃ２・Ｃ３・Ｖ／（Ｃ２＋Ｃ３＋Ｃ４）

一方、誤差静電容量Ｃｅは、以下のように、電圧Ｖと電流値Ｉ３とに基づいて求められる。
Ｖ／Ｉ３＝１／（ｊω・Ｃｅ）
Ｃｅ＝Ｉ３／（ｊω・Ｖ）
＝Ｃ２・Ｃ３／（Ｃ２＋Ｃ３＋Ｃ４）
この場合、導体パターン２３が広い面積を有して基準電極２ｂと対向しているため、静電容量Ｃ４は、静電容量Ｃ２および静電容量Ｃ３よりも十分に大きな容量値となる。このため、次の式が成立する。
Ｃｅ≒０
したがって、この測定系による測定では、電流Ｉ２が電流測定器１２に入力されることに起因して生じる誤差静電容量Ｃｅが静電容量Ｃ１の測定に与える影響を殆ど無視することができる。言い替えれば、この測定系では、基準電極２ｂと交流信号源１１の他方の出力部とを接続して検査用交流信号の電流経路を形成したことにより、基準電極２ｂに入力した検査用交流信号を電流測定器１２に入力させることなく交流信号源１１に戻すことができる。このため、電流Ｉ３を極めて僅かな電流値に抑えることができる。この結果、測定誤差を殆ど生じさせることなく、導体パターン２１，２２間の静電容量Ｃ１が高い精度で測定される。

次に、回路基板検査装置１による回路基板の検査方法について説明する。

まず、導体パターンの形成面を上向きにして回路基板Ｐを電極部２の上に載置する。次いで、制御部７が、移動機構３ａ，３ｂを制御して、図２に示すように、検査用プローブ４，５を例えば導体パターン２１，２２にそれぞれ接触させる。続いて、交流信号源１１が、検査用交流信号を検査用プローブ４，５間に供給する。この際に、電流測定器１２が、導体パターン２２および検査用プローブ５を流れる電流Ｉ１，Ｉ３の電流値および電流位相を測定する。次いで、演算部１３が、交流信号源１１から供給される検査用交流信号の電圧値および電圧位相、並びに電流測定器１２によって測定された電流値および電流位相（電圧位相と電流位相との位相差）に基づいて検査用プローブ４，５間の静電容量Ｃ１を演算（算出）する。この際には、上記したように、精度良く静電容量Ｃ１が演算される。

次いで、制御部７は、測定された静電容量Ｃ１とＲＡＭ８から読み出した検査用基準データとを比較して、導体パターン２１，２２の良否（例えば、断線や短絡等の有無）を検査する（検査処理の実行）。具体的には、制御部７は、その両導体パターン２１，２２に予め対応させられている検査用基準データとしての基準下限値を下回る静電容量が測定されたときには、導体パターン２１，２２の少なくとも一方に断線が発生しているか、または、両導体パターン２１，２２間に短絡が発生していると判別し、測定された静電容量が基準上限値を上回るときには、導体パターン２１，２２の少なくとも一方に他の導体パターンとの間に短絡が発生していると判別し、基準下限値から基準上限値の範囲内のときには、導体パターン２１，２２が正常と判別する。以上の検査処理をすべての導体パターン２１，２２に対して実行して基板検査を終了する。

このように、この回路基板検査装置１、および回路基板検査装置１（静電容量測定装置）による静電容量測定方法によれば、交流信号源１１の他方の出力部と基準電極２ｂとを接続して電流Ｉ４の電流経路を形成したことにより、基準電極２ｂに入力した電流Ｉ４が電流測定器１２に入力することなく交流信号源１１に戻るため、導体パターン２３に起因して電流測定器１２を流れる電流Ｉ３を極めて僅かな電流値に抑えることができる結果、測定誤差を殆ど生じさせることなく導体パターン２１，２２間の静電容量Ｃ１を高い精度で測定することができる。また、３本のプローブを用いる測定と比較して、２本の検査用プローブ４，５を用いて測定できるため、回路基板検査装置１の製造コストを十分に低減することができる結果、静電容量測定コストひいては検査コストを十分に低減することができる。

また、この回路基板検査装置１、および回路基板検査装置１による回路基板検査方法によれば、上記した静電容量測定方法に従って静電容量Ｃ１を測定し、測定した静電容量Ｃ１と検査用基準データとを比較して導体パターン２１，２２の良否を検査することにより、高い精度で測定した静電容量Ｃ１で検査を実施するため、正確に回路基板Ｐの検査を行うことができる。また、３本のプローブを用いる検査と比較して、２本の検査用プローブ４，５を備えた簡易な構成の安価な装置を用いることができる結果、検査コストを十分に低減することができる。また、３本のプローブを移動させる検査と比較して、移動させる検査用プローブ４，５の数が２本と少ないため、移動時間を十分に短縮することができる結果、検査時間を十分に短縮することができる。

なお、本発明は、上記した回路基板検査装置１の構成、静電容量測定方法および回路基板検査方法に限定されない。例えば、導体パターン２１，２２が表面に形成されている回路基板Ｐを検査する例について説明したが、導体パターン２１，２２が内層（回路基板Ｐにおける一面の他の一例）に形成されると共に導体パターン２１，２２にそれぞれ接続されて検査用プローブ４，５の接続が可能な接続用導体パターンが表面に形成されている回路基板についても同様にして検査することができる。また、導体パターン２３が内層に形成されている回路基板Ｐを検査する例について説明したが、導体パターン２３が裏面（導体パターン２１，２２が形成された面とは反対側の面）に形成されている回路基板についても同様にして検査することができる。また、交流信号源１１の他方の出力部（つまり基準電極２ｂ）を接地する構成について説明したが、他方の出力部の接地に代えて、交流信号源１１の一方の出力部を接地する構成を採用することもできるし、交流信号源１１の両出力部を接地しない構成を採用することもできる。

回路基板検査装置１の構成を示す構成図である。 回路基板検査装置１において回路基板Ｐにおける導体パターン２１，２２間の静電容量Ｃ１を測定している状態を示す構成図である。 導体パターン２１，２２間の静電容量Ｃ１を測定する回路基板検査装置１の測定系の等価回路である。 導体パターン２１〜２３が形成された回路基板Ｐの断面図である。 回路基板検査装置１０１において回路基板Ｐにおける導体パターン２１，２２間の静電容量Ｃ１を測定している状態を示す構成図である。 導体パターン２１，２２間の静電容量Ｃ１を測定する回路基板検査装置１０１の測定系の等価回路である。

符号の説明

１ 回路基板検査装置
２ 電極部
２ａ 絶縁フィルム
２ｂ 基準電極
４，５ 検査用プローブ
６ 測定部
７ 制御部
１１ 交流信号源
１２ 電流測定器
１３ 演算部
２１〜２３ 導体パターン
Ｃ１〜Ｃ４ 静電容量
Ｐ 回路基板

Claims (4)

1. 第１および第２の導体パターンと当該両導体パターンに対して厚み方向において重なり合う位置に形成された第３の導体パターンとを有する回路基板の当該第１および第２の導体パターンの間の静電容量を測定する静電容量測定方法であって、
   一方および他方の出力部から第１および第２のプローブに交流信号を出力する交流信号源の当該他方の出力部と電流パラメータを測定する電流パラメータ測定部との接続点に接続されると共にその表面に絶縁層を備えた基準電極に前記回路基板を載置し、かつ前記電流パラメータ測定部を前記第２のプローブおよび前記他方の出力部の間に配置した状態において、当該第１および第２の導体パターン間に当該両プローブを介して当該交流信号を供給し、
   前記第１のプローブおよび前記基準電極の間を流れる前記交流信号の電流パラメータを含めずに前記第２のプローブおよび前記他方の出力部の間を流れる前記交流信号の電流パラメータを測定し、
   前記交流信号の電圧パラメータおよび前記測定した電流パラメータに基づいて前記静電容量を測定する静電容量測定方法。
2. 前記第１および第２の導体パターンに前記交流信号を供給可能な位置に前記両プローブを移動して、請求項１記載の静電容量測定方法に従って前記静電容量を測定し、当該測定した静電容量と基準値とを比較して前記第１および第２の導体パターンの良否を検査する回路基板検査方法。
3. 第１および第２の導体パターンと当該両導体パターンに対して厚み方向において重なり合う位置に形成された第３の導体パターンとを有する回路基板の当該第１および第２の導体パターンの間の静電容量を測定する静電容量測定装置であって、
   一方および他方の出力部から第１および第２のプローブに交流信号を出力する交流信号源と、
   その表面に絶縁層を備えた基準電極と、
   前記第２のプローブおよび前記他方の出力部の間に配置されて、前記基準電極に載置した前記回路基板の前記第１および第２の導体パターン間に前記両プローブを介して前記交流信号を供給した状態において、前記第１のプローブおよび当該基準電極の間を流れる前記交流信号の電流パラメータを含めずに当該第２のプローブおよび前記他方の出力部の間を流れる前記交流信号の電流パラメータを測定する電流パラメータ測定部と、
   前記交流信号の電圧パラメータおよび前記測定した電流パラメータに基づいて前記静電容量を演算する演算部とを備え、
   前記基準電極は、前記他方の出力部と前記電流パラメータ測定部との接続点に接続されている静電容量測定装置。
4. 請求項３記載の静電容量測定装置と、前記第１および第２の導体パターンに前記交流信号を供給可能な位置に前記両プローブを移動させる移動機構と、前記静電容量測定装置によって測定された前記静電容量と基準値とを比較して前記第１および第２の導体パターンの良否を検査する検査部とを備えている回路基板検査装置。

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