JP2004264272A - 導電体検査装置及び導電体検査方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】検査対象が導体である場合に、非接触で検査対象の状態を精度良く検出することのできる導電体状態検査装置を提供する。
【解決手段】給電部より検査信号か給電された検査対象導電体520導電体520近傍に、ほぼ並行して2枚のセンサ板570,580を配設し、センサ板570よりの測定レベルによりセンサ板570に対向する導電タブ分の形状を検査すると共に、センサ板570,580よりの検出信号を引算器550で減算し、割算器560で一方センサ板よりの検出値を減算結果で減算して一方センサ板よりの検出値を正規化し、両センサ板よりの相対的な検出信号値比率を検出してセンサ板と導電体520間の距離に対応した検出結果をXとして得る。
【選択図】 図1
【解決手段】給電部より検査信号か給電された検査対象導電体520導電体520近傍に、ほぼ並行して2枚のセンサ板570,580を配設し、センサ板570よりの測定レベルによりセンサ板570に対向する導電タブ分の形状を検査すると共に、センサ板570,580よりの検出信号を引算器550で減算し、割算器560で一方センサ板よりの検出値を減算結果で減算して一方センサ板よりの検出値を正規化し、両センサ板よりの相対的な検出信号値比率を検出してセンサ板と導電体520間の距離に対応した検出結果をXとして得る。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、交流信号が印加された検査対象導電体の状態を検査可能な導電体位置検査装置及び導電体位置検査方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
基板上に導電パターンを形成してなる回路基板を製造する際には、基板上に形成した導電パターンに断線や、短絡がないかを検査する必要があった。
【0003】
従来から、導電パターンの検査手法としては、例えば特許文献1のように、導電パターンの両端にピンを接触させて一端側のピンから導電パターンに電気信号を給電し、他端側のピンからその電気信号を受電することにより、導電パターンの導通テスト等を行う接触式の検査手法(ピンコンタクト方式)が知られている。電気信号の給電は、金属プローブを全端子に立ててここから導電パターンに電流を流すことにより行われる。
【0004】
このピンコンタクト方式は、直接ピンプローブを接触させるために、S/N比が高いという長所を有する。
【0005】
【特許文献1】
特開昭62−269075号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、例えば液晶表示パネルに用いるガラス基板に形成された回路配線パターン等では、パターン厚が薄く、また、基板との固着力も少なく、ピンを接触させてはパターンが損傷してしまう問題点があった。
【0006】
更に、携帯電話用の液晶パネル等においては、配線ピッチも細密化しており、狭ピッチ多本数のプローブを製作するには多大の労力とゴストが必要であった。
【0007】
また同時に、配線パターンが異なるごとに(検査対象ごとに)使用に応じた新たなプローブを製作しなければならなかった。このため、検査コストが更に高くなり電子部品の低コスト化に対して大きな障害となっていた。
【0008】
また、液晶パネルに用いる配線パターンの様に、パターンがすべて独立しておらず、複数のパターンが接続された状態にあるような場合には、回路的には複数のパターンがショート状態であるため、今まで適切な検査装置が無かった。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述した課題を解決することを目的としてなされたもので、上述した課題を解決し、どのような回路パターンであっても、パターン形状を検査することが可能で、且つ非接触で検査対象の状態を精度良く検出することのできる検査システム及び検査方法を提供することを目的とする。
【0010】
係る目的を達成する一手段として例えば以下の構成を備える。
【0011】
即ち、検査対象導電体と所定距離離間して位置決めされ前記検査対象導電体に交流信号を印加可能な給電板と、前記給電板より交流信号が印加された検査対象導電体よりの検査信号を検出可能な導電材料で板状に形成されたセンサ板と、前記検査対象導電体を前記センサ板と静電結合させて検出信号レベルを測定するレベル測定手段と、前記レベル測定手段の測定レベルより前記検査対象導電体の状態を判定する判定手段とを備えることを特徴とする。
【0012】
そして例えば、前記判定手段は、前記センサ板よりの検出レベルにより前記検査対象導電体形状を判定することを特徴とする。
【0013】
また例えば、前記判定手段は、前記レベル測定手段での測定レベルが所定レベル以上の場合には前記検査対象導電体の検出対象領域における面積過多、所定レベル以下の場合に前記検査対象導電体の少なくとも検査対象領域を含む面積過小と判定することを特徴とする。
【0014】
更に例えば、前記センサ板は、2枚ほぼ並行して位置決めされ、前記レベル測定手段は、前記2枚のセンサ板よりの前記検査対象導電体よりの検出信号レベルを測定し、前記判定手段は、前記それぞれのセンサ板よりの検出信号レベルの相対的な検出信号値比率より前記センサ板に対する前記検査対象導電体の位置を判定することを特徴とする。
【0015】
また例えば、前記判定手段は、一方のセンサ板よりの測定信号レベル値をそれぞれのセンサ板よりの測定信号レベル値の減算結果で除算し、除算結果よりセンサ板に対する前記検査対象導電体の位置を判定することを特徴とする。
【0016】
又は、導電材料で形成されたセンサ板と給電板とを検査対象導電体と所定距離離間させて位置決め可能な導電体検査装置における導電体検査方法であって、前記給電板に交流信号を供給して前記検査対象導電体に交流信号を印加し、前記検査対象導電体と前記センサ板とを静電結合させ、前記給電板より交流信号が印加された検査対象導電体よりの検査信号を前記センサ板で検出し、前記検出した測定レベルより前記検査対象導電体の状態を判定する導電体検査方法とすることを特徴とする。
【0017】
そして例えば、前記センサ板よりの検出レベルにより前記検査対象導電体形状を判定する導電体検査方法とすることを特徴とする。
【0018】
また例えば、前記測定レベルが所定レベル以上の場合には前記検査対象導電体の検出対象領域における面積過多、所定レベル以下の場合に前記検査対象導電体の少なくとも検査対象領域を含む面積過小と判定する導電体検査方法とすることを特徴とする。
【0019】
更に例えば、前記センサ板は、2枚ほぼ並行して位置決めされ、前記2枚のセンサ板よりの前記検査対象導電体よりの検出信号レベルを測定し、前記それぞれのセンサ板よりの検出信号レベルの相対的な検出信号値比率より前記センサ板に対する前記検査対象導電体の位置を判定する導電体検査方法とすることを特徴とする。
【0020】
また例えば、一方のセンサ板よりの測定信号レベル値をそれぞれのセンサ板よりの測定信号レベル値の減算結果で除算し、除算結果よりセンサ板に対する前記検査対象導電体の位置を判定する導電体検査方法とすることを特徴とする。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明に係る一実施の形態例を詳細に説明する。
【0022】
本実施の形態例の導電体位置検査装置は、導電体で形成したセンサ板を、検査信号(例えば交流信号)が供給された検査対象と静電結合させ、該センサ板で検出する検査対象よりの検出信号のレベルを求め、求めたレベルにより検査領域にある検査信号が供給された導電体の形状を求め、導電体の良否を検査可能とするするものである。
【0023】
更に、センサ板を並行させて2枚配設し、該センサ板で検出する検査対象よりの検出検査信号の比率を求め、求めた比率から検査対象の位置をも判別可能としている。
【0024】
〔第1の実施の形態例〕
まず図1を参照して本発明に係る一発明の実施の形態例を詳細に説明する。図1は本発明に係る一発明の実施の形態例の導電体位置検査装置の構成を説明するための図である。
【0025】
図1において、500は検査対象基板であり、基板500には、例えば、検査対象の配線パターンが配設されている。510は検査対象の導電体520に検査信号を供給する給電部であり、例えば1KHz以上で20Vp−pの交流信号を基板500上に配線されている配線パターンのうちの検査対象の導電体520に供給する。なお、以下の説明では検査信号として上記仕様の交流信号を対象とするが、本実施の形態例は以上の例に限定されるものではなく任意の信号を用いることができる。好ましくは100KHz以下であることが望ましい。
【0026】
給電部510から導電体520への給電方法は、直接給電部と導電体520の一部とを接続して検査信号を供給する方法のほか、例えば導電体520と一定距離離反した導電板を導電体520と静電結合状態として静電結合により給電しても良い。その他、端部にコイルを備え、電磁結合状態として電磁結合により給電しても良い。本実施の形態例では給電方法に限定はない。
【0027】
520は基板上に配設された検査対象の導電体であり、例えば基板配線パターンなどである。基板上に配設された検査対象の導電性パターンなどのほか、線材、金属片など、任意の導体を対象としても同様である。
【0028】
530はセンサ板a570よりの検出信号レベルを測定するレベル測定部A、540はセンサ板b580よりの検出信号レベルを測定するレベル測定部Bである。
【0029】
レベル測定部A530、レベル測定部B540は、例えば一定時間内のピークを検出して測定レベルとしてもよく、同じタイミング時の両センサ板a570、センサ板b580の検出レベルを測定レベルとしても良い。
【0030】
550はレベル測定部A530の測定レベルとレベル測定部B540の測定レベルとの差分(減算結果)を求める引算器、560はレベル測定部B540よりの測定値を引算器550の引算結果で割り算する割算器である。
【0031】
また、570は導電材料で形成された導電体520に近接したセンサ板a、580は導電材料で形成された導電体520からみて奥側のセンサ板bである。センサ板a570とセンサ板b580とは互いにほぼ並行状態に位置決め維持されている。
【0032】
導電体形状の検査のみで後述するセンサ板570,580から導電体520までの距離を測定しない場合にはセンサ板の一方、例えばセンサ板580、一方のレベル測定器、引算器550,割算器560を省略することができる。
【0033】
以上の構成を備える本実施の形態例の検査対象の導電体状態の測定原理を図2乃至図4を参照して説明する。図2は本実施の形態例の検査対象の導電体状態の測定原理を説明するための図、図3は図2の構成の等価回路例を示す図、図4は図3の変形等価回路例を示す図である。
【0034】
図2の例では、給電部510から導電体520への給電方法として、導電体一方端部近傍に導電体520から所定距離離反して給電板510aを位置決めし、給電板510aと導電体520とを静電結合させて給電する方法を採用している。そして、給電板510aと導電体520間の静電容量をC1、センサ板と導電体520との静電容量をC2とする。
【0035】
給電板510aと導電体520の対面する面積をS1,距離をd1とすると、空気中での静電容量(コンデンサ値)は、以下に示す式1で表すことができる。
C1=8.85×10−12(S1/d1)
同様に、給電板510aセンサ板と対面する導電体の面積をS2、センサ板と導電体520との距離をd2とすると、センサ板と導電体間の静電容量(コンデンサ値)C1は、以下に示す式2で表すことができる。
【0036】
C2=8.85×10−12(S2/d2)
【0037】
給電部510の出力インピーダンスを0,導電体520の浮遊容量をCs、レベル測定部の入力インピーダンスをRiとすると、等価回路は図3に示す回路となる。
【0038】
図3において、Viは給電部より給電される検査信号の給電電圧、Vdはレベル測定部530への検出電圧である。
【0039】
ここで、給電部510の発振周波数が一定値fo(100KHz未満とすることが好ましい。)であれば、各コンデンサのインピーダンスは以下に示す一定の値となる。
R1=(1/2πfoC1),
R2=(1/2πfoC2),
R3=(1/2πfoC3)
以上から、図3に示す等価回路は図4のように表すことができる。
【0040】
図4の等価回路から検出電圧Vdを求めると、
Vd=(RiRsVi)/(R1+Rs)(R2+Ri)
となり、上記の式中の各値に一定の安定性があればVdは安定した値となる。
【0041】
このことを利用して、導電体形状検出部530では、予め導電体520の形状が正常形状の場合のVdを測定して基準値とし、検査対象の導電体520を測定した場合に検出値が一定範囲内にない場合に、導電体形状の異常と判定している。
【0042】
即ち、本実施の形態例ではこのレベル測定部530の測定レベルが一定範囲内であれば正常状態、一定範囲内になければ異常形状と判定することとしている。
【0043】
以上説明したように本実施の形態例によれば、検査対象に非接触で検査対象の形状異常を確実に検出できる。このため、導電体の一部が破断している(例えばパターンオープン状態である)場合には検出信号値が低くなる。
一方、導電体の一部が短絡している(例えばパターンショート状態である)場合には検出信号値が高くなる。
【0044】
以上の検査において、検査対象の導電体520とセンサ板、給電板510aと導電体520との距離を検査ごとに一定の距離に制御できれば以上の検査精度が大きく向上する。このため、本実施の形態例では図1に示す様に2枚のセンサ板570,580を備え、更に引算器550,割算器560を備え、センサ板より導電体520までの距離を直接測定する構成を備えている。
【0045】
次に以上のセンサ板より導電体520までの距離を直接測定する構成を説明する。
【0046】
レベル測定部A530の測定結果をVa、レベル測定部B540の測定結果をVbとすると、(1/Va)はセンサ板a570と導電体520との距離に比例する量となり、(1/Vb)はセンサ板b580と導電体520との距離に比例した量となる。
【0047】
即ち、導電体に遠い方のセンサ板b580から導電体520までの距離から近い方のセンサ板a570から導電体520間での距離を減ずると、センサ板a570とセンサ板b580間での距離dとなるから、このセンサ板間の距離dは(1/Vb)−(1/Va)に比例したものとなると考えられ、
(1/Vb)−(1/Va)∝d
が成り立つ。
【0048】
この(1/Vb)−(1/Va)の逆数1/{(1/Vb)−(1/Va)}は、dに相当する測定時点での測定電圧レベルと考えることができ、Va/〔1/{(1/Vb)−(1/Va)}〕を求めることはVaがdを元に正規化することに相当し、この逆数は導電体520までの距離に比例した値とすることができる。
【0049】
即ち、1/〈Va/〔1/{(1/Vb)−(1/Va)}〕〉は導電体520までの距離に比例した値となり、式を整理すると、
1/〈Va/〔1/{(1/Vb)−(1/Va)}〕〉
=〔1/{(1/Vb)−(1/Va)}〕/Va
={(Va×Vb)/(Va−Vb)}/Va
=Vb/(Va−Vb)
となる。図1の引算器550と割算器560でこの式を実現しており、割算器560の出力Xはセンサ板a570より導電体520までの距離に比例した値となる。
【0050】
しかもこのXの値は、センサ板a570とセンサ板b580のそれぞれの検出信号レベルの相対的な値を基準としているため、例えば導電体520に誘導される検査信号値の変動などがあっても、その影響を相殺することができる。
【0051】
以上のことから、信頼性の高い、センサ板と導電体520間の距離に対応した測定結果を得ることができる。
【0052】
従って、予め、導電体とセンサ板間の距離に対応した基準となる測定結果を得ておけば、測定時の検出したX値と基準となる測定結果を比較していけば、精度の高い検出結果が得られる。
【0053】
なお、以上の説明において、センサ板b580と導電体520との間にはセンサ板a570が位置しているが、レベル測定部A530に接続されているセンサ板a570はハイインピーダンス状態であり、センサ板b580での検出信号レベルがセンサ板a570の影響で減少することはあっても、その割合に変化はなく、図1の構成とすればその影響を相殺でき、測定結果に誤差が生じることもない。
【0054】
即ち、図1の測定装置によれば、センサ板と導電体520の間に導電材料や誘電材料、絶縁材等の種々のものが介在していたとしても、これらのものが接地に対して低インピーダンスのシールド状態に無い限り、センサ板と導電体520間の距離に対応した測定結果Xを得ることができ、他方面の機器に適用できる。
【0055】
更に、導電体に給電される検査信号レベルが変動しても、検出結果の割合比に変化が無いため、給電方法に制約が無く、上記した給電方法も採用可能となる。
【0056】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、検査対象が導体である場合に、非接触でありながら検査対象の状態を精度良く検出することのできる導電体状態検査装置及び方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る一発明の実施の形態例の導電体位置検査装置の構成を説明するための図である。
【図2】本実施の形態例の検査対象の導電体状態の測定原理を説明するための図である。
【図3】図2の構成の等価回路例を示す図である。
【図4】図3の変形等価回路例を示す図である。
【符号の説明】
500 基板
510 給電部
520 導電体
530 レベル測定部A
540 レベル測定部B
550 引算器
560 割算器
570 センサ板a
580 センサ板b
590 導電体形状検出部
【産業上の利用分野】
本発明は、交流信号が印加された検査対象導電体の状態を検査可能な導電体位置検査装置及び導電体位置検査方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
基板上に導電パターンを形成してなる回路基板を製造する際には、基板上に形成した導電パターンに断線や、短絡がないかを検査する必要があった。
【0003】
従来から、導電パターンの検査手法としては、例えば特許文献1のように、導電パターンの両端にピンを接触させて一端側のピンから導電パターンに電気信号を給電し、他端側のピンからその電気信号を受電することにより、導電パターンの導通テスト等を行う接触式の検査手法(ピンコンタクト方式)が知られている。電気信号の給電は、金属プローブを全端子に立ててここから導電パターンに電流を流すことにより行われる。
【0004】
このピンコンタクト方式は、直接ピンプローブを接触させるために、S/N比が高いという長所を有する。
【0005】
【特許文献1】
特開昭62−269075号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、例えば液晶表示パネルに用いるガラス基板に形成された回路配線パターン等では、パターン厚が薄く、また、基板との固着力も少なく、ピンを接触させてはパターンが損傷してしまう問題点があった。
【0006】
更に、携帯電話用の液晶パネル等においては、配線ピッチも細密化しており、狭ピッチ多本数のプローブを製作するには多大の労力とゴストが必要であった。
【0007】
また同時に、配線パターンが異なるごとに(検査対象ごとに)使用に応じた新たなプローブを製作しなければならなかった。このため、検査コストが更に高くなり電子部品の低コスト化に対して大きな障害となっていた。
【0008】
また、液晶パネルに用いる配線パターンの様に、パターンがすべて独立しておらず、複数のパターンが接続された状態にあるような場合には、回路的には複数のパターンがショート状態であるため、今まで適切な検査装置が無かった。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述した課題を解決することを目的としてなされたもので、上述した課題を解決し、どのような回路パターンであっても、パターン形状を検査することが可能で、且つ非接触で検査対象の状態を精度良く検出することのできる検査システム及び検査方法を提供することを目的とする。
【0010】
係る目的を達成する一手段として例えば以下の構成を備える。
【0011】
即ち、検査対象導電体と所定距離離間して位置決めされ前記検査対象導電体に交流信号を印加可能な給電板と、前記給電板より交流信号が印加された検査対象導電体よりの検査信号を検出可能な導電材料で板状に形成されたセンサ板と、前記検査対象導電体を前記センサ板と静電結合させて検出信号レベルを測定するレベル測定手段と、前記レベル測定手段の測定レベルより前記検査対象導電体の状態を判定する判定手段とを備えることを特徴とする。
【0012】
そして例えば、前記判定手段は、前記センサ板よりの検出レベルにより前記検査対象導電体形状を判定することを特徴とする。
【0013】
また例えば、前記判定手段は、前記レベル測定手段での測定レベルが所定レベル以上の場合には前記検査対象導電体の検出対象領域における面積過多、所定レベル以下の場合に前記検査対象導電体の少なくとも検査対象領域を含む面積過小と判定することを特徴とする。
【0014】
更に例えば、前記センサ板は、2枚ほぼ並行して位置決めされ、前記レベル測定手段は、前記2枚のセンサ板よりの前記検査対象導電体よりの検出信号レベルを測定し、前記判定手段は、前記それぞれのセンサ板よりの検出信号レベルの相対的な検出信号値比率より前記センサ板に対する前記検査対象導電体の位置を判定することを特徴とする。
【0015】
また例えば、前記判定手段は、一方のセンサ板よりの測定信号レベル値をそれぞれのセンサ板よりの測定信号レベル値の減算結果で除算し、除算結果よりセンサ板に対する前記検査対象導電体の位置を判定することを特徴とする。
【0016】
又は、導電材料で形成されたセンサ板と給電板とを検査対象導電体と所定距離離間させて位置決め可能な導電体検査装置における導電体検査方法であって、前記給電板に交流信号を供給して前記検査対象導電体に交流信号を印加し、前記検査対象導電体と前記センサ板とを静電結合させ、前記給電板より交流信号が印加された検査対象導電体よりの検査信号を前記センサ板で検出し、前記検出した測定レベルより前記検査対象導電体の状態を判定する導電体検査方法とすることを特徴とする。
【0017】
そして例えば、前記センサ板よりの検出レベルにより前記検査対象導電体形状を判定する導電体検査方法とすることを特徴とする。
【0018】
また例えば、前記測定レベルが所定レベル以上の場合には前記検査対象導電体の検出対象領域における面積過多、所定レベル以下の場合に前記検査対象導電体の少なくとも検査対象領域を含む面積過小と判定する導電体検査方法とすることを特徴とする。
【0019】
更に例えば、前記センサ板は、2枚ほぼ並行して位置決めされ、前記2枚のセンサ板よりの前記検査対象導電体よりの検出信号レベルを測定し、前記それぞれのセンサ板よりの検出信号レベルの相対的な検出信号値比率より前記センサ板に対する前記検査対象導電体の位置を判定する導電体検査方法とすることを特徴とする。
【0020】
また例えば、一方のセンサ板よりの測定信号レベル値をそれぞれのセンサ板よりの測定信号レベル値の減算結果で除算し、除算結果よりセンサ板に対する前記検査対象導電体の位置を判定する導電体検査方法とすることを特徴とする。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明に係る一実施の形態例を詳細に説明する。
【0022】
本実施の形態例の導電体位置検査装置は、導電体で形成したセンサ板を、検査信号(例えば交流信号)が供給された検査対象と静電結合させ、該センサ板で検出する検査対象よりの検出信号のレベルを求め、求めたレベルにより検査領域にある検査信号が供給された導電体の形状を求め、導電体の良否を検査可能とするするものである。
【0023】
更に、センサ板を並行させて2枚配設し、該センサ板で検出する検査対象よりの検出検査信号の比率を求め、求めた比率から検査対象の位置をも判別可能としている。
【0024】
〔第1の実施の形態例〕
まず図1を参照して本発明に係る一発明の実施の形態例を詳細に説明する。図1は本発明に係る一発明の実施の形態例の導電体位置検査装置の構成を説明するための図である。
【0025】
図1において、500は検査対象基板であり、基板500には、例えば、検査対象の配線パターンが配設されている。510は検査対象の導電体520に検査信号を供給する給電部であり、例えば1KHz以上で20Vp−pの交流信号を基板500上に配線されている配線パターンのうちの検査対象の導電体520に供給する。なお、以下の説明では検査信号として上記仕様の交流信号を対象とするが、本実施の形態例は以上の例に限定されるものではなく任意の信号を用いることができる。好ましくは100KHz以下であることが望ましい。
【0026】
給電部510から導電体520への給電方法は、直接給電部と導電体520の一部とを接続して検査信号を供給する方法のほか、例えば導電体520と一定距離離反した導電板を導電体520と静電結合状態として静電結合により給電しても良い。その他、端部にコイルを備え、電磁結合状態として電磁結合により給電しても良い。本実施の形態例では給電方法に限定はない。
【0027】
520は基板上に配設された検査対象の導電体であり、例えば基板配線パターンなどである。基板上に配設された検査対象の導電性パターンなどのほか、線材、金属片など、任意の導体を対象としても同様である。
【0028】
530はセンサ板a570よりの検出信号レベルを測定するレベル測定部A、540はセンサ板b580よりの検出信号レベルを測定するレベル測定部Bである。
【0029】
レベル測定部A530、レベル測定部B540は、例えば一定時間内のピークを検出して測定レベルとしてもよく、同じタイミング時の両センサ板a570、センサ板b580の検出レベルを測定レベルとしても良い。
【0030】
550はレベル測定部A530の測定レベルとレベル測定部B540の測定レベルとの差分(減算結果)を求める引算器、560はレベル測定部B540よりの測定値を引算器550の引算結果で割り算する割算器である。
【0031】
また、570は導電材料で形成された導電体520に近接したセンサ板a、580は導電材料で形成された導電体520からみて奥側のセンサ板bである。センサ板a570とセンサ板b580とは互いにほぼ並行状態に位置決め維持されている。
【0032】
導電体形状の検査のみで後述するセンサ板570,580から導電体520までの距離を測定しない場合にはセンサ板の一方、例えばセンサ板580、一方のレベル測定器、引算器550,割算器560を省略することができる。
【0033】
以上の構成を備える本実施の形態例の検査対象の導電体状態の測定原理を図2乃至図4を参照して説明する。図2は本実施の形態例の検査対象の導電体状態の測定原理を説明するための図、図3は図2の構成の等価回路例を示す図、図4は図3の変形等価回路例を示す図である。
【0034】
図2の例では、給電部510から導電体520への給電方法として、導電体一方端部近傍に導電体520から所定距離離反して給電板510aを位置決めし、給電板510aと導電体520とを静電結合させて給電する方法を採用している。そして、給電板510aと導電体520間の静電容量をC1、センサ板と導電体520との静電容量をC2とする。
【0035】
給電板510aと導電体520の対面する面積をS1,距離をd1とすると、空気中での静電容量(コンデンサ値)は、以下に示す式1で表すことができる。
C1=8.85×10−12(S1/d1)
同様に、給電板510aセンサ板と対面する導電体の面積をS2、センサ板と導電体520との距離をd2とすると、センサ板と導電体間の静電容量(コンデンサ値)C1は、以下に示す式2で表すことができる。
【0036】
C2=8.85×10−12(S2/d2)
【0037】
給電部510の出力インピーダンスを0,導電体520の浮遊容量をCs、レベル測定部の入力インピーダンスをRiとすると、等価回路は図3に示す回路となる。
【0038】
図3において、Viは給電部より給電される検査信号の給電電圧、Vdはレベル測定部530への検出電圧である。
【0039】
ここで、給電部510の発振周波数が一定値fo(100KHz未満とすることが好ましい。)であれば、各コンデンサのインピーダンスは以下に示す一定の値となる。
R1=(1/2πfoC1),
R2=(1/2πfoC2),
R3=(1/2πfoC3)
以上から、図3に示す等価回路は図4のように表すことができる。
【0040】
図4の等価回路から検出電圧Vdを求めると、
Vd=(RiRsVi)/(R1+Rs)(R2+Ri)
となり、上記の式中の各値に一定の安定性があればVdは安定した値となる。
【0041】
このことを利用して、導電体形状検出部530では、予め導電体520の形状が正常形状の場合のVdを測定して基準値とし、検査対象の導電体520を測定した場合に検出値が一定範囲内にない場合に、導電体形状の異常と判定している。
【0042】
即ち、本実施の形態例ではこのレベル測定部530の測定レベルが一定範囲内であれば正常状態、一定範囲内になければ異常形状と判定することとしている。
【0043】
以上説明したように本実施の形態例によれば、検査対象に非接触で検査対象の形状異常を確実に検出できる。このため、導電体の一部が破断している(例えばパターンオープン状態である)場合には検出信号値が低くなる。
一方、導電体の一部が短絡している(例えばパターンショート状態である)場合には検出信号値が高くなる。
【0044】
以上の検査において、検査対象の導電体520とセンサ板、給電板510aと導電体520との距離を検査ごとに一定の距離に制御できれば以上の検査精度が大きく向上する。このため、本実施の形態例では図1に示す様に2枚のセンサ板570,580を備え、更に引算器550,割算器560を備え、センサ板より導電体520までの距離を直接測定する構成を備えている。
【0045】
次に以上のセンサ板より導電体520までの距離を直接測定する構成を説明する。
【0046】
レベル測定部A530の測定結果をVa、レベル測定部B540の測定結果をVbとすると、(1/Va)はセンサ板a570と導電体520との距離に比例する量となり、(1/Vb)はセンサ板b580と導電体520との距離に比例した量となる。
【0047】
即ち、導電体に遠い方のセンサ板b580から導電体520までの距離から近い方のセンサ板a570から導電体520間での距離を減ずると、センサ板a570とセンサ板b580間での距離dとなるから、このセンサ板間の距離dは(1/Vb)−(1/Va)に比例したものとなると考えられ、
(1/Vb)−(1/Va)∝d
が成り立つ。
【0048】
この(1/Vb)−(1/Va)の逆数1/{(1/Vb)−(1/Va)}は、dに相当する測定時点での測定電圧レベルと考えることができ、Va/〔1/{(1/Vb)−(1/Va)}〕を求めることはVaがdを元に正規化することに相当し、この逆数は導電体520までの距離に比例した値とすることができる。
【0049】
即ち、1/〈Va/〔1/{(1/Vb)−(1/Va)}〕〉は導電体520までの距離に比例した値となり、式を整理すると、
1/〈Va/〔1/{(1/Vb)−(1/Va)}〕〉
=〔1/{(1/Vb)−(1/Va)}〕/Va
={(Va×Vb)/(Va−Vb)}/Va
=Vb/(Va−Vb)
となる。図1の引算器550と割算器560でこの式を実現しており、割算器560の出力Xはセンサ板a570より導電体520までの距離に比例した値となる。
【0050】
しかもこのXの値は、センサ板a570とセンサ板b580のそれぞれの検出信号レベルの相対的な値を基準としているため、例えば導電体520に誘導される検査信号値の変動などがあっても、その影響を相殺することができる。
【0051】
以上のことから、信頼性の高い、センサ板と導電体520間の距離に対応した測定結果を得ることができる。
【0052】
従って、予め、導電体とセンサ板間の距離に対応した基準となる測定結果を得ておけば、測定時の検出したX値と基準となる測定結果を比較していけば、精度の高い検出結果が得られる。
【0053】
なお、以上の説明において、センサ板b580と導電体520との間にはセンサ板a570が位置しているが、レベル測定部A530に接続されているセンサ板a570はハイインピーダンス状態であり、センサ板b580での検出信号レベルがセンサ板a570の影響で減少することはあっても、その割合に変化はなく、図1の構成とすればその影響を相殺でき、測定結果に誤差が生じることもない。
【0054】
即ち、図1の測定装置によれば、センサ板と導電体520の間に導電材料や誘電材料、絶縁材等の種々のものが介在していたとしても、これらのものが接地に対して低インピーダンスのシールド状態に無い限り、センサ板と導電体520間の距離に対応した測定結果Xを得ることができ、他方面の機器に適用できる。
【0055】
更に、導電体に給電される検査信号レベルが変動しても、検出結果の割合比に変化が無いため、給電方法に制約が無く、上記した給電方法も採用可能となる。
【0056】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、検査対象が導体である場合に、非接触でありながら検査対象の状態を精度良く検出することのできる導電体状態検査装置及び方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る一発明の実施の形態例の導電体位置検査装置の構成を説明するための図である。
【図2】本実施の形態例の検査対象の導電体状態の測定原理を説明するための図である。
【図3】図2の構成の等価回路例を示す図である。
【図4】図3の変形等価回路例を示す図である。
【符号の説明】
500 基板
510 給電部
520 導電体
530 レベル測定部A
540 レベル測定部B
550 引算器
560 割算器
570 センサ板a
580 センサ板b
590 導電体形状検出部
Claims (10)
- 検査対象導電体と所定距離離間して位置決めされ前記検査対象導電体に交流信号を印加可能な給電板と、
前記給電板より交流信号が印加された検査対象導電体よりの検査信号を検出可能な導電材料で板状に形成されたセンサ板と、
前記検査対象導電体を前記センサ板と静電結合させて検出信号レベルを測定するレベル測定手段と、
前記レベル測定手段の測定レベルより前記検査対象導電体の状態を判定する判定手段とを備えることを特徴とする導電体検査装置。 - 前記判定手段は、前記センサ板よりの検出レベルにより前記検査対象導電体形状を判定することを特徴とする請求項1記載の導電体検査装置。
- 前記判定手段は、前記レベル測定手段での測定レベルが所定レベル以上の場合には前記検査対象導電体の検出対象領域における面積過多、所定レベル以下の場合に前記検査対象導電体の少なくとも検査対象領域を含む面積過小と判定することを特徴とする請求項2記載の導電体検査装置。
- 前記センサ板は、2枚ほぼ並行して位置決めされ、
前記レベル測定手段は、前記2枚のセンサ板よりの前記検査対象導電体よりの検出信号レベルを測定し、
前記判定手段は、前記それぞれのセンサ板よりの検出信号レベルの相対的な検出信号値比率より前記センサ板に対する前記検査対象導電体の位置を判定することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の導電体検査装置。 - 前記判定手段は、一方のセンサ板よりの測定信号レベル値をそれぞれのセンサ板よりの測定信号レベル値の減算結果で除算し、除算結果よりセンサ板に対する前記検査対象導電体の位置を判定することを特徴とする請求項4記載の導電体検査装置。
- 導電材料で形成されたセンサ板と給電板とを検査対象導電体と所定距離離間させて位置決め可能な導電体検査装置における導電体検査方法であって、
前記給電板に交流信号を供給して前記検査対象導電体に交流信号を印加し、
前記検査対象導電体と前記センサ板とを静電結合させ、前記給電板より交流信号が印加された検査対象導電体よりの検査信号を前記センサ板で検出し、
前記検出した測定レベルより前記検査対象導電体の状態を判定することを特徴とする導電体検査方法。 - 前記センサ板よりの検出レベルにより前記検査対象導電体形状を判定することを特徴とする請求項6記載の導電体検査方法。
- 前記測定レベルが所定レベル以上の場合には前記検査対象導電体の検出対象領域における面積過多、所定レベル以下の場合に前記検査対象導電体の少なくとも検査対象領域を含む面積過小と判定することを特徴とする請求項7記載の導電体検査装置。
- 前記センサ板は、2枚ほぼ並行して位置決めされ、前記2枚のセンサ板よりの前記検査対象導電体よりの検出信号レベルを測定し、前記それぞれのセンサ板よりの検出信号レベルの相対的な検出信号値比率より前記センサ板に対する前記検査対象導電体の位置を判定することを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれかに記載の導電体検査方法。
- 一方のセンサ板よりの測定信号レベル値をそれぞれのセンサ板よりの測定信号レベル値の減算結果で除算し、除算結果よりセンサ板に対する前記検査対象導電体の位置を判定することを特徴とする請求項9記載の導電体検査方法。
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