JP6446791B2 - 基板検査方法、基板検査装置、検査治具、及び検査治具セット - Google Patents

Description

本発明は、基板の検査を行う基板検査方法、基板検査装置、及びその基板検査方法に用いられる検査治具、検査治具セットに関する。

従来より、プリント配線基板等の基板に形成された配線パターンを検査するために、配線パターンの抵抗値を測定することが行われている。配線パターンの検査としては、断線の有無の検査はもちろんのこと、配線パターンの幅が細くなったり、厚みが薄くなったりしているような、断線に至らない不良も検出する必要がある。このような断線に至らない不良を検出するためには、高精度の抵抗測定を行う必要がある。このような高精度の抵抗測定方法として、四端子測定法を用いた基板検査装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１２−１３５９０号公報

ところで、例えば電源パターンやグラウンドパターンを、面状に拡がる面パターン（いわゆるベタパターン）で形成することが広く行われている。多層基板において、このような面パターンを複数層に形成することも少なくない。面パターンを複数層に形成した場合、各層の面パターン間で電位を一致させ、安定化させるために、面パターン間を接続する層間接続用のスルーホールが複数設けられる。

従来、このようなスルーホールの断線検査は、面パターン間の抵抗測定により行われている。面パターン間を接続するスルーホールが複数設けられている場合、各スルーホールは並列接続される。そのため、複数のスルーホールのうち一つが断線した場合であっても、面パターン間は他のスルーホールにより導通したまま、面パターン間の抵抗が変化する。スルーホールは元来低抵抗であり、面パターン間のスルーホール断線を検出するには、高精度の抵抗測定が必要となる。

しかしながら、例えば層間接続用のスルーホールが１０個形成されていた場合、スルーホール断線による抵抗変化は最大１０％しか生じない。これに対し、プリント配線基板の製造プロセス変動により生じる配線パターン抵抗値の変動は、一般的に２０％程度発生する。そのため、１個のスルーホール断線による抵抗変化は、プリント配線基板の製造ばらつきによる抵抗変化より小さい。従って、たとえ四端子測定法のような高精度の抵抗測定法を用いたとしても、スルーホール断線と製造ばらつきとを判別することができず、スルーホール断線を検出することが困難であるという不都合があった。

本発明の目的は、面パターン間を接続するスルーホールが複数設けられている場合であっても、スルーホールの不良を検出することが容易な基板検査方法、基板検査装置、及びその基板検査方法に用いられる検査治具、検査治具セットを提供することである。

本発明に係る基板検査方法は、スルーホールが形成された第１面及び第２面を有する基板を検査する基板検査方法であって、前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第１位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第２位置との間に所定の第１電流を流す第１電流供給工程と、前記第１電流供給工程の実行中に、前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第３位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第４位置との間の電圧を第１電圧として検出する第１電圧検出工程と、前記第１電圧に基づいて、前記スルーホールの良否を判定する判定工程とを含む。

また、本発明に係る基板検査装置は、スルーホールが形成された第１面及び第２面を有する基板を検査する基板検査装置であって、前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第１位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第２位置との間に所定の第１電流を流す第１電流供給工程を実行する第１電流供給部と、前記第１電流供給工程の実行中に、前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第３位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第４位置との間の電圧を第１電圧として検出する第１電圧検出工程を実行する第１電圧検出部と、前記第１電圧に基づいて、前記スルーホールの良否を判定する判定工程を実行する判定部とを備える。

これらの基板検査方法及び基板検査装置によれば、第１電流供給工程によって、第１面におけるスルーホール近傍の第１位置と、第２面におけるスルーホール近傍の第２位置との間に第１電流が流される。そうすると、第１電流は、第１位置と第２位置との最短経路を流れようとするから、第１電流の大部分は第１及び第２位置近傍のスルーホールを流れ、他のスルーホールＴＨにはほとんど流れない。その結果、第１電圧検出工程によって、第１面におけるスルーホール近傍の第３位置と、第２面におけるスルーホール近傍の第４位置との間の電圧を第１電圧として検出すると、第１電圧は、ほぼ処理対象のスルーホールの抵抗値に応じて発生し、他のスルーホールの影響が低減されたものとなる。その結果、判定工程によって、第１電圧に基づいて処理対象のスルーホールの良否を判定することができるから、面パターン間を接続するスルーホールが複数設けられている場合であっても、スルーホールの不良を検出することが容易となる。

また、前記第３位置と、前記第４位置との間に所定の第２電流を流す第２電流供給工程と、前記第２電流供給工程の実行中に、前記第１位置と、前記第２位置との間の電圧を第２電圧として検出する第２電圧検出工程とをさらに含み、前記判定工程は、前記第１及び第２電圧に基づいて、前記スルーホールの良否を判定することが好ましい。

上述の第１電流供給工程によれば、第１電流は第１位置と第２位置との間の最短経路を流れるから、処理対象のスルーホールにおけるその最短経路から外れた位置に欠陥があった場合、第１電流がその欠陥の影響を受けないために第１電圧に変化が現れず、判定工程で不良と判定できない場合がある。一方この構成によれば、第２電流供給工程によって、第３位置と第４位置との間の最短経路を第２電流が流れるから、第１電流とは異なる経路に第２電流が流れる。従って、第１電流の経路とは異なる位置にスルーホールの欠陥が有った場合であっても、第２電流の経路にその欠陥があれば、その欠陥に応じて第２電圧が変化する。その結果、欠陥の位置が第１電流の経路上から外れている場合であっても、判定工程によって、第２電圧に基づいて処理対象のスルーホールの良否を判定することができる。また、電流を流す位置と電圧を検出する位置とを入れ替えることにより、第１電流とは異なる経路に第２電流を流すことができるから、第２電流を流すことが容易である。

また、前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第５位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第６位置との間に所定の第３電流を流す第３電流供給工程と、前記第３電流供給工程の実行中に、前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第７位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第８位置との間の電圧を第３電圧として検出する第３電圧検出工程とをさらに含み、前記判定工程は、前記第１及び第３電圧に基づいて、前記スルーホールの良否を判定することが好ましい。

この構成によれば、第１及び第２電流の経路とは異なる位置にスルーホールの欠陥が有った場合であっても、第３電流の経路にその欠陥があれば、その欠陥に応じて第３電圧が変化する。その結果、欠陥の位置が第１及び第２電流の経路上から外れている場合であっても、判定工程によって、第３電圧に基づいて処理対象のスルーホールの良否を判定することができる。

また、前記第３位置と、前記第４位置との間に所定の第２電流を流す第２電流供給工程と、前記第２電流供給工程の実行中に、前記第１位置と、前記第２位置との間の電圧を第２電圧として検出する第２電圧検出工程と、前記第７位置と前記第８位置との間に所定の第４電流を流す第４電流供給工程と、前記第４電流供給工程の実行中に、前記第５位置と前記第６位置との間の電圧を第４電圧として検出する第４電圧検出工程とをさらに含み、前記判定工程は、前記第１〜第４電圧に基づいて、前記スルーホールの良否を判定することが好ましい。

この構成によれば、スルーホールの周囲を囲む４カ所に第１〜第４電流の経路が生じ、これらの電流経路のうちいずれかに欠陥が生じていれば、その不良を検出できるので、スルーホールの良否判定精度を向上させることができる。

また、前記第２位置は、前記第２面上で前記第１位置と対向する位置に配置され、前記第４位置は、前記第２面上で前記第３位置と対向する位置に配置されていることが好ましい。

この構成によれば、第１位置と第２位置の間の距離、及び第３位置と第４位置の間の距離は、それぞれ、スルーホールに設定可能な電流経路のうちの最短距離となる。その結果、スルーホールの抵抗値が最小となる経路を第１電流が流れるので、他のスルーホールを第１電流が流れる場合との抵抗値の差がさらに増大し、処理対象のスルーホールへの電流の集中度合いが増大する。これにより、他のスルーホールの影響をさらに低減させることができる。

また、前記第１位置と前記第３位置とは、前記第１面上で前記スルーホールの略中心を通る第１直線上に位置し、かつ前記スルーホールを間に挟んでその両側に配置されていることが好ましい。

この構成によれば、電流を流す位置と、電圧を検出する位置とがスルーホールの反対側に配置される。この場合、第１〜第４位置が、スルーホール全体を囲むように配置され、かつ第１〜第４位置が互いに導通していなければ、正常な第１電圧が得られないので、判定工程において不良を検出できる確実性が向上する。

また、前記第２位置は、前記第２面上で前記第１位置と対向する位置に配置され、前記第４位置は、前記第２面上で前記第３位置と対向する位置に配置され、前記第６位置は、前記第２面上で前記第５位置と対向する位置に配置され、前記第８位置は、前記第２面上で前記第７位置と対向する位置に配置されていることが好ましい。

この構成によれば、第１位置と第２位置の間の距離、第３位置と第４位置の間の距離、第５位置と第６位置の間の距離、及び第７位置と第８位置の間の距離は、それぞれ、スルーホールに設定可能な電流経路のうちの最短距離となる。その結果、これらの対に電流を流した場合、スルーホールの抵抗値が最小となる経路を電流が流れるので、他のスルーホールを電流が流れる場合との抵抗値の差がさらに増大し、処理対象のスルーホールへの電流の集中度合いが増大する。これにより、他のスルーホールの影響をさらに低減させることができる。

また、前記第１位置と前記第３位置とは、前記第１面上で前記スルーホールの略中心を通る第１直線上に位置し、かつ前記スルーホールを間に挟んでその両側に配置され、前記第５位置と前記第７位置とは、前記第１面において前記スルーホールの略中心を通り、かつ前記第１直線と略直交する第２直線上に、前記スルーホールを間に挟んでその両側に配置されていることが好ましい。

この構成によれば、スルーホールの周囲を略等間隔で囲む４カ所で電流が流されるので、これらの電流経路のいずれからも外れた位置に欠陥が生じることは稀である。そのため、欠陥が検出できないおそれが低減されるので、判定工程において不良を検出できる確実性が向上する。

また、本発明に係る検査治具は、スルーホールが形成された第１面及び第２面を有する基板を検査するための検査治具であって、前記第１面の、前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第１位置に接触する第１プローブと、前記第１面の、前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第３位置に接触する第３プローブとを備え、前記第１及び第３プローブは、複数の前記スルーホールに対応して複数設けられている。

この構成によれば、複数のスルーホールに対応して複数設けられた第１及び第３プローブを、複数のスルーホールに対応する第１及び第３位置に同時に接触させることができるので、上述の基板検査方法を、この検査治具を用いて複数のスルーホールに対して実行することが容易となる。従って、この検査治具は、上述の基板検査方法に適している。

また、前記第１位置と前記第３位置とは、前記第１面上で前記スルーホールの略中心を通る第１直線上に位置し、かつ前記スルーホールを間に挟んでその両側に配置され、前記第１面の、前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第５位置に接触する第５プローブと、前記第１面の、前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第７位置に接触する第７プローブとをさらに備え、前記第５位置と前記第７位置とは、前記第１面において前記スルーホールの略中心を通り、かつ前記第１直線と略直交する第２直線上に、前記スルーホールを間に挟んでその両側に配置され、前記第５及び第７プローブは、複数の前記スルーホールに対応して複数設けられていることが好ましい。

この構成によれば、複数のスルーホールに対応して複数設けられた第１、第３、第５、及び第７プローブを、スルーホールの周囲を略等間隔で囲む４カ所の第１、第３、第５、及び第７位置に同時に接触させることができるので、複数のスルーホールに対して上述の基板検査方法を、第１、第３、第５、及び第７位置を電流の供給又は電圧の検出に用いて実行することが容易となる。従って、この検査治具は、このような上述の基板検査方法に適している。

また、本発明に係る基板検査治具セットは、スルーホールが形成された第１面及び第２面を有する基板を検査するための第１及び第２検査治具を含む検査治具セットであって、前記第１検査治具は上述の検査治具であり、前記第２検査治具は、前記第２面の前記第１位置と対向する位置で前記スルーホールと導通する第２位置に接触する第２プローブと、前記第２面の前記第３位置と対向する位置で前記スルーホールと導通する第４位置に接触する第４プローブとを備える。

この構成によれば、複数のスルーホールに対応して複数設けられた第１〜第４プローブを、複数のスルーホールに対応する第１〜第４位置に同時に接触させることができるので、上述の基板検査方法を、この検査治具セットを用いて複数のスルーホールに対して実行することができる。従って、この検査治具セットは、上述の基板検査方法に適している。

また、本発明に係る基板検査治具セットは、スルーホールが形成された第１面及び第２面を有する基板を検査するための第１及び第２検査治具を含む検査治具セットであって、前記第１検査治具は上述の検査治具であり、前記第２検査治具は、前記第２面の前記第１位置と対向する位置で前記スルーホールと導通する第２位置に接触する第２プローブと、前記第２面の前記第３位置と対向する位置で前記スルーホールと導通する第４位置に接触する第４プローブと、前記第２面の前記第５位置と対向する位置で前記スルーホールと導通する第６位置に接触する第６プローブと、前記第２面の前記第７位置と対向する位置で前記スルーホールと導通する第８位置に接触する第８プローブとを備える。

この構成によれば、複数のスルーホールに対応して複数設けられた第１〜第８プローブを、スルーホールの周囲を略等間隔で囲む第１〜第８位置に同時に接触させることができるので、複数のスルーホールに対して上述の基板検査方法を、第１〜第８位置を電流の供給又は電圧の検出に用いて実行することが容易となる。従って、この検査治具セットは、このような上述の基板検査方法に適している。

このような構成の基板検査方法、基板検査装置は、面パターン間を接続するスルーホールが複数設けられている場合であっても、スルーホールの不良を検出することが容易である。また、このような構成の検査治具、及び検査治具セットは、上述の基板検査方法に適している。

本発明の一実施形態に係る基板検査装置の構成を概略的に示す正面図である。 検査対象の基板の構成の一例を示す上面図である。 図２に示す基板のIII−III断面図である。 スルーホールとプローブの接触位置との関係を説明するための説明図である。 接触位置と、スルーホールとの位置関係を説明するための説明図である。 図１に示す検査治具の一例を示す概略縦断面図であり、非検査時における状態を示している。 上方の検査治具の下面図（平面図）である。 下方の検査治具の上面図（平面図）である。 図１に示す検査治具の一例を示す概略縦断面図であり、検査時における状態を示している。 図１に示す基板検査装置の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の一実施形態に係る基板検査方法を実行する基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態に係る基板検査方法を実行する基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態に係る基板検査方法を実行する基板検査装置の動作の一例を示すフローチャートである。 第１電流供給工程において、検査電流が流れる電流経路を説明するための説明図である。 基板検査方法の効果を説明するための説明図である。 基板検査方法によるスルーホールの抵抗測定結果を示すグラフである。 基板検査方法によるスルーホールの抵抗測定結果を示すグラフである。 基板検査方法によるスルーホールの抵抗測定結果を示すグラフである。 基板検査方法によるスルーホールの抵抗測定結果を示すグラフである。

以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板検査装置１の構成を概略的に示す正面図である。図１に示す基板検査装置１は、検査対象の基板に形成された回路パターンを検査するための装置である。

基板は、例えば、プリント配線基板、フレキシブル基板、セラミック多層配線基板、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ用の電極板、及び半導体パッケージ用のパッケージ基板やフィルムキャリアなど種々の基板であってもよい。

図１に示す基板検査装置１は、筐体１１２を有している。筐体１１２の内部空間には、基板固定装置１１０と、第１検査部１２１と、第２検査部１２２と、が主に設けられている。基板固定装置１１０は、検査対象の基板１００を所定の位置に固定するように構成されている。

第１検査部１２１は、基板固定装置１１０に固定された基板１００の上方に位置する。第２検査部１２２は、基板固定装置１１０に固定された基板１００の下方に位置する。第１検査部１２１及び第２検査部１２２は、基板１００に形成された回路パターンを検査するための検査治具４Ｕ（第１検査治具），検査治具４Ｌ（第２検査治具）を備えている。検査治具４Ｕ，４Ｌには、複数のプローブＰｒが取り付けられている。また、第１検査部１２１及び第２検査部１２２は、筐体１１２内で適宜移動するために検査部移動機構１２５を備えている。

基板検査装置１は、基板固定装置１１０、第１検査部１２１、及び第２検査部１２２等の動作を制御する制御部２０を備えている。制御部２０は、例えばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御部２０は、第１検査部１２１及び第２検査部１２２を適宜移動させ、基板固定装置１１０に固定された基板１００に検査治具４Ｕ，４ＬのプローブＰｒを接触させることにより、基板１００に形成された回路パターンを検査治具４Ｕ，４Ｌによって検査するように構成されている。

図２は、基板１００の構成の一例を示す上面図である。図３は、図２に示す基板１００のIII−III断面図である。基板１００は、例えば、プリント配線基板、フレキシブル基板、セラミック多層配線基板、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ用の電極板、及び半導体パッケージ用のパッケージ基板やフィルムキャリアなど種々の基板であってもよい。

基板１００の第１面１０１（上面）には、面状に拡がる導体の面パターン１０３が形成され、基板１００の第２面１０２（下面）には、面状に拡がる導体の面パターン１０４が形成されている。基板１００には、例えば１０個のスルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０が形成されている。以下、スルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０を総称してスルーホールＴＨと称する。

スルーホールＴＨは、面パターン１０３と面パターン１０４とを電気的に導通させる。これにより、面パターン１０３と面パターン１０４との間にスルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０が並列接続される。基板１００には、通常、面パターン１０３，１０４、及びスルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０以外にも配線パターンが形成されているが、図２、図３ではその記載を省略している。

図２に示す第１位置Ｐ１、第３位置Ｐ３、第５位置Ｐ５、及び第７位置Ｐ７は、検査治具４ＵのプローブＰｒが接触する位置である。第１位置Ｐ１、第３位置Ｐ３、第５位置Ｐ５、及び第７位置Ｐ７は、基板１００の第１面１０１においてスルーホールＴＨ近傍でスルーホールＴＨと導通している面パターン１０３上に設定されている。

図４は、スルーホールＴＨとプローブＰｒの接触位置Ｐとの関係を説明するための説明図である。第１位置Ｐ１と第３位置Ｐ３とは、第１面１０１の面パターン１０３上でスルーホールＴＨの略中心Ｃを通る第１直線Ｌ１上に位置し、かつスルーホールＴＨを間に挟んでその両側に配置されている。第５位置Ｐ５と第７位置Ｐ７とは、第１面１０１の面パターン１０３上でスルーホールＴＨの略中心Ｃを通り、かつ第１直線Ｌ１と略直交する第２直線Ｌ２上に、スルーホールＴＨを間に挟んでその両側に配置されている。

また、第２面１０２の面パターン１０４上には、第１位置Ｐ１と対向する位置、すなわち第１面１０１と直交して第１位置Ｐ１を通る直線と第２面１０２（面パターン１０４）とが交わる位置に第２位置Ｐ２が配置されている。以下、同様に、第２面１０２の面パターン１０４上には、第３位置Ｐ３と対向する位置に第４位置Ｐ４が配置され、第５位置Ｐ５と対向する位置に第６位置Ｐ６が配置され、第７位置Ｐ７と対向する位置に第８位置Ｐ８が配置されている。以下、第１位置Ｐ１、第２位置Ｐ２、第３位置Ｐ３、第４位置Ｐ４、第５位置Ｐ５、第６位置Ｐ６、第７位置Ｐ７、及び第８位置Ｐ８を総称して、接触位置Ｐと称する。

図５は、接触位置Ｐと、スルーホールＴＨとの位置関係を説明するための説明図である。図５に示す例では、スルーホールＴＨの直径（孔径）がｄ１、第１位置Ｐ１（第２位置Ｐ２）と第３位置Ｐ３（第４位置Ｐ４）の距離、及び第５位置Ｐ５（第６位置Ｐ６）と第７位置Ｐ７（第８位置Ｐ８）の距離がｄ２、スルーホールＴＨの縁部から接触位置Ｐ（プローブＰｒが接触する位置）までの距離がｄ３とされている。

直径ｄ１は例えば２００μｍ、距離ｄ２は例えば３００μｍ、距離ｄ３は例えば５０μｍとされている。距離ｄ３は、短かいほど、すなわち接触位置ＰがスルーホールＴＨの縁部に近いほど好ましい。距離ｄ３は、例えば２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下にされている。

図６は、図１に示す検査治具４Ｕ，４Ｌの一例を示す概略縦断面図であり、非検査時における状態を示している。図７は検査治具４Ｕの下面図（平面図）、図８は検査治具４Ｌの上面図（平面図）である。図９は、図１に示す検査治具４Ｕ，４Ｌの一例を示す概略縦断面図であり、検査時における状態を示している。

検査治具４Ｕ，４Ｌは、基体であるフレーム４Ａ、電極部９，９，・・・を備える電極体８、プローブＰｒ，Ｐｒ，・・・、支持ブロックＥ、及び付勢部１０等を備える。

ここで、支持ブロックＥは、検査側支持体５及び電極側支持体６、並びに検査側支持体５と電極側支持体６とを所定距離隔てて平行に保持する連結部材７，７，・・・からなる。

検査側支持体５は、プローブＰｒ，Ｐｒ，・・・の検査端部２，２，・・・を接触位置Ｐに案内する検査案内孔５Ａ，５Ａ，・・・（図７，図８参照）を有する。また、電極側支持体６も、プローブＰｒ，Ｐｒ，・・・の電極端部３，３，・・・を電極部９，９，・・・に案内する図示しない電極案内孔を有する。電極部９と後述するスキャナ３１とが後述するケーブル９１によって接続される。

検査治具４Ｕの各検査案内孔５Ａは、第１面１０１のスルーホールＴＨ１に対応する第１位置Ｐ１，第３位置Ｐ３，第５位置Ｐ５，第７位置Ｐ７、スルーホールＴＨ２に対応する第１位置Ｐ１，第３位置Ｐ３，第５位置Ｐ５，第７位置Ｐ７、・・・、スルーホールＴＨ１０に対応する第１位置Ｐ１，第３位置Ｐ３，第５位置Ｐ５，第７位置Ｐ７というように、第１面１０１上の各第１位置Ｐ１，各第３位置Ｐ３，各第５位置Ｐ５，各第７位置Ｐ７と対応する位置に形成されている（図２、図７参照）。

これにより、検査治具４Ｕの各検査案内孔５Ａは、スルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０に対応するプローブＰｒ１，Ｐｒ３，Ｐｒ５，Ｐｒ７を、スルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０に対応する第１位置Ｐ１，第３位置Ｐ３，第５位置Ｐ５，第７位置Ｐ７にそれぞれ案内する。

検査治具４Ｌの各検査案内孔５Ａは、第２面１０２のスルーホールＴＨ１に対応する第１位置Ｐ１，第３位置Ｐ３，第５位置Ｐ５，第７位置Ｐ７、スルーホールＴＨ２に対応する第２位置Ｐ２，第４位置Ｐ４，第６位置Ｐ６，第８位置Ｐ８、・・・、スルーホールＴＨ１０に対応する第２位置Ｐ２，第４位置Ｐ４，第６位置Ｐ６，第８位置Ｐ８というように、第２面１０２上の各第２位置Ｐ２，各第４位置Ｐ４，各第６位置Ｐ６，各第８位置Ｐ８と対応する位置に形成されている（図８参照）。

これにより、検査治具４Ｌの各検査案内孔５Ａは、スルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０に対応するプローブＰｒ２，Ｐｒ４，Ｐｒ６，Ｐｒ８を、スルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０に対応する第２位置Ｐ２，第４位置Ｐ４，第６位置Ｐ６，第８位置Ｐ８にそれぞれ案内する。

このようにして、導電性のプローブＰｒの一端部の検査端部２が接触位置Ｐ（図２、図４参照）に接触し、他端部の電極端部３が電極部９に接触する。これにより、検査対象となる基板１００に設けられる接触位置Ｐと基板１００を検査する基板検査装置１とを電気的に接続できる。

非検査時における状態を示す図６から、検査時における状態を示す図９のように、支持ブロックＥの基板１００に対向する対向面Ｆに当接するように基板１００が配置され、基板１００により支持ブロックＥが押圧されると、付勢部１０，１０，・・・の付勢力に抗して、支持ブロックＥ（検査側支持体５及び電極側支持体６、並びに連結部材７，７，・・・）が電極体８に向かって相対移動する。

それに伴い、プローブＰｒの電極端部３が電極９により相対的に検査端部２の方向へ押されるので、プローブＰｒの検査端部２が対向面Ｆから突出しようとする。なお、図９においては、説明を容易にするため、プローブＰｒの検査端部２が対向面Ｆから突出した状態を示している。

このような力の作用より、プローブＰｒの検査端部２は基板１００の接触位置Ｐに当接して押しとどめられるので、検査側支持体５と電極側支持体６との間で傾斜姿勢にあったプローブＰｒの中間部分は撓む（屈曲する）ことになる。

よって、このように変形したプローブＰｒの弾性復元力により、プローブＰｒの検査端部２が所定の接触圧で接触位置Ｐに接触し、プローブＰｒの電極端部３が所定の接触圧で電極部９に接触するので、検査端部２と接触位置Ｐとの接触状態、及び電極端部３と電極部９との接触状態が保持される。

これにより、基板１００の第１面１０１において、スルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０に対応するプローブＰｒ１，Ｐｒ３，Ｐｒ５，Ｐｒ７が、スルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０に対応する第１位置Ｐ１，第３位置Ｐ３，第５位置Ｐ５，第７位置Ｐ７にそれぞれ接触し、基板１００の第２面１０２において、スルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０に対応するプローブＰｒ２，Ｐｒ４，Ｐｒ６，Ｐｒ８が、スルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０に対応する第２位置Ｐ２，第４位置Ｐ４，第６位置Ｐ６，第８位置Ｐ８にそれぞれ接触する。

ここで、プローブＰｒは、タングステン（Ｗ）、ハイス鋼（ＳＫＨ）、ベリリウム銅（ＢｅＣｕ）等の靭性に富む金属その他の導電体で形成されるとともに、屈曲可能な弾性（可撓性）を有するワイヤ状（棒状）に形成される。検査治具４Ｕ，４Ｌによって、本発明に係る検査治具セットが構成されている。

なお、必ずしも検査治具４Ｕ，４Ｌを備える例に限らない。例えば、基板１００の第１面１０１上の任意の２カ所、及び第２面１０２上の任意の２カ所の接触位置Ｐに、プローブを移動させ、接触させることができるいわゆるフライングプローブを用いてもよい。

図１０は、図１に示す基板検査装置１の構成の一例を示すブロック図である。図１０に示す基板検査装置１は、制御部２０、スキャナ３１、定電流源３２、電圧検出部３３、プローブＰｒ、電極部９、及びケーブル９１を備えている。プローブＰｒは、電極部９及びケーブル９１を介してスキャナ３１に接続されている。

定電流源３２は、制御部２０からの指示に応じて所定の検査電流Ｉｓを、スキャナ３１の電流端子＋Ｆ，−Ｆへ供給する。電圧検出部３３は、スキャナ３１の電圧検出端子＋Ｓ，−Ｓ間の電圧を測定し、測定電圧値Ｖとして制御部２０へ送信する。

スキャナ３１は、例えばトランジスタやリレースイッチ等のスイッチング素子を用いて構成された切り替え回路である。スキャナ３１は、定電流源３２に接続される電流端子＋Ｆ，−Ｆと、電圧検出部３３に接続される電圧検出端子＋Ｓ，−Ｓとを備え、ケーブル９１及び電極部９を介してスルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０にそれぞれ対応するプローブＰｒ１〜Ｐｒ８に接続されている。また、スキャナ３１は、制御部２０からの制御信号に応じて、電流端子＋Ｆ，−Ｆ及び電圧検出端子＋Ｓ，−Ｓを任意のプローブＰｒに接続可能にされている。

これにより、制御部２０は、スキャナ３１へ制御信号を出力することで、定電流源３２により検査電流Ｉｓを任意のプローブＰｒ間に流させ、任意のプローブＰｒ間の電圧を電圧検出部３３によって検出させることが可能にされている。

制御部２０は、例えば、所定の演算処理を実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）と、データを一時的に記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）と、所定の制御プログラムを記憶するＲＯＭ（Read Only Memory）やＨＤＤ（Hard Disk Drive）等の記憶部と、これらの周辺回路等とを備えて構成されている。

そして、制御部２０は、例えば記憶部に記憶された制御プログラムを実行することにより、第１電流供給部２１、第２電流供給部２２、第３電流供給部２３、第４電流供給部２４、第１電圧検出部２５、第２電圧検出部２６、第３電圧検出部２７、第４電圧検出部２８、及び判定部２９として機能する。

第１電流供給部２１は、第１面１０１においてスルーホールＴＨ近傍でスルーホールＴＨと導通する第１位置Ｐ１と、第２面１０２においてスルーホールＴＨ近傍でスルーホールＴＨと導通する第２位置Ｐ２との間に検査電流Ｉｓ（第１電流）を流す第１電流供給工程を実行する。

第１電圧検出部２５は、第１電流供給工程の実行中に、第１面１０１においてスルーホールＴＨ近傍でスルーホールＴＨと導通する第３位置Ｐ３と、第２面１０２においてスルーホールＴＨ近傍でスルーホールＴＨと導通する第４位置Ｐ４との間の電圧を第１電圧Ｖ１として検出する第１電圧検出工程を実行する。

第２電流供給部２２は、第３位置Ｐ３と第４位置Ｐ４との間に検査電流Ｉｓ（第２電流）を流す第２電流供給工程を実行する。

第２電圧検出部２６は、第２電流供給工程の実行中に、第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間の電圧を第２電圧Ｖ２として検出する第２電圧検出工程を実行する。

第３電流供給部２３は、第１面１０１においてスルーホールＴＨ近傍でスルーホールＴＨと導通する第５位置Ｐ５と、第２面１０２においてスルーホールＴＨ近傍でスルーホールＴＨと導通する第６位置Ｐ６との間に検査電流Ｉｓ（第３電流）を流す第３電流供給工程を実行する。

第３電圧検出部２７は、第３電流供給工程の実行中に、第１面１０１においてスルーホールＴＨ近傍でスルーホールＴＨと導通する第７位置Ｐ７と、第２面１０２においてスルーホールＴＨ近傍でスルーホールＴＨと導通する第８位置Ｐ８との間の電圧を第３電圧Ｖ３として検出する第３電圧検出工程を実行する。

第４電流供給部２４は、第７位置Ｐ７と第８位置Ｐ８との間に検査電流Ｉｓ（第４電流）を流す第４電流供給工程を実行する。

第４電圧検出部２８は、第４電流供給工程の実行中に、第５位置Ｐ５と第６位置Ｐ６との間の電圧を第４電圧Ｖ４として検出する第４電圧検出工程を実行する。

判定部２９は、第１電圧Ｖ１、第２電圧Ｖ２、第３電圧Ｖ３、及び第４電圧Ｖ４に基づいて、各スルーホールＴＨの良否を判定する。

次に、上述の基板検査装置１の動作について説明する。図１１〜図１３は、本発明の一実施形態に係る基板検査方法を実行する基板検査装置１の動作の一例を示すフローチャートである。まず、制御部２０は、第１検査部１２１及び第２検査部１２２を移動させ、基板固定装置１１０に固定された基板１００に検査治具４Ｕ，４ＬのプローブＰｒを接触させる（ステップＳ１）。これにより、基板１００の第１面１０１において、スルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０に対応するプローブＰｒ１，Ｐｒ３，Ｐｒ５，Ｐｒ７が、スルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０に対応する第１位置Ｐ１，第３位置Ｐ３，第５位置Ｐ５，第７位置Ｐ７にそれぞれ接触され、基板１００の第２面１０２において、スルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０に対応するプローブＰｒ２，Ｐｒ４，Ｐｒ６，Ｐｒ８が、スルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０に対応する第２位置Ｐ２，第４位置Ｐ４，第６位置Ｐ６，第８位置Ｐ８にそれぞれ接触される。

次に、制御部２０は、スルーホール番号ｉを１に初期化し（ステップＳ２）、スルーホールＴＨｉに対応する接触位置Ｐ及びプローブＰｒを処理対象としてステップＳ４以降の処理を実行する（ステップＳ３）。

次に、第１電流供給部２１は、スキャナ３１によって、定電流源３２にプローブＰｒ１，Ｐｒ２を接続させ、定電流源３２により、プローブＰｒ１からプローブＰｒ２へ検査電流Ｉｓを流させる（ステップＳ４：第１電流供給工程）。これにより、第１面１０１（面パターン１０３）上でスルーホールＴＨｉ近傍の第１位置Ｐ１と、第２面１０２（面パターン１０４）上でスルーホールＴＨｉ近傍の第２位置Ｐ２との間に検査電流Ｉｓが流れる。

図１４は、第１電流供給工程において、検査電流Ｉｓが流れる電流経路を説明するための説明図である。図１４では、スルーホール番号ｉが”１”、すなわちスルーホールＴＨ１が処理対象の場合を示している。図１４に示すように、第１位置Ｐ１及び第２位置Ｐ２が、スルーホールＴＨ１の両端付近に配置されており、検査治具４Ｕ，４ＬのプローブＰｒ１，Ｐｒ２が第１位置Ｐ１及び第２位置Ｐ２に接触するようにされているので、第１電流供給工程によれば、スルーホールＴＨ１の両端付近にプローブＰｒ１，Ｐｒ２を接触させてスルーホールＴＨ１に検査電流Ｉｓを流すことができる。

電流は、抵抗値の小さい経路、すなわち距離の短い経路を通ろうとする。第１電流供給工程によれば、第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２の最短経路はスルーホールＴＨ１を通る経路となる。スルーホールＴＨ２等他のスルーホールＴＨを通る経路は電流経路長が大幅に長くなり、スルーホールＴＨ１以外のスルーホールＴＨを通る経路の抵抗値は、スルーホールＴＨ１と比べて大幅に抵抗値が大きい。

その結果、検査電流Ｉｓの大部分がスルーホールＴＨ１を流れ、スルーホールＴＨ１と並列接続された他のスルーホールＴＨにはほとんど電流が流れない。従って、処理対象のスルーホールＴＨｉ以外のスルーホールＴＨの影響を低減することができる。

なお、図４に示す例では、第２面１０２の面パターン１０４上の、第１位置Ｐ１，第３位置Ｐ３，第５位置Ｐ５，第７位置Ｐ７と対向する位置に第２位置Ｐ２，第４位置Ｐ４，第６位置Ｐ６，第８位置Ｐ８が配置される例を示したが、第２位置Ｐ２，第４位置Ｐ４，第６位置Ｐ６，第８位置Ｐ８は、必ずしも第１位置Ｐ１，第３位置Ｐ３，第５位置Ｐ５，第７位置Ｐ７と対向する位置に配置される例に限らない。

しかしながら、第２位置Ｐ２，第４位置Ｐ４，第６位置Ｐ６，第８位置Ｐ８を第１位置Ｐ１，第３位置Ｐ３，第５位置Ｐ５，第７位置Ｐ７と対向する位置に配置することによって、第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２、第３位置Ｐ３と第４位置Ｐ４、第５位置Ｐ５と第６位置Ｐ６、及び第７位置Ｐ７と第８位置Ｐ８の距離が、スルーホールＴＨｉに設定可能な電流経路のうちの最短距離となる。その結果、スルーホールＴＨｉの抵抗値が最小となる経路を検査電流Ｉｓが流れるので、スルーホールＴＨｉ以外のスルーホールＴＨを検査電流Ｉｓが流れる場合との抵抗値の差がさらに増大し、スルーホールＴＨｉへの検査電流Ｉｓの集中度合いが増大する。従って、第１位置Ｐ１，第３位置Ｐ３，第５位置Ｐ５，第７位置Ｐ７と対向する位置に第２位置Ｐ２，第４位置Ｐ４，第６位置Ｐ６，第８位置Ｐ８を配置することは、スルーホールＴＨｉ以外のスルーホールＴＨに流れる電流をさらに減少させ、処理対象のスルーホールＴＨｉ以外のスルーホールＴＨの影響をさらに低減させることができる点で好ましい。

次に、第１電圧検出部２５は、スキャナ３１によって、電圧検出部３３にプローブＰｒ３，Ｐｒ４を接続させ、電圧検出部３３により、プローブＰｒ３，Ｐｒ４間の電圧を第１電圧Ｖ１として検出させる（ステップＳ５：第１電圧検出工程）。この場合、プローブＰｒ３，Ｐｒ４は、検査電流Ｉｓが流れる電流経路上に無く、従ってプローブＰｒ３，Ｐｒ４には電流が流れない。その結果、第１電圧検出部２５は、プローブＰｒ３，Ｐｒ４で電圧降下が生じることが無く、スルーホールＴＨｉで生じた電圧降下を精度よく第１電圧Ｖ１として検出することができる。

また、ステップＳ５の第１電圧検出工程において、処理対象のスルーホールＴＨｉ以外のスルーホールＴＨの影響が低減された状態で第１電圧Ｖ１が検出されるので、スルーホールＴＨｉが断線していたり、高抵抗になっている等の不良が生じていた場合には、スルーホールＴＨが複数設けられている場合であっても、正常時に対して第１電圧Ｖ１が大きく変化する。従って、第１電圧Ｖ１に基づきスルーホールＴＨｉの不良を検出することが容易となる。

次に、判定部２９は、下記の式（１）に基づきスルーホールＴＨｉの抵抗値Ｒｉ（１）を算出する抵抗算出工程を実行する（ステップＳ６）。

抵抗値Ｒｉ（１）＝Ｖ１／Ｉｓ ・・・（１）

上述したように、ステップＳ４の第１電流供給工程によれば、スルーホールＴＨｉが断線していたり、高抵抗になっている等の不良が生じていた場合には、スルーホールＴＨが複数設けられている場合であっても正常時に対して第１電圧Ｖ１が大きく変化する結果、式（１）に従い抵抗値Ｒｉ（１）が大きく変化する。

次に、判定部２９は、第１電圧Ｖ１に基づき算出された抵抗値Ｒｉ（１）と、予め設定された判定値Ｒｅｆとを比較する（ステップＳ７：判定工程）。判定部２９は、抵抗値Ｒｉ（１）が判定値Ｒｅｆ以上であれば（ステップＳ７でＮＯ）、スルーホールＴＨｉは不良と判定し（ステップＳ２５）、ステップＳ２７へ移行する。一方、判定部２９は、抵抗値Ｒｉ（１）が判定値Ｒｅｆに満たなければ（ステップＳ７でＹＥＳ）、スルーホールＴＨｉの検査を継続するべくステップＳ１１へ移行する。

上述したように、ステップＳ６の抵抗算出工程によれば、スルーホールＴＨｉに不良が生じていた場合には、スルーホールＴＨが複数設けられている場合であっても正常時に対して抵抗値Ｒｉ（１）が大きく変化するので、適宜判定値Ｒｅｆを設定することにより、スルーホールＴＨが複数設けられている場合であっても、ステップＳ７においてスルーホールＴＨｉの不良を検出することが容易となる。

ステップＳ１１において、第２電流供給部２２は、スキャナ３１によって、定電流源３２にプローブＰｒ３，Ｐｒ４を接続させ、定電流源３２により、プローブＰｒ３からプローブＰｒ４へ検査電流Ｉｓを流させる（ステップＳ１１：第２電流供給工程）。

次に、第２電圧検出部２６は、スキャナ３１によって、電圧検出部３３にプローブＰｒ１，Ｐｒ２を接続させ、電圧検出部３３により、プローブＰｒ１，Ｐｒ２間の電圧を第２電圧Ｖ２として検出させる（ステップＳ１２：第２電圧検出工程）。

ステップＳ１１，Ｓ１２によって、ステップＳ４，Ｓ５とは電流が供給される位置（プローブ）と、電圧を検出する位置（プローブ）とが入れ替えられた上で、ステップＳ４，Ｓ５と同様に第１位置Ｐ１，第２位置Ｐ２間の電圧が第２電圧Ｖ２として検出される。

次に、判定部２９は、下記の式（２）に基づきスルーホールＴＨｉの抵抗値Ｒｉ（２）を算出する抵抗算出工程を実行する（ステップＳ１３）。

抵抗値Ｒｉ（２）＝Ｖ２／Ｉｓ ・・・（２）

次に、判定部２９は、第２電圧Ｖ２に基づき算出された抵抗値Ｒｉ（２）と、判定値Ｒｅｆとを比較する（ステップＳ１４：判定工程）。判定部２９は、抵抗値Ｒｉ（２）が判定値Ｒｅｆ以上であれば（ステップＳ１４でＮＯ）、スルーホールＴＨｉは不良と判定し（ステップＳ２５）、ステップＳ２７へ移行する。一方、判定部２９は、抵抗値Ｒｉ（２）が判定値Ｒｅｆに満たなければ（ステップＳ１４でＹＥＳ）、スルーホールＴＨｉの検査を継続するべくステップＳ１５へ移行する。

図１５は、ステップＳ１１〜Ｓ１４の効果を説明するための説明図である。図１５（ａ）はステップＳ４，Ｓ５において検査電流Ｉｓの流れる経路を示し、図１５（ｂ）はステップＳ１１，Ｓ１２において検査電流Ｉｓの流れる経路を示している。

スルーホールＴＨの不良モードとして、図１５（ａ）に示すように、断線に至ること無くスルーホールＴＨの一部が欠落する欠陥１０５が生じる場合がある。欠陥１０５が、第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２に至る検査電流Ｉｓの経路から外れた位置に存在していた場合、ステップＳ４においては、検査電流Ｉｓは、正常時と略同一の経路を流れる。そのため、ステップＳ５において検出される第１電圧Ｖ１及びステップＳ６で算出される抵抗値Ｒｉ（１）は、正常時に対する差異が小さく、ステップＳ７で不良（ステップＳ７でＮＯ）と判定できない（欠陥１０５を検出できない）おそれがある。

そこで、ステップＳ１１において、第３位置Ｐ３から第４位置Ｐ４へ検査電流Ｉｓを流すと、図１５（ｂ）に示すように、第３位置Ｐ３から第４位置Ｐ４に至る最短の経路上に欠陥１０５が存在しているために、検査電流Ｉｓが欠陥１０５を迂回して流れる。その結果、検査電流Ｉｓの流れる電流経路が延長され、検査電流Ｉｓによって第１位置Ｐ１，第２位置Ｐ２間に生じる第２電圧Ｖ２が増大する。この増大した第２電圧Ｖ２がステップＳ１２で取得される。

判定部２９は、このようにして得られた第２電圧Ｖ２に基づいてステップＳ１３，Ｓ１４を実行することによって、ステップＳ４〜Ｓ７で検出できなかった欠陥１０５を検出し、スルーホールＴＨｉは不良と判定（ステップＳ２５）することが可能となる。

ステップＳ１５において、第３電流供給部２３は、スキャナ３１によって、定電流源３２にプローブＰｒ５，Ｐｒ６を接続させ、定電流源３２により、プローブＰｒ５からプローブＰｒ６へ検査電流Ｉｓを流させる（ステップＳ１５：第３電流供給工程）。

次に、第３電圧検出部２７は、スキャナ３１によって、電圧検出部３３にプローブＰｒ７，Ｐｒ８を接続させ、電圧検出部３３により、プローブＰｒ７，Ｐｒ８間の電圧を第３電圧Ｖ３として検出させる（ステップＳ１６：第３電圧検出工程）。

次に、判定部２９は、下記の式（３）に基づきスルーホールＴＨｉの抵抗値Ｒｉ（３）を算出する抵抗算出工程を実行する（ステップＳ１７）。

抵抗値Ｒｉ（３）＝Ｖ３／Ｉｓ ・・・（３）

次に、判定部２９は、第３電圧Ｖ３に基づき算出された抵抗値Ｒｉ（３）と、判定値Ｒｅｆとを比較する（ステップＳ１８：判定工程）。判定部２９は、抵抗値Ｒｉ（３）が判定値Ｒｅｆ以上であれば（ステップＳ１８でＮＯ）、スルーホールＴＨｉは不良と判定し（ステップＳ２５）、ステップＳ２７へ移行する。一方、判定部２９は、抵抗値Ｒｉ（３）が判定値Ｒｅｆに満たなければ（ステップＳ１８でＹＥＳ）、スルーホールＴＨｉの検査を継続するべくステップＳ２１へ移行する。

欠陥１０５が、第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２に至る検査電流Ｉｓの経路、及び第３位置Ｐ３から第４位置Ｐ４に至る検査電流Ｉｓの経路のいずれからも外れた位置に存在した場合、ステップＳ４〜Ｓ１４の処理では、欠陥１０５の検出精度が低下する。そこで、欠陥１０５の検出精度を向上させるために、ステップＳ１５〜Ｓ１８が実行される。

すなわち、ステップＳ１５，Ｓ１６によって、第１位置Ｐ１，第２位置Ｐ２，第３位置Ｐ３，第４位置Ｐ４に対して、スルーホールＴＨｉの円周における略９０度ずれた第５位置Ｐ５と第６位置Ｐ６との間に検査電流Ｉｓが流され、プローブＰｒ７，Ｐｒ８間の電圧が第３電圧Ｖ３として検出される。この第３電圧Ｖ３に基づいて、ステップＳ１７，Ｓ１８が実行されるので、欠陥１０５が、第５位置Ｐ５から第６位置Ｐ６に至る検査電流Ｉｓの経路上に存在すれば、欠陥１０５を検出することができる。このように、ステップＳ１５〜Ｓ１８の処理により、スルーホールＴＨｉにおける欠陥１０５の検出精度、すなわち基板１００の良否判定精度を向上させることができる。

ステップＳ２１において、第４電流供給部２４は、スキャナ３１によって、定電流源３２にプローブＰｒ７，Ｐｒ８を接続させ、定電流源３２により、プローブＰｒ７からプローブＰｒ８へ検査電流Ｉｓを流させる（ステップＳ２１：第４電流供給工程）。

次に、第４電圧検出部２８は、スキャナ３１によって、電圧検出部３３にプローブＰｒ５，Ｐｒ６を接続させ、電圧検出部３３により、プローブＰｒ５，Ｐｒ６間の電圧を第４電圧Ｖ４として検出させる（ステップＳ２２：第４電圧検出工程）。

ステップＳ２１，Ｓ２２によって、ステップＳ１５，Ｓ１６とは電流が供給される位置（プローブ）と、電圧を検出する位置（プローブ）とが入れ替えられた上で、ステップＳ１５，Ｓ１６と同様に第５位置Ｐ５，第６位置Ｐ６間の電圧が第４電圧Ｖ４として検出される。

次に、判定部２９は、下記の式（４）に基づきスルーホールＴＨｉの抵抗値Ｒｉ（４）を算出する抵抗算出工程を実行する（ステップＳ２３）。

抵抗値Ｒｉ（４）＝Ｖ４／Ｉｓ ・・・（４）

次に、判定部２９は、第４電圧Ｖ４に基づき算出された抵抗値Ｒｉ（４）と、判定値Ｒｅｆとを比較する（ステップＳ２４：判定工程）。判定部２９は、抵抗値Ｒｉ（４）が判定値Ｒｅｆ以上であれば（ステップＳ２４でＮＯ）、スルーホールＴＨｉは不良と判定し（ステップＳ２５）、ステップＳ２７へ移行する。一方、判定部２９は、抵抗値Ｒｉ（４）が判定値Ｒｅｆに満たなければ（ステップＳ２４でＹＥＳ）、スルーホールＴＨｉは良好であると判定し（ステップＳ２６）、ステップＳ２７へ移行する。

欠陥１０５が、第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２に至る検査電流Ｉｓの経路、第３位置Ｐ３から第４位置Ｐ４に至る検査電流Ｉｓの経路、及び第５位置Ｐ５から第６位置Ｐ６に至る検査電流Ｉｓの経路のいずれからも外れた位置に存在した場合、ステップＳ４〜Ｓ１８の処理では、欠陥１０５の検出精度が低下する。そこで、欠陥１０５の検出精度をさらに向上させるために、ステップＳ２１〜Ｓ２４が実行される。

すなわち、ステップＳ２１，Ｓ２２によって、第１位置Ｐ１，第２位置Ｐ２，第３位置Ｐ３，第４位置Ｐ４に対して、スルーホールＴＨｉの円周における略９０度ずれた位置であり、かつ第５位置Ｐ５，第６位置Ｐ６とは反対側の第７位置Ｐ７と第８位置Ｐ８との間に検査電流Ｉｓが流され、第５位置Ｐ５，第６位置Ｐ６間の電圧が第４電圧Ｖ４として検出される。この第４電圧Ｖ４に基づいて、ステップＳ２３，Ｓ２４が実行されるので、欠陥１０５が、第７位置Ｐ７から第８位置Ｐ８に至る検査電流Ｉｓの経路上に存在すれば、欠陥１０５を検出することができる。このように、ステップＳ２１〜Ｓ２４の処理により、スルーホールＴＨｉにおける欠陥１０５の検出精度、すなわち基板１００の良否判定精度を向上させることができる。

この場合、ステップＳ４〜Ｓ２６によれば、スルーホールＴＨｉの周囲を略等間隔で囲む４カ所で欠陥１０５の検出が行われるので、検出できない位置に欠陥１０５が存在することはきわめて稀であると考えられる。従って、ステップＳ４〜Ｓ２６によれば、スルーホールＴＨｉにおける欠陥１０５の検出を高精度で行うことができ、基板１００の良否判定を高精度で行うことができる。

なお、第１位置Ｐ１と第３位置Ｐ３とは、必ずしも第１面１０１の面パターン１０３上でスルーホールＴＨの略中心Ｃを通る第１直線Ｌ１上に位置し、かつスルーホールＴＨを間に挟んでその両側に配置されている例に限らない。また、第５位置Ｐ５と第７位置Ｐ７とは、第１面１０１の面パターン１０３上でスルーホールＴＨの略中心Ｃを通り、かつ第１直線Ｌ１と略直交する第２直線Ｌ２上に、スルーホールＴＨを間に挟んでその両側に配置されている例に限らない。しかしながら、このような配置は、上述のようにスルーホールＴＨｉの周囲を略等間隔で囲む４カ所で欠陥１０５の検出を行うことができ、欠陥１０５の検出の確実性を向上できる点で、より好ましい。

ステップＳ２７において、判定部２９は、スルーホール番号ｉが１０か否か、すなわち全てのスルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０について検査が終了したか否かががチェックされる（ステップＳ２７）。そして、スルーホール番号ｉが１０でなければ（ステップＳ２７でＮＯ）、判定部２９は、新たなスルーホールＴＨについて検査を行うべくスルーホール番号ｉに１を加算し（ステップＳ２８）、再びステップＳ３〜Ｓ２７の処理が繰り返される。

一方、スルーホール番号ｉが１０であれば（ステップＳ２７でＹＥＳ）、全てのスルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０について検査が終了したことになるので、判定部２９は、スルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０のうち、ステップＳ２５において不良と判定されたスルーホールＴＨが有るか否かをチェックする（ステップＳ２９）。

そして、不良と判定されたスルーホールＴＨが有る場合（ステップＳ２９でＹＥＳ）、判定部２９は、検査対象の基板１００は不良品であると判定し（ステップＳ３０）、例えば図略の表示装置にその判定結果を表示する等して処理を終了する。一方、不良と判定されたスルーホールＴＨが無い場合（ステップＳ２９でＮＯ）、判定部２９は、検査対象の基板１００は良品であると判定し（ステップＳ３１）、例えば図略の表示装置にその判定結果を表示する等して処理を終了する。

図１６〜図１９は、上述の基板検査方法によるスルーホールＴＨ１〜ＴＨ１０の抵抗測定結果を示すグラフである。図１６は、２０枚の良品基板１００について、ステップＳ４（第１電流供給工程）、Ｓ５（第１電圧検出工程）、Ｓ６（抵抗算出工程）により得られた抵抗値Ｒｉ（１）の平均値と、ステップＳ１１（第２電流供給工程）、Ｓ１２（第２電圧検出工程）、Ｓ１３（抵抗算出工程）により得られた抵抗値Ｒｉ（２）の平均値とを白菱形で示す基準値として表し、複数の良品基板１００における各スルーホールＴＨの抵抗値Ｒｉ（１）、抵抗値Ｒｉ（２）の標準偏差を黒四角で表している。

図１７は、スルーホールＴＨ５が不良の良品基板１００について、ステップＳ４（第１電流供給工程）、Ｓ５（第１電圧検出工程）、Ｓ６（抵抗算出工程）により得られた抵抗値Ｒｉ（１）と、ステップＳ１１（第２電流供給工程）、Ｓ１２（第２電圧検出工程）、Ｓ１３（抵抗算出工程）により得られた抵抗値Ｒｉ（２）とを黒四角の測定値として示し、図１６に示す基準値を白菱形で示したグラフである。図１７に示すように、不良スルーホールＴＨ５の抵抗測定値のみが、基準値の約１０倍程度と大幅に大きくなることが確認できた。

図１８は、２０枚の良品基板１００について、ステップＳ１５（第３電流供給工程）、Ｓ１６（第３電圧検出工程）、Ｓ１７（抵抗算出工程）により得られた抵抗値Ｒｉ（３）の平均値と、ステップＳ２１（第４電流供給工程）、Ｓ２２（第４電圧検出工程）、Ｓ２３（抵抗算出工程）により得られた抵抗値Ｒｉ（４）の平均値とを白菱形で示す基準値として表し、複数の良品基板１００における各スルーホールＴＨの抵抗値Ｒｉ（１）、抵抗値Ｒｉ（２）の標準偏差を黒四角で表している。

図１９は、スルーホールＴＨ５が不良の良品基板１００について、ステップＳ１５（第３電流供給工程）、Ｓ１６（第３電圧検出工程）、Ｓ１７（抵抗算出工程）により得られた抵抗値Ｒｉ（３）と、ステップＳ２１（第４電流供給工程）、Ｓ２２（第４電圧検出工程）、Ｓ２３（抵抗算出工程）により得られた抵抗値Ｒｉ（４）とを黒四角の測定値として示し、図１８に示す基準値を白菱形で示したグラフである。図１９に示すように、不良スルーホールＴＨ５の抵抗測定値のみが、基準値の約１０倍程度と大幅に大きくなることが確認できた。

このように、上述の基板検査方法によれば、面パターン間を接続するスルーホールＴＨが複数設けられている場合であっても、スルーホールＴＨの不良により抵抗測定値が大きく変化するので、スルーホールＴＨの不良を容易に検出できることが確認できた。

判定値Ｒｅｆは、例えば図１６、図１８に記載の基準値Ｒと標準偏差σとに基づき、下記の式（５）を用いてスルーホールＴＨ毎に設定することができる。

判定値Ｒｅｆ＝Ｒ＋４σ ・・・（５）

式（５）に基づき設定された判定値Ｒｅｆによれば、各スルーホールＴＨの良否判定を誤る確率は０．００６％となり、極めて高精度の良否判定が可能となる。

なお、判定値Ｒｅｆは、スルーホールＴＨ毎に設定する例に限らない。例えば、図１６〜図１９に基づき、例えば０．２００ｍオームといった、全スルーホールＴＨに対して共通の判定値Ｒｅｆを設定してもよい。

また、第１電流、第２電流、第３電流、及び第４電流が、全て検査電流Ｉｓで等しい例を示したが、第１電流、第２電流、第３電流、及び第４電流は、互いに異なる電流値であってもよい。

また、判定工程において、第１電圧Ｖ１、第２電圧Ｖ２、第３電圧Ｖ３、及び第４電圧Ｖ４に基づき抵抗値Ｒｉ（１），Ｒｉ（２），Ｒｉ（３），Ｒｉ（４）を算出し、抵抗値Ｒｉ（１），Ｒｉ（２），Ｒｉ（３），Ｒｉ（４）を判定することで間接的に第１電圧Ｖ１、第２電圧Ｖ２、第３電圧Ｖ３、及び第４電圧Ｖ４に基づきスルーホールＴＨの良否を判定する例を示したが、ステップＳ６，Ｓ１３，Ｓ１７，Ｓ２３における抵抗値Ｒｉ（１），Ｒｉ（２），Ｒｉ（３），Ｒｉ（４）の算出は、必ずしも必要ではない。

検査電流Ｉｓを固定値とすれば、第１電圧Ｖ１、第２電圧Ｖ２、第３電圧Ｖ３、及び第４電圧Ｖ４は、抵抗値Ｒｉ（１），Ｒｉ（２），Ｒｉ（３），Ｒｉ（４）と１対１で対応する。従って、判定値Ｒｅｆとして、第１電圧Ｖ１、第２電圧Ｖ２、第３電圧Ｖ３、及び第４電圧Ｖ４を判定するための電圧値を適宜設定し、ステップＳ７，Ｓ１４，Ｓ１８，Ｓ２４において、第１電圧Ｖ１、第２電圧Ｖ２、第３電圧Ｖ３、及び第４電圧Ｖ４が判定値Ｒｅｆ未満か否かを判定するようにしてもよい。これにより、ステップＳ６，Ｓ１３，Ｓ１７，Ｓ２３の抵抗値算出を実行すること無く、第１電圧Ｖ１、第２電圧Ｖ２、第３電圧Ｖ３、及び第４電圧Ｖ４に基づきスルーホールＴＨの良否を判定する構成としてもよい。

また、第２電流供給部２２及び第２電圧検出部２６を備えず、ステップＳ１１〜Ｓ１４を実行しない構成としてもよい。第３電流供給部２３及び第３電圧検出部２７を備えず、ステップＳ１５〜Ｓ１８を実行しない構成としてもよい。この場合、検査治具４Ｕ，４Ｌは、プローブＰｒ５〜Ｐｒ８を備えない構成としてもよい。また、第４電流供給部２４及び第４電圧検出部２８を備えず、ステップＳ２１〜Ｓ２４を実行しない構成としてもよい。

１ 基板検査装置
４Ｕ，４Ｌ 検査治具
５Ａ 検査案内孔
２０ 制御部
２１ 第１電流供給部
２２ 第２電流供給部
２３ 第３電流供給部
２４ 第４電流供給部
２５ 第１電圧検出部
２６ 第２電圧検出部
２７ 第３電圧検出部
２８ 第４電圧検出部
２９ 判定部
３１ スキャナ
３２ 定電流源
３３ 電圧検出部
１００ 基板
１０１ 第１面
１０２ 第２面
１０３，１０４ 面パターン
１０５ 欠陥
１１０ 基板固定装置
Ｉｓ 検査電流
Ｌ１ 第１直線
Ｌ２ 第２直線
Ｐ 接触位置
Ｐ１ 第１位置
Ｐ２ 第２位置
Ｐ３ 第３位置
Ｐ４ 第４位置
Ｐ５ 第５位置
Ｐ６ 第６位置
Ｐ７ 第７位置
Ｐ８ 第８位置
Ｐｒ，Ｐｒ１〜Ｐｒ８ プローブ
ＴＨ，ＴＨ１〜ＴＨ１０ スルーホール
Ｖ１ 第１電圧
Ｖ２ 第２電圧
Ｖ３ 第３電圧
Ｖ４ 第４電圧

Claims (9)

1. スルーホールが形成された第１面及び第２面を有する基板を検査する基板検査方法であって、
   前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第１位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第２位置との間に所定の第１電流を流す第１電流供給工程と、
   前記第１電流供給工程の実行中に、前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第３位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第４位置との間の電圧を第１電圧として検出する第１電圧検出工程と、
   前記第３位置と、前記第４位置との間に所定の第２電流を流す第２電流供給工程と、
   前記第２電流供給工程の実行中に、前記第１位置と、前記第２位置との間の電圧を第２電圧として検出する第２電圧検出工程と、
   前記第１及び第２電圧に基づいて、前記スルーホールの良否を判定する判定工程とを含む基板検査方法。
2. スルーホールが形成された第１面及び第２面を有する基板を検査する基板検査方法であって、
   前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第１位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第２位置との間に所定の第１電流を流す第１電流供給工程と、
   前記第１電流供給工程の実行中に、前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第３位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第４位置との間の電圧を第１電圧として検出する第１電圧検出工程と、
   前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第５位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第６位置との間に所定の第３電流を流す第３電流供給工程と、
   前記第３電流供給工程の実行中に、前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第７位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第８位置との間の電圧を第３電圧として検出する第３電圧検出工程と、
   前記第１及び第３電圧に基づいて、前記スルーホールの良否を判定する判定工程とを含む基板検査方法。
3. 前記第３位置と、前記第４位置との間に所定の第２電流を流す第２電流供給工程と、
   前記第２電流供給工程の実行中に、前記第１位置と、前記第２位置との間の電圧を第２電圧として検出する第２電圧検出工程と、
   前記第７位置と前記第８位置との間に所定の第４電流を流す第４電流供給工程と、
   前記第４電流供給工程の実行中に、前記第５位置と前記第６位置との間の電圧を第４電圧として検出する第４電圧検出工程とをさらに含み、
   前記判定工程は、前記第１〜第４電圧に基づいて、前記スルーホールの良否を判定する請求項２記載の基板検査方法。
4. 前記第２位置は、前記第２面上で前記第１位置と対向する位置に配置され、
   前記第４位置は、前記第２面上で前記第３位置と対向する位置に配置され、
   前記第６位置は、前記第２面上で前記第５位置と対向する位置に配置され、
   前記第８位置は、前記第２面上で前記第７位置と対向する位置に配置されている請求項２又は３記載の基板検査方法。
5. 前記第１位置と前記第３位置とは、前記第１面上で前記スルーホールの略中心を通る第１直線上に位置し、かつ前記スルーホールを間に挟んでその両側に配置され、
   前記第５位置と前記第７位置とは、前記第１面において前記スルーホールの略中心を通り、かつ前記第１直線と略直交する第２直線上に、前記スルーホールを間に挟んでその両側に配置されている請求項４記載の基板検査方法。
6. スルーホールが形成された第１面及び第２面を有する基板を検査するための検査治具であって、
   前記第１面の、前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第１位置に接触する第１プローブと、
   前記第１面の、前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第３位置に接触する第３プローブとを備え、
   前記第１及び第３プローブは、複数の前記スルーホールに対応して複数設けられ、
   前記第１位置と前記第３位置とは、前記第１面上で前記スルーホールの略中心を通る第１直線上に位置し、かつ前記スルーホールを間に挟んでその両側に配置され、
   前記第１面の、前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第５位置に接触する第５プローブと、
   前記第１面の、前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第７位置に接触する第７プローブとをさらに備え、
   前記第５位置と前記第７位置とは、前記第１面において前記スルーホールの略中心を通り、かつ前記第１直線と略直交する第２直線上に、前記スルーホールを間に挟んでその両側に配置され、
   前記第５及び第７プローブは、複数の前記スルーホールに対応して複数設けられている検査治具。
7. スルーホールが形成された第１面及び第２面を有する基板を検査するための第１及び第２検査治具を含む検査治具セットであって、
   前記第１検査治具は請求項６に記載の検査治具であり、
   前記第２検査治具は、
   前記第２面の前記第１位置と対向する位置で前記スルーホールと導通する第２位置に接触する第２プローブと、
   前記第２面の前記第３位置と対向する位置で前記スルーホールと導通する第４位置に接触する第４プローブと、
   前記第２面の前記第５位置と対向する位置で前記スルーホールと導通する第６位置に接触する第６プローブと、
   前記第２面の前記第７位置と対向する位置で前記スルーホールと導通する第８位置に接触する第８プローブとを備える検査治具セット。
8. スルーホールが形成された第１面及び第２面を有する基板を検査する基板検査装置であって、
   前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第１位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第２位置との間に所定の第１電流を流す第１電流供給工程を実行する第１電流供給部と、
   前記第１電流供給工程の実行中に、前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第３位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第４位置との間の電圧を第１電圧として検出する第１電圧検出工程を実行する第１電圧検出部と、
   前記第３位置と、前記第４位置との間に所定の第２電流を流す第２電流供給工程を実行する第２電流供給部と、
   前記第２電流供給工程の実行中に、前記第１位置と、前記第２位置との間の電圧を第２電圧として検出する第２電圧検出工程を実行する第２電圧検出部と、
   前記第１及び第２電圧に基づいて、前記スルーホールの良否を判定する判定工程を実行する判定部とを備える基板検査装置。
9. スルーホールが形成された第１面及び第２面を有する基板を検査する基板検査装置であって、
   前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第１位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第２位置との間に所定の第１電流を流す第１電流供給工程を実行する第１電流供給部と、
   前記第１電流供給工程の実行中に、前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第３位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第４位置との間の電圧を第１電圧として検出する第１電圧検出工程を実行する第１電圧検出部と、
   前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第５位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第６位置との間に所定の第３電流を流す第３電流供給工程を実行する第３電流供給部と、
   前記第３電流供給工程の実行中に、前記第１面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第７位置と、前記第２面において前記スルーホール近傍で前記スルーホールと導通する第８位置との間の電圧を第３電圧として検出する第３電圧検出工程を実行する第３電圧検出部と、
   前記第１及び第３電圧に基づいて、前記スルーホールの良否を判定する判定工程を実行する判定部とを備える基板検査装置。

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