JP5555368B1 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持基板上に、配線パターンP1とキャビティパターンとを形成する。次いで、配線パターンP1および前記キャビティパターンを覆うように前記支持基板上に絶縁樹脂層30を形成する。次いで、絶縁樹脂層30上に配線パターンP2を形成する。次いで、前記支持基板を取り除き、配線パターンP1と、前記キャビティパターンと、絶縁樹脂層30と、配線パターンP2と、を備える分離基板103を形成する。次いで、前記キャビティパターンをエッチングで除去して、分離基板103にキャビティCを形成する。
【選択図】図11
Description
本発明の実施形態1では、配線層が2層構造の配線基板の製造方法について図1〜図11を参照して説明する。なお、本実施形態における製造方法は、いわゆるコア基板を備えていない配線基板(「コアレス基板」という。)を製造するものである。
前記実施形態1では、配線基板100の厚み方向において、キャビティCの底面の位置が、配線パターンP1とビア41との境界面の位置と同じである場合について説明した(図11参照)。これに対して、本発明の実施形態2では、キャビティC1の底面の位置が、配線パターンP1とビア41との境界面の位置よりも部品実装面から深くなる場合の、配線基板100Aの製造方法について図13〜図15を参照して説明する。以下では、前記実施形態1と相違する事項を中心に説明する。
前記実施形態1では、配線基板100の厚み方向において、キャビティCの底面の位置が、配線パターンP1とビア41との境界面の位置と同じである場合について説明した(図11参照)。これに対して、本発明の実施形態3では、キャビティC1の底面の位置が、配線パターンP1とビア41との境界面の位置よりも部品実装面から浅くなる場合の、配線基板100Bの製造方法について図16〜図18を参照して説明する。以下では、前記実施形態1と相違する事項を中心に説明する。
(実施形態4)
前記実施形態1では、配線基板100の厚み方向において、キャビティCの底面で絶縁樹脂層30が露出している場合について説明した(図11参照)。これに対して、本発明の実施形態4では、キャビティCの底面でめっき膜61が露出している場合の、配線基板100Cの製造方法について図19〜図21を参照して説明する。以下では、前記実施形態1と相違する事項を中心に説明する。
11 基材
12 熱硬化性樹脂
20 キャリア付銅箔
21 金属箔
22 キャリア
30 絶縁樹脂層
31 金属箔
40 ビアホール
41 ビア
50、51 ソルダレジスト
52、53、54 レジスト
60、61 めっき膜
100、100A、100B、100C 配線基板
101 支持基板
102 仮基板
103 分離基板
200 電子製品
201 電子部品
202 ボンディングワイヤ
C、C1、C2 キャビティ
CP、CP’ キャビティパターン
M1、M2 導体層
P1、P2、P2’ 配線パターン
Claims (4)
- 以下の工程を含むことを特徴とするキャビティ内に電子部品が実装される配線基板の製造方法:
(a)支持基板上に、第1配線パターンとキャビティパターンとを形成する工程;
(b)前記第1配線パターンおよび前記キャビティパターンを覆うように前記支持基板上に絶縁樹脂層を形成する工程;
(c)前記絶縁樹脂層上に第2配線パターンを形成する工程;
(d)前記支持基板を取り除き、前記第1配線パターンと、前記キャビティパターンと、前記絶縁樹脂層と、前記第2配線パターンと、を備える分離基板を形成する工程;
(e)前記キャビティパターンをエッチングで除去して、前記分離基板に前記キャビティを形成する工程。 - 請求項1記載の配線基板の製造方法において、
前記(a)工程では、
前記第1配線パターンより前記キャビティパターンを厚くする場合に、前記キャビティパターン上に前記キャビティパターンと同じ材質のめっきを施し、
前記第1配線パターンより前記キャビティパターンを薄くする場合に、前記キャビティパターンの一部をエッチングすることを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項1または2記載の配線基板の製造方法において、
前記(a)工程後、前記(b)工程前に、
前記キャビティパターン上に前記キャビティパターンとエッチング選択比の異なる材質のめっきを施すことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法において、
前記(c)工程では、前記絶縁樹脂層の厚さ方向で前記キャビティパターンと重なる前記第2配線パターンを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
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